JPH09181183A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

Info

Publication number
JPH09181183A
JPH09181183A JP7336400A JP33640095A JPH09181183A JP H09181183 A JPH09181183 A JP H09181183A JP 7336400 A JP7336400 A JP 7336400A JP 33640095 A JP33640095 A JP 33640095A JP H09181183 A JPH09181183 A JP H09181183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pad
wiring
chip
wiring group
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP7336400A
Other languages
English (en)
Inventor
Takafumi Onuki
隆文 大貫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP7336400A priority Critical patent/JPH09181183A/ja
Publication of JPH09181183A publication Critical patent/JPH09181183A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップ周辺部のレイアウトを工夫してチップ
とパッケージの組み合わせに自在性を持たせる。 【解決手段】 チップ周辺部にI/O領域とパッド領域
とを有する半導体集積回路装置において、前記I/O領
域とパッド領域との間に配線領域を形成するとともに、
該配線領域にチップの辺と平行な第1配線群を形成し、
かつ、該第1配線群と各I/Oから延びる第2配線群と
の間及び該第1配線群と各パッドから延びる第3配線群
との間を選択的に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置(以下「LSI」と略すこともある)に関し、特に、
チップ周辺部にI/O領域とパッド領域とを有するLS
Iに関する。
【0002】
【従来の技術】図4はこの種のLSIの概略平面図であ
り、1はチップである。チップ1の周辺部には、多数の
パッド2を有するパッド領域3と多数のI/O(入出力
バッファ)4を有するI/O領域5とが設けられ、隣り
合うパッドとI/O(例えばパッド2aとI/O4a)
との間が図示を略した配線で接続されているとともに、
パッド2とパッケージ7の端子8との間が直径20〜3
0μm程度の金細線(ワイヤ)9によって接続されてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の半導体集積回路装置にあっては、I/O4の並び
順と端子8の並び順が一対一に対応していたため、チッ
プ1とパッケージ7の組み合わせに自在性がなく、例え
ば、同一機能のチップであっても、端子配置の異なるパ
ッケージに適用する場合には、少なくともI/O領域の
大幅な設計変更を必要とするという問題点があった。
【0004】なお、ワイヤ9を交差させることによっ
て、一部の端子(又はI/O)の機能を交換できるが、
交差点でのワイヤ同士のショートを否定できないうえ、
ボンディング工程そのものも複雑化するから実用的では
ない。そこで、本発明は、このような問題点に鑑みてな
されたもので、チップ周辺部のレイアウトを工夫して、
チップとパッケージの組み合わせに自在性を持たせるこ
とを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的は、チップ周辺
部にI/O領域とパッド領域とを有する半導体集積回路
装置において、前記I/O領域とパッド領域との間に配
線領域を形成するとともに、該配線領域にチップの辺と
平行な第1配線群を形成し、かつ、該第1配線群と各I
/Oから延びる第2配線群との間及び該第1配線群と各
パッドから延びる第3配線群との間を選択的に接続する
ことにより達成できる。
【0006】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。図1は本発明に係る半導体集積回路装
置の一実施例を示すチップ概略平面図、図2はその要部
(図1のA部)拡大図である。図において、10はチッ
プであり、チップ10の周辺部には、多数のパッド11
を有するパッド領域12と、多数のI/O13を有する
I/O領域14が形成されている。
【0007】ここに、本実施例における特徴的な事項の
第1は、パッド領域12とI/O領域14との間に配線
領域15を形成し、かつ、この配線領域15に第1配線
群16を形成した点にある。第1配線群16は、チップ
10の4辺に設けられたI/O領域14を取り囲むよう
に連続的に形成されており、その線数はI/O13と同
数若しくはそれ以上である。
【0008】また、特徴的な事項の第2は、図1では図
示の都合上省略しているが、図2に示すように、各I/
O13から延びる第2配線群17と、各パッド12から
延びる第3配線群18とを第1配線群16上で、配線層
を異ならせて交差させるとともに、第1配線群16と第
2配線群17との間、及び、第1配線群16と第3配線
群18との間を層間コンタクト19a、19bによって
選択的に接続する点にある。
【0009】なお、図2では第1配線群16を4本の線
で示しているが、これは図面を見やすくするための便宜
策である。このような構成において、図2のパッド11
やI/O13並びに第1〜第3配線群16、17、18
の各線に識別のための符号(a〜d)を付して、図示の
層間コンタクト19a、19bを設けた場合の各パッド
と各I/Oの接続関係を調べると、まず、一番上のパッ
ド11aは、第3配線群18の一番上の線18a、4個
の層間コンタクト19b、19b、19a、19a、及
び、第2配線群17の下2本の線17c、17dを介し
て下二つのI/O13c、13dに接続されている。し
たがって、例えば、一番下のI/O13dを出力バッフ
ァ、その上のI/O13cを入力バッファとすると、一
番上のパッド11aは、これら二つのI/O13c、1
3dのための入出力パッドとして機能する。
【0010】次に、2番目のパッド11bは、第3配線
群18の2番目の線18b、2個の層間コンタクト19
b、19a、及び、第2配線群17の2番目の線17b
を介して2番目のI/O13bに接続されているととも
に、さらに、1個の層間コンタクト19b、及び、第3
配線群18の一番下の線18dを介して一番下のパッド
11dにも接続されている。したがって、2番目のパッ
ド11bと一番下のパッド11dは、2番目のI/O1
3bの兼用パッドとして機能する。
【0011】次に、3番目のパッド11cは、第3配線
群18の3番目の線18c、2個の層間コンタクト19
b、19a、及び、第2配線群17の1番上の線17a
を介して一番上のI/O13aに接続されている。した
がって、3番目のパッド11cは、一番上のI/O13
aの専用パッドとして機能する。このように本実施例で
は、第1配線群19〜第3配線群18の各交差点に選択
的に層間コンタクト19a、19bを配置するだけで、
I/O13の並び順に拘わらず、各パッド11とI/O
13との間の接続関係を自由に設定できるという格別有
利な作用が得られる。したがって、チップとパッケージ
の組み合わせに自在性を持たせることができ、例えば、
一つのチップ上に複数の機能回路を形成し、これらの機
能を選択して異なる種類のパッケージに搭載する場合
や、ボンディングを変更して別機能のLSIに見せかけ
る場合などに利用して好適な技術を提供できる。
【0012】なお、上記実施例では、第1配線群16
を、チップ10の4辺に設けられたI/O領域14を取
り囲むように連続的に形成している。これによれば、異
なる辺に位置するパッドとI/Oとの間も接続できるか
ら、最も自由度が高く好ましいが、同じ辺に位置するパ
ッドとI/Oとの間だけを接続するのであれば、図3の
ようにしてもよい。すなわち、チップ10′各辺ごとに
第1配線群16′、16′、16′、16′を分割して
設けてもよい。A部拡大図は上記実施例と共通の図2で
ある。
【0013】また、上記各実施例では、チップの4辺に
パッド領域とI/O領域を有する例を示したが、これに
限らない。1辺又は2辺若しくは3辺であってもよい。
さらに、上記各実施例では、ボンディングワイヤ法に適
用しているが、例えば、テープキャリヤ法にも適用でき
る。
【0014】
【発明の効果】本発明によれば、チップとパッケージの
組み合わせに自在性を持たせることができ、LSI設計
の自由度を向上できるという従来技術にはない格別有利
な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一実施例のチップ概略平面図である。
【図2】一実施例の要部拡大図である。
【図3】他の実施例のチップ概略平面図である。
【図4】パッケージを含む従来例のチップ概略平面図で
ある。
【符号の説明】
11:パッド 12:パッド領域 13:I/O 14:I/O領域 15:配線領域 16:第1配線群 17:第2配線群 18:第3配線群

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】チップ周辺部にI/O領域とパッド領域と
    を有する半導体集積回路装置において、前記I/O領域
    とパッド領域との間に配線領域を形成するとともに、該
    配線領域にチップの辺と平行な第1配線群を形成し、か
    つ、該第1配線群と各I/Oから延びる第2配線群との
    間及び該第1配線群と各パッドから延びる第3配線群と
    の間を選択的に接続することを特徴とする半導体集積回
    路装置。
JP7336400A 1995-12-25 1995-12-25 半導体集積回路装置 Withdrawn JPH09181183A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7336400A JPH09181183A (ja) 1995-12-25 1995-12-25 半導体集積回路装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7336400A JPH09181183A (ja) 1995-12-25 1995-12-25 半導体集積回路装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09181183A true JPH09181183A (ja) 1997-07-11

Family

ID=18298751

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7336400A Withdrawn JPH09181183A (ja) 1995-12-25 1995-12-25 半導体集積回路装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09181183A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6207980B1 (en) 1998-05-29 2001-03-27 Fujitsu Limited Layout method of a semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6207980B1 (en) 1998-05-29 2001-03-27 Fujitsu Limited Layout method of a semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6242814B1 (en) Universal I/O pad structure for in-line or staggered wire bonding or arrayed flip-chip assembly
US5164817A (en) Distributed clock tree scheme in semiconductor packages
JPH0927512A (ja) 半導体装置
JP2748319B2 (ja) マルチチップ・モジュールの設計方法及びこれにより設計されたモジュール
JP3679923B2 (ja) 半導体装置
JP2004031790A5 (ja)
JPH09181183A (ja) 半導体集積回路装置
JPH11121505A (ja) 半導体集積回路装置
JPH05243482A (ja) 半導体集積回路
JPH0329182B2 (ja)
JPS6150355A (ja) 半導体装置
JPH03261152A (ja) 半導体集積回路装置
JP2752262B2 (ja) 1チップlsiの製造方法
JPS60154644A (ja) 半導体装置
JPH04124844A (ja) 半導体装置のボンディングパッド電極の構造
JPH01145842A (ja) 半導体装置
JP4034120B2 (ja) 半導体装置
JPH0547995A (ja) マルチチツプモジユール
JPH06204393A (ja) 半導体装置
JPH08264673A (ja) 集積回路装置
JPH0774196A (ja) 半導体集積回路装置
JPH03180052A (ja) 半導体集積回路
JPH0621329A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH05226406A (ja) 半導体装置
JPS62224043A (ja) 半導体集積回路装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20030304