JPH04137077A - メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム - Google Patents
メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステムInfo
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- JPH04137077A JPH04137077A JP2257374A JP25737490A JPH04137077A JP H04137077 A JPH04137077 A JP H04137077A JP 2257374 A JP2257374 A JP 2257374A JP 25737490 A JP25737490 A JP 25737490A JP H04137077 A JPH04137077 A JP H04137077A
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- Television Signal Processing For Recording (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
データを言己憶するためのメモリカードにおけるデータ
記録方法およびメモリカードシステムに関する。
文字データを記録する媒体として、フロッピーディスク
に代わり、半導体メモリを用いた小型なメモリカードが
使用されるようになってきた。
よび書き込みを行うことができるスタティックRAM
(SRAM)が用いられていた。
メモリであるので、バックアップ用の電池が必要であり
、また、画像データのように大容量のデータを記憶する
ものになると高価となって、メモリカードの値段が高く
なるという問題があった。
ない不揮発性の半導体メモリであるEEPROM (電
気的に消去壷再書込可能な読出専用メモリ)をメモリカ
ードに採用することが検討されている。このEEPRO
Mは、その記憶期間が電池なしで10年間以上と優れて
おり、近年ではSRAMに匹敵する読み出しまたは書き
込み速度を備えるようになって、その値段もSRAMの
4分の1程度のものが開発されている。
、消去を考慮に入れなければならないため、メモリカー
ドの使用に対してそれを運用する側での特別の配慮が生
じ、従来のSRAMで構成されたメモリカードとの互換
性をとることが困難であるということが問題になってい
た。
の書き換えを上書きとしては行えず、この場合、消去、
書き込みの2ステツプが必要となるため、SRAMを用
いたメモリカードと比較して、そのカードに消去用のピ
ンが必要となる問題があった。
Mの消去方法に一括消去型(フラッシュタイプ)と、ブ
ロック単位の消去の2種類のタイプがあり、ブロック単
位の消去ができるものではSRAMと同様に用いること
ができるが、フラッシュタイプを用いる場合、SRAM
のようにバイト単位の書き替えが自由に行えないという
問題があった。
を増やす必要がなく、かつフラッシュタイプのEEPR
OMであってもバイト単位の書き替えを可能として、し
たがって従来のSRAMで構成されたメモリカードとの
互換性を図ることができるメモリカードの記録方法およ
びメモリカードシステムを提供することを目的とする。
メモリに一括消去型のEEPROMを用いたメモリカー
ドにおけるデータ記録方法において、メモリカード内に
同一容量のEEPROMを少なくとも2つ以上備え、そ
のうちの少なくとも1つのEEPROMを何も書き込ま
れていない状態である予備メモリとしておき、前回まで
にデータが書き込まれた一のEEPROMにそのデータ
の書き換えが行われるアクセスが生じた場合、その書き
換えを行うべきアドレスのメモリ内容を除く残りすべて
のメモJ内容を一のEEPROMから前記予備メモリに
コピして、その際に、予備メモリとコピー元のEEPR
OMとの物理アドレスを交換することにより予備メモノ
を記憶保持メモリに変換して、かつ、コピー元のEEP
ROMを一括消去することにかつ、コピー元のEEPR
OMを予備メモリに変換して、その後に、ブタ保持メモ
リとなったEEPROMに、その空きアドレスに中断し
ていたデータの書き込みを行うことにかつ、データの書
き換えを行う。
モリカードのメインメモリに一括消去型のEEPROM
を用いてなるメモリカードシステムにおいて、同一容量
のEEPROMを少なくとも2つ以上有し、そのうち少
なくとも1つのEEPROMが何も書き込まれていない
状態である予備メモリとして構成されたメインメモリ部
と、このメインメモリ部に書き込まれるデータの書込ア
ドレスを保持するアドレス発生部であって、その保持し
た書込アドレスに該当するメインメモリ部の一のEEP
ROMに前回のデータが記憶されている場合に、一のE
EPROMの内容をその書込アドレスのメモリ内容を除
いて予備メモリにコピーするための変換アドレスを発生
する機能を有したアドレス発生部と、メインメモリ部へ
のデータの書き込み、およびメインメモリ部からのデー
タの読み出しを行うデータ制御部であって、メインメモ
リ部にて一のEEPROMから予備メモリにデータのコ
ピーが行われている間に、書き込まれるべきデータを一
時保持するデータ制御部と、書き込みまたは読み出しが
行われるEEPROMに選択的に許可信号を送出するチ
ップセレクト制御部であって、メインメモリ部にて一の
EEPRONから予備メモリにコピーを行う際に、それ
らの物理アドレスの変更を行うチップセレクト制御部と
、電源オフ時におけるメインメモリ部のメモリ状態を管
理するためのメモリ管理テーブルと、電源オフ直前にお
ける前記チップセレクト制御部の選択状態とを記憶する
テーブル保持手段と、メインメモリ部のEEPROMへ
のデータの書き込みためのタイミング信号と、読み出し
のためのタイミング信号と、消去のためのタイミング信
号とをそれぞれ発生する制御信号発生部と、データの入
出刃先から入出力信号が供給されたときに、メモリ管理
テーブルの内容からメインメモリ部の状態を判断するこ
とにかつ、上記各部を制御して、データの移し替え、デ
ータの書き込みまたは読み出しを行わせるシステム制御
部とを備えて、SRAMを用いたメモリカードとの互換
性を図ることを特徴とする。
メモリカードシステムの一実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
に、データを記憶するためのメインメモリ部10と、こ
のメインメモリ部10の書き込み制御、または読み出し
制御を行うため制御部20とから構成されている。
EPRON (電気的に消去・書込可能な不揮発性メモ
リ)チップ1,2.、、から構成されており、そのうち
の少なくとも1つのEEPROMチップはデータが何も
書き込まれていない状態である予備メモリとなっている
。この予備メモリのEEPROMチップは、データを保
持したEEPROMにチップに上書きが生じた場合に使
用される。詳しくは、上書きが生じたそのアドレスを除
くメモリ内容がデータを保持したEEPROMチップか
ら予備メモリのチップにコピーされて、予備メモリがデ
ータ保持用のメモリとされて、その空きアドレスにデー
タが書き込まれる。コピー元のメモリは消去されて予備
メモリとなり、メインメモリlO内に、常に1個以上の
予備メモリが存在するようになっている。これらEEP
ROMチップ1,2.、、は、それぞれ−括消去型(フ
ラッシュタイプ)のEEPROMであり、それぞれ消去
信号が供給されると、記憶された内容がすべて”1”の
状態となってデータが消去される。また、これらEEP
RONチップ1,2.、、は、1バイト単位にデータの
書き込みまたは読み出しが行われるようになっている。
れる。コネクタ22は、アドレスバス100 と、デー
タへス110と、ライト信号線120と、リード信号線
130と、ビジー信号線140とにそれぞれ接続される
端子を有する。
み出しのためのアドレス信号が供給されてメインメモリ
部10へそのアドレス信号を送出するアドレス発生部2
4と、外部装置とメインメモリ部lOとの間にて書き込
みまたは読み出しのための双方向のデータの受は渡しを
行うデータ制御部26と、メインメモリ部lOのいずれ
のEEPROMチップ1.2.、、にデータを書き込み
または読み出しを行うかを選択するためのチップ選択信
号を送出するチップセレクト(CS)制御部28と、メ
インメモリ部lOへデータの書き込みまたは読み出しも
しくは消去のための制御信号を送出する制御信号発生部
30と、これら各部24〜30を制御するためのシステ
ム制御部32と、電源オフ時にシステム制御部30の管
理データを記憶する不揮発性RAM 34とを備えてい
る。
22を介して入力される書き込みまたは読み出しのため
のアドレスを保持するためのレジスタと、そのアドレス
を除< EEPROMチップの残りのアドレスを発生す
るための機能を有している。詳しくは、このアドレス発
生部24は、書込アドレスを外部装置から入力したとき
に、そのEEPROMチップの該当するアドレスに先の
データが記憶されている場合、システム制御部32から
アドレス発生部24に、メインメモリ部IO内にてコピ
ーを行う旨のコピー信号CPが送出されて、このアドレ
ス発生部24は、そのコピー信号CPを受けると、保持
した書込アドレスを除く書き替えのためのアドレスを順
次メインメモリ部lOに送出して、データ保持したメモ
リと予備メモリとの書き換えを行い、書き替えが終了し
た後に、保持しているアドレスをメインメモリ部10へ
送出する機能を有している。すなわち、このアドレス発
生部24は、外部装置から供給されたアドレスをメイン
メモリ部lOへ送出する機能と、メインメモリ部10内
におけるコピ一のためのアドレスを発生する機能を有し
ている。
いる。このデータ制御部26は、通常の書き込みの場合
は、外部装置から入力したデータを第1のバッファメモ
リを介してメインメモリ部10へ転送して、読み出しの
場合は、メインメモリ部10から読み出したデータを第
2のバッファメモリを介して外部装置側に転送する。ま
た、このデータ制御部26は、EEPROMチップに上
書きが生じた場合にシステム制御部32からチップ間の
コピーを行う旨のコピー信号が送出されることにかつ、
第1のバッファメモリに外部装置から入力したデータを
一時保持して、第2のバー、ファメモリにてEEPRO
M間のデータの移し換えのための作業を行い、移し換え
が終了すると、第1のバッファメモリからメインメモリ
部10へ保持したデータを転送する。
けるそれぞれのEEPROMI 、2.、 、のイネー
ブル端子に接続されている。このチップセレクト制御部
28は、アドレス発生部24から転送されるアドレス信
号に従って、いずれかのEEPROMチップ1,2.、
、のイネーブル端子をオンとする許可信号を送出する。
部10にて上書きが生じた場合には、システム制御部3
2から送出される選択信号SSに応動して、許可信号の
送出先を変更する。これによりメインメモリ部lO内に
て置き換えが行われたEEPROMチップの物理的アド
レスの変更が行われ、アドレス発生部24から送出され
るアドレスの送出先の変更が的確に行われる。
、cy)EEPROMチップへ、データの書き込みのた
めのタイミング信号と、読み出しのためのタイミング信
号と、消去のためのタイミング信号とをそれぞれ発生す
る回路であり、システム制御部32から送出される司令
信号O8にてそれぞれのタイミング信号を送出する。
して書き込みのためのライト信号WR1または読み出し
のためのリード信号RDが供給され、その判断を行って
各部24〜30を制御する回路である。
の記憶状態を各アドレス毎に管理するメモリ管理テーブ
ルを有しており、供給されるアドレス信号を読み取って
そのアドレスの記憶状態をメモリ管理テーブルと照合し
て、上書きの場合は、そのEEPROMの内容を予備メ
モリにコピーさせて、EEPROMの入れ換えを行うた
めの制御を行う。
制御部32のメモリ管理テーブルと、電源オフ直前にお
ける前記チップセレクト制御部28のEEPROMの選
択状態とを記憶するテーブル保持手段である。
の動作およびその記録方法を第2図およ第3図を参照し
て説明する。
装着して、その電源がオンとなると(200)システム
制御部32が起動して、外部装置にBUSY信号を送出
するとともに、不揮発性RAM 34からメモリ管理テ
ーブルおよびチップセレクタ制御部28の選択状態のデ
ータを読み出す(202)。読み出しが終了すると、B
USY信号をオフとして、データの書き込みおよび読み
出し待ち状態となる。
またはリード信号RDが入力されると、システム制御部
32は、その信号が書き込みまたは読み出しのいずれか
を判断する(210)。その判断結果が読み出しの場合
は、まず、外部装置へBUSY信号を送出してアドレス
信号待ち状態となる(212)。
ス信号をアドレス発生部24を介してメインメモリ部1
0およびチップセレクタ制御部28へ転送する(214
) 、チップセレクタ制御部28は、そのアドレスにて
指定されたEEPROMへ読み出し許可信号を送出する
(21B)。一方、システム制御部32から制御信号発
生部30に読み出し司令信号O5が送出されて(218
) 、制御信号発生部30から読み出しのためのタイミ
ング信号が送出される(220)。これにかつ、メイン
メモリ部10のEEPROMからデータがデータ制御部
26を介して外部装置へ読み出される(222)。そし
て、1バイト分のデータの読み出しが行われると、BU
SY信号が解除されて(224) 、次の命令待ち状態
となる。
WRが入力されたことを判断すると(210)、外部装
置から供給されたアドレス信号を取り込んで、メモリ管
理テーブルと照合して、その書き込みが対象のEEPR
OMへの上書きか否かを判断する(22B)。上書きで
はない場合は、まず、BUSY信号を外部装置に送出し
て(228) 、外部装置から入力したアドレス信号を
アドレス発生部24を介してメインメモリ部10および
チップセレクト制御部28へ転送する(230)。これ
にかつ、チップセレクト制御部28は、そのEEPRO
Mへ書き込み許可信号を送出する(232)。次に、外
部装置からデータが供給されると、システム制御部32
は、制御信号発生部30に書き込み司令信号O8を送出
して(234) 、制御信号発生部30から書き込みの
ためのタイミング信号を送出させる(23B) 、これ
にかつ、データ制御部26を介して転送されたデータが
対象のEEPROMに書き込まれる。1バイト分データ
が書き込まれると、システム制御部32は、そのメモリ
管理テープルにデータが書き込まれたアドレスのテーブ
ルを°1“°としてセットする+2381゜次いて、シ
ステム制御部32は、外部装置へ送出されているBUS
Y信号を解除して次の命令待ち状態となる(2401ま
た、システム制御部32は、外部装置からライト信号W
Rが送出されたことを判断して1210) 、その書込
アドレスが対象EEPROMへの上書きであると判断す
ると(2261、まず、BUSY信号を外部装置に送出
して(246) 、次いでアドレス発生部24とデータ
制御部26にコピー信号CPを送出する(248)。こ
れにかつ、アドレス発生部24は、外部装置より入力し
たそのアドレスを保持して+2501 、データ制御部
26は、外部装置から入力したデータをそのバッファメ
モリに保持する+252) このとき、システム制御
部32は、データ制御部26に保持されたデータの内容
が”FF“すなわちオール゛1°°のデータか否かを判
断して(254) 、その内容が’ F F ”である
場合は、メモリ管理テーブルのアドレスを”0″にセッ
トする(2561 これにかつ、次にこの番地にデ
ータを書き込む場合は、上書きではない状態で、データ
を書き込むことができる。また、データ制御部26に保
持されたデータが”FF”でなければ、メモリ管理テー
ブルは”工”のままの状態で、次の処理を行う。たとえ
ば、第2図に示すように、対象メモリを(1)のEEP
ROMチップとして、予備メモリを(4)のEEPRO
Mチップとし、(1)のEEPROMチップのX番地に
上書きが生じている場合を考えると、システム制御部3
2は、チップセレクト制御部28に、(1)のEEPR
OMチップに読み出し許可信号を送出する指示と、(4
)のEEPROMチップに書き込み許可信号を送出する
指示とを選択信号SSとして送出する。これにかつ、(
1)のEEPROMチップは、読み出し許可状態となっ
て、(4)のEEPRONチップは、書き込み許可状態
となる。一方、アドレス発生部24は、保持しているア
ドレスを除くコピ一のためのアドレスを送出して、制御
信号発生部30は、読み出しのためのタイミング信号を
(1)のEEPROMに送出して、(4)のEEPRO
Mに書き込みのためのタイミング信号を送出する。これ
にかつ、(1)のEEPROMからX番地のメモリ内容
を除くデータが1バイト毎にデータ制御部に読み出され
て、そのデータが(4)のEEPROMに書き込まれて
いき、データのコピーが予備メモリに行われる(258
)。
EPROMチップのナンバーを入れ換える等の処理によ
り物理的アドレスの交換が行われる(280)。
(1)のEEPROMチップの内容を消去するための消
去司令O8を送出する(282)。これにかつ、制御信
号発生部30は、消去するためのタイミング信号をメイ
ンメモリ10へ送出して、コピー元のEEPROMチッ
プのメモリ内容を消去して、このチップが予備メモリと
なる(284)。次いで、アドレス発生部24は、保持
したアドレス信号をチップセレクタ制御部28およびメ
インメモリ部10へ送出する。また、データ制御部26
は、保持していたデータをメインメモリ部10へ送出す
る。さらに、制御信号発生部30から書き込みのための
タイミング信号が送出されると、(4)のEEPROM
チップのx#i地にデータが書き込まれる(26Ei)
。次いで、システム制御部32は、外部装置へ送出して
いるBUSY信号を解除して、外部装置からの次の命令
待ち状態となる(2S&)。このように、この実施例に
おいては、1バイト毎のデータの書き込みおよび読み出
しが行われ、上記各動作を繰り返すことにかつ、所望の
量のデータの記録および再生を行うことができる。
さらにはメモリ管理を1バイト毎に行っていたが、ファ
イルのようなブロック型の情報の取り扱いがあらかじめ
わかっている場合は、それぞれの処理をブロック毎に行
なってもよい。また、上記実施例においては、制御部2
0にコネクタが取り付けられていたが、制御部20を外
部装置に取り付けておいて、メインメモリ部10のみを
カード化してもよい。
の記録方法およびメモリカードシステムでは、−括消去
型のEEPROMを少なくとも2つ備えて、そのうちの
少なくとも1つのEEPROMを予備メモリとしておい
て、上書きを行うアクセスが生じた場合に、そのアクセ
スの対象のEEPROMのそのアドレスを除くメモリ内
容を予備メモリにコピーして、EEPROMを入れ換え
ることにかつ、予備メモリからデータ保持メモリに変換
されたEEPROMに外部からの消去命令を行うことな
く、データの書き換えを行うことができる。したがって
、メモリカードにビンを増加させることなく、かつ−括
消去型のEEPROMをSRAMやブロック消去型のE
EPROMと同様に用いることができる。この結果、S
RAMを用いたメモリカードとの互換性を図り、いずれ
の場合にも用いることができる汎用性の高いメモリカー
ドシステムを提供することができる。
で、 EEPROMごとのアクセス回数が平均化される
。したがって、1つのEEPROMに書き換えが集中す
ることなく、書き換え回数が有限であるEEPROMの
全体としての寿命を伸ばすことができる効果を奏する。
ロック図、 第2図は、本発明の実施例におけるメモリカードにおけ
る記録方法を説明するための概念図、第3A図および第
3B図は、本発明の実施例における動作を説明するため
のフローチャートである。 主要部 の符=の説明 EPROM メインメモリ部 制御部 コネクタ アドレス発生部 データ制御部 チップセレクト制御部 制御信号発生部 システム制御部 不揮発性RAM 茅 凹 第 A 凹
Claims (2)
- 1. メインメモリに一括消去型のEEPROMを用い
たメモリカードにおけるデータ記録方法において、前記
メモリカード内に同一容量のEEPROMを少なくとも
2つ以上備え、そのうちの少なくとも1つのEEPRO
Mを何も書き込まれていない状態である予備メモリとし
ておき、 前回までにデータが書き込まれた一のEEPROMにそ
のデータの書き換えが行われるアクセスが生じた場合、
その書き換えを行うべきアドレスのメモリ内容を除く残
りすべてのメモリ内容を一のEEPROMから前記予備
メモリにコピーして、その際に、予備メモリとコピー元
のEEPROMとの物理アドレスを交換することにより
予備メモリを記憶保持メモリに変換して、 かつ、コピー元のEEPROMを一括消去することによ
り、コピー元のEEPROMを予備メモリに変換して、 その後に、データ保持メモリとなったEEPROMに、
その空きアドレスに中断していたデータの書き込みを行
うことにより、データの書き換えを行うことを特徴とす
るメモリカードにおけるデータ記録方法。 - 2. メモリカードのメインメモリに一括消去型のEE
PROMを用いてなるメモリカードシステムにおいて、 同一容量のEEPROMを少なくとも2つ以上有し、そ
のうち少なくとも1つのEEPROMが何も書き込まれ
ていない状態である予備メモリとして構成されたメイン
メモリ部と、 該メインメモリ部に書き込まれるデータの書込アドレス
を保持するアドレス発生部であって、その保持した書込
アドレスに該当するメインメモリ部の一のEEPROM
に前回のデータが記憶されている場合に、一のEEPR
OMの内容をその書込アドレスのメモリ内容を除いて予
備メモリにコピーするための変換アドレスを発生する機
能を有したアドレス発生部と、 前記メインメモリ部へのデータの書き込み、およびメイ
ンメモリ部からのデータの読み出しを行うデータ制御部
であって、前記メインメモリ部にて一のEEPROMか
ら予備メモリにデータのコピーが行われている間に、書
き込まれるべきデータを一時保持するデータ制御部と、 書き込みまたは読み出しが行われるEEPROMに選択
的に許可信号を送出するチップセレクト制御部であって
、前記メインメモリ部にて一のEEPROMから予備メ
モリにコピーを行う際に、それらの物理アドレスの変更
を行うチップセレクト制御部と、電源オフ時におけるメ
インメモリ部のメモリ状態を管理するためのメモリ管理
テーブルと、電源オフ直前における前記チップセレクト
制御部の選択状態とを記憶するテーブル保持手段と、 前記メインメモリ部のEEPROMへのデータの書き込
みためのタイミング信号と、読み出しのためのタイミン
グ信号と、消去のためのタイミング信号とをそれぞれ発
生する制御信号発生部と、 データの入出力先から入出力信号が供給されたときに、
前記メモリ管理テーブルの内容からメインメモリ部の状
態を判断することにより、上記各部を制御して、データ
の移し替え、データの書き込みまたは読み出しを行わせ
るシステム制御部とを備えてなることを特徴とするメモ
リカードシステム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25737490A JP2584119B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム |
US07/726,173 US5303198A (en) | 1990-09-28 | 1991-07-05 | Method of recording data in memory card having EEPROM and memory card system using the same |
EP91112963A EP0477503B1 (en) | 1990-09-28 | 1991-08-01 | Method of recording data in memory card having eeprom and memory card system using the same |
DE69124323T DE69124323T2 (de) | 1990-09-28 | 1991-08-01 | Verfahren zum Aufzeichnen von Daten in einer EEPROM-Speicherkarte und zugehöriges Speicherkartensystem |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25737490A JP2584119B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04137077A true JPH04137077A (ja) | 1992-05-12 |
JP2584119B2 JP2584119B2 (ja) | 1997-02-19 |
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ID=17305504
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25737490A Expired - Lifetime JP2584119B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2584119B2 (ja) |
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- 1990-09-28 JP JP25737490A patent/JP2584119B2/ja not_active Expired - Lifetime
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