JPH09275098A - エッチング方法 - Google Patents
エッチング方法Info
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- JPH09275098A JPH09275098A JP10480196A JP10480196A JPH09275098A JP H09275098 A JPH09275098 A JP H09275098A JP 10480196 A JP10480196 A JP 10480196A JP 10480196 A JP10480196 A JP 10480196A JP H09275098 A JPH09275098 A JP H09275098A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 下地金属層のうちチタン−タングステン合金
からなる拡散防止層を過酸化水素を含むエッチング液に
よってウエットエッチングするエッチング方法におい
て、エッチング速度を向上させることができるようにす
る。 【解決手段】 エッチング液２０中にはチタン−タング
ステン合金よりも酸化物の生成自由エネルギーが低い銅
が予め混入されている。この場合、混入された銅はエッ
チング液２０中で過酸化水素によって酸化されて酸化銅
になっている。そして、この状態で拡散防止層１５をエ
ッチング液２０中に浸漬すると、酸化銅が拡散防止層１
５を形成するチタン−タングステン合金を酸化すること
で拡散防止層１５がエッチング除去される。この場合の
エッチング速度は、過酸化水素がチタン−タングステン
合金を酸化することで拡散防止層１５がエッチング除去
されるエッチング速度よりも速く、エッチング速度を向
上させることができる。
からなる拡散防止層を過酸化水素を含むエッチング液に
よってウエットエッチングするエッチング方法におい
て、エッチング速度を向上させることができるようにす
る。 【解決手段】 エッチング液２０中にはチタン−タング
ステン合金よりも酸化物の生成自由エネルギーが低い銅
が予め混入されている。この場合、混入された銅はエッ
チング液２０中で過酸化水素によって酸化されて酸化銅
になっている。そして、この状態で拡散防止層１５をエ
ッチング液２０中に浸漬すると、酸化銅が拡散防止層１
５を形成するチタン−タングステン合金を酸化すること
で拡散防止層１５がエッチング除去される。この場合の
エッチング速度は、過酸化水素がチタン−タングステン
合金を酸化することで拡散防止層１５がエッチング除去
されるエッチング速度よりも速く、エッチング速度を向
上させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はエッチング方法に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばＣＯＧ(Chip on Glass)方式と呼
ばれる半導体チップの実装技術では、半導体チップを回
路基板上に搭載している。この場合、半導体チップに設
けられた突起電極を回路基板上の接続パッドにボンディ
ングしている。したがって、半導体チップには突起電極
を設ける必要がある。
ばれる半導体チップの実装技術では、半導体チップを回
路基板上に搭載している。この場合、半導体チップに設
けられた突起電極を回路基板上の接続パッドにボンディ
ングしている。したがって、半導体チップには突起電極
を設ける必要がある。
【０００３】次に、このような突起電極の形成方法につ
いて図６〜図９を順に参照しながら説明する。まず、図
６に示すように、シリコン基板１上に接続パッド２が形
成され、その上面の接続パッド２の中央部を除く部分に
絶縁膜３が形成され、接続パッド２の中央部が絶縁膜３
に形成された開口部４を介して露出されたものを用意す
る。次に、図７に示すように、上面全体に下地金属層と
しての拡散防止層５および接着層６を形成する。次に、
接着層６の上面の接続パッド２に対応する部分を除く部
分にメッキレジスト層７を形成する。したがって、この
状態では、接続パッド２に対応する部分におけるメッキ
レジスト層７には開口部８が形成されている。次に、接
着層６をメッキ電流路として電解メッキを行うことによ
り、メッキレジスト層７の開口部８内の接着層６の上面
に突起電極９を形成する。次に、メッキレジスト層７を
剥離すると、図８に示すようになる。次に、図９に示す
ように、突起電極９をエッチングマスクとして接着層６
および拡散防止層５の不要な部分をウエットエッチング
により除去する。かくして、突起電極９の形成が終了す
る。
いて図６〜図９を順に参照しながら説明する。まず、図
６に示すように、シリコン基板１上に接続パッド２が形
成され、その上面の接続パッド２の中央部を除く部分に
絶縁膜３が形成され、接続パッド２の中央部が絶縁膜３
に形成された開口部４を介して露出されたものを用意す
る。次に、図７に示すように、上面全体に下地金属層と
しての拡散防止層５および接着層６を形成する。次に、
接着層６の上面の接続パッド２に対応する部分を除く部
分にメッキレジスト層７を形成する。したがって、この
状態では、接続パッド２に対応する部分におけるメッキ
レジスト層７には開口部８が形成されている。次に、接
着層６をメッキ電流路として電解メッキを行うことによ
り、メッキレジスト層７の開口部８内の接着層６の上面
に突起電極９を形成する。次に、メッキレジスト層７を
剥離すると、図８に示すようになる。次に、図９に示す
ように、突起電極９をエッチングマスクとして接着層６
および拡散防止層５の不要な部分をウエットエッチング
により除去する。かくして、突起電極９の形成が終了す
る。
【０００４】ところで、拡散防止層５にチタン−タング
ステン合金を用いた場合、このチタン−タングステン合
金をウエットエッチングするエッチング液には過酸化水
素（Ｈ2Ｏ2）の３０％水溶液が用いられる。そして、こ
のエッチング液を用いてチタン−タングステン合金をウ
エットエッチングすると、以下の化学反応式（１）およ
び（２）に示すように、チタン（Ｔｉ）と過酸化水素と
が反応して酸化チタン（ＴｉＯ2）が生成され、タング
ステン（Ｗ）と過酸化水素とが反応して酸化タングステ
ン（ＷＯ2）が生成されることで、拡散防止層５の不要
な部分が除去される。なお、一般に、エッチング速度は
エッチング液の液温が上昇するほど速くなる。 Ｔｉ＋２Ｈ2Ｏ2→ＴｉＯ2＋２Ｈ2Ｏ （１） Ｗ＋２Ｈ2Ｏ2→ＷＯ2＋２Ｈ2Ｏ （２）
ステン合金を用いた場合、このチタン−タングステン合
金をウエットエッチングするエッチング液には過酸化水
素（Ｈ2Ｏ2）の３０％水溶液が用いられる。そして、こ
のエッチング液を用いてチタン−タングステン合金をウ
エットエッチングすると、以下の化学反応式（１）およ
び（２）に示すように、チタン（Ｔｉ）と過酸化水素と
が反応して酸化チタン（ＴｉＯ2）が生成され、タング
ステン（Ｗ）と過酸化水素とが反応して酸化タングステ
ン（ＷＯ2）が生成されることで、拡散防止層５の不要
な部分が除去される。なお、一般に、エッチング速度は
エッチング液の液温が上昇するほど速くなる。 Ｔｉ＋２Ｈ2Ｏ2→ＴｉＯ2＋２Ｈ2Ｏ （１） Ｗ＋２Ｈ2Ｏ2→ＷＯ2＋２Ｈ2Ｏ （２）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなエッチング方法において、エッチング液に用
いられる過酸化水素はそれ自体が酸素を放出して徐々に
分解する非常に不安定な化学物質であるので、エッチン
グ速度を向上させるためにエッチング液の液温を上昇さ
せると、過酸化水素の分解速度も速くなってエッチング
液の寿命が短くなり、エッチング速度を向上させること
が困難であるという問題があった。この発明の課題は、
エッチング速度を向上させることができるようにするこ
とである。
このようなエッチング方法において、エッチング液に用
いられる過酸化水素はそれ自体が酸素を放出して徐々に
分解する非常に不安定な化学物質であるので、エッチン
グ速度を向上させるためにエッチング液の液温を上昇さ
せると、過酸化水素の分解速度も速くなってエッチング
液の寿命が短くなり、エッチング速度を向上させること
が困難であるという問題があった。この発明の課題は、
エッチング速度を向上させることができるようにするこ
とである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、被エッチン
グ金属を過酸化水素を含むエッチング液によってウエッ
トエッチングするエッチング方法において、前記エッチ
ング液中に前記被エッチング金属よりも酸化物の生成自
由エネルギーが低い所定金属を予め混入するものであ
る。
グ金属を過酸化水素を含むエッチング液によってウエッ
トエッチングするエッチング方法において、前記エッチ
ング液中に前記被エッチング金属よりも酸化物の生成自
由エネルギーが低い所定金属を予め混入するものであ
る。
【０００７】この発明によれば、エッチング液中に被エ
ッチング金属よりも酸化物の生成自由エネルギーが低い
所定金属を予め混入するので、混入された所定金属がエ
ッチング液中で過酸化水素によって酸化されて所定金属
の酸化物になり、この状態で被エッチング金属をエッチ
ング液中に浸漬すると、所定金属の酸化物が被エッチン
グ金属を酸化することで被エッチング金属がエッチング
除去され、この場合のエッチング速度が過酸化水素が被
エッチング金属を酸化することで被エッチング金属がエ
ッチング除去されるエッチング速度よりも速く、エッチ
ング速度を向上させることができる。
ッチング金属よりも酸化物の生成自由エネルギーが低い
所定金属を予め混入するので、混入された所定金属がエ
ッチング液中で過酸化水素によって酸化されて所定金属
の酸化物になり、この状態で被エッチング金属をエッチ
ング液中に浸漬すると、所定金属の酸化物が被エッチン
グ金属を酸化することで被エッチング金属がエッチング
除去され、この場合のエッチング速度が過酸化水素が被
エッチング金属を酸化することで被エッチング金属がエ
ッチング除去されるエッチング速度よりも速く、エッチ
ング速度を向上させることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１〜図５はそれぞれこの発明の
一実施形態を適用した突起電極の各形成工程を示したも
のである。そこで、これらの図を順に参照しながら、こ
の実施形態を適用した突起電極の形成方法について説明
する。
一実施形態を適用した突起電極の各形成工程を示したも
のである。そこで、これらの図を順に参照しながら、こ
の実施形態を適用した突起電極の形成方法について説明
する。
【０００９】まず、図１に示すように、シリコン基板１
１上にアルミニウム等からなる接続パッド１２が形成さ
れ、その上面の接続パッド１２の中央部を除く部分に酸
化シリコンや窒化シリコン等からなる絶縁膜（パッシベ
ーション膜）１３が形成され、接続パッド１２の中央部
が絶縁膜１３に形成された開口部１４を介して露出され
たものを用意する。
１上にアルミニウム等からなる接続パッド１２が形成さ
れ、その上面の接続パッド１２の中央部を除く部分に酸
化シリコンや窒化シリコン等からなる絶縁膜（パッシベ
ーション膜）１３が形成され、接続パッド１２の中央部
が絶縁膜１３に形成された開口部１４を介して露出され
たものを用意する。
【００１０】次に、図２に示すように、上面全体にチタ
ン−タングステン合金（被エッチング金属）からなる拡
散防止層１５および金、銅、ニッケル等からなる接着層
１６をスパッタリング法や真空蒸着法等により成膜す
る。次に、接着層１６の上面の接続パッド１２に対応す
る部分を除く部分にメッキレジスト層１７を形成する。
したがって、この状態では、接続パッド１２に対応する
部分におけるメッキレジスト層１７には開口部１８が形
成されている。次に、接着層１６をメッキ電流路として
電解メッキを行うことにより、メッキレジスト層１７の
開口部１８内における接着層１６の上面に金等からなる
突起電極１９が形成される。
ン−タングステン合金（被エッチング金属）からなる拡
散防止層１５および金、銅、ニッケル等からなる接着層
１６をスパッタリング法や真空蒸着法等により成膜す
る。次に、接着層１６の上面の接続パッド１２に対応す
る部分を除く部分にメッキレジスト層１７を形成する。
したがって、この状態では、接続パッド１２に対応する
部分におけるメッキレジスト層１７には開口部１８が形
成されている。次に、接着層１６をメッキ電流路として
電解メッキを行うことにより、メッキレジスト層１７の
開口部１８内における接着層１６の上面に金等からなる
突起電極１９が形成される。
【００１１】次に、メッキレジスト層１７を剥離し、突
起電極１９をエッチングマスクとして接着層１６の不要
な部分をウエットエッチングにより除去すると、図３に
示すようになる。次に、図４に示すように、過酸化水素
の３０％水溶液に拡散防止層１５のモル量よりも多めの
銅（所定金属）を混入したものからなるエッチング液２
０を用意する。この場合、以下の化学反応式（３）に示
すように、銅（Ｃｕ）と過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）とが反応
して酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）が生成されている。 ２Ｃｕ＋Ｈ2Ｏ2→Ｃｕ2Ｏ＋Ｈ2Ｏ （３） 次に、エッチング液２０中に所定時間浸漬し、突起電極
１９をエッチングマスクとして拡散防止層１５をウエッ
トエッチングすると、酸化チタン（ＴｉＯ2）および酸
化タングステン（ＷＯ2）の生成自由エネルギーが酸化
銅の生成自由エネルギーよりも高いので、以下の化学反
応式（４）および（５）に示すように、チタンが酸化銅
によって酸化されて酸化チタンが生成され、タングステ
ンが酸化銅によって酸化されて酸化タングステンが生成
され、図５に示すように、拡散防止層１５の不要な部分
が除去され、かくして突起電極１９の形成が終了する。 Ｔｉ＋２Ｃｕ2Ｏ→ＴｉＯ2＋４Ｃｕ （４） Ｗ＋２Ｃｕ2Ｏ→ＷＯ2＋４Ｃｕ （５） この場合、過酸化水素から放出された酸素イオンがチタ
ン−タングステン合金を酸化する速度よりも酸化銅がチ
タン−タングステン合金を酸化する速度の方が速いの
で、エッチング速度を向上させることができる。
起電極１９をエッチングマスクとして接着層１６の不要
な部分をウエットエッチングにより除去すると、図３に
示すようになる。次に、図４に示すように、過酸化水素
の３０％水溶液に拡散防止層１５のモル量よりも多めの
銅（所定金属）を混入したものからなるエッチング液２
０を用意する。この場合、以下の化学反応式（３）に示
すように、銅（Ｃｕ）と過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）とが反応
して酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）が生成されている。 ２Ｃｕ＋Ｈ2Ｏ2→Ｃｕ2Ｏ＋Ｈ2Ｏ （３） 次に、エッチング液２０中に所定時間浸漬し、突起電極
１９をエッチングマスクとして拡散防止層１５をウエッ
トエッチングすると、酸化チタン（ＴｉＯ2）および酸
化タングステン（ＷＯ2）の生成自由エネルギーが酸化
銅の生成自由エネルギーよりも高いので、以下の化学反
応式（４）および（５）に示すように、チタンが酸化銅
によって酸化されて酸化チタンが生成され、タングステ
ンが酸化銅によって酸化されて酸化タングステンが生成
され、図５に示すように、拡散防止層１５の不要な部分
が除去され、かくして突起電極１９の形成が終了する。 Ｔｉ＋２Ｃｕ2Ｏ→ＴｉＯ2＋４Ｃｕ （４） Ｗ＋２Ｃｕ2Ｏ→ＷＯ2＋４Ｃｕ （５） この場合、過酸化水素から放出された酸素イオンがチタ
ン−タングステン合金を酸化する速度よりも酸化銅がチ
タン−タングステン合金を酸化する速度の方が速いの
で、エッチング速度を向上させることができる。
【００１２】このように、エッチング液２０中にチタン
−タングステン合金よりも酸化物の生成自由エネルギー
が低い銅を予め混入するので、混入された銅がエッチン
グ液２０中で過酸化水素によって酸化されて酸化銅にな
り、この状態で拡散防止層１５をエッチング液２０中に
浸漬すると、酸化銅が拡散防止層１５を形成するチタン
−タングステン合金を酸化することで拡散防止層１５が
エッチング除去され、この場合のエッチング速度が過酸
化水素がチタン−タングステン合金を酸化することで拡
散防止層１５がエッチング除去されるエッチング速度よ
りも速く、エッチング速度を向上させることができる。
したがって、エッチング液２０の液温を上昇させる必要
がなく、エッチング液２０の寿命を短くすることがな
い。
−タングステン合金よりも酸化物の生成自由エネルギー
が低い銅を予め混入するので、混入された銅がエッチン
グ液２０中で過酸化水素によって酸化されて酸化銅にな
り、この状態で拡散防止層１５をエッチング液２０中に
浸漬すると、酸化銅が拡散防止層１５を形成するチタン
−タングステン合金を酸化することで拡散防止層１５が
エッチング除去され、この場合のエッチング速度が過酸
化水素がチタン−タングステン合金を酸化することで拡
散防止層１５がエッチング除去されるエッチング速度よ
りも速く、エッチング速度を向上させることができる。
したがって、エッチング液２０の液温を上昇させる必要
がなく、エッチング液２０の寿命を短くすることがな
い。
【００１３】ここで、具体的な一例を示す。チタン−タ
ングステン合金の膜厚が２１００Å、エッチング液の液
温が約４０℃の場合のエッチング時間は、過酸化水素の
３０％水溶液からなる従来のエッチング液では約７〜８
分であったのに対し、この実施形態におけるエッチング
液２０では約３分であった。また、チタン−タングステ
ン合金の膜厚が４０００Å、エッチング液の液温が約４
０℃の場合のエッチング時間は、過酸化水素の３０％水
溶液からなる従来のエッチング液では約１７〜２０分で
あったのに対し、この実施形態におけるエッチング液２
０では約７分であった。なお、この場合のチタン−タン
グステン合金の組成はチタン９に対してタングステン１
の割合である。
ングステン合金の膜厚が２１００Å、エッチング液の液
温が約４０℃の場合のエッチング時間は、過酸化水素の
３０％水溶液からなる従来のエッチング液では約７〜８
分であったのに対し、この実施形態におけるエッチング
液２０では約３分であった。また、チタン−タングステ
ン合金の膜厚が４０００Å、エッチング液の液温が約４
０℃の場合のエッチング時間は、過酸化水素の３０％水
溶液からなる従来のエッチング液では約１７〜２０分で
あったのに対し、この実施形態におけるエッチング液２
０では約７分であった。なお、この場合のチタン−タン
グステン合金の組成はチタン９に対してタングステン１
の割合である。
【００１４】なお、上記実施形態では、所定金属として
銅を用いたが、これに限らず、銀またはパラジウム等の
被エッチング金属よりも酸化物の生成自由エネルギーが
低い金属であればよい。この場合、エッチング液２０中
では、以下の化学反応式（６）および（７）に示すよう
に、銀（Ａｇ）と過酸化水素とが反応して酸化銀（Ａｇ
2Ｏ）が生成され、またはパラジウム（Ｐｄ）と過酸化
水素とが反応して酸化パラジウム（ＰｄＯ）が生成され
る。そして、このエッチング液２０中に拡散防止層１５
を浸漬すると、以下の化学反応式（８）および（９）に
示すように、チタンおよびタングステンが酸化銀によっ
て酸化され、以下の化学反応式（１０）および（１１）
に示すように、チタンおよびタングステンが酸化パラジ
ウムによって酸化される。 ２Ａｇ＋Ｈ2Ｏ2→Ａｇ2Ｏ＋Ｈ2Ｏ （６） Ｐｄ＋Ｈ2Ｏ2→ＰｄＯ＋Ｈ2Ｏ （７） Ｔｉ＋２Ａｇ2Ｏ→ＴｉＯ2＋４Ａｇ （８） Ｗ＋２Ａｇ2Ｏ→ＷＯ2＋４Ａｇ （９） Ｔｉ＋２ＰｄＯ→ＴｉＯ2＋２Ｐｄ （１０） Ｗ＋２ＰｄＯ→ＷＯ2＋２Ｐｄ （１１） また、上記実施形態では、被エッチング金属としてチタ
ン−タングステン合金を用いたが、これに限らず、チタ
ンまたはタングステンであってもよい。また、上記実施
形態では、この発明を突起電極の形成方法に適用した
が、これに限らず、例えばプリント配線基板、ガラスパ
ネル基板等の他の電子部品の製造方法に適用することが
できる。
銅を用いたが、これに限らず、銀またはパラジウム等の
被エッチング金属よりも酸化物の生成自由エネルギーが
低い金属であればよい。この場合、エッチング液２０中
では、以下の化学反応式（６）および（７）に示すよう
に、銀（Ａｇ）と過酸化水素とが反応して酸化銀（Ａｇ
2Ｏ）が生成され、またはパラジウム（Ｐｄ）と過酸化
水素とが反応して酸化パラジウム（ＰｄＯ）が生成され
る。そして、このエッチング液２０中に拡散防止層１５
を浸漬すると、以下の化学反応式（８）および（９）に
示すように、チタンおよびタングステンが酸化銀によっ
て酸化され、以下の化学反応式（１０）および（１１）
に示すように、チタンおよびタングステンが酸化パラジ
ウムによって酸化される。 ２Ａｇ＋Ｈ2Ｏ2→Ａｇ2Ｏ＋Ｈ2Ｏ （６） Ｐｄ＋Ｈ2Ｏ2→ＰｄＯ＋Ｈ2Ｏ （７） Ｔｉ＋２Ａｇ2Ｏ→ＴｉＯ2＋４Ａｇ （８） Ｗ＋２Ａｇ2Ｏ→ＷＯ2＋４Ａｇ （９） Ｔｉ＋２ＰｄＯ→ＴｉＯ2＋２Ｐｄ （１０） Ｗ＋２ＰｄＯ→ＷＯ2＋２Ｐｄ （１１） また、上記実施形態では、被エッチング金属としてチタ
ン−タングステン合金を用いたが、これに限らず、チタ
ンまたはタングステンであってもよい。また、上記実施
形態では、この発明を突起電極の形成方法に適用した
が、これに限らず、例えばプリント配線基板、ガラスパ
ネル基板等の他の電子部品の製造方法に適用することが
できる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、エッチング液中に被エッチング金属よりも酸化物の
生成自由エネルギーが低い所定金属を予め混入するの
で、混入された所定金属がエッチング液中で過酸化水素
によって酸化されて所定金属の酸化物になり、この状態
で被エッチング金属をエッチング液中に浸漬すると、所
定金属の酸化物が被エッチング金属を酸化することで被
エッチング金属がエッチング除去され、この場合のエッ
チング速度が過酸化水素が被エッチング金属を酸化する
ことで被エッチング金属がエッチング除去されるエッチ
ング速度よりも速く、エッチング速度を向上させること
ができる。
ば、エッチング液中に被エッチング金属よりも酸化物の
生成自由エネルギーが低い所定金属を予め混入するの
で、混入された所定金属がエッチング液中で過酸化水素
によって酸化されて所定金属の酸化物になり、この状態
で被エッチング金属をエッチング液中に浸漬すると、所
定金属の酸化物が被エッチング金属を酸化することで被
エッチング金属がエッチング除去され、この場合のエッ
チング速度が過酸化水素が被エッチング金属を酸化する
ことで被エッチング金属がエッチング除去されるエッチ
ング速度よりも速く、エッチング速度を向上させること
ができる。
【図１】この発明の一実施形態を適用した突起電極の形
成に際し、当初用意したものの断面図。
成に際し、当初用意したものの断面図。
【図２】図１に続く形成工程の断面図。
【図３】図２に続く形成工程の断面図。
【図４】図３に続く形成工程の断面図。
【図５】図４に続く形成工程の断面図。
【図６】従来の突起電極の形成に際し、当初用意したも
のの断面図。
のの断面図。
【図７】図６に続く形成工程の断面図。
【図８】図７に続く形成工程の断面図。
【図９】図８に続く形成工程の断面図。
１１ シリコン基板 １２ 接続パッド １３ 絶縁膜 １４ 開口部 １５ 拡散防止層 １６ 接着層 １７ メッキレジスト層 １８ 開口部 １９ 突起電極 ２０ エッチング液
Claims (3)
- 【請求項１】 被エッチング金属を過酸化水素を含むエ
ッチング液によってウエットエッチングするエッチング
方法において、 前記エッチング液中に前記被エッチング金属よりも酸化
物の生成自由エネルギーが低い所定金属を予め混入する
ことを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項２】 前記被エッチング金属は、チタン−タン
グステン合金、チタン、またはタングステンであること
を特徴とする請求項１記載のエッチング方法。 - 【請求項３】 前記所定金属は、銅、銀、またはパラジ
ウムであることを特徴とする請求項１記載のエッチング
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10480196A JPH09275098A (ja) | 1996-04-03 | 1996-04-03 | エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10480196A JPH09275098A (ja) | 1996-04-03 | 1996-04-03 | エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09275098A true JPH09275098A (ja) | 1997-10-21 |
Family
ID=14390547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10480196A Pending JPH09275098A (ja) | 1996-04-03 | 1996-04-03 | エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09275098A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210778A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびエッチング液 |
| WO2016042667A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1996
- 1996-04-03 JP JP10480196A patent/JPH09275098A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006210778A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびエッチング液 |
| WO2016042667A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2016-03-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPWO2016042667A1 (ja) * | 2014-09-19 | 2017-06-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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