JPH09129698A - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に半導体装
置を製造するための、プラズマ処理装置やスパッタリン
グ装置などの真空処理装置を用いた半導体製造装置に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus using a vacuum processing apparatus such as a plasma processing apparatus or a sputtering apparatus for manufacturing a semiconductor device on a substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】各種の半導体装置、例えばアクティブマ
トリックス方式の液晶表示装置に使用する薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）基板などは、その製造プロセスにおいて
真空処理装置、すなわちプラズマＣＶＤ装置・各種のス
パッタリング装置・蒸着装置・イオンプレーティング装
置などの成膜装置あるいはプラズマエッチング装置など
のプラズマ処理装置を必要に応じて数種類組み合わせて
製造されている。2. Description of the Related Art Various semiconductor devices, such as thin film transistor (TFT) substrates used in active matrix type liquid crystal display devices, are vacuum processing devices, that is, plasma CVD devices, various sputtering devices, vapor deposition devices, etc. It is manufactured by combining several kinds of film forming apparatuses such as an ion plating apparatus or plasma processing apparatuses such as a plasma etching apparatus as needed.
【０００３】例えばＴＦＴ基板の製造プロセスにおいて
は、上記のような真空処理装置による成膜またはプラズ
マ処理工程として、 蒸着装置による金属膜（電極膜）の成膜 プラズマＣＶＤ装置による絶縁膜・半導体膜の成膜 プラズマ処理装置による半導体膜の窒化あるいは酸化
処理 スパッタリング装置による金属膜（電極膜）の成膜 スパッタリング装置による透明導電膜（透明電極膜）
の成膜 プラズマＣＶＤ装置による絶縁膜の成膜 といったプロセスが行われる。For example, in the manufacturing process of a TFT substrate, a metal film (electrode film) is formed by a vapor deposition device as an insulating film / semiconductor film is formed by a vapor deposition device as a film forming process by the above vacuum processing device or a plasma processing process. Film formation Plasma processing apparatus nitriding or oxidizing semiconductor film Film forming metal film (electrode film) by sputtering equipment Transparent conductive film (transparent electrode film) by sputtering equipment
Deposition of a process such as deposition of an insulating film by a plasma CVD apparatus is performed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記のような真空処理
装置による各プロセスは、通常、複数の真空処理装置に
よって行われており、その度に真空処理装置へのセット
・真空引き・大気圧へのリーク・真空処理装置からの取
り出しを行う必要があり、この際、特に大気圧へのリー
クによって基板にゴミや異物などのパーティクルが付着
するため、これらが基板上に形成される半導体装置の欠
陥の原因となるという問題点があった。Each process by the vacuum processing apparatus as described above is usually performed by a plurality of vacuum processing apparatuses, and each time the process is performed by setting the vacuum processing apparatus, evacuation, and atmospheric pressure. It is necessary to take out from the leak / vacuum processing equipment. At this time, particles such as dust and foreign matter adhere to the substrate due to the leak to the atmospheric pressure, and these are defects of the semiconductor device formed on the substrate. There was a problem that it caused.
【０００５】このため、真空処理装置からの取り出し毎
に基板を洗浄装置へ搬送して洗浄を行わなければなら
ず、そのために装置コストおよびプロセスコストが高く
なるという問題点もあった。Therefore, it is necessary to convey the substrate to the cleaning device for cleaning each time it is taken out from the vacuum processing device, which causes a problem that the device cost and the process cost increase.
【０００６】さらに、各真空処理装置でのプロセス毎に
基板を各真空処理装置と洗浄装置との間で搬送しなけれ
ばならず、その搬送経路が長くなるために、パーティク
ル付着による半導体装置回路の欠陥や短絡、または膜の
表面酸化による半導体回路の特性不良などといった工程
トラブルを発生し易くなるという問題点もあった。Further, the substrate must be transferred between each vacuum processing apparatus and the cleaning apparatus for each process in each vacuum processing apparatus, and the transfer path becomes long. There is also a problem that process troubles such as defects and short circuits or defective characteristics of semiconductor circuits due to film surface oxidation are likely to occur.
【０００７】本発明は上述のような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体装置を
真空処理装置を用いて製造するに当たり、基板へのパー
ティクルの付着を防止して欠陥の発生を防止することが
できる半導体製造装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the problems of the prior art as described above, and an object thereof is to prevent particles from adhering to a substrate when manufacturing a semiconductor device using a vacuum processing apparatus. Another object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of preventing the occurrence of defects.
【０００８】また本発明の目的は、真空処理装置からの
取り出し毎の基板の洗浄を不要として装置コストおよび
プロセスコストを低減できる半導体製造装置を提供する
ことにある。Another object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of reducing the apparatus cost and the process cost by eliminating the need for cleaning the substrate every time it is taken out from the vacuum processing apparatus.
【０００９】さらに本発明の目的は、基板の搬送経路を
短くして工程トラブルの発生を防止できる半導体製造装
置を提供することにある。A further object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of preventing the occurrence of process troubles by shortening the substrate transfer path.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
の特徴とするところは、被処理基板を収納して真空状態
に排気するチャンバーを具備するローダーと、前記被処
理基板を収納してプラズマもしくはスパッタによる成膜
またはプラズマ処理を行う真空チャンバーを具備する複
数の真空処理装置と、処理後の被処理基板を収納して大
気圧状態に戻すチャンバーを具備するアンローダーとを
環状に配置し、それら各チャンバーを、真空状態で前記
被処理基板を各チャンバーに移送する手段を具備する真
空連結チャンバーにより放射状に連結した点にある。The semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is characterized by a loader having a chamber for accommodating a substrate to be processed and evacuating it to a vacuum state, and a plasma for accommodating the substrate to be processed. Alternatively, a plurality of vacuum processing apparatuses having a vacuum chamber for performing film formation by sputtering or plasma processing, and an unloader having a chamber for containing the processed substrate and returning it to the atmospheric pressure state are annularly arranged, These chambers are connected radially by a vacuum connection chamber equipped with a means for transferring the substrate to be processed to each chamber in a vacuum state.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】本発明の半導体製造装置によれ
ば、真空状態で被処理基板を移送する手段を具備した真
空連結チャンバーにより複数の真空処理装置を連結して
いるので、複数の真空処理装置によるプロセスを真空を
破らずに、すなわち大気圧に戻さずに連続して行うこと
ができる。そのため、それら複数のプロセスにおいて真
空状態を大気圧状態に戻す工程が１回で済むようにな
り、半導体装置の欠陥の原因となるパーティクルの基板
への付着を防止できるとともに、真空引きおよび大気圧
へのリークに費やしていた時間も大幅に短縮できる。According to the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, since a plurality of vacuum processing apparatuses are connected by a vacuum connection chamber having means for transferring a substrate to be processed in a vacuum state, a plurality of vacuum processing apparatuses are connected. The apparatus process can be continuously performed without breaking the vacuum, that is, without returning to atmospheric pressure. Therefore, the step of returning the vacuum state to the atmospheric pressure state in a plurality of processes can be performed only once, and it is possible to prevent adhesion of particles, which cause defects of the semiconductor device, to the substrate, and to perform vacuuming and atmospheric pressure. The time spent leaking can be greatly reduced.
【００１２】また真空処理装置毎に被処理基板を大気中
に取り出さないため、付着したパーティクルなどを除去
するための洗浄が必要なくなり、洗浄のための装置コス
トやプロセスコストも低減できる。Further, since the substrate to be processed is not taken out into the atmosphere for each vacuum processing apparatus, cleaning for removing adhering particles etc. is not required, and the apparatus cost and process cost for cleaning can be reduced.
【００１３】さらに、大気圧状態において被処理基板を
複数の真空処理装置間あるいは真空処理装置と洗浄装置
との間で搬送する必要がなくなり、基板の搬送経路を短
くして工程トラブルの発生を防止できる。また、真空処
理装置の設置面積および基板搬送領域の面積を従来より
も狭くすることができるので、それに係るコストも低減
できる。Further, there is no need to transfer the substrate to be processed between a plurality of vacuum processing devices or between the vacuum processing device and the cleaning device under atmospheric pressure, and the substrate transfer path is shortened to prevent process troubles from occurring. it can. Moreover, since the installation area of the vacuum processing apparatus and the area of the substrate transfer area can be made smaller than in the conventional case, the cost associated therewith can also be reduced.
【００１４】各真空処理装置はそれぞれ独立して稼働す
ることが可能であり、各装置の稼働条件を適切に設定す
ることにより効率的な処理を行うことができる。また、
製造プロセスの変更に対応して特定の真空処理装置を選
択して基板を移送させたり、特定の真空処理装置を飛ば
して基板を移送させたりすることもでき、それによって
も効率的な処理を行うことができる。Each vacuum processing apparatus can be operated independently and efficient processing can be performed by appropriately setting the operating conditions of each apparatus. Also,
Corresponding to changes in the manufacturing process, it is possible to select a specific vacuum processing device and transfer the substrate, or skip the specific vacuum processing device and transfer the substrate, which also enables efficient processing. be able to.
【００１５】以下、本発明の半導体製造装置の例を添付
図面を用いて説明する。図１は本発明の半導体製造装置
の概略構成例を示す上面図である。An example of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a top view showing a schematic configuration example of a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
【００１６】図１において、１は被処理基板（図示せ
ず）を収納して真空状態に排気するチャンバーを具備す
るローダーであり、２〜５はそれぞれ被処理基板を収納
してプラズマもしくはスパッタによる成膜またはプラズ
マ処理を行う真空チャンバーを具備する複数の真空処理
装置、６は処理後の被処理基板を収納して大気圧状態に
戻すチャンバーを具備するアンローダーであり、これら
１〜６が図示するように環状に配置されている。そして
７は真空状態で被処理基板を上記の各チャンバーに移送
する手段を具備する真空連結チャンバーであり、この真
空連結チャンバー７により、ローダー１・真空処理装置
２〜５・アンローダー６の各チャンバーが、真空状態で
放射状に連結されている。また８は被処理基板をローダ
ー１に搬入するための基板搬入手段であり、９は処理後
の被処理基板をアンローダー６から搬出するための基板
搬出手段である。なお、これら基板搬入手段８・基板搬
出手段９は、それぞれローダー１・アンローダー６と分
離・独立して設けたものでもよい。In FIG. 1, reference numeral 1 is a loader having a chamber for accommodating a substrate to be processed (not shown) and evacuating it to a vacuum state. A plurality of vacuum processing apparatuses equipped with a vacuum chamber for performing film formation or plasma processing, 6 is an unloader equipped with a chamber for containing a processed substrate and returning it to an atmospheric pressure state. Are arranged in a ring shape. Reference numeral 7 denotes a vacuum connection chamber equipped with means for transferring the substrate to be processed to each of the above chambers in a vacuum state. With this vacuum connection chamber 7, each chamber of the loader 1, the vacuum processing devices 2 to 5, and the unloader 6 is , But are radially connected in a vacuum state. Further, 8 is a substrate loading means for loading the substrate to be processed into the loader 1, and 9 is a substrate unloading means for carrying out the processed substrate from the unloader 6. The substrate loading means 8 and the substrate unloading means 9 may be provided separately from the loader 1 and the unloader 6, respectively.
【００１７】図１においては真空処理装置を４台用いた
例を示したが、これら真空処理装置の台数は必要に応じ
て適宜増減させればよい。Although FIG. 1 shows an example in which four vacuum processing devices are used, the number of these vacuum processing devices may be appropriately increased or decreased as necessary.
【００１８】基板搬入手段８は、例えばロボットアーム
によりローダー１に基板を挿入する機構などから成り、
これにより複数の被処理基板をローダー１内に搬入す
る。通常は、複数の基板を収納したカセットにより基板
が供給され、ロボットアームによってカセットから基板
を取り出してローダー１内に挿入される。The substrate loading means 8 comprises, for example, a mechanism for inserting a substrate into the loader 1 by a robot arm,
As a result, a plurality of substrates to be processed are loaded into the loader 1. Usually, the substrate is supplied by a cassette containing a plurality of substrates, and the robot arm takes the substrate out of the cassette and inserts it into the loader 1.
【００１９】ローダー１は、例えば真空チャンバーおよ
び真空排気ポンプ・基板加熱装置などから成り、これに
よりチャンバー内に被処理基板を収納して真空状態に
し、被処理基板を 300℃程度の処理温度に加熱する。The loader 1 is composed of, for example, a vacuum chamber, a vacuum exhaust pump, a substrate heating device, etc., by which the substrate to be processed is placed in a vacuum state and heated to a processing temperature of about 300 ° C. To do.
【００２０】真空処理装置２〜５は製造プロセスに応じ
て適宜選択して配置される。例えばＴＦＴ基板の製造プ
ロセスであれば、装置２として水素化窒化珪素（ＳｉＮ
x ：Ｈ）膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置、装置３とし
てｎ- 型の水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：
Ｈ）膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置、装置４としてＮ
2 またはＯ2 ・ＮＯ2 プラズマなどで半導体膜表面を窒
化あるいは酸化するプラズマ処理装置、装置５としてＴ
ｉなどの金属電極膜を成膜するスパッタリング装置を配
置すればよい。なお、同様の処理、例えば上記の装置２
と装置３におけるプラズマＣＶＤによる成膜などは、同
一の真空処理装置によって連続して行ってもよい。The vacuum processing devices 2 to 5 are appropriately selected and arranged according to the manufacturing process. For example, in the case of a manufacturing process of a TFT substrate, the device 2 may be silicon hydronitride (SiN
x : H) plasma CVD apparatus for forming a film, and as the apparatus 3, n − type hydrogenated amorphous silicon (a-Si:
H) Plasma CVD apparatus for forming a film, N as the apparatus 4
2 or O 2 · NO 2 plasma treatment device for nitriding or oxidizing the surface of the semiconductor film with plasma, etc.
A sputtering device for forming a metal electrode film such as i may be arranged. A similar process, for example, the above device 2
The film formation by plasma CVD in the apparatus 3 and the apparatus 3 may be continuously performed by the same vacuum processing apparatus.
【００２１】アンローダー６は、例えば真空チャンバー
および真空排気ポンプ・基板加熱装置などから成り、こ
れによりチャンバー内に処理後の被処理基板を収納し
て、必要に応じて加熱処理（アニーリング）などを行
い、大気圧状態に戻し、また常温程度にまで冷却して、
被処理基板を基板搬出手段９に搬出する。The unloader 6 is composed of, for example, a vacuum chamber, a vacuum exhaust pump, a substrate heating device, and the like. With this, the substrate to be processed after processing is housed in the chamber, and heat treatment (annealing) or the like is performed if necessary. Perform, return to atmospheric pressure, cool to room temperature,
The substrate to be processed is unloaded to the substrate unloading means 9.
【００２２】基板搬出手段９は、例えばロボットアーム
などの機構などから成り、アンローダー６を大気圧状態
に戻した後、このロボットアームなどにより処理後の複
数の被処理基板を取り出してカセットなどに収納する。The substrate unloading means 9 is composed of, for example, a mechanism such as a robot arm. After returning the unloader 6 to the atmospheric pressure state, the robot arm or the like takes out a plurality of substrates to be processed and places them in a cassette or the like. Store.
【００２３】そして真空連結チャンバー７は、例えば真
空チャンバーおよびロボットアーム・真空排気ポンプ・
基板加熱装置などから成る。これによりローダー１・真
空処理装置２〜５・アンローダー６の各チャンバーが真
空状態で放射状に連結され、それらのチャンバーの間で
真空状態のチャンバー７を介して被処理基板を移送する
ことができて、真空状態を破らずに連続して真空処理を
行うことができる。The vacuum connection chamber 7 is, for example, a vacuum chamber, a robot arm, a vacuum exhaust pump,
It consists of a substrate heating device. As a result, the chambers of the loader 1, the vacuum processing devices 2 to 5, and the unloader 6 are radially connected in a vacuum state, and the substrate to be processed can be transferred between these chambers via the chamber 7 in a vacuum state. Thus, vacuum processing can be continuously performed without breaking the vacuum state.
【００２４】このように本発明においては、上記のよう
な真空連結チャンバー７により、プラズマもしくはスパ
ッタによる成膜またはプラズマ処理を行う複数の真空処
理装置２〜５およびローダー１・アンローダー６を、同
一装置で連結させている点が特徴である。As described above, in the present invention, the plurality of vacuum processing apparatuses 2 to 5 and the loader 1 and the unloader 6 for performing the film formation by the plasma or the sputtering or the plasma processing by the vacuum connection chamber 7 as described above are the same. The feature is that they are connected by a device.
【００２５】次に、図１の半導体製造装置を用いた半導
体装置の製造工程の例を、ＴＦＴ基板の場合について図
２〜図12にそれぞれ半導体装置の断面図で示す。またこ
れらの製造工程について、以下にＡ）〜Ｌ）として順に
示す。なお、そのうち本発明の半導体製造装置によって
行う工程はＤ）〜Ｆ）である。Next, an example of a manufacturing process of a semiconductor device using the semiconductor manufacturing device of FIG. 1 is shown in each of FIGS. 2 to 12 in a sectional view of the semiconductor device in the case of a TFT substrate. In addition, these manufacturing steps will be sequentially described below as A) to L). The steps performed by the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention are D) to F).
【００２６】Ａ）ガラス等からなる被処理基板10上に、
アルミニウム（Ａｌ）等の金属膜（電極膜）11をスパッ
タにより成膜する〔図２〕。A) On a substrate 10 to be processed made of glass or the like,
A metal film (electrode film) 11 such as aluminum (Al) is formed by sputtering [FIG. 2].
【００２７】Ｂ）金属膜11をパターニングしてゲート電
極11’を形成する〔図３〕。B) The metal film 11 is patterned to form a gate electrode 11 '[FIG. 3].
【００２８】Ｃ）ゲート電極11’のうち電極取り出し部
となる箇所（図示せず）をレジスト等で覆い、陽極酸化
（Ａｌ2 Ｏ3 ）膜12を形成する〔図４〕。C) A portion (not shown) of the gate electrode 11 'which serves as an electrode extraction portion is covered with a resist or the like to form an anodized (Al 2 O 3 ) film 12 (FIG. 4).
【００２９】Ｄ）本発明の半導体製造装置を用いて上記
基板をローダー１および真空連結チャンバー７を介して
プラズマＣＶＤ装置（真空処理装置２）にセットし、Ｓ
ｉＮx ：Ｈによるゲート絶縁膜13を成膜形成する〔図
５〕。D) Using the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, the above substrate is set in the plasma CVD apparatus (vacuum processing apparatus 2) via the loader 1 and the vacuum connection chamber 7, and S
A gate insulating film 13 is formed by iN x : H (FIG. 5).
【００３０】Ｅ）上記基板を真空連結チャンバー７を介
してプラズマＣＶＤ装置（真空処理装置３）にセット
し、ｎ- 型ａ−Ｓｉ：Ｈによる半導体層14を成膜形成す
る〔図５〕。E) The above substrate is set in the plasma CVD apparatus (vacuum processing apparatus 3) through the vacuum connection chamber 7 to form the semiconductor layer 14 of n - type a-Si: H (FIG. 5).
【００３１】Ｆ）上記基板を真空連結チャンバー７を介
してプラズマ処理装置（真空処理装置４）にセットし、
半導体層14の表面をＮ2 またはＮ2 ＯあるいはＯ2 プラ
ズマで窒化あるいは酸化処理し、窒化膜（酸化膜）15を
形成する〔図６〕。F) The above substrate is set in the plasma processing apparatus (vacuum processing apparatus 4) through the vacuum connection chamber 7,
The surface of the semiconductor layer 14 is nitrided or oxidized by N 2 or N 2 O or O 2 plasma to form a nitride film (oxide film) 15 (FIG. 6).
【００３２】Ｇ）上記基板を真空連結チャンバー７を介
してスパッタリング装置（真空処理装置５）にセット
し、チタン（Ｔｉ）等の金属膜から成るデータ電極16を
成膜形成する〔図７〕。G) The substrate is set in the sputtering device (vacuum processing device 5) through the vacuum connection chamber 7 and the data electrode 16 made of a metal film of titanium (Ti) or the like is formed into a film (FIG. 7).
【００３３】Ｈ）上記基板を真空連結チャンバー７およ
びアンローダー６を介して本発明の墓製造装置から取り
出す。半導体層14と窒化膜15とデータ電極16をゲート絶
縁膜13に対して選択的にエッチングし、半導体層14’と
窒化膜15’とデータ電極16’のパターニングを行う〔図
８〕。H) The above substrate is taken out from the tomb manufacturing apparatus of the present invention through the vacuum connection chamber 7 and the unloader 6. The semiconductor layer 14, the nitride film 15 and the data electrode 16 are selectively etched with respect to the gate insulating film 13 to pattern the semiconductor layer 14 ', the nitride film 15' and the data electrode 16 '(FIG. 8).
【００３４】Ｉ）スパッタリング装置により、画素電極
となるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜17を成膜形成する
〔図９〕。I) An ITO (Indium Tin Oxide) film 17 to be a pixel electrode is formed by a sputtering device [FIG. 9].
【００３５】Ｊ）画素となるＩＴＯ膜17をエッチングす
るとともに、半導体層14’の上部のチャネル部となる箇
所の窒化膜15’・ゲート電極16’もエッチングし、ソー
ス電極18とドレイン電極19を分割する〔図10〕。J) The ITO film 17 which becomes a pixel is etched, and at the same time, the nitride film 15 'and the gate electrode 16' in the upper part of the semiconductor layer 14 'which are to be the channel part are also etched to form the source electrode 18 and the drain electrode 19 respectively. Divide [Fig. 10].
【００３６】Ｋ）プラズマＣＶＤ装置により、ＴＦＴお
よび電極保護のためのＳｉＮx ：Ｈから成るパッシベー
ション膜20を成膜形成する〔図11〕。K) A plasma CVD apparatus is used to form a passivation film 20 of SiN x : H for protecting the TFTs and electrodes (FIG. 11).
【００３７】Ｌ）パッシベーション膜20を選択的にエッ
チングし、ゲート電極16”およびデータ電極17’を取り
出すための穴（コンタクトホールおよび画素上ホール）
を形成する〔図12〕。L) Holes for selectively etching the passivation film 20 to take out the gate electrode 16 "and the data electrode 17 '(contact holes and pixel upper holes).
Are formed (FIG. 12).
【００３８】上記のように、工程Ｄ）〜Ｆ）において本
発明の半導体製造装置を用いることにより、プラズマＣ
ＶＤによる絶縁膜および半導体層の成膜形成ならびにプ
ラズマ処理による窒化（酸化）膜の形成、スパッタリン
グによる金属膜の成膜形成を真空を破らずに連続して行
うことができた。As described above, by using the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention in steps D) to F), plasma C
It was possible to continuously perform the film formation of the insulating film and the semiconductor layer by VD, the formation of the nitride (oxide) film by the plasma treatment, and the film formation of the metal film by the sputtering without breaking the vacuum.
【００３９】また、それにより、特に大気圧へのリーク
によって生じていた被処理基板へのパーティクルの付着
が防止でき、それが原因となっていた半導体装置の欠陥
の発生も防止することができた。Further, it was possible to prevent the adhesion of particles to the substrate to be processed, which was caused by the leak to the atmospheric pressure, and it was also possible to prevent the occurrence of defects in the semiconductor device caused by the particles. .
【００４０】[0040]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、半導体
装置を製造する複数の真空処理装置を真空状態で被処理
基板を移送する手段を具備した真空連結チャンバーによ
り連結しているので、それら真空処理装置によるプロセ
スを真空を破らずに連続して行うことができ、半導体装
置の欠陥の原因となるパーティクルの基板への付着を防
止できるとともに、真空引きおよび大気圧へのリークに
費やしていた時間も大幅に短縮できる半導体製造装置を
提供することができた。As described above, according to the present invention, a plurality of vacuum processing apparatuses for manufacturing semiconductor devices are connected by the vacuum connection chamber equipped with means for transferring the substrate to be processed in a vacuum state. Processes by these vacuum processing devices can be continuously performed without breaking the vacuum, and it is possible to prevent particles that cause defects in the semiconductor device from adhering to the substrate, and to spend vacuuming and leaking to atmospheric pressure. It was possible to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of significantly shortening the time required.
【００４１】また真空処理装置毎に被処理基板を大気中
に取り出さないため、付着したパーティクルなどを除去
するための真空処理装置からの取り出し毎の洗浄が不要
となり、洗浄のための装置コストやプロセスコストも低
減できた。Further, since the substrate to be processed is not taken out into the atmosphere for each vacuum processing apparatus, it is not necessary to perform cleaning each time the vacuum processing apparatus is taken out to remove adhered particles and the like. The cost was also reduced.
【００４２】さらに本発明によれば、複数の真空処理装
置間あるいは真空処理装置と洗浄装置との間で大気圧状
態において被処理基板を搬送する必要がなくなり、基板
の搬送経路を短くして工程トラブルの発生を防止でき
た。また、真空処理装置の設置面積および基板搬送領域
の面積を従来よりも狭くすることができるので、それに
係るコストも低減できた。Further, according to the present invention, it is not necessary to transfer the substrate to be processed between a plurality of vacuum processing devices or between the vacuum processing device and the cleaning device under the atmospheric pressure, and the substrate transfer path is shortened. It was possible to prevent trouble. Further, since the installation area of the vacuum processing apparatus and the area of the substrate transfer area can be made smaller than before, the cost associated therewith can also be reduced.
【図１】本発明の半導体製造装置の概略構成の例を示す
上面図である。FIG. 1 is a top view showing an example of a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.
【図２】本発明による製造工程の例を説明するための半
導体装置の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a semiconductor device for explaining an example of a manufacturing process according to the present invention.
【図３】本発明による製造工程の例を説明するための半
導体装置の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a semiconductor device for explaining an example of a manufacturing process according to the present invention.
【図４】本発明による製造工程の例を説明するための半
導体装置の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of a semiconductor device for explaining an example of a manufacturing process according to the present invention.
【図５】本発明による製造工程の例を説明するための半
導体装置の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of a semiconductor device for explaining an example of a manufacturing process according to the present invention.
【図６】本発明による製造工程の例を説明するための半
導体装置の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of a semiconductor device for explaining an example of a manufacturing process according to the present invention.
【図７】本発明による製造工程の例を説明するための半
導体装置の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of a semiconductor device for explaining an example of a manufacturing process according to the present invention.
【図８】本発明による製造工程の例を説明するための半
導体装置の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of a semiconductor device for explaining an example of a manufacturing process according to the present invention.
【図９】本発明による製造工程の例を説明するための半
導体装置の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a semiconductor device for explaining an example of a manufacturing process according to the present invention.
【図１０】本発明による製造工程の例を説明するための
半導体装置の断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of a semiconductor device for explaining an example of a manufacturing process according to the present invention.
【図１１】本発明による製造工程の例を説明するための
半導体装置の断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view of a semiconductor device for explaining an example of a manufacturing process according to the present invention.
【図１２】本発明による製造工程の例を説明するための
半導体装置の断面図である。FIG. 12 is a cross-sectional view of a semiconductor device for explaining an example of a manufacturing process according to the present invention.
１・・・・・・・・・ローダー ２、３、４、５・・・真空処理装置 ６・・・・・・・・・・アンローダー ・ ・ ・ ・ ・ ・ Loader 2, 3, 4, 5 ・ ・ ・ Vacuum processing device 6 ・ ・ ・ ・ ・ Unloader
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/285 21/285 Ｃ 21/31 21/31 Ｂ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication H01L 21/205 H01L 21/205 21/285 21/285 C 21/31 21/31 B
Claims (1)
るチャンバーを具備するローダーと、前記被処理基板を
収納してプラズマもしくはスパッタによる成膜またはプ
ラズマ処理を行う真空チャンバーを具備する複数の真空
処理装置と、処理後の被処理基板を収納して大気圧状態
に戻すチャンバーを具備するアンローダーとを環状に配
置し、それら各チャンバーを、真空状態で前記被処理基
板を各チャンバーに移送する手段を具備する真空連結チ
ャンバーにより放射状に連結したことを特徴とする半導
体製造装置。1. A plurality of loaders including a loader having a chamber for accommodating a substrate to be processed and evacuating to a vacuum state, and a vacuum chamber for accommodating the substrate to be processed and performing film formation by plasma or sputtering or plasma treatment. A vacuum processing apparatus and an unloader having a chamber for storing the processed substrate and returning it to an atmospheric pressure state are annularly arranged, and the respective chambers are transferred to each chamber in a vacuum state. A semiconductor manufacturing apparatus characterized in that they are radially connected by a vacuum connection chamber provided with a means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28209495A JPH09129698A (en) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | Semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28209495A JPH09129698A (en) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | Semiconductor manufacturing equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129698A true JPH09129698A (en) | 1997-05-16 |
Family
ID=17648050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28209495A Pending JPH09129698A (en) | 1995-10-30 | 1995-10-30 | Semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09129698A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006083436A (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-30 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Method for producing transparent conductive film |
| JP2007023380A (en) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Applied Materials Inc | Hybrid pvd-cvd system |
| WO2009120552A3 (en) * | 2008-03-24 | 2009-11-19 | Applied Materials, Inc. | Integrated process system and process sequence for production of thin film transistor arrays using doped or compounded metal oxide semiconductor |
-
1995
- 1995-10-30 JP JP28209495A patent/JPH09129698A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2009120552A3 (en) * | 2008-03-24 | 2009-11-19 | Applied Materials, Inc. | Integrated process system and process sequence for production of thin film transistor arrays using doped or compounded metal oxide semiconductor |
| US7879698B2 (en) | 2008-03-24 | 2011-02-01 | Applied Materials, Inc. | Integrated process system and process sequence for production of thin film transistor arrays using doped or compounded metal oxide semiconductor |
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