JPH0927140A

JPH0927140A - 光ピックアップ及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0927140A
Application number: JP7133312A
Authority: JP
Inventors: Haruji Manabe; 晴二真鍋; Toshihiro Koga; 稔浩古賀; Mikio Tomizaki; 幹雄富崎; Tatsuya Hiwatari; 竜也樋渡; Kazuyuki Nakajima; 一幸中島
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-05-08
Filing date: 1995-05-31
Publication date: 1997-01-28
Anticipated expiration: 2018-12-10
Also published as: JP3477910B2

Abstract

(57)【要約】【目的】光ピックアップのパッケージングを小型化す
ることを目的としている。【構成】光源１と、光源１から照射された光の入射方
向に対して傾斜した複数の斜面５ａ，５ｂ，５ｃを有し
た光ガイド部材５と、記録媒体２７から反射してきた光
を受光するとともに受光した光信号を電気信号に変換す
る受光素子１３と、光源１と光ガイド部材５と受光素子
１３とを収納するパッケージ１４とを備え、光ガイド部
材５は光源１からの光を複数の斜面５ａ，５ｂ，５ｃで
反射させて記録媒体２７に導くとともに、記録媒体２７
から反射してきた光を受光素子１３に導く。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光素子、光ディスク等
への情報の記録又は再生を行う光ピックアップ及びその
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、レーザ光を利用して情報の記録や
再生を行う光ディスク装置の小型化が望まれており、光
学部品点数の削減等により光ピックアップの小型化及び
軽量化の試みが行われている。光ピックアップの小型・
軽量化は、装置全体の小型化だけでなく、アクセス時間
の短縮などの性能向上に有利となる。近年、光ピックア
ップの小型・軽量化の手段としてホログラム光ピックア
ップの利用が挙げられており、一部実用化に供してい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の構成では、光源から記録媒体までの距離が長く、そ
の間に多数の独立した光学部材を有していたため光ピッ
クアップのパッケージングの小型化に限界があるという
問題を有していた。

【０００４】本発明は光ピックアップのパッケージング
を小型化することを目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、光源と、光源から照射された光の入射方向に対して
傾斜した複数の傾斜面を有した光ガイド部材と、光を受
光するとともに受光した光信号を電気信号に変換する受
光手段と、光源と光ガイド部材と受光手段とを収納する
収納部材とを備え、光ガイド部材は光源からの光を複数
の傾斜面で反射させて記録媒体に導くとともに、記録媒
体から反射してきた光を受光手段に導くという構成を有
している。

【０００６】

【作用】この構成により、従来の性能を維持しつつ光ピ
ックアップのパッケージングを飛躍的に小型化すること
ができる。

【０００７】

【実施例】以下本発明の一実施例の第一の光ピックアッ
プのパッケージングについて図を参照しながら説明す
る。

【０００８】図１及び図２はともに本発明の一実施例に
おける光ピックアップのパッケージングの構成を示す断
面図である。

【０００９】１は光源で、光源１としては半導体レー
ザ，Ｈｅ−Ｎｅ等のガスレーザ等の各種レーザが考えら
れる。ここではこれらの中で最も小型で装置全体を小型
化でき、しかも単価の安く数ｍＷ〜数十ｍＷ程度の出力
を有する半導体レーザを用いる事が好ましい。半導体レ
ーザの材質としてはＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ，Ｉ
ｎＧａＡｌＰ，ＺｎＳｅ，ＧａＮ等が考えられ、ここで
は最も一般的に用いられており、安価なＡｌＧａＡｓを
用いた。さらに高密度記録を行う場合には記録媒体上で
のスポット径をより小さくすることができ、ＡｌＧａＡ
ｓよりもさらに波長の短いＩｎＧａＡｌＰやＺｎＳｅ等
の半導体レーザを用いることが好ましい。

【００１０】２はサブマウントで、サブマウント２はそ
の形状が直方体状若しくは板形状で、その上面には光源
１が取り付けられている。このサブマウント２は光源１
を載置するとともに、光源１で発生した熱を逃がす働き
を有している。サブマウント２と光源１との接合には熱
伝導率等を考慮するとＡｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂ，Ｉｎ等
の箔（厚さ数μｍ〜数十μｍ）を高温で圧着する方法を
用いることが好ましい。また光源１とサブマウント２は
略水平に取り付けなければ光学系の収差の原因になる。
従って接合の際には光源１はサブマウント２に所定の位
置に所定の高さで略水平にマウントされることが好まし
い。さらにサブマウント２の上面には光源１の下面と電
気的に接触するように電極面２ａが設けられている。こ
の電極面２ａは光源１の電源供給用のもので、電極面２
ａを構成する金属膜としては導電性や耐食性を考慮して
Ａｕの薄膜を用いることが好ましい。更にサブマウント
２は、光源１で発生する熱や光源１との取付等の問題か
ら、熱伝導性が高く、かつ、線膨張係数が光源１のそれ
（約６．５×１０^-6／℃）に近い材質が好ましい。具体
的には線膨張係数が３〜１０×１０^-6／℃で、熱伝導率
が１００ｗ／ｍＫ以上である物質、例えばＡｌＮ，Ｓｉ
Ｃ，Ｔ−ｃＢＮ，Ｃｕ／Ｗ，Ｃｕ／Ｍｏ，Ｓｉ等を、特
に高出力のレーザを用いる場合で熱伝導率を非常に大き
くしなければならないときにはダイアモンド等を用いる
ことが好ましい。光源１とサブマウント２の線膨張係数
が同じか近い数値となるようにした場合、光源１とサブ
マウント２の間の歪みの発生を抑制することができるの
で、光源１とサブマウント２との取付部分が外れたり、
光源１にクラックが入る等の不都合を防止することがで
きる。しかしながら本範囲を外れた場合には、光源１と
サブマウント２の間に大きな歪みが生じてしまい、光源
１とサブマウント２との取付部分が外れたり、光源１に
クラック等を生じる可能性が高くなる。またサブマウン
ト２の熱伝導率をできるだけ大きく取ることにより、光
源１で発生する熱を効率よく外部に逃がすことができ
る。しかしながら熱伝導率が本限定以下の場合には、光
源１で発生した熱が外部に逃げ難くなるため、光源１の
温度が上昇し、光源１の出力が低下したり、光源１の寿
命が短くなったり、最悪の場合には光源１が破壊されて
しまう等の不都合が発生しやすくなる。本実施例では比
較的安価で、これらの２つの特性のどちらにも非常に優
れたＡｌＮを用いた。更にサブマウント２の上面には光
源１との接合性を良くするために、サブマウント２から
光源１に向かってＴｉ，Ｐｔ，Ａｕの順に薄膜を形成す
ることが好ましい。

【００１１】３はブロックで、ブロック３は基本的には
直方体形状でその側面に大きな突起部３ａを有してお
り、上面にはサブマウント２が取り付けられている。こ
のブロック３もまたサブマウント２と同様に、光源１で
発生する熱やサブマウント２との取付等の問題から、熱
伝導性が高く、かつ、線膨張係数がサブマウント２に近
い材質、例えばサブマウント２の材質例で示したもの以
外にＭｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，コバール，４２アロイ等を用い
ることが好ましい。しかしながらこれらの特性値の要求
はサブマウント２に比べるとそれほど厳しくはないの
で、コストを重視して選択する方が好ましい。ここでは
ＡｌＮに比べて非常に安価で、これらの特性に比較的優
れたＣｕ，Ｍｏ等の材料でブロック３を形成した。また
ブロック３とサブマウント２との接合には熱伝導率等を
考慮すると、やはりサブマウント２と光源１の場合と同
様に、多少高価ではあるがＡｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂ，Ｉ
ｎ等の箔（厚さ数μｍ〜数十μｍ）を高温で圧着するこ
とが好ましい。

【００１２】４は放熱板で、放熱板４は、光源１で発生
し、伝導によりサブマウント２，ブロック３を通って伝
わってきた熱を外部に放出する働きを有するとともに、
光ピックアップを形成する種々の部材が載置され、パッ
ケージングの基板となるものである。ブロック３はロウ
付け，クリーム半田付け等により放熱板４の上面に固定
される。放熱板４の材質としては、熱伝導性が高いＣ
ｕ，Ａｌ，Ｆｅ等が考えられる。

【００１３】なおここではサブマウント２とブロック３
とを別体で形成していたが、光源１の出力が高く、これ
らの部材により高い熱伝導性が要求される場合には、熱
伝導性を良くするためにこれらの部材を一体で形成する
ことが好ましい。この場合それらの材質は、ＡｌＮ等の
熱伝導性が非常に高いものを用いることが好ましい。

【００１４】またブロック３はサブマウント２よりも大
きくして、放熱板４との接触面積を大きく取ることが望
ましい。

【００１５】また光源１には光軸に関して高い精度が要
求されるので、サブマウント２の上面は高い精度で水平
であることが好ましい。従ってサブマウント２，ブロッ
ク３及び放熱板４の取り付けについても細心の注意を払
うことが好ましい。

【００１６】５は光ガイド部材で、光ガイド部材５は直
方体形状をしており、その内部には第一の斜面５ａ，第
二の斜面５ｂ及び第三の斜面５ｃの計３つの斜面と、１
つのＶ字溝５ｄを有している。そして第一の斜面５ａに
は、光源から発せられた光を０次回折光（以下メインビ
ームと称す）と±１次回折光（以下サイドビームと称
す）とに分離する反射型の回折格子６が設けられてい
る。ただしトラッキングを３ビーム法以外の方法（例え
ばプッシュプル法）で行う場合には回折格子６は無くて
も良い。また、第二の斜面５ｂには、光源１からの入射
光の拡散角に対して、射出光の拡散角を自由に変換する
ことができるとともに、射出光を途中経路で積算される
波面収差が取り除かれた理想球面波とすることができる
拡散角変換ホログラム７と、戻ってきた光を反射させて
所定の位置に導く反射膜８及び反射膜１２６と、回折格
子６からのメインビーム及びサイドビームを透過するか
又は反射するかする第一のビームスプリッター膜９及び
反射型ホログラムで形成された非点収差発生ホログラム
１０が形成されている。ただし記録媒体面光量が十分に
とれる場合（例えば光源１の出力が大きい、記録媒体の
回転線速度が遅いなど）は拡散角変換ホログラム７は無
くても良い。またこの場合拡散角変換ホログラム７のあ
る位置に回折格子６を設けても良い。また波面収差を取
り除く機能は拡散角変換ホログラム７にではなく、他の
光学部材（例えば対物レンズ等）に設けても良い。第三
の斜面５ｃには、戻ってきた光を、第一のビームスプリ
ッター膜９と同様に、透過するか又は反射する第二のビ
ームスプリッター膜１１及び特定の成分の光波を反射す
る偏光分離膜１２及び戻ってきた光を反射させて所定の
位置に導く反射膜１２５が形成されている。また光ガイ
ド部材５はその側面でブロック３の突起部３ａに接着さ
れている。これに用いられる接合材には大きな接着強
度，任意の瞬間に固定できる作業性，硬化前と硬化後の
体積の変化や温度・湿度の変化による体積の変化が小さ
い即ち低収縮率等の条件が要求され、これらを満たすこ
とにより作業性及び接合面の安定性等を向上させること
ができる。この様な接合材としてここでは紫外線を照射
することにより瞬時に硬化するＵＶ接着剤を用いた。ま
た吸湿硬化型の瞬間接着剤を用いても良い。更に十分な
取り付け強度を持つようにするためにブロック３と光ガ
イド部材５の間の接触面積（Ｓ）はＳ＞１ｍｍ²とする
ことが好ましい。

【００１７】１３は受光素子で、受光素子１３は板形状
の半導体ウェハーに形成された各種の電気回路で構成さ
れており、光ガイド部材５の底面に取り付けられてい
る。受光素子１３と光ガイド部材５との取り付けについ
ては、大きな接着強度，短時間で固定できる作業性，硬
化前と硬化後の体積の変化や温度・湿度による体積の変
化が小さい即ち低収縮率等の条件が要求され、これらを
満たすことにより、作業性、接合面の安定性が向上す
る。この様な接合材としてここでは紫外線を照射するこ
とにより瞬時に硬化するため特に作業性が良好なＵＶ接
着剤を用いた。なお吸湿硬化型の瞬間接着剤を用いても
良い。また受光素子１３は光源１から出射され、光ガイ
ド部材５や記録媒体等で反射されて戻ってきた光信号を
受光する受光部を複数有している。この受光部で検知さ
れた光信号は、その光量に応じて電気信号に変換され
る。この電気信号は変換当初は電流値の大きさである。
しかしながらこの電流は非常に微弱であり、かつノイズ
を拾いやすいというデメリットがある。このためここで
は受光素子１３として、電流値を相関する電圧値に変換
して増幅する働きを持つＩ−Ｖアンプが形成されている
ものを用いることが好ましい。ただし光の入射周波数に
対して出力電圧の応答が良好であることが要求される。
このＩ−Ｖアンプを受光素子１３に形成することによ
り、電気信号のロスを低減でき、かつ外部にＯＰアンプ
を設ける必要がなくなるので、部品点数を減らすことが
できる更に受光素子１３の表面には受光した情報を信号
として取り出すためのＡｌ等の薄膜で構成された複数の
電極１３ａが設けてある。

【００１８】１４はパッケージで、パッケージ１４は、
放熱板４の上面に前述のブロック３や光ガイド部材５，
受光素子１３等を囲むように設けられており、その内部
には受光素子１３からの電気信号取り出しや光源１の電
源供給等に用いられるリードフレーム１４ａがモールド
されている。このパッケージ１４の形状は中央部がくり
貫かれた直方体形状をしており、更にリードフレーム１
４ａがモールドされている側のパッケージ１４の内面に
はリードフレームの足１４ｂを露出するように段差１４
ｃが設けてある。なおパッケージ１４の外周形状につい
ては円筒形等であっても構わない。そして受光素子１３
からの電気信号を取り出すためにパッケージ１４に設け
られた段差１４ｃに露出しているリードフレームの足１
４ｂと受光素子１３の表面に設けられている複数の電極
１３ａとをＡｕやＡｌ等で形成されたワイヤ１４ｄでワ
イヤボンディングにより接続している。また光源１の電
源供給のため、光源１の上面とパッケージ１４に設けら
れた段差１４ｃに露出しているリードフレームの足１４
ｂとをワイヤ１４ｄでボンディングし、更にサブマウン
ト２の上面に光源１の下面と電気的に接触するように設
けられている電極面２ａとパッケージ１４に設けられた
段差１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂと
を同じくワイヤ１４ｄでワイヤボンディングすることに
より接続している。パッケージ１４の材質としては、低
吸水性や低アウトガス性などに優れていることが求めら
れるが、ここではＩＣモールドとしては最も一般的なエ
ポキシ樹脂等の熱硬化性の樹脂を用いている。またリー
ドフレーム１４ａの材質としてはＣｕ，４２アロイ，Ｆ
ｅ等の金属にＡｇやＡｕ等をメッキしたものを用いるこ
とが多い。ここではＣｕにＮｉメッキをし、その上にＡ
ｕメッキを施したものを用いた。更にパッケージ１４と
放熱板４との間の取り付けには、大きな接着強度，低い
吸水性，高い気密性（低いリーク特性）等の性質を有す
る接合材を用いる。これにより接合面，接合位置の安定
性を向上させ、光ピックアップのパッケージング内部へ
の不純物の混入を防止することができる。ここでは多少
接着に時間がかかるが、これらの特性に優れ、安価なエ
ポキシ系接着剤を用いた。

【００１９】１５はシェルで、シェル１５もまたパッケ
ージ１４と同様に直方体の中心部をくり貫いたような外
形をしており、その水平方向の断面はパッケージ１４の
それとほぼ同一形状をしている。またその材質にはパッ
ケージング内部への不純物混入を防止する意味で、低吸
水性や低アウトガス性等の特性が求められる。ここでは
それらの特性に優れたポリプチレンテレフタレート（以
下ＰＢＴとする）を用いた。ただし、特に強度や寸法精
度等に優れた特性が要求される場合には、ＰＢＴよりも
高価ではあるがこれらの特性に優れたＬＣＰを用いても
良い。そしてシェル１５とパッケージ１４との接着は、
前述のパッケージ１４と放熱板４との取り付けと同様の
理由で、エポキシ系接着剤を用いた。なおこのシェル１
５を用いる代わりにパッケージ１４の側壁部分の高さ
を、光ガイド部材５よりも高くなるようにして代替して
も良い。

【００２０】１６はカバー部材で、カバー部材１６は光
ガイド部材５や受光素子１３等にごみ，ほこり等が付着
するのを防止するもので、シェル１５の上面にエポキシ
系の接着剤により取り付けられている。またカバー部材
１６の材質としては、ＢＫ−７，ＦＫ−１，Ｋ−３等の
ガラスや、ウレタン，ポリカーボネート，アクリル等の
光透過率の高い樹脂等を用いることがことが好ましい。
なお光磁気信号の読み取りの場合には光透過率が高くて
も複屈折のある部材を用いることは好ましくない。更に
カバー部材１６の上下両面には反射防止のために反射防
止膜１６ａを形成している。この反射防止膜１６ａはＭ
ｇＦ₂等の材質で形成することが好ましい。ただしカバ
ー部材１６の表面での反射があまり問題にならない場合
には、反射防止膜１６ａは設けなくとも良い。

【００２１】このカバー部材１６と光ガイド部材５との
位置関係は、両者を接触させる場合と両者の間に空間を
設ける場合とが考えられる。両者を接触させる場合、光
ガイド部材５はカバー部材１６の底部にエポキシ系の接
着剤やＵＶ接着剤等で取り付けられる。この時のカバー
部材１６の厚さ（ｔ１）を０．３≦ｔ１≦３．０（ｍ
ｍ）とすることが好ましい。この理由は、下限について
はこれ以上薄くすると取り付けられている光ガイド部材
５等の重さや、接着剤が固まる際の張力等にカバー部材
１６が耐えられず破損する恐れがあるためである。また
上限については、カバー部材１６は空気に比べて屈折率
が大きいため光に収束作用が生まれ、光が広がらないの
で、結果としてカバー部材１６とコリメータレンズ（無
限系光学系の場合）或いは対物レンズ（有限系光学系の
場合）との距離を長くせざるを得なくなってしまい、ピ
ックアップユニットの小型化に不利になるからである。
この様な構成を用いることにより光ピックアップのパッ
ケージングの高さをより低くでき、十分な取付強度を保
ちながらもピックアップユニットを小型化することがで
きる。

【００２２】これに対して両者の間に空間を設ける場合
は、カバー部材１６の厚さ（ｔ２）を０．１≦ｔ２≦
３．０（ｍｍ），カバー部材１６と光ガイド部材５との
間の距離（ｄ）を同じく０．１≦ｄ≦３．０（ｍｍ）と
することが好ましい。この理由はｔ２の下限については
前例とは違って光ガイド部材５が取り付けられておら
ず、ただ振動等の外部要因にさえ耐えられればよいから
である。またｄについては、小さければ小さい程良いの
だが、組立時の精度の誤差を０．１ｍｍ以下にできない
可能性があり、この場合組立時にカバー部材１６が光ガ
イド部材５に接触し、破損してしまう恐れがある。この
様な構成を用いることにより光ガイド部材５と、光源
１，サブマウント２，ブロック３の間の取り付け相対位
置精度を向上させつつブロック３若しくはサブマウント
２を他の部材に熱的に接触させることが可能であり、こ
れにより光源１で発生する熱を外部に容易に放出するこ
とができる。

【００２３】なお光ピックアップのパッケージングの内
部は光源１及び受光素子１３の酸化防止等の観点から、
乾燥した酸化防止ガスとしてＮ₂等のガスやＡｒ，Ｎ
ｅ，Ｈｅ等の不活性ガスを充填することが好ましい。そ
の場合、放熱板４と受光素子１３との間に存在する隙間
１７を小さな収縮率，低い吸水性，高い気密性（優れた
リーク特性）等の特性を有する接合材、例えばエポキシ
系のポッティング剤や半田等で埋める必要がある。これ
により内部の気密性を高めることができる。またこの場
合カバー部材１６はパッケージング内部と外部とを隔絶
する働きも有することになる。

【００２４】以上示してきた構成を用いることにより、
光源１で発生する熱を容易に外部に放出することがで
き、更にパッケージングの両端面に計２個所の開口部を
設けることにより、酸化防止ガスの封入を容易に行うこ
とができる。また光学系においては光源１，光ガイド部
材５及び受光素子１３の相対的な位置関係を正しくかつ
強固に保持することができるので、それらの位置のずれ
による誤動作や余分な光学的収差等が発生しない。

【００２５】次に本発明の一実施例における光ピックア
ップの動作について、図面を参照しながら説明する。図
３は本発明の一実施例における光ピックアップの動作の
概念図、図４は本発明の一実施例における光ピックアッ
プの平面図である。

【００２６】図３及び図４において放熱板４上にサブマ
ウント２及びブロック３を介して水平にマウントされた
光源１から水平に放出されたレーザ光は、平行な複数の
斜面を有する光ガイド部材５の面５ｆから光ガイド部材
５に入射し、光ガイド部材５の第二の斜面５ｂに形成さ
れかつ入射する光の拡散角に対して射出する光の拡散角
を変換する機能を有する反射型の拡散角変換ホログラム
７に到達する。拡散角変換ホログラム７は、光源１から
の射出光のうち拡散角変換ホログラム７へ入射すること
のできる光束の拡散角に対して、拡散角変換ホログラム
７からの反射光の拡散角を自由に変換することができ
る。また、拡散角変換ホログラム７によって拡散角をま
ったく持たない平行光にも変換可能である。また、同じ
拡散角変換ホログラム７によって図３に示されるように
光ガイド部材５射出後の光束が途中経路で積算された波
面収差が取り除かれた理想球面波３０となる。したがっ
て、対物レンズ２６への入射光は理想球面波３０とな
り、対物レンズ２６による記録媒体２７での結像スポッ
トはほぼ回折限界まで絞り込まれた大きさとなり、情報
の記録または再生を確実に行うことができる。

【００２７】拡散角変換ホログラム７によって拡散角を
変換されかつ反射した光は第一の斜面５ａに形成された
反射型の回折格子６によってメインビームとサイドビー
ムとに分けられる。回折格子６によって発生するメイン
ビーム及びサイドビームは第一のビームスプリッター膜
９（第一の偏光選択性のあるビームスプリッター膜）に
入射する。第一のビームスプリッター膜９に入射する光
のうち第一のビームスプリッター膜９を透過する光は光
源１からの射出光のパワーモニター光として利用され
る。また、第一のビームスプリッター膜９を反射するメ
インビーム及びサイドビームは、光ガイド部材５の面５
ｅ及びカバーガラス（図示せず）を透過して、対物レン
ズ２６に入射し、対物レンズ２６の集光作用によって記
録媒体２７の情報記録面２７ａに結像される。この時、
情報記録面２７ａ上において２つのサイドビームのビー
ムスポット２９ａ及び２９ｃはメインビームのビームス
ポット２９ｂを中心としてほぼ対称な位置に結像され
る。情報記録面２７ａに対してメインビーム及びサイド
ビームのビームスポット２９ｂ及び２９ａ，２９ｃによ
り情報の記録または再生信号及びトラッキング，フォー
カシングいわゆるサーボ信号の読みだしを行う。

【００２８】記録媒体２７の情報記録面２７ａによって
反射されたメインビーム及びサイドビームの戻り光は対
物レンズ２６，カバーガラス，光ガイド部材５の面５ｅ
を再び通過し、再び光ガイド部材５の第二の斜面５ｂに
形成された第一のビームスプリッター膜９に入射する。
第一のビームスプリッター膜９は光の入射面に対して垂
直な振動成分を有する光（以下単にＳ偏光成分と称す）
に対して一定の反射率を有し、平行な振動成分（以下単
にＰ偏光成分と称す）に対してはほぼ１００％の透過率
を有する。

【００２９】記録媒体２７からの戻り光のうち第一のビ
ームスプリッター膜９を透過する光は光ガイド部材５の
第一の斜面５ａに平行な第三の斜面５ｃ上に形成された
第二のビームスプリッター膜１１（第二の偏光選択性の
あるビームスプリッター膜）に入射する。第二のビーム
スプリッター膜１１は第一のビームスプリッター膜９と
同様にＳ偏光成分に対して一定の反射率を有し、Ｐ偏光
成分に対してはほぼ１００％の透過率を有する。

【００３０】ここで第二のビームスプリッター膜１１に
入射した光束の内、透過光１１７に関して説明する。透
過光１１７は第三の斜面５ｃ上に積層されたＶ溝基板３
１に入射する。図５は本発明の一実施例における光ピッ
クアップのＶ字溝基板の斜視図を示す。Ｖ溝基板３１に
はＶ字型の溝部（以下Ｖ字溝と称す）５ｄがモールド成
形あるいは切削加工等で形成されており、第三の斜面５
ｃ上に積層されている。第二のビームスプリッター膜１
１からの透過光１１７はＶ溝基板３１の溝部の反射膜が
形成された反射面３１ａによって反射する。

【００３１】図６は本発明の一実施例における光ピック
アップの受光部配置及び信号処理を示す図である。Ｖ溝
基板３１の反射面３１ａからの反射光１２０は第三の斜
面５ｃに形成された偏光分離膜１２に入射する。反射光
１２０のＰ偏光成分は偏光分離膜１２によってほぼ１０
０％透過し、さらに光ガイド部材５の第二の斜面５ｂに
形成された反射膜８によって反射し、受光素子１３上の
受光部１７０に到達する。一方、Ｖ溝基板３１の反射面
３１ａからの反射光１２０のＳ偏光成分は偏光分離膜１
２によってほぼ１００％反射し、受光素子１３上の受光
部１７１に到達する。

【００３２】次に第二のビームスプリッター膜１１に入
射した光束のうち、反射光１２３に関して説明する。反
射光１２３は第二の斜面５ｂ上に反射型のホログラムで
形成された非点収差発生ホログラム１０に入射する。こ
こで反射光１２３は非点収差を発生しつつ反射され、更
に第三の斜面５ｃの反射膜１２５で反射され、第二の斜
面５ｂにの反射膜１２６で反射された後、メインビーム
の戻り光は受光素子１３上の受光部１７２に、サイドビ
ームの戻り光は受光素子１３上の受光部１７６及び１７
７に到達する。

【００３３】次に第二のビームスプリッター膜１１に入
射した光束のうち、反射光１２３に関して説明する。反
射光１２３は第二の斜面５ｂ上に反射型のホログラムで
形成された非点収差発生ホログラム１０に入射する。こ
こで反射光１２３は非点収差を発生しつつ反射され、更
に第三の斜面５ｃの反射膜１２５で反射され、第二の斜
面５ｂにの反射膜１２６で反射された後、メインビーム
の戻り光は受光素子１３上の受光部１７２に、サイドビ
ームの戻り光は受光素子１３上の受光部１７６及び１７
７に到達する。

【００３４】以下前述の実施例とは異なる構造を有する
光ガイド部材５の動作について、図面を参照しながら説
明する。図７は本発明の一実施例における光ピックアッ
プの側面図、図８は本発明の一実施例における光ピック
アップの平面図である。

【００３５】本実施例における光ピックアップはブロッ
ク３０１、サブマウント３０２、光源３０３、拡散角変
換ホログラム３０６、回折格子３０７、対物レンズ３０
９、第一のビームスプリッター膜３０８、第２のビーム
スプリッター膜３１６、受光素子３１９等の配置は同等
であるが、前述の実施例のＶ溝基板の代わりに第一の斜
面３０５ａ、第二の斜面３０５ｂ及び第三の斜面３０５
ｃと平行な第四の斜面３０５ｄの上に１／２波長板３１
８を積層する。

【００３６】本実施例において光源３０３から記録媒体
３１０までの光の経路及び記録媒体３１０から第二のビ
ームスプリッター膜３１６までの経路は前述の実施例と
同等である。図９は本発明の一実施例における光ピック
アップの受光部配置及び信号処理を示す図である。第二
のビームスプリッター膜３１６からの透過光３１７は第
四の斜面３０５ｄの上に積層された１／２波長板３１８
に入射する。透過光３１７は１／２波長板３１８によっ
て偏光方向が４５度回転され、第一の斜面３０５ａ、第
二の斜面３０５ｂ、第三の斜面３０５ｃ及び第四の斜面
３０５ｄと平行な第五の斜面３０５ｅに形成された偏光
分離膜３２１にその入射面に対して４５度の直線偏光で
入射し、偏光分離膜３２１の作用によってそのＰ偏光成
分は透過し、Ｓ偏光成分は反射される。偏光分離膜３２
１を透過したＰ偏光成分は受光部３７０に到達する。一
方、偏光分離膜３２１で反射されたＳ偏光成分である反
射光３２０は第三の斜面３０５ｃの反射膜３２２によっ
て反射し、さらに１／２波長板３１８を透過した後受光
部３７１に到達する。

【００３７】次に第二のビームスプリッター膜３１６に
入射した光束のうち、反射光３２３に関して説明する。
反射光３２３は第二の斜面３０５ｂ上に反射型のホログ
ラムで形成された非点収差発生ホログラム３２４に入射
する。ここで反射光３２３は非点収差を発生しつつ反射
され、更に第三の斜面３０５ｃの反射膜３２５で反射さ
れ、第二の斜面３０５ｂにの反射膜３２６で反射された
後、メインビームの戻り光は受光素子３１９上の受光部
３７２に、サイドビームの戻り光は受光素子３１９上の
受光部３７６及び３７７に到達する。

【００３８】次に本発明の一実施例における第二の光ピ
ックアップのパッケージングの構成について図を参照し
ながら説明する。図１０〜図１２は本発明の一実施例に
おける光ピックアップのパッケージングの構成を示す図
である。ただし、第一のパッケージングと同じ名称の部
材に関しては第１実施例と異なる構成を有する部分のみ
について説明する。

【００３９】１８はセラミックパッケージで、セラミッ
クパッケージ１８は第１実施例中のパッケージ１４と放
熱板４の働きを兼ねるものである。従って熱伝導率の高
い材質、例えばＡｌＮやＡｌ₂Ｏ₃等で形成することが効
率よく熱を逃がすことができるので好ましい。本実施例
では特に熱伝導率の高いＡｌＮを用いたが、コストを優
先させる必要がある場合にはＡｌ₂Ｏ₃を用いることが安
価であるので好ましい。またその構造はセラミックの基
板を３枚張り合わせたもので、上から順に基板１８ａ，
１８ｂ，１８ｃとなっている。それぞれの基板１８ａ，
１８ｂ，１８ｃには、受光素子１３からの電気信号や光
源１の電源の供給等に用いるパターンが上面，底面及び
側面（スルーホール等）にプリントされている。また基
板１８ｂの上面には受光素子１３からの電気信号を導く
ためのワイヤをボンディングする電極１８ｅが露出して
いるとともに、ブロック３がクリーム半田等で固定され
ている。更にそれらの基板１８ａ，１８ｂ，１８ｃには
それぞれ貫通孔１９ａ，１９ｂ，１９ｃが形成されてい
る。この貫通孔１９ａ，１９ｂ，１９ｃは電気的につな
がってさえいればそれぞれを直列に並べても良いし、バ
ラバラでも構わない。この貫通孔１９ａ，１９ｂ，１９
ｃの内面には電源供給用にＡｕ等の導電性の良い物質か
らなる薄膜が形成してあり、これにより基板１８ａの上
面と基板１８ｃ下面とが電気的に接続されることにな
る。なお基板１８ａの上面と基板１８ｃの下面とを電気
的に接続する方法として、このほかに貫通孔１９にタン
グステン等のペースト流し込んでおいてセラミックパッ
ケージ１８と一緒に焼成しても構わない。また貫通孔１
９を設けずにセラミックパッケージ１８の側面に製造時
に形成されるスルーホール等を用いても構わない。この
方法を用いた場合には貫通孔１９を設ける工程を省略で
きる。以上説明してきた各種の形成が終了した後、高温
で焼成してセラミックパッケージ１８を作製する。

【００４０】２０は端子で、端子２０は光源１への電源
を供給するものである。２本の端子２０は基板１８ｃの
下面の電極にロウ付けされたものであり、貫通孔１９の
内面のＡｕ面やピン若しくはスルーホール等を経由して
基板１８ａの上面に形成された電極１８ｄと電気的につ
ながっている。また端子２０の反対側の端部は光源１を
高出力で発光させる場合には高周波重畳電源回路２１と
つながっている。

【００４１】光源１への電源供給は、基板１８ａ上に形
成された電極１８ｄと、光源１の上面に形成された電極
（図示せず）及び光源１の底面と電気的に接続している
サブマウント２の上面に形成された電極２ａとをワイヤ
ボンディングすることにより行われる。

【００４２】２２はキャップで、キャップ２２は光ガイ
ド部材５を覆うように設けられておりパッケージングの
内部にごみやほこり等が入り、光ガイド部材５や受光素
子１３等に問題が発生するのを防止する働きがある。キ
ャップ２２の材質としては金属若しくは樹脂等で、セラ
ミックパッケージ１８との接合が容易にでき、形状が安
定しているものであればどのようなものでも構わない。
特にキャップ２２を金属製とした場合には、高周波重畳
電源回路２１等が発する不要輻射を抑える働きが期待さ
れるので、キャップ２２はコバール，４２アロイ，Ｃｕ
等の金属で形成することが好ましい。

【００４３】また光源１の酸化防止のためにパッケージ
ング内をパージする場合には、予め光ガイド部材５とセ
ラミックパッケージ１８の間のギャップをポッティング
剤や半田等でシールしておき、その後Ｎ₂ガス等の酸化
防止ガス雰囲気中でキャップ２２を取り付けることによ
って行う。

【００４４】次にセラミックパッケージ１８とキャップ
２２の取り付けについて説明する。セラミックパッケー
ジ１８とキャップ２２の取り付けは、直接これらをエポ
キシ系の接着剤等を用いて接着したり、半田づけ等を行
っても良いが、それでは十分な気密性を得られなかった
り、内部に用いたＵＶ接着剤が半田付けを行うときの熱
で悪影響を受ける場合が多い。そこで本実施例ではセラ
ミックパッケージ１８とキャップ２２との間にリング２
３を挟むことが好ましい。この構成によりセラミックパ
ッケージ１８とキャップ２２との間で電気溶接を行うこ
とができる様になり、この方法を用いることにより接合
部のシール性が高くなり、かつ接合時に接合部位の温度
を高くしなくて良くなる。リング２３は、セラミックパ
ッケージ１８の一番上の基板１８ａ上に設けられてお
り、その形状はほぼ方形のリング形状をしており、その
断面は長方形となっている。またその材質はコバール，
４２アロイ，Ｃｕ等の金属を用いることが好ましい。セ
ラミックパッケージ１８とリング２３との間の取り付け
は、まずセラミックパッケージ１８のリング２３に対向
する面にメタライズタングステンの薄膜を形成し、その
上にニッケルメッキを施し、そのニッケルメッキ面とリ
ング２３とがＡｇロウ付け等により接合されている。更
に前述のように接合されたリング２３上にニッケルメッ
キをして、その上にＡｕ面を形成する。更にキャップ２
２のリング２３に対向する面にもニッケルメッキを施し
ておき、その後リング２３とキャップ２２とをシームウ
ェルダー（電気抵抗溶接器の一種）等により、リング２
３とキャップ２２との間の取り付けは行われる。

【００４５】以上説明してきたセラミックパッケージ１
８を用いたパッケージングにおいては、放熱板の役割を
兼ねたセラミックパッケージ１８を用いたことにより光
源１等から発生する熱をさらに効率よく外部に放出する
ことができる。そして端子２０をセラミックパッケージ
１８下部に配したことにより、光源１と高周波重畳電源
回路２１との間の接続に要する距離を短くできるので、
電源線や信号線等の引き回しにより高周波重畳電源回路
２１から発せられる不要輻射を抑制できる。更にキャッ
プ２２に金属を用いることにより不要輻射を更に抑制す
ることができる。

【００４６】なお本実施例ではブロック３と光ガイド部
材５とが接着され、一体化されていたが、これらを別々
にセラミックパッケージ１８上に設けても構わない。こ
の場合、光ガイド部材５と受光素子１３との間の位置決
めが容易になる。さらに受光素子１３は光ガイド部材５
の底部に取り付けられていたが、光学特性に問題を生じ
ない範囲であれば、セラミックパッケージ１８上に取り
付けても構わない。またセラミックパッケージ１８はこ
こではセラミック基板３枚を張り合わせること（三層構
造）によって形成されていたが、三層構造でなくとも二
層でも一層でも構わない。また製造上の都合等により４
層以上になることも考えられる。

【００４７】次に本発明の一実施例における第三の光ピ
ックアップのパッケージングの構成について図を参照し
ながら説明する。図１３〜図１５は本発明の一実施例に
おける光ピックアップのパッケージングの構成を示す図
である。ただし、第一及び第二のパッケージングと同じ
名称の部材に関しては図１及び図１０〜図１２に示す実
施例と異なる部分のみについて説明する。

【００４８】２４はステムで、ステム２４は光源１，サ
ブマウント２及び光ガイド部材５等を載置若しくは保持
するもので、熱伝導性が高い材料で形成することによ
り、光源１等で発生した熱を非常に効率よく逃がすこと
ができる。この様な材質として、コバールや４２アロイ
等の金属や，Ａｌ₂Ｏ₃やＡｌＮ等のセラミックを用いる
ことが好ましい。本実施例ではコバールを用いている。
またステム２４の側面部２４ａには光ガイド部材５が取
り付けられる。この部材が傾いて取り付けられると光学
的収差が大きくなり正常な光ピックアップができなくな
る。従ってこの側面部２４ａには高い垂直性や平面度が
要求される。ここでは側面部２４ａの傾きを９０゜±
０．５゜とした。更にこの精密な加工を実現するため
に、本実施例ではこのステム２４の側面部２４ａをエン
ドミル等で精密に加工した。更にステム２４と光ガイド
部材５の間の接触面積（Ｓ）はＳ＞１ｍｍ²とすること
が好ましい。この様な構成にすることによりステム２４
と光ガイド部材５との間を十分強固に接着することがで
き、大きな振動がステム２４から伝わってきても光ガイ
ド部材５が外れることがない。なお光ガイド部材５はス
テム２４上に載置されたブロック３の側面部に接合させ
ても良い。

【００４９】ステム２４の上面の外周部には段差２４ｂ
が設けてあり、この段差２４ｂの側壁に添うようにキャ
ップ２２がはめ込まれている。それらの取り付け方法は
ステム２４の材質によって異なるが、一般には図１０で
示した実施例のリング２３とキャップ２２との接合で説
明したような金属同士を電気抵抗溶接するか若しくはエ
ポキシ系やＵＶ等の接着剤を用いるか又はロウ付け，半
田付け等を用いる方法等を用いることが考えられる。

【００５０】２５はパッケージで、パッケージ２５には
リードフレーム１４ａ，受光素子１３及び受光素子１３
とリードフレーム１４ａとをワイヤボンディングしてい
るＡｕ線等がモールドされている。パッケージ２５に対
しては、Ｓｉで構成された受光素子１３をモールドする
ことや光ガイド部材５を通過してきた光を受光素子１３
にまで導かなければならないこと等を考慮に入れると、
線膨張係数がＳｉに近く、吸水率が低く、透明で透過
率，屈折率等の光学特性が安定していることが望まれ
る。この様な材質として、ここではウレタン樹脂を用い
た。そしてパッケージ２５とステム２４との取り付けを
行う。この時光学的な要請から光ガイド部材５と受光素
子１３との間の距離の誤差は５０μｍ以下とする必要が
あるが、この調整は、光ガイド部材５を直接、パッケー
ジ２５に載置することにより行っても構わないし、パッ
ケージ２５の側壁部２５ａの高さを調整することにより
行っても構わない。取り付けはエポキシ系の接着剤やＵ
Ｖ接着剤を用いても良いし、クリーム半田等を用いて接
合しても構わない。

【００５１】以上示してきたように本実施例では、ステ
ム２４を用い、サブマウント２を直接ステム２４の上に
載置したことにより、光源１から伝導で伝わる熱をステ
ム２４に効率よく逃がすことができ、熱的問題を解決す
ることができる。更に受光素子１３をパッケージ２５に
モールドしたことにより、受光素子１３が空気に触れて
酸化したり、ごみ等が付着して受光特性が悪化すること
等を防ぐことができる。

【００５２】なお受光素子１３をパッケージ２５にモー
ルドせずに、第１実施例等に示したように、受光素子１
３をパッケージ２５上に載置、固定しても構わないし、
光ガイド部材５底部に取り付けても構わない。この場合
パッケージ２５の材質としては、有色の材質であっても
構わないので安価なエポキシ樹脂等を使用することが考
えられる。また光源１の酸化防止のためにパッケージン
グ内をパージする場合には、予め光ガイド部材５とステ
ム２４の間のギャップをシール剤でシールしておき、そ
の後Ｎ₂ガス等の酸化防止ガス雰囲気中でキャップ２２
を取り付けることによって行う。

【００５３】以上３つの実施例で示してきた構成は組み
合わせて、例えば第１実施例で、受光素子１３を光ガイ
ド部材５に接着するのではなく、図１３〜図１５で示し
た実施例のようにパッケージ中にモールドして用いても
勿論構わない。この場合受光素子１３の特性の劣化を防
ぐことができる。また金属製のステム２４と金属製のキ
ャップ２２により図１０〜図１２に示した実施例の様に
パッケージング全体を包含すれば高周波重畳回路が発し
た不要輻射を大きく抑えることができる。

【００５４】次に以上示してきたような構成を有する光
ピックアップのパッケージングの製造方法について、構
成の第１実施例から順に説明する。

【００５５】図１６〜図２０は本発明の一実施例におけ
る光ピックアップのパッケージングの製造手順を示す図
である。まず最初に、光源１とサブマウント２及びブロ
ック３（以下ＬＤブロックと称す）を組み立てる。組み
立てる前には特にブロック３の突起部３ａの側面部３ｂ
が放熱板４に対して垂直になるようにきちんと加工して
おく必要がある。サブマウント２及びブロック３は予め
メッキしたＡｌＮの板を打ち抜いたり、ダイジングソー
等を用いて切り出すことにより作製される。その際面粗
度，平面度，垂直度が十分に出ていない場合にはラップ
加工等を行うことも考えられる。光源１をサブマウント
２の所定の位置に取り付ける。取り付けはＡｕ−Ｓｎ，
Ｓｎ−Ｐｂ，Ｉｎ等の数μｍ〜数十μｍの厚さの箔等を
用いてこれを高温で圧着する方法等により行う。通常は
これと同時にサブマウント２とブロック３の取り付けも
同一の方法で行う。しかしながら光源１とサブマウント
２の取り付けと、サブマウント２とブロック３との取り
付けを異なる方法で行う場合には、実施温度が高いもの
から順に取り付けていく必要がある。なおこれらの部材
の接合面にＴｉやＰｔの膜を形成して、更にその上にＡ
ｕの膜を形成して、そこで接合することが好ましい。特
に光源１とサブマウント２との間の取り付けにはこの方
法を用いることが、光源１の信頼性の向上につながるの
で非常に好ましい。またこれらの部材の組み立てに際し
ては、光の収差が大きくならないように、特に光源１の
発光面と、ブロック３の突起部３ａの側面部３ｂとが略
平行で、かつ両面の距離の誤差が１０μｍ以下となるよ
うに留意しなければならない。誤差の値をこの様にする
ことにより製品の特性のばらつきを抑えることができ
る。

【００５６】次にこの様にして組み上がったＬＤブロッ
クを放熱板４の所定の位置に、所定の状態で取り付け
る。取り付けには半田付けなどの方法が用いられるが、
このときＬＤブロックの組み立てに用いられている接合
材が溶けて、組み立て精度が悪くならないように注意す
る必要がある。溶けないようにすることによって初めて
組み立て精度を維持することができ、誤動作のない光ピ
ックアップユニットの生産が可能になる。この時にも同
じく接合面にＴｉの膜を、またその上にＮｉ若しくはＰ
ｔの膜を形成して、更にその上にＡｕの膜を形成して、
そこで接合することが好ましい。ただしここではあまり
大きな接合強度は必要としないので、Ｔｉ−Ａｕ，Ｔｉ
−Ｎｉの膜で接合しても構わない。

【００５７】なお別の組立方法として、ブロック３と放
熱板４を予め前述の各種薄膜を形成しておき、その後Ａ
ｇロウ等でブロック３と放熱板４を取り付け、その後サ
ブマウント２をクリーム半田や前述した各種の箔等で取
り付け、最後に光源１を前述した各種の箔により取り付
けることも考えられる。

【００５８】次にＬＤブロックの組み込まれた放熱板４
上にパッケージ１４を所定の位置に取り付ける。取り付
けにはエポキシ系の接着剤を用いる。そして受光素子１
３をパッケージ１４内に設置し、受光素子１３の各信号
取り出し電極とそれぞれに対応するリードフレームの足
１４ｂとをワイヤ１４ｄでワイヤボンディングする。こ
のときワイヤボンディングに用いるワイヤ１４ｄの長さ
は、後で受光素子１３の位置を微調節する関係から、多
少長めにしておくことが好ましい。またこのとき同時に
光源１の電源用に、光源１の上面及びＡｕ面を介して光
源１の底面に接触しているサブマウント２の電極面２ａ
と、リードフレームの足１４ｂとを同じくワイヤ１４ｄ
を用いてワイヤボンディングしておく。尚このときは受
光素子１３はワイヤボンディングされているだけで放熱
板４もしくは光ガイド部材５には取り付け、固定はされ
ていない。

【００５９】次に光ガイド部材５をブロック３の側面部
３ｂに取り付ける。この取り付けには非常に高い精度が
要求されるので、ここではその方法について図を参照し
ながら詳細に説明する。図２１は本発明の一実施例にお
けるＣＣＤで観察した０次光と１次光との不一致を示し
た概念図、図２２は本発明の一実施例におけるＣＣＤで
観察した０次光と１次光との一致を示した概念図、また
図２３は本発明の一実施例における観察実験の概念図を
示している。まずエアピンセット等で保持された光ガイ
ド部材５をブロック３の側面部３ｂに沿って移動させ
て、大体の位置合わせを行う。このとき光ガイド部材５
の側面部若しくはブロック３の側面部３ｂの少なくとも
どちらか一方にＵＶ接着剤を塗布しておく。その後光源
１に電源を供給して発光させて光ガイド部材５に光を導
入する。光ガイド部材５に導入された光は拡散角変換ホ
ログラム７で０次回折光と１次回折光とに分離されて、
その後光ガイド部材５の面５ｅから外部に出射される。
出射された光はコリメータレンズ（図示せず）及び対物
レンズ２６を通って記録媒体２７があるはずの位置で結
像する。このときもし光源１と光ガイド部材５との相対
的位置が正しければ、拡散角変換ホログラム７で変換さ
れた０次回折光と１次回折光とは焦点深度が異なるだけ
で、同じポイントでフォーカスするので記録媒体２７上
では、図１８に示すように、同心円状に見える。またも
し光源１と光ガイド部材５との相対的位置が正しくなけ
れば、拡散角変換ホログラム７で変換された０次回折光
と１次回折光とは焦点深度もフォーカスポイントも異な
るので、記録媒体２７上では図１７に示すように異なる
２つの円となる。このことを利用して、記録媒***置に
電荷結合素子カメラ３２（以下ＣＣＤとする）をセット
して０次回折光と１次回折光とのズレを測定し、そのズ
レ幅及びズレの方向をフィードバックし、その量に合わ
せて光ガイド部材５をＣＣＤ３２で見た２つの成分の光
の結像が同心円になるように移動させる。これにより光
ガイド部材５の光源１に対する位置を非常に精度良く定
めることができる。この様にして光ガイド部材５の位置
決めをした後、紫外線を照射してＵＶ接着剤を固化させ
る。

【００６０】なお固定にはＵＶ接着剤でなくとも、位置
決め後瞬間接着剤を塗布する方法も考えられる。その場
合には光を遮らないように乾燥時に白化しないタイプの
ものを用いる。この接着剤を用いた場合には紫外線を照
射する工程を省くことができる。

【００６１】また位置決めの方法として、１次回折光の
光学的収差を波面収差測定器等を用いて測定し、収差が
最小になるように位置決めするという方法も考えられ
る。ただしトラッキング信号検出方式として３ビーム法
を用いた場合にはサイドビームも波面収差測定器に入射
してしまうため、異なる３つの光を同時に測定してしま
うので、この方法を用いることは困難となる。

【００６２】次に受光素子１３を放熱板４の所定の位置
に取り付ける。この場合もやはり記録媒体２７で反射し
てきた光を正しく受光素子１３の各受光部上に導かなく
てはならないので、受光素子１３と光ガイド部材５との
精密な相対的な位置合わせが必要である。この位置合わ
せの方法について説明する前に、受光素子１３における
非点収差法によるフォーカスエラー信号検出と本実施例
における非点収差の様子について図を用いて説明する。

【００６３】図２４〜図２６は各々記録媒体２７が合焦
位置にある場合、記録媒体２７が合焦点位置より近づい
た場合、記録媒体２７が合焦位置より遠ざかった場合の
本発明の一実施例における非点収差光束の外観図であ
る。また図２７〜図２９は各々図２４〜図２６の場合の
非点収差発生ホログラム１０によって発生した光の受光
素子１３上に設けられた受光部１７２ａ，１７２ｂ，１
７２ｃ，１７２ｄでのスポット形状を示した図である。

【００６４】非点収差発生ホログラム１０は記録媒体２
７が合焦位置にある場合受光部１７２に対して上流に第
１焦点１７８を受光部１７２に対して下流に第２焦点１
７９を発生させ、図２７〜図２９に示すようにｘ軸方向
とｙ軸方向をとると、第１焦点１７８の位置ではｙ軸方
向の線像を結び第２焦点１７９の位置ではｘ軸上の線像
を結ぶことになる。また記録媒体２７が合焦位置にある
場合、非点収差によって発生したｘ軸ｙ軸方向のそれぞ
れのスポット径が等しくなり円形のスポット形状になる
位置に非点収差発生ホログラム１０は設計される。

【００６５】フォーカスエラー信号は受光部１７２ａ，
１７２ｂ，１７２ｃ，１７２ｄからの光電流（又はＩ−
Ｖアンプにより変換された電圧）をそれぞれＩ１７２
ａ，Ｉ１７２ｂ，Ｉ１７２ｃ，Ｉ１７２ｄとすれば図６
の回路図からもわかるように以下の式で表すことができ
る。

【００６６】Ｆ．Ｅ．＝（Ｉ１７２ａ＋Ｉ１７２ｃ）−
（Ｉ１７２ｂ＋Ｉ１７２ｄ）記録媒体２７が合焦位置にある場合、図２４、図２７か
らもわかるようにｘ軸ｙ軸方向のそれぞれのスポット径
が等しくなり略円形のスポット形状になるため１７２ａ
と１７２ｃでの合計受光量と１７２ｂと１７２ｄでの合
計受光量が等しくなるためフォーカスエラー信号は以下
の式となる。

【００６７】Ｆ．Ｅ．＝０記録媒体２７が合焦位置より近づいた場合、図２５に示
すように非点収差発生ホログラム１０で発生した第１焦
点１７８と第２焦点１７９は焦点誤差検出素子から遠ざ
かるため受光部１７２ａ，１７２ｂ，１７２ｃ，１７２
ｄ上のスポット形状は図２８に示したようにｙ軸方向に
長軸を有する楕円光束となり受光部１７２ａ，１７２ｃ
の受光量が受光部１７２ｂ，１７２ｄの受光量に比べ多
くなりフォーカスエラー信号は以下の式となる。

【００６８】Ｆ．Ｅ＞０記録媒体２７が合焦位置より離れた場合、図２６に示す
ように非点収差発生ホログラム１０で発生した第１焦点
１７８と第２焦点１７９は非点収差発生ホログラム１０
に近づくため受光部１７２ａ，１７２ｂ，１７２ｃ，１
７２ｄ上のスポット形状は図２９に示したようにｘ軸方
向に長軸を有する楕円光束となり受光部１７２ｂ，１７
２ｄの受光量が受光部１７２ａ，１７２ｃの受光量に比
べ多くなりフォーカスエラー信号は以下の式となる。

【００６９】Ｆ．Ｅ＜０以上のようなフォーカスエラー信号検出方法は非点収差
法として知られている。

【００７０】そこで本実施例ではこの原理を用いて受光
素子１３の位置決めを行っている。即ち何らかの方法
（ここでは放熱板４に設けられている孔から受光素子１
３の背面を吸着するエアピンセットを用いている）で受
光素子１３を保持し、設置位置の微調節を可能とし、さ
らに記録媒体２７の位置に反射板（図示せず）を設置し
ておく。このとき光ガイド部材５の底面若しくは受光素
子１３の上面には予めＵＶ接着剤を塗布しておく。それ
から先ずは反射板で反射されて戻ってきた光の強度を受
光素子１３の受光部１７０，１７１等でモニターし、そ
の大まかな最適位置を決定する。そして次に四分割され
ている受光部１７２のそれぞれの受光部１７２ａ，１７
２ｂ，１７２ｃ，１７２ｄからの電流若しくは電圧（受
光量に比例）をそれぞれモニターしながら、反射板をピ
エゾ素子等を用いて故意に光軸に平行に振動させる。こ
れにより反射板は受光素子１３に対して近づいたり、遠
ざかったりすることになる。このとき受光部１７２ａ，
１７２ｂ，１７２ｃ，１７２ｄの光量がそれぞれほぼ等
しくなるように受光素子１３を移動させれば、光ガイド
部材５に対する受光素子１３の精密な位置決めが可能に
なる。このときの受光部１７２ａ及び１７２ｂからの信
号の様子を図３０、図３１に示した。この様にして受光
素子１３の位置決めをした後、紫外線を照射してＵＶ接
着剤を固化させる。そしてその後エアピンセット用の穴
を封止するためにエポキシ系のポッティング剤若しくは
半田を用いて隙間１７を塞ぐ。

【００７１】なお固定方法としてはＵＶ接着剤の他に瞬
間接着剤を用いることも考えられる。この場合位置決め
後に瞬間接着剤を塗布する。瞬間接着剤としては乾燥時
に白化しないタイプのものを用いることが好ましい。ま
たブロック３と光ガイド部材５との間の接着、及び光ガ
イド部材５と受光素子１３との間の接着の両方にＵＶ接
着剤を用いる場合には、光源１と光ガイド部材５との間
の位置決めと、光ガイド部材５と受光素子１３との間の
位置決めの両方が終了してから紫外線を照射するか若し
くはブロック３と光ガイド部材５のＵＶ接着終了後に、
光ガイド部材５と受光素子１３の間にＵＶ接着剤を塗布
する。

【００７２】なお反射板を設置せずに実際に記録媒体２
７を配置し、記録媒体２７を回転させて面振れを発生さ
せて、それにより位置調整を行っても良い。更にここで
は光源１と光ガイド部材５の位置決め、及び光ガイド部
材５と受光素子１３との間の位置決めの方法について光
源１を発光させて行う方法を記してきたが、他の方法と
して各部品をＣＣＤ等を用いて画像認識し、それらの部
品と基準になる位置を認識して、相対位置寸法が所定の
寸法になるように位置させるという方法も考えられる。

【００７３】最後に予め別工程で、エポキシ系の接着剤
を用いてシェル１５の上面にカバー部材１６を取り付け
ておき、この一体化された部材の底面をパッケージ１４
の上面に取り付ける。取り付けには主にエポキシ系の接
着剤を用いる。更にこの作業をＮ₂，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ
等の乾燥した酸化防止ガス雰囲気中で行うことにより、
光ピックアップのパッケージング内をパージすることが
できる。

【００７４】以上説明してきたような製造方法により、
光ピックアップのパッケージングが完成する。このよう
な製造方法を用いることにより、このような形状の光ガ
イド部材５を搭載した光ピックアップのパッケージング
を、より簡単且つ精密に行うことが出来、歩留まりを向
上させることが出来る。

【００７５】次に本発明の一実施例における光ピックア
ップのパッケージングの製造方法について、図１０〜図
１２に示す構成の実施例について説明する。但し上述の
実施例と同一の部分については説明を省略する。

【００７６】図３２〜図３６は、本発明の一実施例にお
ける光ピックアップのパッケージングの製造手順を示す
図である。まずＬＤブロックについて説明する。このＬ
Ｄブロックをセラミックパッケージ１８の基板１８ｂの
上面に取り付ける。取り付けにはクリーム半田付け等の
方法が用いられる。このときＬＤブロックの接着部が溶
けてずれてしまわないように留意する必要がある。なお
ブロック３を用いずにサブマウント２を直接基板１８ａ
若しくは１８ｂの上面にマウントすることも考えられ
る。この場合セラミックパッケージ１８の光ガイド部材
５との当接面の平面度，平行度等が高くなければならな
い。

【００７７】次にセラミックパッケージ１８の製造手順
について説明する。最初に所定の形状にプレス成型した
だけでまだ焼結していない３枚の基板１８ａ，１８ｂ，
１８ｃのそれぞれの上面，底面若しくは側面部には電源
供給用の電極（図示せず），受光素子１３で検知した信
号を外部に取り出すためのパターン電極（図示せず）及
びリング２３取り付けのためのパターンを形成する。更
に端子２０と光源１が電気的に接続されるように貫通孔
１９（図１０に示す）を設け、その内面にもパターンを
形成するか若しくはＷ等の金属ペーストを埋め込んでお
く。各パターンは基本的にはＷなどの金属の膜をメタラ
イズする。更に電気的な接触が必要な部位にはＡｕ面を
形成している。そしてこの３枚の基板１８ａ，１８ｂ，
１８ｃを重ね合わせて焼成して、その上にＮｉメッキの
層を形成し、そして電源取り込み用の貫通孔１９上に設
けられている電極面に端子２０を半田付け若しくはＡｇ
ロウ付け等で取り付け、更にリング２３を半田付け若し
くはＡｇロウ付け等で基板１８ａ上に取り付け、その上
に再びＮｉメッキをし、されにＡｕメッキをしてセラミ
ックパッケージ１８が完成する。

【００７８】その後上述の実施例と同様にワイヤボンデ
ィングをし、光ガイド部材５を位置決めした後ブロック
３に取り付け、更に受光素子１３も位置決めした後、光
ガイド部材５の底面に取り付ける。また基板１８ｃの開
口部と受光素子１３との間の隙間１７もエポキシ系のポ
ッティング剤等でシールしておく。その後リング２３上
にキャップ２２を載置し、電気抵抗溶接，冷間圧接若し
くは半田付け等によって取り付ける。以上のような製造
手順により光ピックアップのパッケージングが完成す
る。なおキャップ２２が金属製で、かつカバー部材１６
がガラス製の場合には、キャップ２２とカバー部材１６
との接合方法としてはガラス接着を用いることが、吸水
率の低さなどから好ましい。

【００７９】以上説明してきたような製造方法により、
光ピックアップのパッケージングが完成する。このよう
な製造方法を用いることにより、このような形状の光ガ
イド部材５を搭載した光ピックアップのパッケージング
を、より簡単且つ精密に行うことが出来、歩留まりを向
上させることが出来る。

【００８０】次に本発明の一実施例における光ピックア
ップのパッケージングの製造方法について、図１３〜図
１５に示した構成の実施例について説明する。但し上述
の実施例と重複する部分については説明を省略する。

【００８１】図３７〜図４１は本発明の一実施例におけ
る光ピックアップのパッケージングの製造手順を示す図
である。まず最初に光源１とサブマウント２で構成され
たＬＤブロックをステム２４の所定の位置に取り付け
る。このとき光源１の発光面と、光ガイド部材５の取り
付け面となるステム２４の内側壁とが平行で、かつその
２つの面の距離の誤差が１０μｍとなるように留意しな
ければならない。そしてステム２４の側面部２４ａに光
ガイド部材５を上述の実施例と同じ方法でその位置合わ
せをした後取り付ける。また予めステム２４には所定の
位置に電源供給のための端子２０を取り付けておく。こ
の端子２０の取り付けは、ステム２４の所定の位置にス
テム２４を貫通する孔を設けその孔の中心部に、端子２
０の端部がステム２４の上面よりやや上まで達するよう
に端子２０をたてて、その後その周囲に線膨張係数がス
テム２４の材質のそれに近いガラス等の絶縁物を流し込
んで絶縁，固定して行う。さらに光ガイド部材５とステ
ム２４との間はその取り付け面以外はステム２４に接触
してはいないので、この部分を後でパージしやすくする
ためにエポキシ系の樹脂等を流し込んで気密性が完全に
保てるようにシールしておく。

【００８２】次にパッケージ２５をステム２４に取り付
ける。このパッケージ２５には予め受光素子１３及びリ
ードフレーム１４ａがモールドされている。このパッケ
ージ２５の製造手順は、まずリードフレーム１４ａ上の
所定の位置に予めＡｇエポキシ等の接着剤を塗布してお
き、その上に受光素子１３を載置し固定する。そしてワ
イヤ１４ｄを用いて受光素子１３の電極面とリードフレ
ームの足１４ｂの間をワイヤボンディングする。この場
合は前の実施例とは異なりＡｕ線を長めにとる必要はな
い。その後リードフレーム１４ａを成型器に入れて光の
透過性が高く、透過率，屈折率の安定したウレタン等の
樹脂でトランスファー成型を行い、パッケージ２５とな
る。ここでパッケージ２５で用いられているウレタン樹
脂等は透明であるから検知したい成分以外の光が受光素
子１３に入ってくる可能性がある。そこでここでは検出
対象外の光が受光素子１３に入ってこないようにパッケ
ージ２５のモールド材の周囲で反射光の進入口以外の面
に梨地処理等の迷光処理を施している。さらにパッケー
ジ２５には端子２０をパッケージ２５の外に取り出せる
ように貫通孔が設けてある。このパッケージ２５のステ
ム２４に対向する面か若しくはステム２４のパッケージ
２５に対向する面の少なくともどちらか一方にエポキシ
系の接着剤やＵＶ接着剤等を予め塗布しておき、前述の
実施例で示した方法でパッケージ２５ごと移動させなが
ら位置調整を行った後、ステム２４とパッケージ２５を
接着し、更にカバー部材１６が取り付けられたキャップ
２２を窒素ガス雰囲気中でステム２４に取り付けて、光
ピックアップのパッケージングが完成する。

【００８３】以上説明してきたような製造方法により、
光ピックアップのパッケージングが完成する。このよう
な製造方法を用いることにより、このような形状の光ガ
イド部材５を搭載した光ピックアップのパッケージング
を、より簡単且つ精密に行うことが出来、歩留まりを向
上させることが出来る。

【００８４】以上３つの実施例で示してきた製造方法
は、構成が組み合わせで用いられた場合、例えば図１に
示した第１実施例で、受光素子を光ガイド部材に接着す
るのではなく、図１３〜図１５に示した実施例のように
パッケージ中にモールドした等であるが、このときは当
然製造方法も組み合わせで用いられることになる。

【００８５】

【発明の効果】本発明は、光ピックアップのパッケージ
ングを光源と光ガイド部材と受光素子と収納部材とで構
成することにより、光磁気ディスクで比較した場合、従
来の光ピックアップに対して体積比で１／５０に小型化
することができた。更に基台や保持部材を用いることに
より光源で発生する熱を効率よく外部に放出することが
できるので、光源の誤動作や破壊を防ぐことができる。
またカバー部材でパッケージ上部を覆うことにより、パ
ッケージ内部へのごみ等の付着を減少させることがで
き、光の余分な屈折や受光素子の誤動作及び劣化を防ぐ
ことができるとともにパッケージ内部のパージも容易に
行えるようになる。更に収納部材の一部を光透過性材で
構成して収納容器内を密閉することにより、パッケージ
内部へのごみ等の付着を防止することができ、かつ光特
性の劣化も防止できる。基台の貫通孔と受光手段との間
をシールすることによりパッケージング内部の気密性を
高めることができ、ごみやほこりの進入や各部材の酸化
や劣化などを防ぐことができる。さらに保持部材の熱伝
導率を１００ｗ／ｍＫ以上とすることにより光源で発生
する熱を効率よく逃がすことができるので、光源１に熱
による悪影響が発生しない。

【００８６】更に光源と保持部材とを載置した基台と接
続部材をモールドした収納部材を接合し、受光手段と収
納部材を所定の位置関係に配置し、接続部材と受光手段
とをワイヤボンディングし、光ガイド部材を収納部材内
に配置し、保持部材及び受光手段と接合させ、収納部材
とカバー部材を接合させることを特徴とする光ピックア
ップの製造方法を用いることによりこのような形状の光
ガイド部材を搭載した光ピックアップのパッケージング
を、より簡単且つ精密に行うことが出来、歩留まりを向
上させることが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における光ピックアップのパ
ッケージングの構成を示す断面図

【図２】本発明の一実施例における光ピックアップのパ
ッケージングの構成を示す断面図

【図３】本発明の一実施例における光ピックアップの動
作の概念図

【図４】本発明の一実施例における光ピックアップの平
面図

【図５】本発明の一実施例における光ピックアップのＶ
字溝基板の斜視図

【図６】本発明の一実施例における光ピックアップの受
光部配置及び信号処理を示す図

【図７】本発明の一実施例における光ピックアップの側
面図

【図８】本発明の一実施例における光ピックアップの平
面図

【図９】本発明の一実施例における光ピックアップの受
光部配置及び信号処理を示す図

【図１０】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの構成を示す図

【図１１】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの構成を示す図

【図１２】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの構成を示す図

【図１３】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの構成を示す図

【図１４】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの構成を示す図

【図１５】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの構成を示す図

【図１６】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの製造手順を示す図

【図１７】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの製造手順を示す図

【図１８】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの製造手順を示す図

【図１９】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの製造手順を示す図

【図２０】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの製造手順を示す図

【図２１】本発明の一実施例におけるＣＣＤで観察した
０次光と１次光との不一致を示した概念図

【図２２】本発明の一実施例におけるＣＣＤで観察した
０次光と１次光との一致を示した概念図

【図２３】本発明の一実施例における観察実験の概念図

【図２４】本発明の一実施例における非点収差光束の外
観図

【図２５】本発明の一実施例における非点収差光束の外
観図

【図２６】本発明の一実施例における非点収差光束の外
観図

【図２７】本発明の一実施例における受光センサ上での
ビームのスポット形状を示した図

【図２８】本発明の一実施例における受光センサ上での
ビームのスポット形状を示した図

【図２９】本発明の一実施例における受光センサ上での
ビームのスポット形状を示した図

【図３０】本発明の一実施例における受光センサ上での
センサ光量を示した図

【図３１】本発明の一実施例における受光センサ上での
センサ光量を示した図

【図３２】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの製造手順を示す図

【図３３】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの製造手順を示す図

【図３４】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの製造手順を示す図

【図３５】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの製造手順を示す図

【図３６】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの製造手順を示す図

【図３７】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの製造手順を示す図

【図３８】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの製造手順を示す図

【図３９】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの製造手順を示す図

【図４０】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの製造手順を示す図

【図４１】本発明の一実施例における光ピックアップの
パッケージングの製造手順を示す図

【符号の説明】

１光源２サブマウント２ａ電極面３ブロック３ａ突起部３ｂ側面部４放熱板５光ガイド部材５ａ第一の斜面５ｂ第二の斜面５ｃ第三の斜面５ｄＶ字溝５ｅ面５ｆ面６回折格子７拡散角変換ホログラム８反射膜９第一のビームスプリッター膜１０非点収差発生ホログラム１１第二のビームスプリッター膜１２偏光分離膜１３受光素子１３ａ電極１４パッケージ１４ａリードフレーム１４ｂリードフレームの足１４ｃ段差１４ｄワイヤ１５シェル１６カバー部材１６ａ反射防止膜１７隙間１８セラミックパッケージ１８ａ，１８ｂ，１８ｃ基板１８ｄ電極１８ｅ電極１９，１９ａ，１９ｂ，１９ｃ貫通孔２０端子２１高周波重畳電源回路２２キャップ２３リング２４ステム２４ａ側面部２４ｂ段差２５パッケージ２５ａ側壁部２６対物レンズ２７記録媒体２７ａ情報記録面２８第２のビームスプリッター膜２９ａ，２９ｂ，２９ｃビームスポット３０理想球面波３１Ｖ溝基板３１ａ反射面３２ＣＣＤ１１７透過光１１９センサー基板１２０反射光１２１偏光分離膜１２２反射膜１２３反射光１２５反射膜１２６反射膜１７０，１７１，１７２，１７２ａ，１７２ｂ，１７２
ｃ，１７２ｄ，１７６，１７７受光部３０１ブロック３０２サブマウント３０３光源３０４光ガイド部材３０５ａ第一の斜面３０５ｂ第二の斜面３０５ｃ第三の斜面３０５ｄ第四の斜面３０５ｅ第五の斜面３０６拡散角変換ホログラム３０７回折格子３０８第１のビームスプリッター膜３０９対物レンズ３１０記録媒体３１６第２のビームスプリッター膜３１７透過光３１８１／２波長板３１９受光素子３２０反射光３２１偏光分離膜３２２反射膜３２３反射光３２４非点収差発生ホログラム３２５，３２６反射膜３７０，３７１，３７２，３７６，３７７受光部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者樋渡竜也大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者中島一幸大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光源と、前記光源から照射された光の入射
方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有した光ガイド部
材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気信号
に変換する受光手段と、前記光源と前記光ガイド部材と
前記受光手段とを収納する収納部材とを備え、前記光ガ
イド部材は前記光源からの光を前記複数の傾斜面で反射
させて光媒体に導くとともに、前記光媒体から反射して
きた光を前記受光手段に導く事を特徴とする光ピックア
ップ。
【請求項２】光ガイド部材において光媒体に光を出射し
たり前記光媒体からの反射光を入射する入出射部分に対
向する収納部材の対向部を光透過性材で構成するととも
に前記収納部内を密閉した事を特徴とする請求項１記載
の光ピックアップ。
【請求項３】密閉された収納容器内部に酸化防止ガスを
封入したことを特徴とする請求項２記載の光ピックアッ
プ。
【請求項４】光ガイド部材の光源から出射された光の入
射方向と、前記光ガイド部材から光媒体へ出射される光
及び前記光媒体で反射されて光ガイド部材に戻ってきた
光の入射方向とが略垂直であることを特徴とする請求項
１，２，３いずれか１記載の光ピックアップ。
【請求項５】光源と、前記光源から照射された光の入射
方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有した光ガイド部
材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気信号
に変換する受光手段と、前記光源と前記光ガイド部材と
前記受光手段とを収納するとともに開口部を有する収納
部材と、前記収納部材の開口部を覆うカバー部材とを備
え、前記光ガイド部材は前記光源からの光を前記複数の
傾斜面で反射させて前記カバー部材を介して光媒体に導
くとともに、前記光媒体から反射してきた光を前記受光
手段に導くことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項６】光ガイド部材において光媒体に光を出射し
たり前記光媒体からの反射光を入射する入出射部分に対
向する収納部材の対向部を光透過性材で構成するととも
に前記収納部内を密閉した事を特徴とする請求項５記載
の光ピックアップ。
【請求項７】密閉された収納容器内部に酸化防止ガスを
封入したことを特徴とする請求項６記載の光ピックアッ
プ。
【請求項８】光ガイド部材の光源から出射された光の入
射方向と、光ガイド部材から光媒体へ出射される光及び
前記光媒体で反射されて光ガイド部材に戻ってきた光の
入射方向とが略垂直であることを特徴とする請求項５，
６，７いずれか１記載の光ピックアップ。
【請求項９】カバー部材と光ガイド部材を接触させるこ
とを特徴とする請求項５，６，７，８いずれか１記載の
光ピックアップ。
【請求項１０】カバー部材の厚さ（ｔ１）を０．３≦ｔ
１≦３．０（ｍｍ）としたことを特徴とする請求項９記
載の光ピックアップ。
【請求項１１】カバー部材と光ガイド部材の間に隙間を
設けたことを特徴とする請求項５，６，７，８いずれか
１記載の光ピックアップ。
【請求項１２】カバー部材の厚さ（ｔ２）を０．１≦ｔ
２≦３．０（ｍｍ）としたことを特徴とする請求項１１
記載の光ピックアップ。
【請求項１３】カバー部材と光ガイド部材との間の距離
（ｄ）を０．１≦ｄ≦３．０（ｍｍ）としたことを特徴
とする請求項１１，１２いずれか１記載の光ピックアッ
プ。
【請求項１４】光源と、前記光源を保持する保持部材
と、前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜
した複数の傾斜面を有した光ガイド部材と、光を受光す
るとともに受光した光信号を電気信号に変換する受光手
段と、前記光源と前記光ガイド部材と前記受光手段とを
収納するとともに開口部を有する収納部材とを備え、前
記保持部材が熱伝導率（ｗ）ｗ≧１００（ｗ／ｍＫ）の
条件を満たすとともに、前記光ガイド部材は前記光源か
らの光を前記複数の傾斜面で反射させて前記カバー部材
を介して光媒体に導くとともに、前記カバー部材を介し
て前記光媒体から反射してきた光を前記受光手段に導く
ことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項１５】光ガイド部材において光媒体に光を出射
したり光媒体からの反射光を入射する入出射部分に対向
する収納部材の対向部を光透過性材で構成するとともに
前記収納部内を密閉したことを特徴とする請求項１４記
載の光ピックアップ。
【請求項１６】密閉された収納容器内部に酸化防止ガス
を封入したことを特徴とする請求項１５記載の光ピック
アップ。
【請求項１７】光ガイド部材の光源から出射された光の
入射方向と、前記光ガイド部材から光媒体へ出射される
光及び光媒体で反射されて前記光ガイド部材に戻ってき
た光の入射方向とが略垂直であることを特徴とする請求
項１４，１５，１６いずれか１記載の光ピックアップ。
【請求項１８】保持部材を複数の部材で構成し、前記部
材の大きさを光源から離れるほど大きくした事を特徴と
する請求項１４，１５，１６，１７いずれか１記載の光
ピックアップ。
【請求項１９】保持部材と光ガイド部材を接触させたこ
とを特徴とする請求項１４，１５，１６，１７，１８い
ずれか１記載の光ピックアップ。
【請求項２０】保持部材と収納部材とを接触させたこと
を特徴とする請求項１４，１５，１６，１７，１８，１
９いずれか１記載の光ピックアップ。
【請求項２１】保持部材が線膨張係数（ｋ）３×１０^-6
≦ｋ≦１０×１０^-6（／℃）の条件を満たすことを特徴
とする請求項１４，１５，１６，１７，１８，１９，２
０いずれか１記載の光ピックアップ。
【請求項２２】光源と、前記光源から照射された光の入
射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有した光ガイド
部材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気信
号に変換する受光手段と、前記光源と前記光ガイド部材
と前記受光手段とを収納する収納部材と、前記収納部材
を載置する基台とを備え、前記光ガイド部材は前記光源
からの光を前記複数の傾斜面で反射させて光媒体に導く
とともに、前記光媒体から反射してきた光を前記受光手
段に導くことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項２３】光ガイド部材において光媒体に光を出射
したり前記光媒体からの反射光を入射する入出射部分に
対向する収納部材の対向部を光透過性材で構成するとと
もに前記収納部内を密閉したことを特徴とする請求項２
２記載の光ピックアップ。
【請求項２４】密閉された収納容器内部に酸化防止ガス
を封入したことを特徴とする請求項２３記載の光ピック
アップ。
【請求項２５】光ガイド部材の光源から出射された光の
入射方向と、前記光ガイド部材から光媒体へ出射される
光及び光媒体で反射されて光ガイド部材に戻ってきた光
の入射方向とが略垂直であることを特徴とする請求項２
２，２３，２４いずれか１記載の光ピックアップ。
【請求項２６】基台に光源を載置したことを特徴とする
請求項２２，２３，２４，２５いずれか１記載の光ピッ
クアップ。
【請求項２７】光源と、前記光源を保持する保持部材
と、前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜
した複数の傾斜面を有した光ガイド部材と、光を受光す
るとともに受光した光信号を電気信号に変換する受光手
段と、前記光源と前記保持部材と前記光ガイド部材と前
記受光手段とを収納するとともに前記光ガイド部材にお
いて光媒体に光を出射したり光媒体からの反射光を入射
する入出射部分との対向する部分に開口部を有した収納
部材と、前記開口部を覆うカバー部材とを備え、前記保
持部材が熱伝導率（ｗ）ｗ≧１００（ｗ／ｍＫ）の条件
を満たすとともに、前記光ガイド部材は前記光源からの
光を前記複数の傾斜面で反射させて前記カバー部材を介
して光媒体に導くとともに、前記光媒体から反射してき
た光を前記受光手段に導く事を特徴とする光ピックアッ
プ。
【請求項２８】収納部材内部を密閉したことを特徴とす
る請求項２７記載の光ピックアップ。
【請求項２９】密閉された収納容器内部に酸化防止ガス
を封入したことを特徴とする請求項２８記載の光ピック
アップ。
【請求項３０】光ガイド部材の光源から出射された光の
入射方向と、前記光ガイド部材から光媒体へ出射される
光及び前記光媒体で反射されて前記光ガイド部材に戻っ
てきた光の入射方向とが略垂直であることを特徴とする
請求項２７，２８，２９いずれか１記載の光ピックアッ
プ。
【請求項３１】カバー部材と光ガイド部材を接触させる
ことを特徴とする請求項２７，２８，２９，３０いずれ
か１記載の光ピックアップ。
【請求項３２】カバー部材の厚さ（ｔ１）を０．３≦ｔ
１≦３．０（ｍｍ）としたことを特徴とする請求項３１
記載の光ピックアップ。
【請求項３３】カバー部材と光ガイド部材との間に隙間
を設ける事を特徴とする請求項２７，２８，２９，３０
いずれか１記載の光ピックアップ。
【請求項３４】カバー部材の厚さ（ｔ２）を０．１≦ｔ
２≦３．０（ｍｍ）としたことを特徴とする請求項３３
記載の光ピックアップ。
【請求項３５】カバー部材と光ガイド部材との距離
（ｄ）を０．１≦ｄ≦３．０（ｍｍ）としたことを特徴
とする請求項３３，３４いずれか１記載の光ピックアッ
プ。
【請求項３６】保持部材を２つ以上の部材に分割し、前
記部材の断面積が光源に近い部材から遠い部材の順で大
きくなるように配置されていることを特徴とする請求項
２７〜３５いずれか１記載の光ピックアップ。
【請求項３７】保持部材と光ガイド部材を接触させて取
り付けたことを特徴とする請求項２７〜３６いずれか１
記載の光ピックアップ。
【請求項３８】保持部材と収納部材とを接触させて取り
付けたことを特徴とする請求項２７〜３７いずれか１記
載の光ピックアップ。
【請求項３９】保持部材が線膨張係数（ｋ）３×１０^-6
≦ｋ≦１０×１０^-6（／℃）の条件を満たすことを特徴
とする請求項２７〜３８いずれか１記載の光ピックアッ
プ。
【請求項４０】光源と、前記光源から照射された光の入
射方向に対して傾斜した複数の傾斜面を有した光ガイド
部材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気信
号に変換する受光手段と、前記光源と前記光ガイド部材
と前記受光手段とを収納するとともに前記光ガイド部材
において光媒体に光を出射したり前記光媒体からの反射
光を入射する入出射部分との対向する部分に開口部を有
した収納部材と、前記開口部を覆うカバー部材と、前記
収納部材を載置する基台とを備え、前記光ガイド部材は
前記光源からの光を前記複数の傾斜面で反射させて前記
カバー部材を介して前記光媒体に導くとともに、前記光
媒体から反射してきた光を前記受光手段に導く事を特徴
とする光ピックアップ。
【請求項４１】光源と、前記光源を保持する保持部材
と、前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜
した複数の傾斜面を有した光ガイド部材と、光を受光す
るとともに受光した光信号を電気信号に変換する受光手
段と、前記光源と前記保持部材と前記光ガイド部材と前
記受光手段とを収納する収納部材と、前記収納部材を載
置する基台とを備え、前記保持部材が熱伝導率（ｗ）ｗ
≧１００（ｗ／ｍＫ）の条件を満たすとともに、前記光
ガイド部材は前記光源からの光を前記複数の傾斜面で反
射させて前記カバー部材を介して光媒体に導くととも
に、前記光媒体から反射してきた光を前記受光手段に導
く事を特徴とする光ピックアップ。
【請求項４２】光源と、前記光源を保持する保持部材
と、前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜
した複数の傾斜面を有した光ガイド部材と、光を受光す
るとともに受光した光信号を電気信号に変換する受光手
段と、前記光源と前記保持部材と前記光ガイド部材と前
記受光手段とを収納するとともに前記光ガイド部材にお
いて光媒体に光を出射したり前記光媒体からの反射光を
入射する入出射部分との対向する部分に開口部を有した
収納部材と、前記開口部を覆うカバー部材と、前記収納
部材を載置する基台とを備え、前記保持部材が熱伝導率
（ｗ）ｗ≧１００（ｗ／ｍＫ）の条件を満たすととも
に、前記光ガイド部材は前記光源からの光を前記複数の
傾斜面で反射させて前記カバー部材を介して前記光媒体
に導くとともに、光媒体から反射してきた光を前記受光
手段に導く事を特徴とする光ピックアップ。
【請求項４３】光源の光出射面と光ガイド部材の光源に
対向する面が略平行であることを特徴とする請求項１〜
４２のいずれか１記載の光ピックアップ。
【請求項４４】光ガイド部材と受光手段とを密着させた
ことを特徴とする請求項１〜４２いずれか１記載の光ピ
ックアップ。
【請求項４５】光源と収納部材とを密着させたことを特
徴とする請求項１〜１３，２２〜２６，４０〜４２のい
ずれか１記載の光ピックアップ。
【請求項４６】収納部材に受光手段をモールドするとと
もに、前記収納部材の前記受光手段に対向する全ての面
を光透過性を有する物質で形成したことを特徴とする請
求項１〜４５いずれか１記載の光ピックアップ。
【請求項４７】光源と、前記光源を保持する保持部材
と、前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜
した複数の傾斜面を有し、前記複数の傾斜面をそれぞれ
略平行に配置するとともに前記複数の傾斜面に各種の光
学素子を形成した光ガイド部材と、前記光ガイド部材を
透過してきた光を電気信号に変換する受光手段と、前記
受光手段で変換された電気信号を取り出す接続部材と、
前記光源と前記保持部材と前記光ガイド部材と前記受光
手段と前記接続部材を収納するとともに、開口部を有す
る収納部材と、前記収納部材の開口部を覆うカバー部材
とを備えたことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項４８】光ガイド部材と保持部材とを接触させた
ことを特徴とする請求項４７記載の光ピックアップ。
【請求項４９】受光手段と光ガイド部材とを接触させた
ことを特徴とする請求項４７，４８いずれか１記載の光
ピックアップ。
【請求項５０】保持部材を収納部材に載置したことを特
徴とする請求項４７，４８，４９いずれか１記載の光ピ
ックアップ。
【請求項５１】カバー部材と収納部材とを取付リングを
介して接合したことを特徴とする請求項４７，４８，４
９，５０いずれか１記載の光ピックアップ。
【請求項５２】収納部材をセラミック材料で構成したこ
とを特徴とする請求項４７〜５１いずれか１記載の光ピ
ックアップ。
【請求項５３】接続部材を収納部材にモールドしたこと
を特徴とする請求項４７〜５２いずれか１記載の光ピッ
クアップ。
【請求項５４】光源と、前記光源を保持する保持部材
と、前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜
した複数の傾斜面を有し、前記複数の傾斜面をそれぞれ
略平行に配置するとともに前記複数の傾斜面に各種の光
学素子を形成した光ガイド部材と、前記光ガイド部材を
透過してきた光を電気信号に変換する受光手段と、前記
受光手段で変換された電気信号を取り出す接続部材と、
前記光源と前記保持部材と前記光ガイド部材と前記受光
手段と前記接続部材を収納するとともに、開口部を有す
る収納部材と、前記収納部材の開口部を覆うカバー部材
と、前記収納部材を載置する基台とを備えたことを特徴
とする光ピックアップ。
【請求項５５】光ガイド部材と保持部材とを接触させた
ことを特徴とする請求項５４記載の光ピックアップ。
【請求項５６】保持部材を基台に載置したことを特徴と
する請求項５４，５５いずれか１記載の光ピックアッ
プ。
【請求項５７】受光手段と光ガイド部材とを接触させた
ことを特徴とする請求項５４，５５，５６いずれか１記
載の光ピックアップ。
【請求項５８】受光手段を収納部材にモールドしたこと
を特徴とする請求項５４，５５，５６いずれか１記載の
光ピックアップ。
【請求項５９】接続部材を収納部材にモールドしたこと
を特徴とする請求項５４〜５８いずれか１記載の光ピッ
クアップ。
【請求項６０】光源と保持部材とを載置した基台と接続
部材をモールドした収納部材を接合し、受光手段と前記
収納部材を所定の位置関係に配置し、前記接続部材と前
記受光手段とをワイヤボンディングし、光ガイド部材を
前記収納部材内に配置し、前記保持部材及び前記受光手
段と接合させ、前記収納部材とカバー部材を接合させる
ことを特徴とする光ピックアップの製造方法。
【請求項６１】光ガイド部材と受光手段及び保持部材と
の接合においてＵＶ接着剤を用いることを特徴とする請
求項６０記載の光ピックアップの製造方法。
【請求項６２】光ガイド部材と受光手段及び保持部材と
の接合において瞬間接着剤を用いることを特徴とする請
求項６０記載の光ピックアップの製造方法。
【請求項６３】基台に貫通孔を設け、受光手段と光ガイ
ド部材とを接合する際に行う位置に微調整において、調
整治具を前記貫通孔から挿入することを特徴とする請求
項６０，６１，６２いずれか１記載の光ピックアップの
製造方法。
【請求項６４】受光手段と光ガイド部材とを接合する際
に行う位置の微調整について、光源から照射され受光手
段に戻ってきた光の量を基準に行うことを特徴とする請
求項６０〜６３いずれか１記載の光ピックアップの製造
方法。
【請求項６５】保持部材と光ガイド部材とを接合する際
に行う位置の微調整について、光源から照射された光の
成分の違いにより発生する光媒***置での結像のズレを
基準に行うことを特徴とする請求項６０〜６４いずれか
１記載の光ピックアップの製造方法。
【請求項６６】接続部材をモールドし、予め所定の処置
を施した収納部材と光源及び保持部材を有するＬＤブロ
ックとを接合し、受光手段と前記収納部材を所定の位置
関係に配置し、前記接続部材と前記受光手段とをワイヤ
ボンディングし、光ガイド部材を前記収納部材内に配置
し、前記ＬＤブロック及び前記受光手段と接合させ、前
記収納部材とカバー部材を接合させることを特徴とする
光ピックアップの製造方法。
【請求項６７】光ガイド部材とＬＤブロックとの接合に
おいて紫外線硬化接着剤を用いることを特徴とする請求
項６６記載の光ピックアップの製造方法。
【請求項６８】光ガイド部材とＬＤブロックとの接合に
おいて吸湿接着剤を用いることを特徴とする請求項６６
記載の光ピックアップの製造方法。
【請求項６９】収納部材とカバー部材との接合をリング
を介して行うことを特徴とする請求項６６〜６８いずれ
か１記載の光ピックアップの製造方法。
【請求項７０】光源と保持部材とを載置した基台と光ガ
イド部材とを接合し、前記基台と、受光手段及び接続手
段とをモールドした収納部材とを所定の位置関係で接合
させ、前記基台とカバー部材を接合させることを特徴と
する光ピックアップの製造方法。
【請求項７１】光ガイド部材と基台との接合において紫
外線硬化接着剤を用いることを特徴とする請求項７０記
載の光ピックアップの製造方法。
【請求項７２】光ガイド部材とＬＤブロックとの接合に
おいて吸湿接着剤を用いることを特徴とする請求項７０
記載の光ピックアップの製造方法。
【請求項７３】光源と、前記光源を保持する保持部材
と、前記光源から照射された光の入射方向に対して傾斜
した複数の傾斜面を有し、前記複数の傾斜面をそれぞれ
略平行に配置するとともに前記複数の傾斜面に各種の光
学素子を形成した光ガイド部材と、前記光ガイド部材を
透過してきた光を電気信号に変換する受光手段と、前記
受光手段で変換された電気信号を取り出す接続部材と、
前記光源と前記保持部材と前記光ガイド部材と前記受光
手段と前記接続部材を収納するとともに、開口部を有す
る収納部材と、前記収納部材の開口部を覆うカバー部材
と、前記収納部材を載置するとともに貫通孔を有する基
台とを備え、前記基台の貫通孔と前記受光手段との間を
シールすることを特徴とする光ピックアップ。
【請求項７４】基台の貫通孔と受光手段との間をシール
するシール剤としてエポキシ系のポッティング剤を用い
たことを特徴とする光ピックアップ。
【請求項７５】基台の貫通孔と受光手段との間をシール
するシール剤として半田を用いたことを特徴とする光ピ
ックアップ。