JPH09186584A - 同期遅延ラインを用いた遅延同期ループ回路 - Google Patents
同期遅延ラインを用いた遅延同期ループ回路Info
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- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 claims description 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 claims description 2
- 101100455873 Arabidopsis thaliana MKK7 gene Proteins 0.000 abstract description 7
- 101100476033 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RSR1 gene Proteins 0.000 abstract description 7
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 12
- 108050007511 Ddc1 Proteins 0.000 description 11
- 101100288529 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) LCD1 gene Proteins 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 101000667209 Homo sapiens Vacuolar protein sorting-associated protein 72 homolog Proteins 0.000 description 1
- 101150091055 SWC7 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100272844 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) BUD7 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100478997 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SWC3 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100039098 Vacuolar protein sorting-associated protein 72 homolog Human genes 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
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- H03K5/13—Arrangements having a single output and transforming input signals into pulses delivered at desired time intervals
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/081—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter
- H03L7/0812—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used
- H03L7/0814—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used the phase shifting device being digitally controlled
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/081—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter
- H03L7/0812—Details of the phase-locked loop provided with an additional controlled phase shifter and where no voltage or current controlled oscillator is used
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Abstract
果的に発生できるように構成された同期遅延ラインを用
いるデジタル遅延同期ループ回路を提供する。 【解決手段】 入力クロックCLKを受けて基準クロッ
クPCLK Mを出力する遅延バッファBDCと、基準
クロックを遅延するメイン遅延器MDCと、メイン遅延
器による遅延クロックD1を遅延する単位遅延器FUD
を縦列接続した第1遅延ラインと、基準クロックを遅延
する単位遅延器BUDを縦列接続した第2遅延ライン
と、第1遅延ラインによる遅延クロックD1〜Dnと基
準クロックとをそれぞれ位相比較し、位相の一致した遅
延クロックに応じたエネーブル信号F1〜Fnを活性化
させる遅延検出器DDCと、活性化したエネーブル信号
によりオンして第2遅延ラインから出力されるクロック
のいずれかを出力クロックPCLKとして伝送するスイ
ッチ手段SWCと、から構成する。
Description
ループ(Digital Delay Locked Loop) 回路に関し、特
に、外部提供のシステムクロックによって駆動される同
期半導体メモリ装置に用いられる内部クロックをシステ
ムクロックに同期させるためのデジタル遅延同期ループ
回路に関するものである。
LKに従い動作する同期半導体メモリ装置は、システム
クロックCLKからチップ内部で必要なクロックPCL
Kを出力するクロックバッファをもっている。即ち、こ
のクロックバッファによるクロックPCLKがチップ内
各回路へ供給され、システムクロックCLKに同期して
動作することができる。しかしながら、クロックバッフ
ァは単にシステムクロックCLKをバッファリングして
チップ内部で必要とするクロックPCLKとして供給す
るだけであり、外部のシステムクロックCLKとクロッ
クPCLKとに遅延差が必然的に発生することになる。
このような位相差が発生すると、チップ内回路の動作は
システムクロックCLKに対しその位相差だけ常に遅く
なることになる。そこで、システムクロックCLKと同
一動作速度を得るための内部クロックPCLK、即ち、
外部供給のシステムクロックCLKに完全同期してシス
テムクロックCLKとの位相差が“0”であるクロック
PCLKを生成するための研究が継続されている。
同期ループ(Phase locked loop:PLL)や遅延同期ル
ープ(Delay locked loop:DLL)を用いて外部システ
ムクロックCLKと内部クロックPCLKとの間のスキ
ュー(skew)を最小化する技術が提案されている。このう
ちPLL回路は、図1に示すようにこの分野で既によく
知られた回路である。
ックPCLKが発生され、これら両クロックCLK,P
CLKが位相検出器12に入力されると、位相検出器1
2は入力クロックCLKと出力クロックPCLKとの位
相比較からその位相差を検出し、ループフィルタ14へ
供給する。ループフィルタ14は位相差検出信号を低域
ろ波することにより対応するレベルの直流制御電圧V
(t)を発生し、電圧制御発振器16へ供給する。そし
て電圧制御発振器16は、ループフィルタ14から出力
される制御電圧V(t)に応じて周波数発振制御され、
内部クロックPCLKを発生する。
クロックCLKと出力クロックPCLKとの位相差が正
の値で発生すると電圧V(t)のレベルが上昇して電圧
制御発振器16の発振周期が短くなり、位相差を減少さ
せる。逆に、位相検出器12による位相差が負の値を有
すると電圧V(t)のレベルが低下して電圧制御発振器
16の発振周期が長くなり、位相差を減少させる。従っ
て、システムクロックCLKと内部クロックPCLKと
が同期する。
御発振器16の代わりに、電圧に応じて遅延量が変化す
る電圧制御遅延器(Voltage Controlled Delay)を使用す
ることにより構成される。
LLを用いたクロック同期手法には、次にあげるような
短所がある。第一に、システムクロックCLKと内部ク
ロックPCLKとの同期をとるまでにかかる時間(locki
ng time)が長く、SDRAM(同期メモリ)に利用する
場合にデータアクセスタイムが長くなる。即ち、スロー
捕捉時間(slow acquisition time) が問題になる。この
ために、システムクロックCLKの周波数が変化する場
合に数μsの時間を要する結果となっており、動作上の
制約をもたらしている。第二に、このような問題点か
ら、デバイスが動作しないスタンバイ(stand-by)時でも
常に同期動作しなければならないため、スタンバイ電流
の増加要因となっている。第三に、電圧制御発振器や遅
延器の周期や遅延時間より速いか遅い周波数では、PL
LやDLLを使用しない場合よりも遅い内部クロックP
CLKが発生する可能性がある。
るために本発明では、外部から供給されるシステムクロ
ックに正確に同期した内部クロックを素早く発生するこ
とができ、スタンバイ電流も抑制可能なように、同期遅
延ライン(Synchrous Delay Line:SDL) を用いたデジ
タル遅延同期ループ(Digital Delay Locked Loop) 回路
を提供する。また、一定時間遅延した遅延クロックと遅
延してないクロックとを比較してシステムクロックと内
部クロックとの遅延差を最小化し得る構成の同期遅延ラ
インを用いたデジタル遅延同期ループ回路を提供する。
は、入力クロックを受けて基準クロックを出力する遅延
バッファと、前記基準クロックを遅延するメイン遅延器
と、該メイン遅延器による遅延クロックを所定時間ずつ
遅延して多数の遅延クロックを出力する単位遅延器を縦
列接続した第1遅延ラインと、前記基準クロックを所定
時間ずつ遅延して多数のクロックを出力する単位遅延器
を縦列接続した第2遅延ラインと、前記第1遅延ライン
から出力される多数の遅延クロックと前記基準クロック
とをそれぞれ位相比較し、位相の一致した遅延クロック
に応じたエネーブル信号を活性化させる遅延位相比較検
出手段と、その活性化したエネーブル信号によりオンし
て前記第2遅延ラインから出力される多数のクロックの
うちのいずれかを出力クロックとして伝送するスイッチ
手段と、から構成されることを特徴とする。
から出力される各遅延クロックを基準クロックの第1論
理でそれぞれラッチし、該ラッチした遅延クロックが第
1論理のときにエネーブル信号を前記基準クロックの第
2論理で活性化させる多数の遅延検出器からなるものと
する。また各遅延検出器は、エネーブル信号を活性化さ
せるときに後段の遅延検出器にエネーブル信号の非活性
化を維持させるキャリ手段を備えるものとする。更に、
入力クロックの周期が第1遅延ラインの遅延時間よりも
長い場合に基準クロックを出力クロックとするバイパス
選択手段を備えるようにしておくとよい。
付図面を参照して詳細に説明する。
いたデジタル遅延同期ループのブロック図を示す。図示
の遅延バッファBDCは、入力クロックCLKを遅延し
て基準クロックPCLK_Mとしてバッファリング出力
する。この遅延バッファBDCから出力される基準クロ
ックPCLK_Mは、第1遅延ライン中のメイン遅延器
MDC、多数の遅延検出器DDC1〜DDCn、第2遅
延ライン中の単位遅延器BUD1へ入力される。
びこれから直列接続された同じ遅延時間をもつ多数の単
位遅延器FUD1〜FUDnにより構成される。これら
単位遅延器FUD1〜FUDnは、メイン遅延器MDC
から出力される遅延クロックD1を遅延して各遅延クロ
ックD2〜Dnをそれぞれ出力する。第2遅延ライン
は、単位遅延器FUDi(iは自然数)とそれぞれ同じ
遅延時間をもつ多数の単位遅延器BUD1〜BUDnが
直列接続されて構成される。この第2遅延ラインをなす
各単位遅延器BUD1〜BUDnの入力端子及び出力端
子と出力クロックPCLKの出力端子との間には、基準
クロックPCLK_M或いはこれから所定の単位時間遅
延したクロックD1’〜Dn’のうちの少なくとも1つ
をエネーブル信号F1〜Fnの活性化に応じて選択し、
出力クロックPCLKの出力端子へ伝達するスイッチS
WC1〜SWCnが設けられている。
ロックPCLK_Mと、第1遅延ラインをなす単位遅延
器FUD1〜FUDnからそれぞれ出力される遅延クロ
ックDiとをそれぞれ入力して位相を比較する。即ち、
遅延検出器DDC1〜DDCnは、入力される基準クロ
ックPCLK_Mと遅延クロックDiの位相が一致した
ときにその遅延クロックDiをラッチし、基準クロック
PCLK_Mが“ロウ”の間にエネーブル信号Fiを活
性化させる。そして、この遅延検出器DDC1〜DDC
nから出力されるエネーブル信号F1〜Fnの活性化に
よってスイッチSWC1〜SWCnが個別的にエネーブ
ルされる。
るための動作タイミング図である。図3に示すように入
力クロックCLKが印加されると、遅延バッファBDC
がこれを遅延バッファリングし、図3のようなクロック
パルス形態の基準クロックPCLK_Mが出力される。
この基準クロックPCLK_Mは遅延バッファBDCの
遅延に相応する遅延時間をもつメイン遅延器MDCによ
って遅延され、遅延クロックD1が出力される。また基
準クロックPCLK_Mは、遅延検出器DDC1〜DD
Cnと単位遅延器BUD1へも提供される。
1は、縦列接続された多数の単位遅延器FUD1〜FU
Dnによって単位時間ずつ順次遅延され、図3のような
遅延クロックD2,D3,D4, …, Dnがそれぞれ発
生する。本例の場合、これら単位遅延器FUD1〜FU
Dnの各遅延時間は統一してある。そして、これら順次
発生する遅延クロックD1〜Dnが遅延検出器DDC1
〜DDCnへそれぞれ入力される。
Cによる基準クロックPCLK_Mとメイン遅延器MD
Cによる最初の遅延クロックD1とを位相比較し、他の
遅延検出器DDC2〜DDCnも同様にそれぞれ、基準
クロックPCLK_Mと記第1遅延ライン上の単位遅延
器FUDiによる各遅延クロックD2〜Dnとを位相比
較する。このように基準クロックPCLK_Mと遅延ク
ロックDiとをそれぞれ位相比較する遅延検出器DDC
iは、両入力クロックの位相が一致するときに、入力さ
れる遅延クロックDiの周期をもつエネーブル信号Fi
を活性化させる。例えば図3に示すように、第1クロッ
クPCLK_Mと単位遅延器FUD7による遅延クロッ
クD7とが同相になれば、遅延検出器DDC7が遅延ク
ロックD7をラッチし、これを基準クロックPCLK_
Mが論理“ロウ”の期間に出力する。つまり、エネーブ
ル信号F7が活性化となる。これに従って、エネーブル
信号F7により制御されるスイッチSWC7がオンとな
り、単位遅延器BUD1〜BUD7によって順次遅延さ
れた結果のクロックD7’が出力クロックPCLKの出
力端子へ伝達される。言い換えれば、遅延検出器DDC
7によるエネーブル信号F7に従い、メイン遅延器MD
Cを通さない基準クロックPCLK_Mを遅延する第2
遅延ラインの出力クロックD1’〜Dn’のうち、クロ
ックD7’が選択されて出力クロックPCLKとして発
生される。
の結果発生される出力クロックPCLKは、基準クロッ
クPCLK Mよりもメイン遅延器MDCの遅延分だけ
速い信号となり、メイン遅延器MDCの遅延と遅延バッ
ファBDCの遅延が等しければ究極的に入力クロックC
LKと出力クロックPCLKとの間に遅延はなくなる。
即ち、システムクロックCLKと同相の内部クロックP
CLKを得られるようになる。そして、図2のような構
成を有する回路によれば、出力クロックPCLKが入力
クロックCLKに同期するまでにかかる時間が3CLK
ですむので、スロー捕捉時間の問題と待機時の消費電流
の問題を解消することができる。
〜FUDn,BUD1〜BUDn、スイッチSWC1〜
SWCn、及び遅延検出器DDC〜DCCnの具体例を
示してある。また図5は、図4に示した同期遅延ライン
の動作を説明するための動作タイミング図であって、図
4に示した遅延バッファBDCから出力される基準クロ
ックPCLK_Mと単位遅延器FUD1〜FUD10の
出力タイミングを示したものである。
れると遅延バッファBDCによる遅延バッファリング
で、図5に示すような基準クロックPCLK_Mが出力
される。メイン遅延器MDCは、基準クロックPCLK
_Mを遅延して図5に示すように最初の遅延クロックD
1を出力する。このとき一方で、第2遅延ラインに直列
接続された多数の単位遅延器BUD1〜BUDnが基準
クロックPCLK_Mを順次遅延し、それぞれクロック
D1’〜Dn’を発生する。これらクロックD1’〜D
n’は、メイン遅延器MDCの遅延を経ない、つまり遅
延クロックD1〜Dnに先立つ信号であり、スイッチS
WC1〜SWCnがオンスイッチされれば出力クロック
PCLKとして伝送される。
ロックD1は、2つの直列インバータからなる多数の単
位遅延器FUD1〜FUDnの縦列接続遅延ラインを通
じて順次遅延され、図5のようなその他の遅延クロック
D2〜D10が発生される。これら単位遅延器FUD1
〜FUDnを経てそれぞれ出力される遅延クロックD1
〜Dnは、最初の遅延検出器DDC1を除いたその他の
遅延検出器DDC2〜DDCn内の伝送ゲートT1に供
給される。
ートT1は、一般的なCMOS伝送ゲートで、そのNM
OSゲートが基準クロックPCLK_Mで制御されると
共にPMOSゲートが基準クロックPCLK_Mをイン
バータINTで反転させて制御されている。これら遅延
検出器DDC2〜DDCn内の伝送ゲートT1により、
基準クロックPCLK_Mに応じて転送される遅延クロ
ックD1〜Dnは、第1ラッチ回路LT1でラッチされ
る。即ち、遅延バッファBDCから出力される基準クロ
ックPCLK_Mが論理“ハイ”のときに単位遅延器F
UD1〜FUDnによる遅延クロックD2〜Dnが転送
され、多数の遅延検出器DDC2〜DDCn内の第1ラ
ッチ回路LT1にラッチされる。
クロックPCLK_Mが論理“ロウ”のときにオンとな
る伝送ゲートT2が接続されている。そして、該伝送ゲ
ートT2を介し転送される信号を反転ラッチする第2ラ
ッチ回路LT2が設けられ、この第2ラッチ回路LT2
の出力は、スイッチSWC2〜SWCnをオンオフ制御
するキャリ発生器CRのクロック入力端子Bへ提供され
る。
クロック入力端子Bの論理がそれぞれ“ハイ”、“ロ
ウ”のときにエネーブル信号F2〜Fnを活性化させ、
更にキャリ出力端子CR01,CR02,……を非活性
とする。このようなキャリ発生器CRの動作真理値表を
下記表1に示す。キャリ出力端子CR0iは、次段の遅
延検出器DDCi+1内のキャリ発生器CRのキャリ入
力端子A及び遅延検出器DDC2〜DDCnに1ずつ設
けられたNORゲートNORの入力へ接続される。
〜DDCnは、単位遅延器FUD2〜FUDnから出力
される遅延クロックD2〜Dnを基準クロックPCLK
_Mが論理“ハイ”のときにラッチし、そして、基準ク
ロックPCLK_Mの論理“ロウ”期間で、論理“ハ
イ”ラッチされた遅延クロックDiに対応する単位遅延
器BUDiによるクロックDi’と出力クロックPCL
Kの出力端子とをつなぐエネーブル信号Fiをエネーブ
ルさせることが分かる。このときに、エネーブル信号F
iが活性化されると、その後続のエネーブル信号Fi+
1,Fi+2,…,Fi+nはキャリ発生器CRの働き
によって非活性化される。
延検出器DDC1はバイパス選択手段として作動し、使
用者の選択によって動作させられるようにしてある。例
えば、外部クロックCLKの周期が第1及び第2遅延ラ
イン上の遅延時間より長い場合、ヒューズFUSE1,
FUSE2の切断選択によって動作が決定される。ヒュ
ーズFUSE1,FUSE2は、外部クロックCLKの
周期が第1及び第2遅延ライン上の遅延時間より短い場
合には切断され、逆の場合には切断されない。次に、ヒ
ューズFUSE1,FUSE2が切断されていない状態
で、遅延ラインの遅延時間より長い周期の外部クロック
CLKが入力される動作過程を説明する。
になると、多数の遅延検出器DDC2〜DDCnのいず
れかのキャリ端子CR0iが活性状態となって対応する
NORゲートNORが論理“ハイ”を出力することによ
り、遅延検出器DDC1内の第1ラッチ回路LT1が初
期化される。この状態で基準クロックPCLK_Mが論
理“ハイ”に遷移すると、インバータINTの出力によ
りPMOSトランジスタPMOSがターンオンして第1
ラッチ回路LT1の出力が論理“ハイ”になる。そし
て、基準クロックPCLK_Mが論理“ロウ”に遷移す
ると、遅延検出器DDC1内の伝送ゲートT2が第1ラ
ッチ回路LT1のラッチ出力を転送して第2ラッチ回路
LT2が反転ラッチを行い、これに応じてスイッチSW
C1がターンオンする。従って、遅延ラインの遅延時間
よりも外部クロックCLKの周期が長くなる場合には、
基準クロックPCLK_Mが直に出力クロックPCLK
としてバイパスされることが分かる。
ミュレーションした結果を示すものである。同図を参照
すると、外部システムクロックCLKと内部クロックP
CLKとの位相が同期するのにかかる時間は、システム
クロックCLKの3周期で満足されることが分かる。
て一定時間遅延した遅延クロックと遅延しないクロック
とを比較して入力クロックと出力クロックとの位相差を
最小化することでロック時間が短くなり、特に、SDR
AMに適用した場合にそのアクセスタイムを向上させる
ことができる。
ロック図。
図。
体例を示した回路図。
た信号波形図。
験結果を示すグラフ。
Claims (4)
- 【請求項1】 入力クロックを受けて基準クロックを出
力する遅延バッファと、前記基準クロックを遅延するメ
イン遅延器と、該メイン遅延器による遅延クロックを所
定時間ずつ遅延して多数の遅延クロックを出力する単位
遅延器を縦列接続した第1遅延ラインと、前記基準クロ
ックを所定時間ずつ遅延して多数のクロックを出力する
単位遅延器を縦列接続した第2遅延ラインと、前記第1
遅延ラインから出力される多数の遅延クロックと前記基
準クロックとをそれぞれ位相比較し、位相の一致した遅
延クロックに応じたエネーブル信号を活性化させる遅延
位相比較検出手段と、その活性化したエネーブル信号に
よりオンして前記第2遅延ラインから出力される多数の
クロックのうちのいずれかを出力クロックとして伝送す
るスイッチ手段と、から構成されることを特徴とする遅
延同期ループ回路。 - 【請求項2】 遅延位相比較検出手段は、第1遅延ライ
ンから出力される各遅延クロックを基準クロックの第1
論理でそれぞれラッチし、該ラッチした遅延クロックが
第1論理のときにエネーブル信号を前記基準クロックの
第2論理で活性化させる多数の遅延検出器からなる請求
項1記載の遅延同期ループ回路。 - 【請求項3】 各遅延検出器は、エネーブル信号を活性
化させるときに後段の遅延検出器にエネーブル信号の非
活性化を維持させるキャリ手段を備える請求項2記載の
遅延同期ループ回路。 - 【請求項4】 入力クロックの周期が第1遅延ラインの
遅延時間よりも長い場合に基準クロックを出力クロック
とするバイパス選択手段を備える請求項1〜3のいずれ
か1項に記載の遅延同期ループ回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950059445A KR100197563B1 (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 동기 지연라인을 이용한 디지탈 지연 동기루프 회로 |
KR1995P59445 | 1995-12-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09186584A true JPH09186584A (ja) | 1997-07-15 |
JP3757011B2 JP3757011B2 (ja) | 2006-03-22 |
Family
ID=19445194
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35160896A Expired - Fee Related JP3757011B2 (ja) | 1995-12-27 | 1996-12-27 | 同期遅延ラインを用いた遅延同期回路 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5901190A (ja) |
JP (1) | JP3757011B2 (ja) |
KR (1) | KR100197563B1 (ja) |
DE (1) | DE19653160B4 (ja) |
GB (1) | GB2308759B (ja) |
TW (1) | TW331677B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006157357A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Renesas Technology Corp | 位相同期回路及び半導体集積回路装置 |
KR100855274B1 (ko) * | 2007-03-30 | 2008-09-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유닛 딜레이 셀 및 이를 포함하는 지연 고정 루프 |
JP2012238341A (ja) * | 2005-09-30 | 2012-12-06 | Mosaid Technologies Inc | デイジーチェーンカスケードデバイス |
US9230654B2 (en) | 2005-09-30 | 2016-01-05 | Conversant Intellectual Property Management Inc. | Method and system for accessing a flash memory device |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5945861A (en) * | 1995-12-18 | 1999-08-31 | Lg Semicon., Co. Ltd. | Clock signal modeling circuit with negative delay |
JP3406790B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2003-05-12 | 株式会社東芝 | データ転送システム及びデータ転送方法 |
JP3281306B2 (ja) * | 1996-12-18 | 2002-05-13 | 三星電子株式会社 | メモリ装置のディジタル遅延同期回路 |
JP3739525B2 (ja) | 1996-12-27 | 2006-01-25 | 富士通株式会社 | 可変遅延回路及び半導体集積回路装置 |
JP3319340B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2002-08-26 | 日本電気株式会社 | 半導体回路装置 |
US6247138B1 (en) * | 1997-06-12 | 2001-06-12 | Fujitsu Limited | Timing signal generating circuit, semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit system to which the timing signal generating circuit is applied, and signal transmission system |
JP3209943B2 (ja) * | 1997-06-13 | 2001-09-17 | 沖電気工業株式会社 | 電圧制御遅延回路、直接位相制御型電圧制御発振器、クロック/データ再生回路及びクロック/データ再生装置 |
KR100260556B1 (ko) * | 1997-08-22 | 2000-07-01 | 윤종용 | 내부 클럭 발생회로 |
KR100261216B1 (ko) * | 1997-11-21 | 2000-07-01 | 윤종용 | 프로그래머블 지연라인 |
KR100269316B1 (ko) | 1997-12-02 | 2000-10-16 | 윤종용 | 동기지연회로가결합된지연동기루프(dll)및위상동기루프(pll) |
US5999032A (en) * | 1998-03-05 | 1999-12-07 | Etron Technology, Inc. | Multiple phase synchronous race delay clock distribution circuit with skew compensation |
KR100468709B1 (ko) * | 1998-03-30 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | 차동클럭신호를이용한클럭동기지연회로 |
JP4286375B2 (ja) * | 1999-04-02 | 2009-06-24 | 株式会社アドバンテスト | 遅延クロック生成装置および遅延時間測定装置 |
DE19939595C1 (de) | 1999-08-20 | 2001-02-08 | Siemens Ag | Anordnung zum Testen einer Vielzahl von Halbleiterschaltungen |
IT1311463B1 (it) * | 1999-12-31 | 2002-03-12 | Cit Alcatel | Metodo di recupero del segnale d'orologio in un sistema ditelecomunicazioni e relativo circuito. |
KR100527397B1 (ko) | 2000-06-30 | 2005-11-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체메모리 장치에서 작은 지터를 갖는 지연고정루프 |
GB2402274B (en) * | 2000-06-30 | 2005-02-23 | Hynix Semiconductor Inc | Delay locked loop for use in semiconductor memory device |
KR100378203B1 (ko) * | 2000-09-05 | 2003-03-29 | 삼성전자주식회사 | 고주파수 동작시 가변지연단의 부하를 감소시키며외부클락을 안정적으로 동기시키는 지연동기회로 |
JP3575430B2 (ja) * | 2001-02-01 | 2004-10-13 | 日本電気株式会社 | 2段階可変長遅延回路 |
US6617894B2 (en) * | 2001-05-14 | 2003-09-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Circuits and methods for generating internal clock signal of intermediate phase relative to external clock |
KR100399941B1 (ko) | 2001-06-30 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 디디알 에스디램의 레지스터 제어 지연고정루프 |
US6504408B1 (en) | 2001-07-09 | 2003-01-07 | Broadcom Corporation | Method and apparatus to ensure DLL locking at minimum delay |
JP2003023343A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 遅延信号生成回路 |
KR100468727B1 (ko) * | 2002-04-19 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | 지연 동기 루프의 지연 라인 제어 회로 |
US6930525B2 (en) * | 2002-06-12 | 2005-08-16 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatus for delay circuit |
US20050168260A1 (en) * | 2004-01-29 | 2005-08-04 | Tomerlin Andrew T. | Configurable delay line circuit |
US20060091927A1 (en) * | 2004-11-03 | 2006-05-04 | Huawen Jin | Delay stage for a digital delay line |
US7227395B1 (en) * | 2005-02-09 | 2007-06-05 | Altera Corporation | High-performance memory interface circuit architecture |
KR100714874B1 (ko) | 2005-09-27 | 2007-05-07 | 삼성전자주식회사 | 딜레이 스텝이 조절되는 딜레이 라인 회로 및 이를 위한딜레이 셀 |
WO2007036050A1 (en) | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Mosaid Technologies Incorporated | Memory with output control |
KR20080037233A (ko) | 2006-10-25 | 2008-04-30 | 삼성전자주식회사 | 지연 동기 루프 회로 |
US10027280B1 (en) * | 2017-07-18 | 2018-07-17 | Novatek Microelectronics Corp. | Inductor-less local oscillator generation apparatus |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL183214C (nl) * | 1980-01-31 | 1988-08-16 | Philips Nv | Inrichting voor het synchroniseren van de fase van een lokaal opgewekt kloksignaal met de fase van een ingangssignaal. |
US5287025A (en) * | 1991-04-23 | 1994-02-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Timing control circuit |
US5146121A (en) * | 1991-10-24 | 1992-09-08 | Northern Telecom Limited | Signal delay apparatus employing a phase locked loop |
US5295164A (en) * | 1991-12-23 | 1994-03-15 | Apple Computer, Inc. | Apparatus for providing a system clock locked to an external clock over a wide range of frequencies |
US5463337A (en) * | 1993-11-30 | 1995-10-31 | At&T Corp. | Delay locked loop based clock synthesizer using a dynamically adjustable number of delay elements therein |
US5669003A (en) * | 1994-12-23 | 1997-09-16 | Intel Corporation | Method of monitoring system bus traffic by a CPU operating with reduced power |
KR0179779B1 (ko) * | 1995-12-18 | 1999-04-01 | 문정환 | 클럭신호 모델링 회로 |
-
1995
- 1995-12-27 KR KR1019950059445A patent/KR100197563B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-12-11 TW TW085115335A patent/TW331677B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-12-19 DE DE19653160A patent/DE19653160B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-12-23 US US08/771,538 patent/US5901190A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-24 GB GB9626902A patent/GB2308759B/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-12-27 JP JP35160896A patent/JP3757011B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006157357A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Renesas Technology Corp | 位相同期回路及び半導体集積回路装置 |
JP2012238341A (ja) * | 2005-09-30 | 2012-12-06 | Mosaid Technologies Inc | デイジーチェーンカスケードデバイス |
US9230654B2 (en) | 2005-09-30 | 2016-01-05 | Conversant Intellectual Property Management Inc. | Method and system for accessing a flash memory device |
US9240227B2 (en) | 2005-09-30 | 2016-01-19 | Conversant Intellectual Property Management Inc. | Daisy chain cascading devices |
KR100855274B1 (ko) * | 2007-03-30 | 2008-09-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유닛 딜레이 셀 및 이를 포함하는 지연 고정 루프 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW331677B (en) | 1998-05-11 |
GB2308759A (en) | 1997-07-02 |
US5901190A (en) | 1999-05-04 |
JP3757011B2 (ja) | 2006-03-22 |
DE19653160B4 (de) | 2004-08-19 |
GB2308759B (en) | 2000-03-08 |
KR970051253A (ko) | 1997-07-29 |
KR100197563B1 (ko) | 1999-06-15 |
GB9626902D0 (en) | 1997-02-12 |
DE19653160A1 (de) | 1997-07-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040902 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040907 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050701 |
|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100106 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110106 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120106 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130106 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |