JPH0864728A - Sealing resin composition, sealing frame composition, semiconductor chip mounting board on which sealing frame is provided and semiconductor device - Google Patents
Sealing resin composition, sealing frame composition, semiconductor chip mounting board on which sealing frame is provided and semiconductor deviceInfo
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- JPH0864728A JPH0864728A JP22261194A JP22261194A JPH0864728A JP H0864728 A JPH0864728 A JP H0864728A JP 22261194 A JP22261194 A JP 22261194A JP 22261194 A JP22261194 A JP 22261194A JP H0864728 A JPH0864728 A JP H0864728A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を搭載し、
この半導体素子に対して、封止用樹脂をポッティングさ
せることにより、当該半導体素子の封止を行う直接実装
方式に使用するための回路基板の封止用樹脂組成物、お
よびこのような樹脂封止を行うに際して樹脂の広がりを
抑える封止枠を形成するための封止枠用樹脂組成物、こ
のような封止枠が形成された半導体素子搭載用基板およ
びこれらを使用した半導体装置を提供する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is equipped with a semiconductor element,
A resin composition for sealing a circuit board for use in a direct mounting method for sealing the semiconductor element by potting a sealing resin on the semiconductor element, and such resin sealing Provided are a resin composition for a sealing frame for forming a sealing frame that suppresses the spread of resin when performing, a substrate for mounting a semiconductor element in which such a sealing frame is formed, and a semiconductor device using these.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電子時計、電卓等の半導体素子を
使用した各種の電気機器では、その小型化及び薄型化が
商品としての付加価値を高めるための重要な要素となっ
ており、これらの電子機器に組み込まれた回路基板に対
してできるだけ厚さを薄くできる封止構造の開発が望ま
れている。従来このような封止構造として採用されてい
るものは、半導体素子回路基板に直接ダイボンディング
し、半導体素子のパッドと回路基板のパターンとの間を
金線等のワイヤーによって、ボンディングして、さらに
これらの上をエポキシ樹脂等の液状樹脂によってポッテ
ィング封止するものである。この封止構造においては、
エポキシ樹脂等の液状樹脂によって半導体素子をできる
だけ薄く封止し、液状樹脂の周囲への広がりを防止する
ことが重要であり、封止枠が通常設けられる。2. Description of the Related Art In recent years, miniaturization and thinning of various electric devices using semiconductor elements such as electronic timepieces and calculators have become important factors for increasing added value as products. It is desired to develop a sealing structure that can be made as thin as possible for a circuit board incorporated in an electronic device. What has been conventionally adopted as such a sealing structure is directly die-bonded to a semiconductor element circuit board, and a wire such as a gold wire is used to bond between the pad of the semiconductor element and the pattern of the circuit board. These are potted and sealed with a liquid resin such as an epoxy resin. In this sealing structure,
It is important to seal the semiconductor element as thin as possible with a liquid resin such as epoxy resin to prevent the liquid resin from spreading to the surroundings, and a sealing frame is usually provided.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、この
ような封止樹脂や封止枠はエポキシ樹脂を主成分とする
ものであり、耐熱性に優れるものの、耐水性、耐熱衝撃
性、基板との密着性に劣るものであった。このため、半
導体装置の信頼性が十分確保されないという問題があっ
た。本願発明の目的は、エポキシ樹脂のような熱硬化性
樹脂あるいは感光性樹脂の耐水性、耐熱衝撃性、基板と
の密着性を改善することにある。However, such a sealing resin or sealing frame contains epoxy resin as a main component, and although it is excellent in heat resistance, it is resistant to water resistance, thermal shock resistance and substrate. It was inferior in adhesion. Therefore, there is a problem that the reliability of the semiconductor device is not sufficiently ensured. An object of the present invention is to improve the water resistance, thermal shock resistance, and adhesion of a thermosetting resin such as an epoxy resin or a photosensitive resin to a substrate.
【０００４】[0004]
【問題点を解決するための手段】本発明者等は、前述の
如き問題点を解決すべく種々研究した結果、封止樹脂や
封止枠として、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、熱
硬化性樹脂の熱硬化基の一部を感光基に置換した樹脂、
感光性樹脂から選ばれる少なくと１種の樹脂に熱可塑性
樹脂を均一混合物とし、さらに両者を本願発明者らが新
たに提案した「疑似均一相溶構造」なる複合樹脂とする
ことにより、上記の問題を解決できることを見出した。
ところで、本願発明で述べる、均一混合物とは、混合さ
れた樹脂が相分離することなく、一つの相（単相）にて
混合された物を指す。The inventors of the present invention have conducted various studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, as a sealing resin or a sealing frame, a thermosetting resin such as an epoxy resin or a thermosetting resin is used. A resin in which a part of the thermosetting group of the curable resin is replaced with a photosensitive group,
By making a thermoplastic resin a homogeneous mixture with at least one resin selected from photosensitive resins, and by making them both a composite resin having a "quasi-homogeneous compatible structure" newly proposed by the present inventors, I found that I could solve the problem.
By the way, the homogeneous mixture described in the present invention refers to a mixture of the mixed resins in one phase (single phase) without phase separation.
【０００５】[0005]
【作用】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の封止
樹脂あるいは封止枠は、未硬化の熱硬化性樹脂、感光性
樹脂、熱硬化基の一部が感光基で置換された熱硬化性樹
脂から選ばれる少なくとも１種の樹脂と熱可塑性樹脂と
の均一混合物から成ることを特徴とする。この理由は、
熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の熱硬化官能
基の一つが感光基で置換された感光性樹脂は、樹脂自身
が液状であるか、又は有機溶剤等の配合により、容易に
液状化することができ、塗膜形成が容易で作業性に優れ
るばかりでなく、熱又は光などで硬化させた後は、熱
的、化学的にも安定な硬化物とすることができる。これ
らの樹脂に熱可塑性樹脂を配合調整して樹脂複合体とす
ることにより、作業性を損なうことなく、これらの樹脂
の特に不足する特性である物理的機械強度を改善するこ
とができる。また、熱可塑性樹脂単独では融点以上に加
熱溶融して射出成形して用いる熱可塑性樹脂単独では融
点以上に加熱して射出成形して用いることが一般的であ
るが、この方法では、塗膜形成が難しいばかりでなく、
有機溶剤に溶解でき得る熱可塑性樹脂は、塗膜形成後も
有機溶媒には可溶であり、十分な耐薬品性を保証するこ
とが難しい。以上の点における有利さが樹脂混合物とす
る理由である。さらに、本願発明の封止用樹脂組成物、
封止枠用組成物では、樹脂の均一混合物であることが必
要であるが、この理由は、樹脂が均一に混合されていな
い場合は、どのように条件で硬化させても、後述する疑
似均一相溶構造を形成することができないからである。The present invention will be described in detail below. The sealing resin or sealing frame of the present invention comprises at least one resin selected from an uncured thermosetting resin, a photosensitive resin, and a thermosetting resin in which a part of the thermosetting group is replaced with a photosensitive group. It is characterized by comprising a homogeneous mixture with a thermoplastic resin. The reason for this is
A thermosetting resin, a photosensitive resin, or a photosensitive resin in which one of thermosetting functional groups of the thermosetting resin is replaced with a photosensitive group, is easily liquid by itself or by blending with an organic solvent or the like. Not only can it be liquefied, the coating film can be easily formed and the workability is excellent, but after being cured by heat or light, it can be a thermally and chemically stable cured product. By blending and adjusting a thermoplastic resin to these resins to form a resin composite, it is possible to improve physical mechanical strength, which is a particularly insufficient characteristic of these resins, without impairing workability. Further, a thermoplastic resin alone is generally used by heating and melting above a melting point and injection molding, and a thermoplastic resin alone is generally heated above a melting point and injection molded and used. Is not only difficult,
A thermoplastic resin that can be dissolved in an organic solvent is soluble in an organic solvent even after forming a coating film, and it is difficult to guarantee sufficient chemical resistance. The advantages in the above points are the reasons for using the resin mixture. Furthermore, the sealing resin composition of the present invention,
The composition for the sealing frame needs to be a uniform mixture of resins, because the reason is that if the resins are not uniformly mixed, no matter how the resin is cured, the pseudo-uniformity described later This is because a compatible structure cannot be formed.
【０００６】また、このような樹脂混合物は、相分離を
制御して硬化させることにより、「疑似均一相溶構造」
とすることができる。疑似均一相溶構造は、いわゆるＬ
ＣＳＴ型（Low Critical Solution Temperature ）の相
図を示す熱硬化性樹脂あるいは感光性樹脂と、熱可塑性
樹脂との樹脂複合体において、構成樹脂粒子の粒子径が
透過型電子顕微鏡観察による測定値で0.1 μｍ以下であ
り、動的粘弾性測定による樹脂のガラス転移温度ピーク
値が１つである状態を意味する。この状態は、樹脂の理
想的な混合状態に近いものであり、発明者が、独自に考
え出した新しい概念である。ここに、この発明における
動的粘弾性測定の条件は、振動周波数6.28 rad／sec 、
昇温速度５℃／分である。Further, such a resin mixture has a "quasi-homogeneous compatible structure" by controlling the phase separation and curing.
Can be The pseudo-homogeneous compatible structure has a so-called L
In a resin composite of a thermosetting resin or a photosensitive resin showing a phase diagram of CST type (Low Critical Solution Temperature) and a thermoplastic resin, the particle size of the constituent resin particles is 0.1 as measured by a transmission electron microscope. It means that the resin has a glass transition temperature peak value of 1 as measured by dynamic viscoelasticity. This state is close to the ideal mixed state of the resin, and is a new concept originally devised by the inventor. Here, the condition of the dynamic viscoelasticity measurement in the present invention is that the vibration frequency is 6.28 rad / sec,
The heating rate is 5 ° C./min.
【０００７】すなわち、この疑似均一相溶構造は、エポ
キシ樹脂などの熱硬化性樹脂あるいはアクリル樹脂など
の感光性樹脂特有の物性を維持しつつ、ポリエーテルス
ルホン（ＰＥＳ）などの熱可塑性樹脂特有の物性を越え
た導入効果を示す、より均質な構造であり、熱硬化性樹
脂あるいは感光性樹脂と、熱可塑性樹脂との相互作用が
極めて強いものである。かかる樹脂複合体の構造は、そ
れの破面を、熱可塑性樹脂を溶解させる溶媒を用いてエ
ッチングしても、その表面状態はエッチング前とほとん
ど変化が無く均質であることから判る。このような疑似
均一相溶構造を形成する樹脂複合体は、それの破壊強度
と引張り強度はいずれも、それぞれの構成樹脂単独の場
合よりも高い値を示す。このため、従来のエポキシ樹脂
などの封止樹脂や封止枠に見られた熱衝撃による劣化も
なく、ヒートサイクルによる剥離もなく、耐熱衝撃性、
密着性に優れた封止樹脂や封止枠となる。また、水分が
分子中に入り込みにくくなっており、耐水性も向上す
る。That is, this quasi-homogeneous compatible structure maintains the physical properties peculiar to a thermosetting resin such as an epoxy resin or a photosensitive resin such as an acrylic resin, and is peculiar to a thermoplastic resin such as polyether sulfone (PES). It has a more homogenous structure showing an introduction effect exceeding the physical properties, and the interaction between the thermosetting resin or the photosensitive resin and the thermoplastic resin is extremely strong. It is understood that the structure of such a resin composite is uniform even if its fractured surface is etched using a solvent that dissolves the thermoplastic resin, and its surface state is almost unchanged from that before etching. The resin composite forming such a quasi-homogeneous compatible structure has higher breaking strength and tensile strength than those of the constituent resins alone. Therefore, there is no deterioration due to thermal shock seen in conventional sealing resin such as epoxy resin or sealing frame, no peeling due to heat cycle, thermal shock resistance,
It becomes a sealing resin or a sealing frame having excellent adhesion. In addition, water is less likely to enter the molecule, and water resistance is also improved.
【０００８】このような樹脂複合体の構造による効果
は、前記複合体における熱可塑性樹脂（例えば、ＰＥ
Ｓ）の含有量が固形分で15〜50wt％である場合に特に顕
著となる。この理由は、熱可塑性樹脂の含有量が15wt％
未満では、樹脂成分の網目に絡み合う熱可塑性樹脂分子
が少ないため強靱化の効果が十分に発揮されず、一方、
熱可塑性樹脂の含有量が50wt％を超えると、架橋点の減
少によって熱硬化性樹脂あるいは感光性樹脂と熱可塑性
樹脂間との相互作用が小さくなるからである。The effect of the structure of such a resin composite is that the thermoplastic resin (eg PE
It becomes particularly remarkable when the content of S) is 15 to 50 wt% in terms of solid content. The reason is that the content of thermoplastic resin is 15 wt%
If less than, the effect of toughening is not sufficiently exerted because there are few thermoplastic resin molecules entangled in the mesh of the resin component, on the other hand,
This is because when the content of the thermoplastic resin exceeds 50 wt%, the interaction between the thermosetting resin or the photosensitive resin and the thermoplastic resin is reduced due to the reduction of the crosslinking points.
【０００９】このような疑似均一相溶構造は、未硬化の
熱硬化性樹脂あるいは感光性樹脂と、熱可塑性樹脂を必
要に応じて溶剤に溶解して均一に混合し、その後、硬化
速度を速くすること、および／または相分離速度を遅く
することにより、構成樹脂粒子の粒子径を透過型電子顕
微鏡観察による測定値で0.1 μｍ以下にすることによ
り、形成される。Such a quasi-homogeneous compatible structure has an uncured thermosetting resin or photosensitive resin and a thermoplastic resin, which are dissolved in a solvent if necessary and uniformly mixed, and then the curing speed is increased. And / or slowing down the phase separation speed to reduce the particle diameter of the constituent resin particles to 0.1 μm or less as measured by observation with a transmission electron microscope.
【００１０】具体的には、第１の方法として、熱硬化性
樹脂を用いる場合は、熱硬化性樹脂の硬化温度、硬化剤
の種類、および感光性付与の有無のうちから選ばれる１
種または２種以上の因子によって決定される擬似均一相
形成点を超える硬化速度で、一方、感光性樹脂を用いる
場合は、感光性樹脂の光硬化因子，例えば開始剤や増感
剤，感光性モノマー，露光条件などによって決定される
擬似均一相形成点を超える硬化速度で硬化させる方法が
ある。ここでの擬似均一相形成点とは、複合体を構成す
る樹脂粒子の粒径がＴＥＭ観察による測定値で0.1 μｍ
以下である疑似均一相溶構造を得ることができる，硬化
速度の下限値を意味する。Specifically, as a first method, when a thermosetting resin is used, it is selected from the curing temperature of the thermosetting resin, the type of curing agent, and the presence or absence of photosensitivity.
With a curing rate exceeding the pseudo-homogeneous phase formation point determined by one or more factors, while when using a photosensitive resin, the photocuring factor of the photosensitive resin, such as an initiator, a sensitizer, or a photosensitivity There is a method of curing at a curing rate that exceeds the quasi-homogeneous phase formation point determined by the monomer and exposure conditions. The quasi-homogeneous phase formation point here means that the particle size of the resin particles forming the composite is 0.1 μm as measured by TEM observation.
It means the lower limit of the curing rate at which the following pseudo-homogeneous compatible structure can be obtained.
【００１１】また、第２の方法として、未硬化の熱硬化
性樹脂あるいは未硬化感光性樹脂の架橋密度または分子
量のいずれか１種以上の因子によって決定される擬似均
一相形成点を超えない相分離速度で硬化させる方法があ
る。ここでの擬似均一相形成点とは、複合体を構成する
樹脂粒子の粒径がＴＥＭ観察による測定値で 0.1μｍ以
下である擬似均一相溶構造を得ることができる，相分離
速度の上限値を意味する。As a second method, a phase which does not exceed a pseudo-homogeneous phase forming point determined by one or more factors of the crosslink density or the molecular weight of the uncured thermosetting resin or the uncured photosensitive resin. There is a method of curing at a separation speed. The quasi-homogeneous phase formation point here is the upper limit value of the phase separation rate that can obtain a quasi-homogeneous compatible structure in which the particle size of the resin particles constituting the composite is 0.1 μm or less as measured by TEM observation. Means
【００１２】さらに、第３の方法として、上記擬似均一
相形成点を超える硬化速度で、かつ上記擬似均一相形成
点を超えない相分離速度で硬化させる方法がある。これ
は、硬化速度と相分離速度を決定する因子が相互に影響
する場合の方法を意味する。Further, as a third method, there is a method of curing at a curing rate exceeding the quasi-homogeneous phase forming point and at a phase separation rate not exceeding the quasi-homogeneous phase forming point. This means a method in which the factors that determine the curing rate and the phase separation rate influence each other.
【００１３】次に、硬化速度または相分離速度を決定す
る上述した種々の因子の相互関係について説明する。ま
ず、硬化速度を決定する因子については、他の因子条件
を一定とすると、 熱硬化性樹脂の硬化温度が高いほど硬化速度は速くな
る。従って、擬似均一相形成点を超える硬化速度を得る
のに必要な硬化温度の下限値を超えて熱硬化性樹脂を硬
化すると、得られる樹脂複合体の構造は擬似均一相溶構
造となる。 ゲル化時間が短い硬化剤ほど硬化速度は速くなる。従
って、擬似均一相形成点を超える硬化速度を得るのに必
要なゲル化時間の上限値を超えないような硬化剤を用い
て熱硬化性樹脂を硬化すると、得られる樹脂複合体の構
造は擬似均一相溶構造となる。 感光性を付与するほど硬化速度は速くなる。従って、
他の因子条件が擬似均一相溶構造を形成する組み合わせ
においては、樹脂に感光性を付与することによって、得
られる樹脂複合体はより均質な擬似均一相溶構造とな
る。Next, the interrelationship of the above-mentioned various factors that determine the curing rate or the phase separation rate will be described. First, regarding the factors that determine the curing rate, the curing rate increases as the curing temperature of the thermosetting resin increases, assuming that other factor conditions are constant. Therefore, when the thermosetting resin is cured below the lower limit of the curing temperature required to obtain a curing rate exceeding the pseudo-homogeneous phase formation point, the structure of the obtained resin composite becomes a pseudo-homogeneous compatible structure. A curing agent having a shorter gel time has a higher curing speed. Therefore, when the thermosetting resin is cured with a curing agent that does not exceed the upper limit of the gelling time required to obtain a curing rate that exceeds the pseudo-homogeneous phase formation point, the structure of the resin composite obtained is pseudo. It has a uniform compatible structure. The higher the photosensitivity, the faster the curing speed. Therefore,
In a combination in which other factor conditions form a quasi-homogeneous compatible structure, by imparting photosensitivity to the resin, the obtained resin composite has a more homogeneous quasi-homogeneous compatible structure.
【００１４】なお、感光性を付与する方法としては、熱
硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂に感光性基を導入する
方法、感光性モノマーを配合する方法があり、必要に応
じて光開始剤，光増感剤を配合してもよい。また、アク
リル系樹脂などの感光性樹脂を熱硬化性樹脂の代わりに
使用することができる。この場合は、感光性樹脂の，例
えば開始剤や増感剤，感光性モノマー，露光条件などの
光硬化因子によって決定される擬似均一相形成点を超え
る硬化速度で硬化させる必要がある。As methods for imparting photosensitivity, there are a method of introducing a photosensitive group into a thermosetting resin or a thermoplastic resin and a method of incorporating a photosensitive monomer. You may mix | blend a sensitizer. Further, a photosensitive resin such as an acrylic resin can be used instead of the thermosetting resin. In this case, it is necessary to cure the photosensitive resin at a curing rate exceeding a pseudo-homogeneous phase formation point determined by a photocuring factor such as an initiator, a sensitizer, a photosensitive monomer and exposure conditions.
【００１５】ただし、熱硬化性樹脂に感光性を付与する
場合や、現像の解像度を向上させるために、感光性モノ
マーを付与する場合には、未硬化の熱硬化性樹脂または
未硬化の感光性樹脂と熱可塑性樹脂との相溶性が低下
し、（図10〜12を参照）比較的低温でも相分離を起こし
てしまう。このため、熱硬化性樹脂に感光性を付与する
場合や感光性モノマーを付与する場合には、接着剤を低
温（30〜60℃）で、必要に応じて真空乾燥させ、これを
一度露光硬化させ、次いで熱硬化（80〜200 ℃）を行う
ことにより、疑似均一相溶構造を得ることができる。However, when photosensitivity is imparted to the thermosetting resin or when a photosensitive monomer is imparted in order to improve the resolution of development, the uncured thermosetting resin or the uncured photosensitivity is used. The compatibility of the resin with the thermoplastic resin is reduced, causing phase separation even at relatively low temperatures (see Figures 10-12). For this reason, when imparting photosensitivity to the thermosetting resin or imparting a photosensitive monomer, the adhesive is vacuum dried at low temperature (30 to 60 ° C), if necessary, and then exposed and cured. Then, by carrying out heat curing (80 to 200 ° C.), a pseudo-homogeneous compatible structure can be obtained.
【００１６】このような事実を考慮すると、熱硬化性樹
脂あるいは感光性樹脂と熱可塑性樹脂の複合化に当たっ
て上記変動因子が１種の場合は、擬似均一相形成点に対
応するその因子の値が１点決まる。それ故に、上記変動
因子が２種以上の場合には、擬似均一相形成点に対応す
るその因子の値は種々の組み合わせが考えられる。すな
わち、構成樹脂粒子の粒径がＴＥＭ観察による測定値で
0.1μｍ以下となるような硬化速度を示す組み合わせを
選定することができる。Considering these facts, in the case where the thermosetting resin or the photosensitive resin and the thermoplastic resin are compounded, if the above-mentioned variation factor is one, the value of the factor corresponding to the pseudo-homogeneous phase formation point is One point is decided. Therefore, when the above-mentioned fluctuation factors are two or more, various combinations of the values of the factors corresponding to the pseudo-homogeneous phase formation point are conceivable. That is, the particle size of the constituent resin particles is a value measured by TEM observation.
It is possible to select a combination that exhibits a curing rate of 0.1 μm or less.
【００１７】次に、相分離速度を決定する因子について
は、他の因子条件を一定とすると、 未硬化熱硬化性樹脂あるいは未硬化感光性樹脂の１分
子中の官能基数が多い程相分離は起きにくい（相分離速
度は遅くなる）。従って、擬似均一相形成点を超えない
相分離速度を得るのに必要な架橋密度の下限値を超える
架橋密度を有する未硬化熱硬化性樹脂あるいは未硬化感
光性樹脂を用いて硬化すると、得られる樹脂複合体の構
造は擬似均一相溶構造となる。 未硬化熱硬化性樹脂あるいは未硬化感光性樹脂の分子
量が大きいほど相分離は起きにくい（相分離速度は遅く
なる）。従って、擬似均一相形成点を超えない相分離速
度を得るのに必要な分子量の下限値を超える分子量を有
する未硬化熱硬化性樹脂あるいは未硬化感光性樹脂を用
いて硬化すると、得られる樹脂複合体の構造は擬似均一
相溶構造となる。Next, regarding the factors that determine the phase separation rate, if the other factor conditions are constant, phase separation will occur as the number of functional groups in one molecule of the uncured thermosetting resin or uncured photosensitive resin increases. Difficult to occur (phase separation speed slows down). Therefore, it can be obtained by curing using an uncured thermosetting resin or an uncured photosensitive resin having a crosslink density exceeding the lower limit of the crosslink density required to obtain a phase separation rate not exceeding the pseudo-homogeneous phase formation point. The structure of the resin composite has a pseudo-homogeneous compatible structure. The larger the molecular weight of the uncured thermosetting resin or the uncured photosensitive resin, the less likely phase separation occurs (the phase separation speed becomes slower). Therefore, when the uncured thermosetting resin or the uncured photosensitive resin having a molecular weight exceeding the lower limit of the molecular weight required to obtain a phase separation rate not exceeding the quasi-homogeneous phase formation point is used for curing, the resulting resin composite is obtained. The body structure becomes a pseudo-homogeneous compatible structure.
【００１８】このような事実を考慮すると、熱硬化性樹
脂あるいは感光性樹脂と熱可塑性樹脂の複合化に当たっ
て上記変動因子が１種の場合は、擬似均一相形成点に対
応するその因子の値が１点決まる。それ故に、上記変動
因子が２種の場合には、擬似均一相形成点に対応するそ
の因子の値は種々の組み合わせが考えられる。すなわ
ち、構成樹脂粒子の粒径がＴＥＭ観察による測定値で
0.1μｍ以下となるような相分離速度を示す組み合わせ
を選定することができる。Considering these facts, in the case where the above-mentioned variation factor is one kind in the case of compositing the thermosetting resin or the photosensitive resin and the thermoplastic resin, the value of the factor corresponding to the pseudo-homogeneous phase forming point is One point is decided. Therefore, when the above-mentioned variation factors are two types, various combinations of the values of the factors corresponding to the pseudo-homogeneous phase formation points are possible. That is, the particle size of the constituent resin particles is a value measured by TEM observation.
It is possible to select a combination showing a phase separation rate of 0.1 μm or less.
【００１９】このような樹脂複合体の疑似均一相溶構造
では、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いることが
できるが、このエポキシ樹脂は、エポキシ当量で100 〜
1000程度のものを使用することが望ましい。この理由
は、エポキシ当量が100 未満のエポキシ樹脂を製造する
ことは難しく、一方、1000を超える場合は、ＰＥＳなど
の熱可塑性樹脂と混合しにくく、しかも、Ｔｇ点の低下
により、硬化のために加熱すると相分離を起こし、疑似
均一相溶構造を得にくいからである。また、このエポキ
シ樹脂の分子量は、300 〜10000 が望ましい。この理由
は、エポキシ樹脂の分子量が300 未満では、架橋点間分
子量が小さすぎ、充分な耐熱性が得られないからであ
る。一方、10000 を超えると熱可塑性樹脂との相溶性が
低下してしまうからである。In such a quasi-homogeneous compatible structure of the resin composite, an epoxy resin can be used as the thermosetting resin. The epoxy resin has an epoxy equivalent of 100 to 100.
It is desirable to use about 1000. The reason for this is that it is difficult to produce an epoxy resin with an epoxy equivalent of less than 100, while if it exceeds 1000, it is difficult to mix with a thermoplastic resin such as PES, and moreover, because of the decrease in the Tg point, it is difficult to cure. This is because when heated, phase separation occurs and it is difficult to obtain a pseudo-homogeneous compatible structure. The molecular weight of this epoxy resin is preferably 300-10000. The reason for this is that if the molecular weight of the epoxy resin is less than 300, the molecular weight between crosslinking points is too small, and sufficient heat resistance cannot be obtained. On the other hand, if it exceeds 10,000, the compatibility with the thermoplastic resin will decrease.
【００２０】また、熱可塑性樹脂としてはＰＥＳを用い
ることができるが、このＰＥＳの分子量は、3000〜1000
00であることが望ましい。この理由は、ＰＥＳの分子量
が3000未満では、疑似均一相溶構造の靱性向上効果が得
られず、一方、100000を超えると、熱硬化性樹脂や感光
性樹脂との相溶状態が形成できないからである。PES can be used as the thermoplastic resin, and the molecular weight of this PES is 3000 to 1000.
00 is desirable. The reason for this is that if the molecular weight of PES is less than 3000, the toughness-improving effect of the quasi-homogeneous compatible structure cannot be obtained, while if it exceeds 100000, a compatible state with a thermosetting resin or a photosensitive resin cannot be formed. Is.
【００２１】以上説明したような方法により得られる樹
脂複合体は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が示す特
有の物性あるいはアクリル系樹脂などの感光性樹脂が示
す特有の物性を具えると共に、ＰＥＳなどの熱可塑性樹
脂本来の物性よりもさらに高い物性値を示すことができ
る。すなわち、本発明にかかるＰＥＳ変性エポキシ樹脂
やＰＥＳ変成アクリル樹脂は、ＰＥＳ単独の樹脂強度よ
りも高くなり、従来にはないエポキシ樹脂あるいはアク
リル樹脂の強靱化効果を有するものである。The resin composite obtained by the method as described above has the physical properties peculiar to thermosetting resins such as epoxy resin or the peculiar physical properties of photosensitive resin such as acrylic resin, and also has PES. It is possible to exhibit higher physical property values than the original physical properties of the thermoplastic resin such as. That is, the PES-modified epoxy resin and PES-modified acrylic resin according to the present invention have higher resin strength than that of PES alone, and have an unprecedented toughening effect on epoxy resin or acrylic resin.
【００２２】熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、
メラミン樹脂や尿素樹脂などのアミノ樹脂、エポキシ樹
脂、エポキシ変成ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル
樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂、ジアリルフタレ
ート樹脂などが使用できる。この理由は、これらの樹脂
が、熱的，電気的特性に優れているからである。この熱
硬化性樹脂は、部分的に熱硬化に寄与する官能基の一部
を感光基で置換したものも使用でき、例えば、エポキシ
樹脂の５〜70％アクリル化物などが好適である。As the thermosetting resin, phenol resin,
Amino resins such as melamine resins and urea resins, epoxy resins, epoxy-modified polyimide resins, unsaturated polyester resins, polyimide resins, urethane resins, diallyl phthalate resins and the like can be used. The reason for this is that these resins have excellent thermal and electrical characteristics. As this thermosetting resin, a resin in which a functional group partially contributing to thermosetting is partially substituted with a photosensitive group can be used, and for example, an acrylic compound of 5 to 70% of an epoxy resin is suitable.
【００２３】熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスル
ホン（ＰＥＳ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、フェノキシ
樹脂、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリスチレン、
ポリエチレン、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポ
リフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケト
ン、ポリオキシベンゾエート、ポリ塩化ビニル、ポリ酢
酸ビニル、ポリアセタール、ポリカーボネートなどが使
用できる。この理由は、これらの熱可塑性樹脂は、耐熱
性が高く、強靱であり、しかも、溶媒を用いることによ
って熱硬化性樹脂と相溶することができるからである。As the thermoplastic resin, polyether sulfone (PES), polysulfone (PSF), phenoxy resin, polyetherimide (PEI), polystyrene,
Polyethylene, polyarylate, polyamideimide, polyphenylene sulfide, polyether ether ketone, polyoxybenzoate, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, polyacetal, polycarbonate and the like can be used. The reason is that these thermoplastic resins have high heat resistance and are tough, and can be compatible with the thermosetting resin by using a solvent.
【００２４】なかでも、上述した熱硬化性樹脂および熱
可塑性樹脂は、それぞれエポキシ樹脂およびポリエーテ
ルスルホンであることが好適である。この理由は、メチ
レンクロライド、ジメチルホルムアミドやＮＭＰ等の溶
媒で樹脂マトリックスの成分であるエポキシ樹脂とＰＥ
Ｓとを混合分散させ、疑似均一相溶構造を容易に形成で
きるからである。なお、この発明では、熱硬化性樹脂な
どに感光基を付与させる代わりに、感光性樹脂を用いる
ことができる。このような感光性樹脂としては、アクリ
ロイル基、メタクリロイル基、アリル基、ビニル基など
の不飽和二重結合を分子内に１〜数個持つものが使用で
き、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレー
ト、ポリエーテルアクリレート、シルコンアクリレー
ト、ポリブタジエンアクリレート、ポリスチルエチルメ
タクリレート、ビニル／アクリルオリゴマー（分岐した
酸、酸無水物、ヒドロキシ基、グリシジル基を持ったモ
ノマーとビニル又はアクリルポリマーと共重合させ、次
にアクリルモノマーと反応させたもの）、ポリエチレン
／チオール（オレフィンとメルカプタンの共重合物）な
どが好適に用いられる。Among them, the above-mentioned thermosetting resin and thermoplastic resin are preferably epoxy resin and polyether sulfone, respectively. The reason for this is that the solvent such as methylene chloride, dimethylformamide, NMP and the like is used as a component of the resin matrix with the epoxy resin and PE.
This is because S and S can be mixed and dispersed to easily form a pseudo-homogeneous compatible structure. In the present invention, a photosensitive resin can be used instead of providing a photosensitive group to a thermosetting resin or the like. As such a photosensitive resin, those having one to several unsaturated double bonds such as acryloyl group, methacryloyl group, allyl group and vinyl group in the molecule can be used, and epoxy acrylate, polyester acrylate, polyether acrylate can be used. , Silcon acrylate, polybutadiene acrylate, polystytyl ethyl methacrylate, vinyl / acrylic oligomer (copolymerized with branched acid, acid anhydride, hydroxy group, glycidyl group-containing monomer and vinyl or acrylic polymer, and then with acrylic monomer Reaction products), polyethylene / thiol (copolymer of olefin and mercaptan) and the like are preferably used.
【００２５】ここで、この感光性樹脂の光硬化因子とし
て重要である光開始剤としては、ベンゾイソブチルエー
テル，ベンジルジメチルケタール，ジエトキシアセトフ
ェノン，アシロキシムエステル，塩素化アセトフェノ
ン，ヒドロキシアセトフェノン等の分子内結合開裂型、
ベンゾフェノン，ミヒラーケトン，ジベンゾスベロン，
２−エチルアンスラキノン，イソブチルチオキサンソン
等の分子内水素引抜型のいずれか１種以上が好適に用い
られる。Here, as the photoinitiator important as a photocuring factor for this photosensitive resin, benzoisobutyl ether, benzyl dimethyl ketal, diethoxyacetophenone, acyloxime ester, chlorinated acetophenone, hydroxyacetophenone, etc. Bond cleavage type,
Benzophenone, Michler's ketone, dibenzosuberone,
Any one or more of intramolecular hydrogen abstraction type such as 2-ethylanthraquinone and isobutylthioxanthone are preferably used.
【００２６】光開始助剤としては、トリエタノールアミ
ン，ミヒラーケトン，4,4-ジエチルアミノベンゾフェノ
ン，２−ジメチルアミノエチル安息香酸，４−ジメチル
アミノ安息香酸エチル，４−ジメチルアミノ安息香酸
（n-ブトキシ）エチル，４−ジメチルアミノ安息香酸イ
ソアミル，４−ジメチルアミノ安息香酸２−エチルヘキ
シル，重合性３級アミン等のいずれか１種以上が用いら
れる。増感剤としては、ミヒラーケトンやイルガキュア
651 ，イソプロピルチオキサンソンなどが好適であり、
上記光開始剤のなかには、増感剤として作用するものも
ある。なお、上記光開始剤と増感剤の組成比は、例え
ば、感光性樹脂100 重量部に対して、 ベンゾフェノン／ミヒラーケトン＝５重量部／0.5 重量
部 イルガキュア184 ／イルガキュア651 ＝５重量部／0.5
重量部 イルガキュア907 ／イソプロピルチオキサンソン＝５重
量部／0.5 重量部 が好適である。感光性樹脂を構成する感光性モノマーあ
るいは感光性オリゴマーとしては、エポキシアクリレー
トやエポキシメタクリレート，ウレタンアクリレート，
ポリエステルアクリレート，ポリスチリルメタクリレー
トなどが好適に用いられる。As the photoinitiator aid, triethanolamine, Michler's ketone, 4,4-diethylaminobenzophenone, 2-dimethylaminoethylbenzoic acid, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, 4-dimethylaminobenzoic acid (n-butoxy) Any one or more of ethyl, isoamyl 4-dimethylaminobenzoate, 2-ethylhexyl 4-dimethylaminobenzoate, and a polymerizable tertiary amine are used. As a sensitizer, Michler's ketone or Irgacure
651, isopropyl thioxanthone and the like are preferable,
Some of the above photoinitiators act as a sensitizer. The composition ratio of the photoinitiator to the sensitizer is, for example, benzophenone / Michler's ketone = 5 parts by weight / 0.5 parts by weight Irgacure 184 / Irgacure 651 = 5 parts by weight / 100 parts by weight of the photosensitive resin.
Weight parts Irgacure 907 / isopropyl thioxanthone = 5 weight parts / 0.5 weight parts are preferred. Examples of the photosensitive monomer or photosensitive oligomer constituting the photosensitive resin include epoxy acrylate, epoxy methacrylate, urethane acrylate,
Polyester acrylate and polystyryl methacrylate are preferably used.
【００２７】また、この発明の樹脂マトリックスの硬化
剤としては、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる
場合は、イミダゾール系硬化剤やジアミン、ポリアミ
ン、ポリアミド、無水有機酸、ビニルフェノールなどが
使用できる。一方、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂を
使用する場合は、周知の硬化剤を使用できる。本願の封
止樹脂には、充填剤を含有してもよい。充填剤として
は、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、水酸化アルミ
ニウム、酸化ジルコニウム、ケイ酸ジルコニウム、炭酸
カルシウム、タルク、酸化チタン、硫酸バリウム、マイ
カ等が挙げられる。シリカ粒子は、はっ水性を向上させ
ることができ、耐水性を改善できる。また、チキソ剤と
しては、シリカ、マグネシア、ステアリン酸アルミニウ
ム、オクタン酸アルミニウム等の金属石鹸、有機ベント
ナイトなどが挙げられる。Further, as the curing agent for the resin matrix of the present invention, when an epoxy resin is used as the thermosetting resin, an imidazole type curing agent, diamine, polyamine, polyamide, anhydrous organic acid, vinylphenol or the like can be used. On the other hand, when a thermosetting resin other than the epoxy resin is used, a known curing agent can be used. The sealing resin of the present application may contain a filler. Examples of the filler include fused silica, crystalline silica, alumina, aluminum hydroxide, zirconium oxide, zirconium silicate, calcium carbonate, talc, titanium oxide, barium sulfate and mica. Silica particles can improve water repellency and water resistance. Examples of the thixotropic agent include silica, magnesia, metal stearate such as aluminum stearate and aluminum octanoate, and organic bentonite.
【００２８】本願発明の半導体素子搭載用基板について
説明する。本願発明の半導体素子搭載用基板は、基板上
に、半導体素子を搭載するための搭載部、その搭載部の
周囲に形成された導体回路、該導体回路と電気的に接続
された外部端子を有し、前記搭載部の周囲に封止枠が設
けられてなる半導体素子搭載用基板であって、前記封止
枠は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化基の一部が感
光基で置換された熱硬化性樹脂から選ばれる少なくとも
１種の樹脂と熱可塑性樹脂からなり、疑似均一相溶構造
を形成してなる硬化処理された樹脂複合体からなること
を特徴とする。このような構成とすることにより、封止
樹脂を十分に広げることが可能で、また樹脂厚を薄くす
ることができる。さらに、この封止枠は、疑似均一相溶
構造を形成しているので、密着性、耐熱性、耐熱衝撃性
に優れる。ついで、本願発明の半導体装置について説明
する。本願の第１の半導体装置は、基板上に、半導体素
子を搭載した搭載部、その搭載部の周囲に該半導体素子
と電気的に接続した導体回路、該導体回路と電気的に接
続された外部端子を有し、前記搭載部が封止樹脂で封止
されてなる半導体搭載用基板であって、前記封止樹脂
は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化基の一部が感光
基で置換された熱硬化性樹脂から選ばれる少なくとも１
種の樹脂と熱可塑性樹脂からなり、疑似均一相溶構造を
形成してなる硬化処理された樹脂複合体であることを特
徴とする。The semiconductor element mounting substrate of the present invention will be described. A semiconductor element mounting substrate of the present invention has a mounting portion for mounting a semiconductor element, a conductor circuit formed around the mounting portion, and an external terminal electrically connected to the conductor circuit on the substrate. A semiconductor element mounting substrate provided with a sealing frame around the mounting portion, wherein the sealing frame is a thermosetting resin, a photosensitive resin, a part of the thermosetting group is a photosensitive group. It is characterized by comprising a cured resin composite which is composed of at least one resin selected from substituted thermosetting resins and a thermoplastic resin and which forms a pseudo-homogeneous compatible structure. With such a configuration, the sealing resin can be sufficiently spread and the resin thickness can be reduced. Furthermore, since this sealing frame has a pseudo-homogeneous compatible structure, it has excellent adhesion, heat resistance, and thermal shock resistance. Next, the semiconductor device of the present invention will be described. A first semiconductor device of the present application is, on a substrate, a mounting portion on which a semiconductor element is mounted, a conductor circuit electrically connected to the semiconductor element around the mounting portion, and an external portion electrically connected to the conductor circuit. A semiconductor mounting substrate having terminals, wherein the mounting portion is sealed with a sealing resin, wherein the sealing resin is a thermosetting resin, a photosensitive resin, or a part of the thermosetting group is a photosensitive group. At least 1 selected from thermosetting resins substituted with
It is characterized in that it is a cured resin composite which is composed of a seed resin and a thermoplastic resin and forms a pseudo-homogeneous compatible structure.
【００２９】また、本願の第２の半導体装置は、基板上
に、半導体素子を搭載した搭載部、その搭載部の周囲に
該半導体素子と電気的に接続した導体回路、該導体回路
と電気的に接続された外部端子を有し、前記搭載部の周
囲に封止枠が設けられ、その封止枠内部に樹脂が充填さ
れて、半導体素子が封止されてなる半導体装置であっ
て、前記封止枠は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化
基の一部が感光基で置換された熱硬化性樹脂から選ばれ
る少なくとも１種の樹脂と熱可塑性樹脂からなり、疑似
均一相溶構造を形成してなる硬化処理された樹脂複合体
からなることを特徴とする。さらに、本願の第３の半導
体装置は、導体回路が形成された基板上に、半導体素子
が搭載され、その半導体素子が、封止樹脂により封止さ
れてなる半導体装置であって、前記封止樹脂は、熱硬化
性樹脂、感光性樹脂、熱硬化基の一部が感光基で置換さ
れた熱硬化性樹脂から選ばれる少なくとも１種の樹脂と
熱可塑性樹脂からなり、疑似均一相溶構造を形成してな
る硬化処理された樹脂複合体であることを特徴とする。
この第３の半導体装置は、いわゆるフリップチップ方式
と呼ばれる搭載形態である。これら第１〜第３の半導体
装置は、半導体素子を複数搭載する所謂マルチチップパ
ッケージとしてもよい。また、半導体素子の搭載方式と
しては、フリップチップ、ワイヤボンディング、テープ
キャリアなどの方式がある。さらに、この半導体素子が
搭載される半導体搭載用基板としては、座ぐり加工され
たもの、またスルーホールを樹脂埋めするフラットプラ
グ化されたものなど種々選択できる。半導体搭載用基板
を構成する外部端子は、リードフレーム、ハンダボー
ル、ピン、ＰＬＣＣ（プラスチックリードレスチップキ
ャリア；基板にスルーホールを形成し、このスルーホー
ルを輪切りにして半田接続するもの）などがある。Further, the second semiconductor device of the present application is such that, on a substrate, a mounting portion on which a semiconductor element is mounted, a conductor circuit electrically connected to the semiconductor element around the mounting portion, and the conductor circuit and the electrical circuit. A semiconductor device having an external terminal connected to, a sealing frame provided around the mounting portion, the inside of the sealing frame being filled with resin, and the semiconductor element being sealed, wherein: The sealing frame is made of a thermoplastic resin and at least one resin selected from thermosetting resins, photosensitive resins, and thermosetting resins in which a part of thermosetting groups are replaced by photosensitive groups, and has a pseudo-homogeneous compatibility. It is characterized in that it is composed of a cured resin composite that forms a structure. Furthermore, a third semiconductor device of the present application is a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on a substrate on which a conductor circuit is formed, and the semiconductor element is sealed with a sealing resin. The resin is made of at least one resin selected from thermosetting resins, photosensitive resins, and thermosetting resins in which a part of thermosetting groups is replaced by photosensitive groups, and a thermoplastic resin, and has a pseudo-homogeneous compatible structure. It is characterized in that it is a resin composite that is formed and cured.
This third semiconductor device is in a so-called flip chip type mounting form. These first to third semiconductor devices may be so-called multi-chip packages on which a plurality of semiconductor elements are mounted. As a method of mounting the semiconductor element, there are methods such as flip chip, wire bonding, and tape carrier. Further, as the semiconductor mounting substrate on which this semiconductor element is mounted, various types such as a counterbore processed one and a flat plug type in which the through hole is filled with resin can be selected. The external terminals that constitute the semiconductor mounting board include lead frames, solder balls, pins, PLCC (plastic leadless chip carriers; through holes are formed in the board, and the through holes are sliced into solder for connection). .
【００３０】本願発明では、封止樹脂として、前述の樹
脂を使用しているため、耐熱性、耐熱衝撃特性、耐水性
に優れ、封止樹脂が剥離することもなく密着力に優れて
いるため、信頼性の高い半導体装置が得られる。また、
発熱量の大きなＩＣを封止した場合でも、ヒートサイク
ル特性が優れているため、熱疲労によるクラックや剥離
を生じない。さらに熱膨張率の大きなガラスエポキシ基
板などに直接ＩＣを搭載した場合でも、熱可塑性的性質
（かとう性）を有しているので応力が接合部に集中せ
ず、緩和されるので、信頼性が向上する。本願発明で
は、熱可塑性樹脂を配合することで熱硬化性樹脂の硬化
収縮を緩和でき、内部応力を残存させることなく、ＩＣ
と基板の間の電気的接続信頼性が向上する。なお、封止
樹脂の封止は、半導体素子を完全に覆ってしまってもよ
く、またフリップチップ実装の場合などでは、ＩＣチッ
プと基板を接続する半田ボールを覆う程度の封止であっ
てもよい。また、封止枠として、上記樹脂を使用した場
合、耐熱性、耐熱衝撃特性、耐水性に優れているため、
内部に通常のエポキシ樹脂を使用した場合でも、信頼性
を向上させることができる。さらに、封止枠自体が高い
封止信頼性を有しているため、封止領域を小さくするこ
とができ、半導体装置の高密度化に有利である。In the present invention, since the above-mentioned resin is used as the sealing resin, it is excellent in heat resistance, thermal shock resistance and water resistance, and is excellent in adhesion without peeling of the sealing resin. Thus, a highly reliable semiconductor device can be obtained. Also,
Even when an IC with a large amount of heat generation is sealed, the heat cycle characteristics are excellent, and therefore cracks and peeling due to thermal fatigue do not occur. Even when an IC is directly mounted on a glass epoxy substrate having a large coefficient of thermal expansion, since it has a thermoplastic property (flexibility), stress is not concentrated at the joint portion and is relaxed, so that reliability is improved. improves. In the present invention, by blending the thermoplastic resin, the curing shrinkage of the thermosetting resin can be relaxed, and the internal stress can be maintained without leaving the IC.
The electrical connection reliability between the substrate and the substrate is improved. It should be noted that the sealing resin may completely cover the semiconductor element, and in the case of flip-chip mounting, the sealing resin may cover the solder balls connecting the IC chip and the substrate. Good. Further, when the above resin is used as the sealing frame, it is excellent in heat resistance, thermal shock resistance, and water resistance,
Even when a normal epoxy resin is used inside, the reliability can be improved. Furthermore, since the sealing frame itself has high sealing reliability, the sealing area can be reduced, which is advantageous for increasing the density of semiconductor devices.
【００３１】また、本願発明で使用される基板は、ガラ
スエポキシ基板、ポリイミド基板、メタルコア基板、無
電解めっき用接着剤を板状に硬化させた基板、セラミッ
ク基板などを使用できる。The substrate used in the present invention may be a glass epoxy substrate, a polyimide substrate, a metal core substrate, a substrate obtained by curing an electroless plating adhesive in a plate shape, a ceramic substrate, or the like.
【００３２】前記半導体素子は、ＩＣ、ＬＳＩ等の能動
部品である。前記搭載部は、半導体素子を搭載できる程
度の凹部が設けられていてもよく、また、ダイパッドが
形成されていてもよい。前記該半導体素子と電気的に接
続した導体回路は、アディティブ法、サブトラクティブ
法などの種々の方法で形成されていることが望ましい。
アディティブ法により形成する場合は、基板上に無電解
めっき用接着剤層を形成した後、これを粗化、パラジウ
ム等の核を付与し、ここにめっきレジストを露光、現像
により形成して、無電解めっきを施して導体回路を作成
する。前記無電解めっき用接着剤は、酸もしくは酸化剤
に対して難溶性の樹脂からなるマトリックス中に酸もし
くは酸化剤に対して可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂
粉末が分散してなるものが望ましく、その耐熱性樹脂粉
末は、１）平均粒径10μｍ以下、２）前記耐熱性樹脂粉
末は、平均粒径２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させ
て平均粒径２〜10μｍの大きさとした凝集粒子、３）平
均粒径２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径２μｍ以
下の耐熱性樹脂粉末との混合物平均粒径２〜10μｍの耐
熱性樹脂粉末の表面に平均粒径２μｍ以下の耐熱性樹脂
粉末もしくは平均粒径２μｍ以下の無機粉末のいずれか
少なくとも１種を付着させてなる擬似粒子から選ばれる
ことが望ましい。また導体回路の表面には、ニッケル−
金めっきが施されていることが望ましい。これは、半導
体素子と導体回路の接続が金ワイヤによるためである。The semiconductor element is an active component such as an IC or LSI. The mounting portion may be provided with a recess to the extent that a semiconductor element can be mounted, and a die pad may be formed. The conductor circuit electrically connected to the semiconductor element is preferably formed by various methods such as an additive method and a subtractive method.
In the case of forming by the additive method, after forming an adhesive layer for electroless plating on a substrate, roughening this, providing a nucleus such as palladium, and forming a plating resist on this by exposure and development, Electrolytic plating is applied to create a conductor circuit. The electroless plating adhesive is preferably one in which a cured heat-resistant resin powder soluble in an acid or an oxidizing agent is dispersed in a matrix made of a resin that is hardly soluble in an acid or an oxidizing agent. The heat-resistant resin powder has 1) an average particle size of 10 μm or less, and 2) the heat-resistant resin powder has an average particle size of 2 to 10 μm, which is formed by aggregating the heat-resistant resin powder with an average particle size of 2 μm or less. Particles, 3) Mixture of heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 to 10 μm and heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 μm or less. It is desirable to select from pseudo particles formed by adhering at least one of a functional resin powder and an inorganic powder having an average particle size of 2 μm or less. In addition, nickel-
Gold plating is preferable. This is because the semiconductor element and the conductor circuit are connected by the gold wire.
【００３３】前記導体回路は、スルーホール、バイアホ
ール、あるいは直接接続により外部端子と電気的に接続
している。外部端子は、リードフレーム、ハンダボー
ル、ピンなどを指す。半導体素子搭載部は、枠体により
囲われているか、もしくはキャップにて覆われてなるこ
とが望ましい。枠体により囲まれている場合には、その
枠体は、エポキシ樹脂であることが望ましい。The conductor circuit is electrically connected to an external terminal through a through hole, a via hole, or a direct connection. External terminals refer to lead frames, solder balls, pins, and the like. The semiconductor element mounting portion is preferably surrounded by a frame or covered with a cap. When surrounded by a frame, the frame is preferably made of epoxy resin.
【００３４】本願発明の封止用樹脂は、枠体の中に未硬
化の液状の状態で充填され、ついで硬化される。枠体が
存在することにより、樹脂が基板上に広がることがな
く、良好な封止を行う事が可能となる。The encapsulating resin of the present invention is filled in the frame in an uncured liquid state and then cured. Due to the presence of the frame, the resin does not spread on the substrate, and good sealing can be performed.
【００３５】前記キャップで覆われている場合には、樹
脂封止された搭載部に本願発明の樹脂が充填されたキャ
ップが被せられ、密閉される。キャップにより保護され
るため、耐水性、強度が十分確保される。また、封止枠
として本願発明の樹脂を使用した場合は、封止樹脂は、
エポキシ樹脂などを使用することができる。When covered with the cap, the resin-sealed mounting portion is covered with the resin-filled cap of the present invention and hermetically sealed. Since it is protected by the cap, sufficient water resistance and strength are secured. When the resin of the present invention is used as the sealing frame, the sealing resin is
Epoxy resin or the like can be used.
【００３６】ついで、本願発明の半導体装置の製造方法
について説明する。本願発明の第１の半導体装置は次の
ように製造される。 １）まず、半導体搭載用基板を作成する。これは常法に
従い製造することができる。例えば、銅張り積層板を用
いて、貫通孔をあけ、無電解めっき、電解めっき、エッ
チングを行ない、両面板を形成する。ついで、スルーホ
ールに樹脂を充填して表面研磨によりフラットプラグ化
する。無電解めっき用接着剤を塗布し、これを乾燥、硬
化する。さらに、酸化剤などにより粗化し、半導体素子
搭載部を座ぐり加工する。触媒核を付与し、レジストを
形成して無電解めっきを行い、導体回路を形成する。ソ
ルダーレジストを設け、実装パッドにニッケル−金めっ
きを施し、裏面に外部接続端子として半田ボールを形成
し、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）とする。Next, a method of manufacturing the semiconductor device of the present invention will be described. The first semiconductor device of the present invention is manufactured as follows. 1) First, a semiconductor mounting substrate is prepared. This can be manufactured according to a conventional method. For example, a copper-clad laminate is used to form through holes, and electroless plating, electrolytic plating, and etching are performed to form a double-sided plate. Then, the through holes are filled with resin and the surface is ground to form flat plugs. An electroless plating adhesive is applied, and this is dried and cured. Further, it is roughened with an oxidizing agent or the like, and the semiconductor element mounting portion is spot-machined. A catalyst core is applied, a resist is formed, and electroless plating is performed to form a conductor circuit. A solder resist is provided, a mounting pad is plated with nickel-gold, and solder balls are formed on the back surface as external connection terminals to form a BGA (ball grid array).
【００３７】２）搭載部に半導体素子を搭載し、ワイア
ボンディングなどにより、半導体素子と導体回路を電気
的に接続する。 ３）この半導体搭載用基板の搭載部にエポキシ樹脂など
からなる枠体を設け、この中に本願発明の封止用樹脂を
充填する。封止樹脂の充填はスクリーン印刷やスタンプ
印刷などにより行うことが可能である。あるいは、この
封止樹脂を覆うようにキャップをかぶせてもよい。さら
に封止樹脂を硬化させ本願の半導体装置とするのであ
る。2) A semiconductor element is mounted on the mounting portion, and the semiconductor element and the conductor circuit are electrically connected by wire bonding or the like. 3) A frame body made of epoxy resin or the like is provided on the mounting portion of the semiconductor mounting substrate, and the sealing resin of the present invention is filled therein. The filling of the sealing resin can be performed by screen printing, stamp printing, or the like. Alternatively, a cap may be covered so as to cover the sealing resin. Further, the sealing resin is cured to obtain the semiconductor device of the present application.
【００３８】本願発明の半導体素子搭載用基板および第
２の半導体装置は次のように製造される。 １）まず、半導体搭載用基板を作成する。これは常法に
従い製造することができる。例えば、銅張り積層板を用
いて、貫通孔をあけ、無電解めっき、電解めっき、エッ
チングを行ない、両面板を形成する。ついで、スルーホ
ールに樹脂を充填して表面研磨によりフラットプラグ化
する。無電解めっき用接着剤を塗布し、これを乾燥、硬
化する。さらに、酸化剤などにより粗化し、半導体素子
搭載部を座ぐり加工する。触媒核を付与し、レジストを
形成して無電解めっきを行い、導体回路を形成する。ソ
ルダーレジストを設け、実装パッドにニッケル−金めっ
きを施し、裏面に外部接続端子として半田ボールを形成
し、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）とする。 ２）搭載部に半導体素子を搭載し、ワイアボンディング
などにより、半導体素子と導体回路を電気的に接続す
る。 ３）この半導体搭載用基板の搭載部に本願樹脂組成物を
印刷して枠体を設け、これを硬化して、本願発明の封止
枠が設けられた半導体素子搭載用基板を形成する。さら
に、この封止枠の中に、封止用樹脂を充填する。封止用
樹脂としては、本願発明の封止用樹脂を使用してもよ
く、公知の樹脂、例えばエポキシ樹脂を使用できる。封
止樹脂の充填はスクリーン印刷やスタンプ印刷などによ
り行うことが可能である。さらに封止樹脂を硬化させ本
願の半導体装置とするのである。The semiconductor element mounting substrate and the second semiconductor device of the present invention are manufactured as follows. 1) First, a semiconductor mounting substrate is prepared. This can be manufactured according to a conventional method. For example, a copper-clad laminate is used to form through holes, and electroless plating, electrolytic plating, and etching are performed to form a double-sided plate. Then, the through holes are filled with resin and the surface is ground to form flat plugs. An electroless plating adhesive is applied, and this is dried and cured. Further, it is roughened with an oxidizing agent or the like, and the semiconductor element mounting portion is spot-machined. A catalyst core is applied, a resist is formed, and electroless plating is performed to form a conductor circuit. A solder resist is provided, a mounting pad is plated with nickel-gold, and solder balls are formed on the back surface as external connection terminals to form a BGA (ball grid array). 2) A semiconductor element is mounted on the mounting portion, and the semiconductor element and the conductor circuit are electrically connected by wire bonding or the like. 3) The resin composition of the present invention is printed on the mounting portion of the semiconductor mounting substrate to provide a frame, and the frame is cured to form a semiconductor element mounting substrate provided with the sealing frame of the present invention. Further, a sealing resin is filled in the sealing frame. As the sealing resin, the sealing resin of the present invention may be used, and a known resin such as an epoxy resin can be used. The filling of the sealing resin can be performed by screen printing, stamp printing, or the like. Further, the sealing resin is cured to obtain the semiconductor device of the present application.
【００３９】本願発明の第３の半導体装置は次のように
製造される。 １）まず、常法に従い、導体回路が形成された基板を作
成する。 ２）基板の導体回路に半導体素子をはんだを介して搭載
する。 ３）この基板の半導体素子が搭載された部分にエポキシ
樹脂などからなる枠体を設け、この中に本願発明の封止
用樹脂を充填する。 封止樹脂の充填はスクリーン印刷やスタンプ印刷などに
より行うことが可能である。あるいは、この封止樹脂を
覆うようにキャップをかぶせてもよい。さらに封止樹脂
を硬化させ本願の半導体装置とするのである。以下に、
実施例を用いて詳述する。The third semiconductor device of the present invention is manufactured as follows. 1) First, according to a conventional method, a substrate on which a conductor circuit is formed is prepared. 2) A semiconductor element is mounted on the conductor circuit of the board via solder. 3) A frame body made of epoxy resin or the like is provided in the portion of the substrate on which the semiconductor element is mounted, and the sealing resin of the present invention is filled therein. The filling of the sealing resin can be performed by screen printing, stamp printing, or the like. Alternatively, a cap may be covered so as to cover the sealing resin. Further, the sealing resin is cured to obtain the semiconductor device of the present application. less than,
This will be described in detail using examples.
【００４０】[0040]
実施例１ （１）エポキシ樹脂粒子（東レ製、トレパールＥＰ−
Ｂ、平均粒径０．５μｍ）を熱風乾燥機内に装入し、１
８０℃で３時間加熱処理して凝集結合させた。この凝集
結合させたエポキシ樹脂粒子を、アセトン中に分散さ
せ、ボールミルにて５時間解砕した後、風力分級機を使
用して分級し、凝集粒子を作成した。この凝集粒子は、
平均粒径が約３．５μｍであり、約６８重量％が、平均
粒径を中心として±２μｍの範囲に存在していた。Example 1 (1) Epoxy resin particles (Toray, Trepal EP-
B, average particle size 0.5 μm) was charged into a hot air dryer, and 1
Heat treatment was carried out at 80 ° C. for 3 hours to cause cohesive bonding. The agglomerated and bonded epoxy resin particles were dispersed in acetone, crushed with a ball mill for 5 hours, and then classified using an air classifier to prepare agglomerated particles. The aggregated particles are
The average particle size was about 3.5 μm, and about 68% by weight was in the range of ± 2 μm centered on the average particle size.
【００４１】（２）フェノールアラルキル型エポキシ樹
脂の５０％アクリル化物１００重量部、ジアリルテレフ
タレート１５重量部、２−メチル−１−〔４−（メチル
チオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパノン−１
（チバ・ガイギー製、商品名：イルガキュア−９０７）
４重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：
２Ｐ４ＭＨＺ）４重量部、（１）で作成された樹脂粒子
を２５重量部にジメチルセロソルブを加え、ホモディス
パー分散機で調製し、次いで３本ローラーで混練して固
形分濃度８０％の接着剤溶液を作成した。(2) 100 parts by weight of a 50% acrylate of a phenol aralkyl type epoxy resin, 15 parts by weight of diallyl terephthalate, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropanone-1.
(Ciba Geigy product name: Irgacure-907)
4 parts by weight, imidazole curing agent (Shikoku Kasei, trade name:
2P4MHZ) 4 parts by weight, dimethyl cellosolve was added to 25 parts by weight of the resin particles prepared in (1), and the mixture was prepared with a homodisper disperser, and then kneaded with 3 rollers to obtain an adhesive solution having a solid content of 80%. It was created.
【００４２】（３）両面銅張り積層板を用いて、スルー
ホールを持つ常法のサブトラクティブ法（昭和６１年６
月２０日 日刊工業新聞社発行の「プリント配線板技術
読本」８ページに記載の方法）により、両面配線板を製
造した。（図１のａ） このスルーホールにエポキシ樹脂３をスクリーン印刷に
より、充填して硬化、表面研磨してフラットプラグ化し
た。（図１のｂ） （４）ついで、ロールコータを用いて（２）の接着剤を
塗布して乾燥して、露光、現像して接着剤層４を作成し
た。 （図１のｃ）(3) Using the double-sided copper-clad laminate, the conventional subtractive method having through holes (6, 1986)
A double-sided wiring board was manufactured by the method described on page 8 of "Printed Wiring Board Technical Manual" published by Nikkan Kogyo Shimbun on March 20. (A in FIG. 1) The through hole was filled with epoxy resin 3 by screen printing, cured, and surface-polished to form a flat plug. (B in FIG. 1) (4) Next, the adhesive of (2) was applied using a roll coater, dried, exposed and developed to form an adhesive layer 4. (C in FIG. 1)
【００４３】（５）前記（４）で作成した基板を、クロ
ム酸（Ｃｒ2 Ｏ3 ）５００ｇ／リットル水溶液からなる
酸化剤に７０℃で１５分間浸漬して層間絶縁層の表面を
粗面化してから、中和溶液（シプレイ社製、ＰＮ−９５
０）に浸漬して水洗した。(5) The substrate prepared in (4) above is immersed in an oxidizing agent composed of an aqueous solution of chromic acid (Cr 2 O 3 ) 500 g / liter at 70 ° C. for 15 minutes to roughen the surface of the interlayer insulating layer. Neutralization solution (PN-95 manufactured by Shipley Co., Ltd.)
It was immersed in 0) and washed with water.
【００４４】（６）層間絶縁層が粗化された基板を座く
り加工し（図１のｄ）、さらにパラジウム触媒（プレイ
社製、キャタポジット４４）を付与して、絶縁層の表面
を活性化させ、窒素雰囲気下で加熱処理を行い触媒を固
定化し、ドライフィルムフォトレジストをラミネート
し、露光現像して無電解めっき用レジスト７を形成し、
無電解銅めっき液に１１時間浸漬して、めっき膜の厚さ
２５μｍの無電解銅めっきを施して、導体回路８、キャ
ビティー９を形成した。（図１のｅ） さらに、ソルダーレジストを形成し、実装用パッドにＮ
ｉ−Ａｕめっき層１０を施した。(6) The substrate having the roughened interlayer insulating layer is countersunk (d in FIG. 1), and a palladium catalyst (Pray, Cataposit 44) is applied to activate the surface of the insulating layer. And heat treatment in a nitrogen atmosphere to fix the catalyst, dry film photoresist is laminated, and exposed and developed to form a resist 7 for electroless plating,
The conductor circuit 8 and the cavity 9 were formed by immersing in an electroless copper plating solution for 11 hours and performing electroless copper plating with a plating film thickness of 25 μm. (E in FIG. 1) Further, a solder resist is formed and N is mounted on the mounting pad.
The i-Au plating layer 10 was applied.
【００４５】（７）裏面の導体回路にスクリーン印刷に
より半田ペーストを塗布し、これを加熱溶融させて冷却
し、はんだボール１１を形成し、ＢＧＡ（ボールグリッ
ドアレイ）１２とした。（図１のｆ） （８）このＢＧＡ１２に半導体素子１５（ＩＣチップ）
を載置し、金線１４で導体回路８と接続した。(7) A solder paste was applied to the conductor circuit on the back surface by screen printing, and this was heated and melted and cooled to form solder balls 11, and a BGA (ball grid array) 12 was obtained. (F in FIG. 1) (8) A semiconductor element 15 (IC chip) is attached to the BGA 12.
Was placed and connected to the conductor circuit 8 with the gold wire 14.
【００４６】（９）ＤＭＤＧに溶解したクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂（日本化薬製分子量４０００）の
25％アクリル化物を７０重量部、ポリエーテルスルフォ
ン（ＰＥＳ）３０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化
成製、商品名：2E4MZ-CN）４重量部、、感光製モノマー
であるカプロラクトン変成トリスイソシアヌレート（東
亜合成製、商品名；アロニックスＭ３１５）１０重量
部、光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）５
重量部、光増感剤ミヒラーケトン（関東化学製）０．５
重量部、さらにこの混合物に対してエポキシ樹脂粒子
（東レ製 トレパール 平均粒径０．５μｍ）を４０重
量部を混合した後、ＮＭＰを添加しながら混合し、ホモ
ディスパー攪拌機で粘度２５０ CPSに調整し、続いて、
３本ロールで均一に混合混練して封止樹脂液を得た。(9) of cresol novolac type epoxy resin (Molecular weight 4000 manufactured by Nippon Kayaku) dissolved in DMDG
70 parts by weight of 25% acrylate, 30 parts by weight of polyether sulfone (PES), 4 parts by weight of imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Kasei, product name: 2E4MZ-CN), and caprolactone-modified tris isocyanurate as a photosensitive monomer ( Toagosei, trade name; Aronix M315) 10 parts by weight, benzophenone as a photoinitiator (Kanto Kagaku) 5
Parts by weight, photosensitizer Michler ketone (manufactured by Kanto Kagaku) 0.5
40 parts by weight of epoxy resin particles (Toray's Trepal average particle size 0.5 μm) were mixed with this part, and then mixed while adding NMP, and the viscosity was adjusted to 250 CPS with a homodisper agitator. ,continue,
A three-roll mill uniformly mixed and kneaded to obtain a sealing resin liquid.
【００４７】（１０）ＢＧＡにエポキシ樹脂をスクリー
ン印刷してこれを熱硬化して封止枠を設けた。この封止
枠に（９）の封止樹脂液を充填した。 （１１）その後、ＵＶ照射６Ｊ、８０℃／３ｈｒ、１０
０℃／ｈｒ、１５０℃／１２ｈｒ硬化を実施し、封止樹
脂を硬化させて、半導体装置とした。（図１のｇ） この半導体装置は、複数のＩＣチップを搭載してマルチ
チップパッケージとしてもよい。この封止用樹脂は、Ｐ
ＥＳを含有してなり、従来のエポキシ樹脂に比べて、Ｔ
ｇ点が高くなり、硬化度が高くなっている事より、より
吸水しにくくい封止樹脂であると言える。また、−６５
〜１２５℃の１０００サイクルのヒートサイクルでもク
ラックが発生しない。(10) An epoxy resin was screen-printed on BGA, and this was thermoset to provide a sealing frame. This sealing frame was filled with the sealing resin liquid (9). (11) After that, UV irradiation 6J, 80 ° C./3 hr, 10
Curing was performed at 0 ° C./hr and 150 ° C./12 hr, and the sealing resin was cured to obtain a semiconductor device. (G of FIG. 1) This semiconductor device may be mounted with a plurality of IC chips to form a multi-chip package. This sealing resin is P
Compared to conventional epoxy resins, T
Since the g point is high and the degree of curing is high, it can be said that the sealing resin is less likely to absorb water. Also, -65
Cracks do not occur even at a heat cycle of 1000 cycles at 125 ° C.
【００４８】実施例２ （１）ＤＭＤＧに溶解したクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂（日本化薬製分子量４０００）の25％アクリル
化物を７０重量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）
３０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品
名：2E4MZ-CN）４重量部、、感光製モノマーであるカプ
ロラクトン変成トリスイソシアヌレート（東亜合成製、
商品名；アロニックスＭ３１５）１０重量部、光開始剤
としてのベンゾフェノン（関東化学製）５重量部、光増
感剤ミヒラーケトン（関東化学製）０．５重量部、さら
にこの混合物に対してシリカ微粒子（ＮＳシリカ Ｘ−
０５ 日本触媒工業社製）を４０重量部を混合した後、
ＮＭＰを添加しながら混合し、ホモディスパー攪拌機で
粘度２５０ CPSに調整し、続いて、３本ロールで混練し
て封止樹脂液を得た。 （２）実施例１の場合と同様に、封止樹脂液を充填し
た。 （３）その後、ＵＶ照射６Ｊ、８０℃／３ｈｒ、１００
℃／ｈｒ、１２０℃／ｈｒ、１５０℃／１２ｈｒ硬化を
実施し、封止樹脂を硬化させて、半導体装置とした。Example 2 (1) 70 parts by weight of a 25% acrylate of a cresol novolac type epoxy resin (molecular weight 4000, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in DMDG, polyether sulfone (PES).
30 parts by weight, imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Kasei, trade name: 2E4MZ-CN) 4 parts by weight, caprolactone modified tris isocyanurate as a photosensitive monomer (manufactured by Toa Gosei,
Trade name; Aronix M315) 10 parts by weight, benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photoinitiator, 5 parts by weight, photosensitizer Michler ketone (manufactured by Kanto Kagaku) 0.5 part by weight, and silica fine particles ( NS silica X-
After mixing 40 parts by weight of 05
The mixture was mixed while adding NMP, the viscosity was adjusted to 250 CPS with a homodisper stirrer, and then the mixture was kneaded with three rolls to obtain a sealing resin solution. (2) As in the case of Example 1, the sealing resin liquid was filled. (3) After that, UV irradiation 6J, 80 ° C / 3hr, 100
C./hr, 120.degree. C./hr, 150.degree. C./12 hr curing was performed to cure the encapsulating resin to obtain a semiconductor device.
【００４９】実施例３ （１）ＤＭＤＧに溶解したクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂（日本化薬製分子量４０００）の25％アクリル
化物を７０重量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）
３０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品
名：2E4MZ-CN）４重量部、、感光製モノマーであるカプ
ロラクトン変成トリスイソシアヌレート（東亜合成製、
商品名；アロニックスＭ３１５）１０重量部、光開始剤
としてのベンゾフェノン（関東化学製）５重量部、光増
感剤ミヒラーケトン（関東化学製）０．５重量部、さら
にこの混合物に対してエポキシ樹脂粒子（東レ製 トレ
パール 平均粒径０．５μｍ）を４０重量部を混合した
後、ＮＭＰを添加しながら混合し、ホモディスパー攪拌
機で粘度２５０ CPSに調整し、続いて、３本ロールで混
練して封止枠用の樹脂液を得た。Example 3 (1) 70 parts by weight of a 25% acrylate of a cresol novolac type epoxy resin (molecular weight 4000 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in DMDG, polyether sulfone (PES).
30 parts by weight, imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Kasei, trade name: 2E4MZ-CN) 4 parts by weight, caprolactone modified tris isocyanurate as a photosensitive monomer (manufactured by Toa Gosei,
Trade name; Aronix M315) 10 parts by weight, benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photoinitiator, 5 parts by weight, photosensitizer Michler Ketone (manufactured by Kanto Kagaku) 0.5 parts by weight, and epoxy resin particles for this mixture. After mixing 40 parts by weight of Toray's Trepal average particle size 0.5 μm, the mixture is mixed while adding NMP, and the viscosity is adjusted to 250 CPS with a homodisper stirrer, followed by kneading with a three-roll mill and sealing. A resin liquid for a stationary frame was obtained.
【００５０】（２）実施例１と同様にしてＢＧＡを得
た。 （３）（１）で得た樹脂液を通常のスクリーン印刷によ
り、ＢＧＡの半導体搭載部の周囲に印刷した。 （４）次にＵＶ照射６Ｊと１５０℃、１時間の熱硬化に
より、上記樹脂を硬化させ、封止枠を形成した。 （５）ついで、この封止枠に中に半導体素子を搭載し、
金ワイヤでワイヤボンディングした。(2) A BGA was obtained in the same manner as in Example 1. (3) The resin liquid obtained in (1) was printed around the semiconductor mounting portion of the BGA by ordinary screen printing. (4) Next, the resin was cured by UV irradiation of 6 J and heat curing at 150 ° C. for 1 hour to form a sealing frame. (5) Then, the semiconductor element is mounted in this sealing frame,
Wire bonding was performed with a gold wire.
【００５１】（６）この封止枠にＤＭＤＧに溶解したク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製／分子
量４０００）の25％アクリル化物を充填し、ＵＶ照射６
Ｊ、１５０℃、１時間の熱硬化により、上記樹脂を硬化
させ、半導体素子を封止し、半導体装置を製造した。(6) This sealing frame was filled with 25% acrylate of a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku / molecular weight 4000) dissolved in DMDG, and UV irradiation 6
The resin was cured by thermosetting at J, 150 ° C. for 1 hour, and the semiconductor element was sealed to manufacture a semiconductor device.
【００５２】実施例４ （１）実施例１と同様にしてＢＧＡを得た後、この基板
に実施例３の（１）で製造した樹脂液をロールコータに
より、全面に塗布した。 （２）（２）で作成した塗布基板をダム形成部を白抜き
にした黒色フィルムを用い、露光し、その後現像を実施
し、半導体搭載部周囲に枠状に封止枠を形成した。Example 4 (1) After obtaining a BGA in the same manner as in Example 1, the resin solution prepared in (1) of Example 3 was applied to the entire surface of the substrate by a roll coater. (2) The coated substrate prepared in (2) was exposed to light using a black film having a white dam forming portion and then developed to form a frame-shaped sealing frame around the semiconductor mounting portion.
【００５３】（４）次にＵＶ照射６Ｊ、８０℃／３ｈ
ｒ、１００℃／ｈｒ、１２０℃／ｈｒ、１５０℃／１２
ｈｒ硬化を実施し、封止枠を形成した。 （５）この封止枠に半導体素子を搭載した後、金ワイヤ
でワイヤボンディングし、実施例１の封止樹脂を充填し
て、ＵＶ照射６Ｊ、８０℃／３ｈｒ、１００℃／ｈｒ、
１２０℃／ｈｒ、１５０℃／１２ｈｒ硬化を実施し、半
導体装置を得た。(4) Next, UV irradiation 6J, 80 ° C./3 h
r, 100 ° C / hr, 120 ° C / hr, 150 ° C / 12
An hr cure was performed to form a sealing frame. (5) After mounting a semiconductor element on this sealing frame, wire bonding is performed with a gold wire, the sealing resin of Example 1 is filled, and UV irradiation 6J, 80 ° C./3 hr, 100 ° C./hr,
Curing at 120 ° C./hr and 150 ° C./12 hr was carried out to obtain a semiconductor device.
【００５４】実施例５ （１）実施例１と同様にしてＢＧＡを得た。さらに、実
施例３と同様にして封止枠用樹脂液を得た。。 （２）この樹脂液を図３に示す治具に充填する。 （３）ＢＧＡ基板上に、上記治具を一定距離離し、治具
に圧力を加えて、基板上に必要量の樹脂を枠状に供給す
る。 （４）ついでＵＶ照射１２Ｊ、８０℃／３ｈｒ、１００
℃／ｈｒ、１５０℃／１２ｈｒ熱硬化を実施し、封止枠
を形成した。Example 5 (1) A BGA was obtained in the same manner as in Example 1. Furthermore, a resin liquid for a sealing frame was obtained in the same manner as in Example 3. . (2) The jig shown in FIG. 3 is filled with this resin liquid. (3) The jig is separated from the BGA substrate by a predetermined distance, pressure is applied to the jig, and a required amount of resin is supplied in a frame shape on the substrate. (4) UV irradiation 12J, 80 ° C / 3hr, 100
C./hr and 150.degree. C./12 hr were thermoset to form a sealing frame.
【００５５】（５）この封止枠に半導体素子を搭載した
後、金ワイヤでワイヤボンディングし、実施例１の封止
樹脂を充填して、ＵＶ照射６Ｊ、８０℃／３ｈｒ、１０
０℃／ｈｒ、１２０℃／ｈｒ、１５０℃／１２ｈｒ硬化
を実施し、半導体装置を得た。(5) After mounting a semiconductor element on this sealing frame, wire bonding is performed with a gold wire, the sealing resin of Example 1 is filled, and UV irradiation 6J, 80 ° C./3 hr, 10
Curing was performed at 0 ° C./hr, 120 ° C./hr, 150 ° C./12 hr to obtain a semiconductor device.
【００５６】実施例６ 基本的には、実施例１と同様であるが、樹脂組成物とし
て、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製、商品名：EOCN-104Sエポキシ当量 220 、分子量 2
500）65重量部、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）（Ｂ
ＡＳＦ製、商品名：Ｅ−１０１０ 分子量１７０００）
40重量部、イミダゾール系硬化剤（四国化成製、商品
名：2E4MZ-CN）５重量部およびシリカ微粉末を平均粒径
5.5 μｍのものを20重量部、平均粒径0.5 μｍのものを
10重量部を混合した後、ＮＭＰ溶剤を添加しながら、ホ
モディスパー攪拌機で粘度120CPSに調整し、続いて、３
本ロールで混練して封止樹脂液を得た。この乾燥硬化条
件は、80℃で２時間、120 ℃で５時間、150 ℃で２時間
であった。Example 6 Basically, the same as in Example 1, except that a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku, trade name: EOCN-104S epoxy equivalent 220, molecular weight 2) was used as the resin composition.
500) 65 parts by weight, polyether sulfone (PES) (B
ASF, trade name: E-1010, molecular weight 17,000)
40 parts by weight, 5 parts by weight of imidazole type curing agent (manufactured by Shikoku Kasei, trade name: 2E4MZ-CN) and silica fine powder have an average particle size.
20 parts by weight of 5.5 μm, average particle size of 0.5 μm
After mixing 10 parts by weight, the viscosity was adjusted to 120 CPS with a homodisper stirrer while adding the NMP solvent, and then 3
This roll was kneaded to obtain a sealing resin liquid. The dry curing conditions were 80 ° C. for 2 hours, 120 ° C. for 5 hours, and 150 ° C. for 2 hours.
【００５７】実施例７ 基本的には、実施例１と同様であるが、樹脂組成物とし
て、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（油化シェル
製）のエポキシ基の 100％アクリル化した感光性オリゴ
マー、ＰＥＳ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品
名：2E4MZ-CN）、感光製モノマーであるアクリル化イソ
チオシアネート（東亜合成製、商品名；アロニックスＭ
２１５）、光開始剤（チバガイギー製、商品名：I-907
）を用い、下記組成でＮＭＰを用いて混合し、さらに
この混合物に対してシリカ微粉末を平均粒径5.5 μｍの
ものを20重量部、平均粒径0.5 μｍのものを10重量部を
混合した後、ホモディスパー攪拌機で粘度120CPSに調整
し、続いて、３本ロールで混練して封止樹脂液を得た。 樹脂組成：感光化エポキシ／ＰＥＳ／Ｍ２１５／I-907
／イミダゾール＝80／20／10／５／５Example 7 Basically the same as in Example 1, except that the resin composition was a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.), which was a 100% acrylated photosensitive oligomer of epoxy groups, PES. , Imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Kasei, trade name: 2E4MZ-CN), acrylated isothiocyanate which is a photosensitive monomer (manufactured by Toagosei, trade name; Aronix M
215), a photoinitiator (manufactured by Ciba Geigy, trade name: I-907
) Was mixed with NMP with the following composition, and further 20 parts by weight of silica fine powder having an average particle size of 5.5 μm and 10 parts by weight of an average particle size of 0.5 μm were mixed with this mixture. Then, the viscosity was adjusted to 120 CPS with a homodisper stirrer, and subsequently, the mixture was kneaded with three rolls to obtain a sealing resin solution. Resin composition: Photosensitized epoxy / PES / M215 / I-907
/ Imidazole = 80/20/10/5/5
【００５８】実施例８ 基本的には、実施例３と同様であるが、封止枠形成の樹
脂組成物として、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、商品名：EOCN-104Sエポキシ当量 220
、分子量 5000）65重量部、ポリエーテルスルホン
（ＰＥＳ）（ＩＣＩ製、商品名：Victrex 分子量1700
0 ）40重量部、イミダゾール系硬化剤（四国化成製、商
品名：2E4MZ-CN）５重量部およびシリカ微粉末を平均粒
径5.5 μｍのものを20重量部、平均粒径0.5 μｍのもの
を10重量部を混合した後、ＮＭＰ溶剤を添加しながら、
ホモディスパー攪拌機で粘度120CPSに調整し、続いて、
３本ロールで混練して封止枠形成用の樹脂液を得た。こ
の樹脂液の印刷はスクリーン印刷により枠状に行ない、
乾燥硬化条件は、80℃で２時間、120 ℃で５時間、150
℃で２時間であった。Example 8 Basically, the same as Example 3, but as a resin composition for forming a sealing frame, a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku, trade name: EOCN-104S epoxy equivalent 220)
, Molecular weight 5000) 65 parts by weight, polyether sulfone (PES) (manufactured by ICI, trade name: Victrex molecular weight 1700
0) 40 parts by weight, 5 parts by weight of imidazole type curing agent (manufactured by Shikoku Kasei, trade name: 2E4MZ-CN) and 20 parts by weight of fine silica powder having an average particle size of 5.5 μm and 0.5 μm of average particle size. After mixing 10 parts by weight, while adding the NMP solvent,
Adjust the viscosity to 120 CPS with a homodisper stirrer, then
The mixture was kneaded with three rolls to obtain a resin liquid for forming a sealing frame. This resin liquid is printed in a frame shape by screen printing,
Dry curing conditions are 80 ℃ for 2 hours, 120 ℃ for 5 hours, 150
It was 2 hours at ° C.
【００５９】実施例９ 基本的には、実施例３と同様であるが、封止枠形成の樹
脂組成物として、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（油化シェル製）のエポキシ基の 100％アクリル化した
感光性オリゴマー、ＰＥＳ、イミダゾール硬化剤（四国
化成製、商品名：2E4MZ-CN）、感光製モノマーであるア
クリル化イソチオシアネート（東亜合成製、商品名；ア
ロニックスＭ２１５）、光開始剤（チバガイギー製、商
品名：I-907 ）を用い、下記組成でＮＭＰを用いて混合
し、さらにこの混合物に対してシリカ微粉末を平均粒径
5.5 μｍのものを20重量部、平均粒径0.5 μｍのものを
10重量部を混合した後、ホモディスパー攪拌機で粘度12
0CPSに調整し、続いて、３本ロールで混練して封止枠形
成用の樹脂溶液を得た。 樹脂組成：感光化エポキシ／ＰＥＳ／Ｍ２１５／I-907
／イミダゾール＝80／20／10／５／５Example 9 Basically, the same as in Example 3, but as the resin composition for forming the sealing frame, 100% of the epoxy groups of the cresol novolac type epoxy resin (made by Yuka Shell) was acrylated. Photosensitive oligomer, PES, imidazole curing agent (Shikoku Kasei, trade name: 2E4MZ-CN), photosensitive monomer acrylated isothiocyanate (Toagosei, trade name; Aronix M215), photoinitiator (Ciba Geigy, (Trade name: I-907), and mixed with NMP in the following composition, and fine silica powder is added to the mixture to give an average particle size.
20 parts by weight of 5.5 μm, average particle size of 0.5 μm
After mixing 10 parts by weight, use a homodisper agitator to obtain a viscosity of 12
The resin solution for forming the sealing frame was obtained by adjusting to 0 CPS and then kneading with a three-roll mill. Resin composition: Photosensitized epoxy / PES / M215 / I-907
/ Imidazole = 80/20/10/5/5
【００６０】実施例１０ （その１）実施例１の（１）と同様にして両面プリント
配線板を得た。このプリント配線板にはんだペーストを
スクリーン印刷し、加熱溶融し、冷却してはんだボール
を形成した。このはんだボールにＩＣチップを搭載し
て、リフローしてＩＣチップを実装した。この搭載した
ＩＣチップと基板の隙間に実施例１に示した封止用樹脂
を８０℃に加熱しながら、注入して、実施例１と同様の
条件で硬化させた。 （その２）その１において、実施例１の封止樹脂の代わ
りに実施例６の封止樹脂を使用した。 （その３）その１において、実施例１の封止樹脂の代わ
りに実施例７の封止樹脂を使用した。Example 10 (Part 1) A double-sided printed wiring board was obtained in the same manner as in (1) of Example 1. Solder paste was screen-printed on this printed wiring board, heated and melted, and cooled to form solder balls. An IC chip was mounted on this solder ball and reflowed to mount the IC chip. The sealing resin shown in Example 1 was injected into the gap between the mounted IC chip and the substrate while heating at 80 ° C., and the resin was cured under the same conditions as in Example 1. (Part 2) In Part 1, the sealing resin of Example 6 was used instead of the sealing resin of Example 1. (Part 3) In Part 1, the sealing resin of Example 7 was used instead of the sealing resin of Example 1.
【００６１】実施例１１ （１）実施例１（１）と同様にして両面スルーホール基
板を得た。（図２のａ） （２）この両面スルーホール配線板のスルーホール部に
Ｂステージのエポキシ樹脂３をスクリーン印刷により充
填させた後、熱処理を施して加熱硬化させた。表層に付
着した樹脂をバフ研磨により除去してスルーホールが充
填された両面スルーホール配線板を得た。（図２のｂ） （３）この基板に実施例１の（１）〜（２）で作成した
感光性接着剤溶液をロールコーターで塗布して、露光現
像処理し、ＵＶ硬化、熱処理により１００μｍの開口部
を持つ絶縁層４を形成した。（図２のｃ） （４）クロム酸により粗化処理を行い、絶縁層の表面に
アンカー５を形成した。 （５）全面にパラジウム触媒を付与した後、めっきレジ
スト７を形成し、無電解銅めっきを行ない、導体回路８
を形成した。 （６）ソルダーレジスト（図示せず）を形成して、半導
体搭載用基板１２とした。Example 11 (1) A double-sided through hole substrate was obtained in the same manner as in Example 1 (1). (A in FIG. 2) (2) After filling the through holes of this double-sided through hole wiring board with the epoxy resin 3 of the B stage by screen printing, heat treatment was applied to heat cure. The resin adhering to the surface layer was removed by buffing to obtain a double-sided through hole wiring board filled with through holes. (B in FIG. 2) (3) The photosensitive adhesive solution prepared in (1) to (2) of Example 1 was applied to this substrate by a roll coater, exposed and developed, and UV-cured and heat-treated to 100 μm. The insulating layer 4 having the openings of was formed. (C in FIG. 2) (4) Roughening treatment was performed with chromic acid to form anchors 5 on the surface of the insulating layer. (5) After applying a palladium catalyst on the entire surface, a plating resist 7 is formed, electroless copper plating is performed, and a conductor circuit 8 is formed.
Was formed. (6) A solder resist (not shown) was formed to obtain the semiconductor mounting substrate 12.
【００６２】（７）はんだペーストをスクリーン印刷し
て塗布し、リフローを行ない、溶融させて接続用のはん
だバンプ１１を形成した。（図２のｄ） （８）ＩＣチップ１５を搭載した後、リフローを行な
い、基板に実装した。 （９）搭載したチップと基板の間からビスフェノールＦ
型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ製 Ｅ−８０７）
７０重量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）３０重
量部、エポキシ硬化剤として、ジシアンジアミド（ＤＩ
ＣＹ）５重量部、シリカ微粒子（ＮＳシリカ Ｘ−０５
日本触媒工業）５０重量部の組成を持つ封止樹脂１６
を８０℃に加熱しながら、注入し、ＩＣチップを封止し
た。（図２のｅ）(7) Solder paste was screen-printed and applied, reflowed and melted to form solder bumps 11 for connection. (D in FIG. 2) (8) After mounting the IC chip 15, reflow was performed and the IC chip 15 was mounted on the substrate. (9) Bisphenol F from between the mounted chip and substrate
Type epoxy resin (E-807 made by Yuka Shell Epoxy)
70 parts by weight, 30 parts by weight of polyether sulfone (PES), dicyandiamide (DI as an epoxy curing agent
CY) 5 parts by weight, silica fine particles (NS silica X-05
(Nippon Shokubai Kogyo) Encapsulating resin 16 having a composition of 50 parts by weight
While heating to 80 ° C., it was injected to seal the IC chip. (E in FIG. 2)
【００６３】比較例１ 基本的に実施例１と同様であるが、封止用樹脂液とし
て、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製、商品名：EOCN-104S エポキシ当量 220 、分子量
5000）65重量部、イミダゾール系硬化剤（四国化成製、
商品名：2E4MZ-CN）５重量部およびシリカ微粉末を平均
粒径5.5 μｍのものを20重量部、平均粒径0.5 μｍのも
のを10重量部を混合した後、ＮＭＰ溶剤を添加しなが
ら、ホモディスパー攪拌機で粘度120CPSに調整し、続い
て、３本ロールで混練して樹脂液を得た。Comparative Example 1 Basically the same as in Example 1, except that a cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku, trade name: EOCN-104S epoxy equivalent 220, molecular weight) was used as a sealing resin liquid.
5000) 65 parts by weight, imidazole-based curing agent (manufactured by Shikoku Kasei,
Product name: 2E4MZ-CN) 5 parts by weight, and fine silica powder having an average particle size of 5.5 μm in an amount of 20 parts by weight, and having an average particle size of 0.5 μm in an amount of 10 parts by weight, while adding an NMP solvent, The viscosity was adjusted to 120 CPS with a homodisper stirrer and subsequently kneaded with three rolls to obtain a resin liquid.
【００６４】比較例２ 基本的に実施例１と同様であるが、ＤＭＤＧに溶解した
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製
分子量４０００）の25％アクリル化物を７０重量部、イ
ミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4MZ-CN）４
重量部、、感光製モノマーであるカプロラクトン変成ト
リスイソシアヌレート（東亜合成製、商品名；アロニッ
クスＭ３１５）１０重量部、光開始剤としてのベンゾフ
ェノン（関東化学製）５重量部、光増感剤ミヒラーケト
ン（関東化学製）０．５重量部、さらにこの混合物に対
してエポキシ樹脂粒子（東レ製 トレパール 平均粒径
０．５μｍ）を４０重量部を混合した後、ＮＭＰを添加
しながら混合し、ホモディスパー攪拌機で粘度２５０ C
PSに調整し、続いて、３本ロールで混練して封止枠用の
樹脂液を得た。Comparative Example 2 Basically the same as in Example 1, except that cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku) dissolved in DMDG was used.
70 parts by weight of 25% acrylate having a molecular weight of 4000), an imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Kasei, trade name: 2E4MZ-CN) 4
Parts by weight, 10 parts by weight of caprolactone-modified tris isocyanurate (manufactured by Toagosei, trade name; Aronix M315), which is a photosensitive monomer, 5 parts by weight of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photoinitiator, photosensitizer Michler ketone ( (Kanto Chemical Co., Ltd.) 0.5 part by weight, and further 40 parts by weight of epoxy resin particles (Toray's Trepal average particle size 0.5 μm) are mixed with this mixture, and then mixed while adding NMP, and a homodisper agitator. Viscosity of 250 C
It was adjusted to PS and subsequently kneaded with a three-roll mill to obtain a resin liquid for a sealing frame.
【００６５】これらの実施例により得られた半導体装置
について、次の試験を行ない、結果を表１に示した。 １）ヒートサイクル試験 −６５〜１２５℃で１０００サイクルの冷熱試験を行
い、剥離、クラックが発生するまでのサイクル数を測定
した。 ２）耐水性 １２１℃、２気圧、飽和水蒸気圧で、ＩＣが誤動作を起
こすまでの時間を測定した。 通常１００〜５００時間程度が望まれる。１０００時間
を越えると非常に高性能と言える。The following tests were conducted on the semiconductor devices obtained in these examples, and the results are shown in Table 1. 1) Heat cycle test A 1000-cycle cooling / heating test was performed at -65 to 125 ° C to measure the number of cycles until peeling and cracking occurred. 2) Water resistance At 121 ° C., 2 atm, and saturated water vapor pressure, the time until the IC malfunctions was measured. Usually, about 100 to 500 hours is desired. It can be said that the performance is extremely high when it exceeds 1000 hours.
【００６６】[0066]
【表１】 [Table 1]
【００６７】[0067]
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体搭載
用基板の封止樹脂、封止枠用樹脂およびそれらを使用し
た半導体装置は、耐熱衝撃特性、耐水性、密着力に優
れ、半導体装置としての信頼性に優れるものである。As described above, the encapsulating resin for the semiconductor mounting substrate, the encapsulating frame resin, and the semiconductor device using the same according to the present invention are excellent in thermal shock resistance, water resistance and adhesion. It has excellent reliability as a device.
【図１】図１のａ〜ｇは、本願発明の半導体装置の製造
工程図1A to 1G are manufacturing process diagrams of a semiconductor device of the present invention.
【図２】図２のａ〜ｅは、本願発明の半導体装置の製造
工程図2A to 2E are manufacturing process diagrams of a semiconductor device of the present invention.
【図３】図３は、本願発明の充填用治具の模式図であ
る。FIG. 3 is a schematic view of a filling jig of the present invention.
１ 基板 ２ 導体回路 ３ スルーホール埋めの樹脂 ４ 層間絶縁層 ５ 粗化面 ６ 座ぐり部分 ７ めっきレジスト ８ 導体回路 ９ キャビティー １０ ニッケル−金めっき層 １１ はんだボール １２ 半導体搭載用基板（ＢＧＡ） １３ 封止枠 １３’封止枠用樹脂 １４ 金線 １５ ＩＣチップ １６ 封止樹脂 １７ 封止枠形成治具 1 Substrate 2 Conductor Circuit 3 Resin for Filling Through Hole 4 Interlayer Insulating Layer 5 Roughened Surface 6 Counterbore 7 Plating Resist 8 Conductor Circuit 9 Cavity 10 Nickel-Gold Plating Layer 11 Solder Ball 12 Semiconductor Mounting Substrate (BGA) 13 Sealing frame 13 'Resin for sealing frame 14 Gold wire 15 IC chip 16 Sealing resin 17 Sealing frame forming jig
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｃ 6921−4Ｅ Ｋ 6921−4Ｅ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication H01L 23/28 C 6921-4E K 6921-4E
Claims (7)
硬化基の一部が感光基で置換された熱硬化性樹脂から選
ばれる少なくとも１種の樹脂と熱可塑性樹脂との均一混
合物から成ることを特徴とする封止用樹脂組成物。1. A uniform mixture of at least one resin selected from an uncured thermosetting resin, a photosensitive resin, and a thermosetting resin in which a part of the thermosetting group is replaced with a photosensitive group, and a thermoplastic resin. A resin composition for encapsulation, comprising:
硬化基の一部が感光基で置換された熱硬化性樹脂から選
ばれる少なくとも１種の樹脂と熱可塑性樹脂との均一混
合物から成ることを特徴とする封止枠用樹脂組成物。2. A homogeneous mixture of at least one resin selected from an uncured thermosetting resin, a photosensitive resin, and a thermosetting resin in which a part of the thermosetting group is replaced with a photosensitive group, and a thermoplastic resin. A resin composition for a sealing frame, comprising:
搭載部、その搭載部の周囲に形成された導体回路、該導
体回路と電気的に接続された外部端子を有し、前記搭載
部の周囲に封止枠が設けられてなる半導体素子搭載用基
板であって、 前記封止枠は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化基の
一部が感光基で置換された熱硬化性樹脂から選ばれる少
なくとも１種の樹脂と熱可塑性樹脂からなり、疑似均一
相溶構造を形成してなる硬化処理された樹脂複合体から
なることを特徴とする半導体素子搭載用基板。3. A mounting part for mounting a semiconductor element on a substrate, a conductor circuit formed around the mounting part, and an external terminal electrically connected to the conductor circuit, the mounting part comprising: Is a substrate for mounting a semiconductor element having a sealing frame provided around, wherein the sealing frame is a thermosetting resin, a photosensitive resin, a thermosetting resin in which a part of the thermosetting group is replaced with a photosensitive group. A substrate for mounting a semiconductor element, which comprises a cured resin composite which is composed of at least one resin selected from organic resins and a thermoplastic resin and which forms a pseudo-homogeneous compatible structure.
部、その搭載部の周囲に形成された該半導体素子と電気
的に接続した導体回路、該導体回路と電気的に接続され
た外部端子を有し、前記搭載部が封止樹脂で封止されて
なる半導体装置であって、 前記封止樹脂は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化基
の一部が感光基で置換された熱硬化性樹脂から選ばれる
少なくとも１種の樹脂と熱可塑性樹脂からなり、疑似均
一相溶構造を形成してなる硬化処理された樹脂複合体で
あることを特徴とする半導体装置。4. A mounting portion having a semiconductor element mounted on a substrate, a conductor circuit electrically connected to the semiconductor element formed around the mounting portion, and an external terminal electrically connected to the conductor circuit. A semiconductor device having the mounting portion sealed with a sealing resin, wherein the sealing resin is a thermosetting resin, a photosensitive resin, or a part of the thermosetting group is replaced with a photosensitive group. A semiconductor device, which is a cured resin composite formed of at least one resin selected from thermosetting resins and a thermoplastic resin and forming a pseudo-homogeneous compatible structure.
か、もしくはキャップにて覆われてなる請求項４に記載
の半導体装置。5. The semiconductor device according to claim 4, wherein the mounting portion is surrounded by a frame or covered with a cap.
素子が搭載され、その半導体素子が、封止樹脂により封
止されてなる半導体装置であって、 前記封止樹脂は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化基
の一部が感光基で置換された熱硬化性樹脂から選ばれる
少なくとも１種の樹脂と熱可塑性樹脂からなり、疑似均
一相溶構造を形成してなる硬化処理された樹脂複合体で
あることを特徴とする半導体装置。6. A semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on a substrate on which a conductor circuit is formed, and the semiconductor element is sealed with a sealing resin, wherein the sealing resin is thermosetting. At least one resin selected from a resin, a photosensitive resin, and a thermosetting resin in which a part of the thermosetting group is substituted with a photosensitive group, and a thermoplastic resin, and a curing treatment for forming a pseudo-homogeneous compatible structure. A semiconductor device, which is a cured resin composite.
部、その搭載部の周囲に形成された該半導体素子と電気
的に接続した導体回路、該導体回路と電気的に接続され
た外部端子を有し、前記搭載部の周囲に封止枠が設けら
れ、その封止枠内部に樹脂が充填されて、半導体素子が
封止されてなる半導体装置であって、 前記封止枠は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化基の
一部が感光基で置換された熱硬化性樹脂から選ばれる少
なくとも１種の樹脂と熱可塑性樹脂からなり、疑似均一
相溶構造を形成してなる硬化処理された樹脂複合体から
なることを特徴とする半導体装置。7. A mounting portion on which a semiconductor element is mounted on a substrate, a conductor circuit formed around the mounting portion and electrically connected to the semiconductor element, and an external terminal electrically connected to the conductor circuit. A sealing frame is provided around the mounting portion, the inside of the sealing frame is filled with resin, and the semiconductor element is sealed, wherein the sealing frame is a At least one resin selected from a curable resin, a photosensitive resin, and a thermosetting resin in which a part of the thermosetting group is replaced with a photosensitive group, and a thermoplastic resin to form a pseudo-homogeneous compatible structure. A semiconductor device comprising a cured resin composite.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22261194A JPH0864728A (en) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | Sealing resin composition, sealing frame composition, semiconductor chip mounting board on which sealing frame is provided and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP22261194A JPH0864728A (en) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | Sealing resin composition, sealing frame composition, semiconductor chip mounting board on which sealing frame is provided and semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864728A true JPH0864728A (en) | 1996-03-08 |
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ID=16785174
Family Applications (1)
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| JP22261194A Pending JPH0864728A (en) | 1994-08-23 | 1994-08-23 | Sealing resin composition, sealing frame composition, semiconductor chip mounting board on which sealing frame is provided and semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864728A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007084829A (en) * | 2006-09-26 | 2007-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | Molded resin part |
| JP2011231252A (en) * | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Resin composition and resin-sealed semiconductor device |
| JP2014080479A (en) * | 2012-10-15 | 2014-05-08 | Fujifilm Corp | Sealing agent for semiconductor light-emitting device, sealing agent of semiconductor light-emitting device using the same and semiconductor light-emitting device |
| JP2017210593A (en) * | 2016-02-12 | 2017-11-30 | 富士電機株式会社 | Resin composition and electronic component |
| CN114080427A (en) * | 2019-07-12 | 2022-02-22 | 日东电工株式会社 | Sealing resin sheet |
-
1994
- 1994-08-23 JP JP22261194A patent/JPH0864728A/en active Pending
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