JPH0882563A - 半導体圧力センサのパッケージング構造 - Google Patents
半導体圧力センサのパッケージング構造Info
- Publication number
- JPH0882563A JPH0882563A JP21708694A JP21708694A JPH0882563A JP H0882563 A JPH0882563 A JP H0882563A JP 21708694 A JP21708694 A JP 21708694A JP 21708694 A JP21708694 A JP 21708694A JP H0882563 A JPH0882563 A JP H0882563A
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- JP
- Japan
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- outer case
- pressure
- packaging structure
- pressure sensor
- diaphragm
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 外ケースからの圧力漏れによる測定精度の劣
化を防ぐことができる半導体圧力センサのパッケージン
グ構造を提供することである。 【構成】 被測定圧力により変形するダイヤフラム４を
有するシリコン基板１と電極部３を有する絶縁基板２と
が接合されて形成された検出素子部１０と、圧力流入貫
通孔１１を有する上側外ケース６及び下側外ケース７と
を備え、さらに、シリコン基板１と上側外ケース６との
間の隙間をシールし、圧力流入貫通孔１１からの圧力を
ダイヤフラム４に送るための圧力送出貫通孔１３を有す
る気密シール部５を具備して構成されている。
化を防ぐことができる半導体圧力センサのパッケージン
グ構造を提供することである。 【構成】 被測定圧力により変形するダイヤフラム４を
有するシリコン基板１と電極部３を有する絶縁基板２と
が接合されて形成された検出素子部１０と、圧力流入貫
通孔１１を有する上側外ケース６及び下側外ケース７と
を備え、さらに、シリコン基板１と上側外ケース６との
間の隙間をシールし、圧力流入貫通孔１１からの圧力を
ダイヤフラム４に送るための圧力送出貫通孔１３を有す
る気密シール部５を具備して構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車内の圧力検出、
家電機器等の圧力検出に使用される、半導体式圧力セン
サに関し、特に、検出素子部と外ケースとのパッケージ
ング構造に関するものである。
家電機器等の圧力検出に使用される、半導体式圧力セン
サに関し、特に、検出素子部と外ケースとのパッケージ
ング構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、図３を参照して従来の半導体圧力
センサについて説明する。図３は従来における圧力検出
として静電容量方式を採用した圧力センサの構造を示す
図である。図３において、下側外ケース７の上には、検
出素子部１０が接着剤９によって接合されている。検出
素子部１０は、被測定圧力により変形するダイヤフラム
４を有するシリコン基板１と絶縁基板２とで構成され、
シリコン基板１と絶縁基板２とを静電接合等の手段によ
って接合した状態で形成されている。
センサについて説明する。図３は従来における圧力検出
として静電容量方式を採用した圧力センサの構造を示す
図である。図３において、下側外ケース７の上には、検
出素子部１０が接着剤９によって接合されている。検出
素子部１０は、被測定圧力により変形するダイヤフラム
４を有するシリコン基板１と絶縁基板２とで構成され、
シリコン基板１と絶縁基板２とを静電接合等の手段によ
って接合した状態で形成されている。
【０００３】ここで、絶縁基板２には、空気コンデンサ
部の一方の電極である電極部３が形成され、かつゲージ
圧検出対応のための貫通孔を有している。シリコン基板
１のダイヤフラム４が圧力差（Ｐ＝Ｐ1 −Ｐ2 ）を受け
て曲がることにより、電極部３とダイアフラム４間のギ
ャップが変化し、シリコン基板１と電極部３との間にて
形成される空気コンデンサの静電容量値が変化する。圧
力と前記ギャップの間には一定の相関関係があり、２本
のリード端子８とダイアフラム４及び電極部３とは電気
的に接続されており、リード端子８を介して検出素子部
１０で検出されたシリコン基板１及び電極部３間に形成
される空気コンデンサの静電容量値の変化分が後段の容
量−周波数変換回路（図示せず）に送出される。前記静
電容量値の変化分は前記容量−周波数変換回路（図示せ
ず）によって測定され、その静電容量値の変化分に対応
した信号に変換して出力し、その出力から求めたい圧力
を検出することができる。
部の一方の電極である電極部３が形成され、かつゲージ
圧検出対応のための貫通孔を有している。シリコン基板
１のダイヤフラム４が圧力差（Ｐ＝Ｐ1 −Ｐ2 ）を受け
て曲がることにより、電極部３とダイアフラム４間のギ
ャップが変化し、シリコン基板１と電極部３との間にて
形成される空気コンデンサの静電容量値が変化する。圧
力と前記ギャップの間には一定の相関関係があり、２本
のリード端子８とダイアフラム４及び電極部３とは電気
的に接続されており、リード端子８を介して検出素子部
１０で検出されたシリコン基板１及び電極部３間に形成
される空気コンデンサの静電容量値の変化分が後段の容
量−周波数変換回路（図示せず）に送出される。前記静
電容量値の変化分は前記容量−周波数変換回路（図示せ
ず）によって測定され、その静電容量値の変化分に対応
した信号に変換して出力し、その出力から求めたい圧力
を検出することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の圧力検出方式においては、測定圧力Ｐ1 が印加
される空間領域は、上側外ケース６と、検出素子部１
０、下側外ケース７とで囲まれる空間領域全体に印加さ
れるが、上側外ケース６と下側外ケース７との接合界面
にリークがあると、検出素子部１０に実際に印加される
圧力が、Ｐ1 より数パーセント低下してしまい、測定誤
差を生ずるという問題点が生ずる。この問題点を解決す
るために、シリコン基板１上に貫通孔を有する補助絶縁
基板（図示せず）を静電接合等の接合手段によってシリ
コン基板１上に接合し、さらに上側外ケース６の圧力Ｐ
1 を導入する導入口の内壁部分に、接着剤等によって接
合するという方法が提案されている。このようにして、
圧力Ｐ1 の経路を限定して検出精度を保持している。し
かしながら、この方法は、検出素子部の製造が３層構造
となるため、検出素子部のコストアップを引き起こし、
また、前記補助絶縁基板と上側外ケース６との接着工程
は、非常に時間がかかり全体として、価格が高くなると
いう問題点が生ずる。
た従来の圧力検出方式においては、測定圧力Ｐ1 が印加
される空間領域は、上側外ケース６と、検出素子部１
０、下側外ケース７とで囲まれる空間領域全体に印加さ
れるが、上側外ケース６と下側外ケース７との接合界面
にリークがあると、検出素子部１０に実際に印加される
圧力が、Ｐ1 より数パーセント低下してしまい、測定誤
差を生ずるという問題点が生ずる。この問題点を解決す
るために、シリコン基板１上に貫通孔を有する補助絶縁
基板（図示せず）を静電接合等の接合手段によってシリ
コン基板１上に接合し、さらに上側外ケース６の圧力Ｐ
1 を導入する導入口の内壁部分に、接着剤等によって接
合するという方法が提案されている。このようにして、
圧力Ｐ1 の経路を限定して検出精度を保持している。し
かしながら、この方法は、検出素子部の製造が３層構造
となるため、検出素子部のコストアップを引き起こし、
また、前記補助絶縁基板と上側外ケース６との接着工程
は、非常に時間がかかり全体として、価格が高くなると
いう問題点が生ずる。
【０００５】本発明の課題は、上記問題点を解消し、外
ケースからの圧力漏れによる測定精度の劣化を防ぐこと
ができる半導体圧力センサのパッケージング構造を提供
することである。
ケースからの圧力漏れによる測定精度の劣化を防ぐこと
ができる半導体圧力センサのパッケージング構造を提供
することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、被測定
圧力により変形するダイヤフラムを有するシリコン基板
と電極部を有する絶縁基板とが接合されて形成された検
出素子部と、圧力流入貫通孔を有する上側外ケース及び
下側外ケースとで構成された半導体圧力センサにおい
て、さらに、前記シリコン基板と前記上側外ケースとの
間の隙間をシールし、前記圧力流入貫通孔からの圧力を
前記ダイヤフラムに送るための圧力送出貫通孔を有する
気密シール部を備えていることを特徴とする半導体圧力
センサのパッケージング構造が得られる。
圧力により変形するダイヤフラムを有するシリコン基板
と電極部を有する絶縁基板とが接合されて形成された検
出素子部と、圧力流入貫通孔を有する上側外ケース及び
下側外ケースとで構成された半導体圧力センサにおい
て、さらに、前記シリコン基板と前記上側外ケースとの
間の隙間をシールし、前記圧力流入貫通孔からの圧力を
前記ダイヤフラムに送るための圧力送出貫通孔を有する
気密シール部を備えていることを特徴とする半導体圧力
センサのパッケージング構造が得られる。
【０００７】さらに、本発明によれば、前記ダイヤフラ
ムは前記シリコン基板の中央部をその上下面よりエッチ
ングして形成され、前記気密シール部は前記エッチング
により形成された凹部と対応した形状の凸部と鍔部とを
具備し、前記鍔部は前記シリコン基板の前記凹部領域を
除く領域と前記上側外ケースの下面に密着接合されてい
ることを特徴とする半導体圧力センサのパッケージング
構造が得られる。
ムは前記シリコン基板の中央部をその上下面よりエッチ
ングして形成され、前記気密シール部は前記エッチング
により形成された凹部と対応した形状の凸部と鍔部とを
具備し、前記鍔部は前記シリコン基板の前記凹部領域を
除く領域と前記上側外ケースの下面に密着接合されてい
ることを特徴とする半導体圧力センサのパッケージング
構造が得られる。
【０００８】さらに、本発明によれば、前記凸部の厚み
寸法が前記凹部の深さ寸法よりも小さいことを特徴とす
る半導体圧力センサのパッケージング構造が得られる。
寸法が前記凹部の深さ寸法よりも小さいことを特徴とす
る半導体圧力センサのパッケージング構造が得られる。
【０００９】さらに、本発明によれば、前記上側外ケー
スと前記下側外ケースとの接合は、接着剤による方法、
及び超音波溶着による方法、機械的なかしめ、ネジ止め
による方法の内のいずれか一つを使用することを特徴と
する半導体圧力センサのパッケージング構造が得られ
る。
スと前記下側外ケースとの接合は、接着剤による方法、
及び超音波溶着による方法、機械的なかしめ、ネジ止め
による方法の内のいずれか一つを使用することを特徴と
する半導体圧力センサのパッケージング構造が得られ
る。
【００１０】
【作用】気密シール部は、その材質をシリコン樹脂等に
よって一体形成され、シリコン基板のエッチング領域
（凹部）と対応した凸部と鍔部とで形成され、その中央
部分には圧力送出貫通孔が設けられている。前記鍔部に
よって、前記気密シール部が実現され、また前記エッチ
ング領域と対応した凸部によって、前記シリコン基板の
ダイヤフラムのストッパー機能が実現される。
よって一体形成され、シリコン基板のエッチング領域
（凹部）と対応した凸部と鍔部とで形成され、その中央
部分には圧力送出貫通孔が設けられている。前記鍔部に
よって、前記気密シール部が実現され、また前記エッチ
ング領域と対応した凸部によって、前記シリコン基板の
ダイヤフラムのストッパー機能が実現される。
【００１１】
【実施例】本発明の一実施例について図１及び図２を参
照して説明する。図１は本発明に係る半導体圧力センサ
のパッケージング構造を示した図である。図２は検出素
子部と気密シール部の構造を示した分解斜視図である。
図１に示される圧力センサは、気密シール部５が新たに
設けられていることを除いて図３に示される従来の圧力
センサとその構造において同じである。したがって、こ
こでは図３と共通の部分においては図３で使用されてい
る符号と同じ符号を用いて説明する。図１において、検
出素子部１０は、シリコン基板１と片面に電極部３を備
えた絶縁基板２とを静電接合によって接合して形成され
ており、接着剤９によって下側外ケース７の内壁に接合
されている。シリコン基板１と上側外ケース６の間に
は、気密シール部５が設けられている。気密シール部５
は、シリコン基板１と上側外ケース６との間の隙間をシ
ールし、圧力流入貫通孔１１からの圧力をダイヤフラム
４に送るための圧力送出貫通孔１３を有している。ダイ
ヤフラム４はシリコン基板１の中央部をその上下面より
エッチングして形成され、気密シール部５は前記エッチ
ングにより形成された凹部１５（図２参照）と対応した
形状の凸部１２（図２参照）と鍔部１４とを具備してい
る。ここで、圧力送出貫通孔１３の内径は圧力流入貫通
孔１１のそれとほぼ同じであり、気密シール部５をシリ
コン基板１と上側外ケース６との間の隙間に設置したと
き、圧力送出貫通孔１３の中心軸と圧力流入貫通孔１１
の中心軸とが一致するように気密シール部５に圧力送出
貫通孔１３を設ける必要がある。鍔部１４はシリコン基
板１の前記凹部領域を除く領域及び上側外ケース６の下
面に密着接合されている。鍔部１４は、上側外ケース６
と下側外ケース７とが接合されると同時に、厚み方向に
圧着される。したがって、シリコン基板１と上側外ケー
ス６との間は気密シールされ、圧力流入貫通孔１１から
流入する圧力が上側外ケース６と下側外ケース７の接合
面からリークすることはない。
照して説明する。図１は本発明に係る半導体圧力センサ
のパッケージング構造を示した図である。図２は検出素
子部と気密シール部の構造を示した分解斜視図である。
図１に示される圧力センサは、気密シール部５が新たに
設けられていることを除いて図３に示される従来の圧力
センサとその構造において同じである。したがって、こ
こでは図３と共通の部分においては図３で使用されてい
る符号と同じ符号を用いて説明する。図１において、検
出素子部１０は、シリコン基板１と片面に電極部３を備
えた絶縁基板２とを静電接合によって接合して形成され
ており、接着剤９によって下側外ケース７の内壁に接合
されている。シリコン基板１と上側外ケース６の間に
は、気密シール部５が設けられている。気密シール部５
は、シリコン基板１と上側外ケース６との間の隙間をシ
ールし、圧力流入貫通孔１１からの圧力をダイヤフラム
４に送るための圧力送出貫通孔１３を有している。ダイ
ヤフラム４はシリコン基板１の中央部をその上下面より
エッチングして形成され、気密シール部５は前記エッチ
ングにより形成された凹部１５（図２参照）と対応した
形状の凸部１２（図２参照）と鍔部１４とを具備してい
る。ここで、圧力送出貫通孔１３の内径は圧力流入貫通
孔１１のそれとほぼ同じであり、気密シール部５をシリ
コン基板１と上側外ケース６との間の隙間に設置したと
き、圧力送出貫通孔１３の中心軸と圧力流入貫通孔１１
の中心軸とが一致するように気密シール部５に圧力送出
貫通孔１３を設ける必要がある。鍔部１４はシリコン基
板１の前記凹部領域を除く領域及び上側外ケース６の下
面に密着接合されている。鍔部１４は、上側外ケース６
と下側外ケース７とが接合されると同時に、厚み方向に
圧着される。したがって、シリコン基板１と上側外ケー
ス６との間は気密シールされ、圧力流入貫通孔１１から
流入する圧力が上側外ケース６と下側外ケース７の接合
面からリークすることはない。
【００１２】ここで、凹部１５（エッチング領域）と対
応した形状の凸部１２の厚み方向の寸法ｔ1 は、凹部１
５の深さ寸法Ｌ1 よりも、若干（約２００〜５００μｍ
の差）だけ寸法を短くしている。すなわち、このような
構造にすることにより上側外ケース６と下側外ケース７
とを接合した後でもダイヤフラム４の上面と凸部１２の
下面とは所定の間隔がおかれるので、凸部１２が、ダイ
ヤフラム４のストッパー機能としても作用する。
応した形状の凸部１２の厚み方向の寸法ｔ1 は、凹部１
５の深さ寸法Ｌ1 よりも、若干（約２００〜５００μｍ
の差）だけ寸法を短くしている。すなわち、このような
構造にすることにより上側外ケース６と下側外ケース７
とを接合した後でもダイヤフラム４の上面と凸部１２の
下面とは所定の間隔がおかれるので、凸部１２が、ダイ
ヤフラム４のストッパー機能としても作用する。
【００１３】尚、本発明は上述した実施例に限定され
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更およ
び変形が可能である。例えば、ダイヤフラムを有するシ
リコン基板は、本実施例においてはその上下面よりエッ
チングされた状態であって、シリコン基板の中央部の上
部及び下部に凹部を有する形状であるが、このような形
状には限定されず、シリコン基板の下部、すなわち電極
側の面のみをエッチングして凹部を設け、上部一面にダ
イヤフラムが形成された形状のシリコン基板であって
も、その上面とさらにその上の上側外ケースとの間の隙
間を気密シールするような気密シール部を設ければ上記
同様の効果を得ることができる。尚、この場合気密シー
ル部の形状は上記した実施例の場合とは異なり、中央に
圧力送出貫通孔を有する鍔状のものである。
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更およ
び変形が可能である。例えば、ダイヤフラムを有するシ
リコン基板は、本実施例においてはその上下面よりエッ
チングされた状態であって、シリコン基板の中央部の上
部及び下部に凹部を有する形状であるが、このような形
状には限定されず、シリコン基板の下部、すなわち電極
側の面のみをエッチングして凹部を設け、上部一面にダ
イヤフラムが形成された形状のシリコン基板であって
も、その上面とさらにその上の上側外ケースとの間の隙
間を気密シールするような気密シール部を設ければ上記
同様の効果を得ることができる。尚、この場合気密シー
ル部の形状は上記した実施例の場合とは異なり、中央に
圧力送出貫通孔を有する鍔状のものである。
【００１４】
【発明の効果】以上、本発明によれば、従来問題となっ
たような、外ケースからの圧力漏れによる測定精度の劣
化を防ぎ、気密シール部によって気密シールすることに
より、前記外ケースからの圧力漏れがあったとしても全
くその影響は受けない。
たような、外ケースからの圧力漏れによる測定精度の劣
化を防ぎ、気密シール部によって気密シールすることに
より、前記外ケースからの圧力漏れがあったとしても全
くその影響は受けない。
【００１５】また、気密シール部を、ダイヤフラムのス
トッパーとしての機能をも兼用させることができる。す
なわち、従来のような、検出素子部を３層構造とする必
要がなくなり、その構造を単純にすることができる。
トッパーとしての機能をも兼用させることができる。す
なわち、従来のような、検出素子部を３層構造とする必
要がなくなり、その構造を単純にすることができる。
【図１】本発明に係る半導体圧力センサのパッケージン
グ構造を示した図である。
グ構造を示した図である。
【図２】検出素子部と気密シール部の構造を示した分解
斜視図である。
斜視図である。
【図３】従来の半導体圧力センサのパッケージング構造
を示した図である。
を示した図である。
１ シリコン基板 ２ 絶縁基板 ３ 電極部 ４ ダイヤフラム ５ 気密シール部 ６ 上側外ケース ７ 下側外ケース ８ リード端子 ９ 接着剤 １０ 検出素子部 １１ 圧力流入貫通孔 １２ 凸部 １３ 圧力送出貫通孔 １４ 鍔部 １５ 凹部
Claims (4)
- 【請求項１】 被測定圧力により変形するダイヤフラム
を有するシリコン基板と電極部を有する絶縁基板とが接
合されて形成された検出素子部と、圧力流入貫通孔を有
する上側外ケース及び下側外ケースとで構成された半導
体圧力センサにおいて、さらに、前記シリコン基板と前
記上側外ケースとの間の隙間をシールし、前記圧力流入
貫通孔からの圧力を前記ダイヤフラムに送るための圧力
送出貫通孔を有する気密シール部を備えていることを特
徴とする半導体圧力センサのパッケージング構造。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体圧力センサのパッ
ケージング構造において、前記ダイヤフラムは前記シリ
コン基板の中央部をその上下面よりエッチングして形成
され、前記気密シール部は前記エッチングにより形成さ
れた凹部と対応した形状の凸部と鍔部とを具備し、前記
鍔部は前記シリコン基板の前記凹部領域を除く領域と前
記上側外ケースの下面に密着接合されていることを特徴
とする半導体圧力センサのパッケージング構造。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体圧力センサのパッ
ケージング構造において、前記凸部の厚み寸法が前記凹
部の深さ寸法よりも小さいことを特徴とする半導体圧力
センサのパッケージング構造。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載の半導
体圧力センサのパッケージング構造において、前記上側
外ケースと前記下側外ケースとの接合は、接着剤による
方法、及び超音波溶着による方法、機械的なかしめ、ネ
ジ止めによる方法の内のいずれか一つを使用することを
特徴とする半導体圧力センサのパッケージング構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21708694A JPH0882563A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 半導体圧力センサのパッケージング構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21708694A JPH0882563A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 半導体圧力センサのパッケージング構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0882563A true JPH0882563A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16698618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21708694A Withdrawn JPH0882563A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | 半導体圧力センサのパッケージング構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0882563A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011209130A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Kikuchiseisakusho Co Ltd | 流量センサーおよび流量検出装置 |
| KR20160078274A (ko) * | 2014-12-24 | 2016-07-04 | 나가노 게이키 가부시키가이샤 | 물리량 측정 장치 |
-
1994
- 1994-09-12 JP JP21708694A patent/JPH0882563A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011209130A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Kikuchiseisakusho Co Ltd | 流量センサーおよび流量検出装置 |
| KR20160078274A (ko) * | 2014-12-24 | 2016-07-04 | 나가노 게이키 가부시키가이샤 | 물리량 측정 장치 |
| JP2016121897A (ja) * | 2014-12-24 | 2016-07-07 | 長野計器株式会社 | 物理量測定装置 |
| US9778127B2 (en) | 2014-12-24 | 2017-10-03 | Nagano Keiki Co., Ltd. | Physical quantity measuring device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011120 |