JPH09118996A - 電気めっき法 - Google Patents
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- JPH09118996A JPH09118996A JP8006696A JP669696A JPH09118996A JP H09118996 A JPH09118996 A JP H09118996A JP 8006696 A JP8006696 A JP 8006696A JP 669696 A JP669696 A JP 669696A JP H09118996 A JPH09118996 A JP H09118996A
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
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- C25D5/56—Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
- H05K3/427—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in metal-clad substrates
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プリント基板のスルーホール内壁等に信頼性
の高い電気めっきを行う。 【解決手段】 銅と絶縁材料とが露出した材料に、特定
の炭素粒子またはパラジウム化合物を付着させた後、銅
をマイクロエッチングして銅表面の特定の炭素粒子また
はパラジウム化合物を除去し、ついで電気めっきする方
法であって、マイクロエッチング剤として、（１）硫酸
５〜６０％（重量％、以下同様）、過酸化水素３〜３５
％およびホスホン基含有アミンまたはその塩０．０１〜
１０％を含有する水溶液、または（２）硫酸５〜６０
％、過酸化水素３〜３５％、ホスホン基含有アミンまた
はその塩０．０１〜１０％および前記ホスホン基含有ア
ミンを除くアミン０．１〜１０％を含有する水溶液を用
いる方法。
の高い電気めっきを行う。 【解決手段】 銅と絶縁材料とが露出した材料に、特定
の炭素粒子またはパラジウム化合物を付着させた後、銅
をマイクロエッチングして銅表面の特定の炭素粒子また
はパラジウム化合物を除去し、ついで電気めっきする方
法であって、マイクロエッチング剤として、（１）硫酸
５〜６０％（重量％、以下同様）、過酸化水素３〜３５
％およびホスホン基含有アミンまたはその塩０．０１〜
１０％を含有する水溶液、または（２）硫酸５〜６０
％、過酸化水素３〜３５％、ホスホン基含有アミンまた
はその塩０．０１〜１０％および前記ホスホン基含有ア
ミンを除くアミン０．１〜１０％を含有する水溶液を用
いる方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、銅または銅合金
（以下、単に銅という）と絶縁材料とが表面に露呈した
材料に有用な電気めっき法に関する。特に、プリント基
板のスルーホールの電気めっきに有用な電気めっき法に
関する。
（以下、単に銅という）と絶縁材料とが表面に露呈した
材料に有用な電気めっき法に関する。特に、プリント基
板のスルーホールの電気めっきに有用な電気めっき法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】いわゆる両面板や多層板と呼ばれるプリ
ント基板では、基板にスルーホールと呼ばれる貫通孔を
あけ、その内壁をめっきすることで、基板表裏に設けら
れた回路同士（両面板）あるいは各層間の回路同士（多
層板）を接続することが行なわれている。
ント基板では、基板にスルーホールと呼ばれる貫通孔を
あけ、その内壁をめっきすることで、基板表裏に設けら
れた回路同士（両面板）あるいは各層間の回路同士（多
層板）を接続することが行なわれている。
【０００３】回路間は絶縁材料で絶縁分離されているた
め、スルーホールの内壁は、その全面が絶縁材料（両面
板）、もしくは導電体と絶縁材料とが交互に積層してい
るため（多層板）、直接電気めっきできず、一般に無電
解銅めっきした後、電気めっきすることが行なわれてい
る。しかしながら、無電解めっきには下記のような欠点
がある。 （１）比較的長い工程時間を必要とする。 （２）多数の処理浴を常時監視する必要がある。（浴の
成分を個々に補給する必要がある。処理浴が汚染に対し
て非常に敏感なので、前工程で用いた成分が持ち込まれ
ないように充分注意する必要がある。） （３）多数の洗浄浴が必要であり、しかも多量の洗浄水
を必要とする。 （４）廃水処理に費用がかかる。
め、スルーホールの内壁は、その全面が絶縁材料（両面
板）、もしくは導電体と絶縁材料とが交互に積層してい
るため（多層板）、直接電気めっきできず、一般に無電
解銅めっきした後、電気めっきすることが行なわれてい
る。しかしながら、無電解めっきには下記のような欠点
がある。 （１）比較的長い工程時間を必要とする。 （２）多数の処理浴を常時監視する必要がある。（浴の
成分を個々に補給する必要がある。処理浴が汚染に対し
て非常に敏感なので、前工程で用いた成分が持ち込まれ
ないように充分注意する必要がある。） （３）多数の洗浄浴が必要であり、しかも多量の洗浄水
を必要とする。 （４）廃水処理に費用がかかる。
【０００４】前記のごとき問題を有する無電解めっきを
使用しない方法として、本発明者らは、先に特開平６−
２８００８９号において、スルーホール内壁に導電性の
グラファイト層を形成した後、銅表面のグラファイト層
のみを除去し、ついで電気めっきする方法を提案してい
る。また、特表平５−５０４１６７号や特開平６−３３
０３７８号には、パラジウムコロイドやパラジウム化合
物を用いて絶縁材料表面に導電層を形成し、電気めっき
する方法が開示されている。
使用しない方法として、本発明者らは、先に特開平６−
２８００８９号において、スルーホール内壁に導電性の
グラファイト層を形成した後、銅表面のグラファイト層
のみを除去し、ついで電気めっきする方法を提案してい
る。また、特表平５−５０４１６７号や特開平６−３３
０３７８号には、パラジウムコロイドやパラジウム化合
物を用いて絶縁材料表面に導電層を形成し、電気めっき
する方法が開示されている。
【０００５】前記特開平６−２８００８９号に記載の方
法によれば、無電解めっきを使用しないでスルーホール
内壁に直接電気めっきすることができ、信頼性の高いめ
っき皮膜を形成することができる。しかしながら、この
方法によっても作業条件によってはめっき皮膜にボイド
（金属が付着していない部分）が生じたり、インナーレ
イヤーコンタミネーション（多層板の内層銅表面上に残
ったグラファイト皮膜、以下、インナーコンタミとい
う）が残り、熱衝撃を受けた場合にその上に電気めっき
された皮膜が剥離する等の不具合が生じることがある。
また、特表平５−５０４１６７号や特開平６−３３０３
７８号に開示されている貴金属を用いる方法において
も、同様の問題が生じている。
法によれば、無電解めっきを使用しないでスルーホール
内壁に直接電気めっきすることができ、信頼性の高いめ
っき皮膜を形成することができる。しかしながら、この
方法によっても作業条件によってはめっき皮膜にボイド
（金属が付着していない部分）が生じたり、インナーレ
イヤーコンタミネーション（多層板の内層銅表面上に残
ったグラファイト皮膜、以下、インナーコンタミとい
う）が残り、熱衝撃を受けた場合にその上に電気めっき
された皮膜が剥離する等の不具合が生じることがある。
また、特表平５−５０４１６７号や特開平６−３３０３
７８号に開示されている貴金属を用いる方法において
も、同様の問題が生じている。
【０００６】そこで、本発明者らは、特開平６−２８０
０８９号で提案した電気めっき法によって形成されるめ
っき皮膜の信頼性をさらに向上させるべく鋭意検討を重
ねた結果、前記グラファイト層の除去、さらにはパラジ
ウム層の除去にきわめて有効なマイクロエッチング剤を
用いる電気めっき法を見出し、本発明を完成するに至っ
た。
０８９号で提案した電気めっき法によって形成されるめ
っき皮膜の信頼性をさらに向上させるべく鋭意検討を重
ねた結果、前記グラファイト層の除去、さらにはパラジ
ウム層の除去にきわめて有効なマイクロエッチング剤を
用いる電気めっき法を見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、硫酸５〜６０
％（重量％、以下同様）、過酸化水素３〜３５％および
ホスホン基含有アミンまたはその塩０．０１〜１０％を
含有する水溶液からなる銅のマイクロエッチング剤、ま
たは硫酸５〜６０％、過酸化水素３〜３５％、ホスホン
基含有アミンおよび前記ホスホン基含有アミン以外のア
ミン０．１〜１０％を含有する水溶液からなる銅のマイ
クロエッチング剤を用いる銅と絶縁材料とが表面に露出
した材料に電気めっきする方法であって、（ａ）前記露
出した材料に、平均粒子径が最大２μｍのグラファイト
粒子および平均粒子径が最大１μｍのカーボンブラック
粒子のうちの少なくとも１種（以下、特定の炭素粒子と
いう）を含有する水分散液を接触させ、該特定の炭素粒
子を付着させた後、（ｂ）前記マイクロエッチング剤を
用いて銅をエッチングすることにより、銅表面上の特定
の炭素粒子を除去し、（ｃ）ついで、前記粒子が除去さ
れた銅および銅合金と絶縁材料の表面上に残存する特定
の炭素粒子からなる層とを導電層として電気めっきする
ことを特徴とする電気めっき法に関する。さらに本発明
は、（ｄ）銅と絶縁材料とが露出した材料に、パラジウ
ム化合物を含有する水分散液または水溶液を接触させ、
該パラジウム化合物を付着させた後、（ｅ）前記マイク
ロエッチング剤を用いて銅をエッチングすることによ
り、銅表面上のパラジウム層を除去し、（ｆ）ついで、
パラジウム層が除去された銅と絶縁材料の表面上に残存
するパラジウム層を導電層として電気めっきすることを
特徴とする電気めっき法に関する。
％（重量％、以下同様）、過酸化水素３〜３５％および
ホスホン基含有アミンまたはその塩０．０１〜１０％を
含有する水溶液からなる銅のマイクロエッチング剤、ま
たは硫酸５〜６０％、過酸化水素３〜３５％、ホスホン
基含有アミンおよび前記ホスホン基含有アミン以外のア
ミン０．１〜１０％を含有する水溶液からなる銅のマイ
クロエッチング剤を用いる銅と絶縁材料とが表面に露出
した材料に電気めっきする方法であって、（ａ）前記露
出した材料に、平均粒子径が最大２μｍのグラファイト
粒子および平均粒子径が最大１μｍのカーボンブラック
粒子のうちの少なくとも１種（以下、特定の炭素粒子と
いう）を含有する水分散液を接触させ、該特定の炭素粒
子を付着させた後、（ｂ）前記マイクロエッチング剤を
用いて銅をエッチングすることにより、銅表面上の特定
の炭素粒子を除去し、（ｃ）ついで、前記粒子が除去さ
れた銅および銅合金と絶縁材料の表面上に残存する特定
の炭素粒子からなる層とを導電層として電気めっきする
ことを特徴とする電気めっき法に関する。さらに本発明
は、（ｄ）銅と絶縁材料とが露出した材料に、パラジウ
ム化合物を含有する水分散液または水溶液を接触させ、
該パラジウム化合物を付着させた後、（ｅ）前記マイク
ロエッチング剤を用いて銅をエッチングすることによ
り、銅表面上のパラジウム層を除去し、（ｆ）ついで、
パラジウム層が除去された銅と絶縁材料の表面上に残存
するパラジウム層を導電層として電気めっきすることを
特徴とする電気めっき法に関する。
【０００８】
【発明の実施の形態】まず、本発明に用いるマイクロエ
ッチング剤を説明する。
ッチング剤を説明する。
【０００９】前記マイクロエッチング剤における硫酸の
含有量は５〜６０％、好ましくは１０〜４０％である。
前記含有量が５％未満では共存する過酸化水素濃度が高
いときに銅表面が汚くなり、次の電気めっきで不良を生
じる原因になる場合があり、６０％をこえると硫酸銅の
析出が起こりやすくなる。
含有量は５〜６０％、好ましくは１０〜４０％である。
前記含有量が５％未満では共存する過酸化水素濃度が高
いときに銅表面が汚くなり、次の電気めっきで不良を生
じる原因になる場合があり、６０％をこえると硫酸銅の
析出が起こりやすくなる。
【００１０】前記マイクロエッチング剤おける過酸化水
素の含有量は３〜３５％、好ましくは５〜２５％であ
る。前記含有量が３％未満ではインナーコンタミが残る
場合があり、３５％をこえるとボイドが生じやすくな
る。
素の含有量は３〜３５％、好ましくは５〜２５％であ
る。前記含有量が３％未満ではインナーコンタミが残る
場合があり、３５％をこえるとボイドが生じやすくな
る。
【００１１】前記マイクロエッチング剤には、エッチン
グスピードを抑制してエッチング量の管理を容易にする
ために、ホスホン基含有アミンまたはその塩が配合され
る。前記ホスホン基含有アミンの具体例としては、例え
ばニトリロ２酢酸（メチレンホスホン酸）、ニトリロ酢
酸ジ（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリ（メチレン
ホスホン酸）、エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジ（メチ
レンホスホン酸）、エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−２酢
酸−ジ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテト
ラ（メチレンホスホン酸）、シクロヘキサン−１，２−
ジアミノテトラ（メチレンホスホン酸）、Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（２−ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン−Ｎ，
Ｎ’−ビス（メチレンホスホン酸）等があげられ、その
塩の具体例としては，例えばナトリウム塩、カリウム塩
などがあげられる。前記ホスホン酸基含有アミンまたは
その塩は２種以上を併用してもよい。前記ホスホン基含
有アミンまたはその塩の含有量は０．０１〜１０％、好
ましくは０．０１〜７％である。前記含有量が０．０１
％未満ではボイドを生じやすくなり、１０％をこえると
銅表面にムラや変色が生じやすくなる。
グスピードを抑制してエッチング量の管理を容易にする
ために、ホスホン基含有アミンまたはその塩が配合され
る。前記ホスホン基含有アミンの具体例としては、例え
ばニトリロ２酢酸（メチレンホスホン酸）、ニトリロ酢
酸ジ（メチレンホスホン酸）、ニトリロトリ（メチレン
ホスホン酸）、エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジ（メチ
レンホスホン酸）、エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−２酢
酸−ジ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテト
ラ（メチレンホスホン酸）、シクロヘキサン−１，２−
ジアミノテトラ（メチレンホスホン酸）、Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（２−ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン−Ｎ，
Ｎ’−ビス（メチレンホスホン酸）等があげられ、その
塩の具体例としては，例えばナトリウム塩、カリウム塩
などがあげられる。前記ホスホン酸基含有アミンまたは
その塩は２種以上を併用してもよい。前記ホスホン基含
有アミンまたはその塩の含有量は０．０１〜１０％、好
ましくは０．０１〜７％である。前記含有量が０．０１
％未満ではボイドを生じやすくなり、１０％をこえると
銅表面にムラや変色が生じやすくなる。
【００１２】前記マイクロエッチング剤には、さらにエ
ッチング後の表面の再酸化を防止するために、ホスホン
基含有アミン以外のアミンを配合してもよい。前記アミ
ンに特に限定はなく、従来から銅エッチング剤に再酸化
防止、サイドエッチング防止、過酸化水素の分解防止等
を目的として配合される種々のアミンを使用することが
できる。前記アミンの具体例としては、例えばモノエチ
ルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブ
チルアミン、エチルヘキシルアミン、シクロヘキシルア
ミン、ジフェニルアミン、モノエタノールアミン、ジエ
タノールアミン、トリエタノールアミン、エチレンジア
ミン、これらのアルキレンオキサイド付加物、例えばシ
クロヘキシルアミンエチレンオキサイド付加物、ポリオ
キシプロピレンエチレンジアミン、Ｎ−（β−アミノエ
チル）エタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）プ
ロパノールアミン、テトラ（２−ヒドロキシプロピル）
エチレンジアミン等があげられる。これらホスホン基含
有アミン以外のアミンは２種類以上を併用してもよく、
０．１〜１０％、好ましくは０．１〜３％含有される。
前記含有量が０．１％未満では銅表面にムラや変色が生
じやすくなり、１０％を超えるとボイドが生じやすくな
る。
ッチング後の表面の再酸化を防止するために、ホスホン
基含有アミン以外のアミンを配合してもよい。前記アミ
ンに特に限定はなく、従来から銅エッチング剤に再酸化
防止、サイドエッチング防止、過酸化水素の分解防止等
を目的として配合される種々のアミンを使用することが
できる。前記アミンの具体例としては、例えばモノエチ
ルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブ
チルアミン、エチルヘキシルアミン、シクロヘキシルア
ミン、ジフェニルアミン、モノエタノールアミン、ジエ
タノールアミン、トリエタノールアミン、エチレンジア
ミン、これらのアルキレンオキサイド付加物、例えばシ
クロヘキシルアミンエチレンオキサイド付加物、ポリオ
キシプロピレンエチレンジアミン、Ｎ−（β−アミノエ
チル）エタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）プ
ロパノールアミン、テトラ（２−ヒドロキシプロピル）
エチレンジアミン等があげられる。これらホスホン基含
有アミン以外のアミンは２種類以上を併用してもよく、
０．１〜１０％、好ましくは０．１〜３％含有される。
前記含有量が０．１％未満では銅表面にムラや変色が生
じやすくなり、１０％を超えるとボイドが生じやすくな
る。
【００１３】前記マイクロエッチング剤には、さらに必
要に応じて過酸化水素の安定剤、界面活性剤、消泡剤、
有機溶剤等、その他の添加剤を配合してもよい。
要に応じて過酸化水素の安定剤、界面活性剤、消泡剤、
有機溶剤等、その他の添加剤を配合してもよい。
【００１４】次に、前記マイクロエッチング剤を用いる
本発明の電気めっき法のうち、絶縁材料表面に特定の炭
素粒子を用いて導電層を形成する電気めっき法を説明す
る。
本発明の電気めっき法のうち、絶縁材料表面に特定の炭
素粒子を用いて導電層を形成する電気めっき法を説明す
る。
【００１５】該電気めっき法では、まず電気めっきしよ
うとする材料、すなわち銅と絶縁材料とが表面に露呈し
た材料に、特定の炭素粒子を含有する水分散液を接触さ
せ、材料の全表面に特定の炭素粒子を付着させる
（（ａ）工程）。
うとする材料、すなわち銅と絶縁材料とが表面に露呈し
た材料に、特定の炭素粒子を含有する水分散液を接触さ
せ、材料の全表面に特定の炭素粒子を付着させる
（（ａ）工程）。
【００１６】本発明の方法に用いる銅と絶縁材料とが表
面に露呈した材料としては、例えばプリント基板用の基
材があげられる。前記基材としては、例えば紙基材フェ
ノール樹脂銅張積層板、ガラス基材エポキシ樹脂銅張積
層板、コンポジット銅張積層板、ポリイミド銅張積層
板、フッ素樹脂銅張積層板、フレキシブル用銅張積層板
等があげられる。
面に露呈した材料としては、例えばプリント基板用の基
材があげられる。前記基材としては、例えば紙基材フェ
ノール樹脂銅張積層板、ガラス基材エポキシ樹脂銅張積
層板、コンポジット銅張積層板、ポリイミド銅張積層
板、フッ素樹脂銅張積層板、フレキシブル用銅張積層板
等があげられる。
【００１７】前記特定の炭素粒子におけるグラファイト
粒子としては、平均粒子径が最大２μｍ、好ましくは最
大１μｍ、さらに好ましくは最大０．７μｍの超微粒子
が使用される。前記平均粒子径が２μｍを越えると導電
性が低下し、絶縁材料と電気めっきされる金属の層との
付着性が低下する。一方、カーボンブラック粒子として
は、平均粒子径が最大１μｍ、好ましくは最大０．５μ
ｍ、さらに好ましくは最大０．３μｍの超微粒子が使用
される。前記平均粒子径が１μｍを越えるとボイドの発
生する確率が高くなり、めっきの信頼性が低下する。本
発明に用いるグラファイト粒子およびカーボンブラック
粒子の平均粒子径に下限は特になく、前述の上限を越え
ないものであれば使用することがでる。前記グラファイ
ト粒子とカーボンブラック粒子はそれぞれ単独で用いて
もよく、併用してもよい。
粒子としては、平均粒子径が最大２μｍ、好ましくは最
大１μｍ、さらに好ましくは最大０．７μｍの超微粒子
が使用される。前記平均粒子径が２μｍを越えると導電
性が低下し、絶縁材料と電気めっきされる金属の層との
付着性が低下する。一方、カーボンブラック粒子として
は、平均粒子径が最大１μｍ、好ましくは最大０．５μ
ｍ、さらに好ましくは最大０．３μｍの超微粒子が使用
される。前記平均粒子径が１μｍを越えるとボイドの発
生する確率が高くなり、めっきの信頼性が低下する。本
発明に用いるグラファイト粒子およびカーボンブラック
粒子の平均粒子径に下限は特になく、前述の上限を越え
ないものであれば使用することがでる。前記グラファイ
ト粒子とカーボンブラック粒子はそれぞれ単独で用いて
もよく、併用してもよい。
【００１８】前記水分散液中の特定の炭素粒子の含有量
は、１〜６％であるのが好ましい。前記含有量が１％未
満ではグラファイト粒子やカーボンブラック粒子の層中
の粒子密度が小さく、充分な導電性が得にくくなり、６
％を越えると絶縁材料と電気めっきされる金属の層との
間で密着不良が生じる傾向がある。
は、１〜６％であるのが好ましい。前記含有量が１％未
満ではグラファイト粒子やカーボンブラック粒子の層中
の粒子密度が小さく、充分な導電性が得にくくなり、６
％を越えると絶縁材料と電気めっきされる金属の層との
間で密着不良が生じる傾向がある。
【００１９】前記特定の炭素粒子を含有する水分散液に
は、特定の炭素粒子のほかに、必要に応じて種々の成分
を配合することができる。前記配合成分としては、例え
ば特定の炭素粒子の絶縁材料表面への付着性を向上させ
るバインダー、前記付着性や液の安定性を向上させる界
面活性剤、液の安定性を向上させる水溶性高分子化合物
等があげられる。
は、特定の炭素粒子のほかに、必要に応じて種々の成分
を配合することができる。前記配合成分としては、例え
ば特定の炭素粒子の絶縁材料表面への付着性を向上させ
るバインダー、前記付着性や液の安定性を向上させる界
面活性剤、液の安定性を向上させる水溶性高分子化合物
等があげられる。
【００２０】前記バインダーは有機系バインダーであっ
てもよく、無機系バインダーであってもよいが、無機系
バインダーが好ましく、例えばケイ酸ナトリウム、ケイ
酸カリウム等が好ましい。前記バインダーの水分散液中
の含有量は、通常０．０５〜５％である。バインダーの
含有量が多すぎると導電性や製膜性が低下する。
てもよく、無機系バインダーであってもよいが、無機系
バインダーが好ましく、例えばケイ酸ナトリウム、ケイ
酸カリウム等が好ましい。前記バインダーの水分散液中
の含有量は、通常０．０５〜５％である。バインダーの
含有量が多すぎると導電性や製膜性が低下する。
【００２１】また、前記界面活性剤としては、例えばカ
ルボン酸系、ポリカルボン酸系、ナフタレンスルホン酸
系、中性リン酸エステル系等のアニオン系界面活性剤が
あげられるが、分散液の状態によっては非イオン系界面
活性剤やカチオン系界面活性剤や両性界面活性剤を使用
してもよい。また、前記水溶性高分子化合物としては、
例えばカルボキシメチルセルロース、でんぷん、アラビ
アゴム等があげられる。さらに、アンモニア、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム等、好ましくはアンモニアを
添加し、分散液のｐＨを９〜１３程度にするのが好まし
い。
ルボン酸系、ポリカルボン酸系、ナフタレンスルホン酸
系、中性リン酸エステル系等のアニオン系界面活性剤が
あげられるが、分散液の状態によっては非イオン系界面
活性剤やカチオン系界面活性剤や両性界面活性剤を使用
してもよい。また、前記水溶性高分子化合物としては、
例えばカルボキシメチルセルロース、でんぷん、アラビ
アゴム等があげられる。さらに、アンモニア、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム等、好ましくはアンモニアを
添加し、分散液のｐＨを９〜１３程度にするのが好まし
い。
【００２２】前記特定の炭素粒子の水分散液がグラファ
イト粒子の水分散液の場合、湿式でグラファイトを粉砕
・分散・分級して製造したものが、安定した分散性を有
し、粒子径分布範囲が狭いという点で好ましい。
イト粒子の水分散液の場合、湿式でグラファイトを粉砕
・分散・分級して製造したものが、安定した分散性を有
し、粒子径分布範囲が狭いという点で好ましい。
【００２３】前記特定の炭素粒子を含有する水分散液を
被処理材料表面に接触させる方法に特に限定はなく、例
えば該水分散液をスプレー、浸漬、塗布等の方法で被処
理材料に塗布すればよい。
被処理材料表面に接触させる方法に特に限定はなく、例
えば該水分散液をスプレー、浸漬、塗布等の方法で被処
理材料に塗布すればよい。
【００２４】次に、前記材料表面に付着した特定の炭素
粒子のうち、銅表面上の特定の炭素粒子を、銅表面を前
記マイクロエッチング剤でエッチングすることにより除
去する（（ｂ）工程）。この処理は、銅と絶縁材料の表
面に形成された特定の炭素粒子の層のうち、銅表面の粒
子層は銅と電気めっきされる金属との接着性を低下さ
せ、また特定の炭素粒子は銅よりも導電率が低いため
に、電気抵抗として作用するため、それを除去するため
の処理である。この処理は特定の炭素粒子に直接作用す
るのではなく、その下の銅表面をエッチングすることに
より、特定の炭素粒子を除去するものである。従って、
絶縁材料表面に付着した特定の炭素粒子は、このエッチ
ング処理によって除去されることはなく、残存したまま
となる。
粒子のうち、銅表面上の特定の炭素粒子を、銅表面を前
記マイクロエッチング剤でエッチングすることにより除
去する（（ｂ）工程）。この処理は、銅と絶縁材料の表
面に形成された特定の炭素粒子の層のうち、銅表面の粒
子層は銅と電気めっきされる金属との接着性を低下さ
せ、また特定の炭素粒子は銅よりも導電率が低いため
に、電気抵抗として作用するため、それを除去するため
の処理である。この処理は特定の炭素粒子に直接作用す
るのではなく、その下の銅表面をエッチングすることに
より、特定の炭素粒子を除去するものである。従って、
絶縁材料表面に付着した特定の炭素粒子は、このエッチ
ング処理によって除去されることはなく、残存したまま
となる。
【００２５】前記マイクロエッチング剤による処理法と
しては、例えば浸漬法、噴流法、スプレー法等があげら
れるが、噴流法が好ましい。また、エッチング量は、好
ましくは１．０μｍ以下、さらに好ましくは０．７μｍ
以下、特に好ましくは０．５μｍ以下である。前記エッ
チング量が１．０μｍをこえると銅がオーバーエッチン
グされて銅と非導電体表面の特定の炭素粒子の層との導
通が失われ、ボイドが生じる傾向がある。このように、
エッチング量は少ない方が好ましいが、通常のマイクロ
エッチング剤を用いた場合には、一方においてエッチン
グが不充分となる結果、銅表面に付着している特定の炭
素粒子の除去が不完全となり、上述した作用が得られな
くなる。しかし、前記マイクロエッチング剤を用いた場
合には、その作用は充分解明されていないが、上記の如
く極くわずかなエッチング量でも特定の炭素粒子を充分
に除去することができ、ボイドおよびインナーコンタミ
のない信頼性の高い電気めっきをすることができる。
しては、例えば浸漬法、噴流法、スプレー法等があげら
れるが、噴流法が好ましい。また、エッチング量は、好
ましくは１．０μｍ以下、さらに好ましくは０．７μｍ
以下、特に好ましくは０．５μｍ以下である。前記エッ
チング量が１．０μｍをこえると銅がオーバーエッチン
グされて銅と非導電体表面の特定の炭素粒子の層との導
通が失われ、ボイドが生じる傾向がある。このように、
エッチング量は少ない方が好ましいが、通常のマイクロ
エッチング剤を用いた場合には、一方においてエッチン
グが不充分となる結果、銅表面に付着している特定の炭
素粒子の除去が不完全となり、上述した作用が得られな
くなる。しかし、前記マイクロエッチング剤を用いた場
合には、その作用は充分解明されていないが、上記の如
く極くわずかなエッチング量でも特定の炭素粒子を充分
に除去することができ、ボイドおよびインナーコンタミ
のない信頼性の高い電気めっきをすることができる。
【００２６】次いで、上記エッチングにより特定の炭素
粒子が除去された銅表面ならびに絶縁材料表面に付着し
た特定の炭素粒子からなる導電層上に、金属が電気めっ
きされる（（ｃ）工程）。
粒子が除去された銅表面ならびに絶縁材料表面に付着し
た特定の炭素粒子からなる導電層上に、金属が電気めっ
きされる（（ｃ）工程）。
【００２７】前記電気めっきの方法に特に限定はなく、
例えば通常の電気めっき浴を用い、常温、１．５〜３Ａ
／ｄｍ2 、６０〜９０分間程度の条件でめっきする方法
があげられる。前記めっきされる金属にも特に限定はな
く、例えば銅、ニッケル等、用途に応じて種々の金属を
めっきすることができる。
例えば通常の電気めっき浴を用い、常温、１．５〜３Ａ
／ｄｍ2 、６０〜９０分間程度の条件でめっきする方法
があげられる。前記めっきされる金属にも特に限定はな
く、例えば銅、ニッケル等、用途に応じて種々の金属を
めっきすることができる。
【００２８】以上のごとき本発明の方法は、上述した各
種プリント基板をはじめとして、銅と絶縁材料とが混在
する種々の材料の電気めっきに適用し得る。しかも、得
られるめっき皮膜は付き回り性が良好で密着性に優れ、
信頼性が高いため、従来困難であったバイアホールと呼
ばれる径０．１〜０．５ｍｍの小径孔の内壁にも、均一
な厚さで付着性がよい信頼性の高い電気めっきを施すこ
とができる。
種プリント基板をはじめとして、銅と絶縁材料とが混在
する種々の材料の電気めっきに適用し得る。しかも、得
られるめっき皮膜は付き回り性が良好で密着性に優れ、
信頼性が高いため、従来困難であったバイアホールと呼
ばれる径０．１〜０．５ｍｍの小径孔の内壁にも、均一
な厚さで付着性がよい信頼性の高い電気めっきを施すこ
とができる。
【００２９】次に、前記電気めっき法をプリント基板の
スルーホール内壁の電気めっきに適用する場合の代表的
な工程を示す。
スルーホール内壁の電気めっきに適用する場合の代表的
な工程を示す。
【００３０】例として表裏の両面に銅箔を有するガラス
基材エポキシ樹脂銅張積層板のスルーホール内壁に電気
めっきする場合を説明するが、この場合、次の（１）〜
（６）の工程によって電気めっきが行なわれる。
基材エポキシ樹脂銅張積層板のスルーホール内壁に電気
めっきする場合を説明するが、この場合、次の（１）〜
（６）の工程によって電気めっきが行なわれる。
【００３１】（１）基板表面の洗浄：スルーホール内壁
の清浄化するための処理であり、基板を例えばリン酸エ
ステル等のアニオン系界面活性剤を含むｐＨ９〜１２程
度の弱アルカリ液で、３５〜６５℃で約２０〜６０秒間
洗浄した後、水洗する。
の清浄化するための処理であり、基板を例えばリン酸エ
ステル等のアニオン系界面活性剤を含むｐＨ９〜１２程
度の弱アルカリ液で、３５〜６５℃で約２０〜６０秒間
洗浄した後、水洗する。
【００３２】（２）コンディショニング処理：清浄化さ
れたスルーホール内壁への特定の炭素粒子の付着を促進
するための処理であり、例えばポリアミン系、ポリアミ
ド系等のカチオン系界面活性剤を含むｐＨ９〜１２程度
の弱アルカリ液で、２０〜６０℃で約２０〜６０秒間処
理した後、水洗する。
れたスルーホール内壁への特定の炭素粒子の付着を促進
するための処理であり、例えばポリアミン系、ポリアミ
ド系等のカチオン系界面活性剤を含むｐＨ９〜１２程度
の弱アルカリ液で、２０〜６０℃で約２０〜６０秒間処
理した後、水洗する。
【００３３】（３）特定の炭素粒子の付着：基板を特定
の炭素粒子を含有する水分散液に、２０〜６０℃で約３
０〜９０秒間浸漬処理し、基板表面に特定の炭素粒子を
付着させる。
の炭素粒子を含有する水分散液に、２０〜６０℃で約３
０〜９０秒間浸漬処理し、基板表面に特定の炭素粒子を
付着させる。
【００３４】（４）酸処理：基板を強酸性水溶液に、２
０〜６０℃で約３０〜１００秒間浸漬処理した後、水洗
し、乾燥する。この処理により、基板表面に付着した特
定炭素粒子が凝集し、電気抵抗が低下してめっき付き性
が向上する。
０〜６０℃で約３０〜１００秒間浸漬処理した後、水洗
し、乾燥する。この処理により、基板表面に付着した特
定炭素粒子が凝集し、電気抵抗が低下してめっき付き性
が向上する。
【００３５】（５）マイクロエッチング：基板を、前述
のマイクロエッチング液に１０〜３０℃で約５〜３０秒
間浸漬処理して１．０μｍ以下のエッチングをした後、
水洗し、乾燥する。なお、水洗は、まずスプレー水洗
し、ついで例えば実開平６４−２６８７９号に開示され
ているような小径孔の洗浄に適したいわゆる小径孔洗浄
機を用いて水洗する方法が好ましい。
のマイクロエッチング液に１０〜３０℃で約５〜３０秒
間浸漬処理して１．０μｍ以下のエッチングをした後、
水洗し、乾燥する。なお、水洗は、まずスプレー水洗
し、ついで例えば実開平６４−２６８７９号に開示され
ているような小径孔の洗浄に適したいわゆる小径孔洗浄
機を用いて水洗する方法が好ましい。
【００３６】（６）電気めっき：通常の電気めっき浴を
用い、常温、１．５〜３Ａ／ｄｍ2 で６０〜９０分間の
条件でめっきする。
用い、常温、１．５〜３Ａ／ｄｍ2 で６０〜９０分間の
条件でめっきする。
【００３７】前記（１）の基材表面の洗浄と（２）のコ
ンディショニング処理とを１工程で行なうことも可能で
ある。この場合、たとえばポリアミン系、ポリアミド系
等のカチオン系界面活性剤、エタノールアミン等の溶剤
を含み、ｐＨ９〜１２程度の弱アルカリ液で２０〜６０
℃で約２０〜６０秒処理した後、水洗すればよい。
ンディショニング処理とを１工程で行なうことも可能で
ある。この場合、たとえばポリアミン系、ポリアミド系
等のカチオン系界面活性剤、エタノールアミン等の溶剤
を含み、ｐＨ９〜１２程度の弱アルカリ液で２０〜６０
℃で約２０〜６０秒処理した後、水洗すればよい。
【００３８】次に、絶縁材料表面にパラジウム化合物を
用いて導電層を形成する電気めっき法を説明する。該電
気めっき法は、プリント基板の技術分野においてパラジ
ウム系ダイレクトプレーティング法として知られている
電気めっき法であって、本発明では銅表面上のパラジウ
ム層を除去するためのマイクロエッチング工程に前述の
マイクロエッチング剤を用いることを特徴とする。従っ
て、パラジウム化合物を付着させるまでの処理は、通常
のパラジウム系ダイレクトプレーティング法と同等で構
わない。また、使用するパラジウム化合物も同様で、例
えば塩化パラジウムと塩化錫を含有するコロイド、硫化
パラジウムを含有するコロイド、塩化パラジウムとポリ
ビニルピロリドンとを含有するコロイド、種々のパラジ
ウム錯体などがあげられる。
用いて導電層を形成する電気めっき法を説明する。該電
気めっき法は、プリント基板の技術分野においてパラジ
ウム系ダイレクトプレーティング法として知られている
電気めっき法であって、本発明では銅表面上のパラジウ
ム層を除去するためのマイクロエッチング工程に前述の
マイクロエッチング剤を用いることを特徴とする。従っ
て、パラジウム化合物を付着させるまでの処理は、通常
のパラジウム系ダイレクトプレーティング法と同等で構
わない。また、使用するパラジウム化合物も同様で、例
えば塩化パラジウムと塩化錫を含有するコロイド、硫化
パラジウムを含有するコロイド、塩化パラジウムとポリ
ビニルピロリドンとを含有するコロイド、種々のパラジ
ウム錯体などがあげられる。
【００３９】次いで、前述のマイクロエッチング剤を用
いてパラジウム化合物を除去する。この時のエッチング
量は、前記特定の炭素粒子の場合と同様に、好ましくは
１．０μｍ以下、更に好ましくは０．７μｍ以下、特に
好ましくは０．５μｍ以下である。エッチング方法は浸
漬法、噴流法、スプレー法等があげられるが、噴流法が
好ましい。そして、パラジウム化合物を除去した後に電
気めっきが行われるが、この電気めっきの諸条件も通常
と同様である。
いてパラジウム化合物を除去する。この時のエッチング
量は、前記特定の炭素粒子の場合と同様に、好ましくは
１．０μｍ以下、更に好ましくは０．７μｍ以下、特に
好ましくは０．５μｍ以下である。エッチング方法は浸
漬法、噴流法、スプレー法等があげられるが、噴流法が
好ましい。そして、パラジウム化合物を除去した後に電
気めっきが行われるが、この電気めっきの諸条件も通常
と同様である。
【００４０】また、上記一連の電気めっき方法は、プリ
ント基板のスルーホール内壁への電気めっきに好適に適
用し得るが、そのための処理工程は前述した特定の炭素
粒子を付着する方法に準じ、特定の炭素粒子の付着工程
をパラジウム化合物の付着に置き換える事以外は実質的
に同等である。
ント基板のスルーホール内壁への電気めっきに好適に適
用し得るが、そのための処理工程は前述した特定の炭素
粒子を付着する方法に準じ、特定の炭素粒子の付着工程
をパラジウム化合物の付着に置き換える事以外は実質的
に同等である。
【００４１】
実施例１ 厚さ３５μｍの銅箔と、ガラス布基材にエポキシ樹脂を
含浸させた絶縁層とを交互に積層してなり、最外層の２
層の銅箔を含めて６層の銅箔を有する基板（幅約１０ｃ
ｍ、長さ約２５ｃｍ、厚さ１．６ｍｍ）であって、直径
０．３〜０．８ｍｍのスルーホール約９６０個を穿孔し
た基板を下記のように処理した。
含浸させた絶縁層とを交互に積層してなり、最外層の２
層の銅箔を含めて６層の銅箔を有する基板（幅約１０ｃ
ｍ、長さ約２５ｃｍ、厚さ１．６ｍｍ）であって、直径
０．３〜０．８ｍｍのスルーホール約９６０個を穿孔し
た基板を下記のように処理した。
【００４２】まず、前記基板を、カチオン系界面活性剤
０．５％、アミン１．０％、残部水からなる液（クリー
ナー・コンディショナー）に４５℃で４０秒間浸漬した
後、水洗した（洗浄・コンディショニング）。ついで平
均粒子径０．４μｍのグラファイト粒子４．０％、カル
ボキシメチルセルロース０．５％、ケイ酸ナトリウム
０．５％、アニオン系界面活性剤１．０％、残部水から
なり、アンモニアでｐＨ１０に調整したグラファイト分
散液に２５℃で６０秒間浸漬した。ついで硫酸（６２．
５％水溶液）１０％、残部水からなるｐＨ０．２の水溶
液に２０℃で３０秒間浸漬した後、水洗した（酸処
理）。ついで表１に示すマイクロエッチング液に２５℃
で１５秒間浸漬処理をした後、まずスプレー水洗装置、
ついで小径孔洗浄機により水洗し、乾燥した（マイクロ
エッチング）。このマイクロエッチングにより銅が０．
２μｍエッチングされた。
０．５％、アミン１．０％、残部水からなる液（クリー
ナー・コンディショナー）に４５℃で４０秒間浸漬した
後、水洗した（洗浄・コンディショニング）。ついで平
均粒子径０．４μｍのグラファイト粒子４．０％、カル
ボキシメチルセルロース０．５％、ケイ酸ナトリウム
０．５％、アニオン系界面活性剤１．０％、残部水から
なり、アンモニアでｐＨ１０に調整したグラファイト分
散液に２５℃で６０秒間浸漬した。ついで硫酸（６２．
５％水溶液）１０％、残部水からなるｐＨ０．２の水溶
液に２０℃で３０秒間浸漬した後、水洗した（酸処
理）。ついで表１に示すマイクロエッチング液に２５℃
で１５秒間浸漬処理をした後、まずスプレー水洗装置、
ついで小径孔洗浄機により水洗し、乾燥した（マイクロ
エッチング）。このマイクロエッチングにより銅が０．
２μｍエッチングされた。
【００４３】前記基板を通常の銅電気めっき浴を用い、
２Ａ／ｄｍ2 の電流密度で２５℃で９０分間銅を電気め
っきした。
２Ａ／ｄｍ2 の電流密度で２５℃で９０分間銅を電気め
っきした。
【００４４】得られた基板をバックライトテストによ
り、またクロスセクションの観察によりボイドの有無を
調べた結果を表１に示す。また、ソルダーショックテス
ト（ＪＩＳ Ｃ ５０１２に準じ、オイルを２６０〜２
６５℃のはんだに変えて１０サイクル行なった）により
熱衝撃後の基材とめっき皮膜との接続状態を調べた結果
を表１に示す。
り、またクロスセクションの観察によりボイドの有無を
調べた結果を表１に示す。また、ソルダーショックテス
ト（ＪＩＳ Ｃ ５０１２に準じ、オイルを２６０〜２
６５℃のはんだに変えて１０サイクル行なった）により
熱衝撃後の基材とめっき皮膜との接続状態を調べた結果
を表１に示す。
【００４５】実施例２〜５ それぞれ表１に示すマイクロエッチングを用いた他は実
施例１と同様にして基板を処理し、評価した。結果を表
１に示す。
施例１と同様にして基板を処理し、評価した。結果を表
１に示す。
【００４６】実施例６ グラファイト分散液のかわりに平均粒子径０．１μｍの
カーボンブラック粒子３．０％、カチオン系界面活性剤
１％、残部水からなり、水酸化カリウムでｐＨ１０に調
整したカーボンブラック分散液を用いたほかは、実施例
１と同様にして基板を処理し、評価した。結果を表１に
示す。
カーボンブラック粒子３．０％、カチオン系界面活性剤
１％、残部水からなり、水酸化カリウムでｐＨ１０に調
整したカーボンブラック分散液を用いたほかは、実施例
１と同様にして基板を処理し、評価した。結果を表１に
示す。
【００４７】比較例１ 表１に示すマイクロエッチングを用いた他は実施例１と
同様にして基板を処理し、評価した。結果を表１に示
す。なお、比較例１では、めっき皮膜にボイドが認めら
れたため、ソルダーショックテストを行なわなかった。
同様にして基板を処理し、評価した。結果を表１に示
す。なお、比較例１では、めっき皮膜にボイドが認めら
れたため、ソルダーショックテストを行なわなかった。
【００４８】
【表１】
【００４９】実施例７〜８ 表２に示すマイクロエッチング剤を用いた他は実施例１
と同様にして基板を処理し評価した。結果を表２に示
す。
と同様にして基板を処理し評価した。結果を表２に示
す。
【００５０】
【表２】
【００５１】実施例９ マイクロエッチング剤として、硫酸２０％、過酸化水素
２５％、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン
酸）１％、残部水からなる水溶液を用いた他は、シプレ
イ社のクリムソン法により、下記のように電気めっきし
た。先ず、実施例１で用いた基板をセンシタイザーに４
５℃で５分間浸漬した後、水洗した。次いで、プレアク
チベーターに２５℃で２分間浸漬し、更にアクチベータ
ーに４５℃で５分間浸漬した。次いで、コンバーターに
２５℃で４分間浸漬した後、水洗した。次いで、エンハ
ンサーに２５℃で１分間浸漬し、水洗した。次いで、ス
タビライザーに２５℃で２分間浸漬し、水洗した。次い
で、前記マイクロエッチング剤に２５℃で１５秒間浸漬
処理をした後、スプレー水洗装置、更に小径孔洗浄装置
により水洗し、乾燥した。このマイクロエッチングによ
り、銅が０．２μｍエッチングされた。得られた基板を
実施例１と同様に電気めっきし、評価した結果、ボイド
は認められず、基材とめっき皮膜との接続状態も良好で
あった。
２５％、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン
酸）１％、残部水からなる水溶液を用いた他は、シプレ
イ社のクリムソン法により、下記のように電気めっきし
た。先ず、実施例１で用いた基板をセンシタイザーに４
５℃で５分間浸漬した後、水洗した。次いで、プレアク
チベーターに２５℃で２分間浸漬し、更にアクチベータ
ーに４５℃で５分間浸漬した。次いで、コンバーターに
２５℃で４分間浸漬した後、水洗した。次いで、エンハ
ンサーに２５℃で１分間浸漬し、水洗した。次いで、ス
タビライザーに２５℃で２分間浸漬し、水洗した。次い
で、前記マイクロエッチング剤に２５℃で１５秒間浸漬
処理をした後、スプレー水洗装置、更に小径孔洗浄装置
により水洗し、乾燥した。このマイクロエッチングによ
り、銅が０．２μｍエッチングされた。得られた基板を
実施例１と同様に電気めっきし、評価した結果、ボイド
は認められず、基材とめっき皮膜との接続状態も良好で
あった。
【００５２】以上の結果から、前述の特定のマイクロエ
ッチング剤を用いる本発明の方法により、プリント基板
のスルホールにボイド、インナーコンタミ等のない信頼
性の高い電気めっきをし得ることがわかる。
ッチング剤を用いる本発明の方法により、プリント基板
のスルホールにボイド、インナーコンタミ等のない信頼
性の高い電気めっきをし得ることがわかる。
【００５３】
【発明の効果】特定のマイクロエッチング剤を用いる本
発明の方法により、銅と絶縁材料とが表面に露呈した材
料に信頼性の高い電気めっきを実施することができる。
本発明の電気めっき法は、特に小径孔を有する多層のプ
リント配線板にも適用し得る信頼性の高いものである。
発明の方法により、銅と絶縁材料とが表面に露呈した材
料に信頼性の高い電気めっきを実施することができる。
本発明の電気めっき法は、特に小径孔を有する多層のプ
リント配線板にも適用し得る信頼性の高いものである。
Claims (6)
- 【請求項１】 銅または銅合金と絶縁材料とが表面に露
出した材料に電気めっきする方法であって、 （ａ）前記材料に、平均粒子径が最大２μｍのグラファ
イト粒子および平均粒子径が最大１μｍのカーボンブラ
ック粒子のうちの少なくとも１種を含有する水分散液を
接触させ、該粒子を付着させた後、 （ｂ）硫酸５〜６０重量％、過酸化水素３〜３５重量％
およびホスホン基含有アミンまたはその塩０．０１〜１
０重量％を含有する水溶液からなるマイクロエッチング
剤を用いて銅または銅合金層をエッチングすることによ
り、該銅または銅合金表面上の前記粒子を除去し、 （ｃ）ついで、前記粒子が除去された銅または銅合金と
絶縁材料の表面上に残存する前記粒子からなる層を導電
層として電気めっきすることを特徴とする電気めっき
法。 - 【請求項２】 前記マイクロエッチング剤として、更に
前記ホスホン基含有アミンを除くアミン０．１〜１０重
量％を含有する水溶液を用いることを特徴とする請求項
１記載の電気めっき法。 - 【請求項３】 銅または銅合金と絶縁材料とが表面に露
出した材料に電気めっきする方法であって、 （ａ）前記材料にパラジウム化合物を含有する水分散液
または水溶液を接触させ、該パラジウム化合物を付着さ
せた後、 （ｂ）硫酸５〜６０重量％、過酸化水素３〜３５重量
％、ホスホン基含有アミンまたはその塩０．０１〜１０
重量％を含有する水溶液からなるマイクロエッチング剤
を用いて銅または銅合金をエッチングすることにより、
該銅または銅合金表面上のパラジウム層を除去し、 （ｃ）ついで、パラジウム層が除去された銅または銅合
金と絶縁材料の表面上に残存するパラジウム層を導電層
として電気めっきすることを特徴とする電気めっき法。 - 【請求項４】 前記マイクロエッチング剤として、更に
前記ホスホン基含有アミンを除くアミン０．１〜１０重
量％を含有する水溶液を用いることを特徴とする請求項
３記載のめっき法。 - 【請求項５】 エッチング量が１．０μｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項１、２、３または４の何れか一項
に記載の電気めっき法。 - 【請求項６】 銅または銅合金と絶縁材料とが表面に露
呈した材料が、スルーホールが形成されたプリント基板
であることを特徴とする請求項１、２、３または４の何
れか一項に記載の電気めっき法。
Priority Applications (6)
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