JPH088207B2 - スプレー現像方法 - Google Patents
スプレー現像方法Info
- Publication number
- JPH088207B2 JPH088207B2 JP1148907A JP14890789A JPH088207B2 JP H088207 B2 JPH088207 B2 JP H088207B2 JP 1148907 A JP1148907 A JP 1148907A JP 14890789 A JP14890789 A JP 14890789A JP H088207 B2 JPH088207 B2 JP H088207B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- slit
- spray nozzle
- spray
- peripheral portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明はフォトマスク等の基板のスプレー現像方法に
関し， 現像寸法の均一化とレジスト残渣の除去を目的とし， スプレーノイズ（１）の先端に設けたスリット（２）
の形状を、鋭角部と対向する短辺を有する楔型とし、該
基板（３）の周辺部から該スリット（２）の先端までの
距離を、該基板（３）の中心部から該スリット（２）の
先端までの距離より短くして、該スリットの前記鋭角部
を該基板の中心部に対向させ、該スリットの前記短辺を
該基板の周辺部に対向させるように配置し、該スプレー
ノズル（１）より該基板（３）上に現像液を噴射するこ
とにより構成する。
関し， 現像寸法の均一化とレジスト残渣の除去を目的とし， スプレーノイズ（１）の先端に設けたスリット（２）
の形状を、鋭角部と対向する短辺を有する楔型とし、該
基板（３）の周辺部から該スリット（２）の先端までの
距離を、該基板（３）の中心部から該スリット（２）の
先端までの距離より短くして、該スリットの前記鋭角部
を該基板の中心部に対向させ、該スリットの前記短辺を
該基板の周辺部に対向させるように配置し、該スプレー
ノズル（１）より該基板（３）上に現像液を噴射するこ
とにより構成する。
本発明はフォトマスク等の基板のスプレー現像方法に
関する。
関する。
集積回路の高集積化・微細化にともない，フォトマス
ク等の基板に要求されるパターンの寸法や分布の精度も
益々きびしくなってきている。
ク等の基板に要求されるパターンの寸法や分布の精度も
益々きびしくなってきている。
このため，フォトマスク等の基板の現像工程では，浸
漬処理に替わり，スプレー現像が多く行われてきてい
る。
漬処理に替わり，スプレー現像が多く行われてきてい
る。
第３図は従来例の説明図である。
図において,13はスプレーノズル,14は基板,15は真空
チャック,16はカップ,17は跳ね返り防止板,18は噴射面
である。
チャック,16はカップ,17は跳ね返り防止板,18は噴射面
である。
スプレー現像の利点としては，処理の自動化が容易で
あること，現像パターンの寸法分布の均一性が高いこ
と，スプレーノズルから噴射された現像液が常に新鮮で
あること，現像液の使用量が大幅に削減できること等が
挙げられる。
あること，現像パターンの寸法分布の均一性が高いこ
と，スプレーノズルから噴射された現像液が常に新鮮で
あること，現像液の使用量が大幅に削減できること等が
挙げられる。
しかし，更に厳しい精度が要求されている現状では，
フォトマスク等の基板面内の寸法のばらつきには対処し
きれない状態にある。
フォトマスク等の基板面内の寸法のばらつきには対処し
きれない状態にある。
その要因としては，次のようなことが影響している。
第３図（ａ）に均等扇形のスプレーノズル13を有する
現像装置の断面図を示す。この装置において，現像時，
フォトマスク等の基板14が真空チャック15で固定され，
回転している。この基板14の噴射面18に現像液が扇形状
に噴射される。
現像装置の断面図を示す。この装置において，現像時，
フォトマスク等の基板14が真空チャック15で固定され，
回転している。この基板14の噴射面18に現像液が扇形状
に噴射される。
そのため，第３図（ｂ）に基板14上の噴射面18を斜視
図で示したように，基板14の回転が中心部は遅く，周辺
部が早い。均等扇形のスプレーノズル13では中心ｏから
周辺ｒの直線上の噴射面に均等に現像液が噴射されるた
め，スプレーノズル13から噴射される現像液の量が，基
板14の周辺部と中心部では異なり，中心部に多く，周辺
部程少なくなる。
図で示したように，基板14の回転が中心部は遅く，周辺
部が早い。均等扇形のスプレーノズル13では中心ｏから
周辺ｒの直線上の噴射面に均等に現像液が噴射されるた
め，スプレーノズル13から噴射される現像液の量が，基
板14の周辺部と中心部では異なり，中心部に多く，周辺
部程少なくなる。
従って，フォトマスク等の基板の周辺部の現像スピー
ドが中心部に比して遅くなって，現像後のパターンは周
辺部と中心部とで寸法に差異が生じると同時に又周辺部
にはレジストの残渣が残るという問題を生ずる。
ドが中心部に比して遅くなって，現像後のパターンは周
辺部と中心部とで寸法に差異が生じると同時に又周辺部
にはレジストの残渣が残るという問題を生ずる。
本発明は，フォトマスク等の基板のスプレー現像にお
いて，現像寸法の均一化と残渣の除去を目的として提供
されるものである。
いて，現像寸法の均一化と残渣の除去を目的として提供
されるものである。
第１図は本発明の原理説明図である。
図において,1はスプレーノズル,2はスリット,3は基
板,4は噴射面である。
板,4は噴射面である。
第１図（ｂ）に示すように，均等扇形のスプレーノズ
ル１には，先端にスリット２が設けられ，これより現像
液が扇形に噴射される。このスリット２が基板３の面に
平行な現状の位置では，中心部ｏからスプレーノズル先
端迄の距離l0と，周辺部ｒからスプレーノズル先端迄の
距離l2が等距離のため，現像液が噴射面各部の全体流量
が均等な噴射量で噴射されるため，周辺長の長い周辺部
は中心部に比べて相対的に単位面積当たりの現像液の流
量が少なくなり，周辺部の現像速度が遅くなる現象を生
じている他，流量不足によるレジスト残渣の発生が問題
であった。
ル１には，先端にスリット２が設けられ，これより現像
液が扇形に噴射される。このスリット２が基板３の面に
平行な現状の位置では，中心部ｏからスプレーノズル先
端迄の距離l0と，周辺部ｒからスプレーノズル先端迄の
距離l2が等距離のため，現像液が噴射面各部の全体流量
が均等な噴射量で噴射されるため，周辺長の長い周辺部
は中心部に比べて相対的に単位面積当たりの現像液の流
量が少なくなり，周辺部の現像速度が遅くなる現象を生
じている他，流量不足によるレジスト残渣の発生が問題
であった。
そのため，これを解決する方法として，本発明では，
第１図（ａ）に示すように，スプレーノズル１の基板３
の面に対する入射角度Θ１の大きくすると共に，スリッ
ト２のスプレーノズルの軸の回りの回転角度Θ２を調節
して，スリットの長片を基板３の面とに垂直とし，基板
周辺部からの距離l1を中心部からの距離l0より短くす
る。
第１図（ａ）に示すように，スプレーノズル１の基板３
の面に対する入射角度Θ１の大きくすると共に，スリッ
ト２のスプレーノズルの軸の回りの回転角度Θ２を調節
して，スリットの長片を基板３の面とに垂直とし，基板
周辺部からの距離l1を中心部からの距離l0より短くす
る。
このようにすれば，中心部より周辺部への噴射量が多
くなり，現像速度が均等且つレジストの残渣の発生しな
い現像方法が行える。
くなり，現像速度が均等且つレジストの残渣の発生しな
い現像方法が行える。
これとともに、スリットの現状を楔型にして、更に、
周辺部の流量を多くし、レジスト残渣を一層速やかに洗
い流すようにする。
周辺部の流量を多くし、レジスト残渣を一層速やかに洗
い流すようにする。
上記のように，回転によって現像スピードの遅い周辺
部に多く現像液が当たるようにスプレーノズルのスリッ
トの基板面に対する位置（角度）を動かして，周辺部に
近くなるにつれて流量を多くし，現像スピードを中心部
と差がないようにし，且つ周辺部のレジスト残渣も流し
て除去することにより，寸法の不均一，残渣の処理が改
善できる。
部に多く現像液が当たるようにスプレーノズルのスリッ
トの基板面に対する位置（角度）を動かして，周辺部に
近くなるにつれて流量を多くし，現像スピードを中心部
と差がないようにし，且つ周辺部のレジスト残渣も流し
て除去することにより，寸法の不均一，残渣の処理が改
善できる。
第２図は本発明の一実施例の説明図である。
図において,5はスプレーノズル,6は基板,7は真空チャ
ック,8はカップ,9跳ね返り防止板,10は蓋,11はスリット
である。
ック,8はカップ,9跳ね返り防止板,10は蓋,11はスリット
である。
第２図（ａ）は本発明のスプレー現像装置の断面図で
ある。
ある。
使用した装置では，スプレーノズル５が入射角度を大
きくとって側方にあり，流量の調節をスプレーノズル５
のスリット11の長片を基板６の面に垂直になるようにス
プレーノズルの軸の回りの回転角度を調節して行った。
きくとって側方にあり，流量の調節をスプレーノズル５
のスリット11の長片を基板６の面に垂直になるようにス
プレーノズルの軸の回りの回転角度を調節して行った。
基板に対する噴射面12の拡大図を第２図（ｂ）に示
す。
す。
又，スプレーノズル５のスリット11の拡大図とその回
転角度を第２図（ｃ）に示す。
転角度を第２図（ｃ）に示す。
スリット11は垂直から水平まで，スプレーノズル５の
先端を回転することにより回転角度Θ２を調節出来る。
先端を回転することにより回転角度Θ２を調節出来る。
実施例では，搬送されたフォトマスク等の基板６が真
空チャック７に固定され200〜300rpmで回転する。
空チャック７に固定され200〜300rpmで回転する。
その後，窒素加圧（１〜2kg/cm2）によって，現像液
がスプレーノズル５のスリット11から噴射され，基板６
表面の噴射面12に当たる。
がスプレーノズル５のスリット11から噴射され，基板６
表面の噴射面12に当たる。
スプレーノズル５の先端より基板６の中心部ｏならび
に周辺部ｒへの距離は，スプレーノズル５の入射角度Θ
１を大きく採ることにより各部分の噴射量は均一に調整
できる。
に周辺部ｒへの距離は，スプレーノズル５の入射角度Θ
１を大きく採ることにより各部分の噴射量は均一に調整
できる。
本願発明の楔型の形状のスリットを示す。これによ
り，スプレーノズルの入射角度との兼ね合いで，噴射面
各部の噴射量が自由に調節出来る範囲が拡がる。
り，スプレーノズルの入射角度との兼ね合いで，噴射面
各部の噴射量が自由に調節出来る範囲が拡がる。
上記の方法により，現像後に基板周辺部に残るレジス
ト残渣を除去出来るとともに，フォトマスク等の基板面
内の寸法分布が均一化され，基板面内の寸法値のバラツ
キ（最大値−最小値）も0.1μｍから0.05μｍ程度に半
減した。
ト残渣を除去出来るとともに，フォトマスク等の基板面
内の寸法分布が均一化され，基板面内の寸法値のバラツ
キ（最大値−最小値）も0.1μｍから0.05μｍ程度に半
減した。
第１図は本発明の原理説明図， 第２図は本発明の一実施例の説明図， 第３図は従来例の説明図 である。 図において， １はスプレーノズル,2はスリット， ３は基板,4は噴射面， ５はスプレーノズル,6は基板， ７は真空チャック,8はカップ， ９は跳ね返り防止板,10は蓋， 11はスリット,12は噴射面 である。
Claims (1)
- 【請求項１】スプレーノズル（１）の先端に設けたスリ
ット（２）の形状を、鋭角部と対向する短辺を有する楔
型とし、 該基板（３）の周辺部から該スリット（２）の先端まで
の距離を、該基板（３）の中心部から該スリット（２）
の先端までの距離より短くして、 該スリットの前記鋭角部を該基板の中心部に対向させ、
該スリットの前記短辺を該基板の周辺部に対向させるよ
うに配置し、 該スプレーノズル（１）より該基板（３）上に現像液を
噴射することを特徴とするスプレー現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1148907A JPH088207B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | スプレー現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1148907A JPH088207B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | スプレー現像方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312918A JPH0312918A (ja) | 1991-01-21 |
| JPH088207B2 true JPH088207B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=15463334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1148907A Expired - Lifetime JPH088207B2 (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | スプレー現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088207B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3024319U (ja) * | 1995-11-01 | 1996-05-21 | 敏夫 横木 | 導水溝及びイボ付き土管 |
| KR19980025849A (ko) * | 1996-10-05 | 1998-07-15 | 김영환 | 마스크용 레지스트 도포 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59232417A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Toshiba Corp | 半導体ウエ−ハのレジスト現像装置 |
| JPS60140669U (ja) * | 1984-02-25 | 1985-09-18 | 本田技研工業株式会社 | 不要霧滴の吹払い用空気ノズル |
| JPH0532848Y2 (ja) * | 1985-02-20 | 1993-08-23 |
-
1989
- 1989-06-12 JP JP1148907A patent/JPH088207B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0312918A (ja) | 1991-01-21 |
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