JPH0964683A - モノリシック薄膜共振器格子フィルタおよびその製造方法 - Google Patents

モノリシック薄膜共振器格子フィルタおよびその製造方法

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JPH0964683A JP8218108A JP21810896A JPH0964683A JP H0964683 A JPH0964683 A JP H0964683A JP 8218108 A JP8218108 A JP 8218108A JP 21810896 A JP21810896 A JP 21810896A JP H0964683 A JPH0964683 A JP H0964683A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡単かつ安価で製造可能で、しかも信頼性の
高い薄膜圧電共振器格子フィルタおよびその形成方法を
提供する。 【構成】 モノリシック薄膜共振器格子フィルタ（３
０）は、基板（１０）上に配置され、第１のＩ／Ｏ端子
集合を規定する導電性膜（２２）の離間ストリップ（４
２，４３）と、導電性膜（２２）上に配置された圧電物
質層（２５）と、第１ストリップ（４２，４３）に直交
するように圧電層（２５）上に配置され、各々薄膜共振
器（３５〜３８）と第２のＩ／Ｏ端子集合とを規定する
交差領域を形成する、導電性物質（２４）の離間導電性
ストリップ（４０，４１）とを含む。複数の誘電体膜
（２７）の部分が、選択された交差領域上に配置され、
薄膜共振器（３６，３７）に質量負荷をかけることによ
り、共振周波数を低下させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に薄膜共振
器に関し、更に特定すれば、モノリシック格子フィルタ
における薄膜共振器およびその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】圧電フィルタ(piezoelectric filter)、
特に結晶基板上の面実装の弾性波(SAW:surface acousti
c wave) フィルタは、今日携帯用無線機の分野におい
て、ＲＦフィルタ等に幅広く用いられている。この圧電
フィルタは、１つ以上の圧電共振器で形成され、小型軽
量に作ることができるので、特に小型の携帯用通信装置
には有用である。
【０００３】低周波数領域（即ち、数十ＭＨｚ）では、
個別の結晶共振器が格子形状でフィルタとして用いられ
る。しかしながら、これら個別共振器は比較的大きく、
しかも製造が高価なものとなる。また、個別共振器は、
製造の間手間のかかる周波数整合を必要とし、しかも１
ないし３ＧＨｚまたはそれ以上の高い周波数に延長する
ことができない。
【０００４】薄膜共振器を用いようとする幾つかの試み
がなされたが、圧電共振器は非常に敏感であり、ある種
の比較的堅牢な基板上に形成しなければならない。しか
しながら、圧電共振器が適正に動作するためには、基板
から分離されていなければならない。さもないと、基板
が共振、即ち、振動を減衰させてしまう。
【０００５】従来技術の中には、基板表面上に圧電共振
器を形成し、次いで背面側から基板をほぼ貫通する空胴
をエッチングで形成することによって、分離(decouplin
g)を達成したものがある。基板は比較的厚いこともあり
得るので、このプロセスは大量の非常に困難なエッチン
グを必要とし、しかも圧電素子が損傷を受ける前にこの
エッチング・プロセスを確実に停止させるために細心の
注意が必要となる。また、基板をエッチングする角度
（約５０°）のために、必要とされる基板の量および共
振器の最終的なサイズが大幅に増加する。
【０００６】従来技術の素子には、基板上に犠牲層を形
成し、次に犠牲層上に支持層を形成することによって、
分離を達成したものもある。次に、支持層上に圧電素子
を形成し、犠牲層をエッチングで除去する。こうする
と、支持層が空隙上に架橋状に延在するので、圧電素子
が基板から分離される。この圧電素子の製造方法に伴う
問題は、除去しなければならない物質の水平方向寸法
（大きなアンダーカット）、即ち、物質の範囲が広いた
めに、犠牲層のエッチングが困難なことである。
【０００７】通常、薄膜共振器は、積層フィルタ(stack
ed filter)および梯子フィルタ(ladder filter) の形状
で製造される。しかしながら、積層フィルタは少なくと
も２層の圧電膜を堆積し、それらを金属層の間に狭持さ
せなければならないため、製造の複雑性が増大し、ひい
てはフィルタのコストが大幅に上昇する。同様に、梯子
フィルタも比較的挿入損失が大きく、比較的大型で費用
もかかる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】したがって、簡単かつ
安価な圧電共振器であって、圧電共振器フィルタを形成
することができる便利な圧電共振器を製造するための新
たな方法を考案できれば有益であろう。
【０００９】本発明の目的は、新規で改良された薄膜圧
電共振器格子フィルタの製造方法を提供することであ
る。
【００１０】本発明の他の目的は、従来技術よりも大幅
に簡単かつ安価な、密閉空胴上に薄膜圧電共振器格子フ
ィルタを形成する、新規で改良された方法を提供するこ
とである。
【００１１】本発明の更に他の目的は、一貫性および信
頼性を向上させた、新規で改良された薄膜圧電共振器格
子フィルタを提供することである。
【００１２】本発明の更に別の目的は、差動回路等に都
合よく用いることができる平衡回路における、新規で改
良された薄膜圧電共振器格子フィルタを提供することで
ある。
【００１３】また本発明の更に別の目的は、従来技術の
フィルタよりも小型で製造が容易であり、しかも従来技
術のフィルタよりも安価で信頼性の高い、新規で改良さ
れた薄膜圧電共振器格子フィルタを提供することであ
る。
【００１４】また本発明の更に別の目的は、真の半格子
フィルタにいくらか相似した２つの共振器を含み、差動
増幅器との組み合わせによって、全帯域格子フィルタと
同様の性能を有し、挿入損失の代わりに利得を与える、
最も簡単な既知の薄膜共振器フィルタが得られる、新規
で改良された薄膜圧電共振器格子フィルタを提供するこ
とである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上述の問題およびその他
の問題の少なくとも部分的な解決、ならびに上述の目的
およびその他の目的の実現は、モノリシック薄膜共振格
子フィルタによって達成される。このフィルタは、第１
のＩ／Ｏ端子集合を規定するように基板上に配置された
第１導電膜の離間ストリップと、第１導電膜上に配置さ
れた圧電物質層と、圧電層上に第１ストリップに対して
直交するように位置付けられ、各々薄膜共振器と第２の
Ｉ／Ｏ端子集合とを規定するクロスオーバー領域を形成
する第２導電膜の離間導電性ストリップとを含む。複数
の誘電体膜の部分が、選択されたクロスオーバー領域上
に配置され、薄膜共振器に質量負荷(mass load) をかけ
ることによって共振周波数を低下させる。
【００１６】薄膜共振器は互いに非常に接近して位置付
けられ、標準的な半導体製造プロセスで形成されるの
で、これらは互いに類似しており、したがって、格子フ
ィルタ構造として用いる場合、良好な相殺(cancellatio
n)が認められる。薄膜共振器は非常に類似しているの
で、誘電体膜による質量荷重は、単一工程で、ウエハ上
の選択された薄膜共振器全てに対して、容易に行うこと
ができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】これより図面を参照しながら本発
明の実施例を説明する。図１ないし図４は、密閉空胴を
有する薄膜圧電共振器を製造する具体的なプロセスにお
けるいくつかの工程を示す、簡略超拡大断面図である。
用いられる薄膜材料によっては、絶縁、保護膜、封入等
の付加的な層が必要な場合もあるが、かかる層および膜
は全て、簡略化のためおよび本発明をよりよく理解する
ために、以降省略することとした。ここに示す具体的な
構造および製造方法は、例示の目的のために過ぎず、基
板のエッチング、犠牲層、反射インピーダンス整合層等
を含む本発明による他の格子フィルタ製造方法も考案可
能であり、更に、本発明はこれらにも限定される訳では
ない。基板上に薄膜共振器を製造する方法は、"Thin Fi
lm Resonator Having Stacked Acoustic Reflecting Im
pedance Matching Layers and Method" と題する、１９
９４年１２月１３日に発行された、米国特許第５，３７
３，２６８号に開示されている。この特許の内容は本願
でも使用可能である。
【００１８】本具体的実施例では、説明のために、以下
の製造方法を利用するものとする。具体的に図１を参照
すると、平面状の上面１１を有する第１基板１０が示さ
れている。基板１０は、例えば、既知の半導体物質のい
ずれかのような、容易に加工可能ないずれかの好都合な
物質とすることができる。本具体例では、基板１０は、
通常半導体製品の製造に用いられている、シリコン・ウ
エハである。
【００１９】いずれかの好都合な手段によって、基板１
０の上平面１１に空胴１２を形成する。図面描かれてい
るのは基板１０を含むウエハの一部と１つの空胴１２の
みであるが、基板１０は複数の空胴１２を含むこともあ
り、これらは全て同時に形成されることは理解されよ
う。本好適実施例では、当技術では既知の態様で、マス
ク、フォトレジスト等を用いて上平面１１にパターニン
グを行い、基板１０をエッチングすることによって、空
胴１２を形成する。
【００２０】次に、平坦な表面を有する第２基板１４を
用意し、全体的に誘電体物質の層１５を、この第２基板
１４の平面上に配置し、基板１４と層１５との接合部
に、平面１６を形成する。図面に描かれているのは基板
１４を含むウエハの一部のみであるが、基板１４の表面
全体が層１５によって覆われていてもよく、あるいは基
板上の１つまたは複数の空胴１２を覆う位置でのみ、層
１５をパターニングしてもよいことは理解されよう。層
１５は、第１基板１０の平面１１に接合可能な平面１６
から区別される物質で形成される。また、層１５の物質
は、層１５から選択的にエッチング可能な第２基板１４
からも区別される。本好適実施例では、例えば、基板１
４はシリコン・ウエハであり（基板１０に関連して述べ
たように）、層１５は、既知の酸化技法のいずれかのよ
って基板１４の平面上に成長させた酸化物層(SiO2)であ
る。 具体的に図２を参照すると、少なくとも空胴１２
を覆うように、層１５の表面が基板１０の平面１１に接
合されている。この目的のためには、接着剤またはその
他の化学物質、ウエハ・ボンディング等のような、いか
なるボンディング技法も使用可能であることは理解され
よう。本好適実施例では、標準的なウエハ・ボンディン
グ技法を用いた。即ち、突き合される面同士を艶出し研
磨(polish)して平面性を保証し、これらの面を単に接合
し（並置状態とする）、加熱して堅固な化学的接合を与
える。
【００２１】次に、研磨(grinding)および／または艶出
しによって、基板１４を都合のよい厚さまで加工し、標
準的な半導体エッチング技法を用いて、基板１４の残り
の部分を、エッチングによって除去する。加工および／
またはエッチングの量は、元の厚さおよび利用する物質
の共振周波数によって異なることは理解されよう。本好
適実施例では、そして処理を簡略化するために、図３に
示すように、ウエハ全体（基板１４）を、加工およびエ
ッチングによって除去して、表面１６を露出させる。エ
ッチング・プロセスの間、二酸化シリコン層１５が自然
のエッチ・ストップを形成し、物質が過剰に除去されな
いことを保証する。
【００２２】具体的に図４を参照すると、空胴１２に対
して上に位置する関係で、層１５の平面１６上に、薄膜
共振器構造２０を形成する。共振器構造２０は、空胴１
２に対して上に位置する関係で層１５の表面１６上に配
置された第１電極２２と、第１電極２２を覆う第２電極
２４と、これらの間に狭持された圧電膜２５とを含む。
共振器の製造技術では既知の態様で、表面１６上に第１
電極２２を形成し、電極２２上に圧電膜２５を堆積し、
圧電膜２５の表面上に第２電極２４を堆積する。電極２
２，２４の形成には、例えば、好都合な金属の真空蒸
着、無電解めっき(electroless deposition)等のよう
な、既知の技法のいずれかが利用可能であることは理解
されよう。
【００２３】ここで注記すべきは、複数の個々の圧電共
振器が単一ウエハ上に作成され、各共振器は比較的小さ
く（各辺が数百ミクロン程度）、しかも複数の共振器が
互いに接近して形成されるので、各共振器は各隣接する
共振器に非常に類似していることである。上述の作成技
法を利用して、必要な数の圧電共振器を単一基板または
ウエハ上に作成し、電気的に接続して所望の圧電フィル
タ構成を形成する。本実施例では、電気的接続部は、電
極２２，２４がウエハ上にパターニングされる際に同時
に、ウエハ上にパターニングされる。
【００２４】信頼性の高い動作および良好な分離のため
に、層１５の厚さは、圧電共振器の厚さの半分に規定す
る。好適実施例では、シリコン基板１４上に成長させた
酸化物層１５の厚さは、非常に正確に制御することがで
きる。更に、層１５は基板１４の除去の間、自然なエッ
チ・ストップを形成するので、層１５の厚さは製造プロ
セスの残りの間に大幅に変化することはない。また、好
適実施例では、空胴１２をエッチングで形成し、層１６
を所望の厚さに成長させて基板１０に接合するので、完
成した圧電共振器は従来技術の共振器よりもかなり小さ
く製造可能であり、（全体で、１つの特定のフィルタの
ための）複数の共振器を互いに非常に接近して形成する
ことができる。空胴１２は各共振器毎に形成することが
でき、また所望であれば、特定のフィルタにおける共振
器全てを単一の空胴上に取り付けることも可能であるこ
とを注記しておく。
【００２５】共振器構造２０の圧電層２５と電極２２，
２４が完成した後、電極２４の上面上に物質膜２７を被
着することによって、共振周波数を変更することができ
る。膜２７は、窒化シリコン(Si3N4) 、酸化シリコンの
ようないずれかの好都合な誘電体物質、または添加金属
(additional metal)のようなより重い物質とすることが
できる。好適実施例では、膜２７は窒化シリコンであ
り、プラズマ・エンハンス化学蒸着によって被着させ
る。動作の間、膜２７は共振器構造２０に質量負荷(mas
s load) をかけ、全体的に共振周波数を低下させる。当
技術では既知のように、共振周波数は、共振器にかかる
質量の平方根を共振器の剛性定数で割ったものに直接関
係する。したがって、層２７の厚さは、共振周波数に所
望の変化を与えるように選択する。
【００２６】図５を参照すると、本発明によるモノリシ
ック薄膜共振器格子フィルタ３０の上面図が示されてい
る。フィルタ３０は、２ｘ２の共振器アレイ３５，３
６，３７，３８と、端子４０，４１，４２，４３とを含
む。共振器３５〜３８の各々は、第１導電膜が基板１０
上に配置されており、１対の離間された導電性ストリッ
プによって分離され、第１のＩ／Ｏ端子集合４０，４１
を規定することを除いて、上述と同様に構成されてい
る。
【００２７】本実施例では、共振器３５〜３８のための
領域は、導電性ストリップ上に規定され、水晶の素材板
(blank) または薄膜ピエゾイド(thin film piezoid)
を、この領域全体に被覆する。しかしながら、所望であ
れば、個々の圧電層を各共振器上に配することも可能で
あることは理解されよう。とはいえ、単一の素材板また
は層を使用すれば、４個の共振器３５〜３８全ての均一
性を高め、しかも互いに類似して作れるので、格子フィ
ルタ構成に用いる場合、良好な相殺が認められる。
【００２８】圧電膜上に第２導電性膜を配置し、１対の
離間された導電性ストリップに分離して、第２のＩ／Ｏ
端子集合４２，４３を規定する。第２の離間導電性スト
リップ対は、概略的に第１の導電性ストリップ対に対し
て直交方向に向けられているので、第２の導電性ストリ
ップ対の各々は、第１の導電性ストリップ対の各々の一
部に覆い被さり、この覆い被さる領域は、既に共振器３
５〜３８のための領域として規定された部分である。そ
の結果、図６に概略的に示すように、４個の共振器が格
子フィルタ状に接続される。
【００２９】次に、共振器３６，３７に膜２７の質量負
荷をかけて、周波数を所望量だけ変化させ、共振器３
５，３８と共振器３６，３７との間に周波数のずれを生
じせしめる。勿論、所望であれば、共振器３６，３７の
代わりに、共振器３５，３８に質量負荷をかけてもよい
ことは理解されよう。狭帯域に対する容量性負荷の範囲
に応じて、共振器対間の周波数のずれは、一方の対の極
を他方の対のゼロに一致させる程度とすることができ
る。共振器３５〜３８は、互いに非常に接近して形成さ
れ、標準的な半導体製造プロセスによって作られるの
で、これらは互いに非常に類似しており、したがって、
格子フィルタ構成として用いられた場合、良好な相殺が
認められる。また、基板内の空胴上に共振器３５〜３８
を作成することにより、これらを非常に密接に詰め込む
ことが可能となるが、これは従来技術の背面基板による
プロセスを用いた場合では、実現は不可能であろう。
【００３０】具体的に図７を参照すると、図５の格子フ
ィルタを内蔵した受信機フロント・エンド(receiver fr
ont-end)５０の簡略ブロック図が示されている。フロン
ト・エンド５０は、非平衡シングル・エンド・フィルタ
５３を介して、バラン増幅器(balun amplifier) ５５の
シングル・エンド入力に接続されている受信アンテナ５
２を含む。増幅器５５のバラン出力は、図５の格子フィ
ルタ３０と同様、平衡フィルタ５６を介して、ミキサ５
７の平衡入力に接続されている。差動増幅器５５および
ミキサ５７のような差動回路は、相互変調成分を改善す
るので、歪みが少なく、本質的に共通モード相殺(commo
n mode cancellation)を備えている。
【００３１】図８を参照すると、本発明による他のモノ
リシック薄膜共振器格子フィルタ６０の上面図が示され
ている。フィルタ６０は、共振器６５，６６の１ｘ２ア
レイと、共通端子として動作する端子７０，７１，７３
とを含む。共振器６５，６６の各々は、本実施例では、
共振器６５のみが質量荷重を受けることを除いて、上述
と同様に構成されている。狭帯域に対する容量性負荷の
範囲に応じて、１対の共振器６５，６６間の周波数のず
れは、一方の共振器の極を他方の共振器のゼロに一致さ
せる程度とすることができる。共振器６５，６６は互い
に非常に接近して作成され、標準的な半導体製造プロセ
スで作られるので、これらは互いに非常に類似してお
り、したがって、格子フィルタ構成として用いられる場
合、良好な相殺が認められる。
【００３２】具体的に図９を参照すると、図５および図
８の格子フィルタ双方を内蔵した、別の受信機フロント
・エンド８０の簡略ブロック図が示されている。フロン
ト・エンド８０は、図８の格子フィルタ６０と同様、半
格子フィルタ８３を介して差動増幅器８５の２つの入力
に接続されている受信アンテナ８２を含む。増幅器８５
の差動出力は、図５の格子フィルタ３０と同様、平衡フ
ィルタ８６を介して、ミキサ８７の平衡入力に接続され
ている。半格子フィルタ８３を用いて、フロント・エン
ド８０の初期段階で信号を差動対に変換し、構造の改善
および簡略化を図る。
【００３３】以上のように、改善された薄膜圧電共振器
アレイ、および共振器を格子フィルタ、または、望まし
ければ、ホイートストーン・ブリッジ等のような他のタ
イプのフィルタに接続するための便利な方法を開示し
た。以前には、格子フィルタ構成として形成された薄膜
共振器はなく、積層型フィルタや梯子フィルタのみであ
った。格子フィルタは、フィルタの中でも最も多様性の
あるタイプであり、格子構成の共振器は本来静電容量が
相殺されるので、同一のプロセス能力および共振器設計
（圧電物質およびメタライゼーション・プロセス）の下
では、即ち、技術的効果尺度ｑ／ｒが等しいならば、梯
子フィルタと比較してより広い帯域を有する。
【００３４】開示された格子フィルタは平衡回路であ
り、例えば、差動増幅器やその他の差動回路と共に好都
合に使用することができる。かかる差動回路は、相互変
調成分を改善し、歪みが少なく、本質的に共通モード相
殺を備えている。更に、薄膜処理によって、高周波数に
おけるフィルタの動作が可能となり、その上、新規なレ
イアウトのために、例えば、クロスオーバーのない、格
子フィルタの簡単な処理および接続が可能となる。従来
技術では、このクロスオーバーのために、回路が非平面
となっていた。加えて、ウエハ・ボンディング技術を用
いてフィルタ回路を実現したことにより、共振器の単一
領域または複数の領域の寸法が縮小され、プロセスの生
産性が向上すると共に、コストも低く抑えることができ
る。最終的なフィルタ回路は、同一技術で実現された梯
子フィルタと比較した場合、帯域が広く、挿入損失が少
ないという利点がある。また、積層型共振器フィルタと
比較した場合、プロセスは大幅に簡単である。加えて、
本発明の新規なフィルタは、低電圧動作を差動増幅に採
用する傾向のある、モデム回路に容易に使用することが
できる。
【００３５】以上本発明の具体的な実施例を示しかつ説
明してきたが、更に別の変更や改良も当業者には想起さ
れよう。したがって、本発明はここに示した特定形態に
は限定されないものと理解されることを望み、特許請求
の範囲は、本発明の精神および範囲から逸脱しない全て
の変更を包含することを意図するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】薄膜共振器の製造における一段階を示す簡略断
面図。
【図２】薄膜共振器の製造における一段階を示す簡略断
面図。
【図３】薄膜共振器の製造における一段階を示す簡略断
面図。
【図４】薄膜共振器の製造における一段階を示す簡略断
面図。
【図５】本発明によるモノリシック薄膜共振器格子フィ
ルタを示す上面図。
【図６】図５の構造の簡略構成図。
【図７】図５に示した格子フィルタを内蔵した受信機フ
ロント・エンドの簡略ブロック図。
【図８】本発明による他のモノリシック薄膜共振器格子
フィルタの上面図。
【図９】図５および図８に示した格子フィルタの双方を
内蔵した受信機フロント・エンドの簡略ブロック図。
【符号の説明】
１０ 第１基板 １２ 空胴 １４ 第２基板 １５ 誘電体物質層 ２０ 薄膜共振器構造 ２２ 第１電極 ２４ 第２電極 ２５ 圧電膜 ２７ 物質膜 ３０ モノリシック薄膜共振器格子フィルタ ３５，３６，３７，３８ 共振器アレイ ４０，４１，４２，４３ 端子 ５０ 受信機フロント・エンド ５２ 受信アンテナ ５３ 非平衡シングル・エンド・フィルタ ５５ バラン増幅器 ５７ ミキサ ６０ モノリシック薄膜共振器格子フィルタ ６５，６６ 共振器 ７０，７１，７３ 端子 ８０ 受信機フロント・エンド ８３ 半格子フィルタ ８２ 受信アンテナ ８６ 平衡フィルタ ８７ ミキサ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロバート・ジー・キンスマン アメリカ合衆国イリノイ州ナパービル、サ ミット・ヒルズ・レーン1017

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】薄膜共振器のモノリシック・アレイを製造
    する方法であって：平面（１１，１６）を有する支持基
    板（１０）を用意する段階；前記支持基板（１０）の平
    面（１１，１６）上に第１導電性膜（２２）を配置し、
    該第１導電性膜（２２）を複数の第１離間導電性ストリ
    ップ（４２，４３）に分離して、第１のＩ／Ｏ端子集合
    を規定する段階；前記第１導電性膜（２２）上に圧電物
    質層（２５）を配置する段階；前記圧電物質層（２５）
    上に第２導電性膜（２４）を配置し、該第２導電性膜
    （２４）を、複数の第１導電性ストリップ（４２，４
    ３）に対してある角度をなして位置付けられた複数の第
    ２離間導電性ストリップ（４０，４１）に分離し、前記
    複数の第２導電性ストリップ（４０，４１）の各々が、
    前記第１導電性ストリップ（４２，４３）の各々の一部
    に交差領域において上に位置し、かつ第２のＩ／Ｏ端子
    集合を規定し、前記交差領域の各々が、ある共振周波数
    を有する薄膜共振器（３５〜３８）を規定する段階；お
    よび前記複数の交差領域（３６，３７）の各々の上に、
    誘電体物質膜（２７）の複数の部分を１つずつ配置し、
    前記複数の交差部分によって規定された薄膜共振器（３
    ６，３７）に質量負荷をかけ、質量負荷がかけられた前
    記薄膜共振器の共振周波数を変更する段階；から成るこ
    とを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】前記支持基板を用意する段階は、更に：平
    面（１１）を有する第１基板（１０）を用意する段階；
    前記第１基板（１０）の平面（１１）内に空胴（１２）
    を形成する段階；平面（１６）を有する第２基板（１
    ４）を用意する段階；前記第２基板（１４）の平面（１
    ６）上に物質層（１５）を配置して、前記第２基板（１
    ４）の平面（１６）と平行な前記物質層（１５）の平面
    を形成し、前記第１基板（１０）の平面（１１）に接合
    可能であることによって前記物質層（１５）を区別し、
    更に、該物質層（１５）から選択的にエッチング可能な
    前記第２基板（１４）によって前記物質層（１５）を区
    別する段階；前記物質層（１５）の平面を、前記空胴
    （１２）に対して上に位置する関係で、前記第１基板
    （１０）の平面（１１）に接合する段階；および前記物
    質層（１５）から前記第２基板（１４）の部分をエッチ
    ングして、前記空胴（１２）を覆う領域内のエッチング
    された平面を露出させる段階；を含むことを特徴とす
    る、請求項１記載の薄膜共振器のモノリシック・アレイ
    を製造する方法。
  3. 【請求項３】モノリシック薄膜共振器格子フィルタの製
    造方法であって：平面を有する支持基板を用意する段
    階；前記支持基板の平面上に第１導電性膜を配置し、該
    第１導電性膜を第１の離間導電性ストリップ対に分離
    し、第１のＩ／Ｏ端子集合を規定する段階；前記第１導
    電性膜上に圧電物質層を配置する段階；前記圧電物質層
    上に第２導電性膜を配置し、該第２導電性膜を、前記第
    １の離間導電性ストリップ対に対して直交して位置付け
    られた第２の離間導電性ストリップ対に分離し、前記第
    ２の導電性ストリップ対の各々は、前記第１の導電性ス
    トリップ対の各々の一部に交差領域において上に位置
    し、かつ第２のＩ／Ｏ端子集合を規定し、前記交差領域
    の各々がある共振周波数を有する薄膜共振器を規定し、
    該薄膜共振器を２ｘ２アレイに配列する段階；および前
    記交差領域の２箇所の上に、２部分の誘電体物質膜を１
    つずつ配置し、前記２箇所の交差部分によって規定され
    た２つの薄膜共振器に質量負荷をかけ、質量負荷がかけ
    られた前記２つの薄膜共振器の共振周波数を変更し、前
    記２つの薄膜共振器を前記２ｘ２アレイの対角線に沿っ
    て配置する段階；から成ることを特徴とする方法。
  4. 【請求項４】薄膜共振器のモノリシック・アレイであっ
    て：平面（１１，１６）を有する支持基板（１０）；前
    記支持基板（１０）の平面（１６）上に配置された第１
    導電性膜（２２）であって、第１の複数の離間導電性ス
    トリップ（４２，４３）に分離されて、第１のＩ／Ｏ端
    子集合を規定する前記第１導電性膜（２２）；前記第１
    導電性膜（２２）上に配置された圧電物質層（２５）；
    前記圧電物質層（２５）上に配置された第２導電性膜
    （２４）であって、 前記第２導電性膜（２４）は、複数の第１導電性ストリ
    ップ（４２，４３）に対してある角度をなして位置付け
    られた複数の第２離間導電性ストリップ（４０，４１）
    に分離され、前記複数の第２導電性ストリップ（４０，
    ４１）の各々は、前記第１導電性ストリップ（４２，４
    ３）の各々の一部に交差領域において上に位置し、かつ
    第２のＩ／Ｏ端子集合を規定し、前記交差領域の各々
    は、ある共振周波数を有する薄膜共振器（３５〜３８）
    を規定する、前記第２導電性膜（２４）；および各々、
    前記複数の交差領域（３６，３７）の各々の上に配置さ
    れた複数の誘電体物質膜（２７）の部分であって、該部
    分の各々は、前記複数の交差部分によって規定された薄
    膜共振器（３６，３７）に質量負荷をかけ、質量負荷が
    かけられた前記薄膜共振器の共振周波数を変更する、前
    記複数の誘電体物質（２７）部分；から成ることを特徴
    とする薄膜共振器のモノリシック・アレイ。
  5. 【請求項５】モノリッシク薄膜共振器格子フィルタであ
    って：平面を有する支持基板；前記支持基板の平面上に
    配置された第１導電性膜であって、第１の離間導電性ス
    トリップ対に分離されて、第１のＩ／Ｏ端子集合を規定
    する前記第１導電性膜；前記第１導電性膜上に配置され
    た圧電物質層；前記圧電物質層上に配置された第２導電
    性膜であって、該第２導電性膜は、前記第１の離間導電
    性ストリップ対に対して直交して配置された、第２の離
    間導電性ストリップ対に分離され、前記第２の導電性ス
    トリップ対の各々は、前記第１の導電性ストリップ対の
    各々の一部に交差領域において上に位置し、かつ第２の
    Ｉ／Ｏ端子集合を規定し、前記交差領域の各々が、ある
    共振周波数を有する薄膜共振器を規定し、該薄膜共振器
    を２ｘ２アレイに配列する、前記第２導電性膜；および
    前記交差領域の２箇所の上に、各１つが配置された２部
    分の誘電体物質膜であって、前記２箇所の交差部分によ
    って規定された２つの薄膜共振器に質量負荷をかけ、質
    量負荷がかけられた前記２つの薄膜共振器の共振周波数
    を変更し、前記２つの薄膜共振器が前記２ｘ２アレイの
    対角線に沿って配置される、前記誘電体物質膜；から成
    ることを特徴とするモノリシック薄膜共振器格子フィル
    タ。
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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299979A (ja) * 2001-03-05 2002-10-11 Agilent Technol Inc 共振器の製造方法
JP2002335141A (ja) * 2001-03-05 2002-11-22 Agilent Technol Inc 共振器の製造方法
JP2003530750A (ja) * 2000-04-06 2003-10-14 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 共振器を有するチューニング可能なフィルタ構成
WO2004038914A1 (ja) * 2002-10-28 2004-05-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 圧電振動子、それを用いたフィルタ及び圧電振動子の調整方法
US6989723B2 (en) 2002-12-11 2006-01-24 Tdk Corporation Piezoelectric resonant filter and duplexer
JP2006109472A (ja) * 2004-10-01 2006-04-20 Agilent Technol Inc 周縁に質量負荷を施した圧電薄膜共振器
WO2006080226A1 (ja) * 2005-01-28 2006-08-03 Sony Corporation マイクロマシンの製造方法およびマイクロマシン
US7124485B2 (en) 2003-04-11 2006-10-24 Tdk Corporation Method of manufacturing a piezoelectric thin film resonator
US7239067B2 (en) 2003-03-31 2007-07-03 Tdk Corporation Method of manufacturing a piezoelectric thin film resonator, manufacturing apparatus for a piezoelectric thin film resonator, piezoelectric thin film resonator, and electronic component
JP2007208727A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Fujitsu Media Device Kk 圧電薄膜共振器、フィルタおよびその製造方法
JP2007267405A (ja) * 2000-11-24 2007-10-11 Nokia Corp 圧電共振子を含むフィルタ構造および構成
JP2007535279A (ja) * 2004-05-07 2007-11-29 インテル・コーポレーション 集積化された多周波数帯圧電薄膜共振器（ｆｂａｒ）の形成
JP2008506302A (ja) * 2004-07-06 2008-02-28 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン（パブル） チューナブル共振器
JP2008178126A (ja) * 2008-01-21 2008-07-31 Ube Ind Ltd 薄膜音響共振器及びその製造方法
US7554422B2 (en) 2004-09-10 2009-06-30 Panasonic Corporation Filter module using piezoelectric resonators, duplexer, communication device, and method for fabricating filter module
JP4513169B2 (ja) * 2000-05-17 2010-07-28 株式会社村田製作所 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法
WO2011086986A1 (ja) * 2010-01-14 2011-07-21 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、フィルタ、通信モジュール、通信装置
JP2011160232A (ja) * 2010-02-01 2011-08-18 Ube Industries Ltd 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ
US8941450B2 (en) 2009-09-28 2015-01-27 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device having a frequency control film

Families Citing this family (150)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3244386B2 (ja) * 1994-08-23 2002-01-07 松下電器産業株式会社 弾性表面波装置
EP0810676B1 (en) * 1996-05-27 2002-08-28 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric film-type element
US5873154A (en) * 1996-10-17 1999-02-23 Nokia Mobile Phones Limited Method for fabricating a resonator having an acoustic mirror
JP2002509644A (ja) * 1996-10-17 2002-03-26 ノキア モービル フォーンズ リミティド ガラス基板上に薄膜バルク音波共振器（ｆｂａｒ）を作る方法
US6136390A (en) * 1996-12-11 2000-10-24 Daewoo Electronics Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film actuatable mirror array having an enhanced structural integrity
US5872493A (en) * 1997-03-13 1999-02-16 Nokia Mobile Phones, Ltd. Bulk acoustic wave (BAW) filter having a top portion that includes a protective acoustic mirror
US6963155B1 (en) * 1997-04-24 2005-11-08 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Film acoustic wave device, manufacturing method and circuit device
US5910756A (en) * 1997-05-21 1999-06-08 Nokia Mobile Phones Limited Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators
US6081171A (en) * 1998-04-08 2000-06-27 Nokia Mobile Phones Limited Monolithic filters utilizing thin film bulk acoustic wave devices and minimum passive components for controlling the shape and width of a passband response
WO1999059244A2 (de) * 1998-05-08 1999-11-18 Infineon Technologies Ag Dünnfilm-piezoresonator
US5942958A (en) * 1998-07-27 1999-08-24 Tfr Technologies, Inc. Symmetrical piezoelectric resonator filter
FI113211B (fi) * 1998-12-30 2004-03-15 Nokia Corp Balansoitu suodatinrakenne ja matkaviestinlaite
US6351057B1 (en) * 1999-01-25 2002-02-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd Microactuator and method for fabricating the same
US6246158B1 (en) * 1999-06-24 2001-06-12 Sensant Corporation Microfabricated transducers formed over other circuit components on an integrated circuit chip and methods for making the same
US6629341B2 (en) 1999-10-29 2003-10-07 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Method of fabricating a piezoelectric composite apparatus
US6307447B1 (en) 1999-11-01 2001-10-23 Agere Systems Guardian Corp. Tuning mechanical resonators for electrical filter
US6339276B1 (en) * 1999-11-01 2002-01-15 Agere Systems Guardian Corp. Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion
US6746577B1 (en) 1999-12-16 2004-06-08 Agere Systems, Inc. Method and apparatus for thickness control and reproducibility of dielectric film deposition
US6524971B1 (en) 1999-12-17 2003-02-25 Agere Systems, Inc. Method of deposition of films
US7296329B1 (en) * 2000-02-04 2007-11-20 Agere Systems Inc. Method of isolation for acoustic resonator device
US6377136B1 (en) * 2000-02-04 2002-04-23 Agere Systems Guardian Corporation Thin film resonator filter having at least one component with different resonant frequency sets or electrode capacitance
US6306313B1 (en) 2000-02-04 2001-10-23 Agere Systems Guardian Corp. Selective etching of thin films
US6437667B1 (en) * 2000-02-04 2002-08-20 Agere Systems Guardian Corp. Method of tuning thin film resonator filters by removing or adding piezoelectric material
US6323744B1 (en) 2000-02-04 2001-11-27 Agere Systems Guardian Corp. Grounding of TFR ladder filters
EP1177623B1 (en) * 2000-02-22 2009-08-05 Nxp B.V. Method of manufacturing a piezoeletric filter with an acoustic resonator situated on an acoustic reflector layer formed on a carrier substrate
US6603241B1 (en) 2000-05-23 2003-08-05 Agere Systems, Inc. Acoustic mirror materials for acoustic devices
GB0012439D0 (en) * 2000-05-24 2000-07-12 Univ Cranfield Improvements to filters
US6355498B1 (en) 2000-08-11 2002-03-12 Agere Systems Guartian Corp. Thin film resonators fabricated on membranes created by front side releasing
US6377137B1 (en) * 2000-09-11 2002-04-23 Agilent Technologies, Inc. Acoustic resonator filter with reduced electromagnetic influence due to die substrate thickness
JP3465675B2 (ja) * 2000-09-11 2003-11-10 日本碍子株式会社 圧電／電歪膜型素子
US7050778B1 (en) * 2000-09-18 2006-05-23 Broadcom Corporation Direct conversion turner
US6486751B1 (en) 2000-09-26 2002-11-26 Agere Systems Inc. Increased bandwidth thin film resonator having a columnar structure
US6674291B1 (en) 2000-10-30 2004-01-06 Agere Systems Guardian Corp. Method and apparatus for determining and/or improving high power reliability in thin film resonator devices, and a thin film resonator device resultant therefrom
US6587212B1 (en) 2000-10-31 2003-07-01 Agere Systems Inc. Method and apparatus for studying vibrational modes of an electro-acoustic device
US6743731B1 (en) * 2000-11-17 2004-06-01 Agere Systems Inc. Method for making a radio frequency component and component produced thereby
KR100398363B1 (ko) * 2000-12-05 2003-09-19 삼성전기주식회사 Ｆｂａｒ 소자 및 그 제조방법
US6424237B1 (en) * 2000-12-21 2002-07-23 Agilent Technologies, Inc. Bulk acoustic resonator perimeter reflection system
US6518860B2 (en) * 2001-01-05 2003-02-11 Nokia Mobile Phones Ltd BAW filters having different center frequencies on a single substrate and a method for providing same
US6407649B1 (en) * 2001-01-05 2002-06-18 Nokia Corporation Monolithic FBAR duplexer and method of making the same
US6424238B1 (en) 2001-01-08 2002-07-23 Motorola, Inc. Acoustic wave filter and method of forming the same
US7435613B2 (en) 2001-02-12 2008-10-14 Agere Systems Inc. Methods of fabricating a membrane with improved mechanical integrity
US6469597B2 (en) * 2001-03-05 2002-10-22 Agilent Technologies, Inc. Method of mass loading of thin film bulk acoustic resonators (FBAR) for creating resonators of different frequencies and apparatus embodying the method
US6566979B2 (en) * 2001-03-05 2003-05-20 Agilent Technologies, Inc. Method of providing differential frequency adjusts in a thin film bulk acoustic resonator (FBAR) filter and apparatus embodying the method
DE60115504T2 (de) * 2001-03-23 2006-08-31 Infineon Technologies Ag Filtereinrichtung
TW506128B (en) * 2001-06-15 2002-10-11 Asia Pacific Microsystems Inc Manufacturing method of high-quality thin film type bulk acoustic wave device
JP3984441B2 (ja) * 2001-07-26 2007-10-03 松下電器産業株式会社 圧電薄膜振動子及びフィルタ
WO2003023874A1 (fr) * 2001-09-11 2003-03-20 Ngk Insulators, Ltd. Procede de fabrication d'un dispositif piezo-electrique/electrostrictif
US7194247B2 (en) 2001-09-26 2007-03-20 Nokia Corporation Dual-channel passband filtering system using acoustic resonators in lattice topology
EP1440539A4 (en) * 2001-09-27 2009-08-26 Broadcom Corp STRONG INTEGRATED MEDIA ACCESS CONTROL
JP4904656B2 (ja) * 2001-09-27 2012-03-28 パナソニック株式会社 薄膜圧電体素子およびその製造方法
JP3846271B2 (ja) * 2001-11-05 2006-11-15 松下電器産業株式会社 薄膜圧電体素子およびその製造方法
DE10155927A1 (de) * 2001-11-14 2003-06-05 Infineon Technologies Ag Passivierter BAW-Resonator und BAW-Filter
US6906451B2 (en) * 2002-01-08 2005-06-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric resonator, piezoelectric filter, duplexer, communication apparatus, and method for manufacturing piezoelectric resonator
US6670866B2 (en) * 2002-01-09 2003-12-30 Nokia Corporation Bulk acoustic wave resonator with two piezoelectric layers as balun in filters and duplexers
AU2003230088A1 (en) * 2002-05-20 2003-12-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Filter structure
JP2004072715A (ja) * 2002-06-11 2004-03-04 Murata Mfg Co Ltd 圧電薄膜共振子、圧電フィルタ、およびそれを有する電子部品
US7276994B2 (en) * 2002-05-23 2007-10-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric thin-film resonator, piezoelectric filter, and electronic component including the piezoelectric filter
US6816035B2 (en) * 2002-08-08 2004-11-09 Intel Corporation Forming film bulk acoustic resonator filters
US20040027030A1 (en) * 2002-08-08 2004-02-12 Li-Peng Wang Manufacturing film bulk acoustic resonator filters
US6741147B2 (en) * 2002-09-30 2004-05-25 Agere Systems Inc. Method and apparatus for adjusting the resonant frequency of a thin film resonator
US7034387B2 (en) * 2003-04-04 2006-04-25 Chippac, Inc. Semiconductor multipackage module including processor and memory package assemblies
DE10305379A1 (de) * 2003-02-10 2004-08-19 Epcos Ag Frontendschaltung
US7275292B2 (en) * 2003-03-07 2007-10-02 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate
US20040189424A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Hula David W. FBAR mass loading process using selective dry etching
DE10317969B4 (de) * 2003-04-17 2005-06-16 Epcos Ag Duplexer mit erweiterter Funktionalität
EP1469599B1 (en) * 2003-04-18 2010-11-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Air gap type FBAR, duplexer using the FBAR, and fabricating methods thereof
KR100599083B1 (ko) * 2003-04-22 2006-07-12 삼성전자주식회사 캔틸레버 형태의 압전 박막 공진 소자 및 그 제조방법
DE10319554B4 (de) * 2003-04-30 2018-05-09 Snaptrack, Inc. Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit gekoppelten Resonatoren
US20040230997A1 (en) * 2003-05-13 2004-11-18 Broadcom Corporation Single-chip cable set-top box
US7336939B2 (en) * 2003-05-21 2008-02-26 Broadcom Corporation Integrated tracking filters for direct conversion and low-IF single conversion broadband filters
EP1489740A3 (en) * 2003-06-18 2006-06-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component and method for manufacturing the same
US7702306B2 (en) * 2003-08-28 2010-04-20 Broadcom Corporation Apparatus and method for local oscillator calibration in mixer circuits
KR100555762B1 (ko) * 2003-10-07 2006-03-03 삼성전자주식회사 에어갭형 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법, 이를이용한 필터 및 듀플렉서
US7391285B2 (en) 2003-10-30 2008-06-24 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Film acoustically-coupled transformer
US6946928B2 (en) 2003-10-30 2005-09-20 Agilent Technologies, Inc. Thin-film acoustically-coupled transformer
US7019605B2 (en) 2003-10-30 2006-03-28 Larson Iii John D Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth
EP1528677B1 (en) * 2003-10-30 2006-05-10 Agilent Technologies, Inc. Film acoustically-coupled transformer with two reverse c-axis piezoelectric elements
US7358831B2 (en) 2003-10-30 2008-04-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with simplified packaging
US7227433B2 (en) * 2004-03-31 2007-06-05 Intel Corporation Electro mechanical device having a sealed cavity
US7894790B2 (en) * 2004-04-02 2011-02-22 Broadcom Corporation Dual conversion receiver with reduced harmonic interference
JP4586404B2 (ja) * 2004-04-28 2010-11-24 ソニー株式会社 フィルタ装置及び送受信機
JP4280198B2 (ja) * 2004-04-30 2009-06-17 株式会社東芝 薄膜圧電共振器
US8732788B2 (en) * 2004-05-21 2014-05-20 Broadcom Corporation Integrated set-top box
US8578434B2 (en) * 2004-05-21 2013-11-05 Broadcom Corporation Integrated cable modem
US7161448B2 (en) * 2004-06-14 2007-01-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancements using recessed region
US20060006965A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. RF filter and method for fabricating the same
US7615833B2 (en) 2004-07-13 2009-11-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator package and method of fabricating same
US8239914B2 (en) * 2004-07-22 2012-08-07 Broadcom Corporation Highly integrated single chip set-top box
US7388454B2 (en) 2004-10-01 2008-06-17 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure
US7187255B2 (en) * 2004-10-26 2007-03-06 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Arrangement of lattice filter
US8981876B2 (en) 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
US7202560B2 (en) 2004-12-15 2007-04-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry
US7791434B2 (en) 2004-12-22 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric
US7427819B2 (en) 2005-03-04 2008-09-23 Avago Wireless Ip Pte Ltd Film-bulk acoustic wave resonator with motion plate and method
US7369013B2 (en) 2005-04-06 2008-05-06 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region
US7436269B2 (en) 2005-04-18 2008-10-14 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically coupled resonators and method of making the same
US7934884B2 (en) * 2005-04-27 2011-05-03 Lockhart Industries, Inc. Ring binder cover
US7737612B1 (en) * 2005-05-25 2010-06-15 Maxim Integrated Products, Inc. BAW resonator bi-layer top electrode with zero etch undercut
JP2006339873A (ja) 2005-05-31 2006-12-14 Toshiba Corp 薄膜圧電共振器、フィルタ及び電圧制御発振器
US7868522B2 (en) 2005-09-09 2011-01-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjusted frequency temperature coefficient resonator
US7391286B2 (en) 2005-10-06 2008-06-24 Avago Wireless Ip Pte Ltd Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters
US7423503B2 (en) 2005-10-18 2008-09-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer
US7525398B2 (en) 2005-10-18 2009-04-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically communicating data signals across an electrical isolation barrier
US7425787B2 (en) 2005-10-18 2008-09-16 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single insulated decoupled stacked bulk acoustic resonator with acoustically-resonant electrical insulator
US7737807B2 (en) 2005-10-18 2010-06-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators
US7675390B2 (en) 2005-10-18 2010-03-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator
US7463499B2 (en) 2005-10-31 2008-12-09 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. AC-DC power converter
US7561009B2 (en) 2005-11-30 2009-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation
US7612636B2 (en) 2006-01-30 2009-11-03 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Impedance transforming bulk acoustic wave baluns
US7746677B2 (en) 2006-03-09 2010-06-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. AC-DC converter circuit and power supply
US7479685B2 (en) 2006-03-10 2009-01-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path
DE102006023165B4 (de) * 2006-05-17 2008-02-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines akustischen Spiegels aus alternierend angeordneten Schichten hoher und niedriger akustischer Impedanz
US7600303B1 (en) 2006-05-25 2009-10-13 Maxim Integrated Products, Inc. BAW resonator bi-layer top electrode with zero etch undercut
US7629865B2 (en) 2006-05-31 2009-12-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters
US20070294738A1 (en) * 2006-06-16 2007-12-20 Broadcom Corporation Single chip cable set-top box supporting DOCSIS set-top Gateway (DSG) protocol and high definition advanced video codec (HD AVC) decode
KR101238360B1 (ko) * 2006-08-16 2013-03-04 삼성전자주식회사 공진기 및 그 제조 방법
US7508286B2 (en) 2006-09-28 2009-03-24 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. HBAR oscillator and method of manufacture
US7612488B1 (en) 2007-01-16 2009-11-03 Maxim Integrated Products, Inc. Method to control BAW resonator top electrode edge during patterning
US7791435B2 (en) 2007-09-28 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single stack coupled resonators having differential output
US7732977B2 (en) 2008-04-30 2010-06-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers
US7855618B2 (en) 2008-04-30 2010-12-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers
US8448494B2 (en) * 2008-12-30 2013-05-28 Stmicroelectronics S.R.L. Integrated electronic microbalance plus chemical sensor
US8291559B2 (en) * 2009-02-24 2012-10-23 Epcos Ag Process for adapting resonance frequency of a BAW resonator
US20100306814A1 (en) * 2009-05-26 2010-12-02 Broadcom Corporation Integrated Set-Top Box with Daisy-Chaining
US8902023B2 (en) 2009-06-24 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
US8248185B2 (en) 2009-06-24 2012-08-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure comprising a bridge
EP2299593A1 (en) 2009-09-18 2011-03-23 Nxp B.V. Laterally coupled bulk acoustic wave device
US8193877B2 (en) 2009-11-30 2012-06-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer with negative phase shifting circuit
US9243316B2 (en) 2010-01-22 2016-01-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation
US8796904B2 (en) 2011-10-31 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer
US8499613B2 (en) * 2010-01-29 2013-08-06 Stmicroelectronics S.R.L. Integrated chemical sensor for detecting odorous matters
US9180451B2 (en) 2010-06-28 2015-11-10 Stmicroelectronics S.R.L. Fluidic cartridge for detecting chemicals in samples, in particular for performing biochemical analyses
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US9203374B2 (en) 2011-02-28 2015-12-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator comprising a bridge
US9425764B2 (en) 2012-10-25 2016-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9154112B2 (en) 2011-02-28 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US9136818B2 (en) 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US8575820B2 (en) 2011-03-29 2013-11-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator
US9444426B2 (en) 2012-10-25 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature
US8350445B1 (en) 2011-06-16 2013-01-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge
US8922302B2 (en) 2011-08-24 2014-12-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator formed on a pedestal
KR101959204B1 (ko) * 2013-01-09 2019-07-04 삼성전자주식회사 무선 주파수 필터 및 무선 주파수 필터의 제조방법
EP2833547A1 (en) * 2013-08-01 2015-02-04 Nxp B.V. An Amplification Circuit
US9741922B2 (en) 2013-12-16 2017-08-22 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Self-latching piezocomposite actuator
US10490728B2 (en) * 2016-04-15 2019-11-26 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Fabrication methods for a piezoelectric micro-electromechanical system (MEMS)
KR20170141386A (ko) 2016-06-15 2017-12-26 삼성전기주식회사 탄성파 필터 장치
US10833646B2 (en) 2016-10-12 2020-11-10 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk-acoustic wave resonator and method for manufacturing the same

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60126907A (ja) * 1983-12-12 1985-07-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 単一応答複合圧電振動素子
JPS61127216A (ja) * 1984-11-26 1986-06-14 Toshiba Corp 圧電薄膜共振子
JPS61218215A (ja) * 1985-03-25 1986-09-27 Toshiba Corp 圧電薄膜共振子
JPS62266906A (ja) * 1986-05-15 1987-11-19 Toshiba Corp 圧電薄膜共振子
JPS6382116A (ja) * 1986-09-26 1988-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電薄膜共振子およびその製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1106960A (en) * 1976-02-17 1981-08-11 Virgil E. Bottom Method of adjusting the frequency of a crystal resonator
DE2641571B1 (de) * 1976-09-15 1977-06-08 Siemens Ag Als obertonquarz verwendeter dickenscherungsschwinger
JPS58137317A (ja) * 1982-02-09 1983-08-15 Nec Corp 圧電薄膜複合振動子
JPS6072277A (ja) * 1983-09-28 1985-04-24 Shin Meiwa Ind Co Ltd 感圧素子および感圧センサ
JPS60189307A (ja) * 1984-03-09 1985-09-26 Toshiba Corp 圧電薄膜共振器およびその製造方法
US4547748A (en) * 1984-08-13 1985-10-15 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Frequency synthesizer using a matrix of selectable piezoelectric resonators
JPS6175614A (ja) * 1984-09-21 1986-04-18 Nec Corp 薄膜圧電振動子の製造方法
US4634917A (en) * 1984-12-26 1987-01-06 Battelle Memorial Institute Active multi-layer piezoelectric tactile sensor apparatus and method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60126907A (ja) * 1983-12-12 1985-07-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 単一応答複合圧電振動素子
JPS61127216A (ja) * 1984-11-26 1986-06-14 Toshiba Corp 圧電薄膜共振子
JPS61218215A (ja) * 1985-03-25 1986-09-27 Toshiba Corp 圧電薄膜共振子
JPS62266906A (ja) * 1986-05-15 1987-11-19 Toshiba Corp 圧電薄膜共振子
JPS6382116A (ja) * 1986-09-26 1988-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電薄膜共振子およびその製造方法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003530750A (ja) * 2000-04-06 2003-10-14 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 共振器を有するチューニング可能なフィルタ構成
JP4513169B2 (ja) * 2000-05-17 2010-07-28 株式会社村田製作所 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法
JP2007267405A (ja) * 2000-11-24 2007-10-11 Nokia Corp 圧電共振子を含むフィルタ構造および構成
JP2002335141A (ja) * 2001-03-05 2002-11-22 Agilent Technol Inc 共振器の製造方法
JP2002299979A (ja) * 2001-03-05 2002-10-11 Agilent Technol Inc 共振器の製造方法
WO2004038914A1 (ja) * 2002-10-28 2004-05-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 圧電振動子、それを用いたフィルタ及び圧電振動子の調整方法
US7414349B2 (en) 2002-10-28 2008-08-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Piezoelectric vibrator, filter using the same and its adjusting method
US6989723B2 (en) 2002-12-11 2006-01-24 Tdk Corporation Piezoelectric resonant filter and duplexer
US7239067B2 (en) 2003-03-31 2007-07-03 Tdk Corporation Method of manufacturing a piezoelectric thin film resonator, manufacturing apparatus for a piezoelectric thin film resonator, piezoelectric thin film resonator, and electronic component
US7124485B2 (en) 2003-04-11 2006-10-24 Tdk Corporation Method of manufacturing a piezoelectric thin film resonator
JP2007535279A (ja) * 2004-05-07 2007-11-29 インテル・コーポレーション 集積化された多周波数帯圧電薄膜共振器（ｆｂａｒ）の形成
JP2008506302A (ja) * 2004-07-06 2008-02-28 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン（パブル） チューナブル共振器
US7554422B2 (en) 2004-09-10 2009-06-30 Panasonic Corporation Filter module using piezoelectric resonators, duplexer, communication device, and method for fabricating filter module
JP2006109472A (ja) * 2004-10-01 2006-04-20 Agilent Technol Inc 周縁に質量負荷を施した圧電薄膜共振器
WO2006080226A1 (ja) * 2005-01-28 2006-08-03 Sony Corporation マイクロマシンの製造方法およびマイクロマシン
JP2007208727A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Fujitsu Media Device Kk 圧電薄膜共振器、フィルタおよびその製造方法
JP4707574B2 (ja) * 2006-02-02 2011-06-22 太陽誘電株式会社 圧電薄膜共振器、フィルタおよびその製造方法
JP2008178126A (ja) * 2008-01-21 2008-07-31 Ube Ind Ltd 薄膜音響共振器及びその製造方法
US8941450B2 (en) 2009-09-28 2015-01-27 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device having a frequency control film
WO2011086986A1 (ja) * 2010-01-14 2011-07-21 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、フィルタ、通信モジュール、通信装置
JP5750052B2 (ja) * 2010-01-14 2015-07-15 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、フィルタ、通信モジュール、通信装置
JP2011160232A (ja) * 2010-02-01 2011-08-18 Ube Industries Ltd 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ

Also Published As

Publication number Publication date
JP3953554B2 (ja) 2007-08-08
KR970013676A (ko) 1997-03-29
CN1103138C (zh) 2003-03-12
US5692279A (en) 1997-12-02
KR100402504B1 (ko) 2004-04-13
CN1148291A (zh) 1997-04-23

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