JPH07147025A

JPH07147025A - 光ディスク

Info

Publication number: JPH07147025A
Application number: JP5293647A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Kasami; 裕笠見; Koichi Yasuda; 宏一保田; Atsushi Fukumoto; 敦福本; Masumi Ono; 真澄小野
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-11-24
Filing date: 1993-11-24
Publication date: 1995-06-06

Abstract

(57)【要約】【目的】相変化材料層の結晶化速度を高め、しかも消
衰定数ｋを小さくした光ディスクを提供する。【構成】記録情報信号に応じて光学的に読み出し可能
な位相ピット１が形成された透明基板２上に、少なくと
も相変化材料層３が形成されてなり、読み出し光照射時
に相変化材料層３が読み出し光走査スポット内で部分的
に液相化して反射率が増加し、読み出し後に固相化する
構成の光ディスクにおいて、その相変化材料層３を、Ｓ
ｉがドープされたＳｅ系化合物によって構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光照射により情
報の再生を行う光ディスク、特に再生レーザ光のスポッ
ト内の特定位置の情報のみを読み出すようにして超解像
度再生を可能にし、ひいては高密度記録を可能にした光
ディスクに係わる。

【０００２】

【従来の技術】例えばディジタルオーディオディスクい
わゆるコンパクトディスクや、ビデオディスク等の光デ
ィスクは、予め情報信号に応じて凹凸による位相ピット
が形成された透明基板上にアルミニウム反射膜を成膜
し、その上に保護膜等を形成することで構成されてい
る。

【０００３】このようなディスクでは、ディスク面に読
み出し光を照射して位相ピットの形成部での光の回折に
よる反射光量の大幅な減少を検出することによって信号
の読み出しすなわち再生を行うようにしている。

【０００４】ところで、上述のような光ディスクにおい
て、信号再生の分解能は、ほとんど再生光学系の光源の
波長λと対物レンズの開口数ＮＡで決まり、空間周波数
２ＮＡ／λが再生限界となる。

【０００５】そのため、このような光ディスクにおいて
高密度化を実現するためには、再生光学系の光源、一般
には半導体レーザの波長λを短くすること、あるいは対
物レンズの開口数ＮＡを大きくすることが必要となる。

【０００６】しかし、光源の波長λや対物レンズの開口
数ＮＡの改善には自ずと限界があり、これによって記録
密度を飛躍的に高めることは難しいのが実情である。

【０００７】そこで、先に本出願人は、上述した波長λ
や、開口数ＮＡによる制限以上の解像度を得ることがで
きるようにした、超解像再生を行う光ディスクやその再
生方法を提案した（特開平３−２９２６３２号公報、特
開平５−８９５１１号公報参照）。

【０００８】この超解像再生を行う光ディスクの基本的
構成は、図１にその概略断面図を示すように、情報が例
えば凹もしくは凸による位相ピットをもって記録された
透明基板２上に温度によって相変化が生じ、これによっ
て反射率が変化する相変化材料層３が形成された構成を
有する。

【０００９】そしてその再生は、再生光のスポット内で
の温度分布を利用してスポット内での相変化材料層３に
おける相変化による反射率変化を利用することで、反射
率が高められた領域でのみ部分的にすなわち限定的に位
相ピット１の検出、すなわち情報の読み出しを行うこと
ができるようして光学的制限以下の超解像再生を行うも
のである。

【００１０】これについて更に説明すると、この超解像
再生は、光ディスク上での再生レーザ光スポットと、こ
の再生光の照射による温度との関係は、図１４で示すよ
うに、横軸に例えば光ディスクの回転に伴う光ディスク
上での位置をとり、レーザ光スポットＬの走査方向が図
１４に矢印ｃをもって示す方向であるとすると、スポッ
トＬが停止状態では、その温度分布は破線Ａで示すスポ
ットの中心にピークを有する正規分布となるが、走査状
態では、実線Ｂに示すように、スポットの走査方向の後
方側でピークを有する温度分布を示すことを利用するも
のである。

【００１１】すなわちこの温度分布によれば、光ディス
クとスポットＬとの相対速度すなわちスポットの光ディ
スク上での走査速度の選定、照射光のパワーの選定等に
よって、情報の読み出しを行うスポットＬ内において、
図１４で斜線を付して示すように相変化材料層３の融点
ＭＰより高温になる高温領域Ｓ_Hと融点より低い低温領
域Ｓ_Lとを形成することができることから、スポットＬ
内で、部分的に溶融された液相状態を形成することがで
きる。したがって、光ディスクの相変化材料層３の反射
率が、液相状態と結晶状態もしくは非晶質状態と大きく
変化する材料より構成されれば、高温領域Ｓ_Hまたは低
温領域Ｓ_Lでのみ反射率を高めることができてこの領域
Ｓ_HまたはＳ_Lのいずれか一方においてのみ限定的に位
相ピット１の読み出しができるようにすることができ
る。

【００１２】この場合、上述したように、再生光のスポ
ット内の低温領域Ｓ_Lで位相ピットの読み出しを行うい
わゆるＦＡＤ（Front Aperture Detector)と、高温領域
Ｓ_Hで読み出しを行ういわゆるＲＡＤ(Rear Aperture De
tector)とがある。

【００１３】ＦＡＤに用いられる光ディスクは、その相
変化材料層３として、液相状態の反射率に比して結晶状
態の反射率が高い材料によって構成される必要があり、
このような材料としては例えばＴｅ系の材料が考えられ
る。しかしながら、ＦＡＤによる場合、図１４で示され
るように、その読み出し領域となる低温領域Ｓ_Lは、ト
ラック幅方向に広がりを有する三日月状をなすことか
ら、１トラック上の記録密度の向上をはかることはでき
るものの、トラック間間隔をせばめるとクロストークが
発生することから、トラック密度を高めることができな
いという問題がある。

【００１４】これに比し、高温領域Ｓ_Hは、トラック幅
方向に関する幅もスポットＬの幅に比して狭くなること
から、この領域Ｓ_Hで読み出しを行うＲＡＤはトラック
密度の向上もはかることができて、より記録密度の向上
をはかることができるという利点がある。

【００１５】このＲＡＤによる光ディスクを設計するに
は、相変化材料の光学定数（ｎ、ｋ）（ここで、複素屈
折率＝ｎ＋ｉｋ，ｉは複素数とする）の、結晶状態と液
相状態での変化率、特に消衰係数ｋの変化率が大きいこ
とが望ましい。ところで、一般にＳｅ系化合物は消衰係
数ｋが小さく、状態変化によるｋの変化率が大きいこと
からＲＡＤによる超解像再生を行う光ディスクの相変化
材料として注目される。

【００１６】しかしながら、このＳｅ系化合物は結晶化
速度が遅く溶融後に結晶化されにくく非晶質化され易
い。したがって、このＳｅ系化合物による相変化材料を
用いる場合、液相と非晶質相との反射率差を利用するこ
とになって、両者に大きなコントラストが得られないも
のであり、高いＳ／ＮないしはＣ／Ｎが得られないとい
う問題がある。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した超
解像再生を行うことのできる光ディスクにおいて、その
相変化材料層の結晶化速度を高め、しかも消衰定数ｋが
小さく上述のＲＡＤによる超解像再生に好適な光ディス
クを提供するものである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】第１の本発明は、図１で
基本的構成を示すように、記録情報信号に応じて光学的
に読み出し可能な位相ピット１が形成された透明基板２
上に、少なくとも相変化材料層３が形成されてなり、読
み出し光照射時に相変化材料層３が読み出し光走査スポ
ット内で部分的に液相化して反射率が増加し、読み出し
後に固相化する構成の光ディスクにおいて、その相変化
材料層３を、ＳｉがドープされたＳｅ系化合物によって
構成する。

【００１９】第２の本発明は、上述の第１の本発明にお
ける相変化材料層３を、Ｓｉを５原子％以上ドープした
Ｓｅ系化合物によって構成する。

【００２０】

【作用】本発明による光ディスクは、図１４で説明した
超解像再生、特に前述のＲＡＤによる再生を高いＳ／Ｎ
ないしはＣ／Ｎで行うことができる。

【００２１】すなわち、その相変化材料層３が、その読
み出し（再生）光の走査スポットＬ内での高温領域Ｓ_H
で部分的に液相化されたとき、その反射率が、低温領域
Ｓ_Lにおける固相部に比し著しく増加することによって
この高温領域Ｓ_Hにある位相ピット１についてのみ例え
ば回折による読み出しが可能となるものである。

【００２２】すなわち、本発明では、相変化材料層３
を、Ｓｉを好ましくは５％以上ドープしたＳｅ系化合物
によって構成したことにより、その結晶化速度が速めら
れ、これにより溶融後には非晶質化せずに結晶化状態に
固相化することができたものであり、更に、係数ｋの小
さいＳｉ（ｎ＝３．８６，ｋ＝０．１７）のドープによ
る光学定数の制御により、液相状態と結晶状態の反射率
差を大きくできたものであり、これによって高コントラ
ストを有するすなわち高Ｓ／ＮないしはＣ／Ｎをもって
超解像再生を行うことができるものである。

【００２３】

【実施例】本発明による光ディスクの実施例を詳細に説
明する。本発明の基本的構成は、図１で示したように、
記録情報信号に応じて光学的に読み出し可能な位相ピッ
ト１が形成された透明基板２の、位相ピット１が形成さ
れた側の面上に、少なくとも相変化材料層３が形成され
てなり、読み出し光照射時に相変化材料層３が読み出し
光走査スポット内で部分的に液相化して反射率が増加
し、読み出し後に固相化する構成の光ディスクにおい
て、その相変化材料層３を、ＳｉがドープされたＳｅ系
化合物によって構成する。

【００２４】図１においては、基板２上に直接的に相変
化材料層３を形成した場合であるが、図２に示すよう
に、基板２上の凹凸による位相ピット１を有する面上
に、第１の誘電体層４を介してＳｉがドープされたＳｅ
系化合物による相変化材料層３をスパッタリング等によ
って形成し、これの上に第２の誘電体層５を被着形成
し、更にこれの上に反射膜６と第３の誘電体層７を順次
被着した構成とすることもできる。また、更にこの第３
の誘電体層７上に図示しないが保護膜を形成することが
できる。

【００２５】この場合、第１および第２の誘電体層４お
よび５によって光学的特性例えば反射率等の設定がなさ
れる構成とすることができる。また、第３の誘電体層７
によって各層の積層膜の機械強度を向上させ、耐久性の
向上をはかることができる。

【００２６】実施例１この実施例では、図２で示した構成を採った場合で、こ
の場合透明基板２をガラス基板によって構成し、位相ピ
ット１すなわち凹凸は、周知のいわゆる２Ｐ（photo po
lymarization) 法によって形成した。

【００２７】そして、この実施例ではトラックピッチを
１．６μｍ，ピットの深さを１２０ｎｍ，ピット長を
０．３μｍ，繰り返し周期を０．６μｍとした。

【００２８】そして、このピット１を有する透明基板２
の一主面に厚さ１１０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂よりなる
第１の誘電体層４を被着形成し、これの上にＳｂ₂Ｓｅ
₃にＳｉを５原子％ドープした相変化材料層３を膜厚２
２ｎｍに被着形成した。更にこの相変化材料層３上に厚
さ３０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ₂よりなる第２の誘電体層
５を被着形成し、これの上にＤｙ反射膜６を１００ｎｍ
の厚さに被着形成し、これの上に厚さ４００ｎｍのＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ₂よりなる第３の誘電体層７を被着形成し
た。

【００２９】この実施例１による光ディスクの作製状態
のままの状態で、すなわちその相変化材料層３が非晶質
のままの状態で、この光ディスクに対して再生レーザ光
（波長７８０ｎｍ）を線速３．５ｍ／ｓをもって走査し
たときの反射率の測定結果を図３に示す。この場合、レ
ーザ光パワーを１ｍＷから徐々に高めて各パワーでの照
射後にそのレーザ光を１ｍＷに下げ、この１ｍＷのレー
ザ光に対する反射率を測定した結果を白丸印をもってプ
ロットした。

【００３０】図４は、実施例と同様の構造によるもの
の、その相変化材料層３のＳｉのドープ量を３原子％と
した場合の同様の測定結果（白丸印をもってプロット）
を示す。

【００３１】また、図５は、実施例と同様の構造による
ものの、その相変化材料層３として全くＳｉがドープさ
れていない組成とした場合の同様の測定結果（白丸印を
もってプロット）を示す。

【００３２】図３〜図５において、各破線ａおよびｂ
は、各光ディスクの作製のまま、すなわち相変化材料層
３の被着形成直後の非晶質状態での反射率と、結晶化状
態での反射率の理論値を示す。

【００３３】図３を、図４および図５と比較して明らか
なように、相変化材料層３にＳｉを５原子％ドープした
実施例１による光ディスクでは一旦高いパワーのレーザ
光を照射するとその反射率が低下して結晶状態の理論値
に近づくことが分かる。この場合、この反射率が完全に
結晶状態と一致しないのは、レーザ光の照射によっても
その全域に渡って結晶状態にならず、低温部では非晶質
の状態で残ることによる。

【００３４】また、図３および図４を比較することによ
って明らかなように、相変化材料層３においてＳｉを５
原子％以上とするとき、良好な結晶化がはかられること
が分かる。しかしながら、この相変化材料層３においけ
るＳｉのドープ量は、これが余り多いと、相変化材料層
３の熱伝導率が高くなることによって、その再生に大き
なパワーを必要とし、感度の低下を来すことから、Ｓｉ
のドープ量は７０原子％にとどめることが好ましい。

【００３５】また、図６は実施例１による光ディスク、
図７はその相変化材料層３のＳｉのドープ量を３原子％
とした光ディスク、図８は相変化材料層３にＳｉをドー
プしない場合の光ディスクにおいて、それぞれの光ディ
スクに対するレーザ光（波長７８０ｎｍ）の走査線速度
を変化させてそれぞれ１０ｍＷのレーザ光を照射して後
の、１ｍＷの再生レーザ光に対する反射率を測定した結
果（白丸印）を示す。各図６〜リにおいて各破線ａおよ
びｂは、各光ディスクの作製のまま、すなわち相変化材
料層３の被着形成直後の非晶質状態での反射率と、結晶
化状態での反射率の理論値を示す。

【００３６】図６〜図８を比較することによって明らか
のように、相変化材料層３にＳｉをドープすることによ
って、特に５原子％以上とすることによって線速度を早
めても充分結晶化を促進できることが分かる。

【００３７】次に、光学定数、すなわち屈折率ｎと、消
衰係数ｋについて考察する。このため、Ｓｉ基板上に、
５００ÅのＺｎＳ−ＳｉＯ₂による第１の誘電体層を介
して厚さ約１０００ｎｍの相変化材料層を被着形成し、
これの上に更に厚さ１０００ÅのＺｎＳ−ＳｉＯ₂によ
る第２の誘電体層を形成した２種の試料１および２を作
製した。試料１は、その相変化材料層がＳｂ₂ Ｓｅ₃に
Ｓｉを６原子％ドープした場合で、試料２はＳｂ₂ Ｓｅ
₃にＳｉをドープしない場合である。図９および図１０
は、これら各試料１および２に関してそれぞれ加熱温度
を変化させてそれぞれ温度モニターが可能なエリプソメ
ータを用いて各光学定数ｎとｋとを測定したした結果を
示す。両図において、白丸印および黒丸印はそれぞれｎ
およびｋの測定結果を示す。両図を比較して明らかなよ
うに、Ｓｉのドープによっても消衰係数ｋが高められる
ことがない。つまり、前述したように、ＲＡＤへの適用
になんら不都合が生じることがないことが分かる。

【００３８】図１１および図１２は、上記試料１および
２において、その第２の誘電体層の膜厚を変化させた場
合の結晶状態、液相状態（２．５ｍＷのレーザ光照射に
よる）および非晶質状態の各測定値を黒丸印、白丸印、
×印をもってプロットし、各鎖線および実線による曲線
ｃおよびｂはそれぞれ液相および結晶における計算値を
示し、破線による曲線ａは、非晶質における計算値を示
す。

【００３９】各試料において、その計算値と測定値とは
良く一致している。そして、試料１によるＳｉをドープ
した相変化材料層を用いた場合の液相と結晶との反射率
は、Ｓｉをドープしない場合に比して大なる差が認めら
れる。そして、Ｓｉがドープされない場合は、冒頭に述
べたように、非晶質化され易いことから、実際の光ディ
スクとしたときの読み出しの上での反射率の差は、液相
における反射率と非晶質における反射率との差で信号を
読みだすことからより反射率の差は小さくなるものであ
る。

【００４０】図１３は、実施例１の光ディスクにおい
て、再生レーザ光パワーを１０ｍＷとしたときの光ディ
スクに対する再生レーザ光の走査の線速度を２ｍ／ｓか
ら徐々に上げていったときの光学系のＮ．Ａが０．５で
の再生信号のＣ／Ｎの測定結果を示すもので、そのＣ／
Ｎは４３ｄＢであった。

【００４１】本発明による光ディスクにおいても、従来
と同様に、その作製後に少なくともその位相ピットが形
成されるトラック部において結晶化を行ういわゆる初期
化がなされる。本発明における光ディスクにおいても、
通常におけるように、炉中での熱処理は基板２の耐熱性
等の問題から回避される必要があり、この初期化は比較
的スポット径の大きいレーザ光をトラック部に走査して
この走査部において、相変化材料層３を一旦溶融し、レ
ーザ光の通過後の降温によって結晶化させるという方法
がとられるが、上述したように本発明によれば、相変化
材料層３の結晶化速度が速められたことにより、その初
期化を確実に行うことができる。また、記録情報の読み
出し再生動作時において、再生光照射による液相化がな
されて後も確実に元の結晶化状態に戻すことができる。

【００４２】そして、本発明の光ディスクに対する記録
情報の読み出し、すなわち再生は、透明基板２側から再
生光の照射を行って、図１４で説明したようにそのスポ
ットＬ内の高温領域Ｓ_Hで相変化材料層３を部分的に溶
融液相化させる。このとき、他部すなわちスポットＬ内
の低温領域Ｓ_Lでは結晶化状態にあることから、再生光
スポットＬ内といえども領域Ｓ_Lでは、領域_Hの液相状
態部に比して充分低い反射率とされていることから、ス
ポットＬ内に複数の位相ピットが存在しても、その読み
出しは反射率の高められた液相化された高温領域Ｓ_Hの
みに限定して位相ピットの読み出しを行うことができ
る。つまり、前述したＲＡＤによるクロストークの改善
がはかられ、トラック密度の向上がはかられた超解像再
生を行うことができるものである。

【００４３】そして、また本発明によれば、その相変化
材料層３の結晶化が速められたことにより、液相化がな
されてその読み出しがなされて後は、再び、確実に元の
結晶化状態に戻されることから、特性劣化を来すことな
く高いＳ／ＮないしはＣ／Ｎをもって繰り返し再生を行
うことができるものである。

【００４４】実施例１では、相変化材料層３として、Ｓ
ｂ₂ Ｓｅ₃にＳｉをドープしたものであるが、他のＳｅ
化合物にＳｉをドープした相変化材料層３によってもＣ
／Ｎの向上がはかられた。この場合の各例を実施例２〜
６に例示する。尚、実施例２〜６のいずれの場合におい
ても、その構造は実施例１と同様の構造とし、その相変
化材料層３の組成を変化させたものである。

【００４５】実施例２相変化材料層３として、ＢｉＳｅにＳｉを５原子％以上
ドープした。この構成の光ディスクに対して、再生レー
ザパワーを１０ｍＷに設定して線速度を２ｍ／ｓから徐
々に上げていき、その再生を行ってその信号部分をＮ．
Ａ．＝０．５で再生したところ、その信号のＣ／Ｎは４
０ｄＢ以上であった。

【００４６】実施例３相変化材料層３として、ＳｅＳｎ₂ にＳｉを５原子％以
上ドープした。この構成の光ディスクに対して、再生レ
ーザパワーを１０ｍＷに設定して線速度を２ｍ／ｓから
徐々に上げていき、その再生を行ってその信号部分を
Ｎ．Ａ．＝０．５で再生したところ、その信号のＣ／Ｎ
は４０ｄＢ以上であった。

【００４７】実施例４相変化材料層３として、ＩｎＳｅにＳｉを５原子％以上
ドープした。この構成の光ディスクに対して、再生レー
ザパワーを１０ｍＷに設定して線速度を２ｍ／ｓから徐
々に上げていき、その再生を行ってその信号部分をＮ．
Ａ．＝０．５で再生したところ、その信号のＣ／Ｎは４
０ｄＢ以上であった。

【００４８】実施例５相変化材料層３として、ＧａＳｅにＳｉを５原子％以上
ドープした。この構成の光ディスクに対して、再生レー
ザパワーを１０ｍＷに設定して線速度を２ｍ／ｓから徐
々に上げていき、その再生を行ってその信号部分をＮ．
Ａ．＝０．５で再生したところ、その信号のＣ／Ｎは４
０ｄＢ以上であった。

【００４９】実施例６相変化材料層３として、ＰｂＳｅにＳｉを５原子％以上
ドープした。この構成の光ディスクに対して、再生レー
ザパワーを１０ｍＷに設定して線速度を２ｍ／ｓから徐
々に上げていき、その再生を行ってその信号部分をＮ．
Ａ．＝０．５で再生したところ、その信号のＣ／Ｎは４
０ｄＢ以上であった。

【００５０】尚、本発明による光ディスクは上述の例に
限られるものではなく、例えば透明基板２としては、ア
クリル系樹脂、ポリエステルオレフィン系樹脂等を用い
ることができる。

【００５１】また、相変化材料層３は上述の２元系のＳ
ｅ化合物に限らず３元系以上のＳｅ化合物にＳｉをドー
プする構成とすることもできる。

【００５２】更に、誘電体層４，５，７は、Ａｌ，Ｓｉ
等の金属および半導体元素の窒化物、酸化物、硫化物に
よって構成することもできる。

【００５３】また、反射膜６は、熱伝導率が０．０００
４〔Ｊ／（ｃｍ・Ｋ・ｓ）〕〜２．２〔Ｊ／（ｃｍ・Ｋ
・ｓ）〕の値を有する金属、半導体およびそれらの各化
合物、混合物等を用いることができる。

【００５４】更に、上述の光ディスクでは、透明基板２
に２Ｐ法による凹凸の位相ピット１を形成した場合であ
るが、種々の構成による光学的に情報の読み出しが可能
な位相ピットとすることができる。

【００５５】上述したように本発明による光ディスクに
よれば、Ｓｅ系化合物に消衰係数ｋの小さいＳｉをドー
プしたことにより、結晶化速度を速めることができ、し
かも消衰係数ｋの小さい相変化材料層３を構成できたも
のである。因みに、Ｓｅ系化合物にＳｂ等の金属元素を
ドープすることによって結晶化速度を速めることはでき
るが、この場合は消衰係数ｋが高く、ＲＡＤによる超解
像再生態様をとることができないという問題があった。

【００５６】

【発明の効果】上述したように、本発明によれば、消衰
係数ｋを小さく抑えて結晶化速度を速めた光ディスクを
構成できたことにより、高いＳ／ＮないしはＣ／Ｎをも
ってＲＡＤによる超解像再生を、特性劣化を来すことな
く安定して繰り返し行うことができる。

【００５７】そして、ＲＡＤの超解像再生ができること
から、クロストークの改善、したがってトラック密度向
上をはかることができ、より記録密度の向上をはかるこ
とができるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光ディスクの基本的構成を示す略
線的断面図である

【図２】本発明の一実施例の略線的断面図である。

【図３】Ｓｅ化合物にＳｉを５原子％ドープした相変化
材料層のパワーを変化させたレーザ光照射後の反射率の
測定結果を示す図である。

【図４】Ｓｅ化合物にＳｉを５原子％ドープした相変化
材料層のパワーを変化させたレーザ光照射後の反射率の
測定結果を示す図である。

【図５】Ｓｅ化合物にＳｉをドープしない場合の相変化
材料層のパワーを変化させたレーザ光照射後の反射率の
測定結果を示す図である。

【図６】Ｓｅ化合物にＳｉを５原子％ドープした場合の
相変化材料層の線速度を変化させたレーザ光照射後の反
射率の測定結果を示す図である。

【図７】Ｓｅ化合物にＳｉを３原子％ドープした場合の
相変化材料層の線速度を変化させたレーザ光照射後の反
射率の測定結果を示す図である。

【図８】Ｓｅ化合物にＳｉをドープしない場合の相変化
材料層の線速度を変化させたレーザ光照射後の反射率の
測定結果を示す図である。

【図９】Ｓｅ化合物にＳｉを６原子％ドープした場合の
相変化材料層の光学定数の測定結果を示す図である。

【図１０】Ｓｅ化合物にＳｉをドープしない場合の相変
化材料層の光学定数の測定結果を示す図である。

【図１１】Ｓｅ化合物にＳｉを６原子％ドープした場合
の誘電体層の膜厚と反射率との関係を示す図である。

【図１２】Ｓｅ化合物にＳｉをドープしない場合の誘電
体層の膜厚と反射率との関係を示す図である。

【図１３】本発明による光ディスクにおける再生レーザ
光の線速とＣ／Ｎの関係の測定結果を示す図である。

【図１４】超解像再生の説明に供する光スポットと温度
分布との関係を示す図である。

【符号の説明】

１位相ピット２透明基板３相変化材料層３

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小野真澄東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録情報信号に応じて光学的に読み出し
可能な位相ピットが形成された透明基板上に、少なくと
も相変化材料層が形成されてなり、読み出し光照射時に
相変化材料層が読み出し光走査スポット内で部分的に液
相化して反射率が増加し、読み出し後に元に戻る構成の
光ディスクにおいて、上記相変化材料層が、ＳｉがドープされたＳｅ系化合物
によって構成したことを特徴とする光ディスク。
【請求項２】上記相変化材料層が、Ｓｉを５原子％以
上ドープしたＳｅ系化合物によって構成したことを特徴
とする請求項１に記載の光ディスク。