JPH09237847A - 電子構成品密閉構造体 - Google Patents

電子構成品密閉構造体

Info

Publication number
JPH09237847A
JPH09237847A JP8327099A JP32709996A JPH09237847A JP H09237847 A JPH09237847 A JP H09237847A JP 8327099 A JP8327099 A JP 8327099A JP 32709996 A JP32709996 A JP 32709996A JP H09237847 A JPH09237847 A JP H09237847A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cap
base
walls
region
transverse direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8327099A
Other languages
English (en)
Inventor
Judd S Carper
エス．カーパー ジャッド
David G Mcintyre
ジー．マッキンタイヤ デビッド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ford Motor Co
Original Assignee
Ford Motor Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ford Motor Co filed Critical Ford Motor Co
Publication of JPH09237847A publication Critical patent/JPH09237847A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0045—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure
    • B81B7/0051—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure between the package lid and the substrate
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 気密シール電子デバイスのベースにキャップ
を接合する際に生じる応力の集中を低減して気密シール
性を向上させ、電子デバイスの所期の性能を達成する。 【解決手段】 電子構成品の機密シールは、横方向に延
在する壁を備えたベース部分を有するキャップを含む。
前記壁はそれらの間で電子構成品を収容する主チャンバ
を画成する。前記横方向に延在する壁の端部に空洞が形
成され、該端部を第１と第２の領域に分割する。キャッ
プは前記第１と第２の領域においてベースに気密シール
され、そのため主チャンバと前記空洞、すなわち二次チ
ャンバは個別に気密され、そのため主チャンバの気密シ
ールが損われる前に二次チャンバの気密シールの損傷が
発生し、これは漏洩検出器で検出されるため気密シール
の信頼性が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に電子構成品用
ハーメチックシールに関し、特に、二次チャンバを有す
るシール装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】気密シールされた電子デバイスは周知で
ある。そのようなデバイスの最も単純な形態には電子デ
バイスを受け入れる空洞と、金属蓋とを備えたセラミッ
クパッケージがある。蓋は気密シールを達成するために
適所ではんだ付けされる。最近、特にマイクロ電子、機
械システム（ＭＥＭＳ）用に、より小型で、より局所的
な気密マイクロチャンバを提供するための種々の試みが
なされてきた。典型的には、一般にキャップと称される
シリコンの微小機械加工がなされた構造体が熱圧縮ある
いはアノード接合技術により当該デバイス上に接合され
る。
【０００３】この方法に係わる１つの問題は、キャップ
の接合に起因する応力が当該デバイスの性能すなわち作
動特性を低下させる可能性があることである。この応力
が温度に左右されることは、例えばセンサやアクチュエ
ータのような多くのＭＥＭＳ用途に対して極めて重大で
ある。さらに、応力が介在する場合のそのような構造体
の温度サイクルによって最終的にハーメチックシールを
故障させることがありうる。一旦、漏洩が発生すると、
当該デバイスの機能特性あるいはその較正が変化する可
能性がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、応力を直接低
減させることにより気密接合の品質を向上させることが
望ましい。さらに、ハーメチックシールの完全さの変化
を検出、すなわちモニタする技術は極めて望ましい。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は横方向に延在す
る壁を備えたベース部分を有するキャップを提供するこ
とにより従来の関連技術の欠点を克服する。横方向に延
在する壁はその間に主チャンバを画成する。横方向に延
在する壁の端部に空洞が形成され１個以上の二次チャン
バを画成し、横方向に延在する壁の端部を第１の領域と
第２の領域とに分割する。キャップは横方向に延在する
壁の第１と第２の領域においてベースに気密シールされ
る。第１の領域と第２の領域との双方は気密シールさ
れ、二次チャンバを主チャンバと、当該デバイスが使用
される環境とからシールする。
【０００６】本発明の利点は、二次チャンバを追加する
ことによりキャップの外壁が薄くされているので、壁構
造体がより柔軟とされ、従って、シリコン構造体におけ
る局所的な非均一性にも適合しうることである。
【０００７】本発明の別の利点は、応力を消散させる領
域が増えるため、従来の気密キャップと比して応力が低
下することである。
【０００８】本発明のさらに別の利点は、チャンバの完
全性をモニタするため二次チャンバが各種の受動的ある
いは能動的デバイスを包含しうることである。
【０００９】本発明のこれら、およびその他の目的、利
点および特徴は添付図面を参照して以下の説明を読むと
当該技術分野の専門家には明らかとなる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１を参照すれば、電子構造体を
密閉するために用いるキャップ１０が示されている。前
記キャップ１０は横方向に延在する壁１４を備えたベー
ス部分１２を有する。一例として、４個の横方向に延在
する壁が示されている。しかしながら、壁は何個用いて
もよい。各壁１４は、共平面が好ましい端部１６を有す
る。壁１４によって画成される主チャンバ１８は電子構
成品を密閉するために用いられる。空洞２０が横方向に
延在する壁１４の端部１６に形成されている。各端部１
６は該端部１６において連続して接続された二次チャン
バを形成する空洞を有することが好ましい。空洞２０は
端部１６の表面積を減少させる寸法とされることが好ま
しい。主チャンバ１８の容積と概ね同じ容積を有する空
洞が望ましい結果を提供することが判明した。
【００１１】キャップ１０はシリコン、ガラスあるいは
セラミック材の一片から微小加工することが好ましい。
【００１２】さて図２を参照すれば、ベース２２は、例
えば図示したチルトプレート コンデンサ、あるいは集
積回路のような電子構造体２４を収容するために用いら
れる。ベース２２はパイレックス(pyrex) のような基板
である。パイレックスはシリコン製キャップ１４と異な
る熱膨張係数を有している。空洞２０に対応する領域が
二点鎖線で示されている。電子構造体２４は、該電子構
造体２４をキャップの外部と接続するために用いる接触
パッド２８を有する。ゲッタ合金３０は二次チャンバに
意図的に差圧を導入するために空洞２０と整合させるこ
とができる。ゲッタ合金３０は該ゲッタ合金３０を付勢
させるための接触パッド３２を有する。
【００１３】また、漏洩検出器３４を二次チャンバに組
み込むことができる。漏洩検出器３４は、圧力センサ、
腐蝕試験構造体、湿気センサ、あるいは気密シールにお
ける漏洩を検出するその他の方法でよい。接触パッド３
６が漏洩検出器３４をキャップ１０の外部と接続する。
【００１４】二次チャンバはまた、信号を処理する信号
調整回路を有するようにしうる。多くの信号処理回路は
例えば濾波のような処理を含みうる。
【００１５】さて、図３を参照すれば、ベース２２に対
して気密シールされたキャップの断面図が示されてい
る。典型的には、気密シールはアノード接合により提供
されるか、あるいは熱圧縮接合により形成される。キャ
ップ１０とベース２２とは熱膨張係数の異なる材料から
作られているため、端部１６に応力が蓄積される。空洞
２０を追加することにより、横方向に延在する壁１４は
応力を消散できるようさらに可撓性となる。外方に横方
向に延在する壁１４が可撓性のため、ベース２２が平坦
でなくても補正できる。
【００１６】図４と図５とを参照すれば、図１に対応す
る構造体が示されている。端部１６′を有するキャップ
１０′は２個の空洞２０′を備えたものとして示されて
いる。各空洞２０′あるいはそのいずれかは漏洩を検出
するため、該空洞に差圧を導入する漏洩検出手段あるい
はゲッタ合金を有するようにしうる。追加の空洞２０′
を追加することにより、横方向に延在する壁１４′はさ
らに可撓性となり応力を低下させ、ベース２２′の非平
坦性に対する相容性をさらに向上させる。そのような構
造体はまた、主チャンバ１８′が破壊されるにはその前
に双方のチャンバを破壊せねばならぬため密閉の信頼性
を向上させる。
【００１７】当該技術分野の専門家には明らかなよう
に、本発明について数種の修正が可能であるが、それら
の修正は依然として特許請求の範囲内に含まれる。例え
ば、チャンバの寸法や形状、並びにキャップおよびベー
スの材質を変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による微小加工したキャップの斜視図。
【図２】本発明による基板の上面図。
【図３】基板に接合されたキャップの断面図。
【図４】本発明によるキャップの代替実施例の図。
【図５】本発明の代替実施例の断面図。
【符号の説明】
１０ キャップ １２ ベース部分 １４ 横壁 １６ 横壁の端部 １８ 主チャンバ ２０ 空洞 ２２ ベース ２４ 電子構造体 ３０ ゲッタ合金 ３４ 漏洩検出器

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 横方向に延在する壁であって、ある厚さ
    と端部とを有し、その中に電子構成品を収容する主チャ
    ンバを画成する壁を備えたベース部分を有するキャップ
    と、 前記の横方向に延在する壁の端部に形成され、二次チャ
    ンバを画成することによって前記端部を第１の領域と第
    ２の領域とに分割する空洞と、 ベースとを含み、 前記第１の領域と前記第２の領域とが各々前記ベースと
    共に気密シールを形成することを特徴とする電子構成品
    用密閉構造体。
  2. 【請求項２】 前記シールの１個の故障を検出するため
    に前記空洞内に配置された検出手段をさらに含むことを
    特徴とする請求項１に記載の密閉構造体。
  3. 【請求項３】 前記空洞が前記キャップの端部内に連続
    状に延在している請求項１に記載の密閉構造体。
JP8327099A 1996-02-26 1996-12-06 電子構成品密閉構造体 Pending JPH09237847A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US606929 1996-02-26
US08/606,929 US5837935A (en) 1996-02-26 1996-02-26 Hermetic seal for an electronic component having a secondary chamber

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09237847A true JPH09237847A (ja) 1997-09-09

Family

ID=24430112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8327099A Pending JPH09237847A (ja) 1996-02-26 1996-12-06 電子構成品密閉構造体

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5837935A (ja)
EP (1) EP0794558A1 (ja)
JP (1) JPH09237847A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007528605A (ja) * 2004-03-09 2007-10-11 ノースロップ グルーマン コーポレーション 真空シールされ、ゲッタを伴うマイクロデバイスパッケージ
JP2010500926A (ja) * 2006-04-06 2010-01-14 フラウンホーファー・ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファウ 異なる内圧及び／又は異なるガス組成物を有する空間部を少なくとも２個有するマイクロメカニクスのケーシング及びその製造方法
JP2012051106A (ja) * 2001-07-20 2012-03-15 Saes Getters Spa マイクロマシーン
WO2020100208A1 (ja) * 2018-11-13 2020-05-22 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置のリーク検査方法

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6638784B2 (en) * 1999-06-24 2003-10-28 Rockwell Collins, Inc. Hermetic chip scale packaging means and method including self test
US6472739B1 (en) * 1999-11-15 2002-10-29 Jds Uniphase Corporation Encapsulated microelectromechanical (MEMS) devices
US6647164B1 (en) 2000-10-31 2003-11-11 3M Innovative Properties Company Gimbaled micro-mirror positionable by thermal actuators
US6992375B2 (en) * 2000-11-30 2006-01-31 Texas Instruments Incorporated Anchor for device package
US6711318B2 (en) 2001-01-29 2004-03-23 3M Innovative Properties Company Optical switch based on rotating vertical micro-mirror
US6511866B1 (en) * 2001-07-12 2003-01-28 Rjr Polymers, Inc. Use of diverse materials in air-cavity packaging of electronic devices
TW583049B (en) * 2001-07-20 2004-04-11 Getters Spa Support with integrated deposit of gas absorbing material for manufacturing microelectronic, microoptoelectronic or micromechanical devices
US6778046B2 (en) * 2001-09-17 2004-08-17 Magfusion Inc. Latching micro magnetic relay packages and methods of packaging
EP1310380A1 (en) * 2001-11-07 2003-05-14 SensoNor asa A micro-mechanical device and method for producing the same
ITMI20030069A1 (it) * 2003-01-17 2004-07-18 Getters Spa Dispositivi micromeccanici o microoptoelettronici con deposito di materiale getter e riscaldatore integrato.
JP2007524514A (ja) * 2003-02-25 2007-08-30 アイシー メカニクス インコーポレイテッド 空洞を形成する多層キャップを有する微細機械加工組立体
US6879035B2 (en) 2003-05-02 2005-04-12 Athanasios J. Syllaios Vacuum package fabrication of integrated circuit components
US7871660B2 (en) * 2003-11-14 2011-01-18 Saes Getters, S.P.A. Preparation of getter surfaces using caustic chemicals
US6946728B2 (en) * 2004-02-19 2005-09-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and methods for hermetic sealing of post media-filled MEMS package
DE102004011035B4 (de) * 2004-03-06 2006-05-04 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Verfahren zur Prüfung der Dichtigkeit von Scheibenbondverbindungen und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens
CN106018230A (zh) * 2006-12-28 2016-10-12 新加坡科技研究局 带有集成气体渗透传感器的封装器件
KR20100014342A (ko) * 2006-12-28 2010-02-10 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 집적 기체 침투 센서를 갖는 봉지된 소자
WO2008086537A2 (en) * 2007-01-11 2008-07-17 Analog Devices, Inc. Aluminum based bonding of semiconductor wafers
FR2922203B1 (fr) * 2007-10-15 2009-11-20 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une structure ayant un cordon de scellement ajoure et structure obtenue.
DE102008016004A1 (de) * 2008-03-27 2009-10-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Mikroelektromechanischer Inertialsensor mit atmosphärischer Bedämpfung
DE112009001079B4 (de) * 2008-05-02 2020-02-06 Hitachi Metals, Ltd. Hermetisch abdichtende Kappe
WO2010040189A1 (en) * 2008-10-09 2010-04-15 Cochlear Limited Medical implant with safety feature
ITTO20110779A1 (it) * 2011-08-26 2013-02-27 St Microelectronics Srl Struttura incapsulante per sistemi microelettromeccanici e metodo di fabbricazione
US20160209681A1 (en) * 2015-01-16 2016-07-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device encapsulation using a dummy cavity
US20210340007A1 (en) * 2020-04-29 2021-11-04 Elbit Systems Of America, Llc Mems hermetic seal apparatus and methods

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3226610A (en) * 1962-03-01 1965-12-28 Jr George G Harman Constant-current semiconductor device
US3622419A (en) * 1969-10-08 1971-11-23 Motorola Inc Method of packaging an optoelectrical device
US3943557A (en) * 1974-02-19 1976-03-09 Plessey Incorporated Semiconductor package with integral hermeticity detector
US4427992A (en) * 1975-12-17 1984-01-24 Motorola, Inc. Method for incorporating a desiccant in a semiconductor package
US4280885A (en) * 1979-11-09 1981-07-28 Savery James W Method of and apparatus for active electro-chemical water and similar environmental contaminant elimination in semi-conductor and other electronic and electrical devices and the like
US4400870A (en) * 1980-10-06 1983-08-30 Texas Instruments Incorporated Method of hermetically encapsulating a semiconductor device by laser irradiation
US4426769A (en) * 1981-08-14 1984-01-24 Amp Incorporated Moisture getter for integrated circuit packages
JPS596695U (ja) * 1982-07-06 1984-01-17 エスエムシ−株式会社 空気圧回路用３点セツト
FR2538618B1 (fr) * 1982-12-28 1986-03-07 Inf Milit Spatiale Aeronaut Boitier pour composant electronique comportant un element fixant l'humidite
JPS6021544A (ja) * 1983-07-15 1985-02-02 Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd 半導体装置
DE3447397A1 (de) * 1984-12-24 1986-07-03 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Elektrischer druckgeber
US4769345A (en) * 1987-03-12 1988-09-06 Olin Corporation Process for producing a hermetically sealed package for an electrical component containing a low amount of oxygen and water vapor
US5235135A (en) * 1992-02-14 1993-08-10 Motorola, Inc. Sealed electronic package providing in-situ metallization
US5317922A (en) * 1992-04-30 1994-06-07 Ford Motor Company Capacitance transducer article and method of fabrication
US5389738A (en) * 1992-05-04 1995-02-14 Motorola, Inc. Tamperproof arrangement for an integrated circuit device
US5405808A (en) * 1993-08-16 1995-04-11 Lsi Logic Corporation Fluid-filled and gas-filled semiconductor packages
US5448444A (en) * 1994-01-28 1995-09-05 United Technologies Corporation Capacitive pressure sensor having a reduced area dielectric spacer

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012051106A (ja) * 2001-07-20 2012-03-15 Saes Getters Spa マイクロマシーン
JP2014058040A (ja) * 2001-07-20 2014-04-03 Saes Getters Spa マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスのための支持体
JP2016047595A (ja) * 2001-07-20 2016-04-07 サエス ゲッターズ ソチエタ ペルアツィオニ マイクロエレクトロニクス、マイクロオプトエレクトロニクスまたはマイクロメカニクスのデバイスのための支持体
JP2007528605A (ja) * 2004-03-09 2007-10-11 ノースロップ グルーマン コーポレーション 真空シールされ、ゲッタを伴うマイクロデバイスパッケージ
JP2010500926A (ja) * 2006-04-06 2010-01-14 フラウンホーファー・ゲゼルシャフト・ツール・フェルデルング・デア・アンゲヴァンテン・フォルシュング・エー・ファウ 異なる内圧及び／又は異なるガス組成物を有する空間部を少なくとも２個有するマイクロメカニクスのケーシング及びその製造方法
WO2020100208A1 (ja) * 2018-11-13 2020-05-22 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置のリーク検査方法
JPWO2020100208A1 (ja) * 2018-11-13 2021-04-01 三菱電機株式会社 半導体装置、半導体装置のリーク検査方法
CN112955725A (zh) * 2018-11-13 2021-06-11 三菱电机株式会社 半导体装置、半导体装置的泄漏检查方法
CN112955725B (zh) * 2018-11-13 2023-03-21 三菱电机株式会社 半导体装置、半导体装置的泄漏检查方法
US11967537B2 (en) 2018-11-13 2024-04-23 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor apparatus and semiconductor apparatus leak inspection method

Also Published As

Publication number Publication date
EP0794558A1 (en) 1997-09-10
US5837935A (en) 1998-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09237847A (ja) 電子構成品密閉構造体
US7183620B2 (en) Moisture resistant differential pressure sensors
US4314226A (en) Pressure sensor
JP3824964B2 (ja) 絶対圧型圧力センサ
JP2005210131A (ja) 半導体チップをパッケージングする方法および半導体チップ構造
JPH0465643A (ja) 半導体圧力センサ及びその製造方法
US6591686B1 (en) Oil filled pressure transducer
JP2007139517A (ja) 圧力センサの製造方法並びに圧力センサ及び圧力センサの実装方法
JPH02280026A (ja) 半導体式圧力検出装置
JP3145274B2 (ja) 圧力センサ
JPH11326088A (ja) 圧力センサとその製造方法
US6055865A (en) Semiconductor pressure sensor
US6324914B1 (en) Pressure sensor support base with cavity
JPH08226861A (ja) 圧力センサ並びにその実装構造
JP2001208627A (ja) 半導体圧力検出装置
JPH11241970A (ja) 圧力センサ
JP4103227B2 (ja) 圧力センサ
JP2009031005A (ja) 半導体圧力センサ
JPS63175482A (ja) 圧力センサ
JPH08254474A (ja) 半導体式センサ
JP2000081356A (ja) 圧力変換器
JP2000105161A (ja) 圧力検出器
JP2001272296A (ja) 圧力センサ
JP3426909B2 (ja) センサ用気密端子及びこれを用いたセンサ
JPH0544616B2 (ja)