JPH09153758A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
弾性表面波デバイスInfo
- Publication number
- JPH09153758A JPH09153758A JP7331766A JP33176695A JPH09153758A JP H09153758 A JPH09153758 A JP H09153758A JP 7331766 A JP7331766 A JP 7331766A JP 33176695 A JP33176695 A JP 33176695A JP H09153758 A JPH09153758 A JP H09153758A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- dielectric layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 周波数特性を劣化させることのない、より安
定した周波数特性を示す弾性表面波フィルタを提供す
る。 【解決手段】 本発明の弾性表面波デバイスは、圧電基
板と、圧電基板上に形成された少なくとも一対のくし歯
状電極と、圧電基板上に形成されくし歯状電極にそれぞ
れ接続された複数の第１の面状電極と、くし歯状電極お
よび第１の面状電極の上側から圧電基板上に形成された
誘電体層と、誘電体層上の第１の面状電極に対応する第
１の領域および第１の領域と連続する該領域以外の第２
の領域に延伸して形成された第２の面状電極と、第２の
面状電極の第２の領域で接続された外部接続端子とを具
備することを特徴とする。
定した周波数特性を示す弾性表面波フィルタを提供す
る。 【解決手段】 本発明の弾性表面波デバイスは、圧電基
板と、圧電基板上に形成された少なくとも一対のくし歯
状電極と、圧電基板上に形成されくし歯状電極にそれぞ
れ接続された複数の第１の面状電極と、くし歯状電極お
よび第１の面状電極の上側から圧電基板上に形成された
誘電体層と、誘電体層上の第１の面状電極に対応する第
１の領域および第１の領域と連続する該領域以外の第２
の領域に延伸して形成された第２の面状電極と、第２の
面状電極の第２の領域で接続された外部接続端子とを具
備することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波デバイス
に係わり、とくに防塵、腐食耐性を向上させた弾性表面
波デバイスに関する。
に係わり、とくに防塵、腐食耐性を向上させた弾性表面
波デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波デバイスは、圧電基板上に形
成されたくし歯状の表面波励振用電極に面状電極（ボン
ディングパッド）を介して電気信号を印加し、これを弾
性表面波に変換して基板上を伝搬させ、さらにくし歯状
の表面波受信用電極に到達した弾性表面波を再度電気信
号に変換する構成となっている。
成されたくし歯状の表面波励振用電極に面状電極（ボン
ディングパッド）を介して電気信号を印加し、これを弾
性表面波に変換して基板上を伝搬させ、さらにくし歯状
の表面波受信用電極に到達した弾性表面波を再度電気信
号に変換する構成となっている。
【０００３】近年の弾性表面波デバイスは利用帯域の高
周波化にともない、表面波励振用や受信用電極の微細
化、薄膜化が著しい。弾性表面波デバイスの基本的構成
では、くし歯状電極は表面に剥き出しであるために弾性
表面波デバイスの表面波励振用電極や受信用電極、面状
電極に対するゴミの付着や電極の腐食は、従来以上に電
極表面のショートやデバイス特性劣化の原因のひとつと
なってきている。ゴミの付着や電極の腐食を防止するた
めに、表面波励振用や受信用電極、面状電極をＳｉＯ2
等からなる誘電体層を保護層として被覆する方法が知ら
れている。
周波化にともない、表面波励振用や受信用電極の微細
化、薄膜化が著しい。弾性表面波デバイスの基本的構成
では、くし歯状電極は表面に剥き出しであるために弾性
表面波デバイスの表面波励振用電極や受信用電極、面状
電極に対するゴミの付着や電極の腐食は、従来以上に電
極表面のショートやデバイス特性劣化の原因のひとつと
なってきている。ゴミの付着や電極の腐食を防止するた
めに、表面波励振用や受信用電極、面状電極をＳｉＯ2
等からなる誘電体層を保護層として被覆する方法が知ら
れている。
【０００４】この場合、一般的には表面波励振用電極や
受信用電極をＳｉＯ2 等の保護膜で被覆し、面状電極部
上の保護層はエッチング等により除去することによりボ
ンディングワイヤによる外部への電気的取り出しを可能
にしている。
受信用電極をＳｉＯ2 等の保護膜で被覆し、面状電極部
上の保護層はエッチング等により除去することによりボ
ンディングワイヤによる外部への電気的取り出しを可能
にしている。
【０００５】しかし、例えばＳｉＯ2 等の保護層のエッ
チングには通常ケミカル・イオン・エッチング（ＣＤ
Ｅ）手法が用いられるが、これには大変多額の設備投資
が必要とされる。
チングには通常ケミカル・イオン・エッチング（ＣＤ
Ｅ）手法が用いられるが、これには大変多額の設備投資
が必要とされる。
【０００６】この問題点を解決するためにボンディング
・パッド部の電気的取り出しを保護層を介して容量結合
で行う方法が提案されている（特開平４−２３４７９８
号公報）。
・パッド部の電気的取り出しを保護層を介して容量結合
で行う方法が提案されている（特開平４−２３４７９８
号公報）。
【０００７】この方法は、圧電基板上に下部電極および
ボンディングパッドを設け、これらの上に水素添加され
た窒化シリコンからなる誘電体層を保護層として形成
し、さらにこの保護層上にボンディングパッドと対向す
る位置に上部電極を配し、この上部電極と下部電極が保
護層を介して電気容量により電気的に接続される方法で
ある。
ボンディングパッドを設け、これらの上に水素添加され
た窒化シリコンからなる誘電体層を保護層として形成
し、さらにこの保護層上にボンディングパッドと対向す
る位置に上部電極を配し、この上部電極と下部電極が保
護層を介して電気容量により電気的に接続される方法で
ある。
【０００８】特開平４−２３４７９８号で提案された保
護膜の構造の１例を図７により説明する。圧電基板５０
１と、この圧電基板５０１上に設けられた表面波励振用
電極５０５とボンディングパッド５０２の上に特定膜厚
の保護膜５０３を有し、さらに保護膜５０３上にボンデ
ィングパッド５０２と対向する位置に配設された電極５
０４とからなる弾性表面波デバイスにおいて、上部電極
５０４は保護膜５０３を介した下部電極５０２との間で
電気容量により外部端子として電気信号を入出力してい
る。
護膜の構造の１例を図７により説明する。圧電基板５０
１と、この圧電基板５０１上に設けられた表面波励振用
電極５０５とボンディングパッド５０２の上に特定膜厚
の保護膜５０３を有し、さらに保護膜５０３上にボンデ
ィングパッド５０２と対向する位置に配設された電極５
０４とからなる弾性表面波デバイスにおいて、上部電極
５０４は保護膜５０３を介した下部電極５０２との間で
電気容量により外部端子として電気信号を入出力してい
る。
【０００９】ボンディングにより接続する場合は、例え
ばＵＳワイヤボンディング、ＵＴＣワイヤボンディン
グ、バンプボンディングなどの方法が一般的に用いられ
ているが、これらボンディング方式にはＵＳパワー、加
重を接続部に加えることが必要になる。
ばＵＳワイヤボンディング、ＵＴＣワイヤボンディン
グ、バンプボンディングなどの方法が一般的に用いられ
ているが、これらボンディング方式にはＵＳパワー、加
重を接続部に加えることが必要になる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかし、容量結合で行
う方法において、保護層を介して上部電極と下部電極と
の間で発生する電気容量Ｃと周波数特性の相関関係によ
り、弾性表面波フィルタの特性が劣化するという問題が
あった。すなわち、誘電体層の厚みによっては著しく弾
性表面波フィルタの特性を劣化させるおそれがあるとい
う問題があった。請求項１ないし請求項３の発明は、こ
のような問題に対処するためになされたもので、保護層
付弾性表面波デバイスにおいて、弾性表面波フィルタの
周波数特性を劣化させることのない、より安定した周波
数特性を示す弾性表面波デバイスを提供することを目的
とする。
う方法において、保護層を介して上部電極と下部電極と
の間で発生する電気容量Ｃと周波数特性の相関関係によ
り、弾性表面波フィルタの特性が劣化するという問題が
あった。すなわち、誘電体層の厚みによっては著しく弾
性表面波フィルタの特性を劣化させるおそれがあるとい
う問題があった。請求項１ないし請求項３の発明は、こ
のような問題に対処するためになされたもので、保護層
付弾性表面波デバイスにおいて、弾性表面波フィルタの
周波数特性を劣化させることのない、より安定した周波
数特性を示す弾性表面波デバイスを提供することを目的
とする。
【００１１】また、特開平４−２３４７９８号では、図
７に示したような保護膜５０３を有する弾性表面波デバ
イスにおいて、保護膜を介して容量結合する上部電極５
０４と下部電極５０２との位置関係については特に述べ
られていないが、上部電極５０４へ電気信号を印加する
ために例えばワイヤ・ボンディングを行うと、ＵＳパワ
ー、加重等の影響により下部電極５０２および保護膜５
０３に変形や破断が生じ、適切な電気容量Ｃが得られな
いという問題があった。
７に示したような保護膜５０３を有する弾性表面波デバ
イスにおいて、保護膜を介して容量結合する上部電極５
０４と下部電極５０２との位置関係については特に述べ
られていないが、上部電極５０４へ電気信号を印加する
ために例えばワイヤ・ボンディングを行うと、ＵＳパワ
ー、加重等の影響により下部電極５０２および保護膜５
０３に変形や破断が生じ、適切な電気容量Ｃが得られな
いという問題があった。
【００１２】さらに、ボンディングなどの接続の強度を
著しく劣化させるという問題があった。
著しく劣化させるという問題があった。
【００１３】ワイヤ・ボンディングを行った際の下部電
極５０２、保護膜５０３の構造の変形した例を図８に示
す。下部電極５０２にはボンディング時のＵＳパワー、
加重等の影響によりへこみが生じ、それにともなって保
護膜５０３はその厚さが不均一になるような変形を生じ
る。このような変形を生じると適切な電気容量Ｃが得ら
れないのみならず、保護膜５０３を剥離界面とするボン
ディング強度の劣化を招くという問題があった。
極５０２、保護膜５０３の構造の変形した例を図８に示
す。下部電極５０２にはボンディング時のＵＳパワー、
加重等の影響によりへこみが生じ、それにともなって保
護膜５０３はその厚さが不均一になるような変形を生じ
る。このような変形を生じると適切な電気容量Ｃが得ら
れないのみならず、保護膜５０３を剥離界面とするボン
ディング強度の劣化を招くという問題があった。
【００１４】
【課題を解決するための手段】請求項１の弾性表面波デ
バイスは、圧電基板と、この圧電基板上に設けられたく
し歯状電極と、このくし歯状電極に接続された面状電極
と、少なくとも前記面状電極表面を覆う誘電体層と、平
面よりみて前記面状電極と実質的に同じ面積を有し、か
つ前記誘電体層上に配設された上部電極とから構成され
る弾性表面波デバイスであって、前記誘電体層を介して
形成される前記面状電極と前記上部電極との電気容量が
５ｐＦ以上であることを特徴とする。
バイスは、圧電基板と、この圧電基板上に設けられたく
し歯状電極と、このくし歯状電極に接続された面状電極
と、少なくとも前記面状電極表面を覆う誘電体層と、平
面よりみて前記面状電極と実質的に同じ面積を有し、か
つ前記誘電体層上に配設された上部電極とから構成され
る弾性表面波デバイスであって、前記誘電体層を介して
形成される前記面状電極と前記上部電極との電気容量が
５ｐＦ以上であることを特徴とする。
【００１５】請求項２の弾性表面波デバイスは、請求項
１の弾性表面波デバイスにおいて、前記誘電体層が、酸
化シリコン層よりなり、その層厚が０．３μｍ以下であ
ることを特徴とする。
１の弾性表面波デバイスにおいて、前記誘電体層が、酸
化シリコン層よりなり、その層厚が０．３μｍ以下であ
ることを特徴とする。
【００１６】請求項３の弾性表面波デバイスは、請求項
１または請求項２の弾性表面波デバイスにおいて、前記
誘電体層は、前記くし歯状電極および前記面状電極表面
を覆うことを特徴とする。
１または請求項２の弾性表面波デバイスにおいて、前記
誘電体層は、前記くし歯状電極および前記面状電極表面
を覆うことを特徴とする。
【００１７】本発明者は、電極容量Ｃと弾性表面波フィ
ルタの周波数特性の関係を明確にすることにより、弾性
表面波フィルタの周波数特性を劣化させることのない電
極容量Ｃの範囲および誘電体層の厚みの範囲を見出だし
た。
ルタの周波数特性の関係を明確にすることにより、弾性
表面波フィルタの周波数特性を劣化させることのない電
極容量Ｃの範囲および誘電体層の厚みの範囲を見出だし
た。
【００１８】すなわち、誘電体層を介して下部ボンディ
ングパッドとなる面状電極と上部電極との間で生じる電
気容量Ｃは、誘電体層の材料の種類や層の厚さにより変
化するが、電気容量Ｃを、Ｃ≧５ｐＦの範囲とすること
によって、フィルタの挿入損失やリップルなど周波数特
性にさほど大きな影響をなくすことが可能になる。
ングパッドとなる面状電極と上部電極との間で生じる電
気容量Ｃは、誘電体層の材料の種類や層の厚さにより変
化するが、電気容量Ｃを、Ｃ≧５ｐＦの範囲とすること
によって、フィルタの挿入損失やリップルなど周波数特
性にさほど大きな影響をなくすことが可能になる。
【００１９】なお、請求項１にあって、誘電体層を介し
て対向する面状電極と上部電極とは実質的に同じ面積を
有するが、ここで実質的に同じとは、平面よりみたそれ
ぞれの面積が相互に±２０％の範囲にあることをいう。
て対向する面状電極と上部電極とは実質的に同じ面積を
有するが、ここで実質的に同じとは、平面よりみたそれ
ぞれの面積が相互に±２０％の範囲にあることをいう。
【００２０】本発明に使用することのできる誘電層の種
類としては、通常絶縁膜として使用されている材料が使
用できる。具体的には、ＳｉＯx 、ＳｉＮx 、Ｔａ
Ｏx 、ＡｌＯx 、ＡｌＮx などを挙げることができる。
これらのなかでも成膜の容易さ、電気的絶縁性の高さお
よび膜特性の安定性の点から酸化シリコンが好ましく、
とくにＳｉＯ2 が好ましい。
類としては、通常絶縁膜として使用されている材料が使
用できる。具体的には、ＳｉＯx 、ＳｉＮx 、Ｔａ
Ｏx 、ＡｌＯx 、ＡｌＮx などを挙げることができる。
これらのなかでも成膜の容易さ、電気的絶縁性の高さお
よび膜特性の安定性の点から酸化シリコンが好ましく、
とくにＳｉＯ2 が好ましい。
【００２１】電気容量Ｃの値は、他の条件を一定とする
ならば、誘電体層の厚さに依存することになるので、誘
電体層が絶縁性を保持することのできる薄い厚さの範囲
における電気容量の値であれば許容することができる。
ならば、誘電体層の厚さに依存することになるので、誘
電体層が絶縁性を保持することのできる薄い厚さの範囲
における電気容量の値であれば許容することができる。
【００２２】誘電体層がＳｉＯ2 の場合、その層厚が
０．３μｍ以下であると５ｐＦ以上の容量を達成するこ
とができる。
０．３μｍ以下であると５ｐＦ以上の容量を達成するこ
とができる。
【００２３】さらに、保護層としての誘電体層は、くし
歯状電極および面状電極表面全体を覆うことがゴミの付
着や電極の腐食を防止するために好ましい。
歯状電極および面状電極表面全体を覆うことがゴミの付
着や電極の腐食を防止するために好ましい。
【００２４】また請求項４乃至５に記載の弾性表面波デ
バイスは、圧電基板と、この圧電基板上に形成された少
なくとも一対のくし歯状電極と、圧電基板上に形成され
くし歯状電極にそれぞれ接続された複数の第１の面状電
極と、くし歯状電極および第１の面状電極の上側から圧
電基板上に形成された誘電体層と、誘電体層上の第１の
面状電極に対応する第１の領域および第１の領域と連続
する該領域以外の第２の領域に延伸して形成された第２
の面状電極と、第２の面状電極の第２の領域で接続され
た外部接続端子とを具備することを特徴とする。
バイスは、圧電基板と、この圧電基板上に形成された少
なくとも一対のくし歯状電極と、圧電基板上に形成され
くし歯状電極にそれぞれ接続された複数の第１の面状電
極と、くし歯状電極および第１の面状電極の上側から圧
電基板上に形成された誘電体層と、誘電体層上の第１の
面状電極に対応する第１の領域および第１の領域と連続
する該領域以外の第２の領域に延伸して形成された第２
の面状電極と、第２の面状電極の第２の領域で接続され
た外部接続端子とを具備することを特徴とする。
【００２５】第２の面状電極の第２の領域での外部回路
との接続は、ワイヤ・ボンディングによるようにしても
よい。
との接続は、ワイヤ・ボンディングによるようにしても
よい。
【００２６】すなわち、請求項４乃至５に記載の弾性表
面波デバイスは、第２の電極である上部電極を、第１の
電極である下部電極に対向する領域（第１の領域）より
も、さらに大きく延在させ、第２の電極である上部電極
の第１の電極である下部電極に対向しない領域（第２の
領域）内で外部回路と接続することにより、例えばワイ
ヤ・ボンディング接続時に容量結合形成部にダメージを
与えることなく接続するものである。
面波デバイスは、第２の電極である上部電極を、第１の
電極である下部電極に対向する領域（第１の領域）より
も、さらに大きく延在させ、第２の電極である上部電極
の第１の電極である下部電極に対向しない領域（第２の
領域）内で外部回路と接続することにより、例えばワイ
ヤ・ボンディング接続時に容量結合形成部にダメージを
与えることなく接続するものである。
【００２７】また、弾性表面波デバイスの十分な接続強
度を保ち、安定的に電極容量Ｃを確保するものである。
度を保ち、安定的に電極容量Ｃを確保するものである。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００２９】本実施例の保護層付弾性表面波デバイスを
図１に示す。図１（ａ）は弾性表面波フィルタを構成す
る素子チップの断面図を示し、図１（ｂ）は素子の概念
的回路図を示す。
図１に示す。図１（ａ）は弾性表面波フィルタを構成す
る素子チップの断面図を示し、図１（ｂ）は素子の概念
的回路図を示す。
【００３０】表面波を励振、受信および伝搬させるため
圧電基板１上にはアルミニウム（Ａｌ）で構成されたく
し歯状電極５と、このくし歯状電極５に電気信号を供給
するための下部電極２が配設されている。このくし歯状
電極５と下部電極２を覆うように圧電基板１全体にはス
パックリング法により厚さ０．０５μｍの酸化シリコン
（ＳｉＯ2 ）で構成された誘電体層３が形成されてい
る。誘電体層３上であって下部電極２に対向する位置に
実質的に同じ大きさで形成された上部電極４が形成され
ており、この下部電極２と上部電極４との間に誘電体層
３を介して電気容量Ｃが構成される。上部電極４にはボ
ンディング・ワイヤ６等により外部端子から信号が供給
され、さらに電気容量Ｃを介してくし歯状電極５に電気
的に接続されている。
圧電基板１上にはアルミニウム（Ａｌ）で構成されたく
し歯状電極５と、このくし歯状電極５に電気信号を供給
するための下部電極２が配設されている。このくし歯状
電極５と下部電極２を覆うように圧電基板１全体にはス
パックリング法により厚さ０．０５μｍの酸化シリコン
（ＳｉＯ2 ）で構成された誘電体層３が形成されてい
る。誘電体層３上であって下部電極２に対向する位置に
実質的に同じ大きさで形成された上部電極４が形成され
ており、この下部電極２と上部電極４との間に誘電体層
３を介して電気容量Ｃが構成される。上部電極４にはボ
ンディング・ワイヤ６等により外部端子から信号が供給
され、さらに電気容量Ｃを介してくし歯状電極５に電気
的に接続されている。
【００３１】この保護層付表面波フィルタの電気容量Ｃ
とフィルタの周波数特性の関係について図２を用いて説
明する。図２の点線は図１で示した本発明の弾性表面波
フィルタを８００ＭＨｚ帯の携帯電話用フィルタに適用
した場合の通過帯域内のリップル値、実線は最小挿入損
失について電気容量Ｃに対する依存性を表している。こ
の図２に示すように電気容量Ｃを介さないときに比べ電
気容量値が大きいときはリップル、最小挿入損失共に大
きな影響を受けないが、電気容量値が５ｐＦより小さい
値、例えばＳｉＯ2 の膜厚が０．３μｍ以上になると急
激に特性劣化が起こる。
とフィルタの周波数特性の関係について図２を用いて説
明する。図２の点線は図１で示した本発明の弾性表面波
フィルタを８００ＭＨｚ帯の携帯電話用フィルタに適用
した場合の通過帯域内のリップル値、実線は最小挿入損
失について電気容量Ｃに対する依存性を表している。こ
の図２に示すように電気容量Ｃを介さないときに比べ電
気容量値が大きいときはリップル、最小挿入損失共に大
きな影響を受けないが、電気容量値が５ｐＦより小さい
値、例えばＳｉＯ2 の膜厚が０．３μｍ以上になると急
激に特性劣化が起こる。
【００３２】すなわちＣ≧５ｐＦの条件式が成立するこ
とが重要である。
とが重要である。
【００３３】上の条件式が成立する範囲で得られた保護
層付弾性表面波フィルタはゴミや電極の腐食による特性
劣化を防ぎ良好な周波数特性を示した。
層付弾性表面波フィルタはゴミや電極の腐食による特性
劣化を防ぎ良好な周波数特性を示した。
【００３４】本発明の説明においては弾性表面波フィル
タの例としては８００ＭＨｚの携帯電話用フィルタの周
波数特性を引用したが、同様の効果がその他の弾性表面
波フィルタ、例えばテレビの中間周波数帯フィルタにつ
いても同様の効果がある。また、誘電体層としてはＳｉ
Ｏ2 膜を例に示したが、Ｔａ2 Ｏ5 等この他の誘電体層
においても誘電体層を介して下部電極２と上部電極間に
発生する電気容量が５ｐＦよりも大きい条件においては
この実施例と同様の効果がある。さらにボンディングパ
ット部の腐食が問題となる場合には、その部分のみに保
護層を設けることができる。
タの例としては８００ＭＨｚの携帯電話用フィルタの周
波数特性を引用したが、同様の効果がその他の弾性表面
波フィルタ、例えばテレビの中間周波数帯フィルタにつ
いても同様の効果がある。また、誘電体層としてはＳｉ
Ｏ2 膜を例に示したが、Ｔａ2 Ｏ5 等この他の誘電体層
においても誘電体層を介して下部電極２と上部電極間に
発生する電気容量が５ｐＦよりも大きい条件においては
この実施例と同様の効果がある。さらにボンディングパ
ット部の腐食が問題となる場合には、その部分のみに保
護層を設けることができる。
【００３５】図３は、本発明の保護膜付き弾性表面波デ
バイスの１例を概略的に示す斜視図である。また、図４
は図３に例示した本発明の弾性表面波デバイスの外部回
路との接続部を拡大して示す図であり、図５は図４の接
続部のＡＢ方向の断面構造を概略的に示す図である。図
６は本発明の保護膜付弾性表面波デバイスの断面構造を
概略的に示す図である表面波を励振、受信および伝搬さ
せるため、圧電基板３０１上にはアルミニウム（Ａｌ）
で構成されたくし歯状電極３０５と、このくし歯状電極
３０５に電気信号を供給するため接続部３１０が形成さ
れている。接続部では、ボンディング・ワイヤ３１１に
より外部回路と接続されている。
バイスの１例を概略的に示す斜視図である。また、図４
は図３に例示した本発明の弾性表面波デバイスの外部回
路との接続部を拡大して示す図であり、図５は図４の接
続部のＡＢ方向の断面構造を概略的に示す図である。図
６は本発明の保護膜付弾性表面波デバイスの断面構造を
概略的に示す図である表面波を励振、受信および伝搬さ
せるため、圧電基板３０１上にはアルミニウム（Ａｌ）
で構成されたくし歯状電極３０５と、このくし歯状電極
３０５に電気信号を供給するため接続部３１０が形成さ
れている。接続部では、ボンディング・ワイヤ３１１に
より外部回路と接続されている。
【００３６】接続部はバスバー３１２と接続された第１
の電極である下部電極３０２が配設されている。
の電極である下部電極３０２が配設されている。
【００３７】このくし歯状電極３０５と下部電極３０２
を覆うように、圧電基板３０１全体にわたって厚さ０．
０５μｍのＳｉＯ2 保護膜３０３が形成されている。こ
のＳｉＯ2 保護膜３０３は例えばスパッタリング法で形
成するようにしてもよいし、ＣＶＤ法で形成するように
してもよい。
を覆うように、圧電基板３０１全体にわたって厚さ０．
０５μｍのＳｉＯ2 保護膜３０３が形成されている。こ
のＳｉＯ2 保護膜３０３は例えばスパッタリング法で形
成するようにしてもよいし、ＣＶＤ法で形成するように
してもよい。
【００３８】また、保護膜としてＳｉＯ2 を例にとって
説明したが、例えばＴａ2 Ｏ5 など他の誘電体膜を形成
するようにしてもよい。
説明したが、例えばＴａ2 Ｏ5 など他の誘電体膜を形成
するようにしてもよい。
【００３９】図５に示すとおり、保護膜３０３上の、下
部電極３０２に対応する第１の領域３０３ａとこの領域
から連続する第２の領域３０３ｂには、第２の電極であ
る上部電極３０４が形成されている。すなわち、上部電
極３０４は保護膜上の第１の領域３０３ａに形成された
部分３０４ａと、この領域から連続して外側に延在する
領域に形成された部分である第２の領域に形成された部
分３０４ｂとから形成されている。
部電極３０２に対応する第１の領域３０３ａとこの領域
から連続する第２の領域３０３ｂには、第２の電極であ
る上部電極３０４が形成されている。すなわち、上部電
極３０４は保護膜上の第１の領域３０３ａに形成された
部分３０４ａと、この領域から連続して外側に延在する
領域に形成された部分である第２の領域に形成された部
分３０４ｂとから形成されている。
【００４０】この下部電極３０２と、保護誘電膜３０３
を介して対向する上部電極３０４とにより電気容量Ｃの
容量結合が形成される。そして、外部回路との電気的接
続は上部電極３０４の第２の領域３０４ｂで行われるの
で、保護膜下部には十分な強度を有する圧電性基板３０
１があり、接続時にＵＳパワー、加重等の影響により下
部電極３０２および保護膜３０３に変形や破断が生ずる
ことはない。したがって、容量結合形成部にダメージを
与えることはないから、安定的に適切な電極容量Ｃを確
保することができる。
を介して対向する上部電極３０４とにより電気容量Ｃの
容量結合が形成される。そして、外部回路との電気的接
続は上部電極３０４の第２の領域３０４ｂで行われるの
で、保護膜下部には十分な強度を有する圧電性基板３０
１があり、接続時にＵＳパワー、加重等の影響により下
部電極３０２および保護膜３０３に変形や破断が生ずる
ことはない。したがって、容量結合形成部にダメージを
与えることはないから、安定的に適切な電極容量Ｃを確
保することができる。
【００４１】また、ボンディング法により外部回路と接
続する場合でも保護膜３０３を剥離界面とするボンディ
ング強度を損なうことがなく、外部回路との接続の信頼
性が向上する。
続する場合でも保護膜３０３を剥離界面とするボンディ
ング強度を損なうことがなく、外部回路との接続の信頼
性が向上する。
【００４２】上述した説明では弾性表面波デバイスの例
としては、８００ＭＨｚの携帯用電話用周波数フィルタ
の周波数特性を引用したが、例えばテレビジョンの中間
周波数帯フィルタなど他の弾性表面波デバイスにも同様
に適用することができる。
としては、８００ＭＨｚの携帯用電話用周波数フィルタ
の周波数特性を引用したが、例えばテレビジョンの中間
周波数帯フィルタなど他の弾性表面波デバイスにも同様
に適用することができる。
【００４３】
【発明の効果】請求項１から請求項３の弾性表面波デバ
イスは、誘電体層を介して形成される上部電極と面状電
極との電気容量が５ｐＦ以上であるので、より安定した
周波数特性を示す保護層付弾性表面波フィルタを得るこ
とができる。
イスは、誘電体層を介して形成される上部電極と面状電
極との電気容量が５ｐＦ以上であるので、より安定した
周波数特性を示す保護層付弾性表面波フィルタを得るこ
とができる。
【００４４】請求項４乃至５に記載の本発明の弾性表面
波デバイスは、下部電極と、保護膜を介して対向する上
部電極とにより電気容量Ｃの容量結合が形成され、外部
との電気的接続は上部電極の第２の領域で行われるの
で、接続時にＵＳパワー、加重等の影響により下部電極
および保護膜に変形や破断が生ずることはない。したが
って、容量結合形成部にダメージを与えることはないか
ら、安定的に適切な電極容量Ｃを確保することができ
る。
波デバイスは、下部電極と、保護膜を介して対向する上
部電極とにより電気容量Ｃの容量結合が形成され、外部
との電気的接続は上部電極の第２の領域で行われるの
で、接続時にＵＳパワー、加重等の影響により下部電極
および保護膜に変形や破断が生ずることはない。したが
って、容量結合形成部にダメージを与えることはないか
ら、安定的に適切な電極容量Ｃを確保することができ
る。
【００４５】また、ボンディング法により外部回路と接
続する場合でも保護膜を剥離界面とするボンディング強
度を損なうことがなく、外部回路との接続の信頼性が向
上する。
続する場合でも保護膜を剥離界面とするボンディング強
度を損なうことがなく、外部回路との接続の信頼性が向
上する。
【００４６】したがって本発明の弾性表面波デバイス
は、良好なボンディング強度、周波数特性得ることがで
きる。
は、良好なボンディング強度、周波数特性得ることがで
きる。
【図１】本発明の保護層付弾性表面波デバイスの１例を
概略的に示す断面図。
概略的に示す断面図。
【図２】電気容量Ｃとフィルタの周波数特性の関係を示
す図。
す図。
【図３】本発明の保護層付弾性表面波デバイスの１例を
概略的に示す斜視図。
概略的に示す斜視図。
【図４】図３に例示した本発明の弾性表面波デバイスの
接続部を拡大して示す斜視図。
接続部を拡大して示す斜視図。
【図５】図４に示した本発明の弾性表面波デバイスの接
続部のＡＢ方向の断面図。
続部のＡＢ方向の断面図。
【図６】本発明の保護層付弾性表面波デバイスの１例を
概略的に示す断面図。
概略的に示す断面図。
【図７】従来の保護層付弾性表面波デバイスの１例を概
略的に示す断面図。
略的に示す断面図。
【図８】ボンディング部の構造変形の１例を示す図。
１……圧電基板、２……下部電極、３……誘電体層、４
……上部電極 ５……くし歯状電極、６……ボンディングワイヤ ３０１……圧電基板、３０２……下部電極、３０３……
誘電体層 ３０３ａ……第１の領域、３０３ｂ……第２の領域、３
０４……上部電極 ３０４ａ……第１の領域、３０４ｂ……第２の領域 ３０５……くし歯状電極、３０６……ボンディングワイ
ヤ ３１０……接続部、３１１……ボンディング・ワイヤ、
３１２……バスバー ５０１……圧電基板、５０２……下部電極、５０３……
誘電体層 ５０４……上部電極、５０５……くし歯状電極、５０６
……ボンディングワイヤ
……上部電極 ５……くし歯状電極、６……ボンディングワイヤ ３０１……圧電基板、３０２……下部電極、３０３……
誘電体層 ３０３ａ……第１の領域、３０３ｂ……第２の領域、３
０４……上部電極 ３０４ａ……第１の領域、３０４ｂ……第２の領域 ３０５……くし歯状電極、３０６……ボンディングワイ
ヤ ３１０……接続部、３１１……ボンディング・ワイヤ、
３１２……バスバー ５０１……圧電基板、５０２……下部電極、５０３……
誘電体層 ５０４……上部電極、５０５……くし歯状電極、５０６
……ボンディングワイヤ
Claims (5)
- 【請求項１】 圧電基板と、この圧電基板上に設けられ
たくし歯状電極と、このくし歯状電極に接続された面状
電極と、少なくとも前記面状電極表面を覆う誘電体層
と、平面よりみて前記面状電極と実質的に同じ面積を有
し、かつ前記誘電体層上に配設された上部電極とから構
成される弾性表面波デバイスであって、前記誘電体層を
介して形成される前記面状電極と前記上部電極との電気
容量が５ｐＦ以上であることを特徴とする弾性表面波デ
バイス。 - 【請求項２】 請求項１記載の弾性表面波デバイスにお
いて、 前記誘電体層が、酸化シリコン層よりなり、その層厚が
０．３μｍ以下であることを特徴とする弾性表面波デバ
イス。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の弾性表面
波デバイスにおいて、前記誘電体層は、前記くし歯状電
極および前記面状電極表面を覆うことを特徴とする弾性
表面波デバイス。 - 【請求項４】 圧電基板と、前記圧電基板上に形成され
た少なくとも一対のくし歯状電極と、前記圧電基板上に
形成され前記くし歯状電極にそれぞれ接続された複数の
第１の面状電極と、前記くし歯状電極および第１の面状
電極の上側から前記圧電基板上に形成された誘電体層
と、前記誘電体層上の第１の面状電極に対応する第１の
領域および第１の領域と連続する該領域以外の第２の領
域に延伸して形成された第２の面状電極と、第２の面状
電極の第２の領域で接続された外部接続端子とを具備す
ることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 【請求項５】 前記外部接続端子は第２の領域でワイヤ
・ボンディングにより接続されたことを特徴とする請求
項４記載の弾性表面波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7331766A JPH09153758A (ja) | 1995-09-29 | 1995-12-20 | 弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25229295 | 1995-09-29 | ||
| JP7-252292 | 1995-09-29 | ||
| JP7331766A JPH09153758A (ja) | 1995-09-29 | 1995-12-20 | 弾性表面波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09153758A true JPH09153758A (ja) | 1997-06-10 |
Family
ID=26540646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7331766A Pending JPH09153758A (ja) | 1995-09-29 | 1995-12-20 | 弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09153758A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7075391B2 (en) * | 2001-10-29 | 2006-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter element, surface acoustic wave filter and communication device using the same |
| US20160141107A1 (en) * | 2014-11-13 | 2016-05-19 | Wisol Co., Ltd. | Capacitor for saw filter, saw filter and method of manufacturing thereof |
| JP2017135652A (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置 |
| JPWO2017085976A1 (ja) * | 2015-11-18 | 2018-06-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ、デュプレクサ及び弾性波フィルタモジュール |
| US10305448B2 (en) * | 2014-07-28 | 2019-05-28 | Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. | Acoustic wave elements, antenna duplexers, modules and electronic devices using the same |
| US10374570B2 (en) | 2014-07-28 | 2019-08-06 | Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. | Method of manufacturing an acoustic wave element |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5467792A (en) * | 1977-11-09 | 1979-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elastic surface wave element |
| JPS5654115A (en) * | 1979-09-24 | 1981-05-14 | Siemens Ag | Surface wave device |
| JPS61277215A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面波フイルタチツプ |
| JPS6468114A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-14 | Hiroshi Shimizu | Structure for idt exciting type piezoelectric resonator |
| JPH05347430A (ja) * | 1991-07-17 | 1993-12-27 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JPH07183574A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光装置 |
-
1995
- 1995-12-20 JP JP7331766A patent/JPH09153758A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5467792A (en) * | 1977-11-09 | 1979-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Elastic surface wave element |
| JPS5654115A (en) * | 1979-09-24 | 1981-05-14 | Siemens Ag | Surface wave device |
| JPS61277215A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面波フイルタチツプ |
| JPS6468114A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-14 | Hiroshi Shimizu | Structure for idt exciting type piezoelectric resonator |
| JPH05347430A (ja) * | 1991-07-17 | 1993-12-27 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JPH07183574A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7075391B2 (en) * | 2001-10-29 | 2006-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter element, surface acoustic wave filter and communication device using the same |
| US10305448B2 (en) * | 2014-07-28 | 2019-05-28 | Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. | Acoustic wave elements, antenna duplexers, modules and electronic devices using the same |
| US10374570B2 (en) | 2014-07-28 | 2019-08-06 | Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. | Method of manufacturing an acoustic wave element |
| US20160141107A1 (en) * | 2014-11-13 | 2016-05-19 | Wisol Co., Ltd. | Capacitor for saw filter, saw filter and method of manufacturing thereof |
| US9654084B2 (en) * | 2014-11-13 | 2017-05-16 | Wisol Co., Ltd. | Capacitor for saw filter, saw filter and method of manufacturing thereof |
| JPWO2017085976A1 (ja) * | 2015-11-18 | 2018-06-14 | 株式会社村田製作所 | 弾性波フィルタ、デュプレクサ及び弾性波フィルタモジュール |
| JP2017135652A (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3781435B2 (ja) | 弾性境界波デバイス及びその製造方法 | |
| JP3435639B2 (ja) | 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置 | |
| JP2002268644A (ja) | モノリシックｆｂａｒデュプレクサおよびそれを作製する方法 | |
| JP2006526919A (ja) | 電気音響構成素子および製造方法 | |
| JP3839492B2 (ja) | 薄膜圧電素子 | |
| EP3776855A1 (en) | Surface acoustic wave device on composite substrate | |
| US10886893B2 (en) | Reduced-size guided-surface acoustic wave (SAW) devices | |
| JPH09153758A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JPH09172341A (ja) | 弾性表面波デバイスおよびその製造方法 | |
| JPH1141054A (ja) | 弾性表面波素子、弾性表面波素子の製造方法および接続装置 | |
| JP3876474B2 (ja) | 表面実装型圧電デバイスのパッケージ | |
| JPH05235684A (ja) | 多電極型弾性表面波装置 | |
| JPH027613A (ja) | 多重モード共振器型表面弾性波フィルタとその帯域通過特性調整方法 | |
| JPH10327039A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP2002368571A (ja) | 圧電振動素子及びそれを用いたフィルタ | |
| CN117118390B (zh) | 弹性波滤波器 | |
| JPH10294640A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| CN117097296B (zh) | 声表面波谐振器装置及其制造方法、滤波器 | |
| WO2022255304A1 (ja) | 圧電バルク波装置及びその製造方法 | |
| WO2023085368A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| US20240186979A1 (en) | Acoustic wave device and method of manufacturing acoustic wave device | |
| WO2023058727A1 (ja) | 弾性波装置及び弾性波装置の製造方法 | |
| WO2022210689A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| US20230155565A1 (en) | Acoustic wave device | |
| JPH11284482A (ja) | 多重モード水晶振動子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040316 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040720 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040921 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050412 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050613 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060404 |