JPH0964683A - モノリシック薄膜共振器格子フィルタおよびその製造方法 - Google Patents
モノリシック薄膜共振器格子フィルタおよびその製造方法Info
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Abstract
高い薄膜圧電共振器格子フィルタおよびその形成方法を
提供する。 【構成】 モノリシック薄膜共振器格子フィルタ(3
0)は、基板(10)上に配置され、第1のI/O端子
集合を規定する導電性膜(22)の離間ストリップ(4
2,43)と、導電性膜(22)上に配置された圧電物
質層(25)と、第1ストリップ(42,43)に直交
するように圧電層(25)上に配置され、各々薄膜共振
器(35〜38)と第2のI/O端子集合とを規定する
交差領域を形成する、導電性物質(24)の離間導電性
ストリップ(40,41)とを含む。複数の誘電体膜
(27)の部分が、選択された交差領域上に配置され、
薄膜共振器(36,37)に質量負荷をかけることによ
り、共振周波数を低下させる。
Description
器に関し、更に特定すれば、モノリシック格子フィルタ
における薄膜共振器およびその製造方法に関するもので
ある。
特に結晶基板上の面実装の弾性波(SAW:surface acousti
c wave) フィルタは、今日携帯用無線機の分野におい
て、RFフィルタ等に幅広く用いられている。この圧電
フィルタは、1つ以上の圧電共振器で形成され、小型軽
量に作ることができるので、特に小型の携帯用通信装置
には有用である。
個別の結晶共振器が格子形状でフィルタとして用いられ
る。しかしながら、これら個別共振器は比較的大きく、
しかも製造が高価なものとなる。また、個別共振器は、
製造の間手間のかかる周波数整合を必要とし、しかも1
ないし3GHzまたはそれ以上の高い周波数に延長する
ことができない。
がなされたが、圧電共振器は非常に敏感であり、ある種
の比較的堅牢な基板上に形成しなければならない。しか
しながら、圧電共振器が適正に動作するためには、基板
から分離されていなければならない。さもないと、基板
が共振、即ち、振動を減衰させてしまう。
器を形成し、次いで背面側から基板をほぼ貫通する空胴
をエッチングで形成することによって、分離(decouplin
g)を達成したものがある。基板は比較的厚いこともあり
得るので、このプロセスは大量の非常に困難なエッチン
グを必要とし、しかも圧電素子が損傷を受ける前にこの
エッチング・プロセスを確実に停止させるために細心の
注意が必要となる。また、基板をエッチングする角度
(約50°)のために、必要とされる基板の量および共
振器の最終的なサイズが大幅に増加する。
成し、次に犠牲層上に支持層を形成することによって、
分離を達成したものもある。次に、支持層上に圧電素子
を形成し、犠牲層をエッチングで除去する。こうする
と、支持層が空隙上に架橋状に延在するので、圧電素子
が基板から分離される。この圧電素子の製造方法に伴う
問題は、除去しなければならない物質の水平方向寸法
(大きなアンダーカット)、即ち、物質の範囲が広いた
めに、犠牲層のエッチングが困難なことである。
ed filter)および梯子フィルタ(ladder filter) の形状
で製造される。しかしながら、積層フィルタは少なくと
も2層の圧電膜を堆積し、それらを金属層の間に狭持さ
せなければならないため、製造の複雑性が増大し、ひい
てはフィルタのコストが大幅に上昇する。同様に、梯子
フィルタも比較的挿入損失が大きく、比較的大型で費用
もかかる。
安価な圧電共振器であって、圧電共振器フィルタを形成
することができる便利な圧電共振器を製造するための新
たな方法を考案できれば有益であろう。
電共振器格子フィルタの製造方法を提供することであ
る。
に簡単かつ安価な、密閉空胴上に薄膜圧電共振器格子フ
ィルタを形成する、新規で改良された方法を提供するこ
とである。
頼性を向上させた、新規で改良された薄膜圧電共振器格
子フィルタを提供することである。
合よく用いることができる平衡回路における、新規で改
良された薄膜圧電共振器格子フィルタを提供することで
ある。
フィルタよりも小型で製造が容易であり、しかも従来技
術のフィルタよりも安価で信頼性の高い、新規で改良さ
れた薄膜圧電共振器格子フィルタを提供することであ
る。
フィルタにいくらか相似した2つの共振器を含み、差動
増幅器との組み合わせによって、全帯域格子フィルタと
同様の性能を有し、挿入損失の代わりに利得を与える、
最も簡単な既知の薄膜共振器フィルタが得られる、新規
で改良された薄膜圧電共振器格子フィルタを提供するこ
とである。
の問題の少なくとも部分的な解決、ならびに上述の目的
およびその他の目的の実現は、モノリシック薄膜共振格
子フィルタによって達成される。このフィルタは、第1
のI/O端子集合を規定するように基板上に配置された
第1導電膜の離間ストリップと、第1導電膜上に配置さ
れた圧電物質層と、圧電層上に第1ストリップに対して
直交するように位置付けられ、各々薄膜共振器と第2の
I/O端子集合とを規定するクロスオーバー領域を形成
する第2導電膜の離間導電性ストリップとを含む。複数
の誘電体膜の部分が、選択されたクロスオーバー領域上
に配置され、薄膜共振器に質量負荷(mass load) をかけ
ることによって共振周波数を低下させる。
けられ、標準的な半導体製造プロセスで形成されるの
で、これらは互いに類似しており、したがって、格子フ
ィルタ構造として用いる場合、良好な相殺(cancellatio
n)が認められる。薄膜共振器は非常に類似しているの
で、誘電体膜による質量荷重は、単一工程で、ウエハ上
の選択された薄膜共振器全てに対して、容易に行うこと
ができる。
明の実施例を説明する。図1ないし図4は、密閉空胴を
有する薄膜圧電共振器を製造する具体的なプロセスにお
けるいくつかの工程を示す、簡略超拡大断面図である。
用いられる薄膜材料によっては、絶縁、保護膜、封入等
の付加的な層が必要な場合もあるが、かかる層および膜
は全て、簡略化のためおよび本発明をよりよく理解する
ために、以降省略することとした。ここに示す具体的な
構造および製造方法は、例示の目的のために過ぎず、基
板のエッチング、犠牲層、反射インピーダンス整合層等
を含む本発明による他の格子フィルタ製造方法も考案可
能であり、更に、本発明はこれらにも限定される訳では
ない。基板上に薄膜共振器を製造する方法は、"Thin Fi
lm Resonator Having Stacked Acoustic Reflecting Im
pedance Matching Layers and Method" と題する、19
94年12月13日に発行された、米国特許第5,37
3,268号に開示されている。この特許の内容は本願
でも使用可能である。
の製造方法を利用するものとする。具体的に図1を参照
すると、平面状の上面11を有する第1基板10が示さ
れている。基板10は、例えば、既知の半導体物質のい
ずれかのような、容易に加工可能ないずれかの好都合な
物質とすることができる。本具体例では、基板10は、
通常半導体製品の製造に用いられている、シリコン・ウ
エハである。
0の上平面11に空胴12を形成する。図面描かれてい
るのは基板10を含むウエハの一部と1つの空胴12の
みであるが、基板10は複数の空胴12を含むこともあ
り、これらは全て同時に形成されることは理解されよ
う。本好適実施例では、当技術では既知の態様で、マス
ク、フォトレジスト等を用いて上平面11にパターニン
グを行い、基板10をエッチングすることによって、空
胴12を形成する。
用意し、全体的に誘電体物質の層15を、この第2基板
14の平面上に配置し、基板14と層15との接合部
に、平面16を形成する。図面に描かれているのは基板
14を含むウエハの一部のみであるが、基板14の表面
全体が層15によって覆われていてもよく、あるいは基
板上の1つまたは複数の空胴12を覆う位置でのみ、層
15をパターニングしてもよいことは理解されよう。層
15は、第1基板10の平面11に接合可能な平面16
から区別される物質で形成される。また、層15の物質
は、層15から選択的にエッチング可能な第2基板14
からも区別される。本好適実施例では、例えば、基板1
4はシリコン・ウエハであり(基板10に関連して述べ
たように)、層15は、既知の酸化技法のいずれかのよ
って基板14の平面上に成長させた酸化物層(SiO2)であ
る。 具体的に図2を参照すると、少なくとも空胴12
を覆うように、層15の表面が基板10の平面11に接
合されている。この目的のためには、接着剤またはその
他の化学物質、ウエハ・ボンディング等のような、いか
なるボンディング技法も使用可能であることは理解され
よう。本好適実施例では、標準的なウエハ・ボンディン
グ技法を用いた。即ち、突き合される面同士を艶出し研
磨(polish)して平面性を保証し、これらの面を単に接合
し(並置状態とする)、加熱して堅固な化学的接合を与
える。
しによって、基板14を都合のよい厚さまで加工し、標
準的な半導体エッチング技法を用いて、基板14の残り
の部分を、エッチングによって除去する。加工および/
またはエッチングの量は、元の厚さおよび利用する物質
の共振周波数によって異なることは理解されよう。本好
適実施例では、そして処理を簡略化するために、図3に
示すように、ウエハ全体(基板14)を、加工およびエ
ッチングによって除去して、表面16を露出させる。エ
ッチング・プロセスの間、二酸化シリコン層15が自然
のエッチ・ストップを形成し、物質が過剰に除去されな
いことを保証する。
して上に位置する関係で、層15の平面16上に、薄膜
共振器構造20を形成する。共振器構造20は、空胴1
2に対して上に位置する関係で層15の表面16上に配
置された第1電極22と、第1電極22を覆う第2電極
24と、これらの間に狭持された圧電膜25とを含む。
共振器の製造技術では既知の態様で、表面16上に第1
電極22を形成し、電極22上に圧電膜25を堆積し、
圧電膜25の表面上に第2電極24を堆積する。電極2
2,24の形成には、例えば、好都合な金属の真空蒸
着、無電解めっき(electroless deposition)等のよう
な、既知の技法のいずれかが利用可能であることは理解
されよう。
振器が単一ウエハ上に作成され、各共振器は比較的小さ
く(各辺が数百ミクロン程度)、しかも複数の共振器が
互いに接近して形成されるので、各共振器は各隣接する
共振器に非常に類似していることである。上述の作成技
法を利用して、必要な数の圧電共振器を単一基板または
ウエハ上に作成し、電気的に接続して所望の圧電フィル
タ構成を形成する。本実施例では、電気的接続部は、電
極22,24がウエハ上にパターニングされる際に同時
に、ウエハ上にパターニングされる。
に、層15の厚さは、圧電共振器の厚さの半分に規定す
る。好適実施例では、シリコン基板14上に成長させた
酸化物層15の厚さは、非常に正確に制御することがで
きる。更に、層15は基板14の除去の間、自然なエッ
チ・ストップを形成するので、層15の厚さは製造プロ
セスの残りの間に大幅に変化することはない。また、好
適実施例では、空胴12をエッチングで形成し、層16
を所望の厚さに成長させて基板10に接合するので、完
成した圧電共振器は従来技術の共振器よりもかなり小さ
く製造可能であり、(全体で、1つの特定のフィルタの
ための)複数の共振器を互いに非常に接近して形成する
ことができる。空胴12は各共振器毎に形成することが
でき、また所望であれば、特定のフィルタにおける共振
器全てを単一の空胴上に取り付けることも可能であるこ
とを注記しておく。
24が完成した後、電極24の上面上に物質膜27を被
着することによって、共振周波数を変更することができ
る。膜27は、窒化シリコン(Si3N4) 、酸化シリコンの
ようないずれかの好都合な誘電体物質、または添加金属
(additional metal)のようなより重い物質とすることが
できる。好適実施例では、膜27は窒化シリコンであ
り、プラズマ・エンハンス化学蒸着によって被着させ
る。動作の間、膜27は共振器構造20に質量負荷(mas
s load) をかけ、全体的に共振周波数を低下させる。当
技術では既知のように、共振周波数は、共振器にかかる
質量の平方根を共振器の剛性定数で割ったものに直接関
係する。したがって、層27の厚さは、共振周波数に所
望の変化を与えるように選択する。
ック薄膜共振器格子フィルタ30の上面図が示されてい
る。フィルタ30は、2x2の共振器アレイ35,3
6,37,38と、端子40,41,42,43とを含
む。共振器35〜38の各々は、第1導電膜が基板10
上に配置されており、1対の離間された導電性ストリッ
プによって分離され、第1のI/O端子集合40,41
を規定することを除いて、上述と同様に構成されてい
る。
領域は、導電性ストリップ上に規定され、水晶の素材板
(blank) または薄膜ピエゾイド(thin film piezoid)
を、この領域全体に被覆する。しかしながら、所望であ
れば、個々の圧電層を各共振器上に配することも可能で
あることは理解されよう。とはいえ、単一の素材板また
は層を使用すれば、4個の共振器35〜38全ての均一
性を高め、しかも互いに類似して作れるので、格子フィ
ルタ構成に用いる場合、良好な相殺が認められる。
離間された導電性ストリップに分離して、第2のI/O
端子集合42,43を規定する。第2の離間導電性スト
リップ対は、概略的に第1の導電性ストリップ対に対し
て直交方向に向けられているので、第2の導電性ストリ
ップ対の各々は、第1の導電性ストリップ対の各々の一
部に覆い被さり、この覆い被さる領域は、既に共振器3
5〜38のための領域として規定された部分である。そ
の結果、図6に概略的に示すように、4個の共振器が格
子フィルタ状に接続される。
荷をかけて、周波数を所望量だけ変化させ、共振器3
5,38と共振器36,37との間に周波数のずれを生
じせしめる。勿論、所望であれば、共振器36,37の
代わりに、共振器35,38に質量負荷をかけてもよい
ことは理解されよう。狭帯域に対する容量性負荷の範囲
に応じて、共振器対間の周波数のずれは、一方の対の極
を他方の対のゼロに一致させる程度とすることができ
る。共振器35〜38は、互いに非常に接近して形成さ
れ、標準的な半導体製造プロセスによって作られるの
で、これらは互いに非常に類似しており、したがって、
格子フィルタ構成として用いられた場合、良好な相殺が
認められる。また、基板内の空胴上に共振器35〜38
を作成することにより、これらを非常に密接に詰め込む
ことが可能となるが、これは従来技術の背面基板による
プロセスを用いた場合では、実現は不可能であろう。
ィルタを内蔵した受信機フロント・エンド(receiver fr
ont-end)50の簡略ブロック図が示されている。フロン
ト・エンド50は、非平衡シングル・エンド・フィルタ
53を介して、バラン増幅器(balun amplifier) 55の
シングル・エンド入力に接続されている受信アンテナ5
2を含む。増幅器55のバラン出力は、図5の格子フィ
ルタ30と同様、平衡フィルタ56を介して、ミキサ5
7の平衡入力に接続されている。差動増幅器55および
ミキサ57のような差動回路は、相互変調成分を改善す
るので、歪みが少なく、本質的に共通モード相殺(commo
n mode cancellation)を備えている。
リシック薄膜共振器格子フィルタ60の上面図が示され
ている。フィルタ60は、共振器65,66の1x2ア
レイと、共通端子として動作する端子70,71,73
とを含む。共振器65,66の各々は、本実施例では、
共振器65のみが質量荷重を受けることを除いて、上述
と同様に構成されている。狭帯域に対する容量性負荷の
範囲に応じて、1対の共振器65,66間の周波数のず
れは、一方の共振器の極を他方の共振器のゼロに一致さ
せる程度とすることができる。共振器65,66は互い
に非常に接近して作成され、標準的な半導体製造プロセ
スで作られるので、これらは互いに非常に類似してお
り、したがって、格子フィルタ構成として用いられる場
合、良好な相殺が認められる。
8の格子フィルタ双方を内蔵した、別の受信機フロント
・エンド80の簡略ブロック図が示されている。フロン
ト・エンド80は、図8の格子フィルタ60と同様、半
格子フィルタ83を介して差動増幅器85の2つの入力
に接続されている受信アンテナ82を含む。増幅器85
の差動出力は、図5の格子フィルタ30と同様、平衡フ
ィルタ86を介して、ミキサ87の平衡入力に接続され
ている。半格子フィルタ83を用いて、フロント・エン
ド80の初期段階で信号を差動対に変換し、構造の改善
および簡略化を図る。
アレイ、および共振器を格子フィルタ、または、望まし
ければ、ホイートストーン・ブリッジ等のような他のタ
イプのフィルタに接続するための便利な方法を開示し
た。以前には、格子フィルタ構成として形成された薄膜
共振器はなく、積層型フィルタや梯子フィルタのみであ
った。格子フィルタは、フィルタの中でも最も多様性の
あるタイプであり、格子構成の共振器は本来静電容量が
相殺されるので、同一のプロセス能力および共振器設計
(圧電物質およびメタライゼーション・プロセス)の下
では、即ち、技術的効果尺度q/rが等しいならば、梯
子フィルタと比較してより広い帯域を有する。
り、例えば、差動増幅器やその他の差動回路と共に好都
合に使用することができる。かかる差動回路は、相互変
調成分を改善し、歪みが少なく、本質的に共通モード相
殺を備えている。更に、薄膜処理によって、高周波数に
おけるフィルタの動作が可能となり、その上、新規なレ
イアウトのために、例えば、クロスオーバーのない、格
子フィルタの簡単な処理および接続が可能となる。従来
技術では、このクロスオーバーのために、回路が非平面
となっていた。加えて、ウエハ・ボンディング技術を用
いてフィルタ回路を実現したことにより、共振器の単一
領域または複数の領域の寸法が縮小され、プロセスの生
産性が向上すると共に、コストも低く抑えることができ
る。最終的なフィルタ回路は、同一技術で実現された梯
子フィルタと比較した場合、帯域が広く、挿入損失が少
ないという利点がある。また、積層型共振器フィルタと
比較した場合、プロセスは大幅に簡単である。加えて、
本発明の新規なフィルタは、低電圧動作を差動増幅に採
用する傾向のある、モデム回路に容易に使用することが
できる。
明してきたが、更に別の変更や改良も当業者には想起さ
れよう。したがって、本発明はここに示した特定形態に
は限定されないものと理解されることを望み、特許請求
の範囲は、本発明の精神および範囲から逸脱しない全て
の変更を包含することを意図するものである。
面図。
面図。
面図。
面図。
ルタを示す上面図。
ロント・エンドの簡略ブロック図。
フィルタの上面図。
内蔵した受信機フロント・エンドの簡略ブロック図。
Claims (5)
- 【請求項1】薄膜共振器のモノリシック・アレイを製造
する方法であって:平面(11,16)を有する支持基
板(10)を用意する段階;前記支持基板(10)の平
面(11,16)上に第1導電性膜(22)を配置し、
該第1導電性膜(22)を複数の第1離間導電性ストリ
ップ(42,43)に分離して、第1のI/O端子集合
を規定する段階;前記第1導電性膜(22)上に圧電物
質層(25)を配置する段階;前記圧電物質層(25)
上に第2導電性膜(24)を配置し、該第2導電性膜
(24)を、複数の第1導電性ストリップ(42,4
3)に対してある角度をなして位置付けられた複数の第
2離間導電性ストリップ(40,41)に分離し、前記
複数の第2導電性ストリップ(40,41)の各々が、
前記第1導電性ストリップ(42,43)の各々の一部
に交差領域において上に位置し、かつ第2のI/O端子
集合を規定し、前記交差領域の各々が、ある共振周波数
を有する薄膜共振器(35〜38)を規定する段階;お
よび前記複数の交差領域(36,37)の各々の上に、
誘電体物質膜(27)の複数の部分を1つずつ配置し、
前記複数の交差部分によって規定された薄膜共振器(3
6,37)に質量負荷をかけ、質量負荷がかけられた前
記薄膜共振器の共振周波数を変更する段階;から成るこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項2】前記支持基板を用意する段階は、更に:平
面(11)を有する第1基板(10)を用意する段階;
前記第1基板(10)の平面(11)内に空胴(12)
を形成する段階;平面(16)を有する第2基板(1
4)を用意する段階;前記第2基板(14)の平面(1
6)上に物質層(15)を配置して、前記第2基板(1
4)の平面(16)と平行な前記物質層(15)の平面
を形成し、前記第1基板(10)の平面(11)に接合
可能であることによって前記物質層(15)を区別し、
更に、該物質層(15)から選択的にエッチング可能な
前記第2基板(14)によって前記物質層(15)を区
別する段階;前記物質層(15)の平面を、前記空胴
(12)に対して上に位置する関係で、前記第1基板
(10)の平面(11)に接合する段階;および前記物
質層(15)から前記第2基板(14)の部分をエッチ
ングして、前記空胴(12)を覆う領域内のエッチング
された平面を露出させる段階;を含むことを特徴とす
る、請求項1記載の薄膜共振器のモノリシック・アレイ
を製造する方法。 - 【請求項3】モノリシック薄膜共振器格子フィルタの製
造方法であって:平面を有する支持基板を用意する段
階;前記支持基板の平面上に第1導電性膜を配置し、該
第1導電性膜を第1の離間導電性ストリップ対に分離
し、第1のI/O端子集合を規定する段階;前記第1導
電性膜上に圧電物質層を配置する段階;前記圧電物質層
上に第2導電性膜を配置し、該第2導電性膜を、前記第
1の離間導電性ストリップ対に対して直交して位置付け
られた第2の離間導電性ストリップ対に分離し、前記第
2の導電性ストリップ対の各々は、前記第1の導電性ス
トリップ対の各々の一部に交差領域において上に位置
し、かつ第2のI/O端子集合を規定し、前記交差領域
の各々がある共振周波数を有する薄膜共振器を規定し、
該薄膜共振器を2x2アレイに配列する段階;および前
記交差領域の2箇所の上に、2部分の誘電体物質膜を1
つずつ配置し、前記2箇所の交差部分によって規定され
た2つの薄膜共振器に質量負荷をかけ、質量負荷がかけ
られた前記2つの薄膜共振器の共振周波数を変更し、前
記2つの薄膜共振器を前記2x2アレイの対角線に沿っ
て配置する段階;から成ることを特徴とする方法。 - 【請求項4】薄膜共振器のモノリシック・アレイであっ
て:平面(11,16)を有する支持基板(10);前
記支持基板(10)の平面(16)上に配置された第1
導電性膜(22)であって、第1の複数の離間導電性ス
トリップ(42,43)に分離されて、第1のI/O端
子集合を規定する前記第1導電性膜(22);前記第1
導電性膜(22)上に配置された圧電物質層(25);
前記圧電物質層(25)上に配置された第2導電性膜
(24)であって、 前記第2導電性膜(24)は、複数の第1導電性ストリ
ップ(42,43)に対してある角度をなして位置付け
られた複数の第2離間導電性ストリップ(40,41)
に分離され、前記複数の第2導電性ストリップ(40,
41)の各々は、前記第1導電性ストリップ(42,4
3)の各々の一部に交差領域において上に位置し、かつ
第2のI/O端子集合を規定し、前記交差領域の各々
は、ある共振周波数を有する薄膜共振器(35〜38)
を規定する、前記第2導電性膜(24);および各々、
前記複数の交差領域(36,37)の各々の上に配置さ
れた複数の誘電体物質膜(27)の部分であって、該部
分の各々は、前記複数の交差部分によって規定された薄
膜共振器(36,37)に質量負荷をかけ、質量負荷が
かけられた前記薄膜共振器の共振周波数を変更する、前
記複数の誘電体物質(27)部分;から成ることを特徴
とする薄膜共振器のモノリシック・アレイ。 - 【請求項5】モノリッシク薄膜共振器格子フィルタであ
って:平面を有する支持基板;前記支持基板の平面上に
配置された第1導電性膜であって、第1の離間導電性ス
トリップ対に分離されて、第1のI/O端子集合を規定
する前記第1導電性膜;前記第1導電性膜上に配置され
た圧電物質層;前記圧電物質層上に配置された第2導電
性膜であって、該第2導電性膜は、前記第1の離間導電
性ストリップ対に対して直交して配置された、第2の離
間導電性ストリップ対に分離され、前記第2の導電性ス
トリップ対の各々は、前記第1の導電性ストリップ対の
各々の一部に交差領域において上に位置し、かつ第2の
I/O端子集合を規定し、前記交差領域の各々が、ある
共振周波数を有する薄膜共振器を規定し、該薄膜共振器
を2x2アレイに配列する、前記第2導電性膜;および
前記交差領域の2箇所の上に、各1つが配置された2部
分の誘電体物質膜であって、前記2箇所の交差部分によ
って規定された2つの薄膜共振器に質量負荷をかけ、質
量負荷がかけられた前記2つの薄膜共振器の共振周波数
を変更し、前記2つの薄膜共振器が前記2x2アレイの
対角線に沿って配置される、前記誘電体物質膜;から成
ることを特徴とするモノリシック薄膜共振器格子フィル
タ。
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---|---|---|---|
US08/516,220 US5692279A (en) | 1995-08-17 | 1995-08-17 | Method of making a monolithic thin film resonator lattice filter |
US516220 | 1995-08-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0964683A true JPH0964683A (ja) | 1997-03-07 |
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Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21810896A Expired - Fee Related JP3953554B2 (ja) | 1995-08-17 | 1996-08-01 | モノリシック薄膜共振器格子フィルタおよびその製造方法 |
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---|---|
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CN (1) | CN1103138C (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299979A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-10-11 | Agilent Technol Inc | 共振器の製造方法 |
JP2002335141A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-11-22 | Agilent Technol Inc | 共振器の製造方法 |
JP2003530750A (ja) * | 2000-04-06 | 2003-10-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 共振器を有するチューニング可能なフィルタ構成 |
WO2004038914A1 (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 圧電振動子、それを用いたフィルタ及び圧電振動子の調整方法 |
US6989723B2 (en) | 2002-12-11 | 2006-01-24 | Tdk Corporation | Piezoelectric resonant filter and duplexer |
JP2006109472A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Agilent Technol Inc | 周縁に質量負荷を施した圧電薄膜共振器 |
WO2006080226A1 (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Sony Corporation | マイクロマシンの製造方法およびマイクロマシン |
US7124485B2 (en) | 2003-04-11 | 2006-10-24 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a piezoelectric thin film resonator |
US7239067B2 (en) | 2003-03-31 | 2007-07-03 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a piezoelectric thin film resonator, manufacturing apparatus for a piezoelectric thin film resonator, piezoelectric thin film resonator, and electronic component |
JP2007208727A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびその製造方法 |
JP2007267405A (ja) * | 2000-11-24 | 2007-10-11 | Nokia Corp | 圧電共振子を含むフィルタ構造および構成 |
JP2007535279A (ja) * | 2004-05-07 | 2007-11-29 | インテル・コーポレーション | 集積化された多周波数帯圧電薄膜共振器(fbar)の形成 |
JP2008506302A (ja) * | 2004-07-06 | 2008-02-28 | テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) | チューナブル共振器 |
JP2008178126A (ja) * | 2008-01-21 | 2008-07-31 | Ube Ind Ltd | 薄膜音響共振器及びその製造方法 |
US7554422B2 (en) | 2004-09-10 | 2009-06-30 | Panasonic Corporation | Filter module using piezoelectric resonators, duplexer, communication device, and method for fabricating filter module |
JP4513169B2 (ja) * | 2000-05-17 | 2010-07-28 | 株式会社村田製作所 | 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法 |
WO2011086986A1 (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-21 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、フィルタ、通信モジュール、通信装置 |
JP2011160232A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-08-18 | Ube Industries Ltd | 薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタ |
US8941450B2 (en) | 2009-09-28 | 2015-01-27 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device having a frequency control film |
Families Citing this family (150)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3244386B2 (ja) * | 1994-08-23 | 2002-01-07 | 松下電器産業株式会社 | 弾性表面波装置 |
EP0810676B1 (en) * | 1996-05-27 | 2002-08-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric film-type element |
US5873154A (en) * | 1996-10-17 | 1999-02-23 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for fabricating a resonator having an acoustic mirror |
JP2002509644A (ja) * | 1996-10-17 | 2002-03-26 | ノキア モービル フォーンズ リミティド | ガラス基板上に薄膜バルク音波共振器(fbar)を作る方法 |
US6136390A (en) * | 1996-12-11 | 2000-10-24 | Daewoo Electronics Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film actuatable mirror array having an enhanced structural integrity |
US5872493A (en) * | 1997-03-13 | 1999-02-16 | Nokia Mobile Phones, Ltd. | Bulk acoustic wave (BAW) filter having a top portion that includes a protective acoustic mirror |
US6963155B1 (en) * | 1997-04-24 | 2005-11-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Film acoustic wave device, manufacturing method and circuit device |
US5910756A (en) * | 1997-05-21 | 1999-06-08 | Nokia Mobile Phones Limited | Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators |
US6081171A (en) * | 1998-04-08 | 2000-06-27 | Nokia Mobile Phones Limited | Monolithic filters utilizing thin film bulk acoustic wave devices and minimum passive components for controlling the shape and width of a passband response |
WO1999059244A2 (de) * | 1998-05-08 | 1999-11-18 | Infineon Technologies Ag | Dünnfilm-piezoresonator |
US5942958A (en) * | 1998-07-27 | 1999-08-24 | Tfr Technologies, Inc. | Symmetrical piezoelectric resonator filter |
FI113211B (fi) * | 1998-12-30 | 2004-03-15 | Nokia Corp | Balansoitu suodatinrakenne ja matkaviestinlaite |
US6351057B1 (en) * | 1999-01-25 | 2002-02-26 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd | Microactuator and method for fabricating the same |
US6246158B1 (en) * | 1999-06-24 | 2001-06-12 | Sensant Corporation | Microfabricated transducers formed over other circuit components on an integrated circuit chip and methods for making the same |
US6629341B2 (en) | 1999-10-29 | 2003-10-07 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method of fabricating a piezoelectric composite apparatus |
US6307447B1 (en) | 1999-11-01 | 2001-10-23 | Agere Systems Guardian Corp. | Tuning mechanical resonators for electrical filter |
US6339276B1 (en) * | 1999-11-01 | 2002-01-15 | Agere Systems Guardian Corp. | Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion |
US6746577B1 (en) | 1999-12-16 | 2004-06-08 | Agere Systems, Inc. | Method and apparatus for thickness control and reproducibility of dielectric film deposition |
US6524971B1 (en) | 1999-12-17 | 2003-02-25 | Agere Systems, Inc. | Method of deposition of films |
US7296329B1 (en) * | 2000-02-04 | 2007-11-20 | Agere Systems Inc. | Method of isolation for acoustic resonator device |
US6377136B1 (en) * | 2000-02-04 | 2002-04-23 | Agere Systems Guardian Corporation | Thin film resonator filter having at least one component with different resonant frequency sets or electrode capacitance |
US6306313B1 (en) | 2000-02-04 | 2001-10-23 | Agere Systems Guardian Corp. | Selective etching of thin films |
US6437667B1 (en) * | 2000-02-04 | 2002-08-20 | Agere Systems Guardian Corp. | Method of tuning thin film resonator filters by removing or adding piezoelectric material |
US6323744B1 (en) | 2000-02-04 | 2001-11-27 | Agere Systems Guardian Corp. | Grounding of TFR ladder filters |
EP1177623B1 (en) * | 2000-02-22 | 2009-08-05 | Nxp B.V. | Method of manufacturing a piezoeletric filter with an acoustic resonator situated on an acoustic reflector layer formed on a carrier substrate |
US6603241B1 (en) | 2000-05-23 | 2003-08-05 | Agere Systems, Inc. | Acoustic mirror materials for acoustic devices |
GB0012439D0 (en) * | 2000-05-24 | 2000-07-12 | Univ Cranfield | Improvements to filters |
US6355498B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-03-12 | Agere Systems Guartian Corp. | Thin film resonators fabricated on membranes created by front side releasing |
US6377137B1 (en) * | 2000-09-11 | 2002-04-23 | Agilent Technologies, Inc. | Acoustic resonator filter with reduced electromagnetic influence due to die substrate thickness |
JP3465675B2 (ja) * | 2000-09-11 | 2003-11-10 | 日本碍子株式会社 | 圧電/電歪膜型素子 |
US7050778B1 (en) * | 2000-09-18 | 2006-05-23 | Broadcom Corporation | Direct conversion turner |
US6486751B1 (en) | 2000-09-26 | 2002-11-26 | Agere Systems Inc. | Increased bandwidth thin film resonator having a columnar structure |
US6674291B1 (en) | 2000-10-30 | 2004-01-06 | Agere Systems Guardian Corp. | Method and apparatus for determining and/or improving high power reliability in thin film resonator devices, and a thin film resonator device resultant therefrom |
US6587212B1 (en) | 2000-10-31 | 2003-07-01 | Agere Systems Inc. | Method and apparatus for studying vibrational modes of an electro-acoustic device |
US6743731B1 (en) * | 2000-11-17 | 2004-06-01 | Agere Systems Inc. | Method for making a radio frequency component and component produced thereby |
KR100398363B1 (ko) * | 2000-12-05 | 2003-09-19 | 삼성전기주식회사 | Fbar 소자 및 그 제조방법 |
US6424237B1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-07-23 | Agilent Technologies, Inc. | Bulk acoustic resonator perimeter reflection system |
US6518860B2 (en) * | 2001-01-05 | 2003-02-11 | Nokia Mobile Phones Ltd | BAW filters having different center frequencies on a single substrate and a method for providing same |
US6407649B1 (en) * | 2001-01-05 | 2002-06-18 | Nokia Corporation | Monolithic FBAR duplexer and method of making the same |
US6424238B1 (en) | 2001-01-08 | 2002-07-23 | Motorola, Inc. | Acoustic wave filter and method of forming the same |
US7435613B2 (en) | 2001-02-12 | 2008-10-14 | Agere Systems Inc. | Methods of fabricating a membrane with improved mechanical integrity |
US6469597B2 (en) * | 2001-03-05 | 2002-10-22 | Agilent Technologies, Inc. | Method of mass loading of thin film bulk acoustic resonators (FBAR) for creating resonators of different frequencies and apparatus embodying the method |
US6566979B2 (en) * | 2001-03-05 | 2003-05-20 | Agilent Technologies, Inc. | Method of providing differential frequency adjusts in a thin film bulk acoustic resonator (FBAR) filter and apparatus embodying the method |
DE60115504T2 (de) * | 2001-03-23 | 2006-08-31 | Infineon Technologies Ag | Filtereinrichtung |
TW506128B (en) * | 2001-06-15 | 2002-10-11 | Asia Pacific Microsystems Inc | Manufacturing method of high-quality thin film type bulk acoustic wave device |
JP3984441B2 (ja) * | 2001-07-26 | 2007-10-03 | 松下電器産業株式会社 | 圧電薄膜振動子及びフィルタ |
WO2003023874A1 (fr) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Procede de fabrication d'un dispositif piezo-electrique/electrostrictif |
US7194247B2 (en) | 2001-09-26 | 2007-03-20 | Nokia Corporation | Dual-channel passband filtering system using acoustic resonators in lattice topology |
EP1440539A4 (en) * | 2001-09-27 | 2009-08-26 | Broadcom Corp | STRONG INTEGRATED MEDIA ACCESS CONTROL |
JP4904656B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2012-03-28 | パナソニック株式会社 | 薄膜圧電体素子およびその製造方法 |
JP3846271B2 (ja) * | 2001-11-05 | 2006-11-15 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜圧電体素子およびその製造方法 |
DE10155927A1 (de) * | 2001-11-14 | 2003-06-05 | Infineon Technologies Ag | Passivierter BAW-Resonator und BAW-Filter |
US6906451B2 (en) * | 2002-01-08 | 2005-06-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator, piezoelectric filter, duplexer, communication apparatus, and method for manufacturing piezoelectric resonator |
US6670866B2 (en) * | 2002-01-09 | 2003-12-30 | Nokia Corporation | Bulk acoustic wave resonator with two piezoelectric layers as balun in filters and duplexers |
AU2003230088A1 (en) * | 2002-05-20 | 2003-12-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Filter structure |
JP2004072715A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-03-04 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜共振子、圧電フィルタ、およびそれを有する電子部品 |
US7276994B2 (en) * | 2002-05-23 | 2007-10-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric thin-film resonator, piezoelectric filter, and electronic component including the piezoelectric filter |
US6816035B2 (en) * | 2002-08-08 | 2004-11-09 | Intel Corporation | Forming film bulk acoustic resonator filters |
US20040027030A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-02-12 | Li-Peng Wang | Manufacturing film bulk acoustic resonator filters |
US6741147B2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-05-25 | Agere Systems Inc. | Method and apparatus for adjusting the resonant frequency of a thin film resonator |
US7034387B2 (en) * | 2003-04-04 | 2006-04-25 | Chippac, Inc. | Semiconductor multipackage module including processor and memory package assemblies |
DE10305379A1 (de) * | 2003-02-10 | 2004-08-19 | Epcos Ag | Frontendschaltung |
US7275292B2 (en) * | 2003-03-07 | 2007-10-02 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate |
US20040189424A1 (en) * | 2003-03-31 | 2004-09-30 | Hula David W. | FBAR mass loading process using selective dry etching |
DE10317969B4 (de) * | 2003-04-17 | 2005-06-16 | Epcos Ag | Duplexer mit erweiterter Funktionalität |
EP1469599B1 (en) * | 2003-04-18 | 2010-11-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Air gap type FBAR, duplexer using the FBAR, and fabricating methods thereof |
KR100599083B1 (ko) * | 2003-04-22 | 2006-07-12 | 삼성전자주식회사 | 캔틸레버 형태의 압전 박막 공진 소자 및 그 제조방법 |
DE10319554B4 (de) * | 2003-04-30 | 2018-05-09 | Snaptrack, Inc. | Mit akustischen Volumenwellen arbeitendes Bauelement mit gekoppelten Resonatoren |
US20040230997A1 (en) * | 2003-05-13 | 2004-11-18 | Broadcom Corporation | Single-chip cable set-top box |
US7336939B2 (en) * | 2003-05-21 | 2008-02-26 | Broadcom Corporation | Integrated tracking filters for direct conversion and low-IF single conversion broadband filters |
EP1489740A3 (en) * | 2003-06-18 | 2006-06-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and method for manufacturing the same |
US7702306B2 (en) * | 2003-08-28 | 2010-04-20 | Broadcom Corporation | Apparatus and method for local oscillator calibration in mixer circuits |
KR100555762B1 (ko) * | 2003-10-07 | 2006-03-03 | 삼성전자주식회사 | 에어갭형 박막 벌크 음향 공진기 및 그 제조방법, 이를이용한 필터 및 듀플렉서 |
US7391285B2 (en) | 2003-10-30 | 2008-06-24 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Film acoustically-coupled transformer |
US6946928B2 (en) | 2003-10-30 | 2005-09-20 | Agilent Technologies, Inc. | Thin-film acoustically-coupled transformer |
US7019605B2 (en) | 2003-10-30 | 2006-03-28 | Larson Iii John D | Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth |
EP1528677B1 (en) * | 2003-10-30 | 2006-05-10 | Agilent Technologies, Inc. | Film acoustically-coupled transformer with two reverse c-axis piezoelectric elements |
US7358831B2 (en) | 2003-10-30 | 2008-04-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with simplified packaging |
US7227433B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-06-05 | Intel Corporation | Electro mechanical device having a sealed cavity |
US7894790B2 (en) * | 2004-04-02 | 2011-02-22 | Broadcom Corporation | Dual conversion receiver with reduced harmonic interference |
JP4586404B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-11-24 | ソニー株式会社 | フィルタ装置及び送受信機 |
JP4280198B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2009-06-17 | 株式会社東芝 | 薄膜圧電共振器 |
US8732788B2 (en) * | 2004-05-21 | 2014-05-20 | Broadcom Corporation | Integrated set-top box |
US8578434B2 (en) * | 2004-05-21 | 2013-11-05 | Broadcom Corporation | Integrated cable modem |
US7161448B2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-01-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancements using recessed region |
US20060006965A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | RF filter and method for fabricating the same |
US7615833B2 (en) | 2004-07-13 | 2009-11-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator package and method of fabricating same |
US8239914B2 (en) * | 2004-07-22 | 2012-08-07 | Broadcom Corporation | Highly integrated single chip set-top box |
US7388454B2 (en) | 2004-10-01 | 2008-06-17 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure |
US7187255B2 (en) * | 2004-10-26 | 2007-03-06 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Arrangement of lattice filter |
US8981876B2 (en) | 2004-11-15 | 2015-03-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements |
US7202560B2 (en) | 2004-12-15 | 2007-04-10 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry |
US7791434B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric |
US7427819B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-09-23 | Avago Wireless Ip Pte Ltd | Film-bulk acoustic wave resonator with motion plate and method |
US7369013B2 (en) | 2005-04-06 | 2008-05-06 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region |
US7436269B2 (en) | 2005-04-18 | 2008-10-14 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustically coupled resonators and method of making the same |
US7934884B2 (en) * | 2005-04-27 | 2011-05-03 | Lockhart Industries, Inc. | Ring binder cover |
US7737612B1 (en) * | 2005-05-25 | 2010-06-15 | Maxim Integrated Products, Inc. | BAW resonator bi-layer top electrode with zero etch undercut |
JP2006339873A (ja) | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Toshiba Corp | 薄膜圧電共振器、フィルタ及び電圧制御発振器 |
US7868522B2 (en) | 2005-09-09 | 2011-01-11 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Adjusted frequency temperature coefficient resonator |
US7391286B2 (en) | 2005-10-06 | 2008-06-24 | Avago Wireless Ip Pte Ltd | Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters |
US7423503B2 (en) | 2005-10-18 | 2008-09-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer |
US7525398B2 (en) | 2005-10-18 | 2009-04-28 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustically communicating data signals across an electrical isolation barrier |
US7425787B2 (en) | 2005-10-18 | 2008-09-16 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating single insulated decoupled stacked bulk acoustic resonator with acoustically-resonant electrical insulator |
US7737807B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-06-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators |
US7675390B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-03-09 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator |
US7463499B2 (en) | 2005-10-31 | 2008-12-09 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. | AC-DC power converter |
US7561009B2 (en) | 2005-11-30 | 2009-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation |
US7612636B2 (en) | 2006-01-30 | 2009-11-03 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Impedance transforming bulk acoustic wave baluns |
US7746677B2 (en) | 2006-03-09 | 2010-06-29 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | AC-DC converter circuit and power supply |
US7479685B2 (en) | 2006-03-10 | 2009-01-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path |
DE102006023165B4 (de) * | 2006-05-17 | 2008-02-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines akustischen Spiegels aus alternierend angeordneten Schichten hoher und niedriger akustischer Impedanz |
US7600303B1 (en) | 2006-05-25 | 2009-10-13 | Maxim Integrated Products, Inc. | BAW resonator bi-layer top electrode with zero etch undercut |
US7629865B2 (en) | 2006-05-31 | 2009-12-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structures and electrical filters |
US20070294738A1 (en) * | 2006-06-16 | 2007-12-20 | Broadcom Corporation | Single chip cable set-top box supporting DOCSIS set-top Gateway (DSG) protocol and high definition advanced video codec (HD AVC) decode |
KR101238360B1 (ko) * | 2006-08-16 | 2013-03-04 | 삼성전자주식회사 | 공진기 및 그 제조 방법 |
US7508286B2 (en) | 2006-09-28 | 2009-03-24 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | HBAR oscillator and method of manufacture |
US7612488B1 (en) | 2007-01-16 | 2009-11-03 | Maxim Integrated Products, Inc. | Method to control BAW resonator top electrode edge during patterning |
US7791435B2 (en) | 2007-09-28 | 2010-09-07 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Single stack coupled resonators having differential output |
US7732977B2 (en) | 2008-04-30 | 2010-06-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) | Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers |
US7855618B2 (en) | 2008-04-30 | 2010-12-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers |
US8448494B2 (en) * | 2008-12-30 | 2013-05-28 | Stmicroelectronics S.R.L. | Integrated electronic microbalance plus chemical sensor |
US8291559B2 (en) * | 2009-02-24 | 2012-10-23 | Epcos Ag | Process for adapting resonance frequency of a BAW resonator |
US20100306814A1 (en) * | 2009-05-26 | 2010-12-02 | Broadcom Corporation | Integrated Set-Top Box with Daisy-Chaining |
US8902023B2 (en) | 2009-06-24 | 2014-12-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion |
US8248185B2 (en) | 2009-06-24 | 2012-08-21 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator structure comprising a bridge |
EP2299593A1 (en) | 2009-09-18 | 2011-03-23 | Nxp B.V. | Laterally coupled bulk acoustic wave device |
US8193877B2 (en) | 2009-11-30 | 2012-06-05 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Duplexer with negative phase shifting circuit |
US9243316B2 (en) | 2010-01-22 | 2016-01-26 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation |
US8796904B2 (en) | 2011-10-31 | 2014-08-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer |
US8499613B2 (en) * | 2010-01-29 | 2013-08-06 | Stmicroelectronics S.R.L. | Integrated chemical sensor for detecting odorous matters |
US9180451B2 (en) | 2010-06-28 | 2015-11-10 | Stmicroelectronics S.R.L. | Fluidic cartridge for detecting chemicals in samples, in particular for performing biochemical analyses |
US8962443B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
US9048812B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-02 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer |
US9203374B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-12-01 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator comprising a bridge |
US9425764B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-08-23 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features |
US9083302B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator |
US9154112B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-10-06 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge |
US9148117B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-29 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements |
US9136818B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-09-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked acoustic resonator comprising a bridge |
US8575820B2 (en) | 2011-03-29 | 2013-11-05 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Stacked bulk acoustic resonator |
US9444426B2 (en) | 2012-10-25 | 2016-09-13 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature |
US8350445B1 (en) | 2011-06-16 | 2013-01-08 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge |
US8922302B2 (en) | 2011-08-24 | 2014-12-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator formed on a pedestal |
KR101959204B1 (ko) * | 2013-01-09 | 2019-07-04 | 삼성전자주식회사 | 무선 주파수 필터 및 무선 주파수 필터의 제조방법 |
EP2833547A1 (en) * | 2013-08-01 | 2015-02-04 | Nxp B.V. | An Amplification Circuit |
US9741922B2 (en) | 2013-12-16 | 2017-08-22 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Self-latching piezocomposite actuator |
US10490728B2 (en) * | 2016-04-15 | 2019-11-26 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Fabrication methods for a piezoelectric micro-electromechanical system (MEMS) |
KR20170141386A (ko) | 2016-06-15 | 2017-12-26 | 삼성전기주식회사 | 탄성파 필터 장치 |
US10833646B2 (en) | 2016-10-12 | 2020-11-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk-acoustic wave resonator and method for manufacturing the same |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60126907A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単一応答複合圧電振動素子 |
JPS61127216A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Toshiba Corp | 圧電薄膜共振子 |
JPS61218215A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-27 | Toshiba Corp | 圧電薄膜共振子 |
JPS62266906A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Toshiba Corp | 圧電薄膜共振子 |
JPS6382116A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電薄膜共振子およびその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1106960A (en) * | 1976-02-17 | 1981-08-11 | Virgil E. Bottom | Method of adjusting the frequency of a crystal resonator |
DE2641571B1 (de) * | 1976-09-15 | 1977-06-08 | Siemens Ag | Als obertonquarz verwendeter dickenscherungsschwinger |
JPS58137317A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Nec Corp | 圧電薄膜複合振動子 |
JPS6072277A (ja) * | 1983-09-28 | 1985-04-24 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 感圧素子および感圧センサ |
JPS60189307A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Toshiba Corp | 圧電薄膜共振器およびその製造方法 |
US4547748A (en) * | 1984-08-13 | 1985-10-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Frequency synthesizer using a matrix of selectable piezoelectric resonators |
JPS6175614A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-18 | Nec Corp | 薄膜圧電振動子の製造方法 |
US4634917A (en) * | 1984-12-26 | 1987-01-06 | Battelle Memorial Institute | Active multi-layer piezoelectric tactile sensor apparatus and method |
-
1995
- 1995-08-17 US US08/516,220 patent/US5692279A/en not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-06-18 KR KR1019960021931A patent/KR100402504B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-08-01 JP JP21810896A patent/JP3953554B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-13 CN CN96111656A patent/CN1103138C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60126907A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-07-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単一応答複合圧電振動素子 |
JPS61127216A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Toshiba Corp | 圧電薄膜共振子 |
JPS61218215A (ja) * | 1985-03-25 | 1986-09-27 | Toshiba Corp | 圧電薄膜共振子 |
JPS62266906A (ja) * | 1986-05-15 | 1987-11-19 | Toshiba Corp | 圧電薄膜共振子 |
JPS6382116A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電薄膜共振子およびその製造方法 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003530750A (ja) * | 2000-04-06 | 2003-10-14 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 共振器を有するチューニング可能なフィルタ構成 |
JP4513169B2 (ja) * | 2000-05-17 | 2010-07-28 | 株式会社村田製作所 | 圧電フィルタ、通信装置および圧電フィルタの製造方法 |
JP2007267405A (ja) * | 2000-11-24 | 2007-10-11 | Nokia Corp | 圧電共振子を含むフィルタ構造および構成 |
JP2002335141A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-11-22 | Agilent Technol Inc | 共振器の製造方法 |
JP2002299979A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-10-11 | Agilent Technol Inc | 共振器の製造方法 |
WO2004038914A1 (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 圧電振動子、それを用いたフィルタ及び圧電振動子の調整方法 |
US7414349B2 (en) | 2002-10-28 | 2008-08-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric vibrator, filter using the same and its adjusting method |
US6989723B2 (en) | 2002-12-11 | 2006-01-24 | Tdk Corporation | Piezoelectric resonant filter and duplexer |
US7239067B2 (en) | 2003-03-31 | 2007-07-03 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a piezoelectric thin film resonator, manufacturing apparatus for a piezoelectric thin film resonator, piezoelectric thin film resonator, and electronic component |
US7124485B2 (en) | 2003-04-11 | 2006-10-24 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a piezoelectric thin film resonator |
JP2007535279A (ja) * | 2004-05-07 | 2007-11-29 | インテル・コーポレーション | 集積化された多周波数帯圧電薄膜共振器(fbar)の形成 |
JP2008506302A (ja) * | 2004-07-06 | 2008-02-28 | テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) | チューナブル共振器 |
US7554422B2 (en) | 2004-09-10 | 2009-06-30 | Panasonic Corporation | Filter module using piezoelectric resonators, duplexer, communication device, and method for fabricating filter module |
JP2006109472A (ja) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Agilent Technol Inc | 周縁に質量負荷を施した圧電薄膜共振器 |
WO2006080226A1 (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Sony Corporation | マイクロマシンの製造方法およびマイクロマシン |
JP2007208727A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Fujitsu Media Device Kk | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびその製造方法 |
JP4707574B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2011-06-22 | 太陽誘電株式会社 | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびその製造方法 |
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