JP3536485B2

JP3536485B2 - 光ピックアップ及び光ガイド部材

Info

Publication number: JP3536485B2
Application number: JP30410995A
Authority: JP
Inventors: 秀樹吉中
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-11-22
Filing date: 1995-11-22
Publication date: 2004-06-07
Anticipated expiration: 2015-11-22
Also published as: JPH09147402A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光素子、光ディス
ク等への情報の記録又は再生を行う光ピックアップ、並
びにその光ピックアップに用いる光ガイド部材に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】以下従来の光ピックアップにおけるＲＦ
信号の形成について説明する。図１１は従来の光ピック
アップの概念図である。光源１から出射された光は、光
ガイド部材５０５を介して記録媒体に導かれる。記録媒
体の情報記録面で反射されたメインビーム及びサイドビ
ームの戻り光は対物レンズ、光ガイド部材５０５の面５
０５ｅを通過し、光ガイド部材５０５の第二の斜面５０
５ｂに形成された第一偏光ビームスプリッター膜５０９
に入射する。第一偏光ビームスプリッター膜５０９は入
射面に対して平行な振動成分を有する光（以下単にＰ偏
光成分と呼ぶ）に対してほぼ１００％の透過率を有し、
垂直な振動成分（以下単にＳ偏光成分と呼ぶ）に対して
は一定の反射率を有する。

【０００３】記録媒体からの戻り光のうち第一偏光ビー
ムスプリッター膜５０９から透過する光は光ガイド部材
５０５の第一の斜面５０５ａに平行な第三の斜面５０５
ｃ上に形成された第二の偏光選択性のあるビームスプリ
ッター膜５１１（以下単に第二偏光ビームスプリッター
膜と呼ぶ）に入射する。第二偏光ビームスプリッター膜
５１１は第一偏光ビームスプリッター膜５０９と同様に
Ｐ偏光成分に対してほぼ１００％の透過率を有し、Ｓ偏
光成分に対しては一定の反射率を有する。

【０００４】ここで第二偏光ビームスプリッター膜５１
１に入射した光束の内、偏光面変換基板５３１に入射し
た光６１７に関して説明する。光６１７は第三の斜面５
０５ｃ上に積層された偏光面変換基板５３１に入射す
る。

【０００５】図１２は従来の偏光面変換基板の斜視図で
ある。偏光面変換基板５３１は第一のその他の斜面５３
１ａ（以下単に第一他斜面と呼ぶ）とその第一他斜面５
３１ａに平行な第二のその他の斜面５３１ｂ（以下単に
第二他斜面と呼ぶ）を有し、第一他斜面５３１ａ上の全
面には反射膜６２６が、第二他斜面５３１ｂ上の全面に
は偏光分離膜５１２が夫々形成されている。透過光６１
７は第二他斜面５３１ｂ上の全面に形成された偏光分離
膜５１２に入射する。第二他斜面５３１ｂは透過光６１
７の偏光面６１７ａと入射面６２８とのなす角が略４５
°（２ｎ＋１）、（ｎは整数）になるように形成されて
いる。その結果透過光６１７のＰ偏光成分６１７ｐとＳ
偏光成分６１７ｓは略１：１の強度比を有するようにな
る。入射面６２８と平行な偏光成分を有するＰ偏光成分
６１７ｐは偏光分離膜５１２によってほぼ１００％透過
し、一方、入射面５２８に垂直な偏光成分を有するＳ偏
光成分６１７ｓは第二他斜面５３１ｂ上の偏光分離膜５
１２によって略１００％反射し第一他斜面５３１ａ面上
に入射し、反射膜６２６によって反射させられ受光素子
５１３へ導かれる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の構成では、偏光面変換基板５３１に入射してきた透
過光６１７の内、偏光分離膜５１２で反射されるＳ偏光
成分６１７ｓは、さらに第一他斜面５３１ａ面上に入射
し、反射膜６２６によって反射され受光素子５１３へ導
かれていたが、偏光面変換基板５３１において偏光分離
膜５１２及び反射膜６２６とが第一他斜面５３１ａ及び
第二他斜面５３１ｂの全面に形成されていたので、この
ときの反射膜６２６と偏光分離膜５１２との間の位置関
係如何によっては反射膜６２６で反射されたＳ偏光成分
が再度偏光分離膜５１２に入射してしまい、受光素子５
１３に入射するＳ偏光成分とＰ偏光成分との光量の比が
１：１にならない可能性があったので、反射膜６２６で
反射されて受光素子５１３に向かう光が再度変更分離膜
５１２に入射しないように、偏光分離膜５１２と反射膜
６２６との間の距離をかなり大きく取る必要があった。
従って光ガイド部材５０５を小型化しようとしても、偏
光面変換基板５３１の小型化には自ずから限界があっ
て、非常に困難であった。

【０００７】本発明は前記従来の課題を解決するもの
で、体積が非常に小さく、かつ、ノイズの少ないＲＦ信
号を形成することができる光ピックアップ、並びにその
光ピックアップに用いる光ガイド部材を提供することを
目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、偏光面変換基板の他斜面上に設けられている光の偏
光方向に応じて光を透過させるか反射させるかする偏光
分離素子と、偏光分離素子で反射された光を受光手段に
導く反射手段を備え、他斜面には偏光分離素子が設けら
れている第一の領域と前記偏光分離素子が設けられてい
ない第二の領域が形成されており、第一の領域で反射さ
れた光は反射手段で反射されて第二の領域を透過して前
記受光手段に入射する偏光面変換基板において、第一他
斜面に形成される偏光分離素子の大きさを第一他斜面の
面積よりも小さくして設ける。更に好ましくは第二他斜
面に形成される反射膜の大きさを第二他斜面の面積より
も小さくして設けるという構成を有している。

【０００９】

【発明の実施の形態】光源と、前記光源から照射された
光の入射方向に対して傾斜した複数の斜面を有し、前記
複数の斜面をそれぞれ略平行に配置し、前記複数の斜面
に各種光学素子を形成するとともに前記複数の斜面とは
傾斜の異なる他斜面を備えた光ガイド部材と、前記光ガ
イド部材を透過してきた光を電気信号に変換する受光手
段と、前記他斜面上に設けられ光の偏光方向に応じて光
を透過させるか反射させるかする偏光分離素子とを備
え、前記他斜面の一部分に前記偏光分離素子を設けたこ
とにより、偏光分離素子で反射された光が再度偏光分離
素子に入射することを防止するとともに光ガイド部材の
厚さを薄くすることができる。

【００１０】そして他斜面の光の入射する部分とその周
縁部に偏光分離素子を設けることにより、更に効率よく
光ガイド部材の厚さを薄くすることができる。

【００１１】また光源と、前記光源から照射された光の
入射方向に対して傾斜した複数の斜面を有し、前記複数
の斜面をそれぞれ略平行に配置し、前記複数の斜面に各
種光学素子を形成するとともに前記複数の斜面とは傾斜
の異なる他斜面を備えた光ガイド部材と、前記光ガイド
部材を透過してきた光を電気信号に変換する受光手段
と、前記他斜面上に設けられている光の偏光方向に応じ
て光を透過させるか反射させるかする偏光分離素子と、
前記偏光分離素子で反射された光を前記受光手段に導く
反射手段とを備え、前記他斜面には前記偏光分離素子が
設けられている第一の領域と前記偏光分離素子が設けら
れていない第二の領域が形成されており、前記第一の領
域で反射された光は前記反射手段で反射されて前記第二
の領域を透過して前記受光手段に入射するようにしたこ
とにより、偏光分離素子で反射された光が再度偏光分離
素子に入射することをほぼ完全に防止するとともに光ガ
イド部材の厚さを薄くすることができる。

【００１２】光源と、前記光源から照射された光の入射
方向に対して傾斜した複数の斜面を有し、前記複数の斜
面をそれぞれ略平行に配置し、前記複数の斜面に各種光
学素子を形成するとともに前記複数の斜面とは傾斜の異
なる第一の他斜面と、前記第一の他斜面と所定の関係で
配置された第二の他斜面とを備えた光ガイド部材と、前
記光ガイド部材を透過してきた光を電気信号に変換する
受光手段と、前記第一の他斜面上に設けられ光の偏光方
向に応じて光を透過させるか反射させるかする偏光分離
素子と、前記第二の他斜面上に設けられ前記偏光分離素
子で反射された光を受光手段に導く反射手段とを備え、
前記第一の他斜面には前記偏光分離素子が設けられてい
る第一の領域と前記偏光分離素子が設けられていない第
二の領域が形成されており、前記第二の他斜面には前記
反射手段が設けられている第三の領域と前記反射手段が
設けられていない第四の領域が形成されており、入射光
は前記第四の領域を透過して前記第一の領域に入射し、
前記第一の領域で反射された光は前記第三の領域で反射
されて前記第二の領域を透過して前記受光手段に入射す
るようにしたことにより、光が第一の領域に入射する前
に反射手段で反射されて光量が減少することを防止でき
るとともに偏光分離素子で反射された光が反射手段で反
射されて後、再度偏光分離素子に入射することをほぼ完
全に防止するとともに光ガイド部材の厚さを薄くするこ
とができる。

【００１３】第一の他斜面と第二の他斜面とが略平行に
設けることにより、光ガイド部材の形成が容易になる。

【００１４】第一の領域は第一の他斜面上の光の入射す
る領域及びその周辺部に設けられており、第三の領域は
第二の他斜面上の前記第一の領域で反射された光の入射
する領域及びその周辺部に設けるようにしたことにより
光が第一の領域に入射する前に反射手段で反射されて光
量が減少することを防止できるとともに偏光分離素子で
反射された光が反射手段で反射されて後、再度偏光分離
素子に入射することをほぼ完全に防止するとともに光ガ
イド部材の厚さをさらに薄くすることができる。

【００１５】以下本発明の一実施の形態における光ピッ
クアップのパッケージングについて図を参照しながら説
明する。

【００１６】図１及び図２はともに本発明の一実施の形
態における光ピックアップのパッケージングの構成を示
す断面図である。

【００１７】１は光源で、光源１としては半導体レー
ザ，Ｈｅ−Ｎｅ等のガスレーザ等の各種レーザが考えら
れる。ここではこれらの中で最も小型で装置全体を小型
化でき、しかも単価の安い数ｍＷ〜数十ｍＷ程度の出力
を有する半導体レーザを用いる事が好ましい。半導体レ
ーザの材質としてはＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ，Ｉ
ｎＧａＡｌＰ，ＺｎＳｅ，ＧａＮ等が考えられ、ここで
は最も一般的に用いられており、安価なＡｌＧａＡｓを
用いた。さらに高密度記録を行う場合には記録媒体上で
のスポット径をより小さくすることができ、ＡｌＧａＡ
ｓよりもさらに波長の短いＩｎＧａＡｌＰやＺｎＳｅ等
の半導体レーザを用いることが好ましい。

【００１８】２はサブマウントで、サブマウント２はそ
の形状が直方体状若しくは板形状で、その上面には光源
１が取り付けられている。このサブマウント２は光源１
を載置するとともに、光源１で発生した熱を逃がす働き
を有している。サブマウント２と光源１との接合には熱
伝導率等を考慮するとＡｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂ，Ｓｎ−
Ｐｂ−Ｉｎ等の箔（厚さ数μｍ〜数十μｍ）を高温で圧
着する方法を用いることが好ましい。また光源１とサブ
マウント２は略水平に取り付けなければ光学系の収差や
結合効率の低下等の原因になる。従って接合の際には光
源１はサブマウント２に所定の位置に所定の高さで略水
平にマウントされることが好ましい。さらにサブマウン
ト２の上面には光源１の下面と電気的に接触するように
電極面２ａが設けられている。この電極面２ａは光源１
の電源供給用のもので、電極面２ａを構成する金属膜と
しては導電性や耐食性を考慮してＡｕの薄膜を用いるこ
とが好ましい。更にサブマウント２は、光源１で発生す
る熱や光源１との取付等の問題から、熱伝導性が高く、
かつ、線膨張係数が光源１のそれ（約６．５×１０ ^-6／
℃）に近い材質が好ましい。具体的には線膨張係数が３
〜１０×１０^-6／℃で、熱伝導率が１００ｗ／ｍＫ以上
である物質、例えばＡｌＮ，ＳｉＣ，Ｔ−ｃＢＮ，Ｃｕ
／Ｗ，Ｃｕ／Ｍｏ，Ｓｉ等を、特に高出力のレーザを用
いる場合で熱伝導率を非常に大きくしなければならない
ときにはダイアモンド等を用いることが好ましい。光源
１とサブマウント２の線膨張係数が同じか近い数値とな
るようにした場合、光源１とサブマウント２の間の歪み
の発生を抑制することができるので、光源１とサブマウ
ント２との取付部分が外れたり、光源１にクラックが入
る等の不都合を防止することができる。しかしながら本
範囲を外れた場合には、光源１とサブマウント２の間に
大きな歪みが生じてしまい、光源１とサブマウント２と
の取付部分が外れたり、光源１にクラック等を生じる可
能性が高くなる。またサブマウント２の熱伝導率をでき
るだけ大きく取ることにより、光源１で発生する熱を効
率よく外部に逃がすことができる。しかしながら熱伝導
率が本限定以下の場合には、光源１で発生した熱が外部
に逃げ難くなるため、光源１の温度が上昇し、光源１の
出力が低下したり、光源１の寿命が短くなったり、最悪
の場合には光源１が破壊されてしまう等の不都合が発生
しやすくなる。本実施の形態では比較的安価で、これら
の２つの特性のどちらにも非常に優れたＡｌＮを用い
た。更にサブマウント２の上面には光源１との接合性を
良くするために、サブマウント２から光源１に向かって
Ｔｉ，Ｐｔ，Ａｕの順に薄膜を形成することが好まし
い。

【００１９】３はブロックで、ブロック３は基本的には
直方体形状でその側面に大きな突起部３ａを有してお
り、上面にはサブマウント２が取り付けられている。こ
のブロック３もまたサブマウント２と同様に、光源１で
発生する熱やサブマウント２との取付等の問題から、熱
伝導性が高く、かつ、線膨張係数がサブマウント２に近
い材質、例えばサブマウント２の材質例で示したもの以
外にＭｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，コバール，４２アロイ等を用い
ることが好ましい。しかしながらこれらの特性値の要求
はサブマウント２に比べるとそれほど厳しくはないの
で、コストを重視して選択する方が好ましい。ここでは
ＡｌＮに比べて非常に安価で、これらの特性に比較的優
れたＣｕ，Ｍｏ等の材料でブロック３を形成した。また
ブロック３とサブマウント２との接合には熱伝導率等を
考慮すると、やはりサブマウント２と光源１の場合と同
様に、多少高価ではあるがＡｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂ，Ｓ
ｎ−Ｐｂ−Ｉｎ等の箔（厚さ数μｍ〜数十μｍ）を高温
で圧着することが好ましい。

【００２０】４は放熱板で、放熱板４は、光源１で発生
し、伝導によりサブマウント２，ブロック３を通って伝
わってきた熱を外部に放出する働きを有するとともに、
光ピックアップを形成する種々の部材が載置され、パッ
ケージングの基板となるものである。また放熱板４には
調整用の孔４ａが設けてある。ブロック３はロウ付け，
半田箔等により放熱板４の上面に固定される。放熱板４
の材質としては、熱伝導性が高いＣｕ，Ａｌ，Ｆｅ等が
考えられる。

【００２１】なおここではサブマウント２とブロック３
とを別体で形成していたが、光源１の出力が高く、これ
らの部材により高い熱伝導性が要求される場合には、熱
伝導性を良くするためにこれらの部材を一体で形成する
ことが好ましい。この場合それらの材質は、ＡｌＮ等の
熱伝導性が非常に高いものを用いることが好ましい。

【００２２】またブロック３はサブマウント２よりも大
きくして、放熱板４との接触面積を大きく取ることが望
ましい。

【００２３】また光源１には光軸に関して高い精度が要
求されるので、サブマウント２の上面は高い精度で水平
であることが好ましい。従ってサブマウント２，ブロッ
ク３及び放熱板４の取り付けについても細心の注意を払
うことが好ましい。

【００２４】５は光ガイド部材で、光ガイド部材５は直
方体形状をしており、その内部には複数の斜面及びそれ
らの斜面上に形成された各種膜を有しており、光源１か
ら射出された光を出射するとともに、戻ってきた光を所
定の位置に導く働きを有している。また光ガイド部材５
はその側面でブロック３の突起部３ａの端面部３ｂに接
着されている。これに用いられる接合材には大きな接着
強度，任意の瞬間に固定できる作業性，硬化前と硬化後
の体積の変化や温度・湿度の変化による体積の変化が小
さい即ち低収縮率等の条件が要求され、これらを満たす
ことにより作業性及び接合面の安定性等を向上させるこ
とができる。この様な接合材としてここでは紫外線を照
射することにより瞬時に硬化するＵＶ接着剤を用いた。
また吸湿硬化型の瞬間接着剤を用いても良い。更に十分
な取り付け強度を持つようにするためにブロック３と光
ガイド部材５の間の接触面積（Ｓ）はＳ＞１ｍｍ²とす
ることが好ましい。

【００２５】１３は受光素子で、受光素子１３は板形状
の半導体ウェハーに形成された各種の電気回路で構成さ
れており、光ガイド部材５の底面に取り付けられてい
る。取付の際には放熱板４に設けられた孔４ａを用いて
位置の調整を行う。受光素子１３と光ガイド部材５との
取り付けについては、大きな接着強度，任意の瞬間に固
定できる作業性，硬化前と硬化後の体積の変化や温度・
湿度による体積の変化が小さい即ち低収縮率等の条件が
要求され、これらを満たすことにより、作業性、接合面
の安定性が向上する。この様な接合材としてここでは紫
外線を照射することにより瞬時に硬化するため特に作業
性が良好なＵＶ接着剤を用いた。なお吸湿硬化型の瞬間
接着剤を用いても良い。また受光素子１３は光源１から
出射され、光ガイド部材５や記録媒体等で反射されて戻
ってきた光信号を受光する受光部を複数有している。こ
の受光部で検知された光信号は、その光量に応じて電気
信号に変換される。この電気信号は変換当初は電流値の
大きさである。しかしながらこの電流は非常に微弱であ
り、かつノイズを拾いやすいというデメリットがある。
このためここでは受光素子１３として、電流値を相関す
る電圧値に変換して増幅する働きを持つＩ−Ｖアンプが
形成されているものを用いることが好ましい。ただし光
の入射周波数に対して出力電圧の応答が良好であること
が要求される。更に受光素子１３の表面には受光した情
報を信号として取り出すためのＡｌ等の薄膜で構成され
た複数の電極１３ａが設けてある。

【００２６】１４はパッケージで、パッケージ１４は、
放熱板４の上面に前述のブロック３や光ガイド部材５，
受光素子１３等を囲むように設けられており、その内部
には受光素子１３からの電気信号取り出しや光源１の電
源供給等に用いられるリードフレーム１４ａがモールド
されている。このパッケージ１４の形状は中央部がくり
貫かれた直方体形状をしており、更にリードフレーム１
４ａがモールドされている側のパッケージ１４の内面に
はリードフレームの足１４ｂを露出するように段差１４
ｃが設けてある。なおパッケージ１４の形状については
円筒形等であっても構わない。そして受光素子１３から
の電気信号を取り出すためにパッケージ１４に設けられ
た段差１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂ
と受光素子１３の表面に設けられている複数の電極１３
ａとをＡｕやＡｌ等で形成されたワイヤ１４ｄでワイヤ
ボンディングにより接続している。また光源１の電源供
給のため、光源１の上面とパッケージ１４に設けられた
段差１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂと
をワイヤ１４ｄでボンディングし、更にサブマウント２
の上面に光源１の下面と電気的に接触するように設けら
れている電極面２ａとパッケージ１４に設けられた段差
１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂとを同
じくワイヤ１４ｄでワイヤボンディングすることにより
接続している。パッケージ１４の材質としては、低吸水
性や低アウトガス性などに優れていることが求められる
が、ここではＩＣモールドとしては最も一般的なエポキ
シ樹脂等の熱硬化性の樹脂を用いている。またリードフ
レーム１４ａの材質としてはＣｕ，４２アロイ，Ｆｅ等
の金属にＡｇやＡｕ等をメッキしたものを用いることが
多い。ここではＣｕにＮｉメッキをし、その上にＡｕメ
ッキを施したものを用いた。更にパッケージ１４と放熱
板４との間の取り付けには、大きな接着強度，低い吸水
性，高い気密性（低いリーク特性）等の性質を有する接
合材を用いる。これにより接合面，接合位置の安定性を
向上させ、光ピックアップのパッケージング内部への不
純物の混入を防止することができる。ここではこれらの
特性に優れ、安価なエポキシ系接着剤を用いた。

【００２７】１５はシェルで、シェル１５もまたパッケ
ージ１４と同様に直方体の中心部をくり貫いたような外
形をしており、その水平方向の断面はパッケージ１４の
それとほぼ同一形状をしている。またその材質にはパッ
ケージング内部への不純物混入を防止する意味で、低吸
水性や低アウトガス性等の特性が求められる。ここでは
それらの特性に優れたポリブチレンテレフタレート（以
下ＰＢＴとする）を用いた。ただし、特に強度や寸法精
度等に優れた特性が要求される場合には、ＰＢＴよりも
高価ではあるがこれらの特性に優れたＬＣＰを用いても
良い。そしてシェル１５とパッケージ１４との接着は、
前述のパッケージ１４と放熱板４との取り付けと同様の
理由で、エポキシ系接着剤を用いた。なおこのシェル１
５を用いる代わりにパッケージ１４の側壁部分の高さ
を、光ガイド部材５よりも高くなるようにして代替して
も良い。

【００２８】１６はカバー部材で、カバー部材１６は光
ガイド部材５や受光素子１３等にごみ，ほこり等が付着
するのを防止するもので、シェル１５の上面にエポキシ
系の接着剤により取り付けられている。またカバー部材
１６の材質としては、ＢＫ−７，コバールガラス等のガ
ラスを用いることがことが好ましい。更にカバー部材１
６の上下両面には反射防止のために反射防止膜１６ａを
形成することが好ましい。この反射防止膜１６ａはＭｇ
Ｆ₂等の材質で形成することが好ましい。

【００２９】このカバー部材１６と光ガイド部材５との
位置関係は、両者を接触させる場合と両者の間に空間を
設ける場合とが考えられる。両者を接触させる場合、光
ガイド部材５はカバー部材１６の底部にエポキシ系の接
着剤やＵＶ接着剤等で取り付けられる。この時のカバー
部材１６の厚さ（ｔ１）を０．３≦ｔ１≦３．０（ｍ
ｍ）とすることが好ましい。この理由は、下限について
はこれ以上薄くすると取り付けられている光ガイド部材
５等の重さや、接着剤が固まる際の張力等にカバー部材
１６が耐えられず破損する恐れがあるためである。また
上限については、カバー部材１６は空気に比べて屈折率
が大きいため光に収束作用が生まれ、光が広がらないの
で、結果としてカバー部材１６とコリメータレンズ（無
限系光学系の場合）或いは対物レンズ（有限系光学系の
場合）との距離を長くせざるを得ないくなってしまい、
ピックアップユニットの小型化に不利になるからであ
る。この様な構成を用いることにより光ピックアップの
高さをより低くでき、十分な取付強度を保ちながらもピ
ックアップユニットを小型化することができる。

【００３０】これに対して両者の間に空間を設ける場合
は、カバー部材１６の厚さ（ｔ２）を０．１≦ｔ２≦
３．０（ｍｍ），カバー部材１６と光ガイド部材５との
間の距離（ｄ）を同じく０．１≦ｄ≦３．０（ｍｍ）と
することが好ましい。この理由はｔ２の下限については
前例とは違って光ガイド部材５が取り付けられておら
ず、ただ振動等の外部要因にさえ耐えられればよいから
である。またｄについては、小さければ小さい程良いの
だが、組立時の精度の誤差を０．１ｍｍ以下にできない
可能性があり、この場合組立時にカバー部材１６が光ガ
イド部材５に接触し、破損してしまう恐れがある。この
様な構成を用いることにより光ガイド部材５と、光源
１，サブマウント２，ブロック３の間の取り付け相対位
置精度を向上させつつブロック３若しくはサブマウント
２を他の部材に熱的に接触させることが可能であり、こ
れにより光源１で発生する熱を外部に容易に放出するこ
とができる。

【００３１】なお光ピックアップの内部は光源１及び受
光素子１３の酸化防止や光ガイド部材５，カバー部材１
６での結露防止等の観点から、Ｎ₂等のガスやＡｒ，Ｎ
ｅ，Ｈｅ等の不活性ガスを充填することが好ましい。そ
の場合、放熱板４と受光素子１３との間に存在する隙間
１７を小さな収縮率，低い吸水性，高い気密性（優れた
リーク特性）等の特性を有する接合材、例えばエポキシ
系のポッティング剤や半田等で埋める必要がある。これ
により内部の気密性を高めることができる。

【００３２】以上示してきた構成を用いることにより、
光源１で発生する熱を容易に外部に放出することがで
き、更にパッケージングの両端面に計２個所の開口部を
設けることにより、酸化防止ガスの封入を容易に行うこ
とができる。また光学系においては光源１，光ガイド部
材５及び受光素子１３の相対的な位置関係を正しくかつ
強固に保持することができるので、それらの位置のずれ
による誤動作や余分な光学的収差等が発生しない。

【００３３】またこの光ピックアップのパッケージング
全体での熱抵抗は３５℃／ｗ以下とすることがより効率
よく熱をパッケージ外に逃がすことができるので好まし
い。次に本発明の一実施の形態における光ピックアップ
の動作について、図面を参照しながら説明する。図３は
本発明の一実施の形態における光ピックアップの動作の
概念図、図４は本発明の一実施の形態における光ガイド
部材の斜視図である。

【００３４】図３において放熱板４上にサブマウント２
及びブロック３を介して水平にマウントされた光源１か
ら水平に放出されたレーザ光は、平行な複数の斜面を有
する光ガイド部材５の面５ｆから光ガイド部材５に入射
し、光ガイド部材５の第二の斜面５ｂに形成されかつ入
射する光の拡散角に対して射出する光の拡散角を変換す
る（以下ＮＡを変換すると呼ぶ）機能を有する反射型の
拡散角変換ホログラム７に到達する。拡散角変換ホログ
ラム７によってＮＡを変換されかつ反射した光は第一の
斜面５ａに形成された反射型の回折格子６によって０次
回折光（以下メインビームと呼ぶ）と±１次回折光（以
下サイドビームと呼ぶ）とに分けられる。回折格子６に
よって発生するメインビーム及びサイドビームは第一の
偏光選択性のあるビームスプリッター膜９（以下単に第
一のビームスプリッター膜と呼ぶ）に入射する。第一の
ビームスプリッター膜９は入射面に対して平行な振動成
分を有する光（以下単にＰ偏光成分と呼ぶ）に対してほ
ぼ１００％の透過率を有し、垂直な振動成分（以下単に
Ｓ偏光成分と呼ぶ）に対しては一定の反射率を有する。
第一のビームスプリッター膜９に入射する光のうち第一
のビームスプリッター膜９を透過する光は光源１からの
射出光のモニター光として利用される。また、第一のビ
ームスプリッター膜９で反射されたＳ偏光成分に直線偏
光したメインビーム及びサイドビームは、光ガイド部材
５の面５ｅ及びカバー部材１６を透過、対物レンズ２６
に入射し、対物レンズ２６の集光作用によって記録媒体
２７の記録媒体面２７ａに結像される。この時、記録媒
体面２７ａ上において２つのサイドビームのビームスポ
ット２９ａ、２９ｃはメインビームのビームスポット２
９ｂを中心としてほぼ対称な位置に結像される。記録媒
体面２７ａに対してメインビーム及びサイドビームのビ
ームスポット２９ｂ、２９ａ、２９ｃにより情報の記録
または再生信号及びトラッキング、フォーカシングいわ
ゆるサーボ信号の読みだしを行う。

【００３５】拡散角変換ホログラム７は、光源１からの
射出光のうち拡散角変換ホログラム７へ入射することの
できる光束の拡散角に対して、拡散角変換ホログラム７
からの反射光の拡散角を変換する。また、拡散角変換ホ
ログラム７によって拡散角をまったく持たない平行光に
も変換可能である。また、同じ拡散角変換ホログラム７
によって図３に示されるように光ガイド部材５射出後の
光束が途中経路で積算された波面収差が取り除かれた理
想球面波３０となる。したがって、対物レンズ２６への
入射光は理想球面波３０となり、対物レンズ２６による
記録媒体２７でのビームスポットはほぼ回折限界まで絞
り込まれ理想的な大きさとなり、情報の記録または再生
を容易に行うとができる。

【００３６】記録媒体２７の情報記録面２７ａによって
反射されたメインビーム及びサイドビームの戻り光は対
物レンズ２６、光ガイド部材５の面５ｅを再び通過し、
光ガイド部材の第二の斜面５ｂに形成された第一のビー
ムスプリッター膜９に入射する。

【００３７】記録媒体２７からの戻り光のうち第一のビ
ームスプリッター膜９から透過する光は光ガイド部材５
の第一の斜面５ａに平行な第三の斜面５ｃ上に形成され
た第二の偏光選択性のあるビームスプリッター膜１１
（以下単に第二のビームスプリッター膜と呼ぶ）に入射
する。第二のビームスプリッター膜１１は第一のビーム
スプリッター膜９と同様にＰ偏光成分に対してほぼ１０
０％の透過率を有し、Ｓ偏光成分に対しては一定の反射
率を有する。

【００３８】ここで第二のビームスプリッター膜１１に
入射した光束の内、透過光１１７に関して説明する。透
過光１１７は第三の斜面５ｃ上に積層された偏光面変換
基板３１に入射する。

【００３９】図５は本発明の一実施の形態における光ピ
ックアップの偏光面変換基板の斜視図、図６は本発明の
一実施の形態における光ピックアップの受光部配置及び
信号処理を示す図である。偏光面変換基板３１は第一の
その他の斜面（以下第一他斜面３１ａと称す）及び第二
のその他の斜面（以下第二他斜面３１ｂと称す）を有
し、第一他斜面３１ａには反射膜１２６が設けてあり、
第二他斜面３１ｂには偏光分離膜１２が形成されてい
る。透過光１１７はまず第二他斜面３１ｂ上に入射す
る。第二他斜面３１ｂ上には偏光分離膜１２が透過光１
１７の入射位置に設けられている。そして偏光分離膜１
２は、入射してくる透過光１１７がほぼ全量その膜上に
投射されるよう形成されていることが好ましい。

【００４０】そして第二他斜面３１ｂは透過光１１７に
対して傾斜されて設けられていることが好ましく、特に
透過光１１７の偏光面１１７ａと入射面１２８とのなす
角が略４５×（２ｎ＋１）゜：（ｎは整数）になるよう
に形成されていることが好ましい。このような構成とす
ることで透過光１１７のＰ偏光成分１１７ｐとＳ偏光成
分１１７ｓは略１：１の強度比を有するようになるの
で、それぞれの信号を検出した後その差動をとることに
より、信号に乗っているノイズ成分をキャンセルできる
とともに信号量をほぼ二倍にすることができ、良質なＲ
Ｆ信号を得ることができる。

【００４１】ここで偏光面変換基板３１の構成について
更に詳細に説明する。図７は本発明の一実施の形態にお
ける光ガイド部材５の側面図、図８は本発明の一実施の
形態における光ガイド部材５の上面図、図９は本発明の
一実施の形態における面Ａ−Ｂにおける光ガイド部材５
の断面図である。図に示すように偏光面変換基板３１
は、多くの場合その形状が直方体形状で、かつ、複数の
略透明な基板を張り合わせて構成されており、偏光面変
換基板３１中に配置されている第一他斜面３１ａ及び第
二他斜面３１ｂを有している。また第一他斜面３１ａ及
び第二他斜面３１ｂは光ガイド部材５のＡ−Ｂ断面上に
おいて第一他斜面３１ａもしくは第二他斜面３１ｂが形
成する直線と偏光分離膜１２に入射する透過光１１７と
の間にαの角度を有して配置されることが好ましく、さ
らに図８において光ガイド部材５の側面５ｇが形成する
直線の延在方向に対して第一他斜面３１ａ及び第二他斜
面３１ｂが形成する直線の延在方向との間にβの角度を
有して配置されることが好ましい。偏光分離膜１２に入
射する透過光１１７の入射角をθ１とすると、透過光１
１７の偏光方向１１７ａと偏光分離膜１２における入射
面１２８（透過光１１７の偏光分離膜１２に対する入射
光軸と偏光分離膜１２で反射された反射光軸とを含む平
面）とのなす角を略４５゜に設定することができるよう
に、α及びβはθ１を用いて以下の式で表す角度に配置
することが好ましい。

【００４２】

【数１】

【００４３】

【数２】

【００４４】更に偏光面変換基板３１に設けられている
光学素子の配置について説明する。図１０は本発明の一
実施の形態における光ガイド部材と従来の光ガイド部材
の比較断面図である。

【００４５】図１０において、上に示しているのは従来
の光ガイド部材の断面図であり、偏光面変換基板５３１
に設けられている偏光分離膜５１２及び反射膜６２６は
第一他斜面５３１ａ及び第二他斜面５３１ｂ全体に設け
てあったので、偏光分離膜５１２で反射され、反射膜６
２６に到達し、そこで受光素子の方に反射された光が偏
光分離膜５１２に入射しないようにするために横幅Ｌ１
が非常に大きくなっていた。

【００４６】これに対して、図１０の下に示すように反
射膜１２６を第一他斜面３１ａの一部分に設け、さらに
偏光分離膜１２を第二他斜面３１ｂの一部に設けること
により、偏光分離膜１２と反射膜１２６の距離を近づけ
ても、反射膜１２６で反射された光が偏光分離膜１２に
再度入射する可能性がほとんどなくなる。従って偏光分
離膜１２が形成される第二他斜面３１ｂと反射膜１２６
が形成される第一他斜面３１ａの距離を非常に小さくし
た状態で偏光面変換基板３１を構成することができるの
で、偏光面変換基板３１の体積を大幅に軽減することが
できるとともに特にそのＬ方向の厚みを非常に薄くする
ことができる。これにより市場のニーズである光ピック
アップの大幅な小型化が容易に可能になるとともに小型
化に伴う原料費の削減等によりコストダウンが可能にな
る。

【００４７】更に偏光分離膜１２を第二他斜面３１ｂの
光が入射する部分及びその周辺にのみ形成し、反射膜１
２６を第一他斜面３１ａの光が入射する部分及びその周
辺にのみ形成することにより、偏光分離膜１２と反射膜
１２６の距離をさらに近づけても、偏光分離膜１２に入
射する前の光が反射膜１２６に当たって反射され、偏光
分離膜１２に入射してくる光量が減少することがほとん
どなくなり、かつ反射膜１２６で反射された光が偏光分
離膜１２に再度入射する可能性がほとんどなくなる。従
って偏光分離膜１２が形成される第二他斜面３１ｂと反
射膜１２６が形成される第一他斜面３１ａの距離をさら
に非常に小さくした状態で偏光面変換基板３１を構成す
ることができるので、偏光面変換基板３１の体積をさら
に大幅に軽減することができるとともに特にそのＬ方向
の厚みを非常に薄くすることができる。これにより市場
のニーズである光ピックアップの大幅な小型化が容易に
可能になるとともに小型化に伴う原料費の削減等により
コストダウンが可能になる。

【００４８】そして偏光分離膜１２に入射する前に光の
一部が反射膜１２６に入射することがなく、かつ、偏光
分離膜１２で反射された光が反射膜１２６で反射された
後再度偏光分離膜１２に入射することもないので、偏光
面変換基板３１に入射してきた光のほぼ全量を偏光分離
膜１２に導くことができるとともに偏光分離膜１２でそ
の成分に応じた光路にほぼ１：１に分けられた光をその
光量を維持したまま受光素子１３の各成分に応じた受光
部に導くことができる。従って、受光素子１３で変換さ
れる信号量を十分なものにすることができるとともに、
良好なＲＦ信号を形成できる。

【００４９】なお本実施の形態では偏光分離膜１２及び
反射膜１２６の双方を第一他斜面３１ａ及び第二他斜面
３１ｂの面積よりも小さくして設けていたが、どちらか
一方のみをこのような構成とすることによりある程度同
様の効果を得ることができる。

【００５０】更に第一他斜面３１ａと第二他斜面３１ｂ
とを平行に形成することにより、偏光面変換基板３１を
複数の所定の光学素子を形成した平行平面基板を張り合
わせて切り出すだけで良く、張り合わせの際の角度の調
節等が必要ない。従って非常に簡単に偏光面変換基板３
１を形成することができるので、位置精度の高い偏光面
変換基板３１を低コストで得ることができる。

【００５１】このような条件を満足するように取り付け
られた偏光面変換基板３１において、第二のビームスプ
リッター膜１１を透過してきた光はまず偏光分離膜１２
に入射する。この偏光分離膜１２はＰ偏光成分を透過し
て、Ｓ偏光成分を反射する働きを有しているので、入射
面１２８と平行な偏光成分を有するＰ偏光成分１１７ｐ
は偏光分離膜１２をほぼ１００％透過し、一方、入射面
１２８に垂直な偏光成分を有するＳ偏光成分１１７ｓは
第二他斜面３１ｂ上の偏光分離膜１２によって略１００
％反射されて、第一他斜面３１ａに設けられている反射
膜１２６に入射する。そして入射してきたＳ偏光成分１
１７ｓは、そこで反射されて受光素子１３へと導かれ
る。反射膜１２６の材質としてはＡｇ，Ａｕ，Ａｌ，Ｃ
ｕ等の比較的薄くても高反射率を有する金属材料や、そ
れらの金属材料にＳｉ，Ｔｉ，Ｎｉ等を添加した合金材
料を用いることが、光の利用効率を高くすることができ
るので好ましい。特にＡｇは反射率およびコストの面で
優れているので好ましい。

【００５２】以上説明してきたような角度に偏光面変換
基板３１、偏光分離膜１２及び反射膜１２６を設定する
ことにより、従来のように偏光分離膜５１２と反射膜６
２６を偏光面変換基板５３１に設けられている第一他斜
面５３１ａ及び第二他斜面５３１ｂ全面に形成せずに、
光束が入射する部分及びその周辺に偏光分離膜１２及び
反射膜１２６を設けたことにより、偏光面変換基板３１
の特にＬ方向の厚みを薄くすることができるので、光ガ
イド部材５の同じくＬ方向の厚みを薄くすることがで
き、ひいては光ピックアップの厚みを薄くすることがで
き、その体積も大幅に減少させることができる。

【００５３】なお本実施の形態では透過光１１７の偏光
方向１１７ａと偏光分離膜１２における入射面（透過光
１１７の偏光分離膜１２に対する入射光軸と偏光分離膜
１２で反射された反射光軸とを含む平面）とのなす角
（以下δと称す）を略４５゜としたが、δを０゜でない
ように（非平行に）設定することにより、有為な量のＰ
偏光成分及びＳ偏光成分を形成することができるので、
ノイズレベルを低減することができ、信号の量を増加さ
せることができる。更にδを４０゜〜５０゜とすること
により、形成されるＰ偏光成分及びＳ偏光成分をほぼ同
量とすることができるので、更に大きくノイズレベルを
低減することができ、信号の量を増加させることができ
る。

【００５４】

【発明の効果】本発明は、光ピックアップを構成する光
ガイド部材において、第一の他斜面に偏光分離素子が設
けられている第一の領域と偏光分離素子が設けられてい
ない第二の領域を形成し、第二の他斜面には反射手段が
設けられている第三の領域と反射手段が設けられていな
い第四の領域を形成し、入射光は第四の領域を透過して
第一の領域に入射し、第一の領域で反射された光は第三
の領域で反射されて第二の領域を透過して受光手段に入
射するようにしたことにより、光が第一の領域に入射す
る前に反射手段で反射されて光量が減少することを防止
できるとともに偏光分離素子で反射された光が反射手段
で反射された後再度偏光分離素子に入射することをほぼ
完全に防止することができるので、偏光面変換基板に入
射してきた光のほぼ全量を偏光分離素子に導くことがで
きるとともに偏光分離素子でその成分に応じた光路にほ
ぼ１：１に分けられた光をその光量を維持したまま受光
手段に設けられている各成分に応じた受光部に導くこと
ができる。従って、受光手段で変換される信号量を十分
なものにすることができるとともに、良好なＲＦ信号を
形成できる。

【００５５】また光ガイド部材の厚さを薄くすることが
できるので、市場のニーズである光ピックアップの大幅
な小型化が容易に可能になるとともに小型化に伴う原料
費の削減等によりコストダウンが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
のパッケージングの構成を示す断面図

【図２】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
のパッケージングの構成を示す断面図

【図３】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
の動作の概念図

【図４】本発明の一実施の形態における光ガイド部材の
斜視図

【図５】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
の偏光面変換基板の斜視図

【図６】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
の受光部配置及び信号処理を示す図

【図７】本発明の一実施の形態における光ガイド部材の
側面図

【図８】本発明の一実施の形態における光ガイド部材の
上面図

【図９】本発明の一実施の形態における面Ａ−Ｂにおけ
る光ガイド部材の断面図

【図１０】本発明の一実施の形態における光ガイド部材
と従来の光ガイド部材の比較断面図

【図１１】従来の光ピックアップの概念図

【図１２】従来の偏光面変換基板の斜視図

【符号の説明】

１光源２サブマウント２ａ電極面３ブロック３ａ突起部３ｂ端面部４放熱板４ａ孔５光ガイド部材５ａ第一の斜面５ｂ第二の斜面５ｃ第三の斜面５ｅ面５ｆ面５ｇ側面６回折格子７拡散角変換ホログラム９第一のビームスプリッター膜１０非点収差発生ホログラム１１第二のビームスプリッター膜１２偏光分離膜１３受光素子１３ａ電極１４パッケージ１４ａリードフレーム１４ｂリードフレームの足１４ｃ段差１４ｄワイヤ１５シェル１６カバー部材１６ａ反射防止膜１７隙間２６対物レンズ２７記録媒体２７ａ記録媒体面２９ａ，２９ｂ，２９ｃビームスポット３０理想球面波３１偏光面変換基板３１ａ第一他斜面３１ｂ第二他斜面３１ｃ側面３１ｄ反射膜１１７透過光１１７ａ偏光面１１７ｓＳ偏光成分１１７ｐＰ偏光成分１２３反射光１２４反射膜１２５反射膜１２６反射膜１２８入射面１７０，１７１，１７２，１７２ａ，１７２ｂ，１７２
ｃ，１７２ｄ，１７６，１７７受光部

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】光源と、前記光源から照射された光の入
射方向に対して傾斜した複数の斜面をそれぞれ略平行に
配置して前記複数の斜面に各種光学素子を形成するとと
もに前記複数の斜面に対してさらに傾斜した複数の他斜
面とを有する光ガイド部材と、前記光ガイド部材を透過
してきた光を電気信号に変換する受光手段とを有し、前記複数の他斜面のうち１つの他斜面上には光の偏光方
向に応じて光を透過させるか反射させるかする偏光分離
素子を前記１つの他斜面の面積よりも小さな面積に設
け、前記複数の他斜面のうち他の１つの他斜面上には光
を反射する反射手段を設けたことを特徴とする光ピック
アップ。
【請求項２】前記反射手段は前記１つの他斜面の面積
よりも小さな面積に設けたことを特徴とする請求項１記
載の光ピックアップ。
【請求項３】前記偏光分離素子は前記１つの他斜面に
光が入射する部分とその周縁部に設けたことを特徴とす
る請求項１記載の光ピックアップ。
【請求項４】前記反射手段は前記１つの他斜面に光が
入射する部分とその周縁部に設けたことを特徴とする請
求項１記載の光ピックアップ。
【請求項５】光源と、前記光源から照射された光の入
射方向に対して傾斜した複数の斜面をそれぞれ略平行に
配置して前記複数の斜面に各種光学素子を形成するとと
もに前記複数の斜面に対してさらに傾斜した複数の他斜
面とを有する光ガイド部材と、前記光ガイド部材を透過
してきた光を電気信号に変換する受光手段とを有し、前
記複数の他斜面のうち１つの他斜面上には光の偏光方向
に応じて光を透過させるか反射させるかする偏光分離素
子を設け、前記複数の他斜面のうち他の１つの他斜面上
には光を反射する反射手段を設けた光ピッアップであっ
て、前記１つの他斜面には前記偏光分離素子が設けられてい
る第一の領域と前記偏光分離素子が設けられていない第
二の領域が形成されており、前記第一の領域で反射され
た光は前記反射手段で反射されて前記第二の領域を透過
して前記受光手段に入射することを特徴とする光ピック
アップ。
【請求項６】光源と、前記光源から照射された光の入
射方向に対して傾斜した複数の斜面を有し、前記複数の
斜面をそれぞれ略平行に配置し、前記複数の斜面に各種
光学素子を形成するとともに前記複数の斜面とは傾斜の
異なる第一の他斜面と、前記第一の他斜面と所定の関係
で配置された第二の他斜面とを備えた光ガイド部材と、
前記光ガイド部材を透過してきた光を電気信号に変換す
る受光手段と、前記第一の他斜面上に設けられ光の偏光
方向に応じて光を透過させるか反射させるかする偏光分
離素子と、前記第二の他斜面上に設けられ前記偏光分離
素子で反射された光を受光手段に導く反射手段とを備
え、前記第一の他斜面には前記偏光分離素子が設けられ
ている第一の領域と前記偏光分離素子が設けられていな
い第二の領域が形成されており、前記第二の他斜面には
前記反射手段が設けられている第三の領域と前記反射手
段が設けられていない第四の領域が形成されており、入
射光は前記第四の領域を透過して前記第一の領域に入射
し、前記第一の領域で反射された光は前記第三の領域で
反射されて前記第二の領域を透過して前記受光手段に入
射することを特徴とする光ピックアップ。
【請求項７】前記第一の他斜面と前記第二の他斜面と
が略平行に設けられていることを特徴とする請求項６記
載の光ピックアップ。
【請求項８】前記偏光分離素子を誘電体膜で形成した
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１に
記載の光ピックアップ。
【請求項９】前記反射手段を金属材料で形成したこと
を特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１に記載
の光ピックアップ。
【請求項１０】前記第一の領域は前記第一の他斜面上
の光の入射する領域及びその周辺部に設けられており、
前記第三の領域は前記第一の領域で反射された光の入射
する領域及びその周辺部に設けられていることを特徴と
する請求項６から請求項９のいずれか１に記載の光ピッ
クアップ。
【請求項１１】光源からの照射光の方向に対して傾斜
して配置された複数の斜面をそれぞれ略平行に配置し
て、前記複数の斜面に各種光学素子を形成するとともに
前記複数の斜面に対してさらに傾斜した複数の他斜面と
を有し、前記光源から入射した光を外部に射出し、外部
から入射した光は前記複数の斜面と前記複数の他斜面と
を経て所定の位置に導く光ガイド部材であって、前記複数の他斜面のうち１つの他斜面上には光の偏光方
向に応じて光を透過させるか反射させるかする偏光分離
素子を前記１つの他斜面の面積よりも小さな面積に設
け、前記複数の他斜面のうち他の１つの他斜面上には光
を反射する反射手段を設けたことを特徴とする光ガイド
部材。
【請求項１２】前記反射手段は前記１つの他斜面の面
積よりも小さな面積に設けたことを特徴とする請求項１
１記載の光ガイド部材。
【請求項１３】前記偏光分離素子は前記１つの他斜面
に光が入射する部分とその周縁部に設けたことを特徴と
する請求項１１記載の光ガイド部材。
【請求項１４】前記反射手段は前記１つの他斜面に光
が入射する部分とその周縁部に設けたことを特徴とする
請求項１１記載の光ガイド部材。
【請求項１５】光源からの照射光の方向に対して傾斜
して配置された複数の斜面をそれぞれ略平行に配置して
前記複数の斜面に各種光学素子を形成するとともに前記
複数の斜面に対してさらに傾斜した複数の他斜面とを有
し、前記複数の他斜面のうち１つの他斜面上には光の偏
光方向に応じて光を透過させるか反射させるかする偏光
分離素子を設け、前記複数の他斜面のうち他の１つの他
斜面上には光を反射する反射手段を設け、前記光源から
入射した光を外部に射出し、外部から入射した光は前記
複数の斜面と前記複数の他斜面とを経て所定の位置に導
く光ガイド部材であって、前記複数の他斜面のうち１つの他斜面上において前記偏
光分離素子が設けられた第一の領域と前記偏光分離素子
が設けられていない第二の領域が形成され、前記第一の
領域で反射された光は前記反射手段で反射され前記第二
の領域を透過して所定の位置に導くことを特徴とする光
ガイド部材。
【請求項１６】光源からの照射光の方向に対して傾斜
して配置された複数の斜面をそれぞれ略平行に配置して
前記複数の斜面に各種光学素子を形成するとともに前記
複数の斜面とは傾斜の異なる第一の他斜面と、前記第一
の他斜面と所定の関係で配置された第二の他斜面とを有
し、前記第一の他斜面上に光の偏光方向に応じて光を透
過させるか反射させるかする偏光分離素子を設け、前記
第二の他斜面上に前記偏光分離素子で反射された光を所
定の位置に導く反射手段を設け、前記光源から入射した
光を外部に射出し、外部から入射した光は前記複数の斜
面と前記複数の他斜面とを経て所定の位置に導く光ガイ
ド部材であって、前記第一の他斜面には前記偏光分離素子が設けられてい
る第一の領域と前記偏光分離素子が設けられていない第
二の領域が形成されており、前記第二の他斜面には前記
反射手段が設けられている第三の領域と前記反射手段が
設けられていない第四の領域が形成され、入射した光は
前記第四の領域を透過して前記第一の領域に入射し、前
記第一の領域で反射された光は前記第三の領域で反射さ
れ前記第二の領域を透過して所定の位置に導くことを特
徴とする光ガイド部材。
【請求項１７】前記第一の他斜面と前記第二の他斜面
とが略平行に設けられていることを特徴とする請求項１
６記載の光ガイド部材。
【請求項１８】前記偏光分離素子を誘電体膜で形成し
たことを特徴とする請求項１１から請求項１７のいずれ
か１に記載の光ガイド部材。
【請求項１９】前記反射手段を金属材料で形成したこ
とを特徴とする請求項１１から請求項１７のいずれか１
に記載の光ガイド部材。
【請求項２０】前記第一の領域は前記第一の他斜面上
の光の入射する領域及びその周辺部に設けられており、
前記第三の領域は前記第一の領域で反射された光の入射
する領域及びその周辺部に設けられていることを特徴と
する請求項１６から請求項１９のいずれか１に記載の光
ガイド部材。