JPH0971861A - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
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- JPH0971861A JPH0971861A JP8167651A JP16765196A JPH0971861A JP H0971861 A JPH0971861 A JP H0971861A JP 8167651 A JP8167651 A JP 8167651A JP 16765196 A JP16765196 A JP 16765196A JP H0971861 A JPH0971861 A JP H0971861A
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】カルコゲン化合物と酸化物と炭素よりなる誘電
体膜のスパッタリングによる作製における課題を解決
し、安定な膜組成を低コストな装置で得ることができ、
かつ作製が容易なスパッタリングターゲットを提供す
る。 【解決手段】少なくともカルコゲン化合物、酸化物およ
び炭素を含むターゲットであって、該ターゲットはカル
コゲン化合物と酸化物および炭素の混合物を成型・焼成
してなるスパッタリングターゲット。
体膜のスパッタリングによる作製における課題を解決
し、安定な膜組成を低コストな装置で得ることができ、
かつ作製が容易なスパッタリングターゲットを提供す
る。 【解決手段】少なくともカルコゲン化合物、酸化物およ
び炭素を含むターゲットであって、該ターゲットはカル
コゲン化合物と酸化物および炭素の混合物を成型・焼成
してなるスパッタリングターゲット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空薄膜形成によ
り誘電体薄膜を形成する際に用いられるスパッタリング
ターゲットに関するものである。
り誘電体薄膜を形成する際に用いられるスパッタリング
ターゲットに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】カルコゲン化合物と酸化物と炭素よりな
るアモルファスあるいはアモルファスライクな誘電体膜
は、高温安定性に優れており、さらに膜内部応力が小さ
い等の優れた特性を有している。そのため、光学薄膜、
保護膜、絶縁体膜などの広い用途があり、特に光記録媒
体の誘電体層として最適である。相変化書換型光記録媒
体の誘電体層として、カルコゲン化合物と酸化物と炭素
よりなる誘電体を用いると、記録特性が優れているばか
りでなく、長期信頼性、記録繰り返し性に優れた光記録
媒体が得られる。
るアモルファスあるいはアモルファスライクな誘電体膜
は、高温安定性に優れており、さらに膜内部応力が小さ
い等の優れた特性を有している。そのため、光学薄膜、
保護膜、絶縁体膜などの広い用途があり、特に光記録媒
体の誘電体層として最適である。相変化書換型光記録媒
体の誘電体層として、カルコゲン化合物と酸化物と炭素
よりなる誘電体を用いると、記録特性が優れているばか
りでなく、長期信頼性、記録繰り返し性に優れた光記録
媒体が得られる。
【０００３】カルコゲン化合物と酸化物と炭素よりなる
誘電体膜をスパッタリングにより作製する場合、それぞ
れの成分のスパッタリングターゲットを２元同時スパッ
タリング、あるいは、３元同時スパッタリングすること
により、所望の組成の薄膜を形成していた。
誘電体膜をスパッタリングにより作製する場合、それぞ
れの成分のスパッタリングターゲットを２元同時スパッ
タリング、あるいは、３元同時スパッタリングすること
により、所望の組成の薄膜を形成していた。
【０００４】生産レベルのスパッタリングでは、枚葉式
装置等では同時スパッタそのものが困難であるし、同時
スパッタリングが可能な装置においても２元同時スパッ
タリング、あるいは３元同時スパッタリングによる薄膜
の作製は、薄膜の組成を安定させることが困難であった
りする。またさらに、同時スパッタリングの場合多くの
スパッタリングターゲット、カソード、電源などが必要
となり、装置コストが大きくなる問題点がある。
装置等では同時スパッタそのものが困難であるし、同時
スパッタリングが可能な装置においても２元同時スパッ
タリング、あるいは３元同時スパッタリングによる薄膜
の作製は、薄膜の組成を安定させることが困難であった
りする。またさらに、同時スパッタリングの場合多くの
スパッタリングターゲット、カソード、電源などが必要
となり、装置コストが大きくなる問題点がある。
【０００５】また、カルコゲン化合物と酸化物と炭素を
各成分別もしくはこれらのうちの２成分の混合物と１成
分に分けてターゲットを作製し、１つのバッキングプレ
ートにこれら２つないし３つのターゲットをボンディン
グして用いる場合は、ターゲットの継ぎ目近くの表面に
突起が生成しやすくなり、異常放電や薄膜の堆積速度の
低下が起こるなどの問題がある。
各成分別もしくはこれらのうちの２成分の混合物と１成
分に分けてターゲットを作製し、１つのバッキングプレ
ートにこれら２つないし３つのターゲットをボンディン
グして用いる場合は、ターゲットの継ぎ目近くの表面に
突起が生成しやすくなり、異常放電や薄膜の堆積速度の
低下が起こるなどの問題がある。
【０００６】さらには、１つのターゲットからのカルコ
ゲン化合物と酸化物と炭素よりなる誘電体膜のスパッタ
リングを行うためのターゲットとして、酸化物−炭素複
合体とカルコゲン化合物とを成型してなるスパッタリン
グターゲットが知られている（特開平６−１０３２号公
報）。この方法は、酸化物−炭素複合体の生成という複
雑な工程を必要とする。
ゲン化合物と酸化物と炭素よりなる誘電体膜のスパッタ
リングを行うためのターゲットとして、酸化物−炭素複
合体とカルコゲン化合物とを成型してなるスパッタリン
グターゲットが知られている（特開平６−１０３２号公
報）。この方法は、酸化物−炭素複合体の生成という複
雑な工程を必要とする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述のカルコゲン化合
物と酸化物と炭素よりなる誘電体膜のスパッタリングに
よる作製においての課題は以下のようなものである。
物と酸化物と炭素よりなる誘電体膜のスパッタリングに
よる作製においての課題は以下のようなものである。
【０００８】同時スパッタリングによる場合は、膜の組
成を安定させることが困難であるという課題と多くのス
パッタリングターゲット、カソード、電源などが必要と
なり、装置コストが大きくなるという課題があり、１つ
のバッキングプレートにこれら２つないし３つのターゲ
ットをボンディングして用いる場合は、ターゲットの継
ぎ目近くの表面に突起が生成しやすくなり、異常放電や
薄膜の堆積速度の低下が起こるなどの課題があり、酸化
物−炭素複合体とカルコゲン化合物とを成型してなるス
パッタリングターゲットを用いる場合は、酸化物−炭素
複合体の生成という複雑な工程を必要となるという課題
がある。
成を安定させることが困難であるという課題と多くのス
パッタリングターゲット、カソード、電源などが必要と
なり、装置コストが大きくなるという課題があり、１つ
のバッキングプレートにこれら２つないし３つのターゲ
ットをボンディングして用いる場合は、ターゲットの継
ぎ目近くの表面に突起が生成しやすくなり、異常放電や
薄膜の堆積速度の低下が起こるなどの課題があり、酸化
物−炭素複合体とカルコゲン化合物とを成型してなるス
パッタリングターゲットを用いる場合は、酸化物−炭素
複合体の生成という複雑な工程を必要となるという課題
がある。
【０００９】本発明の目的は、前述のカルコゲン化合物
と酸化物と炭素よりなる誘電体膜のスパッタリングによ
る作製における課題を解決し、安定な膜組成を低コスト
な装置で得ることができ、かつ作製が容易なスパッタリ
ングターゲットを提供することにある。
と酸化物と炭素よりなる誘電体膜のスパッタリングによ
る作製における課題を解決し、安定な膜組成を低コスト
な装置で得ることができ、かつ作製が容易なスパッタリ
ングターゲットを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくともカ
ルコゲン化合物、酸化物および炭素を含むターゲットで
あって、該ターゲットはカルコゲン化合物と酸化物およ
び炭素の混合物を成型・焼成してなるものであり、炭素
の含有率がターゲット全体の２０モル％未満であること
を特徴とするスパッタリングターゲットである。
ルコゲン化合物、酸化物および炭素を含むターゲットで
あって、該ターゲットはカルコゲン化合物と酸化物およ
び炭素の混合物を成型・焼成してなるものであり、炭素
の含有率がターゲット全体の２０モル％未満であること
を特徴とするスパッタリングターゲットである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明におけるカルコゲン化合物
としては、硫化物、セレン化物、テルル化合物などを言
う。例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ、Ｐ
ｂＳｅ、ＰｂＴｅなどの硫化物、セレン化物、テルル化
物を挙げることができるが、これらに限定されない。し
かし、これらの中でも相変化型光ディスクの保護層とし
て用いる場合は、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅが特に好
ましく、記録特性、特に繰り返し性の観点から、ＺｎＳ
がより好ましい。
としては、硫化物、セレン化物、テルル化合物などを言
う。例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ、Ｐ
ｂＳｅ、ＰｂＴｅなどの硫化物、セレン化物、テルル化
物を挙げることができるが、これらに限定されない。し
かし、これらの中でも相変化型光ディスクの保護層とし
て用いる場合は、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅが特に好
ましく、記録特性、特に繰り返し性の観点から、ＺｎＳ
がより好ましい。
【００１２】本発明における酸化物としては、Ｓｉ、Ａ
ｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｇｅなどの酸化物を挙げることができ
るが、これらに限定されない。しかし、これらの中でも
相変化型光ディスクの保護層として用いる場合は、Ｓ
ｉ、Ａｌ、Ｔｉの酸化物が特に好ましく、記録特性、特
に繰り返し性の観点から、Ｓｉの酸化物がより好まし
い。
ｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｇｅなどの酸化物を挙げることができ
るが、これらに限定されない。しかし、これらの中でも
相変化型光ディスクの保護層として用いる場合は、Ｓ
ｉ、Ａｌ、Ｔｉの酸化物が特に好ましく、記録特性、特
に繰り返し性の観点から、Ｓｉの酸化物がより好まし
い。
【００１３】カルコゲン化合物と酸化物と炭素を含有す
るスパッタリングターゲットの組成としては、特に限定
されないが、炭素の含有率をターゲット全体の２０モル
％未満、さらに好ましくは低電力でのスパッタリング時
の膜中炭素含有量とスパッタリングターゲット中炭素の
含有量のよりよい一致と、膜全体の堆積速度の安定性か
ら、１５モル％以下とすることが好ましい。ターゲット
の組成はそれ以外には特に限定されず、作製される薄膜
の特性から要求される組成とすることができる。すなわ
ち、例えば、カルコゲン化合物１〜９９モル％、酸化物
１〜９９モル％、炭素１〜２０モル％の組成比から任意
に選択することができる。スパッタリングターゲット中
の炭素の含有量が２０モル％以上になると、膜中の炭素
含有量がスパッタリングターゲット中の炭素の含有量に
比べ低くなったり、膜全体の堆積速度が、スパッタリン
グターゲットの使用時間の経過とともに低下したりし
て、好ましくない。
るスパッタリングターゲットの組成としては、特に限定
されないが、炭素の含有率をターゲット全体の２０モル
％未満、さらに好ましくは低電力でのスパッタリング時
の膜中炭素含有量とスパッタリングターゲット中炭素の
含有量のよりよい一致と、膜全体の堆積速度の安定性か
ら、１５モル％以下とすることが好ましい。ターゲット
の組成はそれ以外には特に限定されず、作製される薄膜
の特性から要求される組成とすることができる。すなわ
ち、例えば、カルコゲン化合物１〜９９モル％、酸化物
１〜９９モル％、炭素１〜２０モル％の組成比から任意
に選択することができる。スパッタリングターゲット中
の炭素の含有量が２０モル％以上になると、膜中の炭素
含有量がスパッタリングターゲット中の炭素の含有量に
比べ低くなったり、膜全体の堆積速度が、スパッタリン
グターゲットの使用時間の経過とともに低下したりし
て、好ましくない。
【００１４】本発明におけるスパッタリングターゲット
を相変化型光ディスクの保護層形成に用いる場合は、Ｚ
ｎＳとＳｉＯ2 とＣからなるものが最も好ましく、記録
特性、特に繰り返し性の観点から、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 の
モル組成比が９５／５〜６５／３５であることが重要で
ある。
を相変化型光ディスクの保護層形成に用いる場合は、Ｚ
ｎＳとＳｉＯ2 とＣからなるものが最も好ましく、記録
特性、特に繰り返し性の観点から、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 の
モル組成比が９５／５〜６５／３５であることが重要で
ある。
【００１５】本発明のスパッタリングターゲットは、カ
ルコゲン化合物と酸化物と炭素の混合物を成型・焼成し
たものである。成型方法は、一般的な方法を採用するこ
とができる。例えば、カルコゲン化合物と酸化物と炭素
のそれぞれの粉末を混合し、ホットプレスによる成型や
冷間静水圧プレスによる成型を行い、それに引き続き、
焼結処理を行う等の方法を採用することができる。スパ
ッタリングターゲットの形状としては、使用するスパッ
タリング装置によって選択することができ、直径３〜８
インチ程度の円形、または（４〜６インチ）×（５〜２
０インチ）程度の方形などが一般的である。該スパッタ
リングターゲットの厚さとしては、通常、３〜２０ｍｍ
程度である。該スパッタリングターゲットはスパッタリ
ング中の熱を効果的に放熱するために、バッキングプレ
ートにボンディングして水冷して使用することが好まし
い。
ルコゲン化合物と酸化物と炭素の混合物を成型・焼成し
たものである。成型方法は、一般的な方法を採用するこ
とができる。例えば、カルコゲン化合物と酸化物と炭素
のそれぞれの粉末を混合し、ホットプレスによる成型や
冷間静水圧プレスによる成型を行い、それに引き続き、
焼結処理を行う等の方法を採用することができる。スパ
ッタリングターゲットの形状としては、使用するスパッ
タリング装置によって選択することができ、直径３〜８
インチ程度の円形、または（４〜６インチ）×（５〜２
０インチ）程度の方形などが一般的である。該スパッタ
リングターゲットの厚さとしては、通常、３〜２０ｍｍ
程度である。該スパッタリングターゲットはスパッタリ
ング中の熱を効果的に放熱するために、バッキングプレ
ートにボンディングして水冷して使用することが好まし
い。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する
が、本発明はこれに限定されない。
が、本発明はこれに限定されない。
【００１７】（分析，測定方法）本発明のスパッタリン
グターゲットおよびこれを用いて作製した薄膜の組成
は、ＩＣＰ発光分析（セイコー電子工業（株）社製”Ｓ
ＰＳ４０００”）、ラザフォード後方散乱分光分析（Ｒ
ＢＳ）（日新ハイボルテージ（株）社製”ＡＮ−２５０
０”）と二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）（”ＡＴＯＭ
ＩＫＡ Ａ−ＤＩＤＡ３０００”）により確認した。
グターゲットおよびこれを用いて作製した薄膜の組成
は、ＩＣＰ発光分析（セイコー電子工業（株）社製”Ｓ
ＰＳ４０００”）、ラザフォード後方散乱分光分析（Ｒ
ＢＳ）（日新ハイボルテージ（株）社製”ＡＮ−２５０
０”）と二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）（”ＡＴＯＭ
ＩＫＡ Ａ−ＤＩＤＡ３０００”）により確認した。
【００１８】実施例１ ＺｎＳ粉末とＳｉＯ2 粉末と炭素（グラファイト）粉末
をそれぞれ７２モル％、１８モル％、１０モル％の比で
よく混合し、１軸加圧で成型し、Ａｒ中で１０００℃で
焼成した。次に、ボールミルで粉砕混合し、冷間静水圧
プレスで成型し、その後Ａｒ中で１２００℃で焼結した
後、直径６インチ、厚さ６ｍｍに整形し、スパッタリン
グターゲットとした。
をそれぞれ７２モル％、１８モル％、１０モル％の比で
よく混合し、１軸加圧で成型し、Ａｒ中で１０００℃で
焼成した。次に、ボールミルで粉砕混合し、冷間静水圧
プレスで成型し、その後Ａｒ中で１２００℃で焼結した
後、直径６インチ、厚さ６ｍｍに整形し、スパッタリン
グターゲットとした。
【００１９】このスパッタリングターゲットを無酸素銅
製のバッキングプレートにインジウム合金を用いてボン
ディングしたのち、スパッタリング装置にセットした。
スパッタリング装置は、基板−スパッタリングターゲッ
ト間距離が１００ｍｍ、スパッタリング薄膜の組成、膜
厚を均一にするための基板自公転機構を有している。基
板には、ポリカーボネート板を用いた。スパッタリング
チャンバー内部を６．５×１０-4Ｐａまで真空排気した
のち、Ａｒガスを導入し、圧力が２×１０-1Ｐａとなる
ようにした。ＲＦマグネトロンスパッタリング法によ
り、投入電力５００Ｗでスパッタリングを行い。基板上
に、厚さ１００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｃ薄膜を形成
した。
製のバッキングプレートにインジウム合金を用いてボン
ディングしたのち、スパッタリング装置にセットした。
スパッタリング装置は、基板−スパッタリングターゲッ
ト間距離が１００ｍｍ、スパッタリング薄膜の組成、膜
厚を均一にするための基板自公転機構を有している。基
板には、ポリカーボネート板を用いた。スパッタリング
チャンバー内部を６．５×１０-4Ｐａまで真空排気した
のち、Ａｒガスを導入し、圧力が２×１０-1Ｐａとなる
ようにした。ＲＦマグネトロンスパッタリング法によ
り、投入電力５００Ｗでスパッタリングを行い。基板上
に、厚さ１００ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｃ薄膜を形成
した。
【００２０】薄膜の組成を分析したところ、ＺｎＳ７
２．２モル％、ＳｉＯ2 １７．９モル％、Ｃ９．９モル
％でありターゲット組成とよく一致していた。さらに、
同一条件でスパッタリングを繰り返しても、薄膜の組成
変動は分析誤差内であった。
２．２モル％、ＳｉＯ2 １７．９モル％、Ｃ９．９モル
％でありターゲット組成とよく一致していた。さらに、
同一条件でスパッタリングを繰り返しても、薄膜の組成
変動は分析誤差内であった。
【００２１】実施例２ ＺｎＳ粉末とＳｉＯ2 粉末と炭素（グラファイト）粉末
の混合比を７６モル％、１９モル％、５モル％とした以
外は、実施例１と同様にしてターゲットを作製した。こ
のターゲットを用いて基板上に、厚さ１００ｎｍのＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 −Ｃ薄膜を形成し、その組成を分析したと
ころ、ＺｎＳ７５．１モル％、ＳｉＯ2１９．０モル
％、Ｃ４．９モル％でありターゲット組成とよく一致し
ていた。さらに、同一条件でスパッタリングを繰り返し
ても、薄膜の組成変動は分析誤差内であった。
の混合比を７６モル％、１９モル％、５モル％とした以
外は、実施例１と同様にしてターゲットを作製した。こ
のターゲットを用いて基板上に、厚さ１００ｎｍのＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 −Ｃ薄膜を形成し、その組成を分析したと
ころ、ＺｎＳ７５．１モル％、ＳｉＯ2１９．０モル
％、Ｃ４．９モル％でありターゲット組成とよく一致し
ていた。さらに、同一条件でスパッタリングを繰り返し
ても、薄膜の組成変動は分析誤差内であった。
【００２２】実施例３ ＺｎＳ粉末とＳｉＯ2 粉末と炭素（グラファイト）粉末
の混合比を６９．２モル％、１７．３モル％、１３モル
％とした以外は、実施例１と同様にしてターゲットを作
製した。このターゲットを用いて基板上に、厚さ１００
ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｃ薄膜を形成し、その組成を
分析したところ、ＺｎＳ７５．１モル％、ＳｉＯ2 １
９．０モル％、Ｃ１３．５モル％でありターゲット組成
とよく一致していた。さらに、同一条件でスパッタリン
グを繰り返しても、薄膜の組成変動は分析誤差内であっ
た。
の混合比を６９．２モル％、１７．３モル％、１３モル
％とした以外は、実施例１と同様にしてターゲットを作
製した。このターゲットを用いて基板上に、厚さ１００
ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｃ薄膜を形成し、その組成を
分析したところ、ＺｎＳ７５．１モル％、ＳｉＯ2 １
９．０モル％、Ｃ１３．５モル％でありターゲット組成
とよく一致していた。さらに、同一条件でスパッタリン
グを繰り返しても、薄膜の組成変動は分析誤差内であっ
た。
【００２３】実施例４ ＺｎＳ粉末とＳｉＯ2 粉末と炭素（グラファイト）粉末
の混合比を８１モル％、９モル％、１０モル％とした以
外は、実施例１と同様にしてターゲットを作製した。こ
のターゲットを用いて基板上に、厚さ１００ｎｍのＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 −Ｃ薄膜を形成し、その組成を分析したと
ころ、ＺｎＳ７９．７モル％、ＳｉＯ2８．８モル％、
Ｃ１１．５モル％でありターゲット組成とよく一致して
いた。さらに、同一条件でスパッタリングを繰り返して
も、薄膜の組成変動は分析誤差内であった。
の混合比を８１モル％、９モル％、１０モル％とした以
外は、実施例１と同様にしてターゲットを作製した。こ
のターゲットを用いて基板上に、厚さ１００ｎｍのＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 −Ｃ薄膜を形成し、その組成を分析したと
ころ、ＺｎＳ７９．７モル％、ＳｉＯ2８．８モル％、
Ｃ１１．５モル％でありターゲット組成とよく一致して
いた。さらに、同一条件でスパッタリングを繰り返して
も、薄膜の組成変動は分析誤差内であった。
【００２４】実施例５ ＺｎＳ粉末とＳｉＯ2 粉末と炭素（グラファイト）粉末
の混合比を８５．５モル％、９．５モル％、５モル％と
した以外は、実施例１と同様にしてターゲットを作製し
た。このターゲットを用いて基板上に、厚さ１００ｎｍ
のＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｃ薄膜を形成し、その組成を分析
したところ、ＺｎＳ８６．０モル％、ＳｉＯ2 ９．６モ
ル％、Ｃ４．５モル％でありターゲット組成とよく一致
していた。さらに、同一条件でスパッタリングを繰り返
しても、薄膜の組成変動は分析誤差内であった。
の混合比を８５．５モル％、９．５モル％、５モル％と
した以外は、実施例１と同様にしてターゲットを作製し
た。このターゲットを用いて基板上に、厚さ１００ｎｍ
のＺｎＳ−ＳｉＯ2 −Ｃ薄膜を形成し、その組成を分析
したところ、ＺｎＳ８６．０モル％、ＳｉＯ2 ９．６モ
ル％、Ｃ４．５モル％でありターゲット組成とよく一致
していた。さらに、同一条件でスパッタリングを繰り返
しても、薄膜の組成変動は分析誤差内であった。
【００２５】比較例１ ＺｎＳ粉末とＳｉＯ2 粉末と炭素（グラファイト）粉末
の混合比を５６モル％、１４モル％、３０モル％とした
以外は、実施例１と同様にしてターゲットを作製した。
このターゲットを用いて基板上に、厚さ１００ｎｍのＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2−Ｃ薄膜を形成し、その組成を分析した
ところ、ＺｎＳ６０．０モル％、ＳｉＯ2 １４．９モル
％、Ｃ２５．１モル％であり、ターゲット組成に比べ膜
中の炭素量が４．９％低くなっていった。
の混合比を５６モル％、１４モル％、３０モル％とした
以外は、実施例１と同様にしてターゲットを作製した。
このターゲットを用いて基板上に、厚さ１００ｎｍのＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2−Ｃ薄膜を形成し、その組成を分析した
ところ、ＺｎＳ６０．０モル％、ＳｉＯ2 １４．９モル
％、Ｃ２５．１モル％であり、ターゲット組成に比べ膜
中の炭素量が４．９％低くなっていった。
【００２６】
【発明の効果】本発明により、以下の効果が得られた。 (1) 本発明のスパッタッリングターゲットを用いて作製
されたカルコゲン化合物と酸化物および炭素の混合物薄
膜の組成はターゲットの組成と極めて良く一致する。
されたカルコゲン化合物と酸化物および炭素の混合物薄
膜の組成はターゲットの組成と極めて良く一致する。
【００２７】(2) 本発明のスパッタッリングターゲット
は、使用開始直後から、長時間使用し、ターゲットのエ
ロージョンが進んだ結果ボンディング材が現れてくるま
で、ターゲット表面の組成が変化せず、形成される薄膜
の組成もほとんど変化しない。
は、使用開始直後から、長時間使用し、ターゲットのエ
ロージョンが進んだ結果ボンディング材が現れてくるま
で、ターゲット表面の組成が変化せず、形成される薄膜
の組成もほとんど変化しない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３４ Ｃ０４Ｂ 35/00 Ｐ
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくともカルコゲン化合物、酸化物お
よび炭素を含むターゲットであって、該ターゲットはカ
ルコゲン化合物と酸化物および炭素の混合物を成型・焼
成してなるものであることを特徴とするスパッタリング
ターゲット。 - 【請求項２】 カルコゲン化合物が、ＺｎＳ、ＺｎＳ
ｅ、ＺｎＴｅからなる群より選ばれた少なくとも一種で
あることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングタ
ーゲット。 - 【請求項３】 酸化物が、Ｓｉの酸化物であることを特
徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。 - 【請求項４】 カルコゲン化合物が、ＺｎＳであること
を特徴とする請求項３記載のスパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項５】 炭素の含有率がターゲット全体の２０モ
ル％未満であることを特徴とする請求項１記載のスパッ
タリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8167651A JPH0971861A (ja) | 1995-06-30 | 1996-06-27 | スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-166460 | 1995-06-30 | ||
| JP16646095 | 1995-06-30 | ||
| JP8167651A JPH0971861A (ja) | 1995-06-30 | 1996-06-27 | スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0971861A true JPH0971861A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=26490826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8167651A Pending JPH0971861A (ja) | 1995-06-30 | 1996-06-27 | スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0971861A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114195518A (zh) * | 2021-11-11 | 2022-03-18 | 深圳市众诚达应用材料科技有限公司 | 碲化锌靶材、制备方法及其薄膜太阳能电池 |
-
1996
- 1996-06-27 JP JP8167651A patent/JPH0971861A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114195518A (zh) * | 2021-11-11 | 2022-03-18 | 深圳市众诚达应用材料科技有限公司 | 碲化锌靶材、制备方法及其薄膜太阳能电池 |
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