JPH09189519A - パターン検出方法およびマスクとワークの位置合わせ装置 - Google Patents
パターン検出方法およびマスクとワークの位置合わせ装置Info
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- JPH09189519A JPH09189519A JP8002953A JP295396A JPH09189519A JP H09189519 A JPH09189519 A JP H09189519A JP 8002953 A JP8002953 A JP 8002953A JP 295396 A JP295396 A JP 295396A JP H09189519 A JPH09189519 A JP H09189519A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- G—PHYSICS
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Image Analysis (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Image Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面が荒れたワーク上のパターンの位置座標
を自動的に精度良く検出することができるパターン検出
方法および装置を提供すること。 【解決手段】 表面が荒れたワーク上に設けられた互い
に交差する直線のみで形成されたパターンをＣＣＤカメ
ラ等で受像して明暗信号を記憶手段に記憶する。そし
て、上記パターンの各直線に平行な方向で画像信号を積
算して、積算信号ΣＸｎ，ΣＹｎを求める。画像信号を
積算することにより、表面の荒れにより生ずる像は平均
化され、積算信号は（ａ）（ｄ）に示すようにパターン
の境界位置を明確に表す信号となる。この積算信号ΣＸ
ｎ，ΣＹｎを微分して（ｂ）（ｅ）に示す信号を得て、
そのピーク位置からパターンの位置を求める。
を自動的に精度良く検出することができるパターン検出
方法および装置を提供すること。 【解決手段】 表面が荒れたワーク上に設けられた互い
に交差する直線のみで形成されたパターンをＣＣＤカメ
ラ等で受像して明暗信号を記憶手段に記憶する。そし
て、上記パターンの各直線に平行な方向で画像信号を積
算して、積算信号ΣＸｎ，ΣＹｎを求める。画像信号を
積算することにより、表面の荒れにより生ずる像は平均
化され、積算信号は（ａ）（ｄ）に示すようにパターン
の境界位置を明確に表す信号となる。この積算信号ΣＸ
ｎ，ΣＹｎを微分して（ｂ）（ｅ）に示す信号を得て、
そのピーク位置からパターンの位置を求める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】半導体素子やプリント基板、
液晶画面、インクジェット方式のプリンタヘッド、マル
チチップモジュール等の生産に使用される露光工程にお
いて、ワークにマスクのパターンを転写する際、前に形
成したパターンに対して、次の転写するパターンを正確
に位置合わせすることが重要である。上記位置合わせ
は、通常、マスクおよびワークに記されたアライメント
・マークを重ね合わせるように行っている。本発明は上
記した位置合わせ等の外、例えば、チップマウンタ、ボ
ンダ、プロービング・テスタ等におけるマークの検出等
に使用することができるパターン検出方法およびマスク
とワークの位置合わせ装置に関し、特に本発明は、表面
が荒れたワーク上のマークを検出するに好適なパターン
検出方法およびマスクとワークの位置合わせ装置に関す
るものである。なお、本発明は、半導体基板の外、セラ
ミック基板、金属及び金属薄板、プリント基板、鏡面研
磨されていないガラス基板等上のパターン検出に適用す
ることができる。
液晶画面、インクジェット方式のプリンタヘッド、マル
チチップモジュール等の生産に使用される露光工程にお
いて、ワークにマスクのパターンを転写する際、前に形
成したパターンに対して、次の転写するパターンを正確
に位置合わせすることが重要である。上記位置合わせ
は、通常、マスクおよびワークに記されたアライメント
・マークを重ね合わせるように行っている。本発明は上
記した位置合わせ等の外、例えば、チップマウンタ、ボ
ンダ、プロービング・テスタ等におけるマークの検出等
に使用することができるパターン検出方法およびマスク
とワークの位置合わせ装置に関し、特に本発明は、表面
が荒れたワーク上のマークを検出するに好適なパターン
検出方法およびマスクとワークの位置合わせ装置に関す
るものである。なお、本発明は、半導体基板の外、セラ
ミック基板、金属及び金属薄板、プリント基板、鏡面研
磨されていないガラス基板等上のパターン検出に適用す
ることができる。
【０００２】
【従来の技術】図７はワーク上のアライメント・マーク
を検出する装置の概略構成を示す図である。同図におい
て、ＡＵはアライメントユニットであり、アライメント
ユニットＡＵはハーフミラーＭ、レンズＬ１，Ｌ２とＣ
ＣＤカメラ１１から構成されている。１２はモニタ、１
３は演算装置、Ｗはアライメント・マークＡＭが投影も
しくは記されたワークである。
を検出する装置の概略構成を示す図である。同図におい
て、ＡＵはアライメントユニットであり、アライメント
ユニットＡＵはハーフミラーＭ、レンズＬ１，Ｌ２とＣ
ＣＤカメラ１１から構成されている。１２はモニタ、１
３は演算装置、Ｗはアライメント・マークＡＭが投影も
しくは記されたワークである。
【０００３】図７において、ワークＷ上のアライメント
・マークＡＭの検出（パターンサーチ）は次のように行
われる。まず、演算装置１３にアライメント・マークＡ
Ｍを登録する。アライメント・マークＡＭとしては、例
えば、図８（ａ）に示す十字形のマークが使用され、演
算装置１３には、図８（ｂ）に示すように、モニタの画
素を単位としたアライメント・マークＡＭのパターンが
登録される。なお、同図では説明を容易にするため画素
数を５×５としている。
・マークＡＭの検出（パターンサーチ）は次のように行
われる。まず、演算装置１３にアライメント・マークＡ
Ｍを登録する。アライメント・マークＡＭとしては、例
えば、図８（ａ）に示す十字形のマークが使用され、演
算装置１３には、図８（ｂ）に示すように、モニタの画
素を単位としたアライメント・マークＡＭのパターンが
登録される。なお、同図では説明を容易にするため画素
数を５×５としている。
【０００４】次に、図７に示すようにアライメントユニ
ットＡＵのハーフミラーＭを介して照明光をワークＷ上
のアライメント・マークＡＭに照射し、ＣＣＤカメラ１
１によりアライメント・マークＡＭを受像する。そし
て、モニタ１２に映し出されたアライメント・マークＡ
Ｍの像を演算装置１３に入力し、モニタの画素を単位と
して座標データに変換する。演算装置１３においては、
前記した登録パターンと、受像したアライメント・マー
クの像を比較する。
ットＡＵのハーフミラーＭを介して照明光をワークＷ上
のアライメント・マークＡＭに照射し、ＣＣＤカメラ１
１によりアライメント・マークＡＭを受像する。そし
て、モニタ１２に映し出されたアライメント・マークＡ
Ｍの像を演算装置１３に入力し、モニタの画素を単位と
して座標データに変換する。演算装置１３においては、
前記した登録パターンと、受像したアライメント・マー
クの像を比較する。
【０００５】そして、受像したアライメント・マークの
像（検出パターン）が図８（ｃ）に示す検出パターンＡ
の場合には、登録パターンと６０％一致しているので、
スコア６０として認識する。また、受像したアライメン
ト・マークの像（検出パターン）が図８（ｄ）に示す検
出パターンＢの場合には、登録パターンと８０％一致し
ているので、スコア８０として認識する。さらに、受像
したアライメント・マークの像（検出パターン）が図８
（ｅ）に示す検出パターンＣの場合には、登録パターン
と１００％一致しているので、スコア１００として認識
する。上記のようにスコアが１００に近いパターンを認
識したときには、そのパターンがサーチしたパターンと
して認識する。
像（検出パターン）が図８（ｃ）に示す検出パターンＡ
の場合には、登録パターンと６０％一致しているので、
スコア６０として認識する。また、受像したアライメン
ト・マークの像（検出パターン）が図８（ｄ）に示す検
出パターンＢの場合には、登録パターンと８０％一致し
ているので、スコア８０として認識する。さらに、受像
したアライメント・マークの像（検出パターン）が図８
（ｅ）に示す検出パターンＣの場合には、登録パターン
と１００％一致しているので、スコア１００として認識
する。上記のようにスコアが１００に近いパターンを認
識したときには、そのパターンがサーチしたパターンと
して認識する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体素子
等の製造において、ウエハ上に線幅があまり微細でない
パターンを形成するとき、コストダウン等のため、鏡面
加工されていないウエハ（エッチドウエハ）を用いるこ
とがある（表面粗さはユーザにより異なる）。図９は上
記した鏡面加工されていないウエハの画像の一例を示す
図であり、同図に示すように、鏡面加工されていないウ
エハの場合には、アライメント・マーク像に重なってあ
るいはその周辺に表面粗さによるコントラストの強い像
が現れる。
等の製造において、ウエハ上に線幅があまり微細でない
パターンを形成するとき、コストダウン等のため、鏡面
加工されていないウエハ（エッチドウエハ）を用いるこ
とがある（表面粗さはユーザにより異なる）。図９は上
記した鏡面加工されていないウエハの画像の一例を示す
図であり、同図に示すように、鏡面加工されていないウ
エハの場合には、アライメント・マーク像に重なってあ
るいはその周辺に表面粗さによるコントラストの強い像
が現れる。
【０００７】このため、このようなウエハに設けられた
アライメント・マークを認識するとき、上記したパター
ンサーチ法を採用すると、上記表面粗さによる像がコン
トラストの強い信号としてＣＣＤカメラから送出され、
検出パターンの座標データに、表面粗さによる像の検出
パターンの画像信号が加わる。その結果、スコアが低下
して、パターンサーチができなくなってしまう。これ
は、上記した鏡面加工されていないウエハ以外のワーク
についても同様であり、前記したセラミックス基板、金
属及び金属薄板等においても、上記したパターンサーチ
法によるアライメント・マークの検出を行うことが困難
である場合が多い。
アライメント・マークを認識するとき、上記したパター
ンサーチ法を採用すると、上記表面粗さによる像がコン
トラストの強い信号としてＣＣＤカメラから送出され、
検出パターンの座標データに、表面粗さによる像の検出
パターンの画像信号が加わる。その結果、スコアが低下
して、パターンサーチができなくなってしまう。これ
は、上記した鏡面加工されていないウエハ以外のワーク
についても同様であり、前記したセラミックス基板、金
属及び金属薄板等においても、上記したパターンサーチ
法によるアライメント・マークの検出を行うことが困難
である場合が多い。
【０００８】本発明は上記した従来技術の問題点を解決
するためになされたものであって、本発明の目的は、表
面が荒れたワーク上のパターンを自動的に精度よく検出
することができるパターン検出方法および装置を提供す
ることである。
するためになされたものであって、本発明の目的は、表
面が荒れたワーク上のパターンを自動的に精度よく検出
することができるパターン検出方法および装置を提供す
ることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を本発明におい
ては、次のように解決する。 （１）表面が荒れたワーク上のパターンの位置座標を検
出するため、交差する直線部分のみで形成されたパター
ンの画像を明暗信号として記憶する。そして、上記パタ
ーンの各直線に平行な方向で上記明暗信号を積算して、
図１に示すように、上記各直線に対応した積算信号ΣＸ
ｎ，ΣＹｎを求める。これにより、表面の荒れにより生
ずる像は平均化され、上記積算信号は図１（ａ）（ｄ）
に示すようにパターンの境界位置を明確に表す信号とな
る。次に、上記各積算値を微分して（ｂ）（ｅ）に示す
微分信号を得て、そのピークの位置に基づきパターンの
位置を検出する。
ては、次のように解決する。 （１）表面が荒れたワーク上のパターンの位置座標を検
出するため、交差する直線部分のみで形成されたパター
ンの画像を明暗信号として記憶する。そして、上記パタ
ーンの各直線に平行な方向で上記明暗信号を積算して、
図１に示すように、上記各直線に対応した積算信号ΣＸ
ｎ，ΣＹｎを求める。これにより、表面の荒れにより生
ずる像は平均化され、上記積算信号は図１（ａ）（ｄ）
に示すようにパターンの境界位置を明確に表す信号とな
る。次に、上記各積算値を微分して（ｂ）（ｅ）に示す
微分信号を得て、そのピークの位置に基づきパターンの
位置を検出する。
【００１０】（２）上記（１）のパターン検出手法をマ
スクとワークの位置合わせ装置に適用し、表面が荒れた
ワークのアライメント・マークまたは表面が荒れたワー
ク上に結像したマスクのアライメント・マークの位置座
標を検出し、マスクとワークの位置合わせを行う。本発
明の請求項１、２の発明においては、上記（１）のよう
にしてパターンを検出しているので、表面が荒れたワー
ク上のパターンの位置を自動的に精度良く検出すること
が可能となる。
スクとワークの位置合わせ装置に適用し、表面が荒れた
ワークのアライメント・マークまたは表面が荒れたワー
ク上に結像したマスクのアライメント・マークの位置座
標を検出し、マスクとワークの位置合わせを行う。本発
明の請求項１、２の発明においては、上記（１）のよう
にしてパターンを検出しているので、表面が荒れたワー
ク上のパターンの位置を自動的に精度良く検出すること
が可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施例について説明
する。なお、以下の実施例では、本発明を投影露光装置
におけるマスクとワークの位置合わせに適用した場合に
ついて説明するが、本発明の適用対象は下記の実施例に
限定されるものではなく、コンタクト露光、プロキシミ
ティ露光、あるいは、前記したように、チップマウン
タ、ボンダ、プロービング・テスタ等におけるパターン
検出に適用することができる。
する。なお、以下の実施例では、本発明を投影露光装置
におけるマスクとワークの位置合わせに適用した場合に
ついて説明するが、本発明の適用対象は下記の実施例に
限定されるものではなく、コンタクト露光、プロキシミ
ティ露光、あるいは、前記したように、チップマウン
タ、ボンダ、プロービング・テスタ等におけるパターン
検出に適用することができる。
【００１２】図２は本発明の１実施例である投影露光装
置の構成を示す図である。同図において、ＬＨは露光光
／非露光光を照射する光照射装置、Ｆは非露光光照射用
のフィルタ、Ｍはマスクであり、マスクＭには図示しな
いマスクパターンと、位置合わせ用のマスクアライメン
ト・マークＭＡＭ（以下、マスクマークＭＡＭと略記す
る）が設けられている。ＭＳはマスクステージであり、
マスクステージＭＳは同図に示すようにＸ，Ｙ（マスク
面に対して平行な平面上の直交する２軸）、Ｚ（Ｘ，Ｙ
平面に直交する軸）、θ（Ｚ軸を中心とする回転）方向
に移動可能であり、マスクステージＭＳには上記マスク
Ｍが載置され真空チャック等により固定される。
置の構成を示す図である。同図において、ＬＨは露光光
／非露光光を照射する光照射装置、Ｆは非露光光照射用
のフィルタ、Ｍはマスクであり、マスクＭには図示しな
いマスクパターンと、位置合わせ用のマスクアライメン
ト・マークＭＡＭ（以下、マスクマークＭＡＭと略記す
る）が設けられている。ＭＳはマスクステージであり、
マスクステージＭＳは同図に示すようにＸ，Ｙ（マスク
面に対して平行な平面上の直交する２軸）、Ｚ（Ｘ，Ｙ
平面に直交する軸）、θ（Ｚ軸を中心とする回転）方向
に移動可能であり、マスクステージＭＳには上記マスク
Ｍが載置され真空チャック等により固定される。
【００１３】Ｌ３は投影レンズ、Ｗは表面が荒れたワー
クであり、ワークＷ上にはワークアライメント・マーク
ＷＡＭ（以下ワークマークＷＡＭと略記する）が記され
ている。ＷＳはワークステージであり、ワークステージ
ＷＳ上には上記ワークＷが載置され、真空チャック等に
より固定される。ＡＵはアライメントユニットであり、
アライメントユニットＡＵは前記したように、ハーフミ
ラーＭ、レンズＬ１，Ｌ２とＣＣＤカメラ１から構成さ
れている。ここで、投影露光装置の場合、ハーフミラー
Ｍにある程度の厚みがあると、該ハーフミラーＭにおい
て、マスクマークＭＡＭの投影像の光路がずれ、マスク
マークＭＡＭのワークＷ上での結像位置が変化するの
で、その分、補正が必要である。通常、ハーフミラーＭ
は例えば厚さ数μｍ程度のペリクル等の樹脂膜で構成さ
れ、上記厚みの影響を使用上問題のない程度まで軽減し
ている。なお、図示しないが、マスクＭおよびワークＷ
上には、通常アライメント・マークが少なくとも２か所
設けられており、アライメントユニットＡＵは上記アラ
イメント・マーク数に対応した数設けられている。
クであり、ワークＷ上にはワークアライメント・マーク
ＷＡＭ（以下ワークマークＷＡＭと略記する）が記され
ている。ＷＳはワークステージであり、ワークステージ
ＷＳ上には上記ワークＷが載置され、真空チャック等に
より固定される。ＡＵはアライメントユニットであり、
アライメントユニットＡＵは前記したように、ハーフミ
ラーＭ、レンズＬ１，Ｌ２とＣＣＤカメラ１から構成さ
れている。ここで、投影露光装置の場合、ハーフミラー
Ｍにある程度の厚みがあると、該ハーフミラーＭにおい
て、マスクマークＭＡＭの投影像の光路がずれ、マスク
マークＭＡＭのワークＷ上での結像位置が変化するの
で、その分、補正が必要である。通常、ハーフミラーＭ
は例えば厚さ数μｍ程度のペリクル等の樹脂膜で構成さ
れ、上記厚みの影響を使用上問題のない程度まで軽減し
ている。なお、図示しないが、マスクＭおよびワークＷ
上には、通常アライメント・マークが少なくとも２か所
設けられており、アライメントユニットＡＵは上記アラ
イメント・マーク数に対応した数設けられている。
【００１４】２は制御装置、３はモニタであり、上記ア
ライメントユニットＡＵのＣＣＤカメラ１により受像さ
れた画像信号は上記制御装置２に送出され、制御装置２
は後述する手法によりワークＷ上に結像したマスクマー
クＭＡＭ、ワークＷ上のワークマークＷＡＭを検出し、
マスクステージＭＳもしくはワークステージＷＳを移動
させてマスクＭとワークＷの自動位置合わせを行う。
ライメントユニットＡＵのＣＣＤカメラ１により受像さ
れた画像信号は上記制御装置２に送出され、制御装置２
は後述する手法によりワークＷ上に結像したマスクマー
クＭＡＭ、ワークＷ上のワークマークＷＡＭを検出し、
マスクステージＭＳもしくはワークステージＷＳを移動
させてマスクＭとワークＷの自動位置合わせを行う。
【００１５】図２において、マスクＭとワークＷの自動
位置合わせは次のように行われる。なお、上記投影露光
装置におけるマスクＭとワークＷの自動位置合わせ技術
は周知であり、従来から種々の方法が提案されている。
本実施例ではその内の代表的な例によりその概要を説明
する。
位置合わせは次のように行われる。なお、上記投影露光
装置におけるマスクＭとワークＷの自動位置合わせ技術
は周知であり、従来から種々の方法が提案されている。
本実施例ではその内の代表的な例によりその概要を説明
する。
【００１６】（１）光照射装置ＬＨよりフィルタＦを介
して非露光光をマスクＭ上に照射し、マスクマークＭＡ
Ｍを投影レンズＬ３を介してワークＷ上に投影する。 （２）アライメントユニットＡＵのＣＣＤカメラ１によ
りワークＷ上に結像したマスクマークＭＡＭ像を受像
し、その画像信号（明暗信号）を制御装置２に送出す
る。制御装置２は、後述する手法によりマスクマークＭ
ＡＭの位置座標を検出し、その値を記憶する。なお、上
記（１）（２）において、ワークを載置せずにマスクマ
ークＭＡＭを投影面上に結像させ、該投影面上に結像し
たマスクマークＭＡＭ像を受像してもよい。この場合に
は、光照射装置ＬＨから露光光を照射することができ、
これにより、非露光光と露光光により生ずる投影レンズ
の収差を考慮する必要がなくなる。
して非露光光をマスクＭ上に照射し、マスクマークＭＡ
Ｍを投影レンズＬ３を介してワークＷ上に投影する。 （２）アライメントユニットＡＵのＣＣＤカメラ１によ
りワークＷ上に結像したマスクマークＭＡＭ像を受像
し、その画像信号（明暗信号）を制御装置２に送出す
る。制御装置２は、後述する手法によりマスクマークＭ
ＡＭの位置座標を検出し、その値を記憶する。なお、上
記（１）（２）において、ワークを載置せずにマスクマ
ークＭＡＭを投影面上に結像させ、該投影面上に結像し
たマスクマークＭＡＭ像を受像してもよい。この場合に
は、光照射装置ＬＨから露光光を照射することができ、
これにより、非露光光と露光光により生ずる投影レンズ
の収差を考慮する必要がなくなる。
【００１７】（３）次に、非露光光の照射を停止して図
示しない照明光照射装置等から照明光をワークＷ上のワ
ークマークＷＡＭに照射し（光照射装置から放射される
非露光光を使用してもよい）、アライメントユニットＡ
ＵのＣＣＤカメラ１により、ワークＷ上のワークマーク
ＷＡＭ像を受像して、その画像信号（明暗信号）を制御
装置２に送出する。制御装置２は、後述する手法により
ワークマークＭＡＭの位置座標を検出し、その値を記憶
する。 （４）マスクマークＭＡＭとワークマークＷＡＭの位置
座標が検出されると、制御装置２は、マスクマークＭＡ
Ｍの位置座標と、ワークマークＷＡＭの位置座標が重な
るように、マスクステージＭＳもくしはワークステージ
ＷＳを移動させてマスクＭとワークＷの自動位置合わせ
を行う。
示しない照明光照射装置等から照明光をワークＷ上のワ
ークマークＷＡＭに照射し（光照射装置から放射される
非露光光を使用してもよい）、アライメントユニットＡ
ＵのＣＣＤカメラ１により、ワークＷ上のワークマーク
ＷＡＭ像を受像して、その画像信号（明暗信号）を制御
装置２に送出する。制御装置２は、後述する手法により
ワークマークＭＡＭの位置座標を検出し、その値を記憶
する。 （４）マスクマークＭＡＭとワークマークＷＡＭの位置
座標が検出されると、制御装置２は、マスクマークＭＡ
Ｍの位置座標と、ワークマークＷＡＭの位置座標が重な
るように、マスクステージＭＳもくしはワークステージ
ＷＳを移動させてマスクＭとワークＷの自動位置合わせ
を行う。
【００１８】上記のようにしてマスクＭとワークＷの位
置合わせが終了すると、必要に応じてアライメントユニ
ットＡＵを退避させたのち、光照射装置ＬＨから露光光
を照射して、マスクＭ上のマスクパターンをワークＷ上
に投影し、ワークを露光する。ここで、上記（２）
（３）におけるマスクマークＭＡＭ、ワークマークＷＡ
Ｍの位置座標の検出時、ワークＷの表面が荒れている
と、前記したように表面粗さによるコントラストの強い
像が現れ、従来の手法ではワークＷ上に結像したマスク
・マークＭＡＭ、あるいはワークＷ上に記されたアライ
メント・マークＷＡＭの位置座標を検出することができ
ない。
置合わせが終了すると、必要に応じてアライメントユニ
ットＡＵを退避させたのち、光照射装置ＬＨから露光光
を照射して、マスクＭ上のマスクパターンをワークＷ上
に投影し、ワークを露光する。ここで、上記（２）
（３）におけるマスクマークＭＡＭ、ワークマークＷＡ
Ｍの位置座標の検出時、ワークＷの表面が荒れている
と、前記したように表面粗さによるコントラストの強い
像が現れ、従来の手法ではワークＷ上に結像したマスク
・マークＭＡＭ、あるいはワークＷ上に記されたアライ
メント・マークＷＡＭの位置座標を検出することができ
ない。
【００１９】なお、前記したようにマスクマークＭＡＭ
をワークＷ上に投影せずに、その位置座標を検出する場
合には、ワークの表面荒れの影響を受けることがないの
で、マスクマークＭＡＭを前記した従来方法で検出する
ことが可能であるが、ワークマークＷＡＭはワークＷ上
に記されているため、その表面荒れにより位置座標を検
出することが困難となる。また、マスクマークＭＡＭを
ワークＷ上に投影した場合でも、マスクマークＭＡＭの
像は比較的コントラストが強く検出し易いが、ワークマ
ークＷＡＭはコントラストが低いので特に検出が困難で
ある。
をワークＷ上に投影せずに、その位置座標を検出する場
合には、ワークの表面荒れの影響を受けることがないの
で、マスクマークＭＡＭを前記した従来方法で検出する
ことが可能であるが、ワークマークＷＡＭはワークＷ上
に記されているため、その表面荒れにより位置座標を検
出することが困難となる。また、マスクマークＭＡＭを
ワークＷ上に投影した場合でも、マスクマークＭＡＭの
像は比較的コントラストが強く検出し易いが、ワークマ
ークＷＡＭはコントラストが低いので特に検出が困難で
ある。
【００２０】そこで、本実施例においては、図３に示
す、十字形、矩形等の直線で形成されてアライメント・
マークを使用し、次のようにしてワークマークＷＡＭ
（必要に応じてマスクマークＭＡＭ）を検出する。な
お、以下、上記ワークマークＷＡＭ、マスクマークＭＡ
Ｍをパターンという。
す、十字形、矩形等の直線で形成されてアライメント・
マークを使用し、次のようにしてワークマークＷＡＭ
（必要に応じてマスクマークＭＡＭ）を検出する。な
お、以下、上記ワークマークＷＡＭ、マスクマークＭＡ
Ｍをパターンという。
【００２１】図１は、前記制御装置２によるパターンの
検出方法を説明する図である。同図は図２に示すＣＣＤ
カメラ１により受像され、モニタ３上に表示された十字
形のパターン像を示しており、モニタ３上には、同図に
示すようにパターン像に重なってあるいはその周囲にワ
ークの表面の荒れによる像（同図中の黒濁、白濁像）が
現れる。なお、同図は説明を容易にするため、モニタ３
上の画像を概念的に示したものであり、実際には、前記
したようにモニタ３上にはもっと多くの黒濁、白濁像が
現れる。また、本実施例ではパターン像の方が周囲の画
像より明るいとしている。
検出方法を説明する図である。同図は図２に示すＣＣＤ
カメラ１により受像され、モニタ３上に表示された十字
形のパターン像を示しており、モニタ３上には、同図に
示すようにパターン像に重なってあるいはその周囲にワ
ークの表面の荒れによる像（同図中の黒濁、白濁像）が
現れる。なお、同図は説明を容易にするため、モニタ３
上の画像を概念的に示したものであり、実際には、前記
したようにモニタ３上にはもっと多くの黒濁、白濁像が
現れる。また、本実施例ではパターン像の方が周囲の画
像より明るいとしている。
【００２２】図１に示す画像が受像されると前記した制
御装置２は、上記パターンを形成する直線に平行な直線
に沿って各画素のデータを積算する。例えば、同図に示
すようにパターンが直交する直線で形成されている場合
には、該直線に平行なＸ軸の各点ｘ１，ｘ２，ｘ３，
…，ｘｎにおいて、Ｙ軸方向に各画素データを積算し、
（ｘ１，Σｙｍ），（ｘ２，Σｙｍ），…，（ｘｎ，Σ
ｙｍ）〔ｍ＝１〜ｎ〕を求める。また、上記直線に平行
なＹ軸の各点ｙ１，ｙ２，ｙ３，…，ｙｎにおいて、Ｘ
軸方向に各画素データを積算し、（ｙ１，Σｘｍ），
（ｙ２，Σｘｍ），…，（ｙｎ，Σｘｍ）〔ｍ＝１〜
ｎ〕を求める。
御装置２は、上記パターンを形成する直線に平行な直線
に沿って各画素のデータを積算する。例えば、同図に示
すようにパターンが直交する直線で形成されている場合
には、該直線に平行なＸ軸の各点ｘ１，ｘ２，ｘ３，
…，ｘｎにおいて、Ｙ軸方向に各画素データを積算し、
（ｘ１，Σｙｍ），（ｘ２，Σｙｍ），…，（ｘｎ，Σ
ｙｍ）〔ｍ＝１〜ｎ〕を求める。また、上記直線に平行
なＹ軸の各点ｙ１，ｙ２，ｙ３，…，ｙｎにおいて、Ｘ
軸方向に各画素データを積算し、（ｙ１，Σｘｍ），
（ｙ２，Σｘｍ），…，（ｙｎ，Σｘｍ）〔ｍ＝１〜
ｎ〕を求める。
【００２３】図１（ａ），（ｄ）のΣＸｎ信号、ΣＹｎ
信号は上記積算値を示したものであり、ワーク上の黒
濁、白濁像は積算することにより平均化される。例え
ば、同図（ｃ）に示すように、ラインＡに沿った画像信
号には、白濁Ａ、黒濁Ｂ，Ｃ、パターンの像が現れる
が、これを積算することにより、白濁Ａ、黒濁Ｂ，Ｃは
平均化され積算値に与える影響は小さくなる。また、同
図に示すように黒濁Ａがパターン像と重なっていても、
ｘａ点におけるＹ軸方向の積算値にはその影響が殆ど現
れず、パターン像の位置を確実に検出することができ
る。したがって、上記（ａ），（ｄ）のΣＸｎ信号、Σ
Ｙｎ信号を微分することにより、同図（ｂ）（ｅ）に示
すようにパターンの境界で急峻なピークを有する信号を
得ることができ、パターンのエッジ位置を精度良く検出
することが可能となる。
信号は上記積算値を示したものであり、ワーク上の黒
濁、白濁像は積算することにより平均化される。例え
ば、同図（ｃ）に示すように、ラインＡに沿った画像信
号には、白濁Ａ、黒濁Ｂ，Ｃ、パターンの像が現れる
が、これを積算することにより、白濁Ａ、黒濁Ｂ，Ｃは
平均化され積算値に与える影響は小さくなる。また、同
図に示すように黒濁Ａがパターン像と重なっていても、
ｘａ点におけるＹ軸方向の積算値にはその影響が殆ど現
れず、パターン像の位置を確実に検出することができ
る。したがって、上記（ａ），（ｄ）のΣＸｎ信号、Σ
Ｙｎ信号を微分することにより、同図（ｂ）（ｅ）に示
すようにパターンの境界で急峻なピークを有する信号を
得ることができ、パターンのエッジ位置を精度良く検出
することが可能となる。
【００２４】前記した制御装置２は上記のように、ま
ず、積算信号ΣＸｎ信号を得て、この信号を微分し、微
分信号のピークの位置（ｘａ，ｘｂ）を求めて記憶す
る。ついで、積算信号ΣＹｎを得て、この信号を微分
し、微分信号のピークの位置（ｙａ，ｙｂ）を求めて記
憶する。次に、図４に示すように、Ｘｃ＝（ｘａ＋ｘ
ｂ）／２，Ｙｃ＝（ｙａ＋ｙｂ）／２により中心位置
（Ｘｃ，Ｙｃ）を求め、該中心位置（Ｘｃ，Ｙｃ）をも
ってパターンの位置とする。
ず、積算信号ΣＸｎ信号を得て、この信号を微分し、微
分信号のピークの位置（ｘａ，ｘｂ）を求めて記憶す
る。ついで、積算信号ΣＹｎを得て、この信号を微分
し、微分信号のピークの位置（ｙａ，ｙｂ）を求めて記
憶する。次に、図４に示すように、Ｘｃ＝（ｘａ＋ｘ
ｂ）／２，Ｙｃ＝（ｙａ＋ｙｂ）／２により中心位置
（Ｘｃ，Ｙｃ）を求め、該中心位置（Ｘｃ，Ｙｃ）をも
ってパターンの位置とする。
【００２５】ここで、上記積算する線分の長さｘ１−ｘ
ｎ，ｙ１−ｙｎ（この長さを平均化長という）は、ワー
クの表面荒れにより観測される黒濁、白濁を平均化によ
りキャンセルできる程度の長さが必要であり、次のよう
に選定することができる。例えば、図１において、Ｘ軸
あるいはＹ軸方向のラインに沿って画像信号を観測した
とき、図５に示すデータが得られたとする。同図におい
て、Δ１は、基準レベルに対するパターンのコントラス
ト差、また、Δ２は基準レベルに対するワークの表面荒
れにより観測される黒濁、白濁のコントラスト差であ
る。
ｎ，ｙ１−ｙｎ（この長さを平均化長という）は、ワー
クの表面荒れにより観測される黒濁、白濁を平均化によ
りキャンセルできる程度の長さが必要であり、次のよう
に選定することができる。例えば、図１において、Ｘ軸
あるいはＹ軸方向のラインに沿って画像信号を観測した
とき、図５に示すデータが得られたとする。同図におい
て、Δ１は、基準レベルに対するパターンのコントラス
ト差、また、Δ２は基準レベルに対するワークの表面荒
れにより観測される黒濁、白濁のコントラスト差であ
る。
【００２６】また、ワークの表面荒れにより観測される
黒濁、白濁の粒径をｄ、表面粗さに応じた係数をｋ（表
面粗さが大な程、係数ｋは大きくなる）とすると、前記
平均化長Ｌはこれらの値により定まり、Δ１が大きい
程、平均化長Ｌを短くすることができ、また、Δ２、粒
径ｄが大きい程、平均化長Ｌを長くする必要がある。す
なわち、平均化長Ｌは次式の値αに対してＬ＞αとなる
ように選定される。 α＝｜Δ２／Δ１｜ｄ・ｋ
黒濁、白濁の粒径をｄ、表面粗さに応じた係数をｋ（表
面粗さが大な程、係数ｋは大きくなる）とすると、前記
平均化長Ｌはこれらの値により定まり、Δ１が大きい
程、平均化長Ｌを短くすることができ、また、Δ２、粒
径ｄが大きい程、平均化長Ｌを長くする必要がある。す
なわち、平均化長Ｌは次式の値αに対してＬ＞αとなる
ように選定される。 α＝｜Δ２／Δ１｜ｄ・ｋ
【００２７】ワークの表面荒れの程度は、ワークの種
類、ユーザ等により異なり、それに応じて上記黒濁、白
濁の粒径ｄ、Δ１，Δ２、ｋの値も異なるので、上記平
均化長Ｌはワークの表面荒れの程度に応じて選択できる
ようにするのが望ましい。このため、例えば、前記した
アライメントユニットＡＵの倍率を可変できるように構
成し、ワークの荒れの程度に応じて上記倍率を調整すれ
ば、種々のワークに対して精度良くパターン位置を検出
することが可能となる。ここで、ワークマークＷＡＭの
大きさはワークＷの表面荒れの程度に応じた黒濁、白濁
の粒径ｄより、ある程度大きいように定められる。
類、ユーザ等により異なり、それに応じて上記黒濁、白
濁の粒径ｄ、Δ１，Δ２、ｋの値も異なるので、上記平
均化長Ｌはワークの表面荒れの程度に応じて選択できる
ようにするのが望ましい。このため、例えば、前記した
アライメントユニットＡＵの倍率を可変できるように構
成し、ワークの荒れの程度に応じて上記倍率を調整すれ
ば、種々のワークに対して精度良くパターン位置を検出
することが可能となる。ここで、ワークマークＷＡＭの
大きさはワークＷの表面荒れの程度に応じた黒濁、白濁
の粒径ｄより、ある程度大きいように定められる。
【００２８】なお、上記実施例ではパターンが基準レベ
ルに対して＋（パターンの方が明るい）としているが、
パターンが基準レベルに対して−（パターンの方が暗
い）であってもよい。また、上記実施例では、互いに直
交する直線で形成されたパターンを使用する例を示した
が、パターンを構成する直線が直交していなくてもよ
い。例えば、図６に示すように、直交しない線分で形成
されるパターンを使用する場合には、前記した積算方向
は、パターンを構成する直線に平行にする必要がある。
ルに対して＋（パターンの方が明るい）としているが、
パターンが基準レベルに対して−（パターンの方が暗
い）であってもよい。また、上記実施例では、互いに直
交する直線で形成されたパターンを使用する例を示した
が、パターンを構成する直線が直交していなくてもよ
い。例えば、図６に示すように、直交しない線分で形成
されるパターンを使用する場合には、前記した積算方向
は、パターンを構成する直線に平行にする必要がある。
【００２９】なお、先に述べた通り、本発明の適用対象
は投影露光装置に限るものではない。例えば、投影レン
ズＬ３を使用しないコンタクト露光装置、プロキシミテ
ィ露光装置の場合は、アライメントユニットＡＵは光照
射装置ＬＨとマスクＭとの間に挿入され、ワークマーク
ＷＡＭはマスクＭを通して検出される。ここで、マスク
マークＭＡＭはワークＷ上に投影されず、直接検出する
ので、ワークＷの表面荒れの影響を受けることがなく、
従来方法で検出することが可能であるが、ワークマーク
ＷＡＭはワークＷの表面荒れにより、位置座標を検出す
ることが困難となるので、本発明が適用される。
は投影露光装置に限るものではない。例えば、投影レン
ズＬ３を使用しないコンタクト露光装置、プロキシミテ
ィ露光装置の場合は、アライメントユニットＡＵは光照
射装置ＬＨとマスクＭとの間に挿入され、ワークマーク
ＷＡＭはマスクＭを通して検出される。ここで、マスク
マークＭＡＭはワークＷ上に投影されず、直接検出する
ので、ワークＷの表面荒れの影響を受けることがなく、
従来方法で検出することが可能であるが、ワークマーク
ＷＡＭはワークＷの表面荒れにより、位置座標を検出す
ることが困難となるので、本発明が適用される。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、方向が互いに交差する直線部分のみで形成されたパ
ターンの画像を明暗信号として記憶し、パターンの各直
線に平行な方向で画像信号を積算して、上記直線数に対
応した積算信号を求め、各積算値を微分したピーク位置
からパターン位置を検出しているので、表面が荒れたワ
ーク上のパターン位置を自動的に精度良く検出すること
が可能となる。このため、エッチドウエハ、セラミック
基板、金属、金属薄板、プリント基板等の各種ワーク上
のパターンを人手を要することなく検出することが可能
となり、これらのパターン検出の自動化に寄与すること
ができる。
は、方向が互いに交差する直線部分のみで形成されたパ
ターンの画像を明暗信号として記憶し、パターンの各直
線に平行な方向で画像信号を積算して、上記直線数に対
応した積算信号を求め、各積算値を微分したピーク位置
からパターン位置を検出しているので、表面が荒れたワ
ーク上のパターン位置を自動的に精度良く検出すること
が可能となる。このため、エッチドウエハ、セラミック
基板、金属、金属薄板、プリント基板等の各種ワーク上
のパターンを人手を要することなく検出することが可能
となり、これらのパターン検出の自動化に寄与すること
ができる。
【図１】本発明におけるパターンの検出方法を説明する
図である
図である
【図２】本発明の実施例のマスクとワークの位置合わせ
装置の構成を示す図である。
装置の構成を示す図である。
【図３】本発明で使用されるアライメント・マークの例
を示す図である。
を示す図である。
【図４】アライメント・マークの位置を求める手法を説
明する図である。
明する図である。
【図５】平均化長を求める手法を説明する図である。
【図６】直交しない線分から構成されるアライメント・
マークの例を示す図である。
マークの例を示す図である。
【図７】アライメント・マークを検出する装置の概略構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図８】従来のパターンサーチ方法を説明する図であ
る。
る。
【図９】鏡面加工されていないウエハの画像の一例を示
す図である。
す図である。
１ ＣＣＤカメラ ２ 制御装置 ３ モニタ ＬＨ 光照射装置 Ｆ フィルタ Ｍ マスク ＭＡＭ マスクアライメント・マーク ＭＳ マスクステージ Ｌ３ 投影レンズ Ｗ ワーク ＷＡＭ ワークアライメント・マーク ＷＳ ワークステージ ＡＵ アライメントユニット Ｍ ハーフミラー Ｌ１，Ｌ２ レンズ
Claims (2)
- 【請求項１】 表面が荒れたワーク上のパターンの位置
座標を検出するパターン検出方法であって、 交差する直線部分のみで形成されたパターンの画像を明
暗信号として記憶し、 上記パターンの各直線に平行な方向で明暗信号を積算し
て、上記各直線に対応した積算信号を求め、 上記各積算値を微分して微分信号のピークの位置を求
め、各積算値より求めたピーク位置に基づきパターンの
位置を検出することを特徴とするパターン検出方法。 - 【請求項２】 マスクパターンと、マスクアライメント
・マークを有するマスクと、該マスクを載置するマスク
ステージと、 交差する直線部分のみで形成されたワークアライメント
・マークを有する表面が荒れたワークと、該ワークを載
置するワークステージと、 上記マスクを介して上記ワーク上に光を照射する光照射
装置と、 マスクのアライメント・マーク像と、ワーク上に設けら
れたアライメント・マーク像とを受像するアライメント
ユニットと、 上記アライメントユニットから送出される画像信号に基
づき、マスクとワークのアライメント・マークの位置座
標を検出し、上記マスクステージおよび／またはワーク
ステージを駆動して、マスクとワークの位置合わせを行
う制御装置とを備えたマスクとワークの位置合わせ装置
であって、 上記制御装置は、上記アライメントユニットにより受像
した画像信号を明暗信号として記憶する手段を備え、 上記記憶手段に記憶された明暗信号を、上記アライメン
ト・マークの各直線に平行な方向で積算し各直線に対応
した積算値を得て、各積算値を微分して微分信号のピー
クの位置を求め、該ピーク位置に基づき、アライメント
・マークの位置を検出することを特徴とするマスクとワ
ークの位置合わせ装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8002953A JPH09189519A (ja) | 1996-01-11 | 1996-01-11 | パターン検出方法およびマスクとワークの位置合わせ装置 |
| TW085115833A TW355757B (en) | 1996-01-11 | 1996-12-21 | A method for pattern detection and a device for position adjustment for photomask and the processed element |
| KR1019960075631A KR970059847A (ko) | 1996-01-11 | 1996-12-28 | 패턴 검출방법 및 마스크와 작업편의 위치맞춤장치 |
| EP97100358A EP0786702B1 (en) | 1996-01-11 | 1997-01-10 | Process for pattern searching and a device for positioning of a mask to a workpiece |
| DE69707518T DE69707518T2 (de) | 1996-01-11 | 1997-01-10 | Mustersuchverfahren und Vorrichtung zur Positionierung einer Maske bezüglich eines Werkstücks |
| US08/782,330 US6072915A (en) | 1996-01-11 | 1997-01-13 | Process for pattern searching and a device for positioning of a mask to a workpiece |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8002953A JPH09189519A (ja) | 1996-01-11 | 1996-01-11 | パターン検出方法およびマスクとワークの位置合わせ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09189519A true JPH09189519A (ja) | 1997-07-22 |
Family
ID=11543742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8002953A Pending JPH09189519A (ja) | 1996-01-11 | 1996-01-11 | パターン検出方法およびマスクとワークの位置合わせ装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6072915A (ja) |
| EP (1) | EP0786702B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09189519A (ja) |
| KR (1) | KR970059847A (ja) |
| DE (1) | DE69707518T2 (ja) |
| TW (1) | TW355757B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100397964C (zh) * | 2000-03-28 | 2008-06-25 | 株式会社阿迪泰克工程 | 在多层印刷电路板制造工艺中使用的定位装置及其使用方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19728144C2 (de) | 1997-07-02 | 2001-02-01 | Ekra Eduard Kraft Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen von Testmustern |
| JPH11312635A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Ushio Inc | コンタクト露光方法 |
| US6498863B1 (en) | 2000-09-20 | 2002-12-24 | Media Cybernetics Inc. | Method, system, and product for analyzing a digitized image of an array to create an image of a grid overlay |
| FR2836575B1 (fr) * | 2002-02-28 | 2004-07-02 | Patrick Sandoz | Procede de mesure de la localisation d'un objet par detection de phase |
| KR100479305B1 (ko) * | 2002-08-20 | 2005-03-25 | 삼성전자주식회사 | 얼라인 마크 패턴인식방법 |
| CN100390502C (zh) * | 2003-03-12 | 2008-05-28 | 中国科学院沈阳自动化研究所 | 一种精密平行度测量方法 |
| GB2403799B (en) * | 2003-07-11 | 2006-04-12 | Rolls Royce Plc | Image-based measurement |
| US7388663B2 (en) * | 2004-10-28 | 2008-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Optical position assessment apparatus and method |
| WO2007089021A1 (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Kenji Yoshida | 画像処理方法 |
| CN101122457B (zh) * | 2006-08-09 | 2010-09-29 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 影像边界扫描***及方法 |
| JP4274214B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッドのアライメント装置及びそのアラインメント方法 |
| WO2008131474A1 (en) * | 2007-04-26 | 2008-11-06 | Gryphon Systems Engineering Pty Ltd | Method and apparatus for three dimensional image processing and analysis |
| US9547231B2 (en) * | 2013-06-12 | 2017-01-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Device and method for making photomask assembly and photodetector device having light-collecting optical microstructure |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5214112B2 (ja) * | 1973-02-22 | 1977-04-19 | ||
| JPS5369063A (en) * | 1976-12-01 | 1978-06-20 | Hitachi Ltd | Detector of position alignment patterns |
| US4475122A (en) * | 1981-11-09 | 1984-10-02 | Tre Semiconductor Equipment Corporation | Automatic wafer alignment technique |
| US4794648A (en) * | 1982-10-25 | 1988-12-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask aligner with a wafer position detecting device |
| US4566125A (en) * | 1982-12-08 | 1986-01-21 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for pattern location |
| US4688088A (en) * | 1984-04-20 | 1987-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting device and method |
| JPS6240146A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電ビ−ムパタ−ン欠陥検査装置 |
| US4955062A (en) * | 1986-12-10 | 1990-09-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Pattern detecting method and apparatus |
| JPH0663740B2 (ja) * | 1987-09-28 | 1994-08-22 | 住友重機械工業株式会社 | アライメントマークの位置検出方法 |
| US4878114A (en) * | 1988-05-10 | 1989-10-31 | University Of Windsor | Method and apparatus for assessing surface roughness |
| US5543921A (en) * | 1989-05-08 | 1996-08-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Aligning method utilizing reliability weighting coefficients |
| JP2851023B2 (ja) * | 1992-06-29 | 1999-01-27 | 株式会社鷹山 | Ｉｃの傾き検査方法 |
-
1996
- 1996-01-11 JP JP8002953A patent/JPH09189519A/ja active Pending
- 1996-12-21 TW TW085115833A patent/TW355757B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-12-28 KR KR1019960075631A patent/KR970059847A/ko not_active Application Discontinuation
-
1997
- 1997-01-10 EP EP97100358A patent/EP0786702B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-10 DE DE69707518T patent/DE69707518T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-01-13 US US08/782,330 patent/US6072915A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100397964C (zh) * | 2000-03-28 | 2008-06-25 | 株式会社阿迪泰克工程 | 在多层印刷电路板制造工艺中使用的定位装置及其使用方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970059847A (ko) | 1997-08-12 |
| EP0786702A2 (en) | 1997-07-30 |
| DE69707518T2 (de) | 2002-05-08 |
| US6072915A (en) | 2000-06-06 |
| EP0786702B1 (en) | 2001-10-24 |
| TW355757B (en) | 1999-04-11 |
| DE69707518D1 (de) | 2001-11-29 |
| EP0786702A3 (en) | 1998-01-07 |
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