JPH09118882A - 液晶組成物及びそれを用いた液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】一般式 【化１】 （上式中、Ｒ₁ は炭素数が１〜１０の直鎖アルキル基ま
たはアルコキシ基を示す。）で表される化合物と、一般
式 【化２】 （上式中、Ｒ₂ は炭素数が１〜１０の直鎖アルキル基ま
たはアルコキシ基を示す。）で表される化合物とからな
る郡より選ばれる少なくとも１種類と、屈折率の異方性
が０．１８〜０．２５であり、分子長軸方向の誘電率が
８〜１５であり、誘電率の異方性が３．５〜１０であ
り、ネマチック液晶相−等方性液体転移点が７０〜１０
０℃である液晶組成物と、を含有する液晶組成物および
それを用いた液晶表示素子。 【効果】この液晶組成物を使用することにより、実用温
度範囲が広く、駆動電圧が低く、しかも反射率も高い液
晶表示素子が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶組成物及びそれ
を用いた液晶表示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は液晶の持つ電気光学効果
を利用したものであり、これに用いられる液晶相にはネ
マチック相、コレステリック相、スメクチック相があ
る。そして現在もっとも広く用いられる表示方式は、ネ
マチック相を利用したねじれネマチック（以下、ＴＮと
いう。）型、あるいはねじれ角をさらに大きくしたスー
パーツイステッドネマチック（以下、ＳＴＮという。）
型である。また、画素電極ごとにスイッチング素子を配
置して、スイッチング素子をマトリクス駆動し、スイッ
チング素子を介してそれぞれの画素電極をスイッチする
アクティブマトリクス型表示が大容量表示には使用され
ている。

【０００３】近年偏光板を用いない明るい表示素子とし
て、液晶と高分子を互いに分散させた表示素子が注目さ
れている。この表示素子の動作原理は液晶と高分子の屈
折率の差を利用しており、電界印加により液晶と高分子
の屈折率が一致した場合には透過状態を示し、電界除去
により屈折率が相違した場合には散乱状態を示すことに
よる（特表昭５８−５０１６３１、これをＮＣＡＰと呼
ぶ）。また電界無印加時に透過し電界印加時に散乱する
逆のモードの表示素子も開発されている（Ｍｏｌ．Ｃｒ
ｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，１９８，３５７，（１
９９１）、これをリバースタイプと呼ぶ）。また、これ
らのモードについては色素を混合することにより、視認
性を向上させる方法も提案されている。

【０００４】液晶表示素子は １．小型でしかも薄くできる、 ２．駆動電圧が低く、かつ消費電力が小さい、 ３．受光素子であるため長時間使用しても目が疲れな
い、 等の長所を持つことから、従来より腕時計、電卓、オー
ディオ機器、各種計測機、自動車のダッシュボード等に
応用されている。特に最近ではパーソナルコンピュータ
ーやワードプロセッサーのディスプレイさらにはカラー
テレビなどの画素数の大変多い表示にも応用されＣＲＴ
に代わる表示素子として注目を集めている。このように
液晶表示素子は多方面に応用されており、今後さらにそ
の応用分野は拡大していくと考えられる。これにともな
い液晶材料に要求される特性も変化していくと思われる
が、以下に示した特性は基本的なものである。

【０００５】１．着色がなく、熱、光、電気的、化学的
に安定であること。 ２．実用温度範囲が広いこと。 ３．電気光学的な応答速度が速いこと。 ４．駆動電圧が低いこと。 ５．電圧−光透過率特性の立ち上がりが急峻であり、ま
たそのしきい値電圧（以下、Ｖthという。）の温度依存
性が小さいこと。 ６．視角範囲が広いこと。

【０００６】これらの特性のうち、１．の特性を満足す
る液晶は数多く知られているが、２．以下の特性を単一
成分で満足させる液晶化合物は知られていない。そこ
で、これらの特性を得るために数種類のネマチック液晶
化合物または非液晶化合物を混合した液晶組成物を用い
ている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】液晶表示素子の実用温
度範囲を広くするためには、ネマチック液晶相−等方性
液体転移点（以下、Ｎ−Ｉ点という。）が高い液晶化合
物が必要となる。また、駆動電圧を低くするためには、
しきい値電圧Ｖthを下げなければいけないが、Ｎ−Ｉ点
が高く、しかも駆動電圧が低い液晶化合物は今まではな
く、Ｎ−Ｉ点が高い液晶化合物と駆動電圧が低い液晶化
合物とを組み合わせた液晶化合物が一般的には用いられ
ている。しかしながら、このように、Ｎ−Ｉ点が高い液
晶化合物と駆動電圧が低い液晶化合物とを組み合わせた
液晶組成物では、それぞれの特性を十分発揮することが
できず、ある程度の実用温度範囲を確保しつつ低電圧駆
動を行うには限界があった。それは、Ｎ−Ｉ点が高い化
合物はそれを混合した液晶組成物の駆動電圧を高くして
しまい、駆動電圧が低い液晶組成物はそれを混合した液
晶組成物のＮ−Ｉ点を低くしてしまう傾向が一般的には
あるからである。

【０００８】従って、本発明の目的は、実用温度範囲が
広く、駆動電圧の低い液晶組成物及びそれを用いた液晶
表示素子を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、一般式

【００１０】

【化７】

【００１１】（上式中、Ｒ₁ は炭素数が１〜１０の直鎖
アルキル基またはアルコキシ基を示す。）で表される化
合物と、一般式

【００１２】

【化８】

【００１３】（上式中、Ｒ₂ は炭素数が１〜１０の直鎖
アルキル基またはアルコキシ基を示す。）で表される化
合物とからなる群より選ばれる少なくとも１種類と、屈
折率の異方性（Δｎ）が０．１８〜０．２５であり、分
子長軸方向の誘電率（ε‖ ）が８〜１５であり、誘電
率の異方性（Δε）が３．５〜１０であり、ネマチック
液晶相−等方性液体転移点（Ｎ−Ｉ点）が７０〜１００
℃である液晶組成物と、を含有することを特徴とする液
晶組成物およびこの液晶組成物を用いた液晶表示素子が
提供される。また、電極間に液晶および高分子を含有す
る調光層を設けた高分子分散型液晶表示素子において、
この液晶組成物を用いることを特徴とする液晶表示素子
も提供される。

【００１４】また、本発明によれば、一般式

【００１５】

【化９】

【００１６】（上式中、Ｒ₁ は炭素数が１〜１０の直鎖
アルキル基またはアルコキシ基を示す。）で表される化
合物の少なくとも１種類と、屈折率の異方性（Δｎ）が
０．１８〜０．２５であり、分子長軸方向の誘電率（ε
‖ ）が８〜１５であり、誘電率の異方性（Δε）が
３．５〜１０であり、ネマチック液晶相−等方性液体転
移点（Ｎ−Ｉ点）が７０〜１００℃である液晶組成物
と、を含有することを特徴とする液晶組成物およびこの
液晶組成物を用いた液晶表示素子が提供される。また、
電極間に液晶および高分子を含有する調光層を設けた高
分子分散型液晶表示素子において、この液晶組成物を用
いることを特徴とする液晶表示素子も提供される。

【００１７】また、本発明によれば、一般式

【００１８】

【化１０】

【００１９】（上式中、Ｒ₁ は炭素数が１〜１０の直鎖
アルキル基またはアルコキシ基を示す。）で表される化
合物の少なくとも１種類と、屈折率の異方性（Δｎ）が
０．１８〜０．２５であり、分子長軸方向の誘電率（ε
‖ ）が８〜１５であり、誘電率の異方性（Δε）が
３．５〜１０であり、ネマチック液晶相−等方性液体転
移点（Ｎ−Ｉ点）が７０〜１００℃である液晶組成物
と、を含有することを特徴とする液晶組成物およびこの
液晶組成物を用いた液晶表示素子が提供される。また、
電極間に液晶および高分子を含有する調光層を設けた高
分子分散型液晶表示素子において、この液晶組成物を用
いることを特徴とする液晶表示素子も提供される。

【００２０】さらに、また、本発明によれば、一般式

【００２１】

【化１１】

【００２２】（上式中、Ｒ₁ は炭素数が１〜１０の直鎖
アルキル基またはアルコキシ基を示す。）で表される化
合物の少なくとも１種類と、一般式

【００２３】

【化１２】

【００２４】（上式中、Ｒ₂ は炭素数が１〜１０の直鎖
アルキル基またはアルコキシ基を示す。）で表される化
合物の１種類と、屈折率の異方性（Δｎ）が０．１８〜
０．２５であり、分子長軸方向の誘電率（ε‖ ）が８
〜１５であり、誘電率の異方性（Δε）が３．５〜１０
であり、ネマチック液晶相−等方性液体転移点（Ｎ−Ｉ
点）が７０〜１００℃である液晶組成物と、を含有する
ことを特徴とする液晶組成物およびこの液晶組成物を用
いた液晶表示素子が提供される。また、電極間に液晶お
よび高分子を含有する調光層を設けた高分子分散型液晶
表示素子において、この液晶組成物を用いることを特徴
とする液晶表示素子も提供される。

【００２５】式（１）の化合物

【００２６】

【化１３】

【００２７】（上式中、Ｒ₁ は炭素数が１〜１０の直鎖
アルキル基またはアルコキシ基を示す。）を液晶組成物
に含有させると、低駆動電圧化できる。そして、この化
合物は、従来の同じ目的の化合物に比べ、大幅にΔεが
大きいため、同じ電圧降下を実現するために必要な量が
少なくてすみ、結果的にもとの液晶組成物のＮ−Ｉ点を
あまり下げることなく、液晶表示素子の駆動電圧の低下
を実現できる。また、高分子分散型液晶表示素子に用い
ても、同じ電圧降下を実現するために必要な量が少なく
てすみ、結果的にもとの液晶組成物のＮ−Ｉ点をあまり
下げることなく、高分子分散型液晶表示素子の駆動電圧
の低下を実現できる。

【００２８】一方、式（２）の化合物

【００２９】

【化１４】

【００３０】（上式中、Ｒ₂ は炭素数が１〜１０の直鎖
アルキル基またはアルコキシ基を示す。）は、それ自身
のＮ−Ｉ点が高いため、液晶組成物に含有させると、実
用温度範囲の広い液晶組成物が得られる。従来のＮ−Ｉ
点の高い液晶化合物は、Δεが小さいため、もとの液晶
組成物の駆動電圧を大幅に上げてしまっていた。これに
対し、式（２）の化合物はＮ−Ｉ点が高いにもかかわら
ず、Δεが大きいため、もとの液晶組成物の駆動電圧を
あまり上げることなく、実用温度範囲の広い液晶組成物
を得ることができる。また、高分子分散型液晶表示素子
に用いても、もとの液晶組成物の駆動電圧をあまり上げ
ることなく、実用温度範囲の広い液晶組成物を得ること
ができる。

【００３１】式（１）の化合物と式（２）の化合物とを
共に液晶組成物中に含有せしめることにより、駆動電圧
も低く、実用温度範囲も広い液晶組成物を得ることがで
きる。また駆動電圧を大幅に下げたい場合は式（１）の
化合物のみを液晶組成物中に含有せしめればよく、実用
温度範囲を大幅に広げたい場合は式（２）の化合物のみ
を液晶組成物中に含有せしめればよい。また、高分子分
散型液晶表示素子に用いても、駆動電圧も低く、実用温
度範囲も広い液晶組成物を得ることができる。

【００３２】式（１）の化合物および／または式（２）
の化合物を、屈折率の異方性（Δｎ）が０．１８〜０．
２５であり、分子長軸方向の誘電率（ε‖ ）が８〜１
５であり、誘電率の異方性（Δε）が３．５〜１０であ
り、ネマチック液晶相−等方性液体転移点（Ｎ−Ｉ点）
が７０〜１００℃である液晶組成物に含有せしめること
によって、特に優れた諸特性を有する実用的な液晶組成
物が得られ、ＴＮ型液晶表示素子、ＳＴＮ型液晶表示素
子、高分子分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣ）等に好適に
使用される。

【００３３】本発明の液晶組成物を使用する高分子分散
型液晶表示素子における液晶および高分子を含有する調
光層は、好ましくは、高分子または高分子前駆体と液晶
組成物とを相溶した混合液を作成し、その後この混合液
を電極間に配置して、混合液を相分離手段により液晶と
高分子とに相分離させて形成した層である。ここで、相
分離手段としては、好ましくは、紫外線を混合層に照射
して高分子前駆体を重合させる方法を用いることができ
る。

【００３４】また、液晶および高分子を含有する調光層
は、高分子または高分子前駆体と液晶組成物とを相溶し
た混合液を作成し、その後この混合液を電極間に配向さ
せて配置して、混合液が液晶相をとっている状態で混合
液を相分離手段により液晶と高分子とに相分離させて形
成することができる。この形成方法においては、まず、
基板をラビングして配向処理をしておく。すると、混合
液は液晶相をとっており、液晶および高分子は配向状態
となる。この状態で例えば紫外線を当てて高分子前駆体
を重合させて相分離すれば、液晶が配向した状態をその
まま保つことができ、液晶及び高分子を互いに配向分散
させた高分子分散型液晶表示素子が得られる。なお、こ
こで、混合液が液晶相をとっているとは、混合液が特定
の状態で配向した状態をいう。

【００３５】高分子または高分子前駆体と液晶組成物と
を相溶した混合液にさらにカイラル成分を添加すること
もできる。カイラル成分を添加することにより、液晶表
示素子を見る角度によって見え方が異なるという問題を
解決できる。また、２色性色素を含有している場合に
は、２色性色素にツイスト構造を生じさせてコントラス
トを高めることができる。

【００３６】液晶表示素子が、上述のように、電極間に
液晶および高分子を配向して分散させた層を設けた高分
子分散型液晶表示素子である場合には、液晶中に２色性
色素をさらに含有することもできる。このようにすれ
ば、電圧を印加しない状態では液晶および高分子につい
ては透明となるが、２色性色素によって光が吸収されて
黒色表示となり、電圧が印加されている状態では散乱さ
れて白色表示となる液晶表示装置が得られる。

【００３７】なお、本発明が適用される高分子分散型液
晶表示素子に使用される高分子前駆体として、一般式

【００３８】

【化１５】

【００３９】（式中、Ｙ¹ およびＹ² は、メタクリレー
ト基、アクリレート基、水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基、フッ素原子、シアノ基のいずれかを示すが、Ｙ
¹ およびＹ² の少なくとも一方はメタクリレート基また
はアクリレート基のどちらかを示し、Ａは存在せずその
両側のベンゼン環同士が単結合で直結しているか、また
はＡは

【００４０】

【化１６】

【００４１】、酸素原子、あるいは硫黄原子のいずれか
を示し、Ａの両側のベンゼン環の水素原子はすべて水素
原子であるか、または少なくとも１つの水素原子がハロ
ゲン原子によって置換されている。）で表される化合物
のうち少なくとも１種が好ましく使用される。

【００４２】また、式（１）の化合物であって、Ｒ₁ が
アルキル基の化合物（１０１）は、次の製造方法により
得ることができる。

【００４３】

【化１７】

【００４４】（工程１）化合物（１０２）を窒素雰囲気
でテトラヒドロフラン中でマグネシウムと反応させグリ
ニヤール試薬を作成した後、ほう酸トリイソプロピルと
反応させ化合物（１０３）を得る。

【００４５】（工程２）化合物（１０４）をクロロホル
ム中でピリジンの存在下臭素と反応させ化合物（１０
５）を得る。

【００４６】（工程３）化合物（１０５）を酢酸中で亜
硝酸ナトリウムと硫酸で反応させジアゾニウム塩にした
後、硫酸銅とシアン化カリウムで反応させ化合物（１０
６）を得る。

【００４７】（工程４）化合物（１０３）と化合物（１
０６）をエタノールとベンゼンの混合溶媒中、テトラキ
ストリフェニルフォスフィンパラジウムの存在下で反応
させ、化合物（１０１）を得る。

【００４８】式（１）の化合物であって、Ｒ₁ がアルコ
キシ基の化合物（２０１）は、次の製造方法により得る
ことができる。

【００４９】

【化１８】

【００５０】（工程１）化合物（２０２）をエタノール
中水酸化カリウムの存在下でアルキルブロマイドと反応
させ化合物（２０３）を得る。

【００５１】（工程２）化合物（２０３）をテトラヒド
ロフラン中でグリニヤール試薬とし、ほう酸トリイソプ
ロピルと反応させ化合物（２０４）を得る。

【００５２】（工程３）化合物（２０５）をクロロホル
ム中でピリジンの存在下臭素と反応させて化合物（２０
６）を得る。

【００５３】（工程４）化合物（２０６）を酢酸中で亜
硝酸ナトリウムと硫酸で反応させてジアゾニウム塩にし
た後、硫酸銅とシアン化カリウムで反応させ化合物（２
０７）を得る。

【００５４】（工程５）化合物（２０４）と化合物（２
０７）をエタノールとベンゼンの混合溶媒中、テトラキ
ストリフェニルフォスフィンパラジウムの存在下で反応
させ化合物（２０１）を得る。

【００５５】また、式（２）の化合物であって、Ｒ₂ が
アルキル基の化合物（３０１）は、次の製造方法により
得ることができる。

【００５６】

【化１９】

【００５７】（工程１）化合物（３０２）をテトラヒド
ロフラン中でグリニヤール試薬とし、ほう酸トリイソプ
ロピルと反応させ化合物（３０３）を得る。

【００５８】（工程２）化合物（３０３）と化合物（３
０４）をエタノールとベンゼンの混合溶媒中、テトラキ
ストリフェニルフォスフィンパラジウムの存在下で反応
させ、化合物（３０５）を得る。

【００５９】（工程３）化合物（３０５）を、ニトロベ
ンゼン中で塩化アルミニウムの存在下、塩化アセチルと
反応させて、化合物（３０６）を得る。

【００６０】（工程４）化合物（３０６）をジオキサン
中で臭素と水酸化ナトリウムで反応させて、化合物（３
０７）を得る。

【００６１】（工程５）化合物（３０７）を塩化チオニ
ルと反応させて、化合物（３０８）を得る。

【００６２】（工程６）化合物（３０８）をアンモニア
水と反応させて、化合物（３０９）を得る。

【００６３】（工程７）化合物（３０９）を塩化チオニ
ルと反応させて、化合物（３０１）を得る。

【００６４】式（２）の化合物であって、Ｒ₂ がアルコ
キシ基の化合物（４０１）は、次の製造方法により得る
ことができる。

【００６５】

【化２０】

【００６６】（工程１）化合物（４０２）をテトラヒド
ロフラン中でグリニヤール試薬とし、ほう酸トリイソプ
ロピルと反応させ化合物（４０３）を得る。

【００６７】（工程２）化合物（４０４）と化合物（４
０５）を１，１，２，２−テトラクロロエタン中で塩化
アルミニウムの存在下反応させて化合物（４０６）を得
る。

【００６８】（工程３）化合物（４０６）を１，４−ジ
オキサン中で臭素と水酸化ナトリウムで反応させ化合物
（４０７）を得る。

【００６９】（工程４）化合物（４０７）を塩化チオニ
ルと反応させ化合物（４０８）を得る。

【００７０】（工程５）化合物（４０８）を１，４−ジ
オキサン中でアンモニアガスと反応させ化合物（４０
９）を得る。

【００７１】（工程６）化合物（４０９）を塩化チオニ
ルと反応させ化合物（４１０）を得る。

【００７２】（工程７）化合物（４０３）と化合物（４
１０）をエタノールとベンゼンの混合溶媒中、テトラキ
ストリフェニルフォスフィンパラジウムの存在下で反応
させ化合物（４０１）を得る。

【００７３】なお、屈折率の異方性（Δｎ）が０．１８
〜０．２５であり、分子長軸方向の誘電率（ε‖ ）が
８〜１５であり、誘電率の異方性（Δε）が３．５〜１
０であり、ネマチック液晶相−等方性液体転移点（Ｎ−
Ｉ点）が７０〜１００℃である液晶組成物は種々市販さ
れており、容易に入手できる。

【００７４】このような、屈折率の異方性（Δｎ）が
０．１８〜０．２５であり、分子長軸方向の誘電率（ε
‖ ）が８〜１５であり、誘電率の異方性（Δε）が
３．５〜１０であり、ネマチック液晶相−等方性液体転
移点（Ｎ−Ｉ点）が７０〜１００℃である液晶組成物と
しては、好ましくは、市販の混合液晶である、ＴＬ２０
２（メルク社製、Δｎ：０．１８５１、ε‖：９．６、
Δε：６．０、Ｎ−Ｉ点：８３．４℃）、ＴＬ２０４
（メルク社製、Δｎ：０．２０６８、ε‖：８．９、Δ
ε：４．８、Ｎ−Ｉ点：９１．９℃）、ＴＬ２０５（メ
ルク社製、Δｎ：０．２１７、ε‖：９．１１、Δε：
５．０１、Ｎ−Ｉ点：８３℃）、ＴＬ２１３（メルク社
製、Δｎ：０．２３９、ε‖：１０．０、Δε：５．
７、Ｎ−Ｉ点：８７．７℃）、ＴＬ２１５（メルク社
製、Δｎ：０．２０４、ε‖：１２．８、Δε：８．
５、Ｎ−Ｉ点：８２．５℃）、ＴＬ２１６（メルク社
製、Δｎ：０．２１１、ε‖：９．７、Δε：５．５、
Ｎ−Ｉ点：８０℃）等が用いられる。

【００７５】

【発明の実施の形態】以下、実施例により本発明をさら
に詳細に説明する。

【００７６】まず、式（１）の化合物である、４−ブチ
ル−３’，５’−ジフルオロ−４’−シアノビフェニル
を次の工程により合成した。

【００７７】（工程１）窒素雰囲気中、マグネシウム
１．２ｇへ４−ブチルブロモベンゼン９．２ｇをテトラ
ヒドロフラン３０ｍｌに溶した溶液を滴下した後一晩攪
拌し、グリニヤール試薬を作成した。テトラヒドロフラ
ン３０ｍｌ中へほう酸トリイソプロピル１６．２ｇを溶
かし、−７８℃に冷却した。その中へ先に調整したグリ
ニヤール試薬を滴下し、その後室温で一晩攪拌した。反
応液を１０％塩酸３０ｍｌ中へ注ぎクロロホルムで抽出
後、水洗を３回行なった。クロロホルム留去後、残渣を
水中から再結晶を行ない、４−ブチルフェニルほう酸
４．２ｇを得た。

【００７８】（工程２）クロロホルム４５０ｍｌ中にピ
リジン７８ｇ２，６−ジフルオロアニリン１１６ｇを溶
かし−１０〜−５℃に冷却した。その中へ臭素１５０
ｇ、クロロホルム２２０ｍｌの混合液を滴下した。その
後室温にし３時間攪拌した。反応液を水洗２回、１０％
水酸化カリウム水溶液２回、水洗２回を行なった後クロ
ロホルムを留去した。残渣を減圧蒸留（１１０〜１３０
℃／３０ｍｍＨｇ）し、その後クロロホルムとヘキサン
の混合溶媒中より再結晶を行ない、４−ブロモ−２，６
−ジフルオロアニリン１４０ｇを得た。

【００７９】（工程３）亜硝酸ナトリウム５３．６ｇを
硫酸４００ｍｌ中へ溶解し、１０℃以下に冷却後、酢酸
４７０ｍｌを加え、２０〜２５℃において４−ブロモ−
２，６−ジフルオロアニリン１４０ｇを加え、その後１
時間攪拌した。硫酸銅五水和物１６５ｇを水４００ｍｌ
に溶解し、その中へ氷２８０ｇを入れた。さらに水２０
０ｍｌにシアン化カリウム１７４ｇを溶かした溶液、炭
酸水素ナトリウム９９０ｇ、ベンゼン４００ｍｌを加え
た。その中へジアゾニウム塩硫酸溶液を加えた。室温で
３時間攪拌後、水酸化ナトリウム水溶液を加え、結晶を
溶解した。クロロホルムで抽出後、１０％水酸化ナトリ
ウム溶液、水でそれぞれ３回づつ洗浄した。クロロホル
ムを留去後、残渣を減圧蒸留（１０５〜１１０℃／１５
ｍｍＨｇ）し、さらにヘキサン中より再結晶を行ない、
４−ブロモ−２，６−ジフルオロベンゾニトリル５２．
１ｇを得た。

【００８０】（工程４）窒素雰囲気中４−ブロモ−２，
６−ジフルオロベンゾニトリル３．５ｇ、テトラキスト
リフェニルフォスフィンパラジウム０．６ｇ、ベンゼン
３５ｍｌ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２７ｍｌの混合液
中へ、工程１で得た４−ブチルフェニルほう酸３．５ｇ
をエタノール２４ｍｌに溶した溶液を室温で滴下した。
その後５時間還流後、室温に冷却し、過酸化水素水０．
５ｍｌを加え、１時間攪拌した。反応液をクロロホルム
で抽出し、水洗を３回行ないクロロホルムを留去した。
残渣をメタノール中より再結晶を２回行ない４−ブチル
−３’，５’−ジフルオロ−４’−シアノビフェニル
２．３ｇを得た。同様の方法で、以下の化合物を合成し
た。

【００８１】４−エチル−３’，５’−ジフルオロ−
４’−シアノビフェニル、４−プロピル−３’，５’−
ジフルオロ−４’−シアノビフェニル、４−ペンチル−
３’，５’−ジフルオロ−４’−シアノビフェニル。

【００８２】次に、式（１）の化合物である、４−ペン
チルオキシ−３’，５’−ジフルオロ−４’−シアノビ
フェニルを次の工程により合成した。

【００８３】（工程１）フラスコにペンチルブロマイド
８３ｇ、４−ブロモフェノール８６ｇ、水酸化カリウム
３６ｇ、エタノール５００ｍｌを入れ、還流下５時間攪
拌した。反応終了後生成した臭化カリウムの結晶を濾過
し、濾液のエタノールを留去した。残さをクロロホルム
で溶解し、水洗３回、１０％水酸化ナトリウム水溶液で
３回、さらに水洗３回をし、クロロホルムを留去した。
残さを減圧蒸留し、４−ペンチルオキシブロモベンゼン
９２ｇを得た。

【００８４】（工程２）窒素雰囲気中、フラスコへマグ
ネシウム３．７ｇを入れ、そこへテトラヒドロフラン１
４０ｍｌへ４−ペンチルオキシブロモベンゼン３３ｇを
溶かした溶液を滴下した。滴下終了後室温で一晩攪拌
し、グリニヤール試薬を作成した。ほう酸トリイソプロ
ピル５０ｇをテトラヒドロフラン１５ｍｌに溶解し、そ
の中へグリニヤール試薬を室温で滴下した。滴下終了後
室温で一晩攪拌した。その後１０％塩酸７５ｍｌを加え
１時間攪拌した。クロロホルムで抽出後、水で３回洗浄
しクロロホルムを留去した。得られた残さをメタノール
中より再結晶し、４−ペンチルオキシフェニルほう酸１
４ｇを得た。

【００８５】（工程３）クロロホルム４５０ｍｌ中にピ
リジン７８ｇ、２，６−ジフルオロアニリン１１６ｇを
溶かし−１０〜−５℃に冷却した。その中へ臭素１５０
ｇ、クロロホルム２２０ｍｌの混合液を滴下した。その
後室温にし３時間攪拌した。反応液を水洗２回、１０％
水酸化カリウム水溶液２回、さらに水洗２回を行った後
クロロホルムを留去した。残さを減圧蒸留（１１０〜１
３０℃／３０ｍｍＨｇ）し、その後クロロホルムとヘキ
サンの混合溶媒中より再結晶を行い、４−ブロモ−２，
６−ジフルオロアニリン１４０ｇを得た。

【００８６】（工程４）亜硝酸ナトリウム５４ｇを硫酸
４００ｍｌ中へ溶解し、１０℃以下に冷却後、酢酸４７
０ｍｌを加え、２０〜２５℃において４−ブロモ−２，
６−ジフルオロアニリン１４０ｇを加え、その後１時間
攪拌した。硫酸銅五水和物１６５ｇを水４００ｍｌに溶
解し、その中に氷２８０ｇを入れた。さらに水２００ｍ
ｌにシアン化カリウム１７４ｇを溶かした溶液、炭酸水
素ナトリウム９９０ｇ、ベンゼン４４０ｍｌを加えた。
その中にジアゾニウム塩硫酸溶液を加えた。室温で３時
間攪拌後、水酸化ナトリウム水溶液を加え、結晶を溶解
した。クロロホルムで抽出後、１０％水酸化ナトリウム
水溶液、水でそれぞれ３回洗浄した。クロロホルムを留
去後、残さ減圧蒸留（１０５〜１１０℃／１５ｍｍＨ
ｇ）し、さらにヘキサン中より再結晶を行い、４−ブロ
モ−２，６−ジフルオロベンゾニトリル５２ｇを得た。

【００８７】（工程５）窒素雰囲気中、４−ブロモ−
２’，６’−ジフルオロベンゾニトリル２．２ｇ、テト
ラキストリフェニルフォスフィンパラジウム０．２ｇ、
ベンゼン１８ｍｌ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１４ｍｌ
の混合液中へ、４−ペンチルオキシフェニルほう酸２．
２ｇをエタノール１２ｍｌに溶かした溶液を室温で滴下
した。その後５時間還流後、室温に冷却し、反応液をク
ロロホルムで抽出し、水洗を３回行いクロロホルムを留
去した。得られた残さをメタノール中より再結晶をし、
４−ペンチルオキシ−３’，５’−ジフルオロ−４’−
シアノビフェニル１．１ｇを得た。

【００８８】同様の方法で、４−ブトキシ−３’，５’
−ジフルオロ−４’−シアノビフェニルを合成した。

【００８９】次に、式（２）の化合物である、４−ブチ
ル−３’−フルオロ−４”−シアノターフェニルを次の
工程により合成した。

【００９０】（工程１）窒素雰囲気中、フラスコへマグ
ネシウム７．４ｇを入れ、そこへテトラヒドロフラン２
８５ｍｌへ４−ブチルブロモベンゼン５７ｇを溶かした
溶液を滴下した。滴下終了後室温で一晩攪拌し、グリニ
ヤール試薬を作成した。ほう酸トリイソプロピル１００
ｇをテトラヒドロフラン３０ｍｌに溶解し、その中へグ
リニヤール試薬を室温で滴下した。滴下終了後室温で一
晩攪拌した。その後１０％塩酸１５０ｍｌを加え１時間
攪拌した。クロロホルムで抽出後、水で３回洗浄しクロ
ロホルムを留去し、４−ブチルフェニルほう酸４０ｇを
得た。

【００９１】（工程２）窒素雰囲気中、４−ブロモ−２
−フルオロビフェニル４０．２ｇ、テトラキストリフェ
ニルフォスフィンパラジウム４．６ｇ、ベンゼン２７０
ｍｌ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２００ｍｌの混合液中
へ、４−ブチルフェニルほう酸２６．７ｇをエタノール
１８０ｍｌに溶かした溶液を室温で滴下した。その後５
時間還流後、室温に冷却し、反応液をクロロホルムで抽
出し、水洗を３回行いクロロホルムを留去した。得られ
た残さをメタノールとアセトンの混合溶媒中より再結晶
をし、４−ブチル−３’−フルオロターフェニル３９．
４ｇを得た。

【００９２】（工程３）塩化アルミニウム２２．１ｇ、
４−ブチル−３’−フルオロターフェニル３９．４ｇを
ニトロベンゼン２７６ｍｌに溶解し、０℃以下に冷却し
た。その中へニトロベンゼン５５ｍｌに溶かした塩化ア
セチル１３ｇを滴下した。その後室温で２時間攪拌し、
さらに５０℃で１時間攪拌した。反応終了後反応液を氷
５５０ｇ、水１１０ｍｌ、濃塩酸１１０ｍｌの溶液中に
注いだ。クロロホルムで抽出し、水で３回洗浄を行い、
クロロホルムを留去した。残さを水蒸気蒸留し、ニトロ
ベンゼンを除いた後、アセトンとメタノールの混合溶媒
中より再結晶を行い４−ブチル−３’−フルオロ−４”
−アセチルターフェニル２５．７ｇを得た。

【００９３】（工程４）ジオキサン３６０ｍｌに４−ブ
チル−３’−フルオロ−４”−アセチルターフェニル２
５．７ｇを加え５℃以下で攪拌した。その中へ水１５３
ｍｌに水酸化ナトリウム２８ｇ、臭素４３．１ｇを溶か
した溶液を滴下した。その後５℃以下で１時間、４０℃
で２時間攪拌した。反応終了後、反応液を水７００ｍｌ
中へあけ、結晶を濾過した。得られた結晶を濃塩酸３６
ｍｌ、エタノール３５０ｍｌの混合液中に入れ、２時間
攪拌した。その後水７００ｍｌを加え結晶を濾過し、エ
タノールで洗浄後８０℃で乾燥し、４−ブチル−３’−
フルオロ−４”−カルボン酸２９．３ｇを得た。

【００９４】（工程５）４−ブチル−３’−フルオロ−
４”−カルボン酸２９．３ｇを塩化チオニル１００ｍｌ
に加え、５時間還流した。その後、塩化チオニルを留去
し、４−ブチル−３’−フルオロ−４”−カルボン酸ク
ロライド２７．２ｇを得た。

【００９５】（工程６）アンモニア水２０ｍｌを０℃以
下に冷却し激しく攪拌した。その中へ４−ブチル−３’
−フルオロ−４”−カルボン酸クロライド１０ｇをアセ
トン１５０ｍｌに溶かした溶液を滴下した。その後室温
で１時間攪拌し、析出した結晶を濾過し、水洗を行っ
た。その後エタノールで洗浄し、乾燥させ、４−ブチル
−３’−フルオロ−４”−カルボン酸アミド８．４ｇを
得た。

【００９６】（工程７）４−ブチル−３’−フルオロ−
４”−カルボン酸アミド８．４ｇを塩化チオニル３０ｍ
ｌに加え３時間還流した。その後塩化チオニルを留去
し、水を加え、クロロホルムで抽出した。水洗、５％水
酸化カリウム溶液で洗浄後もう一度水洗しクロロホルム
を留去した。残さを減圧蒸留（２４０〜２５４℃／３ｍ
ｍＨｇ）し、アセトンとメタノールの混合中より再結晶
を行い４−ブチル−３’−フルオロ−４”−シアノター
フェニル３．２ｇを得た。

【００９７】同様の方法で、以下の化合物を合成した。

【００９８】４−プロピル−３’−フルオロ−４”−シ
アノターフェニル、４−ペンチル−３’−フルオロ−
４”−シアノターフェニル。

【００９９】次に、式（２）の化合物である、４−メト
キシ−３’−フルオロ−４”−シアノターフェニルを次
の工程により合成した。

【０１００】（工程１）窒素雰囲気中、フラスコへマグ
ネシウム７．７ｇを入れ、そこへテトラヒドロフラン２
８０ｍｌへ４−メトキシブロモベンゼン５０ｇを溶かし
た溶液を滴下した。滴下終了後室温で一晩攪拌し、グリ
ニヤール試薬を作成した。ほう酸トリイソプロピル１０
０ｇをテトラヒドロフラン30mlに溶解し、その中へグリ
ニヤール試薬を室温で滴下した。滴下終了後室温で一晩
攪拌した。その後１０％塩酸１５０ｍｌを加え１時間攪
拌した。クロロホルムで抽出後、水で３回洗浄しクロロ
ホルムを留去し、４−メトキシフェニルほう酸１９ｇを
得た。

【０１０１】（工程２）塩化アルミニウム６７ｇ、４−
ブロモ−２−フルオロビフェニル５０．２ｇを１，１，
２，２−テトラクロロエタン２００ｍｌに溶解し、０℃
以下に冷却した。その中へ１，１，２，２−テトラクロ
ロエタン１００ｍｌに溶かした塩化アセチル１９ｇを滴
下した。その後室温で２時間攪拌し、さらに５０℃で１
時間攪拌した。反応終了後、反応液を氷５００ｇ、水１
１０ｍｌ、濃塩酸１１０ｍｌの溶液中に注いだ。クロロ
ホルムで抽出し、水で３回洗浄を行い、クロロホルムと
１，１，２，２−テトラクロロエタンを留去した。残さ
を減圧蒸留（１８０〜１９０℃／４ｍｍＨｇ）し、アセ
トンとメタノールの混合溶媒中より再結晶を行い４−ブ
ロモ−２−フルオロ−４”−アセチルビフェニル４４ｇ
を得た。

【０１０２】（工程３）水３００ｍｌに水酸化ナトリウ
ム５５ｇを溶解し、５℃以下で臭素８４ｇを滴下した。
その中へ１，４−ジオキサン１１４ｍｌに４−ブロモ−
２−フルオロ−４”−アセチルビフェニル４４ｇを溶解
した溶液を５℃以下で滴下した。その後４０℃で１時間
攪拌した。反応終了後、反応液を濃塩酸２３０ｍｌと氷
４５０ｇ中へ注ぎ、析出した結晶を濾過した。その後結
晶を水洗し、エタノール中より再結晶後、８０℃で乾燥
し、４−（４”−ブロモ−２”−フルオロフェニル）安
息香酸４０ｇを得た。

【０１０３】（工程４）４−（４”−ブロモ−２”−フ
ルオロフェニル）安息香酸４０ｇを塩化チオニル３０ｍ
ｌに加え、５時間還流した。その後、塩化チオニルを留
去し、ヘキサンで洗浄し、４−（４”−ブロモ−２”−
フルオロフェニル）ベンゾイルクロライド３７ｇを得
た。

【０１０４】（工程５）１，４−ジオキサン１２０ｍｌ
に４−（４”−ブロモ−２”−フルオロフェニル）ベン
ゾイルクロライド３７ｇを溶解させ、５℃以下で攪拌し
た。その中へ１，４−ジオキサン２５０ｍｌにでアンモ
ニアガスを飽和させた溶液を滴下した。その後反応液中
へアンモニアガスを吹き込みながら５℃以下で１時間攪
拌した。反応液を水中へあけ、析出した結晶をろ過し、
水洗を行った。得られた結晶を乾燥させ４−（４”−ブ
ロモ−２”−フルオロフェニル）ベンゾイルアミド３２
ｇを得た。

【０１０５】（工程６）４−（４”−ブロモ−２”−フ
ルオロフェニル）ベンゾイルアミド３２ｇを塩化チオニ
ル４０ｍｌに加え５時間還流した。その後塩化チオニル
を留去し、水を加え、クロロホルムで抽出した。水洗、
５％水酸化カリウム溶液で洗浄後もう一度水洗しクロロ
ホルムを留去した。残さをアセトンとメタノールの混合
中より再結晶を行い４−ブロモ−２−フルオロ−４’−
シアノビフェニル２０ｇを得た。

【０１０６】（工程７）窒素雰囲気中、４−ブロモ−２
−フルオロ−４’−シアノビフェニル１３ｇ、テトラキ
ストリフェニルフォスフィンパラジウム０．５ｇ、ベン
ゼン９０ｍｌ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液７０ｍｌの混
合液中へ、４−メトキシフェニルほう酸７．６ｇをエタ
ノール６０ｍｌに溶かした溶液を室温で滴下した。その
後５時間還流後、室温に冷却し、反応液をクロロホルム
で抽出し、水洗を３回行いクロロホルムを留去した。得
られた残さを減圧蒸留した後アセトン中より再結晶を
し、４−メトキシ−３’−フルオロ−４”−シアノター
フェニル６．６ｇを得た。

【０１０７】同様の方法で、４−エトキシ−３’−フル
オロ−４”−シアノターフェニルを合成した。

【０１０８】次に、市販の混合液晶である、ＴＬ２０２
（メルク社製、Δｎ：０．１８５１、ε‖：９．６、Δ
ε：６．０、Ｎ−Ｉ点：８３．４℃）、ＴＬ２０４（メ
ルク社製、Δｎ：０．２０６８、ε‖：８．９、Δε：
４．８、Ｎ−Ｉ点：９１．９℃）、ＴＬ２０５（メルク
社製、Δｎ：０．２１７、ε‖：９．１１、Δε：５．
０１、Ｎ−Ｉ点：８３℃）、ＴＬ２１３（メルク社製、
Δｎ：０．２３９、ε‖：１０．０、Δε：５．７、Ｎ
−Ｉ点：８７．７℃）、ＴＬ２１５（メルク社製、Δ
ｎ：０．２０４、ε‖：１２．８、Δε：８．５、Ｎ−
Ｉ点：８２．５℃）、または、ＴＬ２１６（メルク社
製、Δｎ：０．２１１、ε‖：９．７、Δε：５．５、
Ｎ−Ｉ点：８０℃）、をベース液晶とし、上記のように
して合成した、４−エチル−３’，５’−ジフルオロ−
４’−シアノビフェニル、４−プロピル−３’，５’−
ジフルオロ−４’−シアノビフェニル、４−ブチル−
３’，５’−ジフルオロ−４’−シアノビフェニル、４
−ペンチル−３’，５’−ジフルオロ−４’−シアノビ
フェニル、４−ブトキシ−３’，５’−ジフルオロ−
４’−シアノビフェニル、４−ペンチルオキシ−３’，
５’−ジフルオロ−４’−シアノビフェニル、４−ブチ
ル−３’−フルオロ−４”−シアノターフェニル、４−
プロピル−３’−フルオロ−４”−シアノターフェニ
ル、４−ペンチル−３’−フルオロ−４”−シアノター
フェニル、４−メトキシ−３’−フルオロ−４”−シア
ノターフェニル、４−エトキシ−３’−フルオロ−４”
−シアノターフェニル、を添加化合物として、表１〜４
に示す混合比で実施例１〜４０の組成物をそれぞれ調合
した。なお、混合比率は重量％である。

【０１０９】

【表１】

【０１１０】

【表２】

【０１１１】

【表３】

【０１１２】

【表４】

【０１１３】次に、上記のようにして調合した実施例１
〜４０の組成物のＮ−Ｉ点をそれぞれ測定し、その結果
を表１〜４にそれぞれ示した。

【０１１４】次に、上記各組成物を用いて高分子分散型
液晶表示素子を作製した。まず、図１に示すようにガラ
ス基板１及び２の上に透明電極膜、例えばＩＴＯ（Indi
um Tin Oxide）膜、からなる電極３を形成し、この上に
ポリイミド等よりなる配向膜を塗布する。次ににラビン
グして配向制御層４を形成し、さらにガラス基板１及び
２をシール剤５を介して対向配置し、空パネルを作製し
た。

【０１１５】次に、実施例１〜４０で調合した各液晶組
成物に、カイラル成分Ｒ１０１１（メルク社製品）を、
各液晶組成物全体に対してそれぞれ０．８重量％添加
し、高分子前駆体としてビフェニル−４−イルメタクリ
レートを、各液晶組成物全体に対してそれぞれ７重量％
添加して、実施例１〜４０の液晶混合物を作製した。

【０１１６】次に、この液晶混合物を上述の空パネルに
封入して、紫外線照射で高分子前駆体を光重合して液晶
と高分子とを相分離させて高分子分散型液晶表示素子を
作製した。なお、セルギャップは５μｍで行った。

【０１１７】こうして作製した高分子分散型液晶表示素
子を図２に示したような光学系に配置して、１ｋＨｚの
矩形波で波高値を変化させた信号を印加し、電圧を変化
させながら反射率を測定し、最小反射率、最大反射率を
測定後、しきい値電圧Ｖth（最小反射率から最大反射率
へ５％変化したときの電圧値）を測定した。反射率は素
子の代わりに白色上質紙を配置した場合の反射率を１０
０％とした。なお、図２に示すように、高分子分散型液
晶表示素子７の背面に反射性の背景板６を設け、高分子
分散型液晶表示素子７表面への法線から２０゜傾いた方
向の光源８から光を入射して、法線方向への反射光強度
を結像用レンズ９および光電子増倍管１０を使用して測
定し、反射率を得た。ところで、素子の反射率はパネル
への入射角度を一定にしても光の入射方向により反射率
の値が変わるという素子の回転による視角依存性がある
ことが、すでに調べられている。したがって測定条件を
合わせるために、ここで示した反射率はパネルを回転さ
せながら光電子増倍管への入射光を積算したときの値を
用いた。このようにして、表１〜４に示したとおりの測
定結果を得た。なお、測定は、セル温度２０℃で行っ
た。

【０１１８】このように本発明の液晶組成物を使用する
ことにより、実用温度範囲が高く、駆動電圧が低く、反
射率も高い高分子分散型液晶表示素子が得られた。

【０１１９】

【発明の効果】本発明の液晶組成物を使用することによ
って、実用温度範囲が広く、駆動電圧が低く、しかも反
射率も高い液晶表示素子や高分子分散型液晶表示素子を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１〜４０で用いた空パネル及び
これらの実施例で作製した高分子分散型液晶表示素子の
概略断面図である。

【図２】本発明の実施例１〜４０において高分子分散型
液晶表示素子の電気光学特性を測定した際の光学系を示
す図である。

【符号の説明】

１、２…ガラス基板 ３…透明電極 ４…配向制御層 ５…シール剤 ６…反射性の背景板 ７…高分子分散型液晶表示素子 ８…光源 ９…結像用レンズ １０…光電子増倍管

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯坂 英仁 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 小林 英和 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 土屋 豊 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一般式 【化１】 （上式中、Ｒ₁ は炭素数が１〜１０の直鎖アルキル基ま
   たはアルコキシ基を示す。）で表される化合物と、一般
   式 【化２】 （上式中、Ｒ₂ は炭素数が１〜１０の直鎖アルキル基ま
   たはアルコキシ基を示す。）で表される化合物とからな
   る群より選ばれる少なくとも１種類と、 屈折率の異方性が０．１８〜０．２５であり、分子長軸
   方向の誘電率が８〜１５であり、誘電率の異方性が３．
   ５〜１０であり、ネマチック液晶相−等方性液体転移点
   が７０〜１００℃である液晶組成物と、 を含有することを特徴とする液晶組成物。
2. 【請求項２】一般式 【化３】 （上式中、Ｒ₁ は炭素数が１〜１０の直鎖アルキル基ま
   たはアルコキシ基を示す。）で表される化合物の少なく
   とも１種類と、 屈折率の異方性が０．１８〜０．２５であり、分子長軸
   方向の誘電率が８〜１５であり、誘電率の異方性が３．
   ５〜１０であり、ネマチック液晶相−等方性液体転移点
   が７０〜１００℃である液晶組成物と、 を含有することを特徴とする液晶組成物。
3. 【請求項３】一般式 【化４】 （上式中、Ｒ₁ は炭素数が１〜１０の直鎖アルキル基ま
   たはアルコキシ基を示す。）で表される化合物の少なく
   とも１種類と、 屈折率の異方性が０．１８〜０．２５であり、分子長軸
   方向の誘電率が８〜１５であり、誘電率の異方性が３．
   ５〜１０であり、ネマチック液晶相−等方性液体転移点
   が７０〜１００℃である液晶組成物と、 を含有することを特徴とする液晶組成物。
4. 【請求項４】一般式 【化５】 （上式中、Ｒ₁ は炭素数が１〜１０の直鎖アルキル基ま
   たはアルコキシ基を示す。）で表される化合物の少なく
   とも１種類と、一般式 【化６】 （上式中、Ｒ₂ は炭素数が１〜１０の直鎖アルキル基ま
   たはアルコキシ基を示す。）で表される化合物の１種類
   と、 屈折率の異方性が０．１８〜０．２５であり、分子長軸
   方向の誘電率が８〜１５であり、誘電率の異方性が３．
   ５〜１０であり、ネマチック液晶相−等方性液体転移点
   が７０〜１００℃である液晶組成物と、 を含有することを特徴とする液晶組成物。
5. 【請求項５】請求項１記載の液晶組成物を用いたことを
   特徴とする液晶表示素子。
6. 【請求項６】請求項２記載の液晶組成物を用いたことを
   特徴とする液晶表示素子。
7. 【請求項７】請求項３記載の液晶組成物を用いたことを
   特徴とする液晶表示素子。
8. 【請求項８】請求項４記載の液晶組成物を用いたことを
   特徴とする液晶表示素子。
9. 【請求項９】液晶および高分子を含有する調光層を電極
   間に設けた高分子分散型液晶表示素子において、請求項
   １記載の液晶組成物を用いたことを特徴とする液晶表示
   素子。
10. 【請求項１０】液晶および高分子を含有する調光層を電
    極間に設けた高分子分散型液晶表示素子において、請求
    項２記載の液晶組成物を用いたことを特徴とする液晶表
    示素子。
11. 【請求項１１】液晶および高分子を含有する調光層を電
    極間に設けた高分子分散型液晶表示素子において、請求
    項３記載の液晶組成物を用いたことを特徴とする液晶表
    示素子。
12. 【請求項１２】液晶および高分子を含有する調光層を電
    極間に設けた高分子分散型液晶表示素子において、請求
    項４記載の液晶組成物を用いたことを特徴とする液晶表
    示素子。