JPH09167747A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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Publication number
JPH09167747A
JPH09167747A JP32553995A JP32553995A JPH09167747A JP H09167747 A JPH09167747 A JP H09167747A JP 32553995 A JP32553995 A JP 32553995A JP 32553995 A JP32553995 A JP 32553995A JP H09167747 A JPH09167747 A JP H09167747A
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JP
Japan
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substrate
processing
liquid
disk
treatment
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Application number
JP32553995A
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English (en)
Inventor
Satoru Tanaka
悟 田中
Kazuo Kise
一夫 木瀬
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の表面に損傷を与えることは全くなく、
パーティクルの付着が起こらない状態で処理液による基
板処理を確実に施すことができるようにする。 【解決手段】 基板Bを回転させながら基板Bの表面に
処理液を供給して処理する基板処理装置1であって、基
板Bをずれないように支持する基板支持手段2と、基板
支持手段2に支持された基板Bの中心回りに基板支持手
段2を回転させる回転手段3と、基板支持手段2に固定
された基板Bの表面に処理液を供給する処理液供給手段
5と、回転手段3の作動によって回転している基板Bの
表面に供給された処理液による処理を施す基板表面処理
手段4とが備えられ、基板表面処理手段4は、対向面が
基板Bの表面に対して僅かな距離だけ離間した状態で回
転する処理円盤46を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体や液晶など
の基板を回転させながら、その表面に供給された処理液
によって基板の表面に洗浄処理や現像処理を施すための
基板処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、例えば現像装置、エッチング装
置、あるいは剥離装置などの処理操作装置が組み合わさ
れて構成された半導体や液晶などの基板を製造する基板
製造装置が知られている。かかる基板製造装置にあって
は、上記各単位処理装置で所定の処理液が供給され、こ
の処理液によって基板に所定の処理が施されるようにな
っている。従って、基板が上流側の装置から下流側の装
置に引き渡されるに際し、あるいは基板の最終仕上げに
際し、先の処理で使用された処理液が基板に残留しない
ようにするとともに、基板そのものを清浄化する必要が
あり、このために基板製造装置の適所に基板処理装置の
一種である洗浄装置が設けられている。
【0003】かかる洗浄装置としては、搬送中の基板の
表面に処理液としての洗浄液を供給するだけに留めたも
のや、高速回転させた基板の表面に洗浄液を供給し、遠
心力で洗浄液を飛散させるようにしたもの、基板に洗浄
液を供給しつつその表面をブラシなどの洗浄治具を用い
て払拭洗浄(ブラッシング)するようにしたもの等が知
られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のブラ
ッシング方式では、基板の表面にブラシの毛が直接接触
するため、表面に傷が付いたり、ブラシの毛の摩耗によ
って生じたパーティクルが表面に付着することがあると
いう問題点を有している。
【0005】また、処理装置が現像装置の場合は、通常
ブラッシングは行われず、搬送中や高速回転中の基板に
処理液(現像液)が垂らされるのみの処理が施される
が、このような処理では処理液を基板の表面の細部にま
で確実に供給し得ないことがあるという問題点を有して
いる。
【0006】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたものであり、基板の表面に損傷を与える
ことは全くなく、パーティクルの付着が起こらない状態
で処理液による基板処理を確実に施すことができる基板
処理装置を提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
基板を回転させながら基板の表面に処理液を供給して処
理する基板処理装置であって、回転可能に構成され、か
つ、基板の表面を露出させた状態で基板を支持する基板
支持手段と、上記基板支持手段を回転させる回転手段
と、上記基板支持手段に支持された基板の表面に処理液
を供給する処理液供給手段と、基板に供給された処理液
によって回転中の基板の表面に所定の処理を施す基板表
面処理手段とが備えられ、上記基板表面処理手段は、対
向面が基板の表面に対して僅かな距離だけ離間した状態
で回転する処理円盤を備えていることを特徴とするもの
である。
【0008】この発明によれば、回転手段の作動により
回転している基板支持手段に支持された基板の表面に、
処理液供給手段からの処理液を供給しつつ、僅かな隙間
で基板の表面に対向させた処理円盤を回転させることに
より、処理円盤と基板の表面との間に入り込んだ処理液
は、処理円盤の底面と基板の表面との間で液の粘性によ
って練られた状態になるとともに、遠心力で処理円盤の
径方向に移動し、これらの強い液流によって基板の表面
は確実に処理される。
【0009】そして、処理円盤の径を相当の大きさにし
ておくことにより、基板の回転によって表面の全面が処
理される。
【0010】請求項2記載の発明は、請求項1記載の発
明において、上記処理円盤は、基板の表面に対して直交
する方向に揺動するように構成されていることを特徴と
するものである。
【0011】この発明によれば、処理円盤の上下方向の
揺動により、処理円盤の底面と基板の表面との間の間隔
が変化するため、両者の隙間に存在する処理液流の状態
が変化し、この液流の変化によって基板表面上がより確
実に処理される。
【0012】請求項3記載の発明は、請求項1または2
記載の基板処理装置において、上記処理円盤は、基板の
表面に対して平行な方向に移動し得るように構成されて
いることを特徴とするものである。
【0013】この発明によれば、基板の寸法に対して処
理円盤の寸法が相当小さくても、処理円盤を、回転しい
ている基板の表面を走査するように平行に移動させるこ
とにより、基板の表面全面が処理される。
【0014】請求項4記載の発明は、請求項1乃至3の
いずれかに記載の発明において、上記処理円盤が、その
中心部分に処理液を吐出する吐出口を有しているととも
に、上記処理液供給手段が、処理液を上記吐出口から基
盤の表面に向けて吐出するように構成されていることを
特徴とするものである。
【0015】この発明によれば、処理円盤に設けられた
吐出口からの処理液の吐出によって、常に新しい処理液
が処理円盤と基板の表面との間に供給されるとともに、
吐出口からの処理液の吐出速度が処理円盤の回転による
液流の速度に加えられ、処理円盤と基板の表面との間の
液流がより速くなることにより、処理液による基板の処
理がより確実に行われるようになる。
【0016】
【発明の実施の形態】図1は、本発明に係る基板処理装
置1の一実施形態を示す一部切欠き斜視図であり、図2
は、図1に示す基板処理装置1のA−A線断面図であ
る。なお、図1においては、図2に示した外側フード7
8を省略して描いている。これらの図においては、基板
処理装置1は液晶表示装置用の基板Bの表面を、純水
(処理液)で洗浄処理するためのものを示している。基
板処理装置1は、矩形状の基板Bを支持する基板支持手
段2と、上記基板支持手段2に支持された基板Bの中心
回りに上記基板支持手段2を回転させる回転手段3と、
上記基板支持手段2に支持された基板Bの表面に処理液
を供給する処理液供給手段5と、基板Bの表面に供給さ
れた処理液による処理を施す基盤表面処理手段4とが備
えられて形成されている。
【0017】かかる基板処理装置1は、基台T(図2)
上に立設された円筒支柱6に支持されている。この円筒
支柱6は、上下方向に延びる円形の嵌装孔60の穿設さ
れた円筒支柱本体61と、この円筒支柱本体61の下部
に形成されたフランジ部62とから形成されている。一
方基台Tには円筒支柱本体61の外径寸法よりも若干大
きい径を有する装着孔T1が穿設され、この装着孔T1
に円筒支柱本体61のフランジ部62よりも下部の部分
が嵌め込まれ、この状態でフランジ部62と基台Tとが
ボルト止めされることにより円筒支柱6が基台Tに固定
されている。
【0018】上記基板支持手段2は、板状で円形の回転
基盤21、この回転基盤21の上部に一体に設けられた
板状で円形の整流板22、および回転基盤21の中心部
分に同心で設けられたバキュームチャック23とから形
成されている。上記回転基盤21と整流板22との間に
は、これらの周縁部に沿うように筒状スペーサー24が
等ピッチで配設され、この筒状スペーサー24を通して
ネジ止めされることにより回転基盤21と整流板22と
が一体に固定されている。また、上記整流板22には、
中央部分に基板Bを嵌め込む基板装着口22aが設けら
れている。
【0019】上記バキュームチャック23は、内部が空
洞に形成されているとともに、上部には水平面が形成さ
れ、この水平面に多数の吸着孔23aが穿設されてい
る。そしてこのバキュームチャック23の水平面に、上
記基板装着口22aに装着された基板Bが載置された状
態で、基板Bの表面と整流板22の表面とが面一になる
ようにバキュームチャック23の高さ設定が行われてい
る。
【0020】そして、基板Bがバキュームチャック23
上に載置された状態で、バキュームチャック23の内部
の空間を減圧することにより、基板Bの裏面がバキュー
ムチャック23の表面に吸着され、これによって基板B
の基板装着口22aへの装着状態が安定するようになっ
ている。
【0021】上記回転手段3は、駆動モータや駆動力伝
達手段等を組み合わせて形成された回転駆動機構31
と、この回転駆動機構31に接続された垂直回転軸32
とを備えて形成されている。上記垂直回転軸32は、円
筒支柱6の嵌装孔60の内径よりも若干小さい外径を有
し、嵌装孔60内に嵌装可能になっている。そして、垂
直回転軸32が嵌装孔60に嵌装された状態でそれらの
間には上下にベアリング33が介設され、これによって
垂直回転軸32は嵌装孔60内において円筒支柱本体6
1に支持された状態で自軸心回りに回転可能になってい
る。
【0022】かかる垂直回転軸32の頂部には、上記バ
キュームチャック23が同心で一体に固定されている。
従って、回転駆動機構31の駆動によって垂直回転軸3
2を回転させると、この回転はバキュームチャック23
を介して回転基盤21および整流板22に伝達され、基
板装着口22aに装着されている基板Bも回転するよう
になっている。
【0023】そして、垂直回転軸32には、軸心部分に
上下方向に延びる吸引通路32a(図2)が設けられ、
この吸引通路32aは真空ポンプ34に接続されてい
る。従って、基板支持手段2のバキュームチャック23
上に基板Bが載置された状態で真空ポンプ34を駆動さ
せることにより、バキュームチャック23の空洞内が減
圧され、これによって基板Bは吸着孔23aに向かって
吸引され、バキュームチャック23に吸着された状態に
なる。
【0024】また、上記基板支持手段2の周りには、図
2に示すように、基板支持手段2を囲繞するように集液
排気手段7が設けられている。この集液排気手段7は、
基板表面処理手段4から基板B上に供給された処理液を
捕捉して回収するためのものであり、環状の底部71
a、およびこの底部71aの周縁部から基板支持手段2
を包囲するように立設された環状壁71bを有する集液
フード71と、集液フード71の底部71aに上端部が
接続された複数の連絡管72と、各連絡管72の下端部
が接続された環状の集液ダクト73と、この集液ダクト
73に接続された集液装置74とを備えている。
【0025】上記環状壁71bの上縁部は中心方向に向
けて湾曲され、これによって基板支持手段2の回転によ
る遠心力によって整流板22の径方向に外方に向かって
飛散する処理液が確実に捕捉され、かつ処理液の跳ね返
り分が集液フード71の外部に飛び出さないようにして
いる。
【0026】集液フード71の底部71aには、中心部
分に上記垂直回転軸32を貫通させ得る貫通孔が穿設さ
れており、この貫通孔に垂直回転軸32を嵌入した状態
で貫通孔の縁部が垂直回転軸32の頂部にボルト止めで
固定され、これによって集液フード71が基板支持手段
2の周りに取り付けられた状態になっている。
【0027】集液装置74は、気液分離装置であるエリ
ミネータ74aと、吸引ブロワー74bとが直列で配設
されて形成されている。そして、吸引ブロワー74bを
駆動させることにより、基板表面処理手段4から供給さ
れ、基板Bの回転によって遠心力で整流板22の径方向
に飛ばされた処理液は、集液フード71の環状壁71b
で捕捉され、内に向かう気流に伴われて連絡管72およ
び集液ダクト73を通ってエリミネータ74aに導入さ
れ、ここでの気液分離処理により除去されるようになっ
ている。処理液が除去された後の気流は、吸引ブロワー
74bを通って系外に排出される。
【0028】また、集液フード71内にはその底部71
a上に垂直回転軸32の上部を囲繞するように環状壁部
材75が設けられ、この環状壁部材75の外周面75a
と集液フード71の内周面との間に環状の気流通路が形
成されるようにしている。また、環状壁部材75の内周
面75bと垂直回転軸32との間には環状の傘部材76
が介設され、この傘部材76によって上部から落下した
処理液の嵌装孔60への侵入を防止するようにしてい
る。
【0029】また、環状壁部材75の内周面75bと傘
部材76の外周面との間に形成された空間は、接続管7
7によって上記連絡管72内と連通され、これによって
上記空間に入り込んだ処理液はこの接続管77を通って
連絡管72内に導出されるようにしている。
【0030】また、集液フード71の外周には、さらに
集液フード71を囲繞するように外側フード78が設け
られ、この外側フード78によって集液フード71の外
部に飛び出した処理液を捕捉し、その底部に設けられた
接続管79を通して連絡管72内に導出するようにして
いる。
【0031】そして、上記基板表面処理手段4は、外側
フード78内であって集液フード71に隣接するように
設けられている。図3は、基板表面処理手段4の一実施
形態を示す一部切欠き斜視図であり、図4は、図3のB
−B線断面図である。まず図3に示すように、基板表面
処理手段4は、支持枠体40、この支持枠体40に設け
られた駆動機構41、この駆動機構41の駆動によって
所定の動作を行う駆動アーム45、この駆動アーム45
の先端に設けられた処理円盤46、および処理円盤46
を介して基板Bの表面に処理液を供給する処理液源5a
とを備えて形成されている。
【0032】上記支持枠体40は、底板40aに天井板
40bが4本の支柱40cを介して支持された直方体状
に形成されている。この支持枠体40は、後方(図3の
右方)において底板40aおよび天井板40bに上下方
向で互いに対向した一対のガイド孔402を有してい
る。一方、基台T(図2)にはガイドロッド401が立
設され、このガイドロッド401に上記各ガイド孔40
2が摺接状態で外嵌され、これによって支持枠体40は
ガイドロッド401に案内されつつ上下動可能になって
いる。また、底板40aおよび天井板40bの略中央部
には、上下一対のネジ孔403が螺設されているととも
に、天井板40bの前方に円形の装着孔404が穿設さ
れている。
【0033】上記駆動機構41は、昇降手段42、アー
ム旋回手段43および円盤回転手段44とからなってい
る。昇降手段42は、支持枠体40を昇降させるための
ものであり、基台T上に縦置きで据え付けられた第1駆
動モータ42a、およびこの第1駆動モータ42aの駆
動軸に同心で接続されたスクリュー軸42bとを備えて
いる。スクリュー軸42bは、上記支持枠体40の底板
40aおよび天井板40bに螺設されたネジ孔403に
螺着されており、第1駆動モータ42aの駆動によるス
クリュー軸42bの正逆回転によって支持枠体40が昇
降するようになっている。
【0034】上記アーム旋回手段43は、支持枠体40
の底板40a上に縦置きで据え付けられた第2駆動モー
タ43a、この第2駆動モータ43aの駆動軸に設けら
れた駆動プーリー43b、上記天井板40bの装着孔4
04に嵌入されたアーム支持筒43c、このアーム支持
筒43cの下端部に設けられた従動プーリ43d、およ
びこの従動プーリ43dと上記駆動プーリー43bとの
間に張設された連絡ベルト43eを備えている。
【0035】上記アーム支持筒43cは、上下方向への
移動が規制された状態で天井板40bの装着孔404に
回転可能に嵌入されている。従って、第2駆動モータ4
3aを駆動することにより、その駆動回転は駆動プーリ
ー43b、連絡ベルト43eおよび従動プーリ43dを
介してアーム支持筒43cに伝達され、アーム支持筒4
3cは上下方向に延びる中心線回りに回転することにな
る。
【0036】上記円盤回転手段44は、アーム支持筒4
3cの直下の底板40a上に縦置きで据え付けられた第
3駆動モータ44a、この第3駆動モータ44aの駆動
軸に結合された垂直軸44b、この垂直軸44bの上端
部に設けられた駆動プーリー44c、後述する円盤支持
軸9に装着された従動プーリ44d、およびこの従動プ
ーリ44dと駆動プーリー44cとの間に張設された連
絡ワイヤ44eとを備えている。
【0037】上記垂直軸44bは、アーム支持筒43c
内を同心で上方に延設され、その上部がアーム支持筒4
3cの軸受部43gに軸支されているとともに、垂直軸
44bの軸受部43gより上方に突出した部分に上記駆
動プーリー44cが一体に取り付けられている。そし
て、第3駆動モータ44aの駆動によって、その駆動回
転が垂直軸44b、駆動プーリー44c、連絡ワイヤ4
4e、および従動プーリ44dを介して円盤支持軸9に
伝達されるようになっている。
【0038】上記駆動アーム45は、内部が空洞に形成
されたアーム本体45a、このアーム本体45aの基端
部に設けられた長手方向に直交する方向に開口を有する
接続部45b、およびアーム本体45aの先端部に形成
された円盤支持部45cとからなっている。
【0039】駆動アーム45の接続部45bの内周面に
は、上記アーム支持筒43cの雄ネジ部43fに対応し
た雌ネジが螺設され、この雌ネジを雄ネジ部43fに螺
合することによってアーム本体45aが水平方向に延び
るようにアーム支持筒43cに結合されるようになって
いる。また、上記円盤支持部45cの内底部には円盤支
持軸9を支持する軸受部45dが設けられている。この
軸受部45dの内周面と、円盤支持軸9の外周面との間
にはベアリング45eが介設されている。
【0040】上記処理円盤46は、その中心に上下方向
に貫通したネジ孔46aを有している。一方、上記円盤
支持軸9の下部には上記ネジ孔46aに対応した雄ネジ
が螺設されており、ネジ孔46aに円盤支持軸9を螺着
することによって処理円盤46が円盤支持軸9に取り付
けられるようになっている。この円盤支持軸9は、軸心
部分に上下方向に貫通した処理液通路91が設けられて
いるとともに、この処理液通路91の下端部に処理液吐
出ノズル92が形成され、この処理液吐出ノズル92の
吐出口から処理液が吐出されるようになっている。
【0041】上記処理液源5aは、処理液を密閉状態で
貯留する処理液槽51、この処理液槽51と上記円盤支
持軸9の処理液通路91との間を接続した処理液管路5
2を有している。この処理液槽51には、レギュレータ
54を介して高圧窒素が供給されるようになっており、
この高圧窒素の圧力で内部の処理液が処理液管路52を
通して導出されるようになっている。また、処理液管路
52には適所に開閉バルブ53が設けられ、この開閉バ
ルブ53の開閉操作で処理液槽51内の処理液の導出お
よび導出停止を行うようにしている。
【0042】上記処理液管路52は、その下流側が駆動
アーム45内に導かれ、下流端が円盤支持軸9の処理液
通路91の上方端に接続されている。具体的には、円盤
支持軸9は、その上方端にロータリージョイント93が
設けられ、処理液管路52からの処理液は、このロータ
リージョイント93を介して円盤支持軸9の処理液通路
91に供給されるようになっている。なお、ロータリー
ジョイント93は、円盤支持軸9の回転を許容した状態
で処理液管路52からの処理液を処理液通路91に供給
し得るものである。
【0043】図5は、処理円盤46を示す底面図であ
る。この図に示すように、処理円盤46の底面には、互
いに交差した複数条の線溝46bが凹設されている。回
転している処理円盤46の処理液吐出ノズル92から吐
出された処理液は、処理円盤46の底面と基板B(図
1)の表面との間において上記線溝46bに入り込み、
処理円盤46の高速回転によって水平方向に剪断され、
これによって強力な乱液流が発生し、基板Bの表面の処
理がより確実に行い得るようになっている。
【0044】因に、本実施形態においては、処理円盤4
6の回転数は略200〜500rpmに設定され、処理
液の吐出量は略2000cm3/minに設定されてい
る。そして、この処理液の吐出を略10秒間継続させる
ようにしている。また、円盤支持軸9の底面と基板Bの
表面との隙間寸法は、2〜3mmになるようにしてい
る。
【0045】以下本実施形態の動作について説明する。
まず、駆動アーム45が、図1に二点鎖線で示すよう
に、基板支持手段2の基板装着口22aに干渉しない収
納位置に位置された状態で、基板Bは、基板装着口22
aに装填され、ついで真空ポンプ34(図2)を駆動さ
せることによってバキュームチャック23に吸着された
状態にされる。
【0046】この状態で昇降手段42の第1駆動モータ
42aの駆動により支持枠体40を介して駆動アーム4
5を一旦上昇させ、処理円盤46が集液フード71の環
状壁71b上縁部に干渉しないようにする。ついでアー
ム旋回手段43の第2駆動モータ43aの駆動によって
駆動アーム45をアーム支持筒43c回りに共回りさ
せ、その円盤支持部45cを基板Bの略中央部に位置さ
せた後、再度第1駆動モータ42aを駆動することによ
って駆動アーム45を下降させ、円盤支持軸9の底面と
基板Bの表面との隙間寸法が2〜3mmになった時点で
駆動アーム45の下降を停止する。かかる初期操作で図
1に実線で示すように基板処理の準備段階が完了する。
【0047】ついで、回転駆動機構31を駆動して垂直
回転軸32を略200〜2000rpmで回転させると
同時に、第3駆動モータ44aを駆動して垂直軸44
b、駆動プーリー44c、連絡ワイヤ44eおよび従動
プーリ44dを介して処理円盤46を回転(略200〜
500rpm)させるとともに、処理液管路52の開閉
バルブ53を開弁する。合わせて第2駆動モータ43a
を所定タイミング毎に正逆駆動し、円盤支持軸9が整流
板22上を横断するように略150mm/secの速度
で往復動させる。
【0048】こうすることにより、処理液槽51からの
処理液が処理液管路52を通って円盤支持軸9の中心に
設けられた処理液吐出ノズル92から、回転している円
盤支持軸9の底面と基板Bの表面との間の僅かな隙間
(2〜3mm)に吐出される。
【0049】そして、処理液吐出ノズル92から吐出さ
れた処理液は、図6に示すように、処理円盤46の高速
回転によって(図6に示す例では、白抜き矢印に示すよ
うに処理円盤46は円盤支持軸9回りに時計方向に回転
している)径が漸増し、かつ、基板Bの回転や処理円盤
46の線溝46bの作用を受けて蛇行した状態の円運動
を行いつつ処理円盤46の周縁部から外方に押し出され
る。このときの強力な乱液流によって基板Bの表面は確
実に洗浄処理が施された状態になる。
【0050】また、かかる基板Bの処理中に、第1駆動
モータ42aを所定の時間間隔で正逆駆動させ、これに
よって駆動アーム45を上下方向に揺動させるようにし
ている。こうすることによって処理円盤46の底面と基
板Bの表面との隙間寸法が周期的に変更され、処理液吐
出ノズル92からの処理液の吐出圧が周期的に変動する
ことによる水流の衝撃が基板Bの表面に加わる、いわゆ
るハンマー効果が得られるため、基板Bの表面の洗浄処
理はより良好に行われることになる。
【0051】本発明は、以上詳述したように、上記基板
表面処理手段4は、対向面が基板Bの表面に対して僅か
な距離だけ離間した状態で回転する処理円盤46を備え
てなり、しかもこの処理円盤46の回転中心に処理液吐
出ノズル92が設けられ、処理円盤46を回転させた状
態で上記処理液吐出ノズル92から基板Bの表面に向け
て処理液を吐出するようにしたものであるため、回転し
ている処理円盤46の底面と基板Bの表面との間に供給
された処理液は処理円盤46の回転に誘導されて回転し
ながら径方向に移動し、この過程での所定の粘度を有す
る処理液の強力な乱液流によって基板Bの表面は洗浄処
理される。
【0052】このように、本発明においては、処理液吐
出による基板Bの表面の処理時に、処理円盤46は基板
Bの表面に対して離間状態に設定され、従来のように基
板Bの表面にブラッシング処理を施すものではないた
め、基板Bの表面がブラシとの直接接触によって損傷す
ることがない。また、ブラシの摩耗によるパーティクル
が基板Bの表面に付着することもなく、基板Bの表面の
再汚染を確実に防止することが可能になる。さらに、ブ
ラシに付着したパーティクルによる基盤Bの表面の再汚
染を確実に防止することが可能になる。
【0053】本発明は、以上の実施形態に限定されるも
のではなく、以下の内容をも包含するものである。 (1)上記の実施形態においては、基板処理装置1は純
水による基板Bの洗浄処理に適用されているが、本発明
は、基板処理装置1が洗浄処理にのみ適用されることに
限定されるものではなく、現像工程で基板Bの表面に処
理液としての現像液を供給する、いわゆる基板Bの現像
処理にも適用し得るものである。
【0054】(2)上記の実施形態においては、処理液
は処理円盤46の回転軸心部分に設けられた処理液吐出
ノズル92から吐出するようにしているが、本発明は、
処理円盤46の処理液吐出ノズル92から処理液を吐出
することに限定されるものではなく、基板Bの表面に向
けて処理液を吐出する処理液吐出ノズルを別途配設する
ようにしてもよい。
【0055】(3)上記の実施形態においては、第1駆
動モータ42aの正逆駆動で処理円盤46を上下方向に
揺動させるようにしているが、こうする代わりに駆動ア
ーム45の円盤支持部45c内に電磁石等からなるアク
チュエータを内装し、このアクチュエータの作動によっ
て処理円盤46を上下方向に揺動させるようにしてもよ
い。
【0056】(4)上記の実施形態においては、処理円
盤46の底面に縦横の格子状の線溝46bが凹設されて
いるが、線溝46bは、格子状であることに限定される
ものではなく、処理液を撹拌し得る種々の形状を採用す
ることが可能である。また、線溝46bを設けなくて
も、所望レベルの処理効果は得られるものである。
【0057】
【発明の効果】上記請求項1記載の発明は、回転手段の
作動によって回転している基板に供給された処理液によ
りその表面に所定の処理を施す基板表面処理手段が備え
られ、この基板表面処理手段は、対向面が基板の表面に
対して僅かな距離だけ離間した状態で回転する処理円盤
を備えてなるものであるため、基板支持手段に支持され
た状態で回転している基板の表面に、処理液供給手段か
らの処理液を供給しつつ、基板の表面に対向させた処理
円盤を回転させることにより、処理円盤と基板の表面と
の間に入り込んだ処理液は、処理円盤の底面と基板の表
面との間で液の粘性によって練られた状態になるととも
に、遠心力で処理円盤の径方向に移動し、これらの強い
液流によって基板の表面を確実に処理することが可能に
なる。
【0058】上記請求項2記載の発明によれば、処理円
盤は、基板の表面に対して直交する方向に揺動するよう
にしているため、処理円盤の底面と基板の表面との間の
間隔が変化するため、両者の隙間に存在する処理液流の
状態が変化し、この液流の変化によって基板表面上をよ
り確実に処理することができるようになる。
【0059】上記請求項3記載の発明によれば、処理円
盤は、基板の表面に対して平行な方向に移動し得るよう
にしているため、基板の寸法に対して処理円盤の寸法が
相当小さくても、処理円盤を、回転しいている基板の表
面を走査するように平行に移動させることにより、基板
の表面全面が確実に処理し得るようになる。
【0060】上記請求項4記載の発明によれば、処理円
盤は、その中心部分に処理液を基板の表面に向けて吐出
する吐出口を有しているため、処理円盤に設けられた吐
出口からの処理液の吐出によって、常に新しい処理液が
処理円盤と基板の表面との間に供給されるとともに、吐
出口からの処理液の吐出速度が処理円盤の回転による液
流の速度に加えられ、処理円盤と基板の表面との間の液
流がより速くなることにより、処理液による基板の処理
をより確実に行い得るようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板処理装置の一実施形態を示す
一部切欠き斜視図である。
【図2】図1に示す基板処理装置のA−A線断面図であ
る。
【図3】基板表面処理手段の一実施形態を示す一部切欠
き斜視図である。
【図4】図3に示す基板表面処理手段のB−B線断面図
である。
【図5】処理円盤を示す底面図である。
【図6】処理円盤の処理液吐出ノズルから吐出された処
理液の液流を示す説明図である。
【符号の説明】
1 基板処理装置 2 基板支持手段 21 回転基盤 22 整流板 22a 基板装着口 23 バキュームチャック 3 回転手段 31 回転駆動機構 32 垂直回転軸 32a 吸引通路 33 ベアリング 34 真空ポンプ 4 基板表面処理手段 40 支持枠体 40a 底板 40b 天井板 40c 支柱 401 ガイドロッド 41 駆動機構 42 昇降手段 43 アーム回動手段 44 円盤回転手段 45 駆動アーム 46 処理円盤 46a ネジ孔 46b 線溝 5 処理液供給手段 5a 処理液源 51 処理液槽 52 処理液管路 53 開閉バルブ 6 円筒支柱 7 集液排気手段 B 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/306 H01L 21/306 J

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を回転させながら基板の表面に処理
    液を供給して処理する基板処理装置であって、 回転可能に構成され、かつ、基板の表面を露出させた状
    態で基板を支持する基板支持手段と、 上記基板支持手段を回転させる回転手段と、 上記基板支持手段に支持された基板の表面に処理液を供
    給する処理液供給手段と、 基板に供給された処理液によって回転中の基板の表面に
    所定の処理を施す基板表面処理手段とが備えられ、 上記基板表面処理手段は、対向面が基板の表面に対して
    僅かな距離だけ離間した状態で回転する処理円盤を備え
    ていることを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 上記処理円盤は、基板の表面に対して直
    交する方向に揺動するように構成されていることを特徴
    とする請求項1記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】 上記処理円盤は、基板の表面に対して平
    行な方向に移動し得るように構成されていることを特徴
    とする請求項1または2記載の基板処理装置。
  4. 【請求項4】 上記処理円盤が、その中心部分に処理液
    を吐出する吐出口を有しているとともに、上記処理液供
    給手段が、処理液を上記吐出口から基盤の表面に向けて
    吐出するように構成されていることを特徴とする請求項
    1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置。
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