JP2002299305A - 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】処理の再現性が高く、処理が施される領域の幅
を精度よく制御することができる基板周縁処理装置を提
供する。処理液を再使用することができる基板周縁処理
装置を提供する。 【解決手段】この基板周縁処理装置は、半導体ウェハＷ
をほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック
１と、処理時にスピンチャック１とともに回転される円
板状の遮断板２と、遮断板２を保持して回転および昇降
させる遮断板保持機構３と、遮断板２とともに遠心力に
より処理液を保持する回転体４と、回転体４に処理液を
供給する処理液供給配管６と、回転体４を回転駆動させ
る回転機構４６と、処理後の処理液を回収する処理液回
収容器７とを備えている。遮断板２は、上下動可能で、
回転体４に接触することにより処理液を保持する凹部４
４を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハなど
の円形の被処理基板に対して、基板周縁部に処理液を供
給して処理を施すための基板周縁処理装置、および基板
周縁処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、半導体装置の製造工程では、
半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」という。）周縁部
の不要な薄膜を除去するために、半導体ウェハの周縁部
にのみエッチング液を供給してエッチング処理を施す、
いわゆるベベルエッチングを行うことがある。従来の基
板周縁処理装置としては、エッジリンス方式で処理を行
うためのものとチャック方式で処理を行うためのものと
がある。

【０００３】エッジリンス方式は、ウェハを水平に保持
して回転させながら、細管からウェハの周縁部に向かっ
てエッチング液などの薬液を吐出し、同時に純水を上方
から基板中心部近傍に供給する方法である。この方法に
よれば、ウェハ上面において周縁部以外は純水に覆われ
ているので、遠心力で飛散した処理液がウェハ上に再付
着するのを避けることができる。チャック方式は、ウェ
ハ周辺をチャックピンにより支持してウェハを水平に回
転させ、ウェハ裏面全体が処理液に覆われるように処理
液を供給し、さらに処理液をウェハ表面側の周縁部に回
り込ませる方法である。ウェハ周辺でチャックピンによ
り支持されている部分を処理するため、ウェハは、チャ
ックピンによる把持を一時的に解除することによって、
ウェハ上の液の慣性力の働きにより、チャックピンに対
して相対的に回転させられる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、エッジリン
ス方式では、処理が施される領域は、純水と薬液との境
界で決まるので、処理が施される領域の幅を精度よく制
御することができなかった。また、純水と薬液とが混ざ
ってしまうため、処理液を再使用することができなかっ
た。

【０００５】チャック方式では、薬液の流れの中にチャ
ックピンがあるため、薬液が跳ね、ウェハに再付着する
という問題があった。また、チャックピンに対するウェ
ハの相対的な回転は、ウェハ上の処理液の慣性に頼って
いるため、処理の再現性が低い。さらに、チャックピン
に対するウェハの相対的な回転により、処理前と処理後
とでウェハの角度方向が変化する。

【０００６】そこで、この発明の目的は、処理が施され
る領域の幅を精度よく制御することができる基板周縁処
理装置を提供することである。この発明の他の目的は、
処理液を再使用することができる基板周縁処理装置を提
供することである。この発明のさらに他の目的は、処理
液が基板に再付着しない基板周縁処理装置を提供するこ
とである。

【０００７】この発明のさらに他の目的は、処理の再現
性が高い基板周縁処理装置を提供することである。この
発明のさらに他の目的は、処理前と処理後とで基板の角
度方向が変化しない基板周縁処理装置を提供することで
ある。この発明のさらに他の目的は、処理が施される領
域の幅を精度よく制御することができる基板周縁処理方
法を提供することである。

【０００８】この発明のさらに他の目的は、処理液を再
使用することができる基板周縁処理方法を提供すること
である。この発明のさらに他の目的は、処理液が基板に
再付着しない基板周縁処理方法を提供することである。
この発明のさらに他の目的は、処理の再現性が高い基板
周縁処理方法を提供することである。

【０００９】この発明のさらに他の目的は、処理前と処
理後とで基板の角度方向が変化しない基板周縁処理方法
を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
課題を解決するための請求項１記載の発明は、所定の処
理液（１９，２０）を用いて円形基板（Ｗ）の周縁部を
洗浄またはエッチングする基板周縁処理装置であって、
上記円形基板を保持する基板保持手段（１，６０）と、
この基板保持手段に保持された上記円形基板の周縁部の
少なくとも一部を覆うように配置可能な凹部（４４，５
３，５９）を有し、上記円形基板に垂直な回転軸線まわ
りに回転する回転体（２，４，２１，５１，５２，５
８）と、この回転体を上記回転軸線まわりに回転させる
回転手段（４６，２４、３４）と、上記回転体の凹部に
処理液を供給する処理液供給手段（６）と、を備えたこ
とを特徴とする基板周縁処理装置である。

【００１１】請求項１１記載の発明は、円形基板を基板
保持手段で保持する工程と、上記円形基板に垂直な回転
軸線まわりに回転し凹部を備えた回転体を、この凹部が
上記円形基板の周縁部の少なくとも一部を覆うように配
置する工程と、上記回転体を、回転手段により回転させ
る工程と、処理液を、処理液供給手段により上記凹部に
供給する工程と、を含むことを特徴とする基板周縁処理
方法である。なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態
における対応構成要素等を表す。以下、この項において
同じである。

【００１２】基板保持手段は、円形基板の周縁部以外を
保持する構成とすることができる。この発明によれば、
たとえば、回転体を回転させた後、処理液を回転体の凹
部に供給すると、処理液は回転体による遠心力により凹
部内に張りついて保持される。凹部への処理液の供給量
を適当に設定することにより、円形基板周縁部は凹部内
の処理液に浸漬した状態となるので、円形基板周縁の処
理が施される。円形基板上で処理が施される領域の幅
は、凹部内の処理液の量で決まるので精度がよい。処理
が施される領域では、円形基板の保持を行わない構成と
することができるので、処理の再現性がよい。円形基板
の保持は、円形基板の中央部などでしっかり行い、基板
保持手段に対する円形基板の角度方向が変わらないよう
にすることができる。

【００１３】処理液の供給を開始してから、円形基板を
回転させることとしてもよい。凹部は、円形基板の周縁
部を全周にわたって覆うように配置可能であってもよ
く、円形基板の周縁部の一部のみを覆うように配置可能
であってもよい。請求項２記載の発明は、上記処理液供
給手段は、処理液が上記円形基板の周縁部に達するまで
処理液を供給可能であることを特徴とする請求項１記載
の基板周縁処理装置である。

【００１４】この発明によれば、処理を行うために必要
な量の処理液を凹部に供給することができる。必要量の
処理液が供給されると、処理液の供給を停止する構成と
してもよい。請求項３記載の発明は、上記処理液供給手
段は、上記回転体が回転している際に上記凹部に処理液
を供給可能であることを特徴とする請求項１または２記
載の基板周縁処理装置である。

【００１５】この発明によれば、処理液の供給に先立っ
て回転体を回転させておくことができるので、供給され
た処理液の大部分は凹部に保持される。したがって、処
理液を無駄にすることがない。請求項４記載の発明は、
上記基板保持手段は、上記円形基板を、この円形基板の
中心を通り上記円形基板に垂直な基板軸（Ａ）を中心に
回転させるものであることを特徴とする請求項１ないし
３のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。

【００１６】この発明によれば、円形基板も回転可能な
ので、円形基板に対する処理液の相対速度を制御するこ
とができる。たとえば、凹部と基板保持手段とを同一方
向同一の回転速度で回転させ、処理液に対する円形基板
の相対的な動きをなくすことができる。すなわち、静的
な状態で処理を行うことができるので、処理液が跳ねた
りして円形基板に再付着することがない。請求項５記載
のように、上記基板保持手段は、上記円形基板を吸着保
持可能であってもよい。

【００１７】請求項６記載の発明は、上記回転体は、上
記基板保持手段に保持された円形基板に垂直な方向に二
分割可能な第１部分（４，５２）および第２部分（２，
２１，５１）を備えていることを特徴とする請求項１な
いし５のいずれかに記載の基板周縁処理装置である。た
とえば、回転体が凹部で分割可能に構成されている場
合、円形基板周縁の処理が終了した後、回転体を分割さ
せることにより、処理液を側方へ排出することができ
る。したがって、処理が終了した後、処理液が円形基板
の周縁部以外の部分に付着することがない。

【００１８】請求項７記載の発明は、上記第１部分およ
び第２部分のうちの一方は、上記円形基板の表面に対し
て所定の間隙をもって対向する円板（２，２１）である
ことを特徴とする請求項６記載の基板周縁処理装置であ
る。この発明によれば、円形基板の表面に対して所定の
間隙をもって対向する円板を、円形基板周縁の処理のた
めにも用いることができる。請求項８記載の発明は、さ
らに、上記円形基板表面に気体を供給する気体供給手段
を備えたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか
に記載の基板周縁処理装置である。

【００１９】この発明によれば、たとえば、円形基板周
縁の処理を行った後、窒素ガスを吹き付けながら円形基
板の乾燥を行うことができる。これにより、円形基板の
酸化を防ぐことができる。請求項９記載の発明は、上記
処理液供給手段が純水を含む複数種類の処理液を供給可
能であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか
に記載の基板周縁処理装置である。

【００２０】この発明によれば、円形基板の周縁部に対
してエッチングなどの処理を行った後、純水で洗浄して
エッチング液を除去することができる。エッチング液な
どの薬液と純水とは、１つの配管で切り換えて供給され
てもよく、別個に設けられた配管から供給されてもよ
い。請求項１０記載の発明は、さらに、処理液を分離回
収するための処理液回収容器（７）を、上記回転体の側
方に設けたことを特徴とする請求項１ないし９のいずれ
かに記載の基板周縁処理装置である。

【００２１】たとえば、回転体が凹部で分割可能に構成
されている場合、円形基板周縁のエッチング処理が終了
した後、回転体を分割させると、エッチング液は遠心力
により回転体の側方へと排出される。この排出されたエ
ッチング液を受けて処理液回収容器導けば、円形基板周
縁の処理が終了したエッチング液を回収することができ
る。その後、エッチング処理と同様の方法で、円形基板
の周縁部を純水により洗浄した場合、たとえば、凹部の
回転を止めて重力の作用により純水を排出することがで
きる。この場合、エッチング液と純水とは、別の経路で
排出されるので、分離回収することができる。したがっ
て、回収した処理液を再使用することができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下では、添付図面を参照して、
本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、
本発明の第１の実施形態に係る基板周縁処理装置の図解
的な断面図である。この基板周縁処理装置は、処理対象
である円形の半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」とい
う。）Ｗの周縁部の不要な薄膜を除去するベベルエッチ
ング処理などを実施するためのものである。この基板周
縁処理装置は、ウェハＷをほぼ水平に保持して回転させ
るためのスピンチャック１と、処理時にスピンチャック
１とともに回転される円板状の遮断板２と、遮断板２を
保持して回転および昇降させる遮断板保持機構３と、遠
心力により処理液を保持する回転体４と、回転体４に処
理液を供給する処理液供給配管６と、回転体４を回転駆
動させる回転機構４６と、処理後の処理液を回収する処
理液回収容器７とを備えている。

【００２３】スピンチャック１は、鉛直方向に沿わせて
配置されたチャック軸１１と、このチャック軸１１の上
端からほぼ水平方向にのびたチャックベース１２とを有
している。チャックベース１２の上面には、ウェハＷを
吸着して保持するための吸引孔１５が設けられている。
吸引孔１５は真空配管１３に連通しており、真空ポンプ
（図示せず）などに接続して、その内部の空気を排気す
ることができる。チャック軸１１には、たとえばモータ
などの駆動源（図示せず）を含む回転駆動部１４が結合
されている。したがって、チャックベース１２でウェハ
Ｗを吸引保持した状態で、回転駆動部１４によってチャ
ック軸１１を回転させることにより、ウェハＷを水平面
内で回転させることができる。スピンチャック１に保持
されたウェハＷの中心を通りこのウェハＷに垂直な基板
軸Ａが、スピンチャック１の回転軸線に一致するよう
に、ウェハＷは配置される。

【００２４】回転体４は、基板軸Ａに対してほぼ回転対
称形であるドラム形状を有し、スピンチャック１の側方
を囲むように配置されている。回転体４は、スピンチャ
ック１に保持されたウェハＷの外周と対向する面を有す
るリング状の対向面部４１と、対向面部４１の下端から
中心側に水平に張り出した処理液保持底板４２と、対向
面部４１の下端から下方にのびた円筒体４３とを備えて
いる。対向面部４１の直径は、遮断板２の直径にほぼ等
しく、遮断板２は対向面部４１上部を密閉して覆うこと
が可能である。平面視において、スピンチャック１に保
持されたウェハＷは、その外周から内方にかけて一定の
幅で処理液保持底板４２と重なる。

【００２５】回転体４は、円筒体４３下部に内設された
ベアリング８を介して、回転可能に支持されている。円
筒体４３下部内面でベアリング８の上方には、リングギ
ア９が設けられている。回転体４の内側下方にはギア１
０を有するモータ４５が設けられており、リングギア９
とギア１０とは噛合している。モータ４５を回転させる
ことにより、回転体４を回転させることができる。回転
体４の回転軸線は、基板軸Ａに一致する。

【００２６】遮断板２は、ウェハＷの表面に対して所定
の間隙（たとえば、０．１〜１．０ｍｍ、好ましくは
０．５ｍｍ）をもって対向し、ウェハＷの表面に平行な
円板であって、処理対象のウェハＷの直径よりわずかに
大きな直径を有している。遮断板保持機構３は、スピン
チャック１の外側に鉛直方向に沿って設けられた支持軸
３１と、支持軸３１を上下動させるための駆動力を発生
する昇降駆動部３２と、支持軸３１の上端から水平方向
にのびたアーム３３と、アーム３３の先端下面に取り付
けられ鉛直方向にのびた回転駆動可能な保持軸３４とを
有している。保持軸３４の先端には、遮断板２が水平に
取り付けられている。以上の構成により、遮断板２とチ
ャックベース１２とは平行となる。

【００２７】この機構により、昇降駆動部３２の駆動力
で支持軸３１を上下動させることにより、遮断板２を、
対向面部４１上部に接触させた接触位置（図１に実線で
示す）と対向面部４１の上方に離間した離間位置（図１
に２点鎖線で示す）との間で変位させることができる。
また、保持軸３４を回転駆動させることにより遮断板２
を回転させることができる。処理液供給配管６は、装置
の下方よりのびており、その一方端に吐出口５を有して
いる。吐出口５は、スピンチャック１に保持されたウェ
ハＷと処理液保持底板４２との間の上下位置で、対向面
部４１を向くように配設されている。処理液供給配管６
の他方端は、エッチング液貯留槽および純水貯留槽（図
示せず）に接続されており、エッチング液および純水を
切り換えて供給することが可能である。

【００２８】処理液回収容器７は、ドラム形状を有し、
回転体４のさらに外側に配置されている。処理液回収容
器７は、その上端が対向面部４１の上端より高い上下位
置に配されており、その下端が回転体４の下端より低い
上下位置に配されている。また、処理液回収容器７は、
その上端が内側に向かって傾斜しており、その下端で回
転体４の下端を覆うように屈曲した屈曲部１６を有して
いる。次に、この基板周縁処理装置を用いて、ウェハＷ
周縁の処理方法を説明する。

【００２９】まず、遮断板２を離間位置に配置し、搬送
ロボット（図示せず）により、ウェハＷをチャックベー
ス１２上の所定位置に、すなわち、スピンチャック１の
回転軸線が基板軸Ａに一致するように載置する。そし
て、ウェハＷをチャックベース１２に吸着させる。次
に、昇降駆動部３２により遮断板２を下降させて対向面
部４１上部に接触させる。この状態で、対向面部４１、
遮断板２、および処理液保持底板４２により、リング状
で内方に開いた凹部４４が形成される。凹部４４は、ウ
ェハＷの周縁部を覆うように配置している。そして、モ
ータ４５、保持軸３４、および回転駆動部１４を駆動し
て、回転体４、遮断板２、およびスピンチャック１を同
一方向に同一の回転速度で回転させる。

【００３０】続いて、処理液供給配管６より、エッチン
グ液１９を供給する。エッチング液１９は、吐出口５か
ら凹部４４に向かって吐出される。このとき、凹部４４
（回転体４）は回転しているので、エッチング液１９
は、遠心力により対向面部４１内面に張りついた状態と
なり、凹部４４内に保持される。凹部４４内に所定量の
エッチング液１９が満たされると、吐出口５からのエッ
チング液１９の供給を止める。このとき、凹部４４内に
一定量以上のエッチング液１９が満たされていると、ウ
ェハＷの周縁部は、エッチング液１９に浸漬した状態と
なり、ウェハＷ周縁部にエッチング処理が施される。凹
部４４とスピンチャック１とは、同一方向に同一の回転
速度で回転しているので、エッチング液１９に対するウ
ェハＷの相対的な動きはない。

【００３１】所定時間、エッチングを行った後、昇降駆
動部３２により遮断板２を上昇させる。すると凹部４４
は対向面部４１と遮断板２との間で分割され、エッチン
グ液１９は遠心力によりこれらの間から側方へ向かって
排出され、エッチングは終了する。側方へ排出されたエ
ッチング液１９は、処理液回収容器７の内側面にあた
る。処理液回収容器７の上端が内側に向かって傾斜して
いることから、エッチング液１９は、処理液回収容器７
の外側へは移動し難くなっている。その後、エッチング
液１９は処理液回収容器７の内側面を下方へと移動し、
処理液回収容器７の下端の屈曲部１６に回収される。回
収されたエッチング液１９は、さらにエッチング液貯留
槽（図示せず）へと導かれる。

【００３２】次に、再び遮断板２を下降させて対向面部
４１上部に接触させ、回転体４、遮断板２、およびスピ
ンチャック１を同一方向に同一の回転速度で回転させ
る。そして、処理液供給配管６の吐出口５より凹部４４
に純水２０を供給する。凹部４４内には純水２０が満た
され、ウェハＷの周縁部は純水２０に浸漬されることに
より洗浄される。すなわち、ウェハＷの周縁部に付着し
たエッチング液１９などは除かれる。

【００３３】所定時間洗浄を行った後、遮断板２を上昇
させずに、遮断板２および回転体４の回転を停止する。
すると、純水２０は重力の作用により、凹部４４から下
方へ流れ落ちる。流れ落ちた純水は、受け容器（図示せ
ず）を経て廃液ラインへと導かれる。回転体４および遮
断板２は回転を停止させ、スピンチャック１はそのまま
回転を継続する。これにより、ウェハＷの乾燥が行われ
る。ウェハＷが乾燥すると、回転を停止し、ウェハＷを
基板周縁処理装置から搬出する。以上で、ウェハＷ周縁
の処理を終了する。

【００３４】このような、基板周縁処理装置によれば、
ウェハＷ上で処理が施される領域の幅は、凹部４４内の
処理液の量で決まるので精度がよい。処理が施される領
域では、ウェハＷは保持されていないので、処理の再現
性がよい。ウェハＷの保持は、ウェハＷの中央部で吸着
によりしっかり行われており、スピンチャック１に対す
るウェハＷの角度方向が変わらないようにすることがで
きる。処理時には、エッチング液１９などの薬液に対す
るウェハＷの相対的な動きがなく、静的な状態で処理を
行うことができるので、処理液が跳ねたりしてウェハＷ
に再付着することがない。なお、エッチング時や洗浄時
に、必要により、回転体４および遮断板２の回転速度と
スピンチャック１の回転速度とを異ならせ、処理液に対
してウェハＷを相対的に動かすことも可能である。

【００３５】上記の装置によれば、処理液回収容器７に
より回収されたエッチング液は、他の処理液と分離回収
することが可能である。したがって、回収したエッチン
グ液を再使用することが可能である。保持軸３４中に窒
素ガス配管を通し、遮断板２に設けた穴より窒素ガスを
供給可能な構成としてもよい。その場合、ウェハＷの乾
燥時にウェハＷに窒素ガスを供給し、ウェハＷの酸化を
防止することができる。

【００３６】図２は、本発明の第２の実施形態に係る基
板周縁処理装置の図解的な断面図である。図１に示す実
施形態による基板周縁処理装置と同一構成である部分は
同一符号を付して説明を省略する。この実施形態におい
ては、真空配管１３以外に処理液供給配管６も、チャッ
クベース１２およびチャック軸１１内部に挿通されてい
る。チャック軸１１は、下方で中空モータ２４により回
転駆動可能に支持されている。チャック軸１１の下端
は、ベアリング２６を介して固定部材２５に回転可能に
内嵌している。固定部材２５の上部で、チャック軸１１
の周囲には回転シール２７が設けられている。固定部材
２５には、処理液導入配管２８が設けられており、処理
液導入配管２８はチャック軸１１中の回転する処理液供
給配管６へ処理液を送液可能に接続されている。固定部
材２５の下端には、真空配管１３に連通した排気孔２９
が設けられている。

【００３７】このような機構により、回転するチャック
軸１１内部の処理液供給配管６に処理液を送液したり、
真空配管１３中の空気を排気したりすることが可能とな
っている。処理液供給配管６の吐出口５は、チャックベ
ース１２の側面に設けられている。チャックベース１２
の側面下部からは、円板状の処理液保持底板５２が張り
出している。

【００３８】遮断板２１は、保持軸３４に固定されてお
らず、これらは別体となっている。遮断板２１の上面中
央部には、上部が上に広がった把持部２２が設けられて
いる。保持軸３４の下端には、把持部２２を把持するこ
とができるハンド３５が備えられている。保持軸３４
は、回転駆動する機構を有していない。遮断板２１の外
周部から下方に向かって短筒部５１がのびている。短筒
部５１の下端には、円周方向に一定間隔で切欠５５が設
けられている。また、その切欠５５に対応するように、
処理液保持底板５２の外周から側方に向かって突起５４
が張り出している。

【００３９】処理するウェハＷの直径は、チャックベー
ス１２の直径より大きく、遮断板２１の直径より小さ
い。昇降駆動部３２やハンド３５が制御されて、遮断板
２２はウェハＷが吸着されたチャックベース１２上に載
置される。すると、突起５４は切欠５５に嵌合し、遮断
板２１、短筒部５１、処理液保持底板５２、およびチャ
ックベース１２により、環状中空部５３が形成される。
吐出口５は、環状中空部５３内に開口しているので、吐
出口５から環状中空部５３に処理液を供給することがで
きる。

【００４０】突起５４と切欠５５との嵌合により、スピ
ンチャック１を回転させると、遮断板２１も一緒に回転
する。この状態で環状中空部５３に処理液を供給する
と、処理液は遠心力により短筒部５１に張りついて保持
される。ウェハＷは、この環状中空部５３に張り出して
いるので、一定量以上の処理液を環状中空部５３に満た
すことにより、ウェハＷの周縁の処理を行うことができ
る。このまま環状中空部５３の回転を停止しても、処理
液の量が一定量以下であれば、処理液の液面Ｂはウェハ
Ｗの下方となるので処理を終了することができる。

【００４１】この基板周縁処理装置においては、１つの
中空モータ２４により、スピンチャック１や遮断板２１
などを回転させる構成なので、装置の構造が単純とな
る。図３は、本発明の第３の実施形態に係る基板周縁処
理装置の図解的な断面図である。図１や図２に示す実施
形態による基板周縁処理装置と同一構成である部分は同
一符号を付して説明を省略する。遮断板２１は、第１の
実施形態と同様、保持軸３４の下端に固定されている。
保持軸３４は回転駆動させることができ、保持軸３４を
回転駆動させることにより遮断板２１を回転させること
ができる。

【００４２】一方、チャック軸１１には、回転駆動部１
４は結合されていない。チャック軸１１は回転可能であ
る。昇降駆動部３２により、遮断板２１をスピンチャッ
ク１の上に降ろすと、突起５４と切欠５５と嵌合する。
保持軸３４により遮断板２１を回転させると、スピンチ
ャック１も一緒に回転する。すなわち、この実施形態に
おいても、１つの保持軸３４により、スピンチャック１
や遮断板２１などを回転させる構成なので、装置の構造
が単純となる。

【００４３】図４は、本発明の第４の実施形態に係る基
板周縁処理装置の一部を示す図解的な平面図であり、図
５は、その図解的な断面図である。３つ１組で１枚のウ
ェハＷを保持することができるローラ６０が３組配置さ
れている。３組のローラ６０に保持された３枚のウェハ
Ｗは、等間隔をあけて配置される。ローラ６０は外周に
Ｖ溝を有しており、ウェハＷをその端部がＶ溝に嵌る状
態で保持することができる（図５（ａ））。１組のロー
ラ６０のうちの１つは駆動源に結合されており、ウェハ
Ｗを回転させることが可能である。１組のローラ６０
は、互いに間隔を拡げてウェハＷの着脱を行うことが可
能である。

【００４４】回転体５８は、円板の外周部が下方から内
方へ屈曲して凹部５９を形成した構造を有している。回
転体５８は、回転した状態で凹部５９に処理液１９，２
０を保持可能である。凹部５９は環状になっており、そ
の内方端６１の輪郭は、ウェハＷの直径の約３倍の直径
を有している。ローラ６０に保持された３枚のウェハＷ
は、ほぼ凹部５９内の空間に内接する位置に配置され
る。すなわち、回転体５８の凹部５９は、３枚のウェハ
Ｗの周縁部の一部を覆っている。また、ウェハＷは、ロ
ーラ６０を移動させることにより、回転体５８の中心方
向と外周方向とに移動させることができる。

【００４５】処理時には、まず、ウェハＷが受け渡しに
際して凹部５９の内方端６１にかからない位置で、３枚
のウェハＷをそれぞれ３組のローラ６０で保持する。そ
して、回転体５８を回転させ、凹部５９に処理液１９，
２０を保持させる。そして、ウェハＷを回転させなが
ら、ウェハＷを凹部５９の方へ移動させ、その一部が処
理液１９，２０に浸漬する状態にする（図５（ｂ））。
ウェハＷは回転しているので、処理液１９，２０に浸漬
する部分は順次移動し、一定時間内にはウェハＷ周縁の
全周が浸漬することになる。このようにして、ウェハＷ
周縁の処理を行うことができる。処理を終了するとき
は、ウェハＷを回転体５８の内方側に移動させてから、
回転体５８の回転を停止する。これにより、処理液１
９，２０は下方で落下する。

【００４６】このような処理装置によれば、複数枚のウ
ェハＷを同時に処理することができる。ウェハＷを保持
する位置は、処理を施すウェハＷ周縁部であるが、ウェ
ハＷはローラ６０により密接されて保持され、規則的な
回転を与えられるので、処理の再現性はよい。しかも、
ウェハＷを保持する部分は処理液中にはないので、処理
液が跳ねてウェハＷに再付着することはない。また、こ
の実施形態では、真空による吸着でウェハＷを保持して
いないので、裏面パーティクルに対して有利になる。

【００４７】第１ないし第３の実施形態では、純水２０
を供給する処理液供給配管６とエッチング液１９を供給
する処理液供給配管６とは共通であったが、これらは別
個に設けられていてもよい。処理液はウェハＷの裏面に
向けて供給してもよい。また、第１の実施形態では、処
理液は凹部４４から溢れる前に供給を停止することとし
ているが、常に新液を供給してもよい。その場合、凹部
４４を形成する対向面部４１に、適当な流量で処理液を
排出するための処理液排出孔４７が設けられた構成とす
ることができる（図６）。

【００４８】その他、特許請求の範囲に記載された事項
の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板周縁処理装
置の図解的な断面図である。

【図２】本発明の第２の実施形態に係る基板周縁処理装
置の図解的な断面図である。

【図３】本発明の第３の実施形態に係る基板周縁処理装
置の図解的な断面図である。

【図４】本発明の第４の実施形態に係る基板周縁処理装
置の一部を示す図解的な平面図である。

【図５】本発明の第４の実施形態に係る基板周縁処理装
置の一部を示す図解的な断面図である。

【図６】処理液排出孔を備えた凹部の構造を示す図解的
な断面図である。

【符号の説明】

１ スピンチャック ２，２１ 遮断板 ４，５８ 回転体 ５ 吐出口 ６ 処理液供給配管 ７ 処理液回収容器 ４４，５９ 凹部 ４６ 回転機構 ５３ 環状中空部

フロントページの続き Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB33 AB47 BB21 BB92 BB93 BB98 CC01 CC12 CC13 CD11 CD22 5F043 AA02 EE07 EE08 EE33 GG10

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】所定の処理液を用いて円形基板の周縁部を
   洗浄またはエッチングする基板周縁処理装置であって、 上記円形基板を保持する基板保持手段と、 この基板保持手段に保持された上記円形基板の周縁部の
   少なくとも一部を覆うように配置可能な凹部を有し、上
   記円形基板に垂直な回転軸線まわりに回転する回転体
   と、 この回転体を上記回転軸線まわりに回転させる回転手段
   と、 上記回転体の凹部に処理液を供給する処理液供給手段
   と、を備えたことを特徴とする基板周縁処理装置。
2. 【請求項２】上記処理液供給手段は、処理液が上記円形
   基板の周縁部に達するまで処理液を供給可能であること
   を特徴とする請求項１記載の基板周縁処理装置。
3. 【請求項３】上記処理液供給手段は、上記回転体が回転
   している際に上記凹部に処理液を供給可能であることを
   特徴とする請求項１または２記載の基板周縁処理装置。
4. 【請求項４】上記基板保持手段は、上記円形基板を、こ
   の円形基板の中心を通り上記円形基板に垂直な基板軸を
   中心に回転させるものであることを特徴とする請求項１
   ないし３のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
5. 【請求項５】上記基板保持手段は、上記円形基板を吸着
   保持可能であることを特徴とする請求項１ないし４のい
   ずれかに記載の基板周縁処理装置。
6. 【請求項６】上記回転体は、上記基板保持手段に保持さ
   れた円形基板に垂直な方向に二分割可能な第１部分およ
   び第２部分を備えていることを特徴とする請求項１ない
   し５のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
7. 【請求項７】上記第１部分および第２部分のうちの一方
   は、上記円形基板の表面に対して所定の間隙をもって対
   向する円板であることを特徴とする請求項６記載の基板
   周縁処理装置。
8. 【請求項８】さらに、上記円形基板表面に気体を供給す
   る気体供給手段を備えたことを特徴とする請求項１ない
   し７のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
9. 【請求項９】上記処理液供給手段が純水を含む複数種類
   の処理液を供給可能であることを特徴とする請求項１な
   いし８のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
10. 【請求項１０】さらに、処理液を分離回収するための処
    理液回収容器を、上記回転体の側方に設けたことを特徴
    とする請求項１ないし９のいずれかに記載の基板周縁処
    理装置。
11. 【請求項１１】円形基板を基板保持手段で保持する工程
    と、 上記円形基板に垂直な回転軸線まわりに回転し凹部を備
    えた回転体を、この凹部が上記円形基板の周縁部の少な
    くとも一部を覆うように配置する工程と、 上記回転体を、回転手段により回転させる工程と、 処理液を、処理液供給手段により上記凹部に供給する工
    程と、を含むことを特徴とする基板周縁処理方法。