JP4268237B2 - ブラシ洗浄装置 - Google Patents
ブラシ洗浄装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4268237B2 JP4268237B2 JP17613498A JP17613498A JP4268237B2 JP 4268237 B2 JP4268237 B2 JP 4268237B2 JP 17613498 A JP17613498 A JP 17613498A JP 17613498 A JP17613498 A JP 17613498A JP 4268237 B2 JP4268237 B2 JP 4268237B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- cleaned
- brush
- cleaning brush
- relative speed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 104
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 16
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 claims description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 49
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 101100327917 Caenorhabditis elegans chup-1 gene Proteins 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体ウエハや液晶ガラス基板などの被洗浄物をブラシを用いて洗浄するブラシ洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造装置や液晶製造装置などにおいては、被洗浄物としての半導体ウエハやガラス基板に回路パタ−ンを形成するリソグラフィプロセスがある。このリソグラフィプロセスは、周知のように上記被洗浄物にレジストを塗布し、このレジストに回路パタ−ンが形成されたマスクを介して光を照射し、ついでレジストの光が照射されない部分(あるいは光が照射された部分)を除去し、除去された部分をエッチングするなどの一連の工程を数十回繰り返すことで回路パタ−ンを形成するものである。
【0003】
上記一連の各工程において、上記被洗浄物が汚染されていると回路パタ−ンを精密に形成することができなくなり、不良品の発生原因となる。したがって、それぞれの工程で回路パタ−ンを形成する際には、レジストや塵埃などの微粒子が残留しない清浄な状態に上記被洗浄物を洗浄するということが行われている。
【0004】
上記被洗浄物を洗浄する装置としては、複数枚の半導体ウエハを洗浄液が収容された洗浄タンク内に漬けて洗浄するバッチ方式と、1枚の被洗浄物を回転させ、その被洗浄物に対して洗浄液を噴射させて洗浄する枚葉方式とがあり、被洗浄物の大型化にともない洗浄効果の高い枚葉方式が用いられる傾向にある。
【0005】
枚葉方式の洗浄処理装置には被洗浄物を回転させながら洗浄するスピン洗浄方式があり、このスピン洗浄方式において、洗浄効果をより一層高めるためには、回転駆動される被洗浄物の上面にスポンジブラシを接触させ、その接触部分に洗浄液を供給して洗浄するようにしている。
【0006】
上記被洗浄物とスポンジブラシとを互いに回転させながら接触させて洗浄する場合、上記スポンジブラシは上記被洗浄物の径方向中心部で下降させて接触させ、その状態で径方向外方へ移動させる。そして、スポンジブラシが被洗浄物の外周端から外れたならば、上昇させて径方向中心部へ戻し、再び下降させて外方へ移動させるということを繰り返すことで、上記被洗浄物を洗浄するようにしている。
【0007】
被洗浄物の周速度は、回転中心から径方向外方へゆくにつれて次第に大きくなる。それに対してスポンジブラシは、通常、一定の回転速度で回転駆動される。そのため、スポンジブラシの端面と、被洗浄物のスポンジブラシの端面が接触する部分との相対速度は上記スポンジブラシが被洗浄物の径方向に移動することで大きく変化し、上記スポンジブラシと被洗浄物の回転速度によって相対速度が0になる位置がある。
【0008】
上記被洗浄物の洗浄度合は、上記相対速度に大きく影響される。つまり、相対速度が小さいと、スポンジブラシによって被洗浄物に付着したパーティクルが除去されにくく、相対速度が大きければパーティクルは効率よく除去されることになる。
【0009】
しかしながら、従来のブラシ洗浄装置においては、被洗浄物とスポンジブラシとを一定の速度で回転させて、上記スポンジブラシを被洗浄物の径方向中心部から外方へ移動させるようにしていたので、その移動の過程で相対速度が著しく低下する部位が生じるなど、相対速度の変化が大きいから、それに応じて被洗浄物の洗浄度合も不安定になるということがあった。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来は被洗浄物と洗浄ブラシとを一定の回転速度で回転させながら上記洗浄ブラシを被洗浄物の径方向に移動させて洗浄するようにしていたので、移動の過程で相対速度が大きく変化するため、洗浄効果が一定にならない、つまり被洗浄物の洗浄度合にむらが生じうるということがあった。
【0011】
この発明は、被洗浄物の径方向に沿って洗浄ブラシを移動させて洗浄する場合、その移動の過程における洗浄ブラシと被洗浄物との相対速度が大きく低下することなく、しかも所定値以上に維持されるようにすることで、被洗浄物の全面を洗浄度合にばらつきが生じにくいように洗浄できるようにしたブラシ洗浄装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、回転テーブルに保持された被洗浄物を回転駆動される洗浄ブラシによって洗浄するブラシ洗浄装置において、
上記回転テーブルを回転駆動する第1の駆動手段と、
上記洗浄ブラシを上記回転テーブルとは反対方向に回転駆動する第2の駆動手段と、
上記洗浄ブラシを上記被洗浄物の径方向に沿って揺動させる揺動駆動手段と、
上記洗浄ブラシを被洗浄物の径方向中心部から外方へ揺動させたときに、上記洗浄ブラシの上記被洗浄物に接触する端面外周であって上記被洗浄物の回転中心側の点と上記被洗浄物のこの点が接触する部分との相対速度が所定値以上になるよう上記第1の駆動手段と第2の駆動手段とを制御する制御手段を具備し、
上記制御手段には、上記洗浄ブラシの回転数と上記被洗浄物の回転数とを種々の値に設定し上記洗浄ブラシを上記被洗浄物の径方向中心部から外方へ揺動させたときの上記相対速度データである洗浄条件のデータと、上記洗浄条件のデータごとの、被洗浄物の上面に残留するパーティクル密度である清浄度合のデータとが予め記憶されていて、上記清浄度合の入力により、その清浄度合を得るための上記相対速度を決定し、決定した相対速度となるよう上記第1の駆動手段と第2の駆動手段を制御することを特徴とする。
【0015】
本発明によれば、洗浄ブラシを被洗浄物の径方向中心部から外方へ移動させたときに、上記洗浄ブラシの上記被洗浄物に接触する端面外周であって上記被洗浄物の回転中心側の点と上記被洗浄物のこの点が接触する部分との相対速度が所定値以上になるよう洗浄ブラシと被洗浄物との回転速度を制御するようにしたことで、被洗浄物の全面をほぼ均一もしくは所定以上の洗浄度合で洗浄することが可能となる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施の形態を図面を参照して説明する。
図1はこの発明のブラシ洗浄装置としてのスピン処理装置Sを示す。このスピン処理装置Sはスピンカップ1を備えている。このスピンカップ1は上面が開放した有底状の下カップ1aと、この下カップ1aに対してスライド自在に設けられ周壁の上端部が径方向内方に向かって傾斜した上カップ1bとからなり、この上カップ1bは図示しない駆動機構によって同図に鎖線で示すように下降させることができるようになっている。
【0018】
上記下カップ1aの底部には、周辺部に複数の排出管2の一端が接続され、中心部には周囲がフランジ3によって囲まれた挿通孔4が形成されている。この挿通孔4には支持軸5が挿通されている。この支持軸5の上部は、スピンカップ1の内部に突出し、下端部は、上記スピンカップ1の下方に配置されたベ−ス板6に固定されている。上記排出管2は図示しない気水分離器を介して吸引ポンプに接続されている。上記排出管2に洗浄液、ミスト、気体が吸引されると、上記気水分離器によって水分と気体とが分離され、水分は図示しない廃液タンクへ排出されるようになっている。
【0019】
上記支持軸5には回転テーブル11が回転自在に設けられている。この回転テーブル11は、中心部に通孔12aが穿設された円盤状のベ−ス12を有する。このベ−ス12の下面、つまり上記通孔12aと対応する位置には筒状の支持部13が垂設されている。この支持部13は上記支持軸5に外嵌されていて、上部と下部とがそれぞれ軸受14によって上記支持軸5に回転自在に支持されている。
【0020】
上記支持部13の下端部の外周面には従動プ−リ15が設けられている。上記ベ−ス板6には第1の駆動手段としてのモ−タ16が設けられ、このモ−タ16の回転軸16aには駆動プ−リ17が嵌着されている。この駆動プ−リ17と上記従動プ−リ15とにはベルト18が張設されている。したがって、上記モ−タ16が作動すれば、上記支持部13と一体に上記回転テーブル11が回転駆動されるようになっている。
【0021】
上記ベ−ス12の上面には周方向に90度間隔で4本の支柱19が立設されている。各支柱19の上端部には支持ピン21aと、この支持ピン21aよりも外方で、しかも支持ピン21aよりも背の高い係合ピン21bとが突設されている。
【0022】
上記支柱19の上端には、被洗浄物としてたとえば半導体ウエハ22が周辺部の下面を支持ピン21aに支持され、外周面を上記係合ピン21bに係合させて着脱可能に保持される。したがって、上記半導体ウエハ22は回転テーブル11と一体的に回転駆動されるようなっている。
【0023】
上記支持軸5には、上端に支持軸5よりも大径で、円錐状をなした頭部5aが設けられている。この支持軸5には、先端を上記頭部5aの上面に開口させたN2 などの不活性ガスのガス供給路30と、先端を同じく上記頭部5aの上面にノズル孔32aを介して開口させた洗浄液供給路30aとが軸方向に沿って形成されている。上記ガス供給路30は図示しないガス供給源に連通し、上記洗浄液供給路は同じく図示しない洗浄液の供給源に連通している。
【0024】
上記ガス供給路30に供給された不活性ガスと、上記洗浄液供給路30aに供給された洗浄液は、それぞれ上記半導体ウエハ22の下面に向かって噴射されるようになっている。
【0025】
上記回転テーブル11に保持される半導体ウエハ22の上面側には、この半導体ウエハ22の上面を洗浄するための洗浄ツ−ル31が配置されている。この洗浄ツ−ル31は上記半導体ウエハ22の径方向に沿って揺動駆動される揺動機構32を構成する揺動アーム33の先端部に設けられている。
【0026】
すなわち、上記揺動アーム33は図2(a)に示すように中空状に形成されていて、その先端部には取付け部材33aがほぼ水平に設けられ、この取付け部材33aの上面には第2の駆動手段を構成するモータ34が軸線を垂直にして取り付けられている。このモータ34は上記揺動アーム33に着脱自在に取着されたカバー40によって覆われている。
【0027】
上記モータ34の回転軸には取付軸35が連結されている。この取付軸35は上記取付け部材33aの下面に取着されたノズル体36の中心部に軸方向に沿って形成された通孔37に挿通され、この通孔37から突出した先端面には洗浄ブラシとしてのスポンジブラシ38が着脱自在に保持されている。
【0028】
上記ノズル体36の周壁には、図2(b)に示すように周方向にたとえば90度間隔で4つのノズル孔39が軸方向に沿って穿設されている。各ノズル孔39の先端には上記スポンジブラシ38の先端面に向かうよう屈曲されたノズル管41が接続されている。
【0029】
上記ノズル体36の上面側には液密に閉塞されるとともに上記ノズル孔39の上端に連通した空間部42が形成され、この空間部42には第1の供給管43aと第2の供給管43bとの一端が接続されている。これら供給管43a,43bは上記揺動アーム33に通され、それぞれ図示しない異なる種類の洗浄液の供給源に接続されている。
【0030】
したがって、上記各供給管43a,43bから供給される洗浄液は上記ノズル孔39を通じて上記ノズル管41からスポンジブラシ38に向けて噴出するようになっている。なお、洗浄液の種類は洗浄条件によって選択され、上記第1の供給管43aあるいは第2の供給管43bから供給されるようになっている。
【0031】
つまり、スポンジブラシ38を回転駆動するモータ34と、洗浄部位に洗浄液を供給するノズル体36とが取付け部材33aによってユニット化されている。それによって、揺動アーム33に対して上記モータ34とノズル体36との着脱を容易に行うことができるから、その保守点検や交換作業なども能率よく行うことができる。
【0032】
また、ノズル体36にはスポンジブラシ38の周囲に位置する4 つのノズル孔39が形成されているので、これらノズル孔39からスポンジブラシ38の周囲に洗浄液を確実に供給することができるばかりか、スポンジブラシ38に対するノズル管41の位置決めを容易に行うことができる。
【0033】
上記揺動ア−ム33の基端部は軸線を垂直にした中空状の揺動軸46の上端に連結されている。この揺動軸46の下端部は上記ベ−ス板6に形成された通孔6aからその下方へ突出している。
【0034】
上記揺動軸46の下端部は、上下動自在に設けられた支持体47に回転自在に支持されている。この支持体47は中空箱型状をなしていて、その上部壁には上記揺動軸46を挿通するための挿通孔48が形成され、内部には上記挿通孔48から挿入された揺動軸46の下端部を回転自在に支持するために軸受49が設けられている。揺動軸46の下端は上記軸受49から突出し、そこには従動プ−リ50が嵌着されている。
【0035】
上記支持体47の一側面には一対のガイド51が上下方向に沿って所定間隔で設けられ、このガイド51はレ−ル53にスライド自在に係合している。このレ−ル53は上記ベ−ス板6の下面に垂設された取付板52の一側面に上下方向に沿って設けられている。
【0036】
上記取付板52には上下駆動源としてのリニアモ−タ54が設けられている。このリニアモ−タ54の駆動軸54aは上記支持体47の下端面にブラケット55を介して連結されている。したがって、リニアモ−タ54が作動すれば、上記支持体47を介して上記揺動ア−ム33が上下駆動されるようになっている。
【0037】
つまり、揺動ア−ム33が下降すると、上記スポンジブラシ38は上記回転テーブル11に保持された半導体ウエハ22の上面に所定の接触距離で接触し、上カップ1bよりも上方に上昇すると、スポンジブラシ38とともにスピン処理装置Sの外部へ揺動可能となる。
【0038】
上記支持体47の他側には上記リニアモ−タ54とで駆動手段を構成する揺動駆動部56が設けられている。この揺動駆動部56は上記支持体47の他側面に取付けられた収納ボックス57を有する。この収納ボックス57の下面にはモ−タ58が設けられている。このモ−タ58の回転軸58aは上記収納ボックス57内に突出し、この内部に設けられた減速部59に連結されている。この減速部59の出力軸65には駆動プ−リ62が嵌着されている。
【0039】
上記支持体47と上記収納ボックス57との内部空間は開口部63によって連通している。上記開口部63には、上記駆動プ−リ62と従動プ−リ50とに張設されたタイミングベルト60が挿通されている。
【0040】
したがって、上記モ−タ58が作動して上記減速部59の出力軸65が正逆方向に駆動されると、その回転がタイミングベルト60を介して揺動軸46に伝達されるから、この揺動軸46とともに揺動ア−ム33の先端部に設けられたスポンジブラシ38が半導体ウエハ22の表面を径方向に沿って移動(揺動)するようになっている。
【0041】
上記揺動軸46の揺動駆動、上記揺動ア−ム33の上下駆動および上記洗浄ツ−ル31の回転駆動は制御装置64によって制御されるようになっている。さらに、上記制御装置64は、上記回転テーブル11を回転駆動するモータ16と、上記スポンジブラシ38を回転駆動するモータ34との回転速度を、この制御装置64に設定された設定値に基づいて制御するようになっているとともに、図示しないがデータの入力部、記憶部及び入力データと記憶データとを比較して処理する演算処理部などを備えている。
【0042】
上記制御装置64における設定値は、スポンジブラシ38の回転数、半導体ウエハ22の回転数及び上記スポンジブラシ38の半導体ウエハ22上における揺動位置によって設定される。つまり、スポンジブラシ38の半導体ウエハ22に接触する端面と、この半導体ウエハ22の上記スポンジブラシ38の端面が接触する部位との相対速度が所定値以上になるよう、スポンジブラシ38の半導体ウエハ22上における揺動位置に応じてこのスポンジブラシ38と半導体ウエハ22との回転速度が設定される。
【0043】
なお、上記相対速度は、図5にPで示すように、スポンジブラシ38の外周で、半導体ウエハ22の回転中心側の点、つまりスポンジブラシ38の揺動方向後端での速度である。
【0044】
上記スポンジブラシ38の揺動範囲において、上記相対速度が所定値以上に設定されれば、上記スポンジブラシ38による半導体ウエハ22の洗浄効果を所定以上とすることができる。
【0045】
つまり、本件発明者は、図3に示すように、直径が200mmの半導体ウエハ22を用い、スポンジブラシ38の回転数と半導体ウエハ22の回転数とを種々の値に設定し、上記スポンジブラシ38を半導体ウエハ2の径方向中心部から外方へ揺動させたときの、スポンジブラシ38の半導体ウエハ22に接触する端面と、この半導体ウエハ22の上記スポンジブラシ38の端面が接触する部位との相対速度の変化を算出した。
【0046】
つまり、同図中直線Aはスポンジブラシ38の回転数が0rpm、半導体ウエハ22の回転数が50rpmの場合で、その場合には上記スポンジブラシ38の端面からの距離が100mm、つまり半導体ウエハ22の回転中心にあるときには相対速度は0mm/secであり、スポンジブラシ38を径方向外方へ移動させるにともない相対速度は漸増し、端面まで移動したときの相対速度は520mm/secであった。
【0047】
同図中曲線Bはスポンジブラシ38の回転数が100rpm、半導体ウエハ22の回転数が50rpmの場合で、スポンジブラシ38の位置が端面から100mmである、半導体ウエハ22の中心にあるときには相対速度は160mm/secであった。上記スポンジブラシ38を径方向外方へ揺動させるに連れて相対速度は低下し、端面から70mmの位置で相対速度は0になり、さらに揺動させることで相対速度は漸増し、端面の位置では370mm/secになった。
【0048】
同様に、曲線Cで示す、スポンジブラシ38の回転速度が200rpm、半導体ウエハ22の回転速度50rpmの場合には、端面からの距離が0のときには相対速度が320mm/secであり、端面からの距離が40mmのときに相対速度が0で、端面の位置では相対速度が205mm/secであった。
【0049】
曲線Dは、スポンジブラシ38の回転速度が300rpm、半導体ウエハ22の回転速度50rpmの場合で、端面からの距離が0のときには相対速度が470mm/secであり、端面からの距離が10mmのときに相対速度が0で、端面の位置では相対速度が50mm/secであった。
【0050】
直線Eは、スポンジブラシ38の回転速度が400rpm、半導体ウエハ22の回転速度が35rpmの場合で、端面からの距離が0のときには相対速度が620mm/secであり、端面方向へ揺動させるにつれて相対速度が漸減し、端面の位置では相対速度が270mm/secであった。
【0051】
図4は図3の直線A〜Eの洗浄条件で半導体ウエハ2を洗浄した場合、その半導体ウエハ22の上面に残留するパーティクルの分布状態の測定結果を示し、同図において曲線aは図3の直線Aの洗浄条件で洗浄した場合の半導体ウエハ22の上面のパーティクルの分布を示し、相対速度が増大する、径方向外方へゆくにつれてパーティクルが減少することが確認された。特に端面からの距離が40mm以下になると、パーティクル密度がほぼ0に近くなった。
【0052】
曲線bは図3における曲線Bの洗浄条件で洗浄した場合で、この場合も相対速度が減少する端面からの距離が70mmの位置でパーティクルの残留密度が最大となり、その位置から径方向外方へゆくにつれてパーティクルの密度が減少することが確認された。
【0053】
曲線cは図3の曲線Cの洗浄条件の場合であり、曲線dは図3の曲線Dの洗浄条件の場合であり、これらの場合も、相対速度の変化に応じて半導体ウエハ2に残留するパーティクルの密度は変化することが確認された。
【0054】
直線eは図3の曲線Eの洗浄条件の場合であり、この場合は半導体ウエハ22の径方向全体にわたってパーティクルの密度が0.1個/mm2 以下であり、とくに端面からの距離が50〜100mmでパーティクルの密度がほぼ0になることが確認された。
【0055】
以上のことから、スポンジブラシ38を図3に直線Eで示す洗浄条件で、半導体ウエハ2の径方向中心である、端面からの100mmの距離から30mmの位置まで揺動させて洗浄し、ついで同図に直線Aで示す洗浄条件で端面からの距離が30mmの位置から端面までの範囲を洗浄すれば、相対速度を上記直線Aと直線Eとが交差する点Xの380mm/sec以上で半導体ウエハ22の全面を洗浄できることになる。
【0056】
それによって、半導体ウエハ22は、端面からの距離が100mmから30mmまでは図4に直線eで示す洗浄度、つまりパーティクル密度がほぼ0に近い状態で洗浄することができ、端面からの距離が30mmから端面までは図4に直線aで示すようにパーティクル密度がほぼ0に近い状態で洗浄することができる。
【0057】
以上のことから、半導体ウエハ22に要求される清浄度合、つまり半導体ウエハ22のパーティクル密度に応じてスポンジブラシ38と半導体ウエハ22との相対速度が所定値以上になるよう、上記スポンジブラシ38の回転速度と、半導体ウエハ22の回転速度を設定すれば、上記半導体ウエハ22を要求される清浄度で洗浄することができる。
【0058】
たとえば、スポンジブラシ38と半導体ウエハ22との相対速度を200mm/sec以上として洗浄したい場合には、図3から分かるように、端面からの距離が55mmの位置までは曲線Dに沿う洗浄条件で洗浄し、その位置から端面までは直線Aの洗浄条件で洗浄すればよいことになる。
【0059】
図3にA〜Eで示すそれぞれの洗浄条件のデータと、図4 にa〜eで示す洗浄結果のデータとを制御装置64に予め記憶させておき、この制御装置64に半導体ウエハ22の清浄度合、つまりパーティクル密度を入力すれば、上記制御装置64により、その清浄度合を得るための相対速度を決定することができる。したがって、その相対速度に基づき、スポンジブラシ38の回転速度と半導体ウエハ22の回転速度とを設定することで、半導体ウエハ22を所望する清浄度合で洗浄することが可能となる。
この発明は上記一実施の形態に限定されず、たとえば洗浄ブラシはスポンジブラシでなく、刷毛が設けられたブラシであってもよい。
【0060】
【発明の効果】
本発明によれば、洗浄ブラシを被洗浄物の径方向中心部から外方へ移動させたときに、上記洗浄ブラシの上記被洗浄物に接触する端面と上記被洗浄物の上記端面が接触する部分との相対速度が所定値以上になるよう、洗浄ブラシと被洗浄物との回転速度を制御するようにした。
【0061】
被洗浄物の洗浄度合は、洗浄ブラシと被洗浄物との相対速度によって左右されるから、その相対速度を制御することで、被洗浄物の全面を所望する洗浄度合で洗浄することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施の形態の全体構成を示す平面図。
【図2】(a)は同じく揺動アームの断面図、( b) は同じく図2( a) のZ−Z線に沿う拡大断面図。
【図3】同じく洗浄条件と相対速度の関係を示す説明図。
【図4】同じく洗浄条件と洗浄度合である、パーティクル密度の関係を示す説明図。
【図5】同じく半導体ウエハとスポンジブラシとの相対速度の測定位置の説明図。
【符号の説明】
11…回転テーブル
16…モータ(第1 の駆動手段)
34…モータ(第2 の駆動手段)
36…ノズル体
38…スポンジブラシ(洗浄ブラシ)
39…ノズル孔
64…制御装置(制御手段)
Claims (2)
- 回転テーブルに保持された被洗浄物を回転駆動される洗浄ブラシによって洗浄するブラシ洗浄装置において、
上記回転テーブルを回転駆動する第1の駆動手段と、
上記洗浄ブラシを上記回転テーブルとは反対方向に回転駆動する第2の駆動手段と、
上記洗浄ブラシを上記被洗浄物の径方向に沿って揺動させる揺動駆動手段と、
上記洗浄ブラシを被洗浄物の径方向中心部から外方へ揺動させたときに、上記洗浄ブラシの上記被洗浄物に接触する端面外周であって上記被洗浄物の回転中心側の点と上記被洗浄物のこの点が接触する部分との相対速度が所定値以上になるよう上記第1の駆動手段と第2の駆動手段とを制御する制御手段を具備し、
上記制御手段には、上記洗浄ブラシの回転数と上記被洗浄物の回転数とを種々の値に設定し上記洗浄ブラシを上記被洗浄物の径方向中心部から外方へ揺動させたときの上記相対速度データである洗浄条件のデータと、上記洗浄条件のデータごとの、被洗浄物の上面に残留するパーティクル密度である清浄度合のデータとが予め記憶されていて、上記清浄度合の入力により、その清浄度合を得るための上記相対速度を決定し、決定した相対速度となるよう上記第1の駆動手段と第2の駆動手段を制御することを特徴とするブラシ洗浄装置。 - 上記洗浄ブラシは、上記揺動駆動手段で揺動させられる揺動アームの先端部に設けられた上記第2の駆動手段の先端面に保持されるとともに、上記揺動アームには、上記洗浄ブラシに向けて洗浄液を噴出するノズル体が設けられていることを特徴とする請求項1記載のブラシ洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17613498A JP4268237B2 (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | ブラシ洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17613498A JP4268237B2 (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | ブラシ洗浄装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008293841A Division JP4685914B2 (ja) | 2008-11-17 | 2008-11-17 | ブラシ洗浄装置およびブラシ洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000005707A JP2000005707A (ja) | 2000-01-11 |
JP4268237B2 true JP4268237B2 (ja) | 2009-05-27 |
Family
ID=16008265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17613498A Expired - Fee Related JP4268237B2 (ja) | 1998-06-23 | 1998-06-23 | ブラシ洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4268237B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100405449B1 (ko) * | 2000-10-30 | 2003-11-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼용 세정장치 |
JP2006066447A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | ワークチャックの洗浄装置、ワークチャックの洗浄方法、及びワークチャックの洗浄装置を備えた研磨装置 |
JP5775383B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2015-09-09 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄方法 |
CN107116060B (zh) * | 2017-07-06 | 2023-02-28 | 李福丹 | 一种摆动旋转式的化妆刷清洗机 |
CN111956831B (zh) * | 2020-08-04 | 2021-11-05 | 山东沂南园区开发建设有限公司 | 一种电梯楼层选择按钮用消毒设备 |
CN112108447B (zh) * | 2020-09-04 | 2021-10-01 | 盐城市华悦汽车部件有限公司 | 一种汽车清洗零部件用清洁装置 |
CN117276125B (zh) * | 2023-09-20 | 2024-02-09 | 苏州冠礼科技有限公司 | 一种半导体晶圆清洗机摆臂机构 |
-
1998
- 1998-06-23 JP JP17613498A patent/JP4268237B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000005707A (ja) | 2000-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100935280B1 (ko) | 처리액 공급노즐 및 처리액 공급장치 | |
JP3414916B2 (ja) | 基板処理装置および方法 | |
CN101387835B (zh) | 基板处理方法 | |
JP4685914B2 (ja) | ブラシ洗浄装置およびブラシ洗浄方法 | |
WO2005050724A1 (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP4268237B2 (ja) | ブラシ洗浄装置 | |
KR101205828B1 (ko) | 기판 세정 방법 | |
JP3616725B2 (ja) | 基板の処理方法及び処理装置 | |
JP4080584B2 (ja) | 洗浄処理装置 | |
JP3917384B2 (ja) | 基板処理装置および基板洗浄装置 | |
JPH10137664A (ja) | 回転式基板処理装置および処理方法 | |
JP4047406B2 (ja) | 洗浄処理装置 | |
JP4325831B2 (ja) | 基板処理装置ならびに基板処理装置に備えられた回転板および周囲部材の洗浄方法 | |
JP2916409B2 (ja) | スピン洗浄処理方法およびその装置 | |
JPH10199852A (ja) | 回転式基板処理装置 | |
JP2875201B2 (ja) | 洗浄処理装置およびその方法 | |
JP2000252252A (ja) | スピン処理用支持ピン及びスピン処理装置 | |
JP3999523B2 (ja) | 被処理物の処理装置 | |
JPH1174238A (ja) | ブラシ洗浄装置およびブラシ洗浄方法 | |
JPH11111673A (ja) | エッチング方法および処理装置 | |
JP4268239B2 (ja) | ブラシ洗浄装置およびブラシ洗浄方法 | |
JP2000311846A (ja) | レジスト現像方法およびレジスト現像装置 | |
JP2002299305A (ja) | 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 | |
JP2007123559A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP3810499B2 (ja) | スピン洗浄方法およびその装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050617 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080916 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090217 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140227 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |