JP2000114153A - 薬液供給システムおよび基板処理システム - Google Patents
薬液供給システムおよび基板処理システムInfo
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- JP2000114153A JP2000114153A JP28646798A JP28646798A JP2000114153A JP 2000114153 A JP2000114153 A JP 2000114153A JP 28646798 A JP28646798 A JP 28646798A JP 28646798 A JP28646798 A JP 28646798A JP 2000114153 A JP2000114153 A JP 2000114153A
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Abstract
定の一定圧力により現像液等の薬液を各処理ユニットに
圧送することができる薬液供給システムおよび基板処理
システムを提供すること。 【解決手段】 現像液が現像液供給源から現像液流路7
1を介してバッファタンク73に圧送され、このバッフ
ァタンク73から現像処理ユニット(DEV)に現像液
が所定量ごとに吐出され、この現像液の所定量ごとの吐
出が終了する度毎に、現像液供給源からバッファタンク
73に現像液が補填されるようになっている。
Description
イスやLCD基板等の製造プロセスにおいて、現像液等
の薬液を各処理ユニットに供給する薬液供給システムお
よび基板処理システムに関する。
おいては、被処理基板である半導体ウエハにフォトレジ
スト液を塗布し、回路パターンを縮小してフォトレジス
ト膜を露光し、これを現像処理することによって回路パ
ターンに対応したレジストパターンを形成する、いわゆ
るフォトリソグラフィ技術が採用されている。
エハを洗浄ユニットにて洗浄した後、半導体ウエハにア
ドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理を施し、冷却
処理ユニットにて冷却した後、レジスト塗布ユニットに
てフォトレジスト膜すなわち感光膜を塗布形成する。そ
して、フォトレジスト膜を熱処理ユニットにて加熱して
ベーキング処理を施した後、露光ユニットにて所定のパ
ターンを露光し、そして、露光後の半導体ウエハを現像
ユニットにて現像液を塗布して所定のレジストパターン
を形成した後に、ベーキング処理を施して高分子化のた
めの熱変成、半導体ウエハとレジストパターンとの密着
性を強化している。
て、現像液、シンナー等の薬液を各処理ユニットに供給
する際には、例えば、薬液を貯留したタンク内に高圧の
N2ガスを供給し、そのガスの圧力で薬液を各処理ユニ
ットに圧送する圧送方式が採用されている。
液を各処理ユニットに送る場合、薬液に高圧のN2ガス
を供給することから、薬液にN2ガスが混入し、薬液が
各処理ユニットに到達して圧力が下がった時、N2ガス
が薬液内で発泡するといったことがある。その結果、例
えば、現像処理ユニットでは、圧送後に圧力が下がった
現像液内でN2ガスが発泡し、このN2ガスの気泡によ
り現像ムラが生じるおそれがある。また、その他の薬液
でもこのような気泡により処理に悪影響を及ぼすおそれ
がある。
の薬液を各処理ユニットに供給する際には、ポンプによ
り薬液を各処理ユニットに供給している。
により薬液を各処理ユニットに供給する場合には、現像
液等の薬液がポンプにより繰り返し加圧されるため、処
理ユニットに到達した薬液が脈動する。その結果、例え
ば、現像処理ユニットでは、現像液吐出ノズルから現像
液が脈動しながら吐出されることにより、現像ムラが生
じるおそれがあり、プロセス的に悪影響があるといった
問題がある。
のであって、ポンプによる脈動を生じることなく、常時
所定の一定圧力により現像液等の薬液を各処理ユニット
に圧送することができる薬液供給システムおよび基板処
理システムを提供することを目的とする。
に、本発明の第1の観点によれば、薬液供給源から各処
理ユニットに薬液を圧送して供給するための薬液供給シ
ステムであって、前記薬液供給源から薬液流路を介して
圧送された薬液を貯留するためのバッファタンクと、前
記バッファタンクから各処理ユニットに、薬液を所定量
ごとに吐出するための吐出手段と、前記薬液流路に介装
され、薬液流路を開閉する薬液流路開閉弁と、前記バッ
ファタンクからの薬液の所定量ごとの吐出が終了する度
ごとに、前記薬液供給源から前記バッファタンクに薬液
を導入して補填するように、前記薬液流路開閉弁を開に
する制御手段とを具備することを特徴とする薬液供給シ
ステムが提供される。
から薬液を圧送する薬液供給システムから供給された薬
液を用いて、各処理ユニットが基板の処理を行う基板処
理システムであって、前記薬液供給システムは、前記薬
液供給源から薬液流路を介して圧送された薬液を貯留す
るためのバッファタンクと、前記バッファタンクから各
処理ユニットに、薬液を所定量ごとに吐出するための吐
出手段と、前記薬液流路に介装され、薬液流路を開閉す
る薬液流路開閉弁と、前記バッファタンクからの薬液の
所定量ごとの吐出が終了する度ごとに、前記薬液供給源
から前記バッファタンクに薬液を導入して補填するよう
に、前記薬液流路開閉弁を開にする制御手段とを具備す
ることを特徴とする基板処理システムが提供される。
液流路を介してバッファタンクに圧送され、このバッフ
ァタンクから各処理ユニットに薬液が所定量ごとに吐出
され、この薬液の所定量ごとの吐出が終了する度ごと
に、薬液供給源からバッファタンクに薬液が補填される
ようになっている。したがって、薬液が薬液供給源から
ポンプにより供給されて、バッファタンクに到達した時
点で脈動していたとしても、薬液は、バッファタンクに
一旦貯留された後に処理ユニットに供給されているた
め、処理ユニットには、常時所定の一定圧力により薬液
が供給され、処理ユニットでは薬液の脈動が生じない。
したがって、処理ユニットにおいて薬液が脈動すること
によって生じる不都合、例えば現像処理ユニットにおい
て現像液の脈動による現像ムラが生じることを防止する
ことができる。
給源から前記バッファタンクに加圧気体を案内するため
の気体流路と、この気体流路に介装された気体流路切換
弁とを有し、前記制御手段は、前記加圧気体供給源から
前記気体流路を介して加圧気体を前記バッファタンクに
導入し薬液を加圧して薬液を所定量ごとに吐出するよう
に、前記気体流路切換弁をバッファタンク側に開になる
ように切り換えるようにすることにより、加圧気体(例
えばN2ガス)の量は少量でよく、加圧気体が薬液に混
入するおそれが小さい。
脱気手段と、前記バッファタンクから薬液内混入ガスを
脱気手段に案内するための薬液内混入ガス流路と、この
薬液内混入ガス流路に介装された薬液内混入ガス流路切
換弁とをさらに具備し、前記制御手段は、前記バッファ
タンク内の薬液内混入ガスが前記薬液内混入ガス流路を
介して脱気されるように、前記薬液内混入ガス流路切換
弁を排気手段側に開になるように切り換えるようにする
ことにより、たとえバッファタンク内の薬液に気体が混
入しても、脱気手段により薬液内混入ガス(例えばN2
ガス)が放出され、脱気が十分に行われているため、例
えば、現像処理ユニットでN2ガスの気泡による現像ム
ラが生じることを確実に防止することができる。
る配管を有し、前記薬液内混入ガス流路は前記配管に接
続され、配管を流れるガスによって前記バッファタンク
内の薬液内混入ガスが薬液内混入ガス流路を介して吸引
されるものとすることにより、簡易な構造でバッファタ
ンク内の薬液を脱気することができる。
の液位を検出して、検出信号を前記制御手段に入力する
ための液位検出器をさらに具備することにより、処理ユ
ニットに所定量の薬液の吐出が行われる度ごとに、その
減少量を容易に把握ことができ、バッファタンクに、吐
出された量に応じた薬液を補充することができる。
段による薬液の所定量ごとの吐出が終了した後、前記液
位検出器が薬液の高液位レベルを検出するまで、前記薬
液流路開閉弁を開にし、薬液を導入して補填するように
することにより、常に必要量の薬液をバッファタンクに
保持させておくことができる。
が所定の高液位レベルを超えてオーバーフローした場合
に、これを検出するためのオーバーフロー検出器と、前
記薬液内混入ガス流路に介装されたオーバーフロー用切
換弁とをさらに具備し、前記制御手段は、オーバーフロ
ーした薬液を前記薬液内混入ガス流路を介してドレン管
に排出するように、前記オーバーフロー用切換弁をドレ
ン管に開になるように切り換えるようにすることによ
り、バッファタンクに必要量以上の薬液が供給されるト
ラブルが生じても、余分な薬液がドレン管に排出され、
処理に対する悪影響が生じない。
の実施形態について説明する。図1ないし図3は、本発
明の実施に用いられる半導体ウエハ(以下、「ウエハ」
という)の塗布・現像処理システム1の全体構成を示す
図であって、図1は平面、図2は正面、図3は背面をそ
れぞれ示している。
すように、被処理基板としてウエハWをウエハカセット
CRで複数枚、例えば25枚単位で外部からシステムに
搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、ウエハ
カセットCRに対してウエハWを搬入・搬出したりする
ためのカセットステーション10と、塗布現像工程の中
で1枚ずつウエハWに所定の処理を施す枚葉式の各種処
理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーシ
ョン11と、この処理ステーション11に隣接して設け
られる露光装置(図示せず)との間でウエハWを受け渡
しするためのインターフェイス部12とを一体に接続し
た構成を有している。
に示すように、カセット載置台20上の位置決め突起2
0aの位置に、複数個例えば4個までのウエハカセット
CRが、それぞれのウエハ出入口を処理ステーション1
1側に向けてX方向に一列に載置され、このカセット配
列方向(X方向)およびウエハカセットCR内に収納さ
れたウエハのウエハ配列方向(Z方向:垂直方向)に移
動可能なウエハ搬送体21が各ウエハカセットCRに選
択的にアクセスするようになっている。
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション11側の第3の処理ユニット群G3に属するアラ
イメントユニット(ALIM)およびイクステンション
ユニット(EXT)にもアクセスできるようになってい
る。
すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエ
ハ搬送機構22が設けられ、その周りに全ての処理ユニ
ットが1組または複数の組に亘って多段に配置されてい
る。
に、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上
下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持
体49はモータ(図示せず)の回転軸に接続されてお
り、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中
心としてウエハ搬送装置46と一体に回転し、それによ
りこのウエハ搬送装置46は、θ方向に回転自在となっ
ている。なお筒状支持体49は前記モータによって回転
される別の回転軸(図示せず)に接続するように構成し
てもよい。
後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これ
らの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハ
Wの受け渡しを実現している。
つの処理ユニット群G1、G2、G3、G4、G5が配
置可能な構成であり、第1および第2の処理ユニット群
G1、G2は、システム正面(図1において手前)側に
配置され、第3の処理ユニット群G3はカセットステー
ション10に隣接して配置され、第4の処理ユニット群
G4はインターフェイス部12に隣接して配置される。
また、第5の処理ユニット群G5は背面側に配置される
ことが可能である。
ように、カップCP内でウエハWをスピンチャックに載
せて所定の処理を行う2台のスピンナ型処理ユニット、
例えばレジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニ
ット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。第
2の処理ユニット群G2も、2台のスピンナ型処理ユニ
ット、例えばレジスト塗布ユニット(COT)および現
像ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられてい
る。これらレジスト塗布ユニット(COT)は、レジス
ト液の排液が機械的にもメンテナンスの上でも面倒であ
ることから、このように下段に配置するのが好ましい。
しかし、必要に応じて上段に配置することももちろん可
能である。
ように、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行うク
ーリングユニット(COL)、レジストの定着性を高め
るためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニ
ット(AD)、位置合わせを行うアライメントユニット
(ALIM)、イクステンションユニット(EXT)、
露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニット
(PREBAKE)および露光処理後の加熱処理を行う
ポストベーキングユニット(POBAKE)が、下から
順に例えば8段に重ねられている。第4の処理ユニット
群G4も、オーブン型の処理ユニット、例えばクーリン
グユニット(COL)、イクステンション・クーリング
ユニット(EXTCOL)、イクステンションユニット
(EXT)、クーリングユニット(COL)、プリベー
キングユニット(PREBAKE)およびポストベーキ
ングユニット(POBAKE)が下から順に、例えば8
段に重ねられている。
ット(COL)、イクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いベ
ーキングユニット(PREBAKE)、ポストベーキン
グユニット(POBAKE)およびアドヒージョンユニ
ット(AD)を上段に配置することで、ユニット間の熱
的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、こ
れ以外の多段配置としてもよい。
すように、奥行方向(X方向)については、前記処理ス
テーション11と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。そしてこのイン
ターフェイス部12の正面部には、可搬性のピックアッ
プカセットCRと、定置型のバッファカセットBRが2
段に配置され、他方、背面部には周辺露光装置23が配
置され、さらに、中央部には、ウエハ搬送体24が設け
られている。このウエハ搬送体24は、X方向、Z方向
に移動して両カセットCR、BRおよび周辺露光装置2
3にアクセスするようになっている。前記ウエハ搬送体
24は、θ方向にも回転自在となるように構成されてお
り、前記処理ステーション11側の第4の処理ユニット
群G4の多段ユニットに属するイクステンションユニッ
ト(EXT)や、さらには隣接する露光装置側のウエハ
受け渡し台(図示せず)にもアクセスできるようになっ
ている。
1に示すように、記述の如く主ウエハ搬送機構22の背
面側にも破線で示した第5の処理ユニット群G5を配置
することができるようになっているが、この第5の処理
ユニット群G5は、案内レール25に沿って主ウエハ搬
送機構22からみて、側方へシフトできるように構成さ
れている。したがって、この第5の処理ユニット群G5
を図示の如く設けた場合でも、前記案内レール25に沿
ってスライドすることにより、空間部が確保されるの
で、主ウエハ搬送機構22に対して背後からメンテナン
ス作業が容易に行えるようになっている。なお、第5の
処理ユニット群G5は第4または第3の処理ユニット群
G3,G4と同様に、オープン型のユニットが多段に積
層されて構成されている。また、第5の処理ユニット群
G5は、上述のように案内レール25に沿った直線状の
スライドシフトに限らず、図1中の一点鎖線の往復回動
矢印で示したように、システム外方へと回動シフトさせ
るように構成しても、主ウエハ搬送機構22に対するメ
ンテナンス作業のスペース確保が容易である。
ト(DEV)について説明する。図4および図5は、現
像処理ユニット(DEV)の全体構成を示す概略断面図
および概略平面図である。
(DEV)の中央部には環状のカップCPが配置され、
カップCPの内側にはスピンチャック51が配置されて
いる。スピンチャック51は真空吸着によってウエハW
を固定保持した状態で駆動モータ52によって回転駆動
される。駆動モータ52は、ユニット底板53の開口に
昇降移動可能に配置され、たとえばアルミニウムからな
るキャップ状のフランジ部材54を介してたとえばエア
シリンダからなる昇降駆動手段55および昇降ガイド手
段56と結合されている。駆動モータ52の側面にはた
とえばSUSからなる筒状の冷却ジャケット57が取り
付けられ、フランジ部材54は、この冷却ジャケット5
7の上半部を覆うように取り付けられている。
は、ユニット底板53の開口の外周付近でユニット底板
53に密着し、これによりユニット内部が密閉される。
スピンチャック51と主ウエハ搬送機構22との間でウ
エハWの受け渡しが行われる時は、昇降駆動手段55が
駆動モータ52ないしスピンチャック51を上方へ持ち
上げることでフランジ部材54の下端がユニット底板5
3から浮くようになっている。
現像液供給ノズル61は、現像液供給管62を介して図
示しない現像液供給部に接続されている。この現像液供
給ノズル61はノズルスキャンアーム63の先端部に着
脱可能に取り付けられている。このスキャンアーム63
は、ユニット底板53の上に一方向(Y方向)に敷設さ
れたガイドレール65上で水平移動可能な垂直支持部材
66の上端部に取り付けられており、図示しないY方向
駆動機構によって垂直支持部材66と一体にY方向に移
動するようになっている。
は、ウエハWの径方向に直線状に延ばされており、その
下面に設けられた吐出口から全体として帯状に現像液を
吐出するようになっている。そして、現像液の塗布の際
には、ウエハWの上方に位置する現像液供給ノズル61
から現像液が帯状に吐出されながら、ウエハWが例えば
1回転されることにより、現像液がウエハW全面に塗布
される。この現像液供給ノズル61は、複数のノズルが
並列されたものであってもよく、スリットノズルのよう
なものであってもよい。また、現像液吐出の際には、ウ
エハWを回転させずに現像液供給ノズル61をガイドレ
ール65に沿ってスキャンさせてもよい。なお、現像液
供給ノズル61は、このようなタイプに限定されるもの
ではなく、他のタイプのものであってもよい。
ル67が設けられ、このリンスノズル67は、ガイドレ
ール65上をY方向に移動自在に設けられたノズルスキ
ャンアーム68の先端に取り付けられている。これによ
り、現像液による現像処理の終了後、ウエハW上に移動
して、洗浄液をウエハWに吐出するようになっている。
待機部69において、このノズル61の吐出口が現像液
雰囲気室の挿入口に挿入され、現像液雰囲気に晒される
ことで、ノズル先端のレジスト液が固化または劣化しな
いようになっている。
(DEV)においては、まず、所定のパターンが露光さ
れポストエクスポージャーベーク処理および冷却処理さ
れたウエハWが、主ウエハ搬送機構22によってカップ
CPの真上まで搬送され、昇降駆動手段55によって上
昇されたスピンチャック51に真空吸着される。
の上方に移動し、この現像液供給ノズル61から現像液
が帯状に噴霧されながら、ウエハWが例えば1回転され
ることにより、現像液がウエハW全面に例えば1mmの
厚みになるように塗布される。
より比較的低速で回転され、現像液が攪拌され、現像処
理される。現像処理が終了すると、現像液供給ノズル6
1が退避位置に移動される。
より回転されて現像液が振り切られ、続いてリンスノズ
ル67がウエハWの上方に移動され、リンスノズル67
から洗浄液が吐出されてウエハW上に残存する現像液が
洗い流される。その後、スピンチャック51が高速で回
転され、ウエハW上に残存する現像液および洗浄液が吹
き飛ばされてウエハWが乾燥される。これにより、一連
の現像処理が終了する。
ニット(DEV)に現像液を供給するための現像液供給
システムを説明する。図6は、本発明の実施の形態に係
る現像液供給システムのブロック図である。
略)により現像液を現像液処理ユニット(DEV)に供
給するため現像液流路71,72が設けられており、こ
れら現像液流路71,72の間に、現像液を一旦貯留し
て吐出するためのバッファタンク73が設けられてい
る。また、現像液流路71には、開閉制御弁74が介装
されている。
N2ガスを導入するためのN2ガス流路75が設けられ
ており、このN2ガス流路75には、フィルター76お
よび逆止弁77が介装されている。このN2ガス流路7
5は、流路75aと流路75bとに分岐されており、流
路75aには、切換制御弁78が介装され、この流路7
5aは、バッファタンク73の上部に接続されている。
流路75bには、開閉制御弁79およびレギュレータ8
0が介装され、この流路75bは、分岐管81によりバ
ッファタンク73の上部に接続されている。また、開閉
制御弁79は、空気圧により切り換えられる空気圧駆動
切換弁82により開閉制御されるようになっている。
延びており、このN2ガス放出路83には切換制御弁8
5が介装されている。このガス放出管83は切換制御弁
85を介して配管84に接続されている。また、切換制
御弁85の他方の側には、ドレン管86が接続されてい
る。
が通流されており、切換制御弁85がガス放出管83側
に開になっている際に、配管84を通流する空気により
ガス放出管83内が負圧になり、吸引力が作用する。し
たがって、この吸引力により、バッファタンク73内の
現像液を脱気することができる。
送ってこれら制御弁を制御するためのコントロールユニ
ット90が設けられている。なお、このコントロールユ
ニット90は、現像処理ユニット(DEV)を制御する
ためのコントローラと兼用されていてもよい。
ファタンク73内の現像液の高液位レベルを検出するた
めの高液位検出センサー91と、現像液の低液位レベル
を検出するための低液位検出センサー92とが設けられ
いてる。これら液位検出センサー91,92の検出信号
は、上記コントローラユニット90に入力されるように
なっている。
はにおいて、バッファタンク73に現像液を充填する際
には、コントロールユニット90から現像液流路71の
開閉制御弁74に制御信号が送られて、この開閉制御弁
74が開かれ、現像液供給源(図示略)からポンプ(図
示略)により現像液がバッファタンク73に充填され
る。そして、高液位検出センサー91が現像液の高液位
を検出し、検出信号がコントロールユニット90に送ら
れた場合には、現像液が所定の高液位まで充填されたと
して、コントロールユニット90から開閉制御弁74に
制御信号が送られて、この開閉制御弁74が閉じられ、
バッファタンク73内への現像液の充填が完了する。
ユニット(DEV)に現像液を供給する際には、コント
ロールユニット90からN2ガスの流路75aの切換制
御弁78に制御信号が送られて、加圧気体のN2ガスが
バッファタンク73内に導入されるように切換制御弁7
8が流路75a側に切り換えられる。これにより、バッ
ファタンク73の上部からN2ガスが所定時間導入され
て、現像液が上方から加圧され、バッファタンク73の
下部から所定量の現像液が吐出され、現像液流路72を
介して現像処理ユニット(DEV)に供給される。所定
量の現像液の吐出が完了すると、コントロールユニット
90から切換制御弁78に制御信号が送られて、この切
換制御弁78が、後述するようにN2ガスを放出するよ
うに切り換えられる。
度毎に、現像液供給源(図示略)からバッファタンク7
3に現像液が補填されるようになっている。すなわち、
所定量の現像液の吐出が完了すると、コントロールユニ
ット90から開閉制御弁74に制御信号が送られて、こ
の開閉制御弁74が開かれ、高液位検出センサー91が
現像液の高液位を検出するまで現像液がバッファタンク
73に補填される。
3に一旦貯留された後に現像処理ユニット(DEV)に
供給されているため、現像液が現像液供給源(図示略)
からポンプ(図示略)により供給され、バッファタンク
73に到達した時点で脈動していたとしても、現像処理
ユニット(DEV)には、常時所定の一定圧力により現
像液が供給されるので、現像液の脈動が生じず、したが
って脈動による現像ムラが生じない。
完了し、吐出した量に対応する現像液がバッファタンク
73に補填されると、バッファタンク73内のN2ガス
脱気が行われる。すなわち、現像液がバッファタンク7
3に補填されると、コントロールユニット90から切換
制御弁78に制御信号が送られて、この切換制御弁78
がN2ガス放出路83側に開になるように切り換えられ
ると共に、コントロールユニット90から切換制御弁8
5に制御信号が送られて、この切換制御弁85がN2ガ
ス放出路83と配管84とが連通するように切り換えら
れる。これにより、バッファタンク73の上部がガス放
出路83を介して排気管84に連通されるため、配管8
4の空気の流れによって放出路83に生じる負圧によ
り、バッファタンク73内が減圧されて、バッファタン
ク73内の現像液が脱気され、現像液に混入されたN2
ガスが配管84を介して放出される。
ンク73から現像処理ユニット(DEV)に現像液を吐
出するためにN2ガスが用いられるが、その量は少量で
よいため、N2ガスが混入するおそれが小さい。また、
たとえN2ガスが混入したとしても、バッファタンク7
3内が減圧されて、N2ガスの脱気が十分に行われてい
るため、N2ガスの気泡による現像ムラが生じることを
一層確実に防止することができる。
ーバーフローした場合について説明する。この場合に
は、液位検出センサー91,92以外に、バッファタン
ク内の現像液が所定の高液位レベルを超えてオーバーフ
ローした際に、これを検出するためのオーバーフロー検
出器(図示略)が設けられている。このオーバーフロー
検出器により現像液のオーバーフローが検出されると、
コントロールユニット90から空気圧駆動切換弁82に
制御信号が送られて、開閉制御弁79がこの空気圧駆動
切換弁82によって流路75b側に開になるように切り
換えられるとともに、コントロールユニット90から切
換制御弁85に制御信号が送られて、この切換制御弁8
5がN2ガス放出路83とドレン管86とが連通するよ
うに切り換えられる。これにより、加圧気体のN2ガス
がバッファタンク73内に導入されて、オーバーフロー
している現像液が加圧され、N2ガス放出路83を介し
てドレン管86に排出される。また、このようなオーバ
ーフローの際には、警報が作動されるように構成されて
いてもよい。
ドレン管86に排出されるようになっており、バッファ
タンク73に必要量以上の薬液が供給されるトラブルが
生じても、余分な薬液がドレン管86に排出されるので
処理に対する悪影響が生じない。
ることなく、種々変形が可能である。例えば、現像液を
供給する場合について説明したが、これに限定されるこ
となく、その他の薬液、例えばシンナー、レジスト液等
を供給する場合にも適用することができる。さらに、被
塗布体として半導体ウエハを用いたが、これに限らず、
例えばLCD用ガラス基板であってもよい。
薬液が薬液供給源から薬液流路を介してバッファタンク
に圧送され、このバッファタンクから各処理ユニットに
薬液が所定量ごとに吐出され、この薬液の所定量ごとの
吐出が終了する度ごとに、薬液供給源からバッファタン
クに薬液が補填されるようになっているので、薬液が薬
液供給源からポンプにより供給されて、バッファタンク
に到達した時点で脈動していたとしても、薬液は、バッ
ファタンクに一旦貯留された後に処理ユニットに供給さ
れ、処理ユニットには、常時所定の一定圧力により薬液
が供給され、処理ユニットで薬液の脈動が生じることを
防止することができる。したがって、処理液が脈動する
ことによって生じる不都合、例えば現像処理ユニットに
おいて現像液の脈動による現像ムラが生じることを防止
することができる。
が適用される半導体ウエハの塗布・現像処理システムの
全体構成を示す平面図。
現像処理ユニットの全体構成の断面図。
のブロック図。
Claims (8)
- 【請求項1】 薬液供給源から各処理ユニットに薬液を
圧送して供給するための薬液供給システムであって、 前記薬液供給源から薬液流路を介して圧送された薬液を
貯留するためのバッファタンクと、 前記バッファタンクから各処理ユニットに、薬液を所定
量ごとに吐出するための吐出手段と、 前記薬液流路に介装され、薬液流路を開閉する薬液流路
開閉弁と、 前記バッファタンクからの薬液の所定量ごとの吐出が終
了する度ごとに、前記薬液供給源から前記バッファタン
クに薬液を導入して補填するように、前記薬液流路開閉
弁を開にする制御手段とを具備することを特徴とする薬
液供給システム。 - 【請求項2】 前記吐出手段は、加圧気体供給源から前
記バッファタンクに加圧気体を案内するための気体流路
と、 この気体流路に介装された気体流路切換弁とを有し、 前記制御手段は、前記加圧気体供給源から前記気体流路
を介して加圧気体を前記バッファタンクに導入し薬液を
加圧して薬液を所定量ごとに吐出するように、前記気体
流路切換弁をバッファタンク側に開になるように切り換
えることを特徴とする請求項1に記載の薬液供給システ
ム。 - 【請求項3】 バッファタンク内を脱気する脱気手段
と、 前記バッファタンクから薬液内混入ガスを脱気手段に案
内するための薬液内混入ガス流路と、 この薬液内混入ガス流路に介装された薬液内混入ガス流
路切換弁とをさらに具備し、 前記制御手段は、前記バッファタンク内の薬液内混入ガ
スが前記薬液内混入ガス流路を介して脱気されるよう
に、前記薬液内混入ガス流路切換弁を排気手段側に開に
なるように切り換えることを特徴とする請求項1または
請求項2に記載の薬液供給システム。 - 【請求項4】 前記脱気手段は、ガスが通流される配管
を有し、前記薬液内混入ガス流路は前記配管に接続さ
れ、配管を流れるガスによって前記バッファタンク内の
薬液内混入ガスが薬液内混入ガス流路を介して吸引され
ることを特徴とする請求項3に記載の薬液供給システ
ム。 - 【請求項5】 前記バッファタンク内の薬液の液位を検
出して、検出信号を前記制御手段に入力するための液位
検出器をさらに具備することを特徴とする請求項1ない
し請求項4のいずれか1項に記載の薬液供給システム。 - 【請求項6】 前記制御手段は、前記吐出手段による薬
液の所定量ごとの吐出が終了した後、前記液位検出器が
薬液の高液位レベルを検出するまで、前記薬液流路開閉
弁を開にし、薬液を導入して補填することを特徴とする
請求項5に記載の薬液供給システム。 - 【請求項7】 前記バッファタンク内の薬液が所定の高
液位レベルを超えてオーバーフローした場合に、これを
検出するためのオーバーフロー検出器と、 前記薬液内混入ガス流路に介装されたオーバーフロー用
切換弁とをさらに具備し、 前記制御手段は、オーバーフローした薬液を前記薬液内
混入ガス流路を介してドレン管に排出するように、前記
オーバーフロー用切換弁をドレン管に開になるように切
り換えることを特徴とする請求項1ないし請求項6のい
ずれか1項に記載の薬液供給システム。 - 【請求項8】 薬液供給源から薬液を圧送する薬液供給
システムから供給された薬液を用いて、各処理ユニット
が基板の処理を行う基板処理システムであって、 前記薬液供給システムは、 前記薬液供給源から薬液流路を介して圧送された薬液を
貯留するためのバッファタンクと、 前記バッファタンクから各処理ユニットに、薬液を所定
量ごとに吐出するための吐出手段と、 前記薬液流路に介装され、薬液流路を開閉する薬液流路
開閉弁と、 前記バッファタンクからの薬液の所定量ごとの吐出が終
了する度ごとに、前記薬液供給源から前記バッファタン
クに薬液を導入して補填するように、前記薬液流路開閉
弁を開にする制御手段とを具備することを特徴とする基
板処理システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28646798A JP3576835B2 (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 薬液供給システムおよび基板処理システム、ならびに液処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28646798A JP3576835B2 (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 薬液供給システムおよび基板処理システム、ならびに液処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000114153A true JP2000114153A (ja) | 2000-04-21 |
JP3576835B2 JP3576835B2 (ja) | 2004-10-13 |
Family
ID=17704778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28646798A Expired - Lifetime JP3576835B2 (ja) | 1998-10-08 | 1998-10-08 | 薬液供給システムおよび基板処理システム、ならびに液処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3576835B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001032081A (ja) * | 1999-07-19 | 2001-02-06 | Electroplating Eng Of Japan Co | 添加剤供給装置 |
JP2006332700A (ja) * | 2006-08-07 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | 半導体製造装置、半導体製造システム及び基板処理方法 |
KR100835018B1 (ko) | 2005-07-19 | 2008-06-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 맥동 경감 장치 및 검사 장치 |
JP2015099883A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体 |
-
1998
- 1998-10-08 JP JP28646798A patent/JP3576835B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001032081A (ja) * | 1999-07-19 | 2001-02-06 | Electroplating Eng Of Japan Co | 添加剤供給装置 |
KR100835018B1 (ko) | 2005-07-19 | 2008-06-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 맥동 경감 장치 및 검사 장치 |
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JP2015099883A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体 |
US9778571B2 (en) | 2013-11-20 | 2017-10-03 | Tokyo Electron Limited | Processing liquid supplying apparatus, processing liquid supplying method and storage medium |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3576835B2 (ja) | 2004-10-13 |
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