JPH0945091A - 不揮発性メモリのデータ書き換え方法 - Google Patents
不揮発性メモリのデータ書き換え方法Info
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- JPH0945091A JPH0945091A JP18899695A JP18899695A JPH0945091A JP H0945091 A JPH0945091 A JP H0945091A JP 18899695 A JP18899695 A JP 18899695A JP 18899695 A JP18899695 A JP 18899695A JP H0945091 A JPH0945091 A JP H0945091A
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Abstract
を消去することなく入力データの書き換えが行える不揮
発性メモリのデータ書き換え方法を得る。 【解決手段】 バイト単位の入力データを、バイト単位
で書き換え可能な第一の記憶手段に一時的に保持してお
く工程と、ページ、又はセクタ単位で書き換え可能な不
揮発性の第二の記憶手段における、入力データのアドレ
スを含むページ、又はセクタのデータを読み出して、バ
イト単位で書き換え可能な第三の記憶手段に一時的に保
持しておく工程と、第一の記憶手段に保持された入力デ
ータを、第三の記憶手段に保持された上記データのペー
ジ、又はセクタの該当する領域に書き込む工程と、第三
の記憶手段に保持されたデータを第二の記憶手段の元の
ページ、又はセクタに書き込む工程とを有する。
Description
セクタ単位で書き換えをする不揮発性メモリ、特にその
書き換え方法に関するものである。
ROMを取り上げることにする。従来のEEPROMは
バイト単位で消去、書き込みを繰り返し、バイト単位の
書き換えを可能にしていたが(以下、バイト書き換え型
EEPROMとする)、EEPROMのメモリの大容量
化、メモリサイズの縮小化、書き換え時間の高速化に伴
い、ページ又はセクタ単位での一括の書き換えを行うE
EPROMが使用されるようになった(以下、フラッシ
ュ書き換え型EEPROMとする)。しかし、フラッシ
ュ書き換え型EEPROMのデータ書き換え方法もバイ
ト書き換え型EEPROMと同じように、入力データを
一時的にRAMに書き込み、その入力データをRAMか
らEEPROMに転送し、書き込むだけであった。
ラッシュ書き換え型EEPROMの書き換え方法では、
ページ単位、又はセクタ単位によるデータの書き換えで
あるから、汎用のマイクロコンピュータ等で使用するに
は、使用するデータ量がEEPROMの1ページ、又は
1セクタのメモリ容量に対して少なすぎる。このような
データをそのままフラッシュ書き換え型EEPROMに
格納しようとすると、その少ないデータを格納するため
に、1ページ又は1セクタのメモリ容量を確保しなくて
はいけないことになり、容量の無駄が多くなるという問
題点があった。
ータを格納するために1ページ、又は1セクタ分のメモ
リ容量を使用することは、書き換えをする場合には、そ
のページ、又はセクタに書き込まれている既存データを
消去しなくてはいけないという問題点があった。
おいて、メモリ容量を有効に利用でき、且つ既存のデー
タを消去することなく入力データの書き換えが行うこと
が望まれていた。
モリのデータ書き換え方法は、バイト単位の入力データ
を、バイト単位で書き換え可能な第一の記憶手段に一時
的に保持しておく工程と、ページ又はセクタ単位で書き
換え可能な不揮発性の第二の記憶手段における、前記入
力データのアドレスを含むページ、又はセクタのデータ
を読み出して、バイト単位で書き換え可能な第三の記憶
手段に一時的に保持しておく工程と、第一の記憶手段に
保持された入力データを、第三の記憶手段に保持された
上記データのページ、又はセクタの該当する領域に書き
込む工程と、第三の記憶手段に保持されたデータを第二
の記憶手段の元のページ、又はセクタに書き込む工程と
を有する。
に、入力されたデータを第一の記憶手段に一時的に保持
し、第二の記憶手段において、入力データのアドレスを
含むページ又はセクタのデータを、バイト単位で書き換
え可能な第三の記憶手段に読み出して、データの該当領
域に入力データをバイト単位で書き込んだ後で、そのペ
ージ分又はセクタ分のデータを第二の記憶手段の元のペ
ージ、又はセクタに書き換えるので、結果的にページ、
又はセクタ単位の制御の第二の記憶手段でも、バイト単
位で入力データの書き込みを行うことになる。
タ書き換え方法は、バイト単位の入力データを、バイト
単位で書き換え可能な第一の記憶手段に一時的に保持し
ておく工程と、ページ、又はセクタ単位で書き換え可能
な不揮発性の第二の記憶手段における、入力データのア
ドレスを含むページ、又はセクタのデータを読み出し
て、不揮発性の第三の記憶手段に一時的に保持しておく
工程と、第三の記憶手段に保持されたページ、又はセク
タのデータを読み出して、バイト単位で書き換え可能な
第四の記憶手段に一時的に保持しておく工程と、第一の
記憶手段に保持された入力データを、第四の記憶手段に
保持された上記データのページ、又はセクタの該当する
領域に書き込む工程と、第四の記憶手段に保持されたデ
ータを第二の記憶手段の元のページ、又はセクタに書き
込む工程とを有する。
に、入力されたデータを第一の記憶手段に一時的に保持
し、第二の記憶手段において、入力データのアドレスを
含むページ又はセクタのデータを、不揮発性の第三の記
憶手段に読み出して保持しておき、そのデータを読み出
して、バイト単位で書き換え可能な第四の記憶手段に読
み出して、データの該当領域に入力データをバイト単位
で書き込んだ後で、そのページ分又はセクタ分のデータ
を第二の記憶手段の元のページ、又はセクタに書き換え
るので、第三の記憶手段において既存データのバックア
ップを取ることができ、結果的にページ、又はセクタ単
位の制御の第二の記憶手段でも、バイト単位で入力デー
タの書き込みを行うことになる。
揮発性メモリのデータ書き換え方法における動作フロー
を示す図である。1、3はRAMであり、バイト単位の
書き換えはできるが、揮発性なので電源をOFFすると
書き込まれているデータは消去されてしまう。2はフラ
ッシュ書き換え型EEPROMであり、電気的にデータ
の消去、書き込みの可能なROMであり、不揮発性なの
で電源をOFFしても書き込まれた内容は消去されずに
保存される。大容量、小型であるが、ページ又はセクタ
単位での制御しか行えない。
チ回路11、メモリセル部12、センスアンプ13から
構成されている。ラッチ回路11は、データの書き換え
を高速にするために、入力データを一時保持しておき、
ページ単位でメモリセル部12に送出する。
セル21、コントロールライン22、及びローライン2
3から構成されている。メモリセル21は実際に入力デ
ータを保持する。コントロールライン22は、メモリセ
ルのデータを書き換える際に電圧をかけるコントロール
ゲートが並んだものである。ローライン23は、例えば
データを書き換えたい場合に書き換えるメモリセル21
を特定するために使用するものである。図5はバイト書
き換え型EEPROMのメモリセル部である。メモリセ
ル21a、コントロールライン22a、及びローライン
23a、選択素子24から構成されている。メモリセル
21a、コントロールライン22a、及びローライン2
3aは、それぞれメモリセル21、コントロールライン
22、及びローライン23と同様の役割を果たす。バイ
ト書き換え型EEPROMのメモリセル部はフラッシュ
書き換え型EEPROMのメモリセル部とは違い、消去
を行うバイトを選択するための選択素子24が備えられ
ているから、バイト単位での消去が可能となる。しか
し、高耐圧のトランジスタを必要とし、またその分だけ
メモリサイズが大きくなる。バイト書き換え型EEPR
OMもフラッシュ書き換え型EEPROMも、データの
消去作業は全てのビットを1にすることによって行わ
れ、データの書き込みは、必要なビットだけを0にする
ことによって行われる。
しているデータを読み出す際に、各メモリセルに保持さ
れたデータが0であったか、それとも1であったかを判
断してデータを送出するところである。
た、本発明の実施例におけるフラッシュ書き換え型EE
PROMの制御は、ページ単位で行われるとする。フラ
ッシュ書き換え型EEPROM2に書き込みを行う入力
データをRAM1へ転送し、書き込みを行い(S1
1)、既存データを含めた、入力データの書き込みを行
うアドレスの位置するページのデータをセンスアンプ1
3を通して読み出し、RAM3へ転送し、書き込む(S
12)。RAM1に書き込まれた入力データをRAM3
へ転送し、RAM3において、入力するアドレスに対応
する領域へ入力データを書き込む(S13)。RAM3
内に保持されている、入力データの書き込みを終えたデ
ータを、フラッシュ書き換え型EEPROM2のラッチ
回路11に転送し、フラッシュ書き換え型EEPROM
2内のメモリセル部12の元のページに書き込む(S1
4)。
データ書き換え方法においては、RAM3がバイト単位
での書き換えが可能であるために、入力データの書き込
みを行うアドレスの位置するページのデータをRAM3
に読み出し、ここで入力データをバイト単位で書き込ん
でからEEPROMの書き換えをするから、結果として
既存データを消去することがなく、バイト単位での書き
換えを行うことができる。
ントロールROM領域(C−ROM)のプログラムの制
御を変更するだけでデータの書き換えが行え、追加ロジ
ックの必要がない。
形態に係る不揮発性メモリのデータ書き換え方法の動作
フローを示す図であり、1、2、11、12、13は上
記実施例と同一である。
書き換え型EEPROM2に書き込みを行う入力データ
をRAM1へ転送し、書き込みを行い(S21)、既存
データを含めた、入力データの書き込みを行うアドレス
の位置するページのデータをセンスアンプ13を通して
読み出し、ラッチ回路11へ転送し、書き込む(S2
2)。RAM1に書き込まれた入力データをラッチ回路
11へ転送し、ラッチ回路11において、入力するアド
レスに対応する領域へ入力データを書き込む(S2
3)。ラッチ回路11内に保持されている、入力データ
の書き込みを終えた既存データを含んだ1ページ分のデ
ータを、フラッシュ書き換え型EEPROM2内のメモ
リセル部12の元のページに書き込む(S24)。
データ書き換え方法においては、EEPROM2内のラ
ッチ回路11がバイト単位での書き換えが可能であるた
めに、入力データの書き込みを行うアドレスの位置する
ページのデータをラッチ回路11に読み出し、ここで入
力データをバイト単位で書き込んでからEEPROMの
書き換えをするから、結果として既存データを消去する
ことがなく、バイト単位での書き換えを行うことができ
る。
ROM2のラッチ回路を使用するので、特別な装置を必
要とせず、例えばコントロールROM領域(C−RO
M)のプログラムの制御を変更するだけでデータの書き
換えが行え、追加ロジックの必要がなく、使用するRA
Mの容量を減らすことができる。
形態に係る不揮発性メモリのデータ書き換え方法の動作
フローを示す図であり、1、2、11、12、13は上
記のものと同一である。4は2と同様のフラッシュ書き
換え型EEPROMである。また、フラッシュ書き換え
型EEPROM4のラッチ回路は11a、メモリセル部
は12a、センスアンプは13aである。
から入力され、フラッシュ書き換え型EEPROM2に
書き込みを行う入力データをRAM1へ転送し、書き込
みを行い(S31)、入力データの書き込みを行うアド
レスの位置するページのデータをセンスアンプ13をと
おして読み出し、フラッシュ書き換え型EEPROM4
のラッチ回路11aに転送し、メモリセル部12aに書
き込む(S32)。フラッシュ書き換え型EEPROM
4に書き込まれたフラッシュ書き換え型EEPROM2
のデータを、センスアンプは13aをとおして読み出
し、フラッシュ書き換え型EEPROM2のラッチ回路
11に転送し、書き込む(S33)。RAM1に書き込
まれた入力データをフラッシュ書き換え型EEPROM
2のラッチ回路11へ転送し、ラッチ回路11におい
て、入力データを対応する領域に書き込む(S34)。
入力データの書き込みを終えた既存データを含んだ1ペ
ージ分のデータを、フラッシュ書き換え型EEPROM
2内のメモリセル部12の元のページに書き込む(S3
5)。
データ書き換え方法においては、既存データを含む1ペ
ージ分のデータを保持するのに不揮発性のEEPROM
4を使用することで、入力データの書き込みを終えた1
ページ分のデータを、フラッシュ書き換え型EEPRO
M2内の元のページに書き込みを行っている最中に、電
源がOFFとなり、フラッシュ書き換え型EEPROM
2内に既存データが残っていなかったとしても、既存デ
ータはEEPROM4に保持されているから、既存デー
タが消去してしまうということはなくなる。
ントロールROM領域(C−ROM)のプログラムの制
御を変更するだけでデータの書き換えが行え、追加ロジ
ックの必要がない。
いては、RAMを2つ使用することを例示したが、本発
明ではそれに限定されるものではなく、同一のRAMの
別領域を使用してもよい。また、第三の実施の形態も同
様であり、フラッシュ書き換え型EEPROMを2つ使
用することを例示したが、本発明ではそれに限定される
ものではなく、同一のEEPROMの別領域を使用して
もよい。
ンピュータのプログラムによって制御する場合について
述べたが、その他制御系のロジックの追加はあるもの
の、フルロジックの製品にも利用できる。
EPROMを内蔵し、また制御するワンチップのマイク
ロコンピュータを想定したが、本発明ではそれに限定さ
れるものではなく、チップ外で構成されたRAM、又は
EEPROMを使用し、マイクロコンピュータ等の制御
手段が制御するようにしてもよい。
はセクタ単位で制御される不揮発性の第二記憶手段で
も、入力データのアドレスを含むページ、又はセクタ
を、バイト単位で書き換え可能な第三の記憶手段に転送
し、そこでバイト単位で入力データを書き込んでから元
のページにデータを戻すことによって結果的にバイト単
位の書き換えを可能にしたので、少量のデータを扱う汎
用のマイクロコンピュータにおいてもメモリを有効に利
用でき、新しい入力データを追加するのに既存データを
消去する必要がなくなる。
単位で制御される不揮発性の第二記憶手段でも、入力デ
ータのアドレスを含むページ、又はセクタを、一度不揮
発性の第三の記憶手段に保持してから、バイト単位で書
き換え可能な第四の記憶手段に転送し、そこでバイト単
位で入力データを書き込んでから元のページにデータを
戻すことによって結果的にバイト単位の書き換えを可能
にしたので、少量のデータを扱う汎用のマイクロコンピ
ュータにおいてもメモリを有効に利用でき、新しい入力
データを追加するのに既存データを消去する必要がなく
なり、書き換え途中に電源がOFFになっても書き換え
前のデータが第三の記憶手段に保持されているために、
工程中の停電等の電気の供給ができない場合にも既存の
データを保護することができる。
リのデータ書き換え方法における動作フローを示す図で
ある。
リのデータ書き換え方法における動作フローを示す図で
ある。
リのデータ書き換え方法における動作フローを示す図で
ある。
ル部の構成である。
の構成である。
Claims (6)
- 【請求項1】 バイト単位の入力データを、バイト単位
で書き換え可能な第一の記憶手段に一時的に保持してお
く工程と、 ページ、又はセクタ単位で書き換え可能な不揮発性の第
二の記憶手段における、前記入力データのアドレスを含
むページ、又はセクタのデータを読み出して、バイト単
位で書き換え可能な第三の記憶手段に一時的に保持して
おく工程と、 前記第一の記憶手段に保持された入力データを、前記第
三の記憶手段に保持された上記データのページ、又はセ
クタの該当する領域に書き込む工程と、 前記第三の記憶手段に保持されたデータを前記第二の記
憶手段の元のページ、又はセクタに書き込む工程とを有
することを特徴とする不揮発性メモリのデータ書き換え
方法。 - 【請求項2】 バイト単位の入力データを、バイト単位
で書き換え可能な第一の記憶手段に一時的に保持してお
く工程と、 ページ、又はセクタ単位で書き換え可能な不揮発性の第
二の記憶手段における、前記入力データのアドレスを含
むページ、又はセクタのデータを読み出して、不揮発性
の第三の記憶手段に一時的に保持しておく工程と、 前記第三の記憶手段に保持された前記ページ、又はセク
タのデータを読み出して、バイト単位で書き換え可能な
第四の記憶手段に一時的に保持しておく工程と、 前記第一の記憶手段に保持された入力データを、前記第
四の記憶手段に保持された上記データのページ、又はセ
クタの該当する領域に書き込む工程と、 前記第四の記憶手段に保持されたデータを前記第二の記
憶手段の元のページ、又はセクタに書き込む工程とを有
することを特徴とする不揮発性メモリのデータ書き換え
方法。 - 【請求項3】 前記第二の記憶手段として、データを一
時的に保持し、前記データの入力が終了すると、入力デ
ータを送出するラッチ回路と、前記ラッチ回路から送出
された前記データを受取り、前記データを保持するメモ
リセルを有するEEPROMを使用することを特徴とす
る請求項1又は2記載の不揮発性メモリのデータ書き換
え方法。 - 【請求項4】 前記第三の記憶手段として、RAMを使
用することを特徴とする請求項1又は3記載の不揮発性
メモリのデータ書き換え方法。 - 【請求項5】 前記第三の記憶手段として、前記EEP
ROMに含まれるラッチ回路を使用することを特徴とす
る請求項3記載の不揮発性メモリのデータ書き換え方
法。 - 【請求項6】 前記第三の記憶手段として、EEPRO
Mを使用することを特徴とする請求項2又は3記載の不
揮発性メモリのデータ書き換え方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18899695A JP3593622B2 (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | 不揮発性メモリのデータ書き換え方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18899695A JP3593622B2 (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | 不揮発性メモリのデータ書き換え方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0945091A true JPH0945091A (ja) | 1997-02-14 |
JP3593622B2 JP3593622B2 (ja) | 2004-11-24 |
Family
ID=16233556
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18899695A Expired - Fee Related JP3593622B2 (ja) | 1995-07-25 | 1995-07-25 | 不揮発性メモリのデータ書き換え方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3593622B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6950349B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-09-27 | Fujitsu Limited | Nonvolatile semiconductor memory having partial data rewriting function |
DE102008061091A1 (de) * | 2008-12-08 | 2010-06-10 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Durchführung eines sequentiellen Datenzugriffes |
CN116170527A (zh) * | 2023-02-16 | 2023-05-26 | 南京金阵微电子技术有限公司 | 报文编辑方法、报文编辑装置、介质及电子设备 |
-
1995
- 1995-07-25 JP JP18899695A patent/JP3593622B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6950349B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-09-27 | Fujitsu Limited | Nonvolatile semiconductor memory having partial data rewriting function |
DE102008061091A1 (de) * | 2008-12-08 | 2010-06-10 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Durchführung eines sequentiellen Datenzugriffes |
CN116170527A (zh) * | 2023-02-16 | 2023-05-26 | 南京金阵微电子技术有限公司 | 报文编辑方法、报文编辑装置、介质及电子设备 |
CN116170527B (zh) * | 2023-02-16 | 2023-11-07 | 南京金阵微电子技术有限公司 | 报文编辑方法、报文编辑装置、介质及电子设备 |
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