JPH09179525A - 容量性発光素子の駆動方法及び駆動装置 - Google Patents
容量性発光素子の駆動方法及び駆動装置Info
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- JPH09179525A JPH09179525A JP7339122A JP33912295A JPH09179525A JP H09179525 A JPH09179525 A JP H09179525A JP 7339122 A JP7339122 A JP 7339122A JP 33912295 A JP33912295 A JP 33912295A JP H09179525 A JPH09179525 A JP H09179525A
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- H05B44/00—Circuit arrangements for operating electroluminescent light sources
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 経時変化等による劣化に対処する。経時変化
による劣化等による発光強度の低下を防止する。構成の
簡素化及びコストの削減に寄与する。 【解決手段】 この装置は、第１及び第２電極を有する
容量性発光素子を点灯指令に応じて点灯駆動する。本装
置には、点灯指令の内容に対応する電圧エネルギーを保
持する蓄電手段たるコンデンサＣpwと、第１制御信号に
応答して蓄電手段の保持電圧エネルギーを双方向導通ス
イッチＱ１〜Ｑ４を介して電極Ａ−Ｂ間へ１の方向にお
いて印加しかつ第２制御信号に応答して蓄電手段により
保持された電圧エネルギーを双方向導通スイッチを介し
て同電極間へ他の方向において印加する回路（１１，Ｑ
５，Ｄｉ，…）と、第１制御信号と第２制御信号とを交
互に発生せしめる回路（１６，…）とが設けられる。
による劣化等による発光強度の低下を防止する。構成の
簡素化及びコストの削減に寄与する。 【解決手段】 この装置は、第１及び第２電極を有する
容量性発光素子を点灯指令に応じて点灯駆動する。本装
置には、点灯指令の内容に対応する電圧エネルギーを保
持する蓄電手段たるコンデンサＣpwと、第１制御信号に
応答して蓄電手段の保持電圧エネルギーを双方向導通ス
イッチＱ１〜Ｑ４を介して電極Ａ−Ｂ間へ１の方向にお
いて印加しかつ第２制御信号に応答して蓄電手段により
保持された電圧エネルギーを双方向導通スイッチを介し
て同電極間へ他の方向において印加する回路（１１，Ｑ
５，Ｄｉ，…）と、第１制御信号と第２制御信号とを交
互に発生せしめる回路（１６，…）とが設けられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示あるいは発光
システムにおける駆動方法及び駆動装置に関し、特にエ
レクトロルミネセンス素子（以下、ＥＬ素子と称する）
等の容量性の発光素子の駆動方法及び駆動装置に関す
る。
システムにおける駆動方法及び駆動装置に関し、特にエ
レクトロルミネセンス素子（以下、ＥＬ素子と称する）
等の容量性の発光素子の駆動方法及び駆動装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】容量性発光素子である例えばＥＬ素子を
交流の電圧源で駆動する技術が知られている。これによ
れば、かかる素子の電極間に順逆極性の一定電圧を交互
に印加することによって当該素子を発光させるようにし
ている。しかしながら、このような容量性の発光素子
は、経時変化による劣化によってその発光輝度ないしは
強度が低下してしまう。よってこの対策が望まれるとこ
ろである。
交流の電圧源で駆動する技術が知られている。これによ
れば、かかる素子の電極間に順逆極性の一定電圧を交互
に印加することによって当該素子を発光させるようにし
ている。しかしながら、このような容量性の発光素子
は、経時変化による劣化によってその発光輝度ないしは
強度が低下してしまう。よってこの対策が望まれるとこ
ろである。
【０００３】また、この種の素子を有する発光システや
表示システムないしは光学システムにおいては、いわゆ
る歩留まりの良さが要求される。つまり構成の簡素化や
コストの軽減も念頭に置かなければならない。
表示システムないしは光学システムにおいては、いわゆ
る歩留まりの良さが要求される。つまり構成の簡素化や
コストの軽減も念頭に置かなければならない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明の目的
は、経時変化等による劣化に対処することのできる容量
性発光素子の駆動方法及び駆動装置を提供することであ
る。また、本発明の目的は、経時変化による劣化等によ
る発光強度の低下を防止することのできる容量性発光素
子の駆動方法及び駆動装置を提供することである。さら
に、本発明は、簡単な構成でこれらの目的を達成し、コ
ストの削減に寄与し得る容量性発光素子の駆動方法及び
駆動装置を提供することを目的としている。
は、経時変化等による劣化に対処することのできる容量
性発光素子の駆動方法及び駆動装置を提供することであ
る。また、本発明の目的は、経時変化による劣化等によ
る発光強度の低下を防止することのできる容量性発光素
子の駆動方法及び駆動装置を提供することである。さら
に、本発明は、簡単な構成でこれらの目的を達成し、コ
ストの削減に寄与し得る容量性発光素子の駆動方法及び
駆動装置を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明による駆動方法
は、第１及び第２電極を有する容量性発光素子を点灯指
令に応じて点灯駆動する駆動方法であって、前記点灯指
令の内容に対応する電圧エネルギーを蓄電手段によって
保持する第１行程と、前記蓄電手段により保持された電
圧エネルギーを双方向導通スイッチを介して前記第１及
び第２電極間に対して交互に極性を反転しつつ供給する
第２行程とからなることを特徴としている。
は、第１及び第２電極を有する容量性発光素子を点灯指
令に応じて点灯駆動する駆動方法であって、前記点灯指
令の内容に対応する電圧エネルギーを蓄電手段によって
保持する第１行程と、前記蓄電手段により保持された電
圧エネルギーを双方向導通スイッチを介して前記第１及
び第２電極間に対して交互に極性を反転しつつ供給する
第２行程とからなることを特徴としている。
【０００６】本発明による駆動装置は、第１及び第２電
極を有する容量性発光素子を点灯指令に応じて点灯駆動
する駆動装置であって、前記点灯指令の内容に対応する
電圧エネルギーを保持する蓄電手段と、第１制御信号に
応答して前記蓄電手段により保持された電圧エネルギー
を双方向導通スイッチを介して前記第１及び第２電極間
へ１の方向において印加しかつ第２制御信号に応答して
前記蓄電手段により保持された電圧エネルギーを双方向
導通スイッチを介して前記第１及び第２電極間へ他の方
向において印加する印加手段と、前記第１制御信号と前
記第２制御信号とを交互に発生せしめる制御手段とを有
することを特徴としている。
極を有する容量性発光素子を点灯指令に応じて点灯駆動
する駆動装置であって、前記点灯指令の内容に対応する
電圧エネルギーを保持する蓄電手段と、第１制御信号に
応答して前記蓄電手段により保持された電圧エネルギー
を双方向導通スイッチを介して前記第１及び第２電極間
へ１の方向において印加しかつ第２制御信号に応答して
前記蓄電手段により保持された電圧エネルギーを双方向
導通スイッチを介して前記第１及び第２電極間へ他の方
向において印加する印加手段と、前記第１制御信号と前
記第２制御信号とを交互に発生せしめる制御手段とを有
することを特徴としている。
【０００７】
【作用】上記解決手段によれば、容量性発光素子の等価
容量の低下に応じて容量性発光素子への印加電圧が上昇
するので、印加電圧に対する容量性発光素子の駆動効率
の低下が補償される。
容量の低下に応じて容量性発光素子への印加電圧が上昇
するので、印加電圧に対する容量性発光素子の駆動効率
の低下が補償される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。図１は、本発明による駆動方法が適用された
表示システムの一実施例を示している。図１において、
容量性発光素子としてのＥＬ素子１０は、例えばカース
テレオなどの表示及び操作パネルに使用されるいわゆる
イルミネーションとして機能する。ＥＬ素子１０は、Ｍ
ＯＳトランジスタＱ１及びＱ２の共通接続点とＭＯＳト
ランジスタＱ３及びＱ４の共通接続点とに接続される。
より詳しくは、ＥＬ素子１０の一方の電極Ａは、トラン
ジスタＱ１のソースとトランジスタＱ２のドレインとの
接続点に接続され、他方の電極Ｂは、トランジスタＱ３
のソースとトランジスタＱ４のドレインとの接続点に接
続される。トランジスタＱ１及びＱ３のドレインには、
インダクタンス素子あるいは回路１１及びダイオードＤ
ｉを介し、レギュレータを含む電源モジュール１２によ
り発生された電圧がそれぞれ供給される。インダクタン
ス素子１１とダイオードＤｉとの接続点にはＭＯＳトラ
ンジスタＱ５のドレインが接続される。トランジスタＱ
５においては、ソースが接地されゲートに駆動回路１３
からの制御信号が供給される。駆動回路１３は、トラン
ジスタＱ５だけでなく、トランジスタＱ１〜Ｑ４のゲー
トにも、個別に制御信号を供給する。
説明する。図１は、本発明による駆動方法が適用された
表示システムの一実施例を示している。図１において、
容量性発光素子としてのＥＬ素子１０は、例えばカース
テレオなどの表示及び操作パネルに使用されるいわゆる
イルミネーションとして機能する。ＥＬ素子１０は、Ｍ
ＯＳトランジスタＱ１及びＱ２の共通接続点とＭＯＳト
ランジスタＱ３及びＱ４の共通接続点とに接続される。
より詳しくは、ＥＬ素子１０の一方の電極Ａは、トラン
ジスタＱ１のソースとトランジスタＱ２のドレインとの
接続点に接続され、他方の電極Ｂは、トランジスタＱ３
のソースとトランジスタＱ４のドレインとの接続点に接
続される。トランジスタＱ１及びＱ３のドレインには、
インダクタンス素子あるいは回路１１及びダイオードＤ
ｉを介し、レギュレータを含む電源モジュール１２によ
り発生された電圧がそれぞれ供給される。インダクタン
ス素子１１とダイオードＤｉとの接続点にはＭＯＳトラ
ンジスタＱ５のドレインが接続される。トランジスタＱ
５においては、ソースが接地されゲートに駆動回路１３
からの制御信号が供給される。駆動回路１３は、トラン
ジスタＱ５だけでなく、トランジスタＱ１〜Ｑ４のゲー
トにも、個別に制御信号を供給する。
【０００９】本実施例の特徴の１つとして、コンデンサ
ＣpwがダイオードＤｉのカソードにその一端が接続され
ている。コンデンサＣpwの他端は接地され、一端は、当
該コンデンサの充電及び放電状態を監視するための信号
線として電圧検知回路１４に導かれる。トランジスタＱ
１〜Ｑ４は、蓄電手段としてのコンデンサＣpwにより保
持された電圧エネルギーを交互に極性を反転させつつ電
極Ａ−Ｂ間に中継するための双方向導通スイッチを担
う。
ＣpwがダイオードＤｉのカソードにその一端が接続され
ている。コンデンサＣpwの他端は接地され、一端は、当
該コンデンサの充電及び放電状態を監視するための信号
線として電圧検知回路１４に導かれる。トランジスタＱ
１〜Ｑ４は、蓄電手段としてのコンデンサＣpwにより保
持された電圧エネルギーを交互に極性を反転させつつ電
極Ａ−Ｂ間に中継するための双方向導通スイッチを担
う。
【００１０】電圧検知回路１４には、かかる信号線によ
るコンデンサＣpwの両端電圧ＶCpwの他に、図示せぬシ
ステム制御回路からの点灯指令を担う輝度制御信号ＶC
が供給される。電圧検知回路１４は、これら電圧及び信
号に基づいてＰＷＭ（PulseWidth Modulation）回路１
５及びＥＬ制御回路１６への制御信号ＶS を発生する。
ＰＷＭ回路１５はさらに、クロック発生器１７により発
生された所定周波数の基準クロック信号ＣＬＫが供給さ
れ、このクロック信号ＣＬＫと制御信号ＶS とに基づい
てトランジスタＱ５を制御するためのＰＷＭ信号を生成
し、駆動回路１３に供給する。ＥＬ制御回路１６は、電
圧検知回路１４からの制御信号ＶS 及びクロック発生器
１７からのクロック信号に基づいてトランジスタＱ１〜
Ｑ４を制御するための信号を駆動回路１３に供給する。
るコンデンサＣpwの両端電圧ＶCpwの他に、図示せぬシ
ステム制御回路からの点灯指令を担う輝度制御信号ＶC
が供給される。電圧検知回路１４は、これら電圧及び信
号に基づいてＰＷＭ（PulseWidth Modulation）回路１
５及びＥＬ制御回路１６への制御信号ＶS を発生する。
ＰＷＭ回路１５はさらに、クロック発生器１７により発
生された所定周波数の基準クロック信号ＣＬＫが供給さ
れ、このクロック信号ＣＬＫと制御信号ＶS とに基づい
てトランジスタＱ５を制御するためのＰＷＭ信号を生成
し、駆動回路１３に供給する。ＥＬ制御回路１６は、電
圧検知回路１４からの制御信号ＶS 及びクロック発生器
１７からのクロック信号に基づいてトランジスタＱ１〜
Ｑ４を制御するための信号を駆動回路１３に供給する。
【００１１】駆動回路１３は、ＰＷＭ回路１５からのＰ
ＷＭ信号及びＥＬ制御回路１６からのＱ１−Ｑ４制御信
号に基づいて、各トランジスタのゲートに適する電圧ま
たは電流のゲート制御信号を、トランジスタ毎に供給す
る。次に、この表示システムの動作について説明する。
図２は、図１の各部動作波形を示すタイムチャートであ
り、図１で使用された符号及び信号名を対応する波形に
対して用いている。
ＷＭ信号及びＥＬ制御回路１６からのＱ１−Ｑ４制御信
号に基づいて、各トランジスタのゲートに適する電圧ま
たは電流のゲート制御信号を、トランジスタ毎に供給す
る。次に、この表示システムの動作について説明する。
図２は、図１の各部動作波形を示すタイムチャートであ
り、図１で使用された符号及び信号名を対応する波形に
対して用いている。
【００１２】図２においては、輝度制御信号ＶC がＥＬ
素子１０を高輝度すなわち明状態に指定するためのレベ
ル（低レベル）を保っている。この場合、電圧検知回路
１４は、コンデンサＣpwの電圧ＶCpw が輝度制御信号Ｖ
C の低レベルに対応する高レベルに達するまでは、制御
信号ＶS を高レベルに設定し、逆に、コンデンサＣpwの
電圧ＶCpw が輝度制御信号ＶC の低レベルに対応する高
レベルに達した後は、制御信号ＶS を低レベルに設定す
る。
素子１０を高輝度すなわち明状態に指定するためのレベ
ル（低レベル）を保っている。この場合、電圧検知回路
１４は、コンデンサＣpwの電圧ＶCpw が輝度制御信号Ｖ
C の低レベルに対応する高レベルに達するまでは、制御
信号ＶS を高レベルに設定し、逆に、コンデンサＣpwの
電圧ＶCpw が輝度制御信号ＶC の低レベルに対応する高
レベルに達した後は、制御信号ＶS を低レベルに設定す
る。
【００１３】ＰＷＭ回路１５は、クロック発生器１７か
らの脈動するクロック信号ＣＬＫのレベルが、制御信号
ＶS が示すレベルよりも大なるときはＰＷＭ信号を低レ
ベルとし、反面、制御信号ＶS が示すレベルよりも小な
るときはＰＷＭ信号を高レベルとする。制御信号ＶS が
示す高レベル及び低レベルは、クロック信号ＣＬＫの中
間値及び最小値を下回る値なので、ＰＷＭ信号は、制御
信号ＶS が高レベルの間、矩形波を示し、制御信号ＶS
が低レベルの間、低レベルを維持する。
らの脈動するクロック信号ＣＬＫのレベルが、制御信号
ＶS が示すレベルよりも大なるときはＰＷＭ信号を低レ
ベルとし、反面、制御信号ＶS が示すレベルよりも小な
るときはＰＷＭ信号を高レベルとする。制御信号ＶS が
示す高レベル及び低レベルは、クロック信号ＣＬＫの中
間値及び最小値を下回る値なので、ＰＷＭ信号は、制御
信号ＶS が高レベルの間、矩形波を示し、制御信号ＶS
が低レベルの間、低レベルを維持する。
【００１４】ＰＷＭ信号は、駆動回路１３を介してトラ
ンジスタＱ５を制御する。すなわち、駆動回路１３は、
ＰＷＭ信号の高レベルに応答してトランジスタＱ５をオ
ンとするゲート制御信号を発生し、ＰＷＭ信号の低レベ
ルに応答してトランジスタＱ５をオフとするゲート制御
信号を発生する。コンデンサＣpwは、トランジスタＱ５
のこのようなオンオフ動作に応じて充電される。詳述す
るに、トランジスタＱ５がオン状態にある間は、主とし
てインダクタンス素子１１及びトランジスタＱ５を通じ
て電源モジュール１２からの電流が流れる。トランジス
タＱ５がオフ状態にある間は、主としてインダクタンス
素子１１に蓄積したエネルギーによる逆起電力で発生す
る高電圧のエネルギーがダイオードＤｉを通じコンデン
サＣpwへ流れる。従ってトランジスタＱ５のオン状態か
らオフ状態への遷移においては、コンデンサＣpwの充電
が行われ、トランジスタＱ５のオフ状態においては、そ
の充電電圧が保持される。なお、トランジスタＱ５のオ
フからオンへの遷移における瞬間的なＶCpw の急上昇と
その上昇レベルからの下降（図２参照）は、過渡的現象
である。
ンジスタＱ５を制御する。すなわち、駆動回路１３は、
ＰＷＭ信号の高レベルに応答してトランジスタＱ５をオ
ンとするゲート制御信号を発生し、ＰＷＭ信号の低レベ
ルに応答してトランジスタＱ５をオフとするゲート制御
信号を発生する。コンデンサＣpwは、トランジスタＱ５
のこのようなオンオフ動作に応じて充電される。詳述す
るに、トランジスタＱ５がオン状態にある間は、主とし
てインダクタンス素子１１及びトランジスタＱ５を通じ
て電源モジュール１２からの電流が流れる。トランジス
タＱ５がオフ状態にある間は、主としてインダクタンス
素子１１に蓄積したエネルギーによる逆起電力で発生す
る高電圧のエネルギーがダイオードＤｉを通じコンデン
サＣpwへ流れる。従ってトランジスタＱ５のオン状態か
らオフ状態への遷移においては、コンデンサＣpwの充電
が行われ、トランジスタＱ５のオフ状態においては、そ
の充電電圧が保持される。なお、トランジスタＱ５のオ
フからオンへの遷移における瞬間的なＶCpw の急上昇と
その上昇レベルからの下降（図２参照）は、過渡的現象
である。
【００１５】図２に示されるように、時刻ｔ1 またはｔ
2 においては、電圧ＶCpw が輝度制御信号ＶC の低レベ
ル（ＥＬ素子の明状態）に対応する高レベルＶb に達す
るので、電圧検知回路１４及びＰＷＭ回路１５の協働に
よってＰＷＭ信号が低レベルを持続し、暫くコンデンサ
Ｃpwは充電動作が停止されそのＶb レベルを保持する。
2 においては、電圧ＶCpw が輝度制御信号ＶC の低レベ
ル（ＥＬ素子の明状態）に対応する高レベルＶb に達す
るので、電圧検知回路１４及びＰＷＭ回路１５の協働に
よってＰＷＭ信号が低レベルを持続し、暫くコンデンサ
Ｃpwは充電動作が停止されそのＶb レベルを保持する。
【００１６】時刻ｔ1 において、ＥＬ制御回路１６は、
電圧ＶCpw がＶb に達したことを電圧検知回路１４から
の制御信号ＶS の立ち下がりによって検知する。ＥＬ制
御回路１６は、この検知時点から、第１所定時間後にト
ランジスタＱ２をオンとするための制御信号、例えば４
ビットの（０１０１）を駆動回路１３に供給し、第２所
定時間後にトランジスタＱ３をオンとし、Ｑ４をオフと
するための制御信号、例えば（１０１０）を駆動回路１
３に供給する。コンデンサＣpwの電圧エネルギーをＥＬ
素子１０に対しＢ→Ａ方向に印加させるこれらトランジ
スタの制御信号は、第１制御信号に相当する。これによ
り、時刻ｔ11では、トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ
４がそれぞれオフ，オン，オン，オフとなり、コンデン
サＣpwが放電しそれまでの充電電圧がトランジスタＱ３
を通じてＥＬ素子１０の電極Ｂに印加される。つまり、
図１に点線の矢印で描いた如き方向（Ｂ→Ａ方向）の電
圧がＥＬ素子１０に印加されるのである。かかるコンデ
ンサＣpwの放電は、トランジスタＱ３のオン状態におい
て行われる。ＥＬ制御回路１６は、コンデンサＣpwの放
電の開始（時刻ｔ11）から所定の放電時間後にトランジ
スタＱ３をオンとするための制御信号を停止せしめる。
これによりトランジスタＱ３がオフとなると、トランジ
スタＱ３を通じたＥＬ素子１０への電圧の印加ができな
くなるとともに、電圧ＶCpwがコンデンサＣpwの放電に
よりＶb レベルを下回ったことにより電圧検知回路１４
は制御信号ＶS を高レベルに設定し直すこととなる。故
に再びＰＷＭ信号は矩形波を示し、コンデンサＣpwの充
電動作が再開される。
電圧ＶCpw がＶb に達したことを電圧検知回路１４から
の制御信号ＶS の立ち下がりによって検知する。ＥＬ制
御回路１６は、この検知時点から、第１所定時間後にト
ランジスタＱ２をオンとするための制御信号、例えば４
ビットの（０１０１）を駆動回路１３に供給し、第２所
定時間後にトランジスタＱ３をオンとし、Ｑ４をオフと
するための制御信号、例えば（１０１０）を駆動回路１
３に供給する。コンデンサＣpwの電圧エネルギーをＥＬ
素子１０に対しＢ→Ａ方向に印加させるこれらトランジ
スタの制御信号は、第１制御信号に相当する。これによ
り、時刻ｔ11では、トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ
４がそれぞれオフ，オン，オン，オフとなり、コンデン
サＣpwが放電しそれまでの充電電圧がトランジスタＱ３
を通じてＥＬ素子１０の電極Ｂに印加される。つまり、
図１に点線の矢印で描いた如き方向（Ｂ→Ａ方向）の電
圧がＥＬ素子１０に印加されるのである。かかるコンデ
ンサＣpwの放電は、トランジスタＱ３のオン状態におい
て行われる。ＥＬ制御回路１６は、コンデンサＣpwの放
電の開始（時刻ｔ11）から所定の放電時間後にトランジ
スタＱ３をオンとするための制御信号を停止せしめる。
これによりトランジスタＱ３がオフとなると、トランジ
スタＱ３を通じたＥＬ素子１０への電圧の印加ができな
くなるとともに、電圧ＶCpwがコンデンサＣpwの放電に
よりＶb レベルを下回ったことにより電圧検知回路１４
は制御信号ＶS を高レベルに設定し直すこととなる。故
に再びＰＷＭ信号は矩形波を示し、コンデンサＣpwの充
電動作が再開される。
【００１７】時刻ｔ2 においても、ＥＬ制御回路１６
は、電圧ＶCpw がＶb に達したことを電圧検知回路１４
からの制御信号ＶS の立ち下がりによって検知する。し
かしＥＬ制御回路１６は、この検知時点から、第１所定
時間後に今度はトランジスタＱ４をオンとするための制
御信号、例えば（０００１）を駆動回路１３に供給し、
第２所定時間後にトランジスタＱ１をオンとし、Ｑ２を
オフとするための制御信号、例えば（１０００）を駆動
回路１３に供給する。コンデンサＣpwの電圧エネルギー
をＥＬ素子１０に対しＡ→Ｂ方向に印加させるこれらト
ランジスタの制御信号は、第２制御信号に相当する。こ
れにより、時刻ｔ21では、トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ
３，Ｑ４がそれぞれオン，オフ，オフ，オンとなり、コ
ンデンサＣpwが放電しそれまでの充電電圧がトランジス
タＱ１を通じてＥＬ素子１０の電極Ａに印加される。つ
まり、図１に一点鎖線の矢印で描いた如き方向（Ａ→Ｂ
方向）の電圧がＥＬ素子１０に印加されるのである。か
かるコンデンサＣpwの放電は、トランジスタＱ１のオン
状態において行われる。ＥＬ制御回路１６は、コンデン
サＣpwの放電の開始（時刻ｔ21）から所定の放電時間後
にトランジスタＱ１をオンとするための制御信号を停止
せしめる。そしてこれによりトランジスタＱ１がオフと
なると、トランジスタＱ１を通じたＥＬ素子１０への電
圧の印加ができなくなるとともに、電圧ＶCpwがコンデ
ンサＣpwの放電によりＶb レベルを下回ったことにより
電圧検知回路１４は制御信号ＶS を高レベルに設定し直
すこととなる。故に再びＰＷＭ信号は矩形波を示し、コ
ンデンサＣpwの充電動作が再開される。
は、電圧ＶCpw がＶb に達したことを電圧検知回路１４
からの制御信号ＶS の立ち下がりによって検知する。し
かしＥＬ制御回路１６は、この検知時点から、第１所定
時間後に今度はトランジスタＱ４をオンとするための制
御信号、例えば（０００１）を駆動回路１３に供給し、
第２所定時間後にトランジスタＱ１をオンとし、Ｑ２を
オフとするための制御信号、例えば（１０００）を駆動
回路１３に供給する。コンデンサＣpwの電圧エネルギー
をＥＬ素子１０に対しＡ→Ｂ方向に印加させるこれらト
ランジスタの制御信号は、第２制御信号に相当する。こ
れにより、時刻ｔ21では、トランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ
３，Ｑ４がそれぞれオン，オフ，オフ，オンとなり、コ
ンデンサＣpwが放電しそれまでの充電電圧がトランジス
タＱ１を通じてＥＬ素子１０の電極Ａに印加される。つ
まり、図１に一点鎖線の矢印で描いた如き方向（Ａ→Ｂ
方向）の電圧がＥＬ素子１０に印加されるのである。か
かるコンデンサＣpwの放電は、トランジスタＱ１のオン
状態において行われる。ＥＬ制御回路１６は、コンデン
サＣpwの放電の開始（時刻ｔ21）から所定の放電時間後
にトランジスタＱ１をオンとするための制御信号を停止
せしめる。そしてこれによりトランジスタＱ１がオフと
なると、トランジスタＱ１を通じたＥＬ素子１０への電
圧の印加ができなくなるとともに、電圧ＶCpwがコンデ
ンサＣpwの放電によりＶb レベルを下回ったことにより
電圧検知回路１４は制御信号ＶS を高レベルに設定し直
すこととなる。故に再びＰＷＭ信号は矩形波を示し、コ
ンデンサＣpwの充電動作が再開される。
【００１８】かくしてコンデンサＣpwは、Ｖb レベルに
充電される度に所定の時間Ｔ0 だけ放電されるととも
に、その放電電圧は、ＥＬ素子１０に対し、時刻ｔ11に
おけるが如きＢ→Ａ方向と時刻ｔ21におけるが如きＡ→
Ｂ方向とに交互に印加されるのである。図２は、輝度制
御信号ＶC が一定のレベル（ＥＬ素子の明状態に対応す
るレベル）を持続して動作している場合を示している
が、輝度制御信号ＶC が一方のレベルから他方のレベル
へと切り替わった場合の動作は、図３に示される。
充電される度に所定の時間Ｔ0 だけ放電されるととも
に、その放電電圧は、ＥＬ素子１０に対し、時刻ｔ11に
おけるが如きＢ→Ａ方向と時刻ｔ21におけるが如きＡ→
Ｂ方向とに交互に印加されるのである。図２は、輝度制
御信号ＶC が一定のレベル（ＥＬ素子の明状態に対応す
るレベル）を持続して動作している場合を示している
が、輝度制御信号ＶC が一方のレベルから他方のレベル
へと切り替わった場合の動作は、図３に示される。
【００１９】図３においては、かかる切り替わりの一例
として、時刻ｔn において輝度制御信号ＶC がＥＬ素子
の明状態に対応するレベルから暗状態に対応するレベル
（低レベル）Ｖd に変化した場合が示されている。電圧
検知回路１４は、時刻ｔn 以後、それまでのＶC レベル
に代えてＶd レベルを電圧ＶCpw と比較し、電圧ＶCpw
がＶd レベルに達したことを検知して制御信号ＶS を低
レベルに設定する。コンデンサＣpwの放電時間Ｔ0 は輝
度制御信号等に拘らず一定である。
として、時刻ｔn において輝度制御信号ＶC がＥＬ素子
の明状態に対応するレベルから暗状態に対応するレベル
（低レベル）Ｖd に変化した場合が示されている。電圧
検知回路１４は、時刻ｔn 以後、それまでのＶC レベル
に代えてＶd レベルを電圧ＶCpw と比較し、電圧ＶCpw
がＶd レベルに達したことを検知して制御信号ＶS を低
レベルに設定する。コンデンサＣpwの放電時間Ｔ0 は輝
度制御信号等に拘らず一定である。
【００２０】これにより、指定された輝度に対応するレ
ベルの電圧をコンデンサＣpwに充電させ、かつその電圧
をコンデンサＣpwからＥＬ素子１０へ放電させることが
できる。次に、本実施例においてコンデンサＣpwを設け
たことによる特有の作用効果につき、さらに詳しく説明
する。
ベルの電圧をコンデンサＣpwに充電させ、かつその電圧
をコンデンサＣpwからＥＬ素子１０へ放電させることが
できる。次に、本実施例においてコンデンサＣpwを設け
たことによる特有の作用効果につき、さらに詳しく説明
する。
【００２１】図４において、ＥＬ素子１０の電極Ａの電
位ＶA は、上述したＡ−Ｂ方向の放電タイミングで立ち
上がり、上述したＢ−Ａ方向の放電タイミングで立ち下
がる。逆に、ＥＬ素子１０の電極Ｂの電位ＶB は、上述
したＢ−Ａ方向の放電タイミングで立ち上がり、上述し
たＡ−Ｂ方向の放電タイミングで立ち下がる。従って電
位ＶA と電位ＶB とは、互いに逆極性で変化する関係
（逆相関係）を有する。また、Ｂ→Ａ方向の放電間隔と
Ａ→Ｂ方向の放電間隔とは互いに等しい。従って上記の
第１及び第２制御信号もこれらの関係に対応している。
電位ＶA ，ＶB が、ＥＬ素子１０の高輝度指定時に例え
ば２５０Ｖのピーク間電圧を有する矩形波であれば、Ｅ
Ｌ素子１０の電極間電圧ＶA-B は、最大値２５０Ｖ，最
小値−２５０Ｖの５００Ｖのピーク間電圧の矩形波とな
る。ＥＬ素子１０は、これらのピーク間電圧に応じた強
度（輝度）の発光をなす。
位ＶA は、上述したＡ−Ｂ方向の放電タイミングで立ち
上がり、上述したＢ−Ａ方向の放電タイミングで立ち下
がる。逆に、ＥＬ素子１０の電極Ｂの電位ＶB は、上述
したＢ−Ａ方向の放電タイミングで立ち上がり、上述し
たＡ−Ｂ方向の放電タイミングで立ち下がる。従って電
位ＶA と電位ＶB とは、互いに逆極性で変化する関係
（逆相関係）を有する。また、Ｂ→Ａ方向の放電間隔と
Ａ→Ｂ方向の放電間隔とは互いに等しい。従って上記の
第１及び第２制御信号もこれらの関係に対応している。
電位ＶA ，ＶB が、ＥＬ素子１０の高輝度指定時に例え
ば２５０Ｖのピーク間電圧を有する矩形波であれば、Ｅ
Ｌ素子１０の電極間電圧ＶA-B は、最大値２５０Ｖ，最
小値−２５０Ｖの５００Ｖのピーク間電圧の矩形波とな
る。ＥＬ素子１０は、これらのピーク間電圧に応じた強
度（輝度）の発光をなす。
【００２２】輝度制御信号ＶC が高レベルのとき、すな
わちＥＬ素子１０の低輝度指定もしくは滅灯指令時にお
いては、これらのピーク間電圧が小さくなる。これは、
上述したように、指定された輝度に対応するレベルの電
圧をコンデンサＣpwに充電させ、かつその電圧をコンデ
ンサＣpwから放電させているからである。図４の右方を
見ると、ＥＬ素子１０を長時間例えば１０００時間ほど
稼動させた際の様子が分かる。これによれば、電位ＶA
，ＶB 並びに電極間電圧ＶA-B のピーク間電圧は初期
のそれよりもそれぞれ大きくなっている。これは、ＥＬ
素子１０が劣化等により初期に比べてその発光効率（ピ
ーク間電圧に対する発光強度もしくは輝度）が下がった
ことに対処するためになされている。つまり、初期と同
じ発光強度を得るために、その発光強度の下がった分だ
けＥＬ素子１０の駆動レベルすなわち上記ピーク間電圧
を上げているのである。本実施例ではこれを手動による
調整（例えば電源モジュール１２の出力電圧値を当該モ
ジュールに備わる調節摘みで変えること）で行うことな
く、コンデンサＣpwを伴う構成により自動的にしかも正
確に行っている。
わちＥＬ素子１０の低輝度指定もしくは滅灯指令時にお
いては、これらのピーク間電圧が小さくなる。これは、
上述したように、指定された輝度に対応するレベルの電
圧をコンデンサＣpwに充電させ、かつその電圧をコンデ
ンサＣpwから放電させているからである。図４の右方を
見ると、ＥＬ素子１０を長時間例えば１０００時間ほど
稼動させた際の様子が分かる。これによれば、電位ＶA
，ＶB 並びに電極間電圧ＶA-B のピーク間電圧は初期
のそれよりもそれぞれ大きくなっている。これは、ＥＬ
素子１０が劣化等により初期に比べてその発光効率（ピ
ーク間電圧に対する発光強度もしくは輝度）が下がった
ことに対処するためになされている。つまり、初期と同
じ発光強度を得るために、その発光強度の下がった分だ
けＥＬ素子１０の駆動レベルすなわち上記ピーク間電圧
を上げているのである。本実施例ではこれを手動による
調整（例えば電源モジュール１２の出力電圧値を当該モ
ジュールに備わる調節摘みで変えること）で行うことな
く、コンデンサＣpwを伴う構成により自動的にしかも正
確に行っている。
【００２３】こうしたコンデンサＣpwを伴う構成による
作用は、次のように説明することができる。図５は、Ｅ
Ｌ素子１０とコンデンサＣpwとの関係を表す等価回路を
示しており、ＥＬ素子１０の等価容量ＣELの一端とコン
デンサＣpwの一端はスイッチＳを介して接続され、等価
容量ＣELの他端とコンデンサＣpwの他端は抵抗Ｒを介し
て接続される。図示の如くコンデンサＣpw，等価容量Ｃ
ELの電圧がＶ1 ，Ｖ2 であるとき、スイッチＳを閉じる
と、電荷量不変の理により、
作用は、次のように説明することができる。図５は、Ｅ
Ｌ素子１０とコンデンサＣpwとの関係を表す等価回路を
示しており、ＥＬ素子１０の等価容量ＣELの一端とコン
デンサＣpwの一端はスイッチＳを介して接続され、等価
容量ＣELの他端とコンデンサＣpwの他端は抵抗Ｒを介し
て接続される。図示の如くコンデンサＣpw，等価容量Ｃ
ELの電圧がＶ1 ，Ｖ2 であるとき、スイッチＳを閉じる
と、電荷量不変の理により、
【００２４】
【数１】 ｉ＝（Ｖ1−Ｖ2）（１／Ｒ）ｅｘｐ（−ｔ／ＲＣ） …（１）
【００２５】
【数２】 Ｃ＝ＣpwＣEL／（Ｃpw＋ＣEL） …（２）
【００２６】
【数３】
【００２７】
【数４】
【００２８】が成立する。
【００２９】但し、ｖCpwとｖCELは、それぞれスイッチ
Ｓの閉成後のＣpw，ＣELの過渡状態における電圧であ
り、Ｖ1 ，Ｖ2 と同じ方向である。スイッチＳの閉成
は、丁度、トランジスタＱ１またはＱ３がオンとなって
コンデンサＣpwの放電がなされる際（図２を参照すれば
時刻ｔ11 ，ｔ21からの所定の放電時間）に相当する。
また、Ｖ1 は放電直前のコンデンサＣpwの充電電圧に当
たる。
Ｓの閉成後のＣpw，ＣELの過渡状態における電圧であ
り、Ｖ1 ，Ｖ2 と同じ方向である。スイッチＳの閉成
は、丁度、トランジスタＱ１またはＱ３がオンとなって
コンデンサＣpwの放電がなされる際（図２を参照すれば
時刻ｔ11 ，ｔ21からの所定の放電時間）に相当する。
また、Ｖ1 は放電直前のコンデンサＣpwの充電電圧に当
たる。
【００３０】かくしてコンデンサＣpwの放電及びＥＬ素
子１０（等価容量ＣEL）の充電は、上式のような過渡特
性に従うが、要するにＥＬ素子１０は自己の容量とコン
デンサＣpwの容量とによって充電の際の時定数が決ま
る。初期の、ＥＬ素子１０の劣化がない状態では、当該
ＥＬ素子の容量は比較的大きく、従ってかかる充電時定
数も大きいので、ＥＬ素子１０の充電電圧は、大略、図
６の実線ｖCEL0に示されるように、充電の開始（ｔ＝
０）から所定の充電時間（コンデンサＣpwの放電時間）
Ｔ0 が経過した時点で比較的小なる電圧Ｖ0 を示す緩や
かな充電曲線を描く。ところがその後ＥＬ素子１０が劣
化すると、当該ＥＬ素子の容量は初期よりも小さくな
り、かかる充電時定数も小さくなる。故にＥＬ素子１０
の充電電圧は、図６の一点鎖線ｖCELnに示されるよう
に、充電の開始から初期のそれと同じ充電時間Ｔ0 が経
過した時点で電圧Ｖ0 よりも大きいＶn を示す、より急
峻な充電曲線を描く。
子１０（等価容量ＣEL）の充電は、上式のような過渡特
性に従うが、要するにＥＬ素子１０は自己の容量とコン
デンサＣpwの容量とによって充電の際の時定数が決ま
る。初期の、ＥＬ素子１０の劣化がない状態では、当該
ＥＬ素子の容量は比較的大きく、従ってかかる充電時定
数も大きいので、ＥＬ素子１０の充電電圧は、大略、図
６の実線ｖCEL0に示されるように、充電の開始（ｔ＝
０）から所定の充電時間（コンデンサＣpwの放電時間）
Ｔ0 が経過した時点で比較的小なる電圧Ｖ0 を示す緩や
かな充電曲線を描く。ところがその後ＥＬ素子１０が劣
化すると、当該ＥＬ素子の容量は初期よりも小さくな
り、かかる充電時定数も小さくなる。故にＥＬ素子１０
の充電電圧は、図６の一点鎖線ｖCELnに示されるよう
に、充電の開始から初期のそれと同じ充電時間Ｔ0 が経
過した時点で電圧Ｖ0 よりも大きいＶn を示す、より急
峻な充電曲線を描く。
【００３１】すなわち、ＥＬ素子１０に対し図５の如き
コンデンサＣpwの構成を施すことにより、ＥＬ素子１０
が劣化すると充電電圧の上昇率を上げることができ、も
ってＥＬ素子１０に対し初期よりも大きな電圧を印加し
たのと等価な作用を実現している。そして、同じ所定時
間Ｔ0 経過時点において、初期の電圧Ｖ0 よりも大なる
電圧Ｖn がＥＬ素子１０を駆動することにより、発光効
率が落ちた分を補償し、初期と同じ輝度を維持している
のである。
コンデンサＣpwの構成を施すことにより、ＥＬ素子１０
が劣化すると充電電圧の上昇率を上げることができ、も
ってＥＬ素子１０に対し初期よりも大きな電圧を印加し
たのと等価な作用を実現している。そして、同じ所定時
間Ｔ0 経過時点において、初期の電圧Ｖ0 よりも大なる
電圧Ｖn がＥＬ素子１０を駆動することにより、発光効
率が落ちた分を補償し、初期と同じ輝度を維持している
のである。
【００３２】なお、初期と同じ輝度を維持するために
は、初期と同じレベルの充電電圧（Ｖb またはＶd ）を
コンデンサＣpwにおいて維持する必要がある。また、充
電時定数の減少によりＥＬ素子１０の充電電圧の上昇率
が上がることは、放電時定数の減少によりコンデンサＣ
pwの放電電圧の減少率が上がることと表裏の関係にあ
る。図６において、実線ｖCpw0は初期のコンデンサＣpw
の放電電圧であり、一点鎖線ｖCpwnはＥＬ素子の劣化後
のコンデンサＣpwの放電電圧を示している。さらに注記
すると、コンデンサＣpwからＥＬ素子１０への放電に余
裕を持たせるためには、コンデンサＣpwの容量をＥＬ素
子１０の等価容量よりも大きくすることが望ましい。よ
り好ましくは、コンデンサＣpwの容量をＥＬ素子１０の
等価容量の２倍から３倍程度にすると良い。また、ＥＬ
素子１０の劣化に対するより精確な補償をなすために
は、当該素子の等価容量の低下だけでなく、等価抵抗の
上昇をも考慮に入れる必要がある。
は、初期と同じレベルの充電電圧（Ｖb またはＶd ）を
コンデンサＣpwにおいて維持する必要がある。また、充
電時定数の減少によりＥＬ素子１０の充電電圧の上昇率
が上がることは、放電時定数の減少によりコンデンサＣ
pwの放電電圧の減少率が上がることと表裏の関係にあ
る。図６において、実線ｖCpw0は初期のコンデンサＣpw
の放電電圧であり、一点鎖線ｖCpwnはＥＬ素子の劣化後
のコンデンサＣpwの放電電圧を示している。さらに注記
すると、コンデンサＣpwからＥＬ素子１０への放電に余
裕を持たせるためには、コンデンサＣpwの容量をＥＬ素
子１０の等価容量よりも大きくすることが望ましい。よ
り好ましくは、コンデンサＣpwの容量をＥＬ素子１０の
等価容量の２倍から３倍程度にすると良い。また、ＥＬ
素子１０の劣化に対するより精確な補償をなすために
は、当該素子の等価容量の低下だけでなく、等価抵抗の
上昇をも考慮に入れる必要がある。
【００３３】かくして、本実施例においては、コンデン
サＣpwを伴う構成によりＥＬ素子１０の劣化補償を自動
的にしかも正確に行っているし、非常に簡素でもある。
よってコストの低減並びに歩留まりの向上に寄与するこ
とになる。なお、これまでの説明では、カーステレオの
イルミネーションを担う表示システムを例に挙げたが、
本発明はこれに限らず、他のシステムにも適用可能であ
ることは勿論である。
サＣpwを伴う構成によりＥＬ素子１０の劣化補償を自動
的にしかも正確に行っているし、非常に簡素でもある。
よってコストの低減並びに歩留まりの向上に寄与するこ
とになる。なお、これまでの説明では、カーステレオの
イルミネーションを担う表示システムを例に挙げたが、
本発明はこれに限らず、他のシステムにも適用可能であ
ることは勿論である。
【００３４】さらに、上記実施例ではＥＬ素子のみ挙げ
たが、基本的には、ＥＬ素子に代わる他の容量性発光素
子に対しても適用することができる。このように、本発
明は、上記実施例の各構成要素に限定されることなく、
当業者による設計範囲において適宜改変可能である。
たが、基本的には、ＥＬ素子に代わる他の容量性発光素
子に対しても適用することができる。このように、本発
明は、上記実施例の各構成要素に限定されることなく、
当業者による設計範囲において適宜改変可能である。
【００３５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
容量性発光素子の等価容量の低下に応じて容量性発光素
子への印加電圧が上昇するので、印加電圧に対する容量
性発光素子の駆動効率の低下が補償されるので、極めて
良好にして容量性発光素子の経時変化等による劣化に対
処することができる。
容量性発光素子の等価容量の低下に応じて容量性発光素
子への印加電圧が上昇するので、印加電圧に対する容量
性発光素子の駆動効率の低下が補償されるので、極めて
良好にして容量性発光素子の経時変化等による劣化に対
処することができる。
【図１】 本発明による駆動方法が適用された表示シス
テムの構成を示すブロック図。
テムの構成を示すブロック図。
【図２】 図１の表示システムにおける輝度制御を固定
した場合の各部動作波形を示すタイムチャート。
した場合の各部動作波形を示すタイムチャート。
【図３】 図１の表示システムにおける輝度制御を切り
換えた場合の各部動作波形を示すタイムチャート。
換えた場合の各部動作波形を示すタイムチャート。
【図４】 図１の表示システムにおけるＥＬ素子への電
圧印加の様子を示す波形図。
圧印加の様子を示す波形図。
【図５】 図１の表示システムにおけるＥＬ素子とコン
デンサＣpwとの関係を示す等価回路図。
デンサＣpwとの関係を示す等価回路図。
【図６】 図１の表示システムにおけるコンデンサＣpw
の放電特性及びＥＬ素子の充電特性を示すグラフ。
の放電特性及びＥＬ素子の充電特性を示すグラフ。
１０ ＥＬ素子 １１ インダクタンス素子 １２ 電圧モジュール １３ 駆動回路 １４ 電圧検知回路 １５ ＰＷＭ回路 １６ ＥＬ制御回路 １７ エラー生成回路 Ｃpw コンデンサ Ｄｉ ダイオード Ｑ１〜Ｑ５ ＭＯＳトランジスタ Ａ，Ｂ 電極
Claims (7)
- 【請求項１】 第１及び第２電極を有する容量性発光素
子を点灯指令に応じて点灯駆動する駆動方法であって、 前記点灯指令の内容に対応する電圧エネルギーを蓄電手
段によって保持する第１行程と、 前記蓄電手段により保持された電圧エネルギーを双方向
導通スイッチを介して前記第１及び第２電極間に対して
交互に極性を反転しつつ供給する第２行程とからなるこ
とを特徴とする容量性発光素子の駆動方法。 - 【請求項２】 前記第２行程における電圧エネルギーの
反転供給は、デューティ比５０％の周期でなされること
を特徴とする請求項１記載の駆動方法。 - 【請求項３】 第１及び第２電極を有する容量性発光素
子を点灯指令に応じて点灯駆動する駆動装置であって、 前記点灯指令の内容に対応する電圧エネルギーを保持す
る蓄電手段と、第１制御信号に応答して前記蓄電手段に
より保持された電圧エネルギーを双方向導通スイッチを
介して前記第１及び第２電極間へ１の方向において印加
しかつ第２制御信号に応答して前記蓄電手段により保持
された電圧エネルギーを双方向導通スイッチを介して前
記第１及び第２電極間へ他の方向において印加する印加
手段と、前記第１制御信号と前記第２制御信号とを交互
に発生せしめる制御手段とを有することを特徴とする容
量性発光素子の駆動装置。 - 【請求項４】 前記蓄電手段は、コンデンサとこのコン
デンサを前記点灯指令の内容に対応した電圧にまで充電
せしめる充電制御手段とを含み、前記印加手段は、第１
制御信号に応答して前記コンデンサの充電電圧を前記第
１及び第２電極間へ１の方向において印加しかつ第２制
御信号に応答して前記コンデンサの充電電圧を前記第１
及び第２電極間へ他の方向において印加することを特徴
とする請求項３記載の駆動装置。 - 【請求項５】 前記印加手段は、前記第１及び第２制御
信号の周期は互いに等しくかつ位相が互いに逆相である
ことを特徴とする請求項４記載の駆動装置。 - 【請求項６】 前記コンデンサは、前記容量性発光素子
の等価容量より大なる容量を有することを特徴とする請
求項４または５記載の駆動装置。 - 【請求項７】 前記容量性発光素子は、エレクトロルミ
ネセンス素子であることを特徴とする請求項３，４，５
または６記載の駆動装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7339122A JPH09179525A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 容量性発光素子の駆動方法及び駆動装置 |
| US08/754,479 US5982104A (en) | 1995-12-26 | 1996-11-22 | Driver for capacitive light-emitting device with degradation compensated brightness control |
| DE69634910T DE69634910T2 (de) | 1995-12-26 | 1996-11-26 | Verfahren und Vorrichtung zum Steuern einer kapazitiven Leuchtquelle |
| EP96308527A EP0782373B1 (en) | 1995-12-26 | 1996-11-26 | Method and apparatus for driving capacitive light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7339122A JPH09179525A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 容量性発光素子の駆動方法及び駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09179525A true JPH09179525A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18324461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7339122A Pending JPH09179525A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 容量性発光素子の駆動方法及び駆動装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5982104A (ja) |
| EP (1) | EP0782373B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09179525A (ja) |
| DE (1) | DE69634910T2 (ja) |
Families Citing this family (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6038153A (en) * | 1997-06-09 | 2000-03-14 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Inverter circuit for illuminating an electroluminescent lamp |
| JP3775628B2 (ja) * | 1998-03-19 | 2006-05-17 | パイオニア株式会社 | 電荷蓄積性発光素子の駆動装置及び駆動方法 |
| US6157138A (en) * | 1998-12-31 | 2000-12-05 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson | Apparatus for illuminating an electroluminescent lamp that preserves battery power |
| JP2001013903A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Seiko Instruments Inc | 自発光表示素子駆動装置 |
| US6376934B1 (en) | 1999-08-18 | 2002-04-23 | Sipex Corporation | Voltage waveform generator |
| GB2372647B (en) * | 2001-02-26 | 2005-06-29 | Cambridge Consultants | Electronic circuits |
| CA2443206A1 (en) | 2003-09-23 | 2005-03-23 | Ignis Innovation Inc. | Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation |
| US20050248515A1 (en) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Naugler W E Jr | Stabilized active matrix emissive display |
| CA2472671A1 (en) | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Ignis Innovation Inc. | Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays |
| US10013907B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
| US8599191B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-12-03 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US9275579B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-01 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US9171500B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-10-27 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays |
| US9799246B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-10-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| KR20070101275A (ko) | 2004-12-15 | 2007-10-16 | 이그니스 이노베이션 인크. | 발광 소자를 프로그래밍하고, 교정하고, 구동시키기 위한방법 및 시스템 |
| US20140111567A1 (en) | 2005-04-12 | 2014-04-24 | Ignis Innovation Inc. | System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays |
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