JPH0888061A - 低インダクタンスコネクタ - Google Patents

低インダクタンスコネクタ

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Publication number
JPH0888061A
JPH0888061A JP6221678A JP22167894A JPH0888061A JP H0888061 A JPH0888061 A JP H0888061A JP 6221678 A JP6221678 A JP 6221678A JP 22167894 A JP22167894 A JP 22167894A JP H0888061 A JPH0888061 A JP H0888061A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
substrate
contact
lga
connector
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP6221678A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigenori Ito
茂憲 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Aviation Electronics Industry Ltd
Original Assignee
Japan Aviation Electronics Industry Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Japan Aviation Electronics Industry Ltd filed Critical Japan Aviation Electronics Industry Ltd
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Publication of JPH0888061A publication Critical patent/JPH0888061A/ja
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  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 比較的長いコンタクトであっても、低インダ
クタンス化を図ることのできるLGAパッケージのIC
と基板との接続を行うコネクタを提供すること。 【構成】 基板1に備えられた基板電極2とLGAパッ
ケージ6のICに備えられたLGA電極5との間を接続
するコンタクトを含むコネクタにおいて、コンタクト3
が、基板電極2及びLGA電極6に対して斜めに配置さ
れ、且つ基板電極2とLGA電極5とを接続する対の経
路を有し、この対の経路はそこで発生する磁場が互いに
相殺するように形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、コネクタに関し、特
に、LGA(ラウンド グリッド アレイ)パッケージ
のICに備えられたLGA電極と基板に備えられた基板
電極との間を接続するコンタクトを含む低インダクタン
スコネクタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】クロック周波数の高速化したパソンコン
やワークステーションにおいて、ICと基板間の接続は
重要な課題となっている。その中でも、LGA電極と基
板電極との接続の低インダクタンス化は最も解決すべき
問題となっている。
【0003】ところで、従来のLGAパッケージのIC
と基板との接続としては、導電性ゴムと絶縁性ゴムを組
合わせたコネクタ、絶縁性ゴムに導電性金属細線を入れ
たコネクタ、非弾性のインシュレータにバネ構造のコン
タクトを入れたコネクタ等が用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な従来のコネクタを用いてLGAパッケージのICと基
板との接続を行う場合には、コンタクト長がそのままイ
ンダクタンスに影響してくるため、コンタクト長が現実
的に用いられているような寸法である場合には、低イン
ダクタンス化を図ることが困難となっていた。
【0005】本発明は、上記従来技術の課題に鑑みて提
案されたもので、比較的に長さの長いコンタクトであっ
ても、低インダクタンス化を図ることのできるLGAパ
ッケージのICと基板との接続を行うコネクタを提供す
ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、LGA
パッケージのICに備えられたLGA電極と基板に備え
られた基板電極との間を接続するコンタクトを含むコネ
クタにおいて、前記コンタクトが、前記LGA電極及び
前記基板電極に対して斜めに配置され、且つ前記LGA
電極と前記基板電極とを接続する対の経路を有し、該対
の経路は、該対の経路でそれぞれ発生する磁場が互いに
相殺するように形成されていることを特徴とする低イン
ダクタンスコネクタが得られる。
【0007】また、本発明によれば、前記コンタクトが
リング状であることを特徴とする低インダクタンスコネ
クタが得られる。
【0008】また、本発明によれば、前記コンタクトが
楕円リング状であることを特徴とする低インダクタンス
コネクタが得られる。
【0009】更に、本発明によれば、前記LGAパッケ
ージのICと前記基板との間に介在し、前記コンタクト
を保持する保持部材が備えられていることを特徴とする
低インダクタンスコネクタが得られる。
【0010】
【作用】上記構成の本発明によれば、基板の基板電極と
LGAパッケージのICのLGA電極の接続を2経路に
分け、夫々の経路にほぼ同じ電流を流し、夫々の経路か
ら発生する磁場を相殺させるので、低インダクタンス化
を図ることができる。
【0011】
【実施例】次に、本発明の実施例を添付の図面を参照し
て説明する。図1は本発明の実施例の模式図であり、図
2は磁場の相殺を示す模式図である。
【0012】図1に示すように、基板1とLGAパッケ
ージ6は所定の間隔をおいて離間平行に配置されてお
り、且つ基板1の基板電極2とLGAパッケージ6のL
GA電極5は、水平方向にずれた位置で対向するように
配置されている。
【0013】上述の基板電極2とLGA電極5とは楕円
リング状のコンタクト3によって接続されている。そし
て、基板1の基板電極2とこの基板電極2に接触するL
GAパッケージ6のLGA電極5との間の寸法は、コン
タクト3の直径より小さい寸法に設定されており、且つ
両電極2,5が水平方向にずれた位置で対向するように
なっているため、コンタクト3の姿勢(コンタクト3の
両電極2,3に接触する点を結んだ線分)が斜めになっ
ており、この状態でコンタクト3は、両電極2,5を接
続している。
【0014】各基板電極2と各LGA電極5とを接続す
る楕円リング状のコンタクト3は、板状の絶縁弾性体か
ら成り且つ基板1とLGAパッケージ6の間に介在する
保持部材4によって保持されている。
【0015】尚、図1は本実施例を模式的に示したもの
であり、一次元配列として示しており、押え構造などを
省略して表している。もっとも、この押え構造等の有無
は、低インダクタンス化にとっては本質的なものではな
い。
【0016】ところで、図1において、各コンタクト3
に流れる電流は、図2に示す2本の円弧状のコンタクト
3A,3Bに夫々流れる電流とほぼ等価である。ここ
で、注目すべきは、円弧状のコンタクト3A,3Bは互
いに逆巻のハーフターンコイルと見なせるもので、電磁
気学から分るように、同じ方向に電流が流れる逆巻のコ
イルは、夫々のコンタクトが発生する磁場を互いに相殺
し合うこととなる。従って、磁束:φ=0と成る。一
方、磁束:φとインダクタンス:Lとの間には、φ=L
I(I:電流)の関係がある。上述のように、φ=0で
あるので、LI=0となり、また、I≠0であるので、
インダクタンス:L=0となる。もっとも、この場合に
おいて、両側に流れる電流が完全には等しくなく、ま
た、コンタクトの両側の形状が完全には同じであること
はなく、これらによる影響は多少はあるものも、インダ
クタンスを著しく低下させることは容易に理解できるも
のである。
【0017】本実施例においては、各基板電極2と各L
GA電極5とを接続するコンタクト3を楕円リング状と
したが、本発明においてはこれに限定されるものではな
く、コンタクトの形状を例えば真円のリング状としても
同様の効果を得ることができる。
【0018】また、コンタクト3は板状の保持部材4に
よって基板電極2とLGA電極5との間に位置させるこ
としたが、コンタクトを他の保持手段によって基板電極
2とLGA電極5との間に位置させるものであってもよ
いことはいうまでもない。
【0019】
【発明の効果】本発明によれば、基板電極とこれに接続
させるLGA電極との接続経路を2経路に分岐し、夫々
の経路にほぼ同じ電流を流し、夫々の経路から発生する
磁場を相殺させるので、実際に使用されるような比較的
長いコンタクトであっても低インダクタンス化が実現で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す模式図である。
【図2】磁場の相殺を示すための模式図である。
【符号の説明】
1 基板 2 基板電極 3 コンタクト 4 保持部材 5 LGA電極 6 LGAパッケージ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 LGAパッケージのICに備えられたL
    GA電極と基板に備えられた基板電極との間を接続する
    コンタクトを含むコネクタにおいて、前記コンタクト
    が、前記LGA電極及び前記基板電極に対して斜めに配
    置され、且つ前記LGA電極と前記基板電極とを接続す
    る対の経路を有し、該対の経路は、該対の経路でそれぞ
    れ発生する磁場が互いに相殺するように形成されている
    ことを特徴とする低インダクタンスコネクタ。
  2. 【請求項2】 前記コンタクトがリング状であることを
    特徴とする請求項1記載の低インダクタンスコネクタ。
  3. 【請求項3】 前記コンタクトが楕円リング状であるこ
    とを特徴とする請求項2記載の低インダクタンスコネク
    タ。
  4. 【請求項4】 前記LGAパッケージのICと前記基板
    との間に介在し、前記コンタクトを保持する保持部材が
    備えられていることを特徴とする請求項1乃至請求項3
    記載の低インダクタンスコネクタ。
JP6221678A 1994-09-16 1994-09-16 低インダクタンスコネクタ Withdrawn JPH0888061A (ja)

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JPH0888061A true JPH0888061A (ja) 1996-04-02

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ID=16770565

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6367763B1 (en) * 2000-06-02 2002-04-09 Wayne K. Pfaff Test mounting for grid array packages
JP2006242685A (ja) * 2005-03-02 2006-09-14 Fuchigami Micro:Kk コンタクトプローブカード
CN105281074A (zh) * 2014-07-18 2016-01-27 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 电子设备及其组合

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Effective date: 20011120