JP4083306B2

JP4083306B2 - Rinsing method after plasma treatment

Info

Publication number: JP4083306B2
Application number: JP24355798A
Authority: JP
Inventors: 光宏吉永; 正樹鈴木; 秀夫原口; 出松田; 祥二福井
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-08-28
Filing date: 1998-08-28
Publication date: 2008-04-30
Anticipated expiration: 2018-08-28
Also published as: JP2000077389A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子や液晶表示素子（ＬＣＤ）製造に適用されるプラズマ処理後におけるリンス方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のプラズマ処理装置は、図６に示すように、エッチング処理室Ａと、ロードロック室Ｂ、Ｃと、ロードロック室Ｂ、Ｃに配設されたハンドリングアームＤ、Ｅと、処理済みウエハを収納するウエハカセットＦと、未処理ウエハＨを収納したウエハカセットＧと、大気側のハンドリングアームＩとを備えている。
【０００３】
以上の構成において、ウエハＨはウエハカセットＧより大気側ハンドリングアームＩにより取り出され、ロードロック室Ｂ内に搬入されてハンドリングアームＤに受け渡される。その後ロードロック室Ｂ内は真空排気され、真空排気終了後ウエハＨはハンドリングアームＤにて常時真空であるエッチング処理室Ａに搬入される。エッチング処理室Ａに塩素を主成分とするガスを導入し、高周波電力を印加してメタル配線膜のプラズマエッチングを行い、エッチング終了後ウエハＨはハンドリングアームＥにて真空引きされたロードロック室Ｃに搬出される。その後、ロードロック室Ｃに窒素を充填し、大気圧まで達した後、ハンドリングアームＥによりウエハＨはウエハカセットＦに収納される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の構成では、ウエハＨとして圧電材などを使用した場合、圧電材自体が割れ易い結晶であるばかりでなく、エッチングによる影響で熱変形や静電吸着するなどのために、ウエハ破壊を起こす恐れが大変高いという問題があった。
【０００５】
また、アルミパターンエッチングをした場合には、エッチング後腐食が発生するという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、ウエハが割れ易い材料の場合にも割れやウエハ破壊を防止でき、また腐食防止を図れるプラズマ処理後におけるリンス方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ処理後におけるリンス方法は、吸着穴が貫通形成されているトレー上にウエハを載せる工程と、前記ウエハを前記トレーに載せた状態で処理室内に搬送してプラズマ処理を行う工程とを備えたプラズマ処理の後に行うリンス方法において、前記トレーは回転軸に対して対称形で、かつウエハを載せる側の第１面はウエハより大きく反対側の第２面よりも小さくされ、前記プラズマ処理後大気に晒すことなく前記ウエハを前記トレー上に載せたまま両者をスピンチャックに吸着させた状態で回転させ、純水及び薬液によりリンスを行う工程を備えているので、ウエハをトレーに載せて搬送及び処理を行うことでウエハの割れを防止することができ、特に前記トレーは回転軸に対して対称形で、かつウエハを載せる側の第１面はウエハより大きく反対側の第２面よりも小さくされ、プラズマ処理後大気に晒すことなく前記ウエハを前記トレー上に載せたまま両者をスピンチャックに吸着させた状態で回転させ、純水及び薬液によりリンスを行う工程を備えていることにより、アルミパターン等をエッチングする場合にも処理後の腐食を防止することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のプラズマ処理後におけるリンス方法の一実施形態について、図１〜図５を参照して説明する。
【００１５】
図１、図２において、図１の下部の大気側の一側（左側）にはトレー２を収納したトレーカセット１が配設され、このトレーカセット１の上に未処理のウエハ４を収納したウエハカセット３が配置されている。この未処理のウエハ４を収納したウエハカセット３を上に載せたトレーカセット１がカセット昇降ステージ５上に設置されている。また、図１の下部の他側（右側）には処理済みのウエハ４を収納するウエハカセット３が配設され、同じくカセット昇降ステージ５上に設置されている。６は両側のカセット昇降ステージ５の中央位置に配設されたハンドリングアームである。７は、ハンドリングアーム６と真空側との間の配設され、ウエハ４をトレー２の上に組み合わせる組合せステーションである。
【００１６】
真空側は、エッチング処理室１２とリンス室１３とアッシング室１４と大気と真空を繰り返すロードロック室１５とウエハ４を載せたトレーを２室間で搬送するためにロードロック室１５に配設されたダブルアーム方式の搬送アーム１６とを備えている。なお、各室１２〜１５間でのウエハの搬送機構については特願平６−９２２５号に開示したものを採用でき、またロードロック室１５とその奥のリンス室間のウエハ搬送機構については特願平６−２５６７９９号に開示したものを採用できる。
【００１７】
組合せステーション７には、図３に示すように、トレー２を昇降可能に支持するとともにトレー２の回転方向の位置決めを行うために昇降及び回転可能なトレー位置決めプレート８と、ウエハ４を支持してトレー２上に載せるための突き上げピン９と、トレー２の回転方向の位置検出を行う透過型センサ１０と、ウエハ４のセンタリングを行うウエハセンタリング手段１１とが配設されている。
【００１８】
図４はリンス室１３に配設されたスピンチャック１９を示す。エッチング処理又はアッシング処理の処理済みウエハ４とトレー２がこのスピンチャック１９の上に載せられると、真空源に連通可能に設けられたスピンチャック１９上面の吸着溝１９ａにて真空吸着される。また、ウエハ４の吸着はトレー２に貫通形成された吸着穴２ａを通してトレー２の吸着と同時に行われる。なお、吸着穴２ａは突き上げピン９の貫通穴を利用することができる。そして、トレート２とウエハ４を吸着して回転させ、純水及び薬液を利用したリンス処理を行うように構成されている。
【００１９】
図５はアッシング室１４での処理状態を示し、アッシング室１４には下部電極２０が配設され、この下部電極２０上にウエハ４を載せたトレー２を載せてアッシング処理を行うように構成されている。
【００２０】
次に、以上のような構成によるプラズマ処理動作を説明する。まず、大気側のハンドリングアーム６が一側のカセット昇降ステージ５の方を向く。カセット昇降ステージ５は上下し、トレーカセット１内の一番下のトレー２とハンドリングアーム６の高さが同じになるところまで移動する。次いで、カセット昇降ステージ５が半ピッチ上昇し、ハンドリングアーム６が前進した後、トレーカセット１が半ピッチ下降し、トレー２がハンドリングアーム６に載り、ステーション７上まで搬送する。
【００２１】
ステーション７では、位置決めプレート８が上昇し、トレー２はトレー位置決めプレート８上に受け渡され、ハンドリングアーム６は後退する。そして、トレー位置決めプレート８を回転させ、透過型センサ１０を用いてトレー２に形成されている突き上げ用の穴と突き上げピン９の位置が合うように位置決めした後、ステーション７上に載置して支持する。次に、カセット昇降ステージ５を、ハンドリングアーム６とウエハカセット３内の任意のウエハ４が同じ高さになる所まで下降させ、トレー２を取り出したのと同様にウエハ４をハンドリングアーム６により取り出し、ウエハ４をステーション７上に搬送する。次いで、突き上げピン９が上昇し、ウエハ４はハンドリングアーム６より離れ、ハンドリングアーム６は後方に移動する。この状態でセンタリング手段１１にてウエハ４のセンタ出しを行ってウエハ４がトレー２のセンタに載るようにし、その後突き上げピン９を下降させてウエハ４をトレー２の中央上に載せる。
【００２２】
この後、大気圧状態にあるロードロック室１５のゲート１７が開き、搬送アーム１６によりウエハ４はトレー２ごとロードロック室１５に搬入される。ゲート１７が閉まった後、ロードロック室１５は真空排気され、ロードロック室１５と常時真空状態のエッチング処理室１２が同圧力になった後、ゲート１８が開き、搬送アーム１６によりエッチング処理室１２に搬送される。そして、エッチングガスが注入され、高周波電力が印加されてプラズマエッチングを開始する。エッチング終了後、搬送アーム１６により先程とは逆の手順でロードロック室１５に戻し、その後ロードロック室１５内を窒素パージにて大気圧に戻す。
【００２３】
連続処理中においては、エッチング処理室１２においてエッチング終了後ウエハ４と処理前ウエハ４の交換をウエハをトレーに載せたままダブルアーム方式の搬送アーム１６により行うことができる。
【００２４】
そして、必要に応じて後述のリンス室１３やアッシング室１４でのウエハ４のリンス処理やアッシング処理を終了した後、ステーション７に搬送される。ステーション７においては、突き上げピン９が上昇し、ウエハ４はトレー２と分離される。そして、大気側ハンドリングアーム６にてウエハ４のみステーション７から取り出され、ウエハカセット３に収納される。
【００２５】
その後、新しいウエハ４がハンドリングアーム６によりステーション７に残っているトレー２の上に搬送され、随時ウエハ４が処理されて行く。以上で一連の動作は終了する。これにより各処理室１２〜１５と組合せステーション７に配置されたトレー２を循環させて処理が行われる。
【００２６】
また、トレーカセット１には、その上のウエハカセット３に収納させているウエハ４のインチサイズの表示部が設けられるとともに、カセット昇降ステージ５にそれを認識するセンサ（図示せず）が設けられており、トレーカセット１を異なるインチサイズ用のものに交換することにより、センサがインチサイズを認識し、組合せステーション７でのウエハ突き上げピン９の突き上げ高さを調整し、適正なサイズのウエハセンタリング手段１１を用いてセンタ出しを行えるように構成されている。また、操作画面やレシピ設定なども自動で切り替えるようにすることができる。
【００２７】
エッチング処理又はアッシング処理終了後のリンス処理動作を説明すると、処理済みウエハ４とトレー２が搬送アーム１６によりリンス室１３に搬送され、ここで図４（ｂ）に示すように、トレー２とウエハ４はスピンチャック１９の上に載せられ、真空吸着される。そして、スピンチャック１９を回転させてトレー２とウエハ４を一緒に回転させ、純水及び薬液のリンスを行う。ウエハ４のリンス処理後は、トレー２とウエハ４は搬送アーム１６にてロードロック室１５に搬送される。
【００２８】
エッチング処理後のアッシング処理は、図５に示すように、トレー２にウエハ４を載せた状態で、そのトレー２をアッシング用の下部電極２０上に載せて行われる。その際、下部電極２０の温度がトレー２を介した状態でウエハ４にいかに伝達されるかが問題であり、例えばトレー２の厚みを約２ｍｍとした場合、トレー２の平面度を０．０２、下部電極２０の上面の平面度を０．０１以下とすることで、トレー２の上に載ったウエハ４に十分に下部電極２０の温度を伝達することができ、トレー２ごとアッシングすることが可能となる。
【００２９】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理後におけるリンス方法によれば、以上のように吸着穴が貫通形成されているトレー上にウエハを載せる工程と、前記ウエハを前記トレーに載せた状態で処理室内に搬送してプラズマ処理を行う工程とを備えたプラズマ処理を行うので、ウエハをトレーに載せて搬送及び処理を行うことでウエハの割れを防止することができ、かつそのプラズマ処理後のリンス方法において、前記トレーは回転軸に対して対称形で、かつウエハを載せる側の第１面はウエハより大きく反対側の第２面よりも小さくされ、前記プラズマ処理後大気に晒すことなく前記ウエハを前記トレー上に載せたまま両者をスピンチャックに吸着させた状態で回転させ、純水及び薬液によりリンスを行う工程を備えていることにより、アルミパターン等をエッチングする場合にも処理後の腐食を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプラズマ処理装置の一実施形態の概略構成を示す平面図である。
【図２】同実施形態におけるカセット昇降ステージとハンドリングアームの縦断面図である。
【図３】同実施形態における位置決めステーションの縦断面図である。
【図４】同実施形態におけるリンス室のスピンチャック上にトレー及びウエハを吸着した状態を示し、（ａ）はウエハを除いた状態の平面図、（ｂ）は縦断面図である。
【図５】同実施形態におけるアッシング室の電極部の縦断面図である。
【図６】同従来例のプラズマ処理装置の概略構成を示す平面図である。
【符号の説明】
１トレーカセット
２トレー
３ウエハカセット
４ウエハ
５カセット昇降ステージ
６ハンドリングアーム
７組合せステーション
９突き上げピン
１１ウエハセンタリング手段
１２エッチング処理室
１３リンス室
１４アッシング室
１５ロードロック室
１６搬送アーム
１９スピンチャック
２０下部電極[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a rinsing method after plasma treatment applied to the manufacture of semiconductor devices and liquid crystal display devices (LCD).
[0002]
[Prior art]
As shown in FIG. 6, the conventional plasma processing apparatus includes an etching processing chamber A, load lock chambers B and C, handling arms D and E disposed in the load lock chambers B and C, and a processed wafer. A wafer cassette F for storing, a wafer cassette G for storing unprocessed wafers H, and a handling arm I on the atmosphere side are provided.
[0003]
In the above configuration, the wafer H is taken out from the wafer cassette G by the atmosphere-side handling arm I, loaded into the load lock chamber B, and delivered to the handling arm D. Thereafter, the inside of the load lock chamber B is evacuated, and after the evacuation is completed, the wafer H is carried into the etching processing chamber A which is always in a vacuum by the handling arm D. A gas containing chlorine as a main component is introduced into the etching chamber A, high frequency power is applied to perform plasma etching of the metal wiring film, and the wafer H is evacuated by the handling arm E after the etching is completed. It is carried out to. Thereafter, the load lock chamber C is filled with nitrogen, and after reaching atmospheric pressure, the handling arm E stores the wafer H in the wafer cassette F.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described conventional configuration, when a piezoelectric material or the like is used as the wafer H, not only the piezoelectric material itself is a crystal that is easily broken, but also due to thermal deformation and electrostatic adsorption due to the influence of etching, the wafer is destroyed. There was a problem that there was a very high risk of causing the problem.
[0005]
Further, when aluminum pattern etching is performed, there is a problem that corrosion occurs after etching.
[0006]
An object of the present invention is to provide a rinsing method after plasma processing that can prevent cracking and wafer breakage even when the wafer is easily broken, and can prevent corrosion .
[0007]
[Means for Solving the Problems]
Rinsing method after the plasma treatment of the present invention comprises the steps of performing the steps of placing the wafer on the tray is suction holes formed therethrough, a conveying to the plasma treatment the wafer in a processing chamber in a state placed on the tray in the rinsing process performed after the plasma treatment example Bei, said tray is symmetrical with respect to the rotation axis and the first surface side put the wafer is smaller than the second surface of greater than the wafer opposite the plasma Since the wafer is placed on the tray without being exposed to the atmosphere after processing, the wafer is rotated while adsorbed to the spin chuck and rinsed with pure water and a chemical solution. cracking of the wafer by performing a transporting and processing can be prevented Te, in particular before Symbol tray is symmetrical with respect to the rotation axis and the first surface of the side mounting the wafer It is made smaller than the second surface on the opposite side, which is larger than EHA, and is rotated while adsorbing the wafer to the spin chuck while the wafer is placed on the tray without being exposed to the atmosphere after plasma processing. By providing the rinsing step, corrosion after treatment can be prevented even when an aluminum pattern or the like is etched.
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, one embodiment of the rinsing method after the plasma treatment of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0015]
1 and 2, a tray cassette 1 storing a tray 2 is disposed on one side (left side) of the lower atmosphere side of FIG. 1, and an unprocessed wafer 4 is stored on the tray cassette 1. A wafer cassette 3 is arranged. A tray cassette 1 on which a wafer cassette 3 containing unprocessed wafers 4 is placed is placed on a cassette lifting / lowering stage 5. A wafer cassette 3 for storing processed wafers 4 is disposed on the other side (right side) of the lower part of FIG. Reference numeral 6 denotes a handling arm disposed at the center position of the cassette lifting / lowering stage 5 on both sides. Reference numeral 7 denotes a combination station which is disposed between the handling arm 6 and the vacuum side and combines the wafers 4 on the tray 2.
[0016]
The vacuum side is disposed in the load lock chamber 15 in order to transfer the etching chamber 12, the rinse chamber 13, the ashing chamber 14, the load lock chamber 15 which repeats the atmosphere and vacuum, and the tray on which the wafer 4 is placed between the two chambers. And a double arm type transfer arm 16. As the wafer transfer mechanism between the chambers 12 to 15, the one disclosed in Japanese Patent Application No. 6-9225 can be adopted, and the wafer transfer mechanism between the load lock chamber 15 and the rinse chamber behind it is special. Those disclosed in Japanese Patent Application No. 6-256799 can be employed.
[0017]
As shown in FIG. 3, the combination station 7 supports the tray 2 so as to be movable up and down, and supports a tray positioning plate 8 that can be moved up and down and a wafer 4 to position the tray 2 in the rotational direction. A push-up pin 9 for placing on the tray 2, a transmission type sensor 10 for detecting the position of the tray 2 in the rotational direction, and a wafer centering means 11 for centering the wafer 4 are disposed.
[0018]
FIG. 4 shows a spin chuck 19 disposed in the rinse chamber 13. When the processed wafer 4 and the tray 2 subjected to the etching process or the ashing process are placed on the spin chuck 19, they are vacuum-sucked by a suction groove 19 a on the upper surface of the spin chuck 19 provided so as to communicate with a vacuum source. Further, the wafer 4 is adsorbed simultaneously with the adsorption of the tray 2 through the adsorption holes 2 a formed through the tray 2. The suction hole 2 a can use the through hole of the push-up pin 9. Then, the trat 2 and the wafer 4 are adsorbed and rotated to perform a rinsing process using pure water and a chemical solution.
[0019]
FIG. 5 shows a processing state in the ashing chamber 14, and a lower electrode 20 is disposed in the ashing chamber 14, and the ashing process is performed by placing the tray 2 on which the wafer 4 is placed on the lower electrode 20. ing.
[0020]
Next, the plasma processing operation with the above configuration will be described. First, the atmosphere-side handling arm 6 faces the cassette lifting / lowering stage 5 on one side. The cassette raising / lowering stage 5 moves up and down and moves to a position where the lowermost tray 2 in the tray cassette 1 and the handling arm 6 have the same height. Next, after the cassette raising / lowering stage 5 is raised by a half pitch and the handling arm 6 is moved forward, the tray cassette 1 is lowered by a half pitch, and the tray 2 is placed on the handling arm 6 and conveyed onto the station 7.
[0021]
At the station 7, the positioning plate 8 is raised, the tray 2 is transferred onto the tray positioning plate 8, and the handling arm 6 is retracted. Then, after the tray positioning plate 8 is rotated and positioned so that the push-up hole formed in the tray 2 and the push-up pin 9 are aligned using the transmission type sensor 10, the tray is placed on the station 7. To support. Next, the cassette raising / lowering stage 5 is lowered to a place where the handling arm 6 and an arbitrary wafer 4 in the wafer cassette 3 are at the same height, and the wafer 4 is taken out by the handling arm 6 in the same manner as the tray 2 is taken out. Then, the wafer 4 is transferred onto the station 7. Next, the push-up pins 9 are raised, the wafer 4 is separated from the handling arm 6, and the handling arm 6 moves backward. In this state, the centering means 11 performs centering of the wafer 4 so that the wafer 4 is placed on the center of the tray 2, and then the push-up pins 9 are lowered to place the wafer 4 on the center of the tray 2.
[0022]
Thereafter, the gate 17 of the load lock chamber 15 in the atmospheric pressure state is opened, and the wafer 4 is loaded into the load lock chamber 15 together with the tray 2 by the transfer arm 16. After the gate 17 is closed, the load lock chamber 15 is evacuated. After the load lock chamber 15 and the etching process chamber 12 in a constantly vacuum state are at the same pressure, the gate 18 is opened, and the etching arm 12 is opened by the transfer arm 16. To be transported. Then, an etching gas is injected and high frequency power is applied to start plasma etching. After the etching is completed, the transfer arm 16 returns the load lock chamber 15 to the atmospheric pressure by nitrogen purge in the reverse procedure to the previous procedure.
[0023]
During the continuous process, the wafer 4 and the unprocessed wafer 4 can be exchanged by the double arm type transfer arm 16 with the wafer placed on the tray after the etching is completed in the etching process chamber 12.
[0024]
If necessary, the wafer 4 is transferred to the station 7 after rinsing and ashing of the wafer 4 in a rinse chamber 13 and an ashing chamber 14 to be described later. At the station 7, the push-up pins 9 are raised and the wafer 4 is separated from the tray 2. Then, only the wafer 4 is taken out from the station 7 by the atmosphere side handling arm 6 and stored in the wafer cassette 3.
[0025]
Thereafter, a new wafer 4 is transferred onto the tray 2 remaining in the station 7 by the handling arm 6, and the wafer 4 is processed at any time. The series of operations is thus completed. Accordingly, the processing is performed by circulating the trays 2 arranged in the processing chambers 12 to 15 and the combination station 7.
[0026]
In addition, the tray cassette 1 is provided with an inch-size display portion of the wafer 4 accommodated in the wafer cassette 3 thereon, and a sensor (not shown) for recognizing it is provided on the cassette lifting / lowering stage 5. By replacing the tray cassette 1 with one for a different inch size, the sensor recognizes the inch size, adjusts the push-up height of the wafer push-up pin 9 at the combination station 7, and adjusts the wafer centering to an appropriate size. The center 11 can be centered using the means 11. In addition, the operation screen, recipe setting, and the like can be automatically switched.
[0027]
The rinse process operation after the etching process or the ashing process will be described. The processed wafer 4 and the tray 2 are transferred to the rinse chamber 13 by the transfer arm 16, where the tray 2 and the wafer are transferred as shown in FIG. 4 is placed on the spin chuck 19 and vacuum-adsorbed. Then, the spin chuck 19 is rotated to rotate the tray 2 and the wafer 4 together, thereby rinsing pure water and a chemical solution. After rinsing the wafer 4, the tray 2 and the wafer 4 are transferred to the load lock chamber 15 by the transfer arm 16.
[0028]
As shown in FIG. 5, the ashing process after the etching process is performed by placing the tray 2 on the lower electrode 20 for ashing while the wafer 4 is placed on the tray 2. At that time, the problem is how the temperature of the lower electrode 20 is transmitted to the wafer 4 through the tray 2. For example, when the thickness of the tray 2 is about 2 mm, the flatness of the tray 2 is set to 0.02. By setting the flatness of the upper surface of the lower electrode 20 to 0.01 or less, the temperature of the lower electrode 20 can be sufficiently transmitted to the wafer 4 placed on the tray 2, and the entire tray 2 can be ashed. It becomes possible.
[0029]
【The invention's effect】
According to the rinse process after the plasma treatment of the present invention, the steps of placing the wafer on the tray suction holes formed therethrough as described above, to convey the wafer into the processing chamber in a state placed on the tray The plasma processing including the step of performing the plasma processing is performed, so that the wafer can be prevented from cracking by carrying and processing the wafer on the tray , and in the rinsing method after the plasma processing, the tray in symmetrical with respect to the rotation axis, and the first surface of the side mounting the wafer is smaller than the second surface of greater than the wafer opposite the wafer without exposure to air after the plasma treatment on the tray both remain loaded is rotated in a state adsorbed on the spin chuck, due to the provision of the step of performing rinsing with pure water and chemical liquid, d aluminum pattern or the like It is possible to prevent corrosion after processing also in the case of quenching.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an embodiment of a plasma processing apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a cassette lifting / lowering stage and a handling arm in the same embodiment.
FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a positioning station in the same embodiment.
4A and 4B show a state in which a tray and a wafer are adsorbed on a spin chuck of a rinse chamber in the same embodiment, where FIG. 4A is a plan view with the wafer removed, and FIG. 4B is a longitudinal sectional view.
FIG. 5 is a longitudinal sectional view of an electrode portion of an ashing chamber in the same embodiment.
FIG. 6 is a plan view showing a schematic configuration of the conventional plasma processing apparatus.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Tray cassette 2 Tray 3 Wafer cassette 4 Wafer 5 Cassette raising / lowering stage 6 Handling arm 7 Combination station 9 Push-up pin 11 Wafer centering means 12 Etching chamber 13 Rinsing chamber 14 Ashing chamber 15 Load lock chamber 16 Transfer arm 19 Spin chuck 20 Lower electrode

Claims

吸着穴が貫通形成されているトレー上にウエハを載せる工程と、前記ウエハを前記トレーに載せた状態で処理室内に搬送してプラズマ処理を行う工程とを備えたプラズマ処理の後に行うリンス方法において、
前記トレーは回転軸に対して対称形で、かつウエハを載せる側の第１面はウエハより大きく反対側の第２面よりも小さくされ、前記プラズマ処理後大気に晒すことなく前記ウエハを前記トレー上に載せたまま両者をスピンチャックに吸着させた状態で回転させ、純水及び薬液によりリンスを行う工程を備えたことを特徴とするプラズマ処理後におけるリンス方法。A step of placing the wafer on the tray is suction holes formed therethrough, in the rinse method of performing the wafer after transport to a plasma processing example Bei and performing plasma processing in the processing chamber in a state placed on the tray ,
It said tray is symmetrical with respect to the rotation axis and the first surface side put the wafer is smaller than the second surface of greater than the wafer opposite the said wafer without exposure to the plasma treatment after air tray A rinsing method after plasma processing, comprising a step of rotating while both are adsorbed to a spin chuck while being placed on the substrate and rinsing with pure water and a chemical solution.