JP2001257305A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体チップの電極とインナーリードとを直
接接合するようにして、製造工程の合理化を図った安価
で薄型の半導体装置及びその製造方法を得る。 【解決手段】 インナーリード５の先端部近傍の平面に
弾頭状に打ち出し形成した接合突起５ａの頂部を半導体
チップ２の電極３に接圧した状態で両面に熱硬化性エポ
キシ接着剤が被着された絶縁性接着部材８により半導体
チップ２とインナーリード５とを接着して電極３と接合
突起５ａの接圧状態を保持し、半導体チップ２、絶縁性
接着部材８及びインナーリード５を封止樹脂９で一体に
樹脂封止して樹脂封止型半導体装置１を形成する。
接接合するようにして、製造工程の合理化を図った安価
で薄型の半導体装置及びその製造方法を得る。 【解決手段】 インナーリード５の先端部近傍の平面に
弾頭状に打ち出し形成した接合突起５ａの頂部を半導体
チップ２の電極３に接圧した状態で両面に熱硬化性エポ
キシ接着剤が被着された絶縁性接着部材８により半導体
チップ２とインナーリード５とを接着して電極３と接合
突起５ａの接圧状態を保持し、半導体チップ２、絶縁性
接着部材８及びインナーリード５を封止樹脂９で一体に
樹脂封止して樹脂封止型半導体装置１を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体チップの
電極とインナーリードの先端部平面に打ち出し形成した
接合突起とを接圧した状態で半導体チップとインナーリ
ードとを絶縁性接着部材で接着し一体に樹脂封止するこ
とにより、製造工程の合理化を図った樹脂封止型半導体
装置及びその製造方法に関する。
電極とインナーリードの先端部平面に打ち出し形成した
接合突起とを接圧した状態で半導体チップとインナーリ
ードとを絶縁性接着部材で接着し一体に樹脂封止するこ
とにより、製造工程の合理化を図った樹脂封止型半導体
装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の樹脂封止型半導体装置において
は、通常、半導体チップの電極とインナーリードとの接
続はワイヤボンディング法によるものが一般的である
が、近年のＬＳＩ製造技術の急速な進歩に伴い高集積
化、小形化、高機能化への発展はめざましく、これに対
応して半導体チップの電極とインナーリードとの接続も
半導体チップの電極上に形成された半田バンプを介して
インナーリードと直接接続するフリップチップ接続方式
を適用したものが多数使用されるようになっている。フ
リップチップ接続方式を適用した従来の樹脂封止型半導
体装置としては、例えば特開平４−８５８３７号公報が
あり、半田バンプ電極付き半導体チップの回路形成面上
に絶縁性接着フィルム（テープ）付きリードフレームを
載置し、加熱ブロックで圧着して、半導体チップの回路
形成面上に絶縁性接着フィルム（テープ）を被着すると
共に、リードのインナーリードと半導体チップの半田バ
ンプ電極とを溶融・接合する技術が開示されている。
は、通常、半導体チップの電極とインナーリードとの接
続はワイヤボンディング法によるものが一般的である
が、近年のＬＳＩ製造技術の急速な進歩に伴い高集積
化、小形化、高機能化への発展はめざましく、これに対
応して半導体チップの電極とインナーリードとの接続も
半導体チップの電極上に形成された半田バンプを介して
インナーリードと直接接続するフリップチップ接続方式
を適用したものが多数使用されるようになっている。フ
リップチップ接続方式を適用した従来の樹脂封止型半導
体装置としては、例えば特開平４−８５８３７号公報が
あり、半田バンプ電極付き半導体チップの回路形成面上
に絶縁性接着フィルム（テープ）付きリードフレームを
載置し、加熱ブロックで圧着して、半導体チップの回路
形成面上に絶縁性接着フィルム（テープ）を被着すると
共に、リードのインナーリードと半導体チップの半田バ
ンプ電極とを溶融・接合する技術が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
樹脂封止型半導体装置におけるリードは、半田バンプ電
極を加熱して融解・固化させることにより半導体チップ
の外部端子（アルミ電極）と接続されるため、同公報の
第６図に示すように、半田バンプ電極の構成は、半導体
チップの外部端子（アルミ電極）上にＣｕ／Ｔｉの２層
バリアメタル層を形成し、その上にＮｉ層を形成し、そ
の上に半田バンプ（Ｐｂ／Ｓｎ）を形成したものとなっ
ており、半田バンプの構成が複雑で製造コストが高いと
言う問題があった。
樹脂封止型半導体装置におけるリードは、半田バンプ電
極を加熱して融解・固化させることにより半導体チップ
の外部端子（アルミ電極）と接続されるため、同公報の
第６図に示すように、半田バンプ電極の構成は、半導体
チップの外部端子（アルミ電極）上にＣｕ／Ｔｉの２層
バリアメタル層を形成し、その上にＮｉ層を形成し、そ
の上に半田バンプ（Ｐｂ／Ｓｎ）を形成したものとなっ
ており、半田バンプの構成が複雑で製造コストが高いと
言う問題があった。
【０００４】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体チップの電極（アルミ電
極）とインナーリードとを直接接合するようにして、製
造工程の合理化を図った安価な樹脂封止型半導体装置及
びその製造方法を得ることを目的としている。
ためになされたもので、半導体チップの電極（アルミ電
極）とインナーリードとを直接接合するようにして、製
造工程の合理化を図った安価な樹脂封止型半導体装置及
びその製造方法を得ることを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る樹脂封止
型半導体装置は、主表面に集積回路の電極が形成された
半導体チップと、この半導体チップの主表面に沿って近
接配置され先端部近傍の平面に形成された接合突起の頂
部が電極に接圧されたインナーリードを有するリード
と、電極の近傍の主表面の所定の領域とこの領域に対向
するインナーリード相互間を接着し、電極と接合突起の
頂部の接圧状態を保持する絶縁性接着部材と、半導体チ
ップ、絶縁性接着部材及びインナーリードを一体に封止
する封止樹脂とを備えたものである。また、絶縁性接着
部材を、電極の近傍の半導体チップの端部側又は中心側
の少なくとも一方の主表面の所定の領域に配置したもの
である。
型半導体装置は、主表面に集積回路の電極が形成された
半導体チップと、この半導体チップの主表面に沿って近
接配置され先端部近傍の平面に形成された接合突起の頂
部が電極に接圧されたインナーリードを有するリード
と、電極の近傍の主表面の所定の領域とこの領域に対向
するインナーリード相互間を接着し、電極と接合突起の
頂部の接圧状態を保持する絶縁性接着部材と、半導体チ
ップ、絶縁性接着部材及びインナーリードを一体に封止
する封止樹脂とを備えたものである。また、絶縁性接着
部材を、電極の近傍の半導体チップの端部側又は中心側
の少なくとも一方の主表面の所定の領域に配置したもの
である。
【０００６】この発明に係る樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、半導体チップ及びこの半導体チップの主表面
に沿って近接配置され集積回路の電極に電気的に接続さ
れたインナーリードを一体に樹脂封止する樹脂封止型半
導体装置の製造方法において、インナーリードの先端部
近傍の平面に打ち出して接合突起を形成する工程と、電
極の近傍の主表面の所定の領域とこの領域に対向するイ
ンナーリード間に絶縁性接着部材を介在させ、電極と接
合突起の頂部とを位置合わせし接圧した状態で絶縁性接
着部材を加熱、固化する工程とを含むものである。ま
た、絶縁性接着部材を、電極の近傍の半導体チップの端
部側又は中心側の少なくとも一方の主表面の所定の領域
に配置したものである。また、絶縁性接着部材に、熱硬
化性樹脂又は樹脂封止温度を越える耐熱温度を有する熱
可塑性樹脂を被着したものである
造方法は、半導体チップ及びこの半導体チップの主表面
に沿って近接配置され集積回路の電極に電気的に接続さ
れたインナーリードを一体に樹脂封止する樹脂封止型半
導体装置の製造方法において、インナーリードの先端部
近傍の平面に打ち出して接合突起を形成する工程と、電
極の近傍の主表面の所定の領域とこの領域に対向するイ
ンナーリード間に絶縁性接着部材を介在させ、電極と接
合突起の頂部とを位置合わせし接圧した状態で絶縁性接
着部材を加熱、固化する工程とを含むものである。ま
た、絶縁性接着部材を、電極の近傍の半導体チップの端
部側又は中心側の少なくとも一方の主表面の所定の領域
に配置したものである。また、絶縁性接着部材に、熱硬
化性樹脂又は樹脂封止温度を越える耐熱温度を有する熱
可塑性樹脂を被着したものである
【０００７】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下、この発明の
一実施の形態の樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
につき、図面に基づいて説明する。図１は、この発明の
実施の形態１である樹脂封止型半導体装置の断面図、図
２は、図１の樹脂封止型半導体装置のリード接続工程を
終えた状態を示す平面図、図３は、図１におけるＡ部の
拡大断面図、図４は、図１の樹脂封止型半導体装置の製
造方法を示す図である。
一実施の形態の樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
につき、図面に基づいて説明する。図１は、この発明の
実施の形態１である樹脂封止型半導体装置の断面図、図
２は、図１の樹脂封止型半導体装置のリード接続工程を
終えた状態を示す平面図、図３は、図１におけるＡ部の
拡大断面図、図４は、図１の樹脂封止型半導体装置の製
造方法を示す図である。
【０００８】図１〜図４において、２は集積回路が形成
された半導体チップであり、その主表面端部周辺にはア
ルミニウム膜で形成された８０〜１００μｍ□寸法の電
極３が複数個配設されている。そして、１６０〜３００
μｍ程度の幅と９０〜２００μｍ程度厚さを有するリー
ド４の半田めっきされたインナーリード５が、図１〜図
３に示すように半導体チップ２の主表面に沿って電極３
に向けて配設され、その先端部近傍の平面に打ち出し形
成された接合突起５ａの頂部が上記電極３上に、例えば
４０〜７０ｇ程度の力で接圧される。なお、接合突起５
ａは根元径が約１００μｍ、高さが約１００μｍ程度で
弾頭状に形成される。そして、上記電極３が形成された
領域近傍の半導体チップ２の主表面端部側は、両面に熱
硬化性エポキシ接着剤が被着された絶縁性接合部材８を
介して対向するインナーリード５と接着され、接合突起
５ａと電極３との接圧状態が保持されている。７は枠内
にインナーリード５及びアウターリード６を有するリー
ド４が複数形成された（図示せず）リードフレームであ
る。ここで、絶縁性接合部材８は、例えば５０μｍ程度
厚さのポリイミド樹脂フィルムを基材として両面に熱硬
化性エポキシ接着剤が被着されたものである。９は熱硬
化性エポキシからなる封止樹脂であり、半導体チップ
２、電極３、インナーリード５、接合突起５ａ及び絶縁
性接合部材８は封止樹脂９により一体に封止されて樹脂
封止型半導体装置１が構成されている。
された半導体チップであり、その主表面端部周辺にはア
ルミニウム膜で形成された８０〜１００μｍ□寸法の電
極３が複数個配設されている。そして、１６０〜３００
μｍ程度の幅と９０〜２００μｍ程度厚さを有するリー
ド４の半田めっきされたインナーリード５が、図１〜図
３に示すように半導体チップ２の主表面に沿って電極３
に向けて配設され、その先端部近傍の平面に打ち出し形
成された接合突起５ａの頂部が上記電極３上に、例えば
４０〜７０ｇ程度の力で接圧される。なお、接合突起５
ａは根元径が約１００μｍ、高さが約１００μｍ程度で
弾頭状に形成される。そして、上記電極３が形成された
領域近傍の半導体チップ２の主表面端部側は、両面に熱
硬化性エポキシ接着剤が被着された絶縁性接合部材８を
介して対向するインナーリード５と接着され、接合突起
５ａと電極３との接圧状態が保持されている。７は枠内
にインナーリード５及びアウターリード６を有するリー
ド４が複数形成された（図示せず）リードフレームであ
る。ここで、絶縁性接合部材８は、例えば５０μｍ程度
厚さのポリイミド樹脂フィルムを基材として両面に熱硬
化性エポキシ接着剤が被着されたものである。９は熱硬
化性エポキシからなる封止樹脂であり、半導体チップ
２、電極３、インナーリード５、接合突起５ａ及び絶縁
性接合部材８は封止樹脂９により一体に封止されて樹脂
封止型半導体装置１が構成されている。
【０００９】次に、上記構成の樹脂封止型半導体装置１
の製造方法につき、図４を基に説明する。まず、ダイ２
０の加工穴２０ａ及び押圧具２１の弾頭状突起２１ａと
インナーリード５の先端部とを位置合わせしてリードフ
レーム７をダイ２０上にセットし、押圧具２１を矢印方
向に下降させてインナーリード５の先端部近傍の平面に
弾頭状に打ち出した接合突起５ａを形成する（図４
（ａ））。主表面に上記接合部材８が接着された複数の
半導体チップ２をヒータ２３が埋設されたヒートブロッ
ク２２上の所定位置に固定し、例えば１００℃程度に半
導体チップ２を余熱する（図４（ｂ））。次いで、イン
ナーリード５の接合突起５ａの頂部を半導体チップ２の
電極３に位置合わせしてリードフレーム７を半導体チッ
プ２上に載置する。そして、押圧具２４を矢印方向に下
降させてインナーリード５の先端部を押圧し、電極３と
接合突起５ａの頂部とを接圧した状態で半導体チップ２
の温度を約１７０℃程度となるようにヒータ２３を加熱
して約１０〜２０秒間保持し、絶縁性接合部材８の熱硬
化性エポキシ接着剤をキュアしてインナーリード５の半
導体チップ２の電極３へのボンディングが終わる（図４
（ｃ））。そして、半導体チップ２が接着されたリード
フレーム７を上、下の封止金型３１、３０のキャビティ
３１ａ、３０ａ内にセットし、ポット３１ｃに注入され
た溶融樹脂をプランジャー３２により加圧してランナー
３１ｂ、３０ｂを経てキャビティ３１ａ、３０ａ内に注
入し、半導体チップ２、絶縁性接着部材８及びインナー
リード５が封止樹脂９により一体に樹脂封止される（図
４（ｅ））。
の製造方法につき、図４を基に説明する。まず、ダイ２
０の加工穴２０ａ及び押圧具２１の弾頭状突起２１ａと
インナーリード５の先端部とを位置合わせしてリードフ
レーム７をダイ２０上にセットし、押圧具２１を矢印方
向に下降させてインナーリード５の先端部近傍の平面に
弾頭状に打ち出した接合突起５ａを形成する（図４
（ａ））。主表面に上記接合部材８が接着された複数の
半導体チップ２をヒータ２３が埋設されたヒートブロッ
ク２２上の所定位置に固定し、例えば１００℃程度に半
導体チップ２を余熱する（図４（ｂ））。次いで、イン
ナーリード５の接合突起５ａの頂部を半導体チップ２の
電極３に位置合わせしてリードフレーム７を半導体チッ
プ２上に載置する。そして、押圧具２４を矢印方向に下
降させてインナーリード５の先端部を押圧し、電極３と
接合突起５ａの頂部とを接圧した状態で半導体チップ２
の温度を約１７０℃程度となるようにヒータ２３を加熱
して約１０〜２０秒間保持し、絶縁性接合部材８の熱硬
化性エポキシ接着剤をキュアしてインナーリード５の半
導体チップ２の電極３へのボンディングが終わる（図４
（ｃ））。そして、半導体チップ２が接着されたリード
フレーム７を上、下の封止金型３１、３０のキャビティ
３１ａ、３０ａ内にセットし、ポット３１ｃに注入され
た溶融樹脂をプランジャー３２により加圧してランナー
３１ｂ、３０ｂを経てキャビティ３１ａ、３０ａ内に注
入し、半導体チップ２、絶縁性接着部材８及びインナー
リード５が封止樹脂９により一体に樹脂封止される（図
４（ｅ））。
【００１０】以上のように、本発明の実施の形態１にお
いては、インナーリード５の接合突起５ａを弾頭状突起
２１ａ付きの押圧具２１により打ち出し形成し、半導体
チップ２の電極３と接合突起５ａの頂部とを接圧した状
態で電極３近傍の半導体チップ２の主表面端部の領域と
対向するインナーリード５間を絶縁性接着部材８を介し
接着・固化して電極３と接合突起５ａ間を強固に接圧保
持し一体に樹脂封止したので、パッケージ厚さを薄く形
成できると共に、半導体チップ２の各電極３とインナー
リード５間の電気的ボンディングが安価に得られ、安価
で薄型の樹脂封止型半導体装置が得られる。また、電極
３とインナーリード５間がボンディングワイヤーで接続
されていないので、樹脂封止を信頼性高く行うことがで
きる。
いては、インナーリード５の接合突起５ａを弾頭状突起
２１ａ付きの押圧具２１により打ち出し形成し、半導体
チップ２の電極３と接合突起５ａの頂部とを接圧した状
態で電極３近傍の半導体チップ２の主表面端部の領域と
対向するインナーリード５間を絶縁性接着部材８を介し
接着・固化して電極３と接合突起５ａ間を強固に接圧保
持し一体に樹脂封止したので、パッケージ厚さを薄く形
成できると共に、半導体チップ２の各電極３とインナー
リード５間の電気的ボンディングが安価に得られ、安価
で薄型の樹脂封止型半導体装置が得られる。また、電極
３とインナーリード５間がボンディングワイヤーで接続
されていないので、樹脂封止を信頼性高く行うことがで
きる。
【００１１】実施の形態２．図５は、この発明の実施の
形態２である樹脂封止型半導体装置の断面図、図６は、
樹脂封止型半導体装置のリード接続工程を終えた状態を
示す平面図、図７は、図１におけるＢ部の拡大断面図で
ある。
形態２である樹脂封止型半導体装置の断面図、図６は、
樹脂封止型半導体装置のリード接続工程を終えた状態を
示す平面図、図７は、図１におけるＢ部の拡大断面図で
ある。
【００１２】図５〜図７において、１０は半導体チップ
２の主表面の電極３の近傍領域と対向するインナーリー
ド５の先端面の間に接着された絶縁性接着部材であり、
絶縁性接着部材８と同様の構成になっている。本実施の
形態２おいては、図示のように電極３と接合突起５ａと
の接合部を挟んで絶縁性接着部材８，９を接着し、これ
による接圧保持をより確実にしている点が実施の形態１
の場合と異なる。したがって、樹脂封止型半導体装置の
製造方法も実施の形態１の場合と同様であり、実施の形
態１におけると同様の効果を奏する。
２の主表面の電極３の近傍領域と対向するインナーリー
ド５の先端面の間に接着された絶縁性接着部材であり、
絶縁性接着部材８と同様の構成になっている。本実施の
形態２おいては、図示のように電極３と接合突起５ａと
の接合部を挟んで絶縁性接着部材８，９を接着し、これ
による接圧保持をより確実にしている点が実施の形態１
の場合と異なる。したがって、樹脂封止型半導体装置の
製造方法も実施の形態１の場合と同様であり、実施の形
態１におけると同様の効果を奏する。
【００１３】なお、上記実施の形態１、２においては、
半導体チップの電極が主表面の端部に配設されたものを
示したが、これに限らず、本発明は、電極が主表面の中
央部に配列されたＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）
型半導体チップに対しても適用できる。また、絶縁性接
着部材を電極の近傍の半導体チップの端部側主表面上に
設けたものや、電極の近傍の半導体チップの端部側及び
中心側主表面上に設けたものを示したが、中心側主表面
上に設けたものとしても同様の効果を奏する。更に、絶
縁性接着部材は両面に熱硬化性エポキシ樹脂を被着した
ものを示したが、樹脂封止時の温度（約１８０°Ｃ）を
越える耐熱温度を有する公知の熱可塑性ポリエステル系
樹脂接着剤を用いても良く、電極と接合突起との接圧保
持力が失われることなく樹脂封止を行うことができる。
半導体チップの電極が主表面の端部に配設されたものを
示したが、これに限らず、本発明は、電極が主表面の中
央部に配列されたＬＯＣ（Ｌｅａｄ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）
型半導体チップに対しても適用できる。また、絶縁性接
着部材を電極の近傍の半導体チップの端部側主表面上に
設けたものや、電極の近傍の半導体チップの端部側及び
中心側主表面上に設けたものを示したが、中心側主表面
上に設けたものとしても同様の効果を奏する。更に、絶
縁性接着部材は両面に熱硬化性エポキシ樹脂を被着した
ものを示したが、樹脂封止時の温度（約１８０°Ｃ）を
越える耐熱温度を有する公知の熱可塑性ポリエステル系
樹脂接着剤を用いても良く、電極と接合突起との接圧保
持力が失われることなく樹脂封止を行うことができる。
【００１４】
【発明の効果】この発明は以上のように構成したので、
以下に示す効果を奏する。樹脂封止型半導体装置及びそ
の製造方法を、半導体チップの電極とインナーリードの
先端部近傍の平面に形成した接合突起の頂部とを接圧し
た状態で電極近傍の半導体チップ表面と対向するインナ
ーリード間を絶縁性接着部材で接着して電極と接合突起
との接圧状態を保持し一体に樹脂封止する構成としたの
で、インナーリードと電極との電気的接続を安価に実現
できると共に、樹脂封止を信頼性高く、かつ、パッケー
ジ厚さを薄く形成できる。
以下に示す効果を奏する。樹脂封止型半導体装置及びそ
の製造方法を、半導体チップの電極とインナーリードの
先端部近傍の平面に形成した接合突起の頂部とを接圧し
た状態で電極近傍の半導体チップ表面と対向するインナ
ーリード間を絶縁性接着部材で接着して電極と接合突起
との接圧状態を保持し一体に樹脂封止する構成としたの
で、インナーリードと電極との電気的接続を安価に実現
できると共に、樹脂封止を信頼性高く、かつ、パッケー
ジ厚さを薄く形成できる。
【図１】 この発明の実施の形態１である樹脂封止型半
導体装置の断面図である。
導体装置の断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１である樹脂封止型半
導体装置のリード接続工程を終えた状態を示す平面図で
ある。
導体装置のリード接続工程を終えた状態を示す平面図で
ある。
【図３】 図１におけるＡ部の拡大断面図である。
【図４】 この発明の実施の形態１である樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す図である。
導体装置の製造方法を示す図である。
【図５】 この発明の実施の形態２である樹脂封止型半
導体装置の断面図である。
導体装置の断面図である。
【図６】 この発明の実施の形態２である樹脂封止型半
導体装置のリード接続工程を終えた状態を示す平面図で
ある。
導体装置のリード接続工程を終えた状態を示す平面図で
ある。
【図７】 図５におけるＢ部の拡大断面図である。
１，１１；樹脂封止型半導体装置 ２；半導体チップ
３；電極 ４；リード ５；インナーリード ５ａ；接合突起 ８，１０；絶縁性接着部材 ９；封止樹脂
３；電極 ４；リード ５；インナーリード ５ａ；接合突起 ８，１０；絶縁性接着部材 ９；封止樹脂
Claims (5)
- 【請求項１】 主表面に集積回路の電極が形成された半
導体チップ、この半導体チップの上記主表面に沿って近
接配置され先端部近傍の平面に形成された接合突起の頂
部が上記電極に接圧されたインナーリードを有するリー
ド、上記電極の近傍の上記主表面の所定の領域とこの領
域に対向する上記インナーリード相互間を接着し、上記
電極と上記接合突起の頂部の接圧状態を保持する絶縁性
接着部材、上記半導体チップ、上記絶縁性接着部材及び
上記インナーリードを一体に封止する封止樹脂を備えた
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 絶縁性接着部材は、電極の近傍の半導体
チップの端部側又は中心側の少なくとも一方の主表面の
所定の領域に配置されていることを特徴とする請求項１
記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 半導体チップ及びこの半導体チップの主
表面に沿って近接配置され集積回路の電極に電気的に接
続されたインナーリードを一体に樹脂封止する樹脂封止
型半導体装置の製造方法において、上記インナーリード
の先端部近傍の平面に打ち出して接合突起を形成する工
程、上記電極の近傍の上記主表面の所定の領域とこの領
域に対向する上記インナーリード間に絶縁性接着部材を
介在させ、上記電極と上記接合突起の頂部とを位置合わ
せし接圧した状態で上記絶縁性接着部材を加熱、固化す
る工程を含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の
製造方法。 - 【請求項４】 絶縁性接着部材は、電極の近傍の半導体
チップの端部側又は中心側の少なくとも一方の主表面の
所定の領域に配置することを特徴とする請求項３記載の
樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 絶縁性接着部材は、熱硬化性樹脂又は樹
脂封止温度を越える耐熱温度を有する熱可塑性樹脂が被
着されていることを特徴とする請求項３又は請求項４記
載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000066025A JP2001257305A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000066025A JP2001257305A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001257305A true JP2001257305A (ja) | 2001-09-21 |
Family
ID=18585459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000066025A Pending JP2001257305A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001257305A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006303006A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Yaskawa Electric Corp | パワーモジュール |
| JP2013062396A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Toyota Motor Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2020123691A (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-13 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体製品 |
-
2000
- 2000-03-10 JP JP2000066025A patent/JP2001257305A/ja active Pending
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| JP2013062396A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Toyota Motor Corp | 半導体装置とその製造方法 |
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