JPH02122072A - スパッタリングターゲットおよび薄膜の製造方法および光記録媒体 - Google Patents
スパッタリングターゲットおよび薄膜の製造方法および光記録媒体Info
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- JPH02122072A JPH02122072A JP27421288A JP27421288A JPH02122072A JP H02122072 A JPH02122072 A JP H02122072A JP 27421288 A JP27421288 A JP 27421288A JP 27421288 A JP27421288 A JP 27421288A JP H02122072 A JPH02122072 A JP H02122072A
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、３１を主成分とするスパッタリングに好適な
ターゲットと該ターゲットを用いての薄膜の製造方法お
よび、該薄膜を支持体上に、誘電体膜およびまたは保護
膜として設けた光記録媒体に関する。
ターゲットと該ターゲットを用いての薄膜の製造方法お
よび、該薄膜を支持体上に、誘電体膜およびまたは保護
膜として設けた光記録媒体に関する。
（従来の技術）
光により情報を再生しまたは記録、再生する機能を有す
る材料、例えばＴｅ等からのカルコゲナイド化合物や、
ＴｂＦａｏｏ等の希土類と遷移金属の合金を用いての光
記録媒体が近年盛んに開発されているが、該材料は酸化
され易く、耐蝕性に劣る欠点を有しており、これら材料
からの記録薄膜を保護するための透明薄膜を記録薄膜上
に設ける等の技術が開発されている。例えば特公昭８２
−２７４５８号公報に開示されている。またこれ等光記
録媒体以外の分野においてもＳｌを主たる成分とする薄
膜の利用が盛んである。これらＳｌを主成分とする、ま
たはＳＩを含有する膜を製造するには、ＣＶＤ法、スパ
ッタリング法等の成膜法が知られている。
る材料、例えばＴｅ等からのカルコゲナイド化合物や、
ＴｂＦａｏｏ等の希土類と遷移金属の合金を用いての光
記録媒体が近年盛んに開発されているが、該材料は酸化
され易く、耐蝕性に劣る欠点を有しており、これら材料
からの記録薄膜を保護するための透明薄膜を記録薄膜上
に設ける等の技術が開発されている。例えば特公昭８２
−２７４５８号公報に開示されている。またこれ等光記
録媒体以外の分野においてもＳｌを主たる成分とする薄
膜の利用が盛んである。これらＳｌを主成分とする、ま
たはＳＩを含有する膜を製造するには、ＣＶＤ法、スパ
ッタリング法等の成膜法が知られている。
（発明が解決しようとする課題）
Ｓｌを含有する薄膜の製造において、比較的安価で、大
量生産に適したスパッタリング方法があるが、スパッタ
リング方法によりＳＩ金含有薄膜を作成するときは、３
１，Ｓｉの酸化物、ＳＩの窒化物をターゲットに用いて
スパッタリングを行うが、これらターゲットは電気抵抗
が高く、直流では放電し難い問題を仔している。そのた
め高周波により放電させ、スパッタリングにより成膜す
るが高周波によるスパッタリングのときは、基板温度が
上昇する傾向を有しており、このため基板（支持体）の
熱が薄膜に伝わり熱応力が蓄積する等して、薄膜にクラ
ックが発生し易い等の欠点が生じる。また基板（支持体
）に高分子物を用いたときは、熱変形が生じたりする問
題点をも有している。
量生産に適したスパッタリング方法があるが、スパッタ
リング方法によりＳＩ金含有薄膜を作成するときは、３
１，Ｓｉの酸化物、ＳＩの窒化物をターゲットに用いて
スパッタリングを行うが、これらターゲットは電気抵抗
が高く、直流では放電し難い問題を仔している。そのた
め高周波により放電させ、スパッタリングにより成膜す
るが高周波によるスパッタリングのときは、基板温度が
上昇する傾向を有しており、このため基板（支持体）の
熱が薄膜に伝わり熱応力が蓄積する等して、薄膜にクラ
ックが発生し易い等の欠点が生じる。また基板（支持体
）に高分子物を用いたときは、熱変形が生じたりする問
題点をも有している。
（課題を解決するための手段）
本発明は、Ｓｉ主体の、またはＳＩ金含有薄膜をスパッ
タリングにより成膜するとき、直流でも放電可能なすぐ
れたターゲットと該ターゲットを用いての成膜法および
、該成膜により得られた薄膜を支持体−ヒに設けた光記
録媒体を提供するものである。
タリングにより成膜するとき、直流でも放電可能なすぐ
れたターゲットと該ターゲットを用いての成膜法および
、該成膜により得られた薄膜を支持体−ヒに設けた光記
録媒体を提供するものである。
すなわち本発明は、Ｓｉを主成分とするスバ・ツタリン
グターゲットにおいて、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂの元素から選ば
れた一種また二種以上の元素が、該ターゲット中にｏ、
ｏｏｏｔ〜１．０原子％の範囲で含まれていることを特
徴とするスパッタリングターゲットであり、前記の特定
のターゲットを用いてのＳｉ含打薄膜をスパッタリング
により製膜することを特徴とする薄膜の製造方法であり
、また前記ターゲットを用いてスパッタリングにより得
られるＳｉ含有薄膜を少なくとも支持体」−に有するこ
とを特徴とする光記録媒体である。
グターゲットにおいて、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂの元素から選ば
れた一種また二種以上の元素が、該ターゲット中にｏ、
ｏｏｏｔ〜１．０原子％の範囲で含まれていることを特
徴とするスパッタリングターゲットであり、前記の特定
のターゲットを用いてのＳｉ含打薄膜をスパッタリング
により製膜することを特徴とする薄膜の製造方法であり
、また前記ターゲットを用いてスパッタリングにより得
られるＳｉ含有薄膜を少なくとも支持体」−に有するこ
とを特徴とする光記録媒体である。
本発明のＳＩを主成分とするスパッタリングターゲット
において、含有せしめる元素としては、ＰｌＡＳ、Ｓｂ
が好ましいものであるが、中でもＰが特に好ましく、ま
たこれら元素の一種または二種以上の含有ｍとしては、
ｏ、ｏｏｏｉ〜１．０原子％であり、０．０００１％未
膚では本発明の目的に合致せず、また１、０％を超える
ときは、Ｓｌ主体膜の機能的特性を損うことになる、例
えばもろくなる、耐蝕性に悪影響を及ぼす等の難点を有
することになる。
において、含有せしめる元素としては、ＰｌＡＳ、Ｓｂ
が好ましいものであるが、中でもＰが特に好ましく、ま
たこれら元素の一種または二種以上の含有ｍとしては、
ｏ、ｏｏｏｉ〜１．０原子％であり、０．０００１％未
膚では本発明の目的に合致せず、また１、０％を超える
ときは、Ｓｌ主体膜の機能的特性を損うことになる、例
えばもろくなる、耐蝕性に悪影響を及ぼす等の難点を有
することになる。
本発明のＳｉ含仔薄膜としては、例えばＳＩとＰｌＡｓ
、Ｓｂの一種または二種以上の元素からなるもの、さら
には５１３Ｎ４に、ＳＩＯ□に、ＳｉＧに 各々、Ｐ
ｓ Ａ ｓ、 Ｓ ｂの一種または二種以りの元素が含
有されたもの、等が挙げられる。
、Ｓｂの一種または二種以上の元素からなるもの、さら
には５１３Ｎ４に、ＳＩＯ□に、ＳｉＧに 各々、Ｐ
ｓ Ａ ｓ、 Ｓ ｂの一種または二種以りの元素が含
有されたもの、等が挙げられる。
（実施例）
ターゲットとして表−■に示したｆ’ｌｋ Ｐを含有せ
しめたＳｌの各ターゲットを用い、スパッタガスとして
Ａｒ７０ｖｏｅ％とＮ２３０ｖｏＱ％の混合ガスを用い
て、反応性直流マグネトロンスパッタリングを行った。
しめたＳｌの各ターゲットを用い、スパッタガスとして
Ａｒ７０ｖｏｅ％とＮ２３０ｖｏＱ％の混合ガスを用い
て、反応性直流マグネトロンスパッタリングを行った。
また、安定な５ｌＯＮ４主体膜が得られる条件において
は、護膜を、ポリカーボネートの支持体上にＴｂＦｅＣ
，膜を形成した円形板のＴｂＦｅＣ６膜上にＳｌ、１Ｎ
、主体膜として形成して光記録媒体を得た。
は、護膜を、ポリカーボネートの支持体上にＴｂＦｅＣ
，膜を形成した円形板のＴｂＦｅＣ６膜上にＳｌ、１Ｎ
、主体膜として形成して光記録媒体を得た。
該光記録媒体上の保護膜としてのｓ ＋ 、ｌ Ｎ ４
二に体膜の所見を表−■に示す。
二に体膜の所見を表−■に示す。
表−■
（発明の効果）
薄膜として種々用途に有用なＳｌ主体の薄膜をスパッタ
リングにより成膜せんとするとき、本発明の特定の元素
を含イ了せしめたＳｉ主成分のターゲットは、直流スパ
ッタリングにおいても容易に、成膜しうるターゲットで
あり、がっこのターゲットを用いることにより、得られ
る薄膜は、光記録媒体の保Ｎ膜等としても何州であるこ
とが判った。
リングにより成膜せんとするとき、本発明の特定の元素
を含イ了せしめたＳｉ主成分のターゲットは、直流スパ
ッタリングにおいても容易に、成膜しうるターゲットで
あり、がっこのターゲットを用いることにより、得られ
る薄膜は、光記録媒体の保Ｎ膜等としても何州であるこ
とが判った。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）Ｓｉを主成分とするスパッタリングターゲットに
おいて、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂの元素から選ばれたー種また二
種以上の元素が、該ターゲット中に０．０００１〜１．
０原子％の範囲で含まれていることを特徴とするスパッ
タリングターゲット。 ２ 請求項（１）のスパッタリングターゲットを用いて
Ｓｉ含有薄膜をスパッタリングにより製造することを特
徴とする薄膜の製造方法。 （３）請求項（２）の方法によって得られたＳｉ含有の
薄膜を支持体上に有することを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27421288A JPH02122072A (ja) | 1988-10-29 | 1988-10-29 | スパッタリングターゲットおよび薄膜の製造方法および光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27421288A JPH02122072A (ja) | 1988-10-29 | 1988-10-29 | スパッタリングターゲットおよび薄膜の製造方法および光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02122072A true JPH02122072A (ja) | 1990-05-09 |
Family
ID=17538596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27421288A Pending JPH02122072A (ja) | 1988-10-29 | 1988-10-29 | スパッタリングターゲットおよび薄膜の製造方法および光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02122072A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0586809A1 (en) * | 1992-07-15 | 1994-03-16 | "EMIEL VANDERSTRAETEN" Société de personnes à responsabilité limitée | Sputter cathode and method for the manufacture of this cathode |
| JPWO2005031028A1 (ja) * | 2003-09-26 | 2007-11-15 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットとそれを用いたＳｉ酸化膜およびその製造方法、ディスプレイ装置 |
-
1988
- 1988-10-29 JP JP27421288A patent/JPH02122072A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0586809A1 (en) * | 1992-07-15 | 1994-03-16 | "EMIEL VANDERSTRAETEN" Société de personnes à responsabilité limitée | Sputter cathode and method for the manufacture of this cathode |
| BE1007067A3 (nl) * | 1992-07-15 | 1995-03-07 | Emiel Vanderstraeten Besloten | Sputterkathode en werkwijze voor het vervaardigen van deze kathode. |
| US5853816A (en) * | 1992-07-15 | 1998-12-29 | Emiel Vanderstraeten | Method of coating a sputter cathode with a layer of material to be applied to a substrate by sputtering |
| JPWO2005031028A1 (ja) * | 2003-09-26 | 2007-11-15 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットとそれを用いたＳｉ酸化膜およびその製造方法、ディスプレイ装置 |
| US7998324B2 (en) | 2003-09-26 | 2011-08-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target and process for producing si oxide film therewith |
| JP4791825B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2011-10-12 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットとそれを用いたＳｉ酸化膜およびその製造方法、ディスプレイ装置 |
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