JPH09198701A

JPH09198701A - 光ピックアップ及び相変化型光ディスク用の光ピックアップ

Info

Publication number: JPH09198701A
Application number: JP8006341A
Authority: JP
Inventors: Masanori Era; 正範江良
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1996-01-18
Filing date: 1996-01-18
Publication date: 1997-07-31

Abstract

(57)【要約】【課題】反射膜での光の吸収損失が比較的小さく、有
機溶剤等に対する耐性が大きく、更に基板との接合力に
も優れ、従って良好な信号特性を有し、かつ、歩留まり
の高い光ピックアップを提供することを目的としてい
る。【解決手段】光ガイド部材５及び４１を構成する基板
の所定の位置に配置されている反射膜１２４，１２５及
び１２６を誘電体反射膜５１で形成するという構成を有
している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光素子、光ディス
ク等への情報の記録又は再生を行う光ピックアップ及び
相変化型光ディスク用の光ピックアップに関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】近年、光ピックアップの小型化を目標と
した集積型の光ピックアップ素子が開発されており、実
用化に供しようとしている。図１４は従来の光ピックア
ップの構成図である。５０１は、半導体レーザー等から
なる光源である。光源５０１から出射された光は光ガイ
ド部材５０５に入射する。そして光ガイド部材５０５の
内部に設けられた光学素子によって、所定の特性を有す
る光に変換され、光ガイド部材５０５から出射される。
この出射光は次に対物レンズ５２６に入射し、その後記
録媒体５２７上にフォーカスし、記録媒体５２７中に形
成されている情報記録面５２７ａに記録されているデー
タによって、その性質を若干変化させて反射され、反射
光となる。この反射光は再び対物レンズ５２６に透過
し、光ガイド部材５０５に入射し、その後光ガイド部材
５０５に設けられている複数の反射膜等の光学部材によ
りその光路を複数に分割されながら受光素子５１３に導
かれ所定の信号を検出するものである。

【０００３】このとき光ガイド部材５０５に設けられて
いる複数の反射膜には金属反射膜が用いられていること
が多い。図１５は従来の反射膜の断面図である。図１５
において４００は基板で基板４００は通常ガラス等の光
の透過率の高い物質から構成されている。基板４００中
を進行してきた光４０１は基板４００の端面に形成され
た金属反射膜４０２に入射する。金属反射膜４０２に入
射した光４０１はそこで反射されて所定の位置に導かれ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の構成で用いられていた金属反射膜４０２はその内部
での光の吸収損失が比較的大きいため反射率を９３％以
上とすることが非常に難しかった。そのため受光素子５
１３に導かれる光量が減少してしまい、受光素子５１３
においてノイズレベルに対して信号レベルの高い良好な
信号を得ることが難しかった。また、金属反射膜４０２
のパターンを形成する際のフォトリソグラフィープロセ
スで用いられるいろいろな種類の有機溶剤等の化学薬品
に対しての耐性低いので、所定の膜厚で金属反射膜４０
２を形成しても、その後の工程、例えばレジスト除去の
工程などで金属反射膜４０２が損傷してしまい、膜厚の
制御が難しい。さらには金属反射膜はガラス等の基板４
００の材料との接合力が弱いので、複数の基板を張り合
わせて基板ブロックを形成し、その基板ブロックを切断
して光ガイド部材５０５を得る場合には、切断時に各基
板間の接合部位がはがれてしまう等の問題点を有してい
た。

【０００５】本発明は上記課題を解決するもので、反射
膜を光の吸収損失が比較的小さく、有機溶剤等に対する
耐性が大きく、更に基板との接合力にも優れ、従って良
好な信号特性を有し、かつ、歩留まりの高い光ピックア
ップを提供することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、光ガイド部材を構成する基板の所定の位置に誘電体
反射膜を形成するという構成を有している。

【０００７】

【発明の実施の形態】光源と、前記光源から照射された
光の入射方向に対して傾斜した複数の基板を有し、前記
基板の光路上に複数の誘電体層を積層して形成されてい
る反射膜を有し、前記光源からの光を光媒体に導くとと
もに、前記光媒体から反射してきた光を所定の位置に導
く光ガイド部材と、光を受光するとともに受光した光信
号を電気信号に変換する受光手段とを備えたことによ
り、反射膜での反射効率を高めることができるとともに
基板との接合性を良好にすることができる。

【０００８】複数の誘電体層中に屈折率の異なる誘電体
層を少なくとも一層形成したことにより、反射効率を向
上させることができる。

【０００９】屈折率の高い誘電体層と屈折率の低い誘電
体層とを交互に積層したことにより、反射効率を更に向
上させることができる。

【００１０】基板に一番近い誘電体層を低い屈折率を有
する誘電体層としたことにより、屈折率を誘電体層での
屈折率の変化を防止することができる。

【００１１】屈折率の高い誘電体層と屈折率の低い誘電
体層との屈折率の差を０．５以上としたことにより、誘
電体反射膜の厚さを非常に薄くすることができる。

【００１２】複数の誘電体層をそれぞれの膜応力を打ち
消し合う方向に形成したことにより、基板の反りや反射
膜での反射率の位置依存性を防止することができる。

【００１３】光ガイド部材の光出射面と光媒体との間に
λ／４板を設け、前記λ／４板と光の光軸とを略垂直に
配置することにより、光の利用効率を高めることができ
る。

【００１４】以下本発明の第一実施例における光ピック
アップのパッケージングについて図を参照しながら説明
する。

【００１５】図１及び図２はともに本発明の一実施の形
態における光ピックアップのパッケージングの構成を示
す断面図である。

【００１６】１は光源で、光源１としては半導体レー
ザ，Ｈｅ−Ｎｅ等のガスレーザ等の各種レーザが考えら
れる。ここではこれらの中で最も小型で装置全体を小型
化でき、しかも単価の安い数ｍＷ〜数十ｍＷ程度の出力
を有する半導体レーザを用いる事が好ましい。半導体レ
ーザの材質としてはＡｌＧａＡｓ，ＩｎＧａＡｓＰ，Ｉ
ｎＧａＡｌＰ，ＺｎＳｅ，ＧａＮ等が考えられ、ここで
は最も一般的に用いられており、安価なＡｌＧａＡｓを
用いた。さらに高密度記録を行う場合には記録媒体上で
のスポット径をより小さくすることができ、ＡｌＧａＡ
ｓよりもさらに波長の短いＩｎＧａＡｌＰやＺｎＳｅ等
の半導体レーザを用いることが好ましい。

【００１７】２はサブマウントで、サブマウント２はそ
の形状が直方体状若しくは板形状で、その上面には光源
１が取り付けられている。このサブマウント２は光源１
を載置するとともに、光源１で発生した熱を逃がす働き
を有している。サブマウント２と光源１との接合には熱
伝導率等を考慮するとＡｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂ，Ｓｎ−
Ｐｂ−Ｉｎ等の箔（厚さ数μｍ〜数十μｍ）を高温で圧
着する方法を用いることが好ましい。また光源１とサブ
マウント２は略水平に取り付けなければ光学系の収差や
結合効率の低下等の原因になる。従って接合の際には光
源１はサブマウント２に所定の位置に所定の高さで略水
平にマウントされることが好ましい。さらにサブマウン
ト２の上面には光源１の下面と電気的に接触するように
電極面２ａが設けられている。この電極面２ａは光源１
の電源供給用のもので、電極面２ａを構成する金属膜と
しては導電性や耐食性を考慮してＡｕの薄膜を用いるこ
とが好ましい。更にサブマウント２は、光源１で発生す
る熱や光源１との取付等の問題から、熱伝導性が高く、
かつ、線膨張係数が光源１のそれ（約６．５×１０ ^-6／
℃）に近い材質が好ましい。具体的には線膨張係数が３
〜１０×１０^-6／℃で、熱伝導率が１００ｗ／ｍＫ以上
である物質、例えばＡｌＮ，ＳｉＣ，Ｔ−ｃＢＮ，Ｃｕ
／Ｗ，Ｃｕ／Ｍｏ，Ｓｉ等を、特に高出力のレーザを用
いる場合で熱伝導率を非常に大きくしなければならない
ときにはダイアモンド等を用いることが好ましい。光源
１とサブマウント２の線膨張係数が同じか近い数値とな
るようにした場合、光源１とサブマウント２の間の歪み
の発生を抑制することができるので、光源１とサブマウ
ント２との取付部分が外れたり、光源１にクラックが入
る等の不都合を防止することができる。しかしながら本
範囲を外れた場合には、光源１とサブマウント２の間に
大きな歪みが生じてしまい、光源１とサブマウント２と
の取付部分が外れたり、光源１にクラック等を生じる可
能性が高くなる。またサブマウント２の熱伝導率をでき
るだけ大きく取ることにより、光源１で発生する熱を効
率よく外部に逃がすことができる。しかしながら熱伝導
率が本限定以下の場合には、光源１で発生した熱が外部
に逃げ難くなるため、光源１の温度が上昇し、光源１の
出力が低下したり、光源１の寿命が短くなったり、最悪
の場合には光源１が破壊されてしまう等の不都合が発生
しやすくなる。本実施例では比較的安価で、これらの２
つの特性のどちらにも非常に優れたＡｌＮを用いた。更
にサブマウント２の上面には光源１との接合性を良くす
るために、サブマウント２から光源１に向かってＴｉ，
Ｐｔ，Ａｕの順に薄膜を形成することが好ましい。

【００１８】３はブロックで、ブロック３は基本的には
直方体形状でその側面に大きな突起部３ａを有してお
り、上面にはサブマウント２が取り付けられている。こ
のブロック３もまたサブマウント２と同様に、光源１で
発生する熱やサブマウント２との取付等の問題から、熱
伝導性が高く、かつ、線膨張係数がサブマウント２に近
い材質、例えばサブマウント２の材質例で示したもの以
外にＭｏ，Ｃｕ，Ｆｅ，コバール，４２アロイ等を用い
ることが好ましい。しかしながらこれらの特性値の要求
はサブマウント２に比べるとそれほど厳しくはないの
で、コストを重視して選択する方が好ましい。ここでは
ＡｌＮに比べて非常に安価で、これらの特性に比較的優
れたＣｕ，Ｍｏ等の材料でブロック３を形成した。また
ブロック３とサブマウント２との接合には熱伝導率等を
考慮すると、やはりサブマウント２と光源１の場合と同
様に、多少高価ではあるがＡｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂ，Ｓ
ｎ−Ｐｂ−Ｉｎ等の箔（厚さ数μｍ〜数十μｍ）を高温
で圧着することが好ましい。

【００１９】４は放熱板で、放熱板４は、光源１で発生
し、伝導によりサブマウント２，ブロック３を通って伝
わってきた熱を外部に放出する働きを有するとともに、
光ピックアップを形成する種々の部材が載置され、パッ
ケージングの基板となるものである。また放熱板４には
調整用の孔４ａが設けてある。ブロック３はロウ付け，
半田箔等により放熱板４の上面に固定される。放熱板４
の材質としては、熱伝導性が高いＣｕ，Ａｌ，Ｆｅ等が
考えられる。

【００２０】なおここではサブマウント２とブロック３
とを別体で形成していたが、光源１の出力が高く、これ
らの部材により高い熱伝導性が要求される場合には、熱
伝導性を良くするためにこれらの部材を一体で形成する
ことが好ましい。この場合それらの材質は、ＡｌＮ等の
熱伝導性が非常に高いものを用いることが好ましい。

【００２１】またブロック３はサブマウント２よりも大
きくして、放熱板４との接触面積を大きく取ることが望
ましい。

【００２２】また光源１には光軸に関して高い精度が要
求されるので、サブマウント２の上面は高い精度で水平
であることが好ましい。従ってサブマウント２，ブロッ
ク３及び放熱板４の取り付けについても細心の注意を払
うことが好ましい。

【００２３】５は光ガイド部材で、光ガイド部材５は直
方体形状をしており、その内部には複数の斜面及びそれ
らの斜面上に形成された各種膜を有しており、光源から
射出された光を出射するとともに、戻ってきた光を所定
の位置に導く働きを有している。また光ガイド部材５は
その側面でブロック３の突起部３ａの端面部３ｂに接着
されている。これに用いられる接合材には大きな接着強
度，任意の瞬間に固定できる作業性，硬化前と硬化後の
体積の変化や温度・湿度の変化による体積の変化が小さ
い即ち低収縮率等の条件が要求され、これらを満たすこ
とにより作業性及び接合面の安定性等を向上させること
ができる。この様な接合材としてここでは紫外線を照射
することにより瞬時に硬化するＵＶ接着剤を用いた。ま
た吸湿硬化型の瞬間接着剤を用いても良い。更に十分な
取り付け強度を持つようにするためにブロック３と光ガ
イド部材５の間の接触面積（Ｓ）はＳ＞１ｍｍ²とする
ことが好ましい。

【００２４】１３は受光素子で、受光素子１３は板形状
の半導体ウェハーに形成された各種の電気回路で構成さ
れており、光ガイド部材５の底面に取り付けられてい
る。取付の際には放熱板４に設けられた孔４ａを用いて
位置の調整を行う。受光素子１３と光ガイド部材５との
取り付けについては、大きな接着強度，任意の瞬間に固
定できる作業性，硬化前と硬化後の体積の変化や温度・
湿度による体積の変化が小さい即ち低収縮率等の条件が
要求され、これらを満たすことにより、作業性、接合面
の安定性が向上する。この様な接合材としてここでは紫
外線を照射することにより瞬時に硬化するため特に作業
性が良好なＵＶ接着剤を用いた。なお吸湿硬化型の瞬間
接着剤を用いても良い。また受光素子１３は光源１から
出射され、光ガイド部材５や記録媒体等で反射されて戻
ってきた光信号を受光する受光部を複数有している。こ
の受光部で検知された光信号は、その光量に応じて電気
信号に変換される。この電気信号は変換当初は電流値の
大きさである。しかしながらこの電流は非常に微弱であ
り、かつノイズを拾いやすいというデメリットがある。
このためここでは受光素子１３として、電流値を相関す
る電圧値に変換して増幅する働きを持つＩ−Ｖアンプが
形成されているものを用いることが好ましい。ただし光
の入射周波数に対して出力電圧の応答が良好であること
が要求される。更に受光素子１３の表面には受光した情
報を信号として取り出すためのＡｌ等の薄膜で構成され
た複数の電極１３ａが設けてある。

【００２５】１４はパッケージで、パッケージ１４は、
放熱板４の上面に前述のブロック３や光ガイド部材５，
受光素子１３等を囲むように設けられており、その内部
には受光素子１３からの電気信号取り出しや光源１の電
源供給等に用いられるリードフレーム１４ａがモールド
されている。このパッケージ１４の形状は中央部がくり
貫かれた直方体形状をしており、更にリードフレーム１
４ａがモールドされている側のパッケージ１４の内面に
はリードフレームの足１４ｂを露出するように段差１４
ｃが設けてある。なおパッケージ１４の形状については
円筒形等であっても構わない。そして受光素子１３から
の電気信号を取り出すためにパッケージ１４に設けられ
た段差１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂ
と受光素子１３の表面に設けられている複数の電極１３
ａとをＡｕやＡｌ等で形成されたワイヤ１４ｄでワイヤ
ボンディングにより接続している。また光源１の電源供
給のため、光源１の上面とパッケージ１４に設けられた
段差１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂと
をワイヤ１４ｄでボンディングし、更にサブマウント２
の上面に光源１の下面と電気的に接触するように設けら
れている電極面２ａとパッケージ１４に設けられた段差
１４ｃに露出しているリードフレームの足１４ｂとを同
じくワイヤ１４ｄでワイヤボンディングすることにより
接続している。パッケージ１４の材質としては、低吸水
性や低アウトガス性などに優れていることが求められる
が、ここではＩＣモールドとしては最も一般的なエポキ
シ樹脂等の熱硬化性の樹脂を用いている。またリードフ
レーム１４ａの材質としてはＣｕ，４２アロイ，Ｆｅ等
の金属にＡｇやＡｕ等をメッキしたものを用いることが
多い。ここではＣｕにＮｉメッキをし、その上にＡｕメ
ッキを施したものを用いた。更にパッケージ１４と放熱
板４との間の取り付けには、大きな接着強度，低い吸水
性，高い気密性（低いリーク特性）等の性質を有する接
合材を用いる。これにより接合面，接合位置の安定性を
向上させ、光ピックアップのパッケージング内部への不
純物の混入を防止することができる。ここではこれらの
特性に優れ、安価なエポキシ系接着剤を用いた。

【００２６】１５はシェルで、シェル１５もまたパッケ
ージ１４と同様に直方体の中心部をくり貫いたような外
形をしており、その水平方向の断面はパッケージ１４の
それとほぼ同一形状をしている。またその材質にはパッ
ケージング内部への不純物混入を防止する意味で、低吸
水性や低アウトガス性等の特性が求められる。ここでは
それらの特性に優れたポリプチレンテレフタレート（以
下ＰＢＴとする）を用いた。ただし、特に強度や寸法精
度等に優れた特性が要求される場合には、ＰＢＴよりも
高価ではあるがこれらの特性に優れたＬＣＰを用いても
良い。そしてシェル１５とパッケージ１４との接着は、
前述のパッケージ１４と放熱板４との取り付けと同様の
理由で、エポキシ系接着剤を用いた。なおこのシェル１
５を用いる代わりにパッケージ１４の側壁部分の高さ
を、光ガイド部材５よりも高くなるようにして代替して
も良い。

【００２７】１６はカバー部材で、カバー部材１６は光
ガイド部材５や受光素子１３等にごみ，ほこり等が付着
するのを防止するもので、シェル１５の上面にエポキシ
系の接着剤により取り付けられている。またカバー部材
１６の材質としては、ＢＫ−７，ＦＫ−１，Ｋ−３等の
ガラスや、ウレタン，ポリカーボネート，アクリル等の
光透過率の高い樹脂等を用いることがことが好ましい。
更にカバー部材１６の上下両面には反射防止のために反
射防止膜１６ａを形成することが好ましい。この反射防
止膜１６ａはＭｇＦ₂等の材質で形成することが好まし
い。

【００２８】このカバー部材１６と光ガイド部材５との
位置関係は、両者を接触させる場合と両者の間に空間を
設ける場合とが考えられる。両者を接触させる場合、光
ガイド部材５はカバー部材１６の底部にエポキシ系の接
着剤やＵＶ接着剤等で取り付けられる。この時のカバー
部材１６の厚さ（ｔ１）を０．３≦ｔ１≦３．０（ｍ
ｍ）とすることが好ましい。この理由は、下限について
はこれ以上薄くすると取り付けられている光ガイド部材
５等の重さや、接着剤が固まる際の張力等にカバー部材
１６が耐えられず破損する恐れがあるためである。また
上限については、カバー部材１６は空気に比べて屈折率
が大きいため光に収束作用が生まれ、光が広がらないの
で、結果としてカバー部材１６とコリメータレンズ（無
限系光学系の場合）或いは対物レンズ（有限系光学系の
場合）との距離を長くせざるを得ないくなってしまい、
ピックアップユニットの小型化に不利になるからであ
る。この様な構成を用いることにより光ピックアップの
高さをより低くでき、十分な取付強度を保ちながらもピ
ックアップユニットを小型化することができる。

【００２９】これに対して両者の間に空間を設ける場合
は、カバー部材１６の厚さ（ｔ２）を０．１≦ｔ２≦
３．０（ｍｍ），カバー部材１６と光ガイド部材５との
間の距離（ｄ）を同じく０．１≦ｄ≦３．０（ｍｍ）と
することが好ましい。この理由はｔ２の下限については
前例とは違って光ガイド部材５が取り付けられておら
ず、ただ振動等の外部要因にさえ耐えられればよいから
である。またｄについては、小さければ小さい程良いの
だが、組立時の精度の誤差を０．１ｍｍ以下にできない
可能性があり、この場合組立時にカバー部材１６が光ガ
イド部材５に接触し、破損してしまう恐れがある。この
様な構成を用いることにより光ガイド部材５と、光源
１，サブマウント２，ブロック３の間の取り付け相対位
置精度を向上させつつブロック３若しくはサブマウント
２を他の部材に熱的に接触させることが可能であり、こ
れにより光源１で発生する熱を外部に容易に放出するこ
とができる。

【００３０】なお光ピックアップの内部は光源１及び受
光素子１３の酸化防止や光ガイド部材５，カバー部材１
６での結露防止等の観点から、Ｎ₂等のガスやＡｒ，Ｎ
ｅ，Ｈｅ等の不活性ガスを充填することが好ましい。そ
の場合、放熱板４と受光素子１３との間に存在する隙間
１７を小さな収縮率，低い吸水性，高い気密性（優れた
リーク特性）等の特性を有する接合材、例えばエポキシ
系のポッティング剤や半田等で埋める必要がある。これ
により内部の気密性を高めることができる。

【００３１】以上示してきた構成を用いることにより、
光源１で発生する熱を容易に外部に放出することがで
き、更にパッケージングの両端面に計２個所の開口部を
設けることにより、酸化防止ガスの封入を容易に行うこ
とができる。また光学系においては光源１，光ガイド部
材５及び受光素子１３の相対的な位置関係を正しくかつ
強固に保持することができるので、それらの位置のずれ
による誤動作や余分な光学的収差等が発生しない。

【００３２】またこの光ピックアップのパッケージング
全体での熱抵抗は３５℃／ｗ以下とすることがより効率
よく熱をパッケージ外に逃がすことができるので好まし
い。次に本発明の第一実施例における光ピックアップの
動作について、図面を参照しながら説明する。図３は本
発明の一実施の形態における光ピックアップの動作の概
念図、図４は本発明の一実施の形態における光ガイド部
材の斜視図である。

【００３３】図３及び図４において放熱板４上にサブマ
ウント２及びブロック３を介して水平にマウントされた
光源１から水平に放出されたレーザ光は、平行な複数の
斜面を有する光ガイド部材５の面５ｆから光ガイド部材
５に入射し、光ガイド部材５の第二の斜面５ｂに形成さ
れかつ入射する光の拡散角に対して射出する光の拡散角
を変換する（以下ＮＡを変換すると呼ぶ）機能を有する
反射型の拡散角変換ホログラム７に到達する。拡散角変
換ホログラム７によってＮＡを変換されかつ反射した光
は第一の斜面５ａに形成された反射型の回折格子６によ
って０次回折光（以下メインビームと呼ぶ）と±１次回
折光（以下サイドビームと呼ぶ）とに分けられる。回折
格子６によって発生するメインビーム及びサイドビーム
は第１の偏光選択性のあるビームスプリッター膜９（以
下単に第一のビームスプリッター膜と呼ぶ）に入射す
る。第一のビームスプリッター膜９は入射面に対して平
行な振動成分を有する光（以下単にＰ偏光成分と呼ぶ）
に対してほぼ１００％の透過率を有し、垂直な振動成分
（以下単にＳ偏光成分と呼ぶ）に対しては一定の反射率
を有する。第一のビームスプリッター膜９に入射する光
のうち第一のビームスプリッター膜９を透過する光は光
源１からの射出光のモニター光として利用される。ま
た、第一のビームスプリッター膜９で反射されたＳ偏光
成分に直線偏光したメインビーム及びサイドビームは、
光ガイド部材５の面５ｅ及びカバー部材１６を透過、対
物レンズ２６に入射し、対物レンズ２６の集光作用によ
って記録媒体２７の記録媒体面２７ａに結像される。こ
の時、記録媒体面２７ａ上において２つのサイドビーム
のビームスポット２９ａ及び２９ｃはメインビームのビ
ームスポット２９ｂを中心としてほぼ対称な位置に結像
される。記録媒体面２７ａに対してメインビーム及びサ
イドビームのビームスポット２９ｂ及び２９ａ、２９ｃ
により情報の記録または再生信号及びトラッキング、フ
ォーカシングいわゆるサーボ信号の読みだしを行う。

【００３４】拡散角変換ホログラム７は、光源１からの
射出光のうち拡散角変換ホログラム７へ入射することの
できる光束の拡散角に対して、拡散角変換ホログラム７
からの反射光の拡散角を変換する。また、拡散角変換ホ
ログラム７によって拡散角をまったく持たない平行光に
も変換可能である。また、同じ拡散角変換ホログラム７
によって図３に示されるように光ガイド部材５射出後の
光束が途中経路で積算された波面収差が取り除かれた理
想球面波３０となる。したがって、対物レンズ２６への
入射光は理想球面波３０となり、対物レンズ２６による
記録媒体２７でのビームスポットはほぼ回折限界まで絞
り込まれ理想的な大きさとなり、情報の記録または再生
を容易に行うことができる。

【００３５】記録媒体２７の記録媒体面２７ａによって
反射されたメインビーム及びサイドビームの戻り光は対
物レンズ２６、光ガイド部材５の面５ｅを再び通過し、
光ガイド部材の第二の斜面５ｂに形成された第一のビー
ムスプリッター膜９に入射する。

【００３６】記録媒体２７からの戻り光のうち第一のビ
ームスプリッター膜９から透過する光は光ガイド部材５
の第一の斜面５ａに平行な第三の斜面５ｃ上に形成され
た第２の偏光選択性のあるビームスプリッター膜１１
（以下単に第二のビームスプリッター膜と呼ぶ）に入射
する。第二のビームスプリッター膜１１は第一のビーム
スプリッター膜９と同様にＰ偏光成分に対してほぼ１０
０％の透過率を有し、Ｓ偏光成分に対しては一定の反射
率を有する。

【００３７】ここで第二のビームスプリッター膜１１に
入射した光束の内、透過光１１７に関して説明する。透
過光１１７は第三の斜面５ｃ上に積層された偏光面変換
基板３１に入射する。

【００３８】図５は本発明の一実施の形態における光ピ
ックアップの偏光面変換基板の斜視図、図６は本発明の
一実施の形態における光ピックアップの受光部配置及び
信号処理を示す図である。偏光面変換基板３１は第１の
その他の斜面３１ａ（以下単に第１他斜面と呼ぶ）とそ
の第１他斜面３１ａに略平行な第２のその他の斜面３１
ｂ（以下単に第２他斜面と呼ぶ）を有し、第１他斜面３
１ａには反射膜１２６が、第２他斜面３１ｂには偏光分
離膜１２が夫々形成されている。透過光１１７は第２他
斜面３１ｂ上に形成された偏光分離膜１２に入射する。
第２他斜面３１ｂは透過光１１７の偏光面１１７ａと入
射面１２８とのなす角が略４５×（２ｎ＋１）゜：（ｎ
は整数）になるように形成されている。その結果透過光
１１７のＰ偏光成分１１７ＰとＳ偏光成分１１７Ｓは略
１：１の強度比を有するようになる。入射面１２８と平
行な偏光成分を有するＰ偏光成分１１７Ｐは偏光分離膜
１２によってほぼ１００％透過し、一方、入射面１２８
に垂直な偏光成分を有するＳ偏光成分１１７Ｓは第２他
斜面３１ｂ上の偏光分離膜１２によって略１００％反射
し第１他斜面３１ａ面上に入射し、反射膜１２６によっ
て反射され受光素子１３へ導かれる。受光素子１３に導
かれたＰ偏向成分１１７Ｐは受光部１７０へ、同じくＳ
偏向成分は受光部１７１へ到達してＲＦ信号を作成す
る。

【００３９】次に図３中に示す第二のビームスプリッタ
ー膜１１に入射した光束のうち反射光１２３に関して説
明する。反射光１２３は第二の斜面５ｂ上の反射型のホ
ログラムで形成された非点収差発生ホログラム１０に入
射する。反射光１２３は非点収差発生ホログラム１０に
よって非点収差を発生しつつ、さらに反射膜１２４，反
射膜１２５で反射されて、メインビームの戻り光は受光
素子１３上の受光部１７２に、サイドビームの戻り光は
受光素子１３上の受光部１７６及び１７７に到達する。

【００４０】次に本発明の第二実施例について図を参照
しながら説明する。第二実施例は、特に相変化型光ディ
スクに対応した光ピックアップの構成について説明する
ものである。相変化型光ディスクは光を照射することで
記録媒体中の結晶構造を変化させて情報を記録するもの
で、結晶構造を変化させるために従来の光記録再生装置
に比べてより多くの光量を必要とするので、より効率の
良い光学系を必要とする。図７は本発明の一実施の形態
における相変化型光ディスク用の光ピックアップの構成
図である。なお図１，図２及び図３に示したものと番号
が同一の部材については、その働き及び構成が同様であ
るので説明を省略する。

【００４１】光源１から放出されたレーザ光は、平行な
複数の斜面を有する光ガイド部材４１の面４１ｆから光
ガイド部材４１に入射し、拡散角変換ホログラム７、回
折格子６及び偏光選択性のあるビームスプリッター膜３
５（以下ビームスプリッター膜と呼ぶ）を通って光ガイ
ド部材４１の面４１ｅから出射される。ここでビームス
プリッター膜３５は第一実施例の場合とは異なりＳ偏光
成分の反射率は９５％以上でＰ偏光成分の反射率はおよ
そ１％程度である。ビームスプリッター膜３５に入射す
る光のうちビームスプリッター膜３５を透過する光（Ｐ
偏光成分で全光量の数パーセント程度）は光源１からの
射出光のモニター光として利用される。光ガイド部材４
１の面４１ｅから出射された光はカバー部材１６に設け
られたλ／４板３３を透過する。図８はλ／４板の概観
図である。λ／４板３３は光ガイド部材４１からの入射
光偏光面に対して、その異常光軸がπ／４・（２ｍ−
１）；（ただしｍは自然数：以下同じ）の方向に設置さ
れており、入射光の異常光成分と常光成分の位相差をπ
／２・（２ｍ−１）だけ発生させる機能を有している。
λ／４板３３を構成する材料としては一般に一軸性結晶
材料を用いる。その中でも低コストで、光透過性に優れ
た水晶を用いることが好ましい。一軸性結晶では異常光
軸６１６と常光軸６１７があり、それぞれの光軸に対し
て異常光屈折率ｎ_e及び常光屈折率ｎ_oと呼ばれる異なる
屈折率を有している。異常光と常光では光学的距離が異
なるので、λ／４板３３の基板厚をＱＤ，入射光波長を
λとして次の関係式で決まる位相差Δが発生する。λ／
４板３３の厚さＱＤはこの位相差Δがπ／２・（２ｍ−
１）となるように決定されている。

【００４２】Δ＝２π・（ｎ_e−ｎ_o）・ＱＤ／λ 本実施例では、波長λ＝７９０ｎｍ、異常光屈折率ｎｅ
＝１．５４７７、常光屈折率ｎｏ＝１．５３８８（ただ
し屈折率は基板の切り出し角で異なる。ここでは異常光
軸及び常光軸の双方の軸を含む平面に平行に切り出し
た。）という条件に対してλ／４板３３の基板厚は２
１．９・（２ｍ−１）μｍとなる。この様な条件にする
ことにより、直線偏光で入射角０度で入射してきた光を
円偏向の光に変換することができる。即ち光源１から出
射されたＳ偏向成分のみを含む直線偏光を円偏光に変換
することができる。なおここではλ／４板３３としてカ
バー部材１６上に２１．９μｍの水晶を設けていたが、
光ガイド部材の面４１ｅや対物レンズ２６に設けること
もある。

【００４３】λ／４板３３を透過して円偏向となった光
は対物レンズ２６に入射し、対物レンズ２６の集光作用
によって記録媒体２７の記録媒体面２７ａに結像され、
反射される。記録媒体面で反射された円偏光化した光は
その回転方向が逆転するので、戻り光は対物レンズ２６
を透過し、再びλ／４板３３を透過する際に、Ｐ偏光成
分のみを含む直線偏光に変換される。この様に変換され
た戻り光は光ガイド部材４１の面４１ｅを再び通過し、
再び光ガイド部材の第二の斜面４１ｂに形成されたビー
ムスプリッター膜３５に入射する。前述のようにビーム
スプリッター膜３５はＰ偏光成分に対してほぼ１００％
の透過率を有し、Ｓ偏光成分に対してはほぼ１００％の
反射率を有する。従ってＰ偏光成分しか有さない戻り光
はビームスプリター膜３５をほぼ透過する。

【００４４】そして戻り光は光ガイド部材４１の第一の
斜面４１ａに平行な第三の斜面４１ｃ上に形成されたハ
ーフミラー３４に入射する。ハーフミラー３４は入射し
た光のうち所定の量を反射して、残りを透過する働きを
有している。

【００４５】ここでハーフミラー３４に入射した光束の
内、透過光１１７は受光素子３６上に設けられている受
光部３７へ導かれる。

【００４６】次に図３中に示すハーフミラー３４に入射
した光束のうち反射光１２３に関して説明する。図９は
本発明の一実施の形態における相変化型光ディスク用の
光ピックアップの受光素子に設けられた受光部の配置図
である。反射光１２３は第二の斜面４１ｂ上の反射型の
ホログラムで形成された非点収差発生ホログラム１０に
入射する。反射光１２３は非点収差発生ホログラム１０
によって非点収差を発生しつつ、さらに反射膜１２４，
反射膜１２５で反射されて、メインビームの戻り光は受
光素子３６上の受光部３８に、サイドビームの戻り光は
受光素子３６上の受光部３９及び４０に到達する。

【００４７】以上のような構成を有する光ピックアップ
ではλ／４板をビームスプリッター膜３５と記録媒体２
７との間に設け、Ｓ偏光成分の直線偏光である出射光を
円偏光化した光に変換し、その後記録媒体２７で反射さ
れ回転方向が逆転した円偏光化した光をＰ偏光成分のみ
を有する直線偏光に変換してビームスプリッター膜３５
に入射させることにより記録媒体２７で反射された光を
ほぼ１００％受光素子３６上に導くことができるので、
ビームスプリッター膜３５のＳ偏光成分の反射率を大幅
に高くすることができ、従って記録媒体２７に照射され
る光量を大きくすることができる。即ち限られた光源１
の出力を効率よく記録媒体２７に照射でき、かつ、記録
媒体２７からの反射光を効率よく受光素子３７に導くこ
とができる。

【００４８】次に光ガイド部材５及び光ガイド部材４１
の内部に形成されている反射膜１２４，１２５，１２６
（以下単に誘電体反射膜と称す）についてその詳細を図
を参照しながら説明する。

【００４９】図１０は本発明の一実施の形態における誘
電体反射膜の構成を示す断面図である。

【００５０】誘電体反射膜５２は光ガイド部材５及び４
１を構成する基板５１の表面の所定の位置に形成されて
いるもので、入射してきた光を反射して所定の位置に導
くものである。そしてその構成は図１０に示すように高
い屈折率を有する誘電体膜５３と低い屈折率を有する誘
電体膜５４を交互に積層して形成されている。高い屈折
率を有する誘電体膜５３の材料としてはＺｒＯ₂，Ｔｉ
Ｏ₂，ＣｅＯ₂，Ｔａ₂Ｏ ₅，ＺｎＳ等の材料を用いること
が好ましい。また低い屈折率を有する誘電体膜５４の材
料としては、ＭｇＦ₂，ＳｉＯ₂等の材料を用いることが
好ましい。またこれらの低い屈折率を有する低い屈折率
を有する誘電体膜５４と高い屈折率を有する誘電体膜５
３とを組み合わせて誘電体反射膜５２を形成する際に
は、それぞれの膜応力の分布を考慮に入れることが好ま
しい。即ち、交互に形成される高い屈折率を有する誘電
体膜５３および低い屈折率を有する誘電体膜５４を、そ
れぞれの膜応力を相互に打ち消し合う方向に形成するこ
とが好ましい。このような構成とすることにより、膜応
力が一定の方向に加わってしまい、このため基板にひず
みが発生して、基板が変形したり、誘電体反射膜５２が
光軸対してずれてしまうといった問題を回避することが
できるので、光ガイド部材５及び４１の歩留まりを向上
させることができるとともに光ピックアップの信頼性を
向上させることができる。

【００５１】先に示した高い屈折率を有する誘電体膜５
３の材料と低い屈折率を有する誘電体膜５４の材料の中
でも特にＳｉＯ₂とＴｉＯ₂との組み合わせを用いること
が、非常に好ましい。なぜならばこの二つの材料はほぼ
同程度の引張応力と圧縮応力を有しているので、ＴｉＯ
₂とＳｉＯ₂を交互に積層することにより、全体として膜
応力を打ち消し合うような構成とすることが容易にでき
るからである。更に基板として用いられる光学ガラス
（主にＢＫ−７やコバルコガラス等）の線膨張係数は、
ＴｉＯ₂とＳｉＯ₂の線膨張係数のほぼ中間となっている
ので、温度変化によって基板が膨張収縮しても、全体と
しての一定の割合で膨張収縮が起こるので、基板と誘電
体反射膜との間での乖離の発生を抑制することができ、
従って温度変化に強い高性能な光ガイド部材を提供する
ことができる。

【００５２】更に基板５１に形成する誘電体層のうち、
直接基板５１上に形成される第一層には屈折率の低い誘
電体膜を形成することが好ましい。一般に屈折率の低い
物質の方が化学的に安定であり、比較的汚れている基板
表面に膜を形成してもその界面における屈折率の変化は
ほとんどない。これに対して屈折率の高い誘電体膜を比
較的汚れている基板表面に形成すると負の不均一、即ち
界面付近における屈折率が本来その物質が持つ屈折率よ
りも異常に高くなってしまう現象が発生してしまうの
で、膜厚が見かけ上厚くなったようになり、反射率が変
化してしまう。従って基板上に最初に屈折率の低い誘電
体層を形成することにより、基板との界面付近で負の不
均一が発生せず、常に安定した反射率を実現することが
できる。

【００５３】そしてこの屈折率の差が大きければ大きい
ほど一つの界面における反射率は大きくなるので、界面
の数、即ち積層する誘電体層の数が少なくても十分な反
射率を確保することができる。従って屈折率の差をでき
るだけ大きく、好ましくは０．５以上とすることによ
り、誘電体反射膜５２の厚さを薄くすることができるの
で、膜形成のための工程数を削減することができる。更
に誘電体反射膜を薄くできることにより、基板から突出
する誘電体反射膜の高さが低くなり、各基板を接合する
際の接合層の厚さを薄くすることができるので、基板５
１間の接合強度が向上し、基板の接合部位に発生するは
がれを減少させることができる。特に屈折率の差が０．
５以上にした場合には非常に容易に９７％以上の反射率
を実現することができるので更に好ましい。

【００５４】次に誘電体反射膜の膜厚について説明す
る。誘電体反射膜の膜厚は、誘電体膜の屈折率をｎ、光
の波長をλ、誘電体膜に対する光の入射面の垂線とのな
す角（以下入射角と称す）をθとしたときに、ｎ×ｄ＝λ÷（４ｃｏｓθ）の関係を満たすようにすることが好ましい。本実施の形
態では特にその厚さを１０００Å〜３０００Åとするこ
とが比較的薄い膜でも、十分な反射率を得ることができ
るので好ましい。また高屈折率の層と低屈折率の層を９
以上積層することが製膜時の屈折率変動等に十分に対応
することができ、更に十分な反射率を得ることができる
ので、高性能で、高信頼性を有する誘電体反射膜とする
ことができる。更に誘電体反射膜の最外層については、
低屈折率を有する物質の膜厚を誘電体層中で積層される
膜厚よりも厚くする、好ましくは所定の膜厚の奇数倍と
することが、湿度による誘電体反射膜の劣化や機械的損
傷等のプロセス上の保護の観点で、信頼性を向上させる
ことができるので好ましい構成である。

【００５５】以上のような構成を有する誘電体反射膜に
ついてその特性を調べた。以下その実験及びそれに対す
る比較実験について、図を参照しながら説明する。

【００５６】図１１は本実験の概略図である。７０は三
角プリズムで、三角プリズム７０はその断面の形状が図
に示すように直角二等辺三角形で、その外面は全て乱反
射を起こさないように研磨されており、その研磨された
底面７０ａには図１２に示すような誘電体反射膜７１が
２つの三角プリズム７０に挟み込まれるように形成され
ている。なお三角プリズム７０の底面７０ａに誘電体反
射膜７１については、シンクロン社のイオンビーム成膜
装置を用いて、三角プリズム７０上にまず最初に低い屈
折率を有するＳｉＯ₂膜７１ａ（屈折率１．４５）を６
０４５Å形成し、次に高い屈折率を有するＴｉＯ₂膜７
１ｂ（屈折率２．１０）を１０９２Å形成し、ＳｉＯ₂
膜７１ｃを２０１５Å形成する。この順にＴｉＯ₂膜７
１ｂを計７層，ＳｉＯ₂膜７１ｃを計６層交互に蒸着
し、最後に再びＳｉＯ₂膜７１ｃを２０１５Å形成して
誘電体反射膜７１を形成した。

【００５７】そしてレーザ７２からの光を三角プリズム
７０の面７０ｂから三角プリズム７０に入射させる。こ
のとき入射する光の光軸が面７０ｂに対して垂直になる
ようにそれらの配置には十分に留意する必要がある。そ
して三角プリズム７０に入射した光は底面７０ａに入射
して誘電体反射膜７１で反射される。このときもまた底
面７０ａに入射する光の入射角は４５°となっている。
そして誘電体反射膜７１で反射された光は、面７０ｃを
通って三角プリズム７０から出射され、センサ７３に到
達する。また誘電体反射膜７１の裏面の反射率を測定す
る実験も行った。裏面の反射率を測定する場合には図１
１に示すようにレーザ７２からの光を面７０ｂ及び面７
０ｃを介して、誘電体反射膜７１の裏面に光を照射して
そこでの光の反射率を測定する。なお三角プリズム７０
の材質としてはここでは光学ガラスＢＫ−７を用いてい
る。また実験には波長が７９０ｎｍの光を用いた。更に
反射率の測定には日立製自記分光光度計Ｕ−４０００を
用いた。

【００５８】次に本実験の比較例として更に２つの実験
を行った。第一比較例として、光学ガラスＢＫ−７の三
角プリズムの上にイオンビーム蒸着装置を用いてＡｇ反
射膜を０．１μｍの厚さに成膜した試料と、第二比較例
として、光学ガラスＢＫ−７の三角プリズムの上にＡＮ
ＥＲＬＶＡ社製のイオンビーム蒸着装置ＥＶＣ−１５０
１を用いてＴｉの下地を０．０２５μｍ成膜した上に、
さらにＡｇ反射膜を０．１μｍの厚さに成膜した試料と
を作製し、本実験と同様の実験を行い、合計３つの試料
について、その表面及び裏面における反射率を測定し
た。

【００５９】更に各試料における反射膜と基板との間の
付着力を検査するためにガラス基板上に形成されたそれ
ぞれの試料の反射膜をＪＩＳ−Ｋ−５４００に規定され
る碁盤目テープ方法を用いて測定した。

【００６０】また膜形成時に用いられる代表的な薬品で
あるアセトン及びリムーバーの薬液にガラス基板上に形
成されたそれぞれの試料を浸して、それぞれの反射膜の
耐薬品性を調べた。

【００６１】以上表面の反射率、裏面の反射率、付着力
及び耐薬品性の計４点についての実験の結果を（表１）
に示した。また本実施の形態における誘電体反射膜の表
面及び裏面での反射率と入射光の波長との間の関係を図
１３に示している。

【００６２】

【表１】

【００６３】（表１）から明らかなように本発明の誘電
体反射膜は、リムーバーについての耐薬品性において、
第一比較例及び第二比較例のいずれと比べても非常に優
れた耐薬品性を有しており、更に付着力においても三試
料中最も優れた付着力を有していることがわかる。更に
反射率においても光ピックアップで用いられるＳ偏光成
分について非常に良好な反射率を有していることがわか
る。

【００６４】従って反射膜として本発明の誘電体反射膜
を用いることにより、その表面、裏面の両面において、
金属反射膜に比べて吸収損失が非常に小さいので、極め
て高い反射率を実現することができる。よって各誘電体
反射膜における光の損失が少ないので十分な光量を受光
素子１３に導くことができる。

【００６５】また有機溶剤に対する耐薬品性が非常に高
いので、誘電体反射膜を形成した後の他の薄膜等の製造
工程において用いられる各種有機溶剤によって誘電体反
射膜の膜厚が変化することがほとんどない。従って設計
通りの反射率を実現することができるので効率よく光を
受光素子１３に導くことができる。

【００６６】更にガラス基板との付着力が非常に高いの
で、全光学素子を形成した後に各基板を張り合わせて基
板ブロックを形成し、それを所定の形に切り出す光ガイ
ド部材５及び４１の製造工程において、反射膜と基板と
の間の付着力が弱いために発生する基板のはがれ等を防
止することができ、従って歩留まりの高い、かつ信頼性
の高い光ガイド部材ひいては光ピックアップとすること
ができる。

【００６７】

【発明の効果】基板の光路上に複数の誘電体層を積層し
て形成されている反射膜を設けたことにより、反射膜で
の反射効率を高めることができるとともに基板との接合
性を良好にすることができるので、受光素子に導かれる
光の光量を確保することができ、さらに光ガイド部材製
造時に発生していた基板のはがれを防止することができ
る。

【００６８】また複数の誘電体層中に屈折率の異なる誘
電体層を少なくとも一層形成したことにより、反射効率
を向上させることができるので、受光素子上での光量を
ある程度十分に確保することができる。

【００６９】そして屈折率の高い誘電体層と屈折率の低
い誘電体層とを交互に積層したことにより、反射効率を
更に向上させることができるので、受光素子上での光量
を十分に確保することができ、従って受光素子で受光し
た光から良好なＲＦ信号を形成することができる。従っ
て光ピックアップの性能を向上させることができる。

【００７０】さらに基板に一番近い誘電体層を低い屈折
率を有する誘電体層としたことにより、誘電体層での屈
折率の変化を防止することができるので、反射率を安定
させることができ、従ってＲＦ信号の光ピックアップご
との個体差を低減することができる。

【００７１】屈折率の高い誘電体層と屈折率の低い誘電
体層との屈折率の差を０．５以上としたことにより、誘
電体反射膜の厚さを非常に薄くすることができるので、
膜形成のための作業所用時間を低減することができる。
更に誘電体反射膜を薄くできることにより、基板から突
出する誘電体反射膜の高さが低くなり、各基板を接合す
る際の接合層の厚さを薄くすることができるので、基板
間の接合強度が向上し、基板の接合部位に発生するはが
れを減少させることができる。

【００７２】複数の誘電体層をそれぞれの膜応力を打ち
消し合う方向に形成したことにより、基板の反りや反射
膜での反射率の位置依存性を防止することができるの
で、光ガイド部材の歩留まりを向上させることができる
とともに光ピックアップの信頼性を向上させることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
のパッケージングの構成を示す断面図

【図２】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
のパッケージングの構成を示す断面図

【図３】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
の動作の概念図

【図４】本発明の一実施の形態における光ガイド部材の
斜視図

【図５】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
の偏光面変換基板の斜視図

【図６】本発明の一実施の形態における光ピックアップ
の受光部配置及び信号処理を示す図

【図７】本発明の一実施の形態における相変化型光ディ
スク用の光ピックアップの構成図

【図８】本発明の一実施の形態におけるλ／４板の概観
図

【図９】本発明の一実施の形態における相変化型光ディ
スク用の光ピックアップの受光素子に設けられた受光部
の配置図

【図１０】本発明の一実施の形態における誘電体反射膜
の構成を示す断面図

【図１１】本実験の概略図

【図１２】本発明の一実施の形態に反射膜の断面図

【図１３】本発明の一実施の形態における誘電体反射膜
の表面及び裏面での反射率と入射光の波長との間の関係
図

【図１４】従来の光ピックアップの構成図

【図１５】従来の反射膜の断面図

【符号の説明】

１光源２サブマウント２ａ電極面３ブロック３ａ突起部３ｂ端面部４放熱板４ａ孔５光ガイド部材５ａ第一の斜面５ｂ第二の斜面５ｃ第三の斜面５ｅ面５ｆ面６回折格子７拡散角変換ホログラム９第一のビームスプリッター膜９ａ保護膜１０非点収差発生ホログラム１１第二のビームスプリッター膜１２偏光分離膜１３受光素子１３ａ電極１４パッケージ１４ａリードフレーム１４ｂリードフレームの足１４ｃ段差１４ｄワイヤ１５シェル１６カバー部材１６ａ反射防止膜１７隙間２６対物レンズ２７記録媒体２７ａ記録媒体面２８第２のビームスプリッター膜２９ａ，２９ｂ，２９ｃビームスポット３０理想球面波３１偏光面変換基板３１ａ第１他斜面３１ｂ第２他斜面３１ｃ第一面３１ｄ第二面３３ λ／４板３４ハーフミラー３５ビームスプリッター膜３６受光素子３７，３８，３９，４０受光部４１光ガイド部材４１ａ第一の斜面４１ｂ第二の斜面４１ｃ第三の斜面４１ｅ面４１ｆ面５１基板５２誘電体反射膜５３高い屈折率を有する誘電体膜５４低い屈折率を有する誘電体膜７０三角プリズム７０ａ底面７０ｂ面７０ｃ面７１誘電体反射膜７１ａＳｉＯ₂膜７１ｂＴｉＯ₂膜７２レーザ７３センサ１１７透過光１１７ａ偏光面１１７ＳＳ偏光成分１１７ＰＰ偏光成分１２３反射光１２４反射膜１２５反射膜１２６反射膜１２８入射面１７０，１７１，１７２，１７２ａ，１７２ｂ，１７２
ｃ，１７２ｄ，１７６，１７７受光部６１６異常光軸６１７常光軸

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光源と、前記光源から照射された光の入射
方向に対して傾斜した複数の基板を有し、前記基板の光
路上に複数の誘電体層を積層して形成されている反射膜
を有し、前記光源からの光を光媒体に導くとともに、前
記光媒体から反射してきた光を所定の位置に導く光ガイ
ド部材と、光を受光するとともに受光した光信号を電気
信号に変換する受光手段とを備えたことを特徴とする光
ピックアップ。
【請求項２】複数の誘電体層中に屈折率の異なる誘電体
層を少なくとも一層形成したことを特徴とする請求項１
記載の光ピックアップ。
【請求項３】屈折率の高い誘電体層と屈折率の低い誘電
体層とが交互に積層されていることを特徴とする請求項
１，２いずれか１記載の光ピックアップ。
【請求項４】基板に一番近い誘電体層を低い屈折率を有
する誘電体層としたことを特徴とする請求項３記載の光
ピックアップ。
【請求項５】屈折率の高い誘電体層と屈折率の低い誘電
体層との屈折率の差が０．５以上あることを特徴とする
請求項３，４光ピックアップいずれか１記載の光ピック
アップ。
【請求項６】複数の誘電体層が、それぞれの膜応力を打
ち消し合う方向に形成されていることを特徴とする請求
項１〜５いずれか１記載の光ピックアップ。
【請求項７】屈折率の低い誘電体層の厚さを屈折率の低
い誘電体層の厚さよりも厚くしたことを特徴とする請求
項３〜６いずれか１記載の光ピックアップ。
【請求項８】光源と、前記光源から照射された光の入射
方向に対して傾斜した複数の基板を有し、前記基板表面
の光路上に複数の誘電体層を積層して形成されている反
射膜を有し、前記光源からの光を光媒体に導くととも
に、前記光媒体から反射してきた光を所定の位置に導く
光ガイド部材と、光を受光するとともに受光した光信号
を電気信号に変換する受光手段とを備えたことを特徴と
する相変化型光ディスク用の光ピックアップ。
【請求項９】複数の誘電体層中に屈折率の異なる誘電体
層を少なくとも一層形成したことを特徴とする請求項８
記載の相変化型光ディスク用の光ピックアップ。
【請求項１０】屈折率の高い誘電体層と屈折率の低い誘
電体層とが交互に積層されていることを特徴とする請求
項８，９いずれか１記載の相変化型光ディスク用の光ピ
ックアップ。
【請求項１１】基板と対向する誘電体層を低い屈折率を
有する誘電体層としたことを特徴とする請求項１０記載
の相変化型光ディスク用の光ピックアップ。
【請求項１２】屈折率の高い誘電体層と屈折率の低い誘
電体層との屈折率の差が０．５以上あることを特徴とす
る請求項１０，１１いずれか１記載の相変化型光ディス
ク用の光ピックアップ。
【請求項１３】複数の誘電体層が、それぞれの膜応力を
打ち消し合う方向に形成されていることを特徴とする請
求項８〜１２いずれか１記載の相変化型光ディスク用の
光ピックアップ。
【請求項１４】屈折率の低い誘電体層の厚さを屈折率の
低い誘電体層の厚さよりも厚くしたことを特徴とする請
求項１０〜１３いずれか１記載の相変化型光ディスク用
の光ピックアップ。
【請求項１５】光ガイド部材の光出射面と光媒体との間
にλ／４板を設け、前記λ／４板と光の光軸とが略垂直
であることを特徴とする請求項８〜１４いずれか１記載
の相変化型光ディスク用の光ピックアップ。
【請求項１６】光を透過若しくは反射の少なくとも一方
を行う導光手段を傾斜面に備え、前記傾斜面を介して、
光媒体からの反射光を受光手段に導くことを特徴とする
請求項８〜１５いずれか１記載の相変化型光ディスク用
の光ピックアップ。
【請求項１７】導光手段がハーフミラーであることを特
徴とする請求項１６記載の相変化型光ディスク用の光ピ
ックアップ。