JP3683896B2 - プリント配線基板からの銀メッキ剥離方法 - Google Patents
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Description
また、リード線もしくは電子部品表面と、集積的に電気接続するために、半田付けによって水和性を向上させる必要もある。
そこで、これらの必要性を満たすために、プリント配線の製造に際しては、半田付け作業の作業効率を高めるという観点で、様々な工夫がなされてきた。
そこで、半田付けを行う最適な表面を作るために、腐食防止剤として銀を浸漬メッキする方法が発見され、特にプリント配線基板の製造に用いられている。
ここで使用する銀イオンの供給源として、様々な銀化合物が用いられている。より具体的には、米国特許公報番号6200451において開示されているように、レッドラインらにより、銀メッキプロセスの例として明らかにされている。
なお、ここで行なう浸漬メッキは、半田付けを行う表面に銀薄膜を生成することが目的であって、銀薄膜の厚さとしては、半田付け表面として効果的であり、かつ腐食防止性を発揮できる厚さとして、0.0254〜25.4μm(1〜100マイクロinch)の範囲が一般的である。
また、メッキ金属がメッキされる金属よりも高価であることを考慮した場合、成膜制御性の良さと、非電解メッキ法のように高価な自己触媒活性を含むメッキ溶液および前処理として表面活性化処理が必要ない点で、浸漬メッキ法の方が費用をかけることなく行なうことができる。
一方、プリント配線基板の製造工程においては、表面に付着している全部もしくは一部の銅や他の金属を剥離する場合がある。この場合、例えば、基板表面に部分的に存在する銅の上に、直接的にニッケルや金などをメッキしたり、剥き出しとなっている銅表面に対して半田によるマスクをしたりする方法が用いられている。
その他、不良ピースの処理の過程で、銅膜層下にある材料を再利用するために、銅膜層と銀メッキ層とを剥離する必要性が生じる場合もある。
このメッキ溶液および/または剥離溶液はシアン化合物を含んではいないが、その方法には陽極電解法が用いられている。
さらに、本発明における剥離溶液は、銀がメッキされている基板や半田マスクを損失させることもない。
よって、本発明によれば、従来からの先行技術における問題点を解決し、さらにプリント配線基板から銀メッキを化学的に剥離するための剥離溶液、及び銀メッキの効率的な剥離方法を提供するものである。
(a)酸化剤、アルカリ性pH調整剤および銀溶解剤からなる銀剥離溶液(但し、シアン系化合物及びクロム系化合物を実質的に含まない。)に、プリント配線基板を接触させる工程。
(b)中和溶液により、プリント集積基板を中和する工程。
そこで、本発明では、銀メッキ剥離処理剤により、下地金属に損傷を与えることなく、銀メッキを剥離する方法を提供する。
なお、この剥離方法は、メッキ厚さの規格交差が狭いプリント配線基板の製造において重要な方法である。また、剥離溶液の化学的性質として、半田マスクを損失させずに銀を選択的に剥離することが可能である。さらに、密着性低下、リフティング、基板に対する漂白または退行、もしくは半田マスクの剥離(溶出)などがプロセス終了後に発生することもない。
また、本発明における剥離溶液は、pH調整剤として、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどの水酸化物が好ましい。また、銀溶解剤としては、スクシンイミド、アンモニア(水酸化アンモニウム)または他のアンモニウムイオン供給源を含むことが好ましい。
さらに、本発明における剥離溶液には、炭酸アンモニウムや炭酸水素アンモニウムなどの他の成分を選択的に加えることも好ましい。
また、アルカリ性pH調整剤の濃度は、7〜25g/リットルの範囲内の値であることが好ましく、その範囲に制御することにより、pHを11〜13.5の範囲内の値に維持することができる。
また、銀溶解剤の濃度は、1〜5g/リットルの範囲内の値であることが好ましい。もし、必要であれば、選択的に他の物質を加えることができ、その物質濃度としては、2〜5g/リットルの範囲内の値であることが好ましい。
ここで剥離溶液は、一般に35〜46°C(95〜115°F)に加熱される。その際、剥離の進行程度は、定期的に観察するか、もしくは、基板の損失重量を計測することによって、推定することができる。
また、本発明によれば、銀メッキされている基板や半田マスクを損失させることも少なくなった。すなわち、本発明は、従来の先行技術における問題点を解決し、さらにプリント配線基板から銀メッキを効果的に剥離することが可能となる銀メッキ剥離方法である。
Claims (8)
- プリント配線基板から銀メッキを剥離する剥離方法であって、下地金属からなる配線部分の少なくとも一部が銀メッキされている前記プリント配線基板において、下記工程(a)および(b)を順次含むことを特徴とする銀メッキ剥離方法。
(a)前記プリント配線基板を、酸化剤、アルカリ性pH調整剤および銀溶解剤からなる銀メッキ剥離溶液(但し、シアン系化合物及びクロム系化合物を実質的に含まない。)に接触させる工程
(b)前記プリント配線基板を、中和溶液により中和する工程 - 前記工程(a)および(b)が、繰り返し行われることを特徴とする請求項1に記載の銀メッキ剥離方法。
- 前記酸化剤が、過マンガン酸カリウムであることを特徴とする請求項1に記載の銀メッキ剥離方法。
- 前記アルカリ性pH調整剤が、水酸化ナトリウムであることを特徴とする請求項1に記載の銀メッキ剥離方法。
- 前記銀溶解剤が、スクシンイミドおよびアンモニアからなる群から選択される少なくとも一つであることを特徴とする請求項1に記載の銀メッキ剥離方法。
- 前記中和溶液が、硫酸ヒドロキシルアミンおよび硫酸を含むことを特徴とする請求項1に記載の銀メッキ剥離方法。
- 前記下地金属が、銅、ニッケルおよび金からなる群から選択される少なくとも一つであることを特徴とする請求項1に記載の銀メッキ剥離方法。
- 前記剥離溶液が、炭酸アンモニウムまたは炭酸水素アンモニウムを含むことを特徴とする請求項1に記載の銀メッキ剥離方法。
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