JPH09219579A - 電子部品の接続方法及び接続装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極を有する電子部品を熱硬化性の異方導電
性接着剤を介して接続した場合の接続状態の信頼性を向
上する。 【解決手段】 接続に必要なサイズのＡＣＦ１３が半導
体チップ１２に供給される。この時、半導体チップ１２
の突起物の周辺にはボイド１４が形成され、更に、供給
されたＡＣＦ１３の表面には凹凸１３ａが形成される。
次に、チップ電極１２ａと基板電極１５ａとを対向させ
る。半導体チップ１２を回路基板１５に圧接した状態で
加熱する。第１の加熱工程で、ボイド１４内の空気が熱
膨張して流動しやすいようにＡＣＦ１３の軟化開始温度
から硬化開始温度の間で加熱を行い、空気を接続部外に
排出する。第２の加熱工程で、接続装置ツール１１をＡ
ＣＦ１３が硬化する温度に設定して該ＡＣＦ１３を硬化
させ、チップ電極１２ａや基板電極１５ａの周辺にボイ
ドが残留しない状態で固定する。
性接着剤を介して接続した場合の接続状態の信頼性を向
上する。 【解決手段】 接続に必要なサイズのＡＣＦ１３が半導
体チップ１２に供給される。この時、半導体チップ１２
の突起物の周辺にはボイド１４が形成され、更に、供給
されたＡＣＦ１３の表面には凹凸１３ａが形成される。
次に、チップ電極１２ａと基板電極１５ａとを対向させ
る。半導体チップ１２を回路基板１５に圧接した状態で
加熱する。第１の加熱工程で、ボイド１４内の空気が熱
膨張して流動しやすいようにＡＣＦ１３の軟化開始温度
から硬化開始温度の間で加熱を行い、空気を接続部外に
排出する。第２の加熱工程で、接続装置ツール１１をＡ
ＣＦ１３が硬化する温度に設定して該ＡＣＦ１３を硬化
させ、チップ電極１２ａや基板電極１５ａの周辺にボイ
ドが残留しない状態で固定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば回路基板や
半導体チップ等のような電極を有する電子部品を、異方
導電性接着剤を用いて接続する電子部品の接続方法及び
接続装置に関するものである。
半導体チップ等のような電極を有する電子部品を、異方
導電性接着剤を用いて接続する電子部品の接続方法及び
接続装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、次のような文献に記載されるものがあった。 文献；第５回マイクロエレクトロニクスシンポジウム(M
ES'93)論文集 塩沢直行、井坂和博、塚越功、大田共久共著、「異方導
電フィルムを用いた高密度接続における導電粒子の役
割」、P.79-82 図２（ａ），（ｂ）は、前記文献に記載された従来の電
子部品（例えば、回路基板と半導体チップ）の接続方法
の一例を示す工程図である。以下、その工程（１），
（２）を図２（ａ），（ｂ）を参照しつつ説明する。
例えば、次のような文献に記載されるものがあった。 文献；第５回マイクロエレクトロニクスシンポジウム(M
ES'93)論文集 塩沢直行、井坂和博、塚越功、大田共久共著、「異方導
電フィルムを用いた高密度接続における導電粒子の役
割」、P.79-82 図２（ａ），（ｂ）は、前記文献に記載された従来の電
子部品（例えば、回路基板と半導体チップ）の接続方法
の一例を示す工程図である。以下、その工程（１），
（２）を図２（ａ），（ｂ）を参照しつつ説明する。
【０００３】（１） 図２（ａ）の工程 回路基板１の表面に形成された基板電極１ａと半導体チ
ップ２の表面に形成されたチップ電極２ａとを対向さ
せ、それらの間に異方導電性接着剤である異方導電性フ
ィルム（Anisotropic Conductive Film 、以下、ＡＣＦ
という）３を挟む。このＡＣＦ３は、導電性粒子３ａと
して例えばハンダ等の金属粒子やプラスチック粒子に例
えば金(Au)等の金属めっきを施した変形性導電性粒子を
用い、これを熱硬化型のエポキシ系の樹脂に均一分散し
たものである。 （２） 図２（ｂ）の工程 接続装置を用い、半導体チップ２を介してＡＣＦ３に対
して該ＡＣＦ３の樹脂が硬化する温度（例えば、200
℃）で加熱Ｈ及び加圧Ｐ（例えば、4kg/ 5mm2 ）を施
し、基板電極１ａとチップ電極２ａとを導電性粒子３ａ
を介して接続する。このＡＣＦ３を用いた回路基板１と
半導体チップ２の接続方法では、基板電極１ａとチップ
電極２ａとの接続抵抗を低くでき、かつ、回路基板１が
間隔の微細な複数の基板電極１ａを有する場合や、半導
体チップ２が間隔の微細な複数のチップ電極２ａを有す
る場合であっても接続が可能となる。
ップ２の表面に形成されたチップ電極２ａとを対向さ
せ、それらの間に異方導電性接着剤である異方導電性フ
ィルム（Anisotropic Conductive Film 、以下、ＡＣＦ
という）３を挟む。このＡＣＦ３は、導電性粒子３ａと
して例えばハンダ等の金属粒子やプラスチック粒子に例
えば金(Au)等の金属めっきを施した変形性導電性粒子を
用い、これを熱硬化型のエポキシ系の樹脂に均一分散し
たものである。 （２） 図２（ｂ）の工程 接続装置を用い、半導体チップ２を介してＡＣＦ３に対
して該ＡＣＦ３の樹脂が硬化する温度（例えば、200
℃）で加熱Ｈ及び加圧Ｐ（例えば、4kg/ 5mm2 ）を施
し、基板電極１ａとチップ電極２ａとを導電性粒子３ａ
を介して接続する。このＡＣＦ３を用いた回路基板１と
半導体チップ２の接続方法では、基板電極１ａとチップ
電極２ａとの接続抵抗を低くでき、かつ、回路基板１が
間隔の微細な複数の基板電極１ａを有する場合や、半導
体チップ２が間隔の微細な複数のチップ電極２ａを有す
る場合であっても接続が可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２の
電子部品の接続方法では、次のような課題があった。即
ち、図２では、基板電極１ａとチップ電極２ａは、ＡＣ
Ｆ３の供給時にできる該ＡＣＦ３の凹凸により、空気を
巻き込んだ状態（即ち、ボイドが発生した状態）で接続
されることがある。そのため、接着強度或いは接続状態
の信頼性が低下することがある。又、回路基板１が間隔
の微細な複数の基板電極１ａを有する場合や、半導体チ
ップ２が間隔の微細な複数のチップ電極２ａを有する場
合では、前記ボイドが接着時の熱によって膨張し、この
膨脹によってＡＣＦ３が該基板電極１ａと該チップ電極
２ａとの接続部の周辺に必要以上に流出し、該基板電極
１ａと該チップ電極２ａとの接続状態の信頼性が悪化す
るという問題があった。
電子部品の接続方法では、次のような課題があった。即
ち、図２では、基板電極１ａとチップ電極２ａは、ＡＣ
Ｆ３の供給時にできる該ＡＣＦ３の凹凸により、空気を
巻き込んだ状態（即ち、ボイドが発生した状態）で接続
されることがある。そのため、接着強度或いは接続状態
の信頼性が低下することがある。又、回路基板１が間隔
の微細な複数の基板電極１ａを有する場合や、半導体チ
ップ２が間隔の微細な複数のチップ電極２ａを有する場
合では、前記ボイドが接着時の熱によって膨張し、この
膨脹によってＡＣＦ３が該基板電極１ａと該チップ電極
２ａとの接続部の周辺に必要以上に流出し、該基板電極
１ａと該チップ電極２ａとの接続状態の信頼性が悪化す
るという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、前記課題
を解決するために、第１の電子部品の電極を熱硬化性の
異方導電性接着剤を用いて第２の電子部品の電極に接続
する電子部品の接続方法において、次のような工程を行
うようにしている。即ち、前記第１の電子部品の電極と
前記第２の電子部品の電極とを対向させる位置合わせ工
程と、前記異方導電性接着剤が被着された前記第１の電
子部品を前記第２の電子部品に圧接した状態で該異方導
電性接着剤を該異方導電性接着剤の軟化開始温度から硬
化開始温度の間の温度で所定の時間加熱する第１の加熱
工程と、前記異方導電性接着剤を該異方導電性接着剤が
硬化する温度で所定の時間加熱する第２の加熱工程と
を、順に行うようにしている。この第１の発明によれ
ば、以上のように電子部品の接続方法を構成したので、
位置合わせ工程において、第１の電子部品の電極と第２
の電子部品の電極とが対向するように位置が設定され
る。
を解決するために、第１の電子部品の電極を熱硬化性の
異方導電性接着剤を用いて第２の電子部品の電極に接続
する電子部品の接続方法において、次のような工程を行
うようにしている。即ち、前記第１の電子部品の電極と
前記第２の電子部品の電極とを対向させる位置合わせ工
程と、前記異方導電性接着剤が被着された前記第１の電
子部品を前記第２の電子部品に圧接した状態で該異方導
電性接着剤を該異方導電性接着剤の軟化開始温度から硬
化開始温度の間の温度で所定の時間加熱する第１の加熱
工程と、前記異方導電性接着剤を該異方導電性接着剤が
硬化する温度で所定の時間加熱する第２の加熱工程と
を、順に行うようにしている。この第１の発明によれ
ば、以上のように電子部品の接続方法を構成したので、
位置合わせ工程において、第１の電子部品の電極と第２
の電子部品の電極とが対向するように位置が設定され
る。
【０００６】次に、第１の加熱工程において、異方導電
性接着剤が被着された前記第１の電子部品が前記第２の
電子部品に圧接された状態で、該異方導電性接着剤が該
異方導電性接着剤の軟化開始温度から硬化開始温度の間
の温度で所定の時間加熱される。すると、異方導電性接
着剤が軟化し、前記第１の電子部品の表面のバンプ等の
段差周辺に形成されているボイド内の空気が膨張し、こ
の空気が前記第１の電子部品の電極と前記第２の電子部
品の電極との接続部の外に排出される。更に、第２の加
熱工程において、前記第１の電子部品と前記第２の電子
部品との間の異方導電性接着剤が該異方導電性接着剤が
硬化する温度で所定の時間加熱され、該第１の電子部品
の電極と該第２の電子部品の電極とがそれらの接続部に
ボイドが残留しない状態で接続される。
性接着剤が被着された前記第１の電子部品が前記第２の
電子部品に圧接された状態で、該異方導電性接着剤が該
異方導電性接着剤の軟化開始温度から硬化開始温度の間
の温度で所定の時間加熱される。すると、異方導電性接
着剤が軟化し、前記第１の電子部品の表面のバンプ等の
段差周辺に形成されているボイド内の空気が膨張し、こ
の空気が前記第１の電子部品の電極と前記第２の電子部
品の電極との接続部の外に排出される。更に、第２の加
熱工程において、前記第１の電子部品と前記第２の電子
部品との間の異方導電性接着剤が該異方導電性接着剤が
硬化する温度で所定の時間加熱され、該第１の電子部品
の電極と該第２の電子部品の電極とがそれらの接続部に
ボイドが残留しない状態で接続される。
【０００７】第２の発明では、第１の電子部品の電極を
熱硬化性の異方導電性接着剤を介して第２の電子部品の
電極に接続する電子部品の接続装置において、次のよう
な手段を備えている。即ち、前記第１の電子部品の電極
と前記第２の電子部品の電極とを対向させる位置合わせ
手段と、前記異方導電性接着剤が被着された前記第１の
電子部品を前記第２の電子部品に圧接した状態で該異方
導電性接着剤を該異方導電性接着剤の軟化開始温度から
硬化開始温度の間の温度で所定の時間加熱した後、該異
方導電性接着剤を該異方導電性接着剤が硬化する温度で
所定の時間加熱する加熱手段とを、備えている。
熱硬化性の異方導電性接着剤を介して第２の電子部品の
電極に接続する電子部品の接続装置において、次のよう
な手段を備えている。即ち、前記第１の電子部品の電極
と前記第２の電子部品の電極とを対向させる位置合わせ
手段と、前記異方導電性接着剤が被着された前記第１の
電子部品を前記第２の電子部品に圧接した状態で該異方
導電性接着剤を該異方導電性接着剤の軟化開始温度から
硬化開始温度の間の温度で所定の時間加熱した後、該異
方導電性接着剤を該異方導電性接着剤が硬化する温度で
所定の時間加熱する加熱手段とを、備えている。
【０００８】この第２の発明によれば、第１の電子部品
の電極は、位置合わせ手段によって第２の電子部品の電
極と対向するように位置が調整される。次に、前記第１
の電子部品に被着された異方導電性接着剤は、加熱手段
によって前記第２の電子部品に所定の圧力で圧接された
状態で該異方導電性接着剤の軟化開始温度から硬化開始
温度の間の温度で所定の時間加熱される。すると、前記
異方導電性接着剤が軟化し、前記第１の電子部品の表面
のバンプ（突起物）等の段差周辺に形成されているボイ
ド内の空気が膨張し、この空気が前記第１の電子部品の
電極と前記第２の電子部品の電極との接続部の外に排出
される。その後、前記異方導電性接着剤は、該異方導電
性接着剤が硬化する温度で所定の時間加熱され、前記第
１の電子部品の電極と前記第２の電子部品の電極とがそ
れらの接続部にボイドが残留しない状態で接続される。
従って、前記課題を解決できるのである。
の電極は、位置合わせ手段によって第２の電子部品の電
極と対向するように位置が調整される。次に、前記第１
の電子部品に被着された異方導電性接着剤は、加熱手段
によって前記第２の電子部品に所定の圧力で圧接された
状態で該異方導電性接着剤の軟化開始温度から硬化開始
温度の間の温度で所定の時間加熱される。すると、前記
異方導電性接着剤が軟化し、前記第１の電子部品の表面
のバンプ（突起物）等の段差周辺に形成されているボイ
ド内の空気が膨張し、この空気が前記第１の電子部品の
電極と前記第２の電子部品の電極との接続部の外に排出
される。その後、前記異方導電性接着剤は、該異方導電
性接着剤が硬化する温度で所定の時間加熱され、前記第
１の電子部品の電極と前記第２の電子部品の電極とがそ
れらの接続部にボイドが残留しない状態で接続される。
従って、前記課題を解決できるのである。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の
実施形態を示す電子部品の接続方法の一例を示す工程図
である。以下、その工程（１）〜（４）を図１（ａ）〜
（ｄ）を参照しつつ説明する。 （１） 図１（ａ）の工程 接続装置１１にチップ電極１２ａを有する第１の電子部
品（例えば、半導体チップ）１２を真空吸着させた後、
該接続装置１１に対してＡＣＦ１３を軟化させて剥離す
るための熱（例えば、50〜60℃）と荷重（例えば、700
〜1000g/ 5mm2）を所定の時間（例えば、２秒）かけ
る。すると、シート状又はテープ状のＡＣＦ１３から接
続に必要なサイズのＡＣＦ１３が半導体チップ１２に供
給される。又、この時、半導体チップ１２のチップ電極
１２ａ等のバンプの周辺には、巻き込み空気によるボイ
ド１４が形成され、更に、供給されたＡＣＦ１３の表面
には凹凸１３ａが形成される。
実施形態を示す電子部品の接続方法の一例を示す工程図
である。以下、その工程（１）〜（４）を図１（ａ）〜
（ｄ）を参照しつつ説明する。 （１） 図１（ａ）の工程 接続装置１１にチップ電極１２ａを有する第１の電子部
品（例えば、半導体チップ）１２を真空吸着させた後、
該接続装置１１に対してＡＣＦ１３を軟化させて剥離す
るための熱（例えば、50〜60℃）と荷重（例えば、700
〜1000g/ 5mm2）を所定の時間（例えば、２秒）かけ
る。すると、シート状又はテープ状のＡＣＦ１３から接
続に必要なサイズのＡＣＦ１３が半導体チップ１２に供
給される。又、この時、半導体チップ１２のチップ電極
１２ａ等のバンプの周辺には、巻き込み空気によるボイ
ド１４が形成され、更に、供給されたＡＣＦ１３の表面
には凹凸１３ａが形成される。
【００１０】（２） 図１（ｂ）の工程（位置合わせ工
程） ＡＣＦ１３が供給された半導体チップ１２を接続装置１
１に吸着させ、チップ電極１２ａと第２の電子部品（例
えば、回路基板）１５の表面に形成された基板電極１５
ａとを対向させる。尚、この位置合わせ工程では、接続
装置１１が位置合わせ手段として作用している。即ち、
半導体チップ１２上の画像認識用パターン及び回路基板
１５上の画像認識用パターンをＣＣＤカメラ等で認識
し、それらの平行度を求めて、チップ電極１２ａと基板
電極１５ａとが対向するように接続装置１１の位置を調
整する。
程） ＡＣＦ１３が供給された半導体チップ１２を接続装置１
１に吸着させ、チップ電極１２ａと第２の電子部品（例
えば、回路基板）１５の表面に形成された基板電極１５
ａとを対向させる。尚、この位置合わせ工程では、接続
装置１１が位置合わせ手段として作用している。即ち、
半導体チップ１２上の画像認識用パターン及び回路基板
１５上の画像認識用パターンをＣＣＤカメラ等で認識
し、それらの平行度を求めて、チップ電極１２ａと基板
電極１５ａとが対向するように接続装置１１の位置を調
整する。
【００１１】（３） 図１（ｃ）の工程（第１の加熱工
程） 位置合わせが行われた半導体チップ１２を吸着した加熱
手段である接続装置１１を用いて半導体チップ１２を回
路基板１５に圧接した状態で加熱する。この加熱は、第
１段階として、巻き込んだ空気によるボイド１４が熱膨
張して流動しやすくするため、ＡＣＦ１３の軟化開始温
度（50〜60℃）から硬化開始温度（約200 ℃）の間の温
度（例えば、硬化開始温度より２０〜３０℃程度低い温
度）で行い、約１０秒程度保持し、ボイド１４中の空気
を接続部外に排出する。 （４） 図１（ｄ）の工程（第２の加熱工程） 第２段階の加熱として、接続装置１１の温度をＡＣＦ１
３の樹脂が硬化する温度（例えば、200 ℃）に設定し、
約３０秒程度保持して該ＡＣＦ１３の樹脂を硬化させ、
接続部にボイドが残留しない状態で固定する。その後、
吸着を解除して接続が終了する。
程） 位置合わせが行われた半導体チップ１２を吸着した加熱
手段である接続装置１１を用いて半導体チップ１２を回
路基板１５に圧接した状態で加熱する。この加熱は、第
１段階として、巻き込んだ空気によるボイド１４が熱膨
張して流動しやすくするため、ＡＣＦ１３の軟化開始温
度（50〜60℃）から硬化開始温度（約200 ℃）の間の温
度（例えば、硬化開始温度より２０〜３０℃程度低い温
度）で行い、約１０秒程度保持し、ボイド１４中の空気
を接続部外に排出する。 （４） 図１（ｄ）の工程（第２の加熱工程） 第２段階の加熱として、接続装置１１の温度をＡＣＦ１
３の樹脂が硬化する温度（例えば、200 ℃）に設定し、
約３０秒程度保持して該ＡＣＦ１３の樹脂を硬化させ、
接続部にボイドが残留しない状態で固定する。その後、
吸着を解除して接続が終了する。
【００１２】以上の工程（１）〜（４）を順に行うこと
により、接続部のバンプ等の段差周辺に残留するボイド
が低減する。このボイドが低減することにより、ＡＣＦ
１３の樹脂が接続部外に押し出された状態で硬化するこ
とがなくなるため、ＡＣＦ１３のはみ出し量が低減す
る。以上のように、本実施形態では、先ず第１の加熱工
程において、ＡＣＦ１３の樹脂の硬化開始温度より低い
温度で適切な時間保持することによって該ＡＣＦ１３の
樹脂を軟化させ、ボイド１４内の空気を膨張させること
により、接続部外に空気を排出する。次に、第２の加熱
工程において、ＡＣＦ１３の樹脂が硬化する温度で加熱
して樹脂を完全に硬化させてチップ電極１２ａと基板電
極１５ａとの接続部を固定する。これらの２段階の加熱
により、チップ電極１２ａや基板電極１５ａ等の段差周
辺に残留するボイドが低減するので、樹脂が該チップ電
極１２ａと該基板電極１５ａとの接続部外に押し出され
た状態で硬化してしまうことがなく、ＡＣＦ１３のはみ
出し量を低減することができる。そのため、ＡＣＦ１３
を介した半導体チップ１２と回路基板１５との接続状態
の信頼性が向上する。
により、接続部のバンプ等の段差周辺に残留するボイド
が低減する。このボイドが低減することにより、ＡＣＦ
１３の樹脂が接続部外に押し出された状態で硬化するこ
とがなくなるため、ＡＣＦ１３のはみ出し量が低減す
る。以上のように、本実施形態では、先ず第１の加熱工
程において、ＡＣＦ１３の樹脂の硬化開始温度より低い
温度で適切な時間保持することによって該ＡＣＦ１３の
樹脂を軟化させ、ボイド１４内の空気を膨張させること
により、接続部外に空気を排出する。次に、第２の加熱
工程において、ＡＣＦ１３の樹脂が硬化する温度で加熱
して樹脂を完全に硬化させてチップ電極１２ａと基板電
極１５ａとの接続部を固定する。これらの２段階の加熱
により、チップ電極１２ａや基板電極１５ａ等の段差周
辺に残留するボイドが低減するので、樹脂が該チップ電
極１２ａと該基板電極１５ａとの接続部外に押し出され
た状態で硬化してしまうことがなく、ＡＣＦ１３のはみ
出し量を低減することができる。そのため、ＡＣＦ１３
を介した半導体チップ１２と回路基板１５との接続状態
の信頼性が向上する。
【００１３】尚、本発明は上記実施形態に限定されず、
種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば
次のようなものがある。 （ａ） 図１（ａ）の工程において、半導体チップ１２
にＡＣＦ１３を被着する場合、該半導体チップ１２を上
向きにし、該ＡＣＦ１３を下向きにして該ＡＣＦ１３を
降下させて被着してもよい。 （ｂ） 図１（ｂ）の工程において、チップ電極１２ａ
の位置が調整されるようにしているが、基板電極１５ａ
の位置が調整されるようにしてもよい。 （ｃ） 上記実施形態では、半導体チップ１２と回路基
板１５とを接続する場合について説明したが、半導体チ
ップと半導体チップとの接続や、回路基板と回路基板と
の接続等にも適用できる。
種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば
次のようなものがある。 （ａ） 図１（ａ）の工程において、半導体チップ１２
にＡＣＦ１３を被着する場合、該半導体チップ１２を上
向きにし、該ＡＣＦ１３を下向きにして該ＡＣＦ１３を
降下させて被着してもよい。 （ｂ） 図１（ｂ）の工程において、チップ電極１２ａ
の位置が調整されるようにしているが、基板電極１５ａ
の位置が調整されるようにしてもよい。 （ｃ） 上記実施形態では、半導体チップ１２と回路基
板１５とを接続する場合について説明したが、半導体チ
ップと半導体チップとの接続や、回路基板と回路基板と
の接続等にも適用できる。
【００１４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１の発明
によれば、先ず第１の加熱工程において、異方導電性接
着剤が被着された第１の電子部品を第２の電子部品に圧
接した状態で該異方導電性接着剤の軟化開始温度から硬
化開始温度の間の温度で適切な時間保持することによっ
て該異方導電性接着剤を軟化させ、該第１の電子部品の
表面のバンプ等の段差周辺に形成されているボイド内の
空気を膨張させることにより、この空気を前記第１の電
子部品の電極と前記第２の電子部品の電極との接続部の
外に排出する。次に、第２の加熱工程において、異方導
電性接着剤が硬化する温度で加熱して該異方導電性接着
剤を完全に硬化させて接続部を固定する。これらの２段
階の加熱により、前記バンプ等の段差周辺に残留するボ
イドが低減するので、異方導電性接着剤が前記第１の電
子部品の電極と前記第２の電子部品の電極との接続部の
外に押し出された状態で硬化してしまうことがなく、該
異方導電性接着剤のはみ出し量を低減できる。そのた
め、異方導電性接着剤を介した第１の電子部品と第２の
電子部品との接続状態の信頼性を向上できる。
によれば、先ず第１の加熱工程において、異方導電性接
着剤が被着された第１の電子部品を第２の電子部品に圧
接した状態で該異方導電性接着剤の軟化開始温度から硬
化開始温度の間の温度で適切な時間保持することによっ
て該異方導電性接着剤を軟化させ、該第１の電子部品の
表面のバンプ等の段差周辺に形成されているボイド内の
空気を膨張させることにより、この空気を前記第１の電
子部品の電極と前記第２の電子部品の電極との接続部の
外に排出する。次に、第２の加熱工程において、異方導
電性接着剤が硬化する温度で加熱して該異方導電性接着
剤を完全に硬化させて接続部を固定する。これらの２段
階の加熱により、前記バンプ等の段差周辺に残留するボ
イドが低減するので、異方導電性接着剤が前記第１の電
子部品の電極と前記第２の電子部品の電極との接続部の
外に押し出された状態で硬化してしまうことがなく、該
異方導電性接着剤のはみ出し量を低減できる。そのた
め、異方導電性接着剤を介した第１の電子部品と第２の
電子部品との接続状態の信頼性を向上できる。
【００１５】第２の発明によれば、電子部品の接続装置
において、第１の電子部品の電極と第２の電子部品の電
極とを対向させる位置合わせ手段と、異方導電性接着剤
が被着された前記第１の電子部品を前記第２の電子部品
に圧接した状態で該異方導電性接着剤を該異方導電性接
着剤の軟化開始温度から硬化開始温度の間の温度で所定
の時間加熱した後、該異方導電性接着剤を該異方導電性
接着剤が硬化する温度で所定の時間加熱する加熱手段と
を備えたので、前記第１の電子部品の電極と前記第２の
電子部品の電極とがそれらの接続部にボイドが残留しな
い状態で接続される。そのため、異方導電性接着剤が前
記第１の電子部品の電極と前記第２の電子部品の電極と
の接続部外に押し出された状態で硬化してしまうことが
なく、異方導電性接着剤のはみ出し量を低減することが
でき、該異方導電性接着剤を介した前記第１の電子部品
の電極と前記第２の電子部品の電極との接続状態の信頼
性を向上できる。
において、第１の電子部品の電極と第２の電子部品の電
極とを対向させる位置合わせ手段と、異方導電性接着剤
が被着された前記第１の電子部品を前記第２の電子部品
に圧接した状態で該異方導電性接着剤を該異方導電性接
着剤の軟化開始温度から硬化開始温度の間の温度で所定
の時間加熱した後、該異方導電性接着剤を該異方導電性
接着剤が硬化する温度で所定の時間加熱する加熱手段と
を備えたので、前記第１の電子部品の電極と前記第２の
電子部品の電極とがそれらの接続部にボイドが残留しな
い状態で接続される。そのため、異方導電性接着剤が前
記第１の電子部品の電極と前記第２の電子部品の電極と
の接続部外に押し出された状態で硬化してしまうことが
なく、異方導電性接着剤のはみ出し量を低減することが
でき、該異方導電性接着剤を介した前記第１の電子部品
の電極と前記第２の電子部品の電極との接続状態の信頼
性を向上できる。
【図１】本発明の実施形態の電子部品の接続方法の工程
図である。
図である。
【図２】従来の電子部品の接続方法の工程図である。
１，１５ 回路基板（電子部
品） １ａ，２ａ，１２ａ，１５ａ 電極 ２，１２ 半導体チップ（電子
部品） ３，１３ 異方導電性フィルム
（異方導電性接着剤） １１ ツール（加熱手段）
品） １ａ，２ａ，１２ａ，１５ａ 電極 ２，１２ 半導体チップ（電子
部品） ３，１３ 異方導電性フィルム
（異方導電性接着剤） １１ ツール（加熱手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北山 憂子 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 第１の電子部品の電極を熱硬化性の異方
導電性接着剤を用いて第２の電子部品の電極に接続する
電子部品の接続方法において、 前記第１の電子部品の電極と前記第２の電子部品の電極
とを対向させる位置合わせ工程と、 前記異方導電性接着剤が被着された前記第１の電子部品
を前記第２の電子部品に圧接した状態で該異方導電性接
着剤を該異方導電性接着剤の軟化開始温度から硬化開始
温度の間の温度で所定の時間加熱する第１の加熱工程
と、 前記異方導電性接着剤を該異方導電性接着剤が硬化する
温度で所定の時間加熱する第２の加熱工程とを、 順に行うことを特徴とする電子部品の接続方法。 - 【請求項２】 第１の電子部品の電極を熱硬化性の異方
導電性接着剤を介して第２の電子部品の電極に接続する
電子部品の接続装置において、 前記第１の電子部品の電極と前記第２の電子部品の電極
とを対向させる位置合わせ手段と、 前記異方導電性接着剤が被着された前記第１の電子部品
を前記第２の電子部品に圧接した状態で該異方導電性接
着剤を該異方導電性接着剤の軟化開始温度から硬化開始
温度の間の温度で所定の時間加熱した後、該異方導電性
接着剤を該異方導電性接着剤が硬化する温度で所定の時
間加熱する加熱手段とを、 備えたことを特徴とする電子部品の接続装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2555796A JPH09219579A (ja) | 1996-02-13 | 1996-02-13 | 電子部品の接続方法及び接続装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2555796A JPH09219579A (ja) | 1996-02-13 | 1996-02-13 | 電子部品の接続方法及び接続装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09219579A true JPH09219579A (ja) | 1997-08-19 |
Family
ID=12169252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2555796A Withdrawn JPH09219579A (ja) | 1996-02-13 | 1996-02-13 | 電子部品の接続方法及び接続装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09219579A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0966031A3 (en) * | 1998-06-16 | 2000-05-10 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Substrate for mounting a semiconductor chip |
| WO2000045431A1 (en) * | 1999-01-27 | 2000-08-03 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method of packaging semiconductor device using anisotropic conductive adhesive |
| JP2001168505A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンプ付きワークの実装方法 |
| WO2009041235A1 (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Sony Chemical & Information Device Corporation | 電子部品の実装方法及び実装装置 |
| US7560819B2 (en) | 1998-07-01 | 2009-07-14 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacture thereof, circuit board and electronic instrument |
| WO2023048148A1 (ja) * | 2021-09-22 | 2023-03-30 | デクセリアルズ株式会社 | 接続構造体の製造方法 |
-
1996
- 1996-02-13 JP JP2555796A patent/JPH09219579A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0966031A3 (en) * | 1998-06-16 | 2000-05-10 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Substrate for mounting a semiconductor chip |
| US6281567B1 (en) | 1998-06-16 | 2001-08-28 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Substrate for mounting semiconductor chip with parallel conductive lines |
| US7560819B2 (en) | 1998-07-01 | 2009-07-14 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacture thereof, circuit board and electronic instrument |
| US7868466B2 (en) | 1998-07-01 | 2011-01-11 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacture thereof, circuit board and electronic instrument |
| WO2000045431A1 (en) * | 1999-01-27 | 2000-08-03 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method of packaging semiconductor device using anisotropic conductive adhesive |
| EP1067598A4 (en) * | 1999-01-27 | 2001-10-24 | Citizen Watch Co Ltd | ENCLOSURE METHOD OF A SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT WITH AN ANISOTROPICALLY CONDUCTIVE ADHESIVE |
| US6498051B1 (en) | 1999-01-27 | 2002-12-24 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method of packaging semiconductor device using anisotropic conductive adhesive |
| KR100382759B1 (ko) * | 1999-01-27 | 2003-05-09 | 시티즌 도케이 가부시키가이샤 | 이방성 도전 접착제를 이용한 반도체 장치의 실장 방법 |
| JP2001168505A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バンプ付きワークの実装方法 |
| WO2009041235A1 (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-02 | Sony Chemical & Information Device Corporation | 電子部品の実装方法及び実装装置 |
| JP2009081337A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Sony Chemical & Information Device Corp | 電子部品の実装方法及び実装装置 |
| WO2023048148A1 (ja) * | 2021-09-22 | 2023-03-30 | デクセリアルズ株式会社 | 接続構造体の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030506 |