JP6217870B2 - Structure, wiring board, and method of manufacturing wiring board - Google Patents
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Description
本発明は、配線基板の製造に用いられる構造体、配線基板および配線基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a structure used for manufacturing a wiring board, a wiring board, and a method for manufacturing the wiring board.
半導体素子の最外層におけるパッド部の開口形成プロセスとして、以下の文献に記載されたプロセスが知られている。 A process described in the following document is known as a process for forming an opening in a pad portion in the outermost layer of a semiconductor element.
特許文献１には、以下のようなプロセスが記載されている。
まず、熱硬化性樹脂組成物を用いてソルダーレジスト層を形成する。次いで、ソルダーレジスト層を、基板上に形成された導電パッドの表面を覆うように積層させて構造体（積層体）を得る。次に、上記導電パッドが露出するように、たとえば、炭酸ガスレーザーをソルダーレジスト層に対して照射して開口部を形成する。この後、デスミア処理とプラズマ処理をこの順で行うことにより、露出した導電パッド表面に付着している樹脂残留物（スミア）を除去して配線基板を得る。つづいて、露出した導電パッド上にハンダバンプやボンディングワイヤを接続させる。Patent Document 1 describes the following process.
First, a solder resist layer is formed using a thermosetting resin composition. Next, a solder resist layer is laminated so as to cover the surface of the conductive pad formed on the substrate to obtain a structure (laminated body). Next, for example, a carbon dioxide gas laser is irradiated to the solder resist layer so that the conductive pad is exposed to form an opening. Thereafter, the desmear process and the plasma process are performed in this order to remove the resin residue (smear) adhering to the exposed conductive pad surface and obtain a wiring board. Subsequently, solder bumps and bonding wires are connected to the exposed conductive pads.
しかしながら、特許文献１等に記載されている従来のプロセスは、以下の技術的課題を有していた。配線基板の製造現場においては、実際、当該配線基板として、複数の回路と複数の導電パッドとを備えたものを作製する場合がほとんどである。そのため、従来のプロセスにおいても、作業性や生産性の観点から、複数の開口部を一回のエッチング処理により同時に形成する必要があった。そして、複数の開口部を同時に形成する場合、各開口部間でエッチング処理度合いにバラつきが生じることがあった。 However, the conventional process described in Patent Document 1 has the following technical problems. In the manufacturing site of a wiring board, in fact, in most cases, a wiring board having a plurality of circuits and a plurality of conductive pads is produced. Therefore, also in the conventional process, from the viewpoint of workability and productivity, it is necessary to simultaneously form a plurality of openings by one etching process. When forming a plurality of openings at the same time, the degree of etching treatment may vary between the openings.
こうした事情を踏まえると、従来のプロセスでは、形成する全ての開口部において導電パッドを確実に露出させるため、先に導電パッドが露出した開口部についてもエッチング処理を継続する必要が有った。その結果、いくつかの開口部においては導電パッドやコア基板の表面に対してエッチングダメージが加わる可能性があった。さらに、エッチングダメージのある、導電パッドやコア基板を備えた配線基板を用いて作製された半導体パッケージは、コア基板の耐久性や、導電パッドと当該導電パッド上に形成される、ハンダバンプやボンディングワイヤとの接続信頼性という点について、改善の余地を有していた。言い換えれば、従来のプロセスは、耐久性および接続信頼性に優れた半導体パッケージの歩留りが十分に向上しないという問題があった。 In view of such circumstances, in the conventional process, in order to surely expose the conductive pads in all the openings to be formed, it is necessary to continue the etching process for the openings in which the conductive pads were previously exposed. As a result, etching damage may be applied to the surface of the conductive pad and the core substrate in some openings. Further, a semiconductor package manufactured using a wiring board having a conductive pad and a core substrate, which is damaged by etching, has a durability of the core substrate and a solder bump or bonding wire formed on the conductive pad and the conductive pad. There was room for improvement in terms of connection reliability. In other words, the conventional process has a problem that the yield of a semiconductor package excellent in durability and connection reliability is not sufficiently improved.
そこで、本発明は、耐久性および接続信頼性に優れた半導体パッケージを歩留りよく作製することが可能な配線基板の製造に用いられる構造体、係る構造体を用いた配線基板、および、係る配線基板の製造方法を提供する。 Therefore, the present invention provides a structure used for manufacturing a wiring board capable of producing a semiconductor package excellent in durability and connection reliability with a high yield, a wiring board using such a structure, and such a wiring board. A manufacturing method is provided.
本発明によれば、コア基板と、
前記コア基板の少なくとも一方の面上に設けられた導電パターンと、
前記導電パターンおよび前記コア基板の前記一方の面を覆うようにし、かつ、これらに直接接触して設けられたソルダーレジスト層とを有し、
前記コア基板の前記一方の面は、前記導電パターンが接触する第１の領域と、前記第１の領域と隣接する第２の領域とを備え、少なくとも前記第２の領域のブラスト処理に対するエッチング耐性が、前記ソルダーレジスト層の前記ブラスト処理に対するエッチング耐性より高いことを特徴とする構造体が提供される。
According to the present invention, a core substrate;
A conductive pattern provided on at least one surface of the core substrate;
The conductive patterns and to cover the one surface of the core substrate, and, and a solder resist layer provided in contact these directly,
The one surface of the core substrate includes a first region in contact with the conductive pattern, and a second region adjacent to the first region, and at least etching resistance to blasting of the second region However, the structure is characterized in that the solder resist layer has higher etching resistance to the blasting process.
さらに、本発明によれば、コア基板と、前記コア基板の少なくとも一方の面上に設けられた導電パターンと、前記導電パターンおよび前記コア基板の前記一方の面を覆うようにし、かつ、これらに直接接触して設けられたソルダーレジスト層とを有する構造体であって、かつ前記ソルダーレジスト層が前記構造体の最外層に積層されてなる前記構造体を準備する工程と、
前記ソルダーレジスト層に対してブラスト処理を実施することにより、前記ソルダーレジスト層を貫通して、前記コア基板の前記一方の面の一部と前記導電パターンの一部とが露出する少なくとも１つの開口部を形成する工程と、
をこの順に有し、
前記開口部を形成する工程は、前記ソルダーレジスト層のうち、前記開口部を形成する領域にブラスト処理を行うことによって開口を形成する工程を含み、
前記コア基板の前記一方の面は、前記導電パターンが接触する第１の領域と、前記第１の領域と隣接する第２の領域とを備え、少なくとも前記第２の領域の前記ブラスト処理に対するエッチング耐性が、前記ソルダーレジスト層の前記ブラスト処理に対するエッチング耐性より高いことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
Furthermore, according to the present invention, so as to cover the core substrate, and a conductive pattern provided on at least one surface of the core substrate, the conductive pattern and the one surface of the core substrate, and these Preparing a structure having a solder resist layer provided in direct contact with and having the solder resist layer laminated on the outermost layer of the structure;
By performing a blast process on the solder resist layer, at least one opening penetrating the solder resist layer and exposing a part of the one surface of the core substrate and a part of the conductive pattern is exposed. Forming a part;
In this order,
The step of forming the opening includes a step of forming an opening by performing a blasting process on a region of the solder resist layer in which the opening is formed,
The one surface of the core substrate includes a first region in contact with the conductive pattern and a second region adjacent to the first region, and at least etching of the second region with respect to the blast treatment There is provided a method for manufacturing a wiring board, wherein the resistance of the solder resist layer is higher than the etching resistance of the solder resist layer to the blast treatment.
本発明によれば、耐久性および接続信頼性に優れた半導体パッケージを歩留りよく作製することが可能な配線基板の製造に用いられる構造体、係る構造体を用いた配線基板、および係る配線基板の製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the structure used for manufacture of the wiring board which can produce the semiconductor package excellent in durability and connection reliability with a sufficient yield, the wiring board using such a structure, and such a wiring board A manufacturing method can be provided.
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
まず、本実施形態に係る構造体および配線基板について説明する。Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.
First, the structure and wiring board according to this embodiment will be described.
＜構造体および配線基板＞
図１（ａ）は、本実施形態に係る構造体の一例を模式的に示す断面図であり、図１（ｂ）は、本実施形態に係る配線基板の一例を模式的に示す断面図である。
本実施形態に係る構造体１０００は、本実施形態の配線基板２０の製造に用いられる。構造体１０００は、図１（ａ）に示すように、コア基板２２と、コア基板２２の少なくとも一方の面上（本実施形態では、コア基板２２の各表面上）に設けられた導電パターン２４と、導電パターン２４を覆うように、コア基板２２の各表面上に設けられたソルダーレジスト層１０と、を有する。この構造体１０００のソルダーレジスト層１０の所定領域にブラスト処理を実施することにより、構造体１０００（ソルダーレジスト層１０）に開口部２８が形成された配線基板２０を得ることができる（図１（ｂ）参照）。すなわち、配線基板２０は、上記構造体１０００のソルダーレジスト層１０を貫通して設けられ、コア基板２２の各表面の一部と導電パターン２４の一部とが露出する複数の開口部２８を有している。<Structure and wiring board>
FIG. 1A is a cross-sectional view schematically showing an example of a structure according to this embodiment, and FIG. 1B is a cross-sectional view schematically showing an example of a wiring board according to this embodiment. is there.
The
そして、本実施形態に係る構造体１０００においては、コア基板２２の両面は、導電パターン２４が接触する第１の領域と、第１の領域と隣接する第２の領域とを備え、少なくとも第２の領域のブラスト処理に対するエッチング耐性が、ソルダーレジスト層１０のブラスト処理に対するエッチング耐性より高い。このような構造体１０００を用いることにより、開口部２８に露出した導電パッド２４やコア基板２２の表面に対するエッチングダメージが抑えられた配線基板２０を得ることができる。したがって、かかる配線基板２０を用いることにより、耐久性および接続信頼性に優れた半導体パッケージを歩留りよく作製することができる。なお、本実施形態の構造体１０００では、後述するように、コア基板２２の最外層（最上層）をエッチング阻止膜で構成することができる。かかる構造体１０００では、上記第１の領域および上記第２の領域のブラスト処理に対するエッチング耐性を、ソルダーレジスト層１０のブラスト処理に対するエッチング耐性よりも高くすることができる。かかる構成とすることで、耐久性および接続信頼性に優れた半導体パッケージを、より容易に、かつ、より高い歩留りで作成することができる配線基板２０を得ることができる。
In the
本発明者は、従来の構造体に対して開口部を形成することにより得られた配線基板について、複数ある開口部の内いくつかの開口部においては導電パッドやコア基板の表面に対してエッチングダメージが加わる可能性があることを見出した。さらに、本発明者は、上記従来の構造体を用いて作製された半導体パッケージは、コア基板の耐久性や、導電パッドと、当該導電パッド上に形成されるハンダバンプやボンディングワイヤとの接続信頼性について、改善の余地を有していることも見出した。 The present inventor, with respect to a wiring board obtained by forming openings in a conventional structure, etches the surface of a conductive pad or core substrate in some of the openings. I found that there is a possibility of damage. Further, the present inventor has found that the semiconductor package manufactured using the above-described conventional structure has the durability of the core substrate and the connection reliability between the conductive pad and the solder bump or bonding wire formed on the conductive pad. I also found that there is room for improvement.
本発明者は、上述した不都合が生じることのない半導体パッケージを実現するための設計指針について鋭意検討した結果、耐久性および接続信頼性に優れた半導体パッケージを歩留りよく作製することが可能な構造体を実現するためには、ブラスト処理に対するコア基板２２の最外層と、ソルダーレジスト層１０とのエッチング耐性度合のバランスを制御することが有効であることを見出した。したがって、本実施形態では、上記構造体１０００を用いて製造される配線基板２０が、ブラスト処理を実施することにより得られた複数の開口部２８を有することを前提としている。
また、コア基板２２の最外層のうち、導電パターン２４が接触しない上記第２の領域のエッチング耐性が、ソルダーレジスト層１０のエッチング耐性よりも高ければ、露出した導電パッド２４やコア基板２２の表面に対するエッチングダメージを抑えることができる。したがって、かかる構成でも、コア基板２２の最外層全体のエッチング耐性を、ソルダーレジスト層１０のエッチング耐性よりも高くした場合と同様の効果を得ることができる。As a result of intensive studies on design guidelines for realizing a semiconductor package that does not cause the above-described disadvantages, the inventor has a structure capable of manufacturing a semiconductor package excellent in durability and connection reliability with a high yield. In order to realize the above, it has been found effective to control the balance of the etching resistance between the outermost layer of the
Further, if the etching resistance of the second region of the outermost layer of the
ここで、構造体１０００に開口部２８を形成して配線基板２０を得る際に実施するブラスト処理とは、平均粒子径（Ｄ５０）が１μｍ以上７０μｍ以下の粒子を吹き付けて該当箇所を研磨加工する手法であるサンドブラスト処理やウェットブラスト処理等が挙げられる。本実施形態では、ブラスト処理として、上記ブラスト処理の中でもたとえば、平均粒子径（Ｄ５０）が１μｍ以上２５μｍ以下の微細粒子を吹き付けて該当箇所を研磨加工するマイクロブラスト処理を用いることが好ましい。マイクロブラスト処理では、平均粒子径（Ｄ５０）が３０μｍ以上の粒子を吹き付けるサンドブラスト処理よりも研磨する力（研磨力）が抑えられるため、露出した導電パッド２４やコア基板２２の表面に対するエッチングダメージをより確実に抑えることができる。また、研磨される開口部２８の深さや、開口部２８を規定する側壁部分の形状を、高い精度で制御することができる。すなわち、高い研磨精度（加工精度）で開口部２８を形成することができる。
Here, the blasting process performed when the
次に、上述したエッチング耐性とは、エッチング処理として本実施形態に係るブラスト処理を採用した場合における、各種部材が当該処理により選択的に除去される効率、例えば、表面加工量、表面加工速度等で示される。 Next, the above-described etching resistance refers to the efficiency with which various members are selectively removed by the processing when the blast processing according to the present embodiment is used as the etching processing, for example, the surface processing amount, the surface processing speed, etc. Indicated by
本実施形態に係る構造体１０００は、上述したようにコア基板２２の最外層のブラスト処理に対するエッチング耐性が、ソルダーレジスト層１０のブラスト処理に対するエッチング耐性より高くなるよう制御した構成を採用するものである。こうすることで、従来の半導体パッケージにおいて生じていた不都合を抑制することができる。そのため、本実施形態に係る構造体１０００を用いた場合、耐久性および接続信頼性に優れた半導体パッケージを歩留まり良く作製することが可能な配線基板２０を得ることができる。
The
そして、本実施形態に係る構造体１０００において、上述したエッチング耐性を表面加工量で示す場合、コア基板２２の最外層のブラスト処理に対する表面加工量は、ソルダーレジスト層１０のブラスト処理に対する表面加工量の１０倍以上であることが好ましい。こうすることで、配線基板２０を構成する全ての開口部２８において導電パッド２２を確実に露出させるため、配線基板２０の製造時にオーバーエッチングした場合であっても、全ての開口部２８において、導電パターン２４やコア基板２２の表面に対するエッチングダメージをより確実に抑制することができる。それ故、かかる構成を採用した構造体１０００を用いた場合、耐久性および接続信頼性に優れた半導体パッケージを歩留りよく作製することが可能な配線基板２０を得ることができる。
In the
本実施形態に係る構造体１０００は、上述したように、コア基板２２の最外層およびソルダーレジスト層１０のそれぞれのブラスト処理に対するエッチング耐性度合を制御した構成を採用している。そのため、かかるコア基板２２の最外層は、ブラスト処理に対応したエッチング阻止膜により形成されていることが好ましい。
このエッチング阻止膜は、少なくとも１つの絶縁層を含む公知のコア基板を作製する工程において後述する所定の樹脂材料（熱硬化性樹脂組成物（Ｘ））で形成した最外層自体であってもよいし、少なくとも１つの絶縁層を含む公知のコア基板の最外層に対して積層した、後述する所定の樹脂材料（熱硬化性樹脂組成物（Ｘ））で形成した樹脂膜であってもよい。なお、コア基板２２が備える絶縁層は、たとえば繊維基材に樹脂組成物を含浸してなる樹脂基材を指す。また、本実施形態に係るコア基板２２は、熱硬化性樹脂で形成することができる。かかるコア基板２２はリジッドな基板でも良いし、フレキシブルな基板でも良い。コア基板２２の厚さは、たとえば１０μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。また、コア基板２２における最外層の厚さは、たとえば、３μｍ以上２０μｍ以下とすることができる。As described above, the
This etching stopper film may be the outermost layer itself formed of a predetermined resin material (thermosetting resin composition (X)) to be described later in the process of producing a known core substrate including at least one insulating layer. Further, it may be a resin film formed of a predetermined resin material (thermosetting resin composition (X)), which will be described later, laminated on the outermost layer of a known core substrate including at least one insulating layer. In addition, the insulating layer with which the core board |
また、コア基板２２は、１つの絶縁層のみを有し、その片面のみに導電パターン２４が形成された片面板でも良いし、１つの絶縁層のみを有し、その表裏面の両方に導電パターン２４が設けられた両面板でも良いし、２層以上の絶縁層を有する多層板でもよい。コア基板２２が多層板である場合、コア基板２２内には２つの絶縁層に挟まれた配線層が一層以上形成される。
また、コア基板２２が両面板もしくは多層板である場合、コア基板２２の一方の面（最外面）上に設けられた導電パターン２４は、コア基板２２の他方の面（最外面）上に設けられた導電パターン２４やコア基板２２の内部に設けられた配線層と、少なくとも一部の絶縁層を貫通するスルーホールを介して互いに電気的に接続されている。The
When the
コア基板２２の表面と裏面の少なくとも一方の面（最外面）には、導電パターン２４が設けられている。導電パターン２４はたとえばコア基板２２に積層された銅膜を選択エッチングして形成されたパターンである。導電パターン２４は、導電部として少なくともランド２４４とライン２４２とを含む。ランド２４４は主に、配線基板２０に実装される素子や部品と導電パターン２４とを電気的に接続する接続部であり、たとえば導電パターン２４の他の部分もしくはコア基板２２内の配線層に接続された円形や四角形の部分である。なお、ランド２４４の中心には電子部品の端子等を挿入するホールが設けられていても良い。そして、ライン２４２は主に、ランド２４４同士を互いに電気的に接続する線状の部分である。
A
導電パターン２４上には、後述する熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）により形成されたソルダーレジスト層１０が積層されている。ソルダーレジスト層１０には、主にランド２４４が設けられた領域に開口部２８が設けられており、ランド２４４はソルダーレジスト層１０に被覆されていない。すなわち、ランド２４４の上にはソルダーレジスト層１０が設けられておらず、ランド２４４が開口部２８に露出している。なお、ランド２４４の上には、たとえばニッケルおよび金のめっき膜や半田のめっき膜などの導電膜が積層されていてもよい。本実施形態に係る配線基板２０では、開口部２８に位置するランド２４４の上にめっき膜２４６がさらに設けられている。ソルダーレジスト層１０にはさらにランド２４４以外の部分に開口部が設けられていても良いし、ライン２４２の一部を露出させるような開口部があってもよい。また、ランド２４４の全てが開口部に位置する必要は無く、ソルダーレジスト層１０に覆われたランド２４４があってもよい。
On the
構造体１０００のソルダーレジスト層１０は、その表面の算術平均粗さＲａが０．０８μｍ以上であることが好ましく、０．２５μｍ以上であることがより好ましい。また、Ｒａは０．５０μｍ以下とすることが好ましく、０．４０μｍ以下とすることがより好ましい。算術平均粗さＲａはＪＩＳ−Ｂ０６０１に準拠して測定することができる。Ｒａが上記下限以上、上限以下であることによって、温度変化によるソルダーレジスト層１０と封止樹脂との密着性の変動が小さく、安定した耐久性が得られる。また、Ｒａが上記上限以下であれば、ソルダーレジスト層１０上に液状封止樹脂の転写を行う場合に、高いパターニング精度が得られる。よって、トランスファー成形などに限らず、プロセスの選択自由度に優れる。たとえばパターニング精度が十分得られない場合、樹脂封止する際にソルダーレジスト層１０上の不要な部分に封止樹脂が形成されてしまい、パッケージが不良となるため、塗布法や転写法での封止樹脂の成形ができない。従って、Ｒａが上記上限値以下であり、かつ上記下限値以上であることにより、パターニング精度との耐久性の性能バランスの良い配線基板２０を実現できる。
The solder resist
ソルダーレジスト層１０のガラス転移温度（Ｔｇ）は、たとえば１５０℃以上であることが好ましい。これにより、ソルダーレジスト層１０の耐熱性および耐リフロー性の向上等を図ることが可能となる。一方で、上記Ｔｇの上限値は、とくに限定されないが、たとえば２８０℃とすることができる。
The glass transition temperature (Tg) of the solder resist
ソルダーレジスト層１０の２５℃における貯蔵弾性率は１ＧＰａ以上であることが好ましく、５ＧＰａ以上であることがより好ましい。また、２０ＧＰａ以下であることが好ましい。上記上限値以下であり、かつ上記下限値以上であれば、耐久性に優れるパッケージをより歩留りよく製造可能な配線基板２０を得ることができる。
The storage elastic modulus at 25 ° C. of the solder resist
本実施形態において、上記貯蔵弾性率および上記Ｔｇは、たとえば、ソルダーレジスト層１０を構成する熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の樹脂膜に対して、動的粘弾性測定装置を用いて周波数１Ｈｚ、昇温速度５℃／分の条件で動的粘弾性試験を行うことにより得られる測定結果から、算出することができる。動的粘弾性測定装置としては、とくに限定されないが、たとえばＴＡインスツルメント社製、ＤＭＡ９８３を用いることができる。
In the present embodiment, the storage elastic modulus and the Tg are, for example, a frequency of 1 Hz using a dynamic viscoelasticity measuring device for the resin film of the thermosetting resin composition (P) constituting the solder resist
ソルダーレジスト層１０の線膨張率は、Ｔｇ以下において、１０ｐｐｍ／℃以上であることが好ましい。また、５０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。上記上限値以下であり、かつ上記下限値以上であれば、耐久性に優れるパッケージをより歩留りよく製造可能な配線基板２０を得ることができる。 本実施形態においては、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の樹脂膜に対して、たとえば熱機械測定装置を用いて昇温速度１０℃／分の条件で測定することにより得られる線膨張係数の、２５〜５０℃における平均を算出して、これをＴｇ以下における上記線膨張率とすることができる。
The linear expansion coefficient of the solder resist
なお、本実施形態では、たとえば後述する熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）中に含まれる各成分の種類や配合量、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の調製方法等を適切に選択することにより、上記貯蔵弾性率、上記Ｔｇ、および上記線膨張率を制御することが可能である。 In the present embodiment, for example, the type and blending amount of each component contained in the thermosetting resin composition (P) described later, a method for preparing the thermosetting resin composition (P), and the like are appropriately selected. Thus, the storage elastic modulus, the Tg, and the linear expansion coefficient can be controlled.
また、構造体１０００を用いて製造される配線基板２０は、たとえばインターポーザもしくはマザーボードとして用いることができる。
Moreover, the
パッケージや電子装置の製造のためには、構造体１０００から配線基板２０を製造した後、配線基板２０上に封止樹脂を形成する。かかる配線基板２０を用いたパッケージ等の完成品においては、ソルダーレジスト層１０と封止樹脂との間の高い密着性を、歩留まり良く確保できる。よって、耐久性、耐湿性に優れ、信頼性の高いパッケージや電子装置を安定して製造することができる。なお、パッケージとは、配線基板２０上に種々のパーツが搭載され、たとえば封止樹脂で一括封止されたものをいう。半導体パッケージはパッケージの一例であり、パッケージには、一括封止されたＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）等も含む。
In order to manufacture a package or an electronic device, the
＜半導体パッケージ＞
図２は本実施形態に係る半導体パッケージ１０２の構造の一例を模式的に示す断面図である。
図２に示すように、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２は、上述した構造体１０００を用いて製造した配線基板２０と、配線基板２０上に配設された半導体素子６０と、配線基板２０における半導体素子６０を設けた面および半導体素子６０を覆う封止樹脂４０とを備える。なお、配線基板２０におけるソルダーレジスト層１０の吸水率は、０．７％以下であることが好ましい。こうすることで、長期絶縁信頼性に優れた半導体パッケージ１０２を実現することができる。<Semiconductor package>
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of the structure of the
As shown in FIG. 2, the
本実施形態に係る半導体パッケージ１０２では、上述した配線基板２０の一方の面（以下では「上面」と呼ぶ）のソルダーレジスト層１０の上に、少なくとも１つの半導体素子６０が配設されている。半導体パッケージ１０２において、配線基板２０はたとえばインターポーザであり、半導体素子６０は、たとえば半導体ウエハから切り出されたＬＳＩチップである。また、配線基板２０の上面には半導体素子６０に加えて、たとえば抵抗や容量として機能する電子部品などがさらに配設されていてもよい。半導体素子６０はダイアタッチ材６２を介してソルダーレジスト層１０の上に固定されている。
In the
半導体素子６０にはその表面に電気的な接続パッド（不図示）が設けられており、接続パッドはたとえば半導体素子６０の内部に作り込まれた回路に接続されている。配線基板２０に設けられた導電体パターン２４の一部分であるランド２４４は、ソルダーレジスト層１０の開口部２８に設けられている。そして、ランド２４４と、半導体素子６０上の接続パッドとは、ボンディングワイヤ５０によって接続されている。なお、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２では、ランド２４４の上にめっき膜２４６がさらに設けられており、ランド２４４はめっき膜２４６を介してボンディングワイヤ５０に接続されているが、これに限定されない。また、ボンディングワイヤ５０で接続される代わりにリード線や半田により接続されていても良い。
The
封止樹脂４０は、配線基板２０の上面に露出するソルダーレジスト層１０と、コア基板２２と、めっき膜２４６（めっき膜２４６を設けない場合はランド２４４）と、半導体素子６０のうちダイアタッチ材６２で配線基板２０と接合された面以外の面と、ボンディングワイヤ５０とを覆っている。なお、封止樹脂４０は配線基板２０の半導体素子６０が設けられた面の全面を覆っていても良いし、当該面の一部を露出させて覆っていても良い。
The sealing
半導体パッケージ１０２の配線基板２０には、上面とは反対側の面（以下では「下面」と呼ぶ）にさらに複数の開口部２８と、開口部２８の内部のランド２４４が設けられている。そして、それぞれのランド２４４はめっき膜２４６に覆われ、さらにめっき膜２４６を覆うハンダバンプ（半田ボール）３０が設けられている。
ここでは、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２としてワイヤボンディングされたパッケージの例について説明したが、これに限定されず、フリップチップ接続やＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）接続されるパッケージでもよい。The
Here, an example of a wire-bonded package as the
半導体パッケージ１０２において、ソルダーレジスト層１０と封止樹脂４０との間の、２５℃におけるせん断強度をＳ１としたとき、Ｓ１は１５Ｎ／ｍｍ２以上であることが好ましく、２９Ｎ／ｍｍ２以上であることがより好ましい。当該せん断強度が、上記下限以上であれば、密着性に優れ、半導体パッケージ１０２の耐久性がより確実に向上する。In the
半導体パッケージ１０２において、ソルダーレジスト層１０と封止樹脂４０との間の、２６０℃におけるせん断強度をＳ２としたとき、Ｓ２は８Ｎ／ｍｍ２以上であることが好ましい。上記下限以上であれば、半導体パッケージ１０２の耐久性がより確実に向上する。高温環境下での使用や、回路動作における発熱で半導体パッケージ１０２の温度が上がっても高い密着性が保たれるからである。In the
さらに、半導体パッケージ１０２において、Ｓ２／Ｓ１は０．１以上であることが好ましく、０．２以上であることがより好ましい。また、Ｓ２／Ｓ１は０．９以下とすることができる。Ｓ２／Ｓ１が上記下限以上であれば、半導体パッケージ１０２の耐久性がより確実に向上する。高温下での密着性の低下が効果的に抑制されるからである。
各温度におけるソルダーレジスト層１０と封止樹脂４０との間のせん断強度はたとえばせん断強度測定装置（ＤＡＧＥ社製、ＰＣ２４００）を用いて測定することができる。Furthermore, in the
The shear strength between the solder resist
＜電子装置＞
図３は、本実施形態に係る電子装置の構造の一例を模式的に示す断面図である。
本実施形態に係る電子装置７０は、上述した半導体パッケージ１０２を備える。<Electronic device>
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of the structure of the electronic device according to the present embodiment.
The
電子装置７０では、配線基板であるマザーボード７１０上に少なくとも１つの半導体パッケージ１０２が配設されている。マザーボード７１０は、上述した配線基板２０であっても良いし、異なる配線基板であっても良い。半導体パッケージ１０２は、上述した配線基板２０を含む半導体パッケージ１０２である。マザーボード７１０上には、半導体パッケージ１０２に加えてコネクタ、抵抗、容量などの必要な電子部品７２０が１つ以上配設されていても良い。
In the
マザーボード７１０上に配設された半導体パッケージ１０２や、その他の電子部品７２０などは、ハンダバンプ３０によって、マザーボード７１０の導電体パターン７１２のうち露出した導電部７１４に接続されている。半導体パッケージ１０２や電子部品７２０はマザーボード７１０に設けられた導電パターン７１２（配線）により互いに接続され、電子回路を構成する。
The
＜配線基板の製造方法＞
本実施形態に係る配線基板２０の製造方法は、少なくとも一方の面上に導電パターン２４が設けられたコア基板２２を準備し、上記導電パターン２４を覆うようにコア基板２２の最外層に対してソルダーレジスト層１０を設けた構造体１０００を準備する工程と、ソルダーレジスト層１０を貫通して、コア基板２２の上記一方の面の一部と、導電パターン２４の一部とが露出する開口部２８を形成する工程と、をこの順に含む。また、上記開口部２８を形成する工程は、ソルダーレジスト層１０のうち、開口部２８を形成する領域にブラスト処理を行うことによって開口を形成する工程を含む。さらに、前述したように、コア基板２２の少なくとも第２の領域（本実施形態では、コア基板２２の最外層）のブラスト処理に対するエッチング耐性が、ソルダーレジスト層１０のブラスト処理に対するエッチング耐性より高いことを特徴としている。<Manufacturing method of wiring board>
In the method for manufacturing the
また、上述したエッチング耐性をソルダーレジスト層１０とコア基板２２の最外層に対して同一条件でブラスト処理を実施した場合におけるエッチング速度で示す場合、ソルダーレジスト層１０に対するエッチング速度が、コア基板２２の最外層に対するエッチング速度より速い。こうすることで、配線基板２０を構成する全ての開口部２８においてコア基板２２を確実に露出させるため、開口部形成時にオーバーエッチングした場合であっても、全ての開口部２８において導電パターン２４やコア基板２２の表面に対するエッチングダメージをより確実に抑制することができる。それ故、かかる構成を採用した配線基板２０を用いた場合、耐久性および接続信頼性に優れた半導体パッケージを歩留りよく作製することが可能である。
In addition, when the etching resistance described above is indicated by the etching rate when the blast treatment is performed on the outermost layer of the solder resist
同様に、上述したエッチング耐性をソルダーレジスト層１０とコア基板２２の最外層に対して同一条件でマイクロブラスト処理を実施した場合における表面加工量で示す場合、ソルダーレジスト層１０の表面加工量をＸ１とし、コア基板の最外層の表面加工量をＸ２としたとき、Ｘ１＞Ｘ２となる。
Similarly, when the etching resistance described above is indicated by the surface processing amount when the microblast treatment is performed on the outermost layer of the solder resist
図４は、本実施形態に係る配線基板の製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。図５および６は、本実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を示す模式図である。
図４に示すように、本実施形態に係る配線基板２０の製造方法は、上述した本実施形態の構造体１０００を準備する工程（Ｓ１０２）と、ソルダーレジスト層１０に開口部２８を形成する工程（Ｓ１０４）とをこの順に含む。FIG. 4 is a flowchart showing an example of the flow of the manufacturing method of the wiring board according to the present embodiment. 5 and 6 are schematic views showing an example of a method for manufacturing a wiring board according to the present embodiment.
As shown in FIG. 4, the method for manufacturing the
構造体１０００を準備する工程（Ｓ１０２）では、少なくとも一方の面上に導電パターン２４が設けられたコア基板２２と、上記導電パターン２４を覆うようにコア基板２２の上記一方の面上に設けられたソルダーレジスト層１０とを有する構造体１０００を準備する。なお、かかる構造体１０００は、ソルダーレジスト層１０が構造体１０００の最外層に積層されている（図５（ｂ）参照）。
In the step of preparing the structure 1000 (S102), the
ソルダーレジスト層１０に開口部２８を形成する工程（Ｓ１０４）では、導電パターン２４の一部を露出させる開口部２８を形成する。また、ソルダーレジスト層１０の所定の領域に開口部２８を形成する工程（Ｓ１０４）は、ソルダーレジスト層１０のうち、開口部２８とする所定の領域に開口を形成する工程を含む。また、ソルダーレジスト層１０の所定の領域に開口部２８を形成する工程（Ｓ１０４）において、ソルダーレジスト層は、硬化状態であることが好ましいが、半硬化状態であってもよい。上記工程（Ｓ１０４）においてソルダーレジスト層が半硬化状態である場合、開口部２８を形成した後工程において、当該半硬化状態にあるソルダーレジスト層を完全硬化させるためのポストキュア工程を有する。
In the step of forming the
さらに、本実施形態に係る製造方法によれば、図６（ａ）に示すように複数の開口部２８を形成する。本実施形態に係る製造方法によれば、開口形状や開口の深さにバラつきなく複数の開口部２８を形成することができる。
Furthermore, according to the manufacturing method according to the present embodiment, a plurality of
ここで、本実施形態に係る配線基板２０の製造方法において、開口部２８の形成方法として、ブラスト法を用いる。そのため、開口部２８の深さを高度に制御することが可能である。このようにして開口部２８の深さを高度に制御した場合には、ソルダーレジスト層１０の導電パターン２４の側方に存在する部分を除去することなく残すことができる。言い換えれば、開口部２８の深さを高度に制御することによって、導電パターン２４の側面に接するようにソルダーレジスト層１０を残存させることができる。これにより、微細回路を露出させることなく開口部２８を形成することができる。そのため、配線基板２０や半導体パッケージ１０２を製造する際に衝撃が加わった場合においても、微細回路が基板２２から剥離することのない高い密着性を実現することができる。
Here, in the method for manufacturing the
以下、図４〜図６を参照して、本実施形態に係る配線基板２０の製造方法について詳細に説明する。
Hereinafter, with reference to FIGS. 4 to 6, the method for manufacturing the
まず、構造体１０００を準備する工程（Ｓ１０２）では、表裏の少なくとも一方の面（最外面）上に導電パターン２４が設けられたコア基板２２を準備する。図５（ａ）に示すように、本実施形態では、コア基板２２の両面に導電パターン２４が形成された両面板を使用している。
First, in the step of preparing the structure 1000 (S102), the
次に、図５（ｂ）のように、コア基板２２の導電パターン２４を覆うように、導電パターン２４上にソルダーレジスト層１０を形成（積層）する。具体的には、コア基板２２の導電パターン２４が設けられた最も外側に位置する面上に、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）（ソルダーレジスト）を塗布する。その後、塗布したソルダーレジストを乾燥させて、ソルダーレジスト層１０を形成する。以上のようにして、本実施形態に係る製造方法においては、構造体１０００を作製する。ソルダーレジスト層１０の膜厚は、とくに限定されないが、たとえば５μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。
Next, as shown in FIG. 5B, the solder resist
次いで、図６（ａ）に示すように、ソルダーレジスト層１０の所定の領域に導電パターン２４の一部を露出させる開口部２８を形成する（Ｓ１０４）。具体的には、ソルダーレジスト層１０の所定の領域に導電パターン２４のランド２４４を露出させるように開口部２８を形成する。本実施形態に係る製造方法によれば、この開口部２８を形成する際に、ソルダーレジスト層１０における開口部２８を形成すべき所定の領域に対してブラスト処理（サンドブラスト処理、ウェットブラスト処理等）を行う。これにより、アンダーエッチングが発生することなく、均一にソルダーレジスト層１０を短時間で効率よく除去することができる。また、ブラスト法を用いて開口部２８を形成することにより、後工程において導電パターン２４上にハンダバンプ３０やボンディングワイヤ５０を接続させる際に、導電パターン２４とハンダバンプ３０やボンディングワイヤ５０との接続関係を強固にすることができる。この場合、配線基板２０や半導体パッケージ１０２を製造する際に衝撃が加わった場合においても、微細回路が基板２２から剥離することのない高い密着性を実現することができる。
Next, as shown in FIG. 6A, an
次いで、デスミア処理する工程（Ｓ１０６）では、開口部２８の形成などで生じたスミアを除去する。具体的には、ソルダーレジスト層１０の開口部２８を規定する側壁部分と導電パターン２４の上面部分（開口部２８に露出する部分）に付着したスミアを除去する。
デスミア処理の方法は特に限定されないが、たとえば、以下のように行うことができる。まず、導電体パターン２４やソルダーレジスト層１０を積層したコア基板２２を有機溶剤を含む膨潤液に浸漬する。次いで、アルカリ性過マンガン酸塩水溶液に浸漬して処理する。Next, in the step of desmearing (S106), smear generated due to the formation of the
The method of the desmear treatment is not particularly limited, and can be performed as follows, for example. First, the
過マンガン酸塩としてはたとえば過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウム等を用いることができる。過マンガン酸塩として過マンガン酸カリウムを用いる場合、浸漬させる過マンガン酸カリウム水溶液の温度は、５０℃以上であることが好ましく、１００℃以下であることが好ましい。上記上限値以下であり、且つ上記下限値以上であれば、ソルダーレジスト層１０と封止樹脂４０との密着性をより確実に向上させることができる。また、アルカリ性過マンガン酸塩水溶液への浸漬時間は１分間以上であることが好ましく、３０分間以下であることが好ましい。上記上限値以下であり、かつ上記下限値以上であれば、ソルダーレジスト層１０と封止樹脂４０との密着性をより確実に向上させることができる。また、耐久性と液状封止樹脂のパターニング精度との性能バランスの良い配線基板２０を得られる。
As the permanganate, for example, potassium permanganate, sodium permanganate and the like can be used. When using potassium permanganate as the permanganate, the temperature of the potassium permanganate aqueous solution to be immersed is preferably 50 ° C. or higher, and preferably 100 ° C. or lower. If it is below the said upper limit and is more than the said lower limit, the adhesiveness of the soldering resist
デスミア処理する工程では、上記の湿式のデスミア処理のみを行うことができるが、上記の湿式の処理に代えて、もしくは加えて、デスミア処理としてプラズマ照射を行っても良い。このとき、処理ガスとしてはたとえばアルゴンガス、Ｏ２ガス、Ｏ３ガス、ＣＯガス、ＣＯ２ガス、ＮＯガス、ＮＯ２ガス、またはフッ素系ガスを用いることができる。プラズマ処理時間は３０秒以上であることが好ましく、１分以上であることがより好ましい。一方、当該時間は１０分以下であることが好ましく、５分以下であることがより好ましい。プラズマ処理時間が上記下限値以上であり、かつ上記上限値以下であれば、スミアを効率的に除去できる。また、上記処理条件を採用することにより、半導体パッケージの封止材との密着性も向上させることができる。In the desmear process, only the above-described wet desmear process can be performed. However, instead of or in addition to the above-described wet process, plasma irradiation may be performed as a desmear process. At this time, for example, argon gas, O 2 gas, O 3 gas, CO gas, CO 2 gas, NO gas, NO 2 gas, or fluorine-based gas can be used as the processing gas. The plasma treatment time is preferably 30 seconds or longer, more preferably 1 minute or longer. On the other hand, the time is preferably 10 minutes or less, and more preferably 5 minutes or less. If the plasma treatment time is not less than the above lower limit and not more than the above upper limit, smear can be efficiently removed. Further, by adopting the above processing conditions, it is possible to improve the adhesion of the semiconductor package to the sealing material.
次いで、図６（ｂ）に示すように露出した導電パターン２４の表面にめっき膜２４６を形成する。具体的には、開口部２８に露出した導電パターン２４の導電部を覆うようにめっき膜２４６を形成する。
めっき膜２４６は、たとえば半田めっき膜、錫めっき膜、またはニッケルめっき膜の上に金めっき膜を積層した２層構造のめっき膜、さらには無電解めっきにより形成したアンダーバンプメタル（ＵＢＭ）膜とすることができる。
また、めっき膜２４６の膜厚は、とくに限定されないが、たとえば２μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。これにより、ランド２４４部分を、配線基板２０を用いた実装工程においてワイヤボンディングや半田付けに適した接続部とすることができる。Next, a
The
Moreover, the film thickness of the
めっき処理の方法は、特に限定されないが、たとえば、電解めっき法または無電解めっき法を用いることができる。無電解めっき法を用いる場合、次のようにめっき膜２４６を形成することが出来る。なお、ここではニッケルめっき膜と金めっき膜の２層からなるめっき膜２４６を形成する例について説明するが、これに限定されない。
まず、ニッケルめっき膜を形成する。無電解ニッケルめっきを行う場合、めっき液に開口部２８を設けた構造体１０００を浸漬する。このことで、開口部２８に露出した導電パターン２４の導電部の上に、ニッケルめっき膜を形成できる。
このようなめっき液としては、ニッケル鉛、および還元剤としてたとえば次亜リン酸塩を含んだめっき液を用いることができる。続いて、ニッケルめっき膜の上に無電解金めっきを行う。無電解金めっきの方法は特に限定されないが、たとえば金イオンと下地金属のイオンとの置換により行う置換金めっきで行うことができる。The method for the plating treatment is not particularly limited, and for example, an electrolytic plating method or an electroless plating method can be used. When the electroless plating method is used, the
First, a nickel plating film is formed. When performing electroless nickel plating, the
As such a plating solution, nickel lead and a plating solution containing hypophosphite as a reducing agent can be used. Subsequently, electroless gold plating is performed on the nickel plating film. Although the method of electroless gold plating is not particularly limited, for example, it can be performed by substitution gold plating performed by substitution of gold ions and ions of a base metal.
次いで、ソルダーレジスト層１０およびめっき膜２４６の表面をプラズマ処理する。プラズマ処理では、たとえば処理ガスとして、アルゴンガス、酸化性ガス、またはフッ素系ガスを用いることができる。酸化性ガスとしてはＯ２ガス、Ｏ３ガス、ＣＯガス、ＣＯ２ガス、ＮＯガス、ＮＯ２ガスなどを用いることができる。本実施形態におけるプラズマ処理の条件は特に限定されないが、アッシング処理のほか、不活性ガス由来のプラズマに接触させる処理であってもよい。なお、ソルダーレジスト層１０のエッチングを伴うプラズマ処理でないことが好ましい。ここで、エッチングを伴うプラズマ処理とは、処理対象にバイアス電圧を印加し、かつエッチングガスを処理ガスとして用いるプラズマ処理をいう。つまり、本実施形態に係るプラズマ処理は、処理対象にバイアス電圧を印加せずに行うプラズマ処理、または非反応性ガスを用いて行うプラズマ処理であることが好ましい。Next, the surfaces of the solder resist
なお、処理対象にバイアス電圧を印加しない構成とは、本実施形態において、基板２２の導電パターン２４およびめっき膜２４６のいずれにもバイアス電圧を印加しない構成である。また、プラズマ処理中に基板２２を固定するプラズマ処理装置の試料台等にもバイアス電圧を印加しない。なお、ソルダーレジスト層１０に含まれる無機充填材１２０（図７参照）の露出度を上げることのない程度に、プラズマ処理によってわずかにソルダーレジスト層１０の表面が削られても良い。プラズマ処理時間は３０秒以上であることが好ましく、１分以上であることがより好ましい。一方、当該時間は１０分以下であることが好ましく、５分以下であることがより好ましい。プラズマ処理時間が、上記下限値以上であり、かつ上記上限値以下であれば、パッケージの耐久性をより確実に向上させることができる。
In the present embodiment, the configuration in which no bias voltage is applied to the processing target is a configuration in which no bias voltage is applied to either the
本実施形態に係る製造方法においては、以上のようにして配線基板２０を作製する。
In the manufacturing method according to the present embodiment, the
また、本実施形態に係る配線基板２０のソルダーレジスト層１０の表面では、図７に示すように、少なくともひとつの無機充填材１２０の、一部分がソルダーレジスト層１０に埋設され、他部分がソルダーレジスト層１０の表面（図７中、上面）から突出していることが好ましい。
また、製造した配線基板２０のソルダーレジスト層１０の表面には、無機充填材１２０が離脱して形成されたクレーター状の凹部１１０が形成されていることが好ましい。
また、製造した配線基板２０のソルダーレジスト層１０の表面には、上記の無機充填材１２０の一部がソルダーレジスト層１０の表面から突出することにより形成された突出部と、凹部１１０とのいずれか一方のみが存在しても良いが、上記突出部と、凹部１１０がいずれも存在することがより好ましい。このようなソルダーレジスト層１０の表面形態とすることで、耐久性に優れるパッケージを製造できる配線基板２０をより確実に実現できる。In addition, on the surface of the solder resist
Moreover, it is preferable that the surface of the solder resist
In addition, on the surface of the solder resist
上述の無機充填材１２０の含有条件、デスミア処理の条件、めっき処理の条件、プラズマ処理の条件などを複合的に適宜調整することにより、ソルダーレジスト層１０の表面を上記のような形態にすることができる。なお、無機充填材１２０の詳細については、後述する。
The surface of the solder resist
＜半導体パッケージの製造方法＞
以下、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２の製造方法について、詳細に説明する。本実施形態に係る製造方法においては、まず、上述した配線基板２０の製造方法と同様にして、配線基板２０を準備する。<Semiconductor package manufacturing method>
Hereinafter, a method for manufacturing the
次いで、準備した配線基板２０のソルダーレジスト層１０の上に、半導体素子６０を配設する。このとき、たとえばダイアタッチ材６２を介して半導体素子６０を配線基板２０上に搭載する。半導体素子６０と配線基板２０を接続するボンディングワイヤ５０は、たとえば配線基板２０の上面の開口部２８に露出した導電パターン２４へボンディングする。次いで、封止する工程では、配線基板２０の上面、半導体素子６０、およびボンディングワイヤ５０を封止樹脂４０によって封止する。封止樹脂４０としては、たとえばエポキシ樹脂組成物を用いることができる。封止樹脂４０で配線基板２０等をモールド（封止）する方法としては、トランスファー成形法、射出成形法、転写法、塗布法などを用いることができる。封止樹脂４０の硬化は、たとえば１５０℃以上２００℃以下で加熱することにより行われる。
Next, the
また、配線基板２０に外部接続端子であるハンダバンプ３０が設けられる例においては、たとえば、配線基板２０の下面側の開口部２８に露出した導電パターン２４上に、ハンダバンプ３０を形成する。なお、本実施形態に係る半導体パッケージ１０２としてワイヤボンディングされたパッケージの例について説明したが、半導体パッケージ１０２はこれに限定されず、フリップチップ接続やＴＡＢ接続されるパッケージでもよい。
In the example in which the solder bumps 30 that are external connection terminals are provided on the
＜電子装置の製造方法＞
図３に例示した電子装置７０は上述のように得られた半導体パッケージ１０２をマザーボード７１０上にその他の電子部品７２０と共に実装することで得られる。
半導体パッケージ１０２および電子部品７２０は接続部７１６やハンダバンプ３０などの接続端子をそれぞれ１つ以上有し、接続端子において、マザーボード７１０の導電パターン７１２のうち露出した導電部７１４に電気的に接続される。接続端子と導電部７１４との接続は、たとえば次の様に行うことができる。
まず、マザーボード７１０の露出した導電部７１４の必要箇所に、半田ペーストを印刷する。ここで、半導体パッケージ１０２がハンダバンプ３０を有する場合は、ハンダバンプ３０を接続する導電部７１４には半田ペーストの印刷は不要である。
次いで、マザーボード７１０上の所定の位置に電子部品７２０および半導体パッケージ１０２を配置する。
その後、半導体パッケージ１０２や電子部品７２０を載せたマザーボード７１０をリフロー炉に導入し、リフロー処理（加熱処理）する。リフロー処理により印刷された半田ペーストやハンダバンプ３０が溶かされ、その後冷却することで、半導体パッケージ１０２および電子部品７２０がそれぞれマザーボード７１０に半田づけされる。<Method for Manufacturing Electronic Device>
The
The
First, a solder paste is printed on a necessary portion of the exposed
Next, the
Thereafter, the
本実施形態に係る電子装置７０の製造方法は、加熱処理工程を含む。加熱処理はたとえばリフロー処理である。たとえば、半導体パッケージ１０２がワイヤボンディングでマザーボード７１０に接続されるパッケージである場合にも、電子部品７２０を表面実装するために加熱処理を行うことができる。よって、加熱処理を経た後においても、ソルダーレジスト層１０と封止樹脂４０の間の接合強度が十分高ければ、より確実にパッケージの耐久性を向上させることができる。
The method for manufacturing the
また、電子装置７０は高湿度下で使用されることがある。その様な場合にも、ソルダーレジスト層１０と封止樹脂４０の間の接合強度が十分高ければ、より確実にパッケージの耐久性を向上させることができる。
Also, the
そして、電子装置７０に含まれる半導体パッケージ１０２が優れた耐久性および優れた耐湿性を有することにより、信頼性の高い電子装置７０を得ることができる。なお、電子装置７０はさらに封止樹脂で一括封止してもよい。マザーボード７１０が、上述した配線基板２０であって、電子装置７０が一括封止されている場合、電子装置７０をパッケージとして製造することもできる。
In addition, since the
本実施形態に係る製造方法によれば、アンダーエッチングが発生することなく、ソルダーレジスト層１０を、短時間で、効率よく、均一に除去することができる。そのため、本実施形態に係る製造方法によれば、特許文献１に記載の従来の製造プロセスと比べて、接続信頼性に優れた半導体パッケージ１０２を歩留まり良く得ることができる。
According to the manufacturing method according to the present embodiment, the solder resist
以下、本実施形態に係る配線基板２０のコア基板２２の最外層を形成する樹脂材料と、ソルダーレジスト層１０を形成する樹脂材料について説明する。
Hereinafter, the resin material that forms the outermost layer of the
＜コア基板２２の最外層を形成する樹脂材料＞
本実施形態に係るコア基板２２の最外層を形成する樹脂材料としては、たとえば、以下のような熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）を用いることができる。<Resin Material Forming Outermost Layer of
As a resin material forming the outermost layer of the
熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）は、エポキシ樹脂と、ナフトール樹脂と、無機充填材と、を含んでいることが好ましい。 The thermosetting resin composition (X) preferably contains an epoxy resin, a naphthol resin, and an inorganic filler.
熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）は、上述した通り、必須成分としてエポキシ樹脂を含んでいることが好ましい。かかるエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ｔｅｒｔ-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂；ナフトール型エポキシ樹脂、２官能ナフタレン型エポキシ樹脂、４官能ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂等のナフタレン型エポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；クレゾールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；線状脂肪族エポキシ樹脂；ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂；脂環式エポキシ樹脂；複素環式エポキシ樹脂；リン含有エポキシ樹脂；スピロ環含有エポキシ樹脂；シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂；トリメチロール型エポキシ樹脂；ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられる。 As described above, the thermosetting resin composition (X) preferably contains an epoxy resin as an essential component. Examples of such epoxy resins include bisphenol type epoxy resins such as bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol S type epoxy resins, and bisphenol AF type epoxy resins; phenol novolac type epoxy resins; tert-butyl-catechol type Epoxy resin: Naphthol type epoxy resin, bifunctional naphthalene type epoxy resin, tetrafunctional naphthalene type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin and other naphthalene type epoxy resins; glycidylamine type epoxy resin; cresol novolac type epoxy resin; biphenyl type epoxy Resin; Linear aliphatic epoxy resin; Epoxy resin having butadiene structure; Alicyclic epoxy resin; Heterocyclic epoxy resin; Phosphorus-containing epoxy resin; Spiro ring-containing epoxy Fats; cyclohexanedimethanol type epoxy resins; trimethylol type epoxy resins, halogenated epoxy resins.
上記エポキシ樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上とそれらのプレポリマーとを併用してもよい。 As the epoxy resin, one of these may be used alone, or two or more having different weight average molecular weights may be used in combination, or one or two or more and those prepolymers may be used in combination. May be.
上記エポキシ樹脂の中でも、半導体パッケージの耐久性および接続信頼性をより一層向上させる観点から、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、およびブタジエン構造を有するエポキシ樹脂からなる群から選択される一種または二種以上が好ましく、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、およびビフェニル型エポキシ樹脂からなる群から選択される一種または二種以上がより好ましい。 Among the above epoxy resins, bisphenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, and epoxy resin having a butadiene structure from the viewpoint of further improving the durability and connection reliability of the semiconductor package One or two or more selected from the group consisting of bisphenol F type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin are more preferable. preferable.
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「エピコート８２８ＥＬ」および「ＹＬ９８０」等を用いることができる。ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「ｊＥＲ８０６Ｈ」および「ＹＬ９８３Ｕ」、ＤＩＣ社製の「ＥＰＩＣＬＯＮ ８３０Ｓ」等を用いることができる。２官能ナフタレン型エポキシ樹脂としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」および「ＨＰ４０３２ＳＳ」等を用いることができる。４官能ナフタレン型エポキシ樹脂としては、ＤＩＣ社製の「ＨＰ４７００」および「ＨＰ４７１０」等を用いることができる。ナフトール型エポキシ樹脂としては、新日鐵化学社製の「ＥＳＮ−４７５Ｖ」、日本化薬社製の「ＮＣ７０００Ｌ」等を用いることができる。ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂としては、ダイセル化学工業社製の「ＰＢ−３６００」等を用いることができる。ビフェニル型エポキシ樹脂としては、日本化薬社製の「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００Ｌ」および「ＮＣ３１００」、三菱化学社製の「ＹＸ４０００」、「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＸ４０００ＨＫ」および「ＹＬ６１２１」等を用いることができる。アントラセン型エポキシ樹脂としては、三菱化学社製の「ＹＸ８８００」等を用いることができる。ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂としては、ＤＩＣ社製の「ＥＸＡ−７３１０」、「ＥＸＡ−７３１１」、「ＥＸＡ−７３１１Ｌ」および「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」等を用いることができる。 As the bisphenol A type epoxy resin, "Epicoat 828EL" and "YL980" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation can be used. As the bisphenol F type epoxy resin, “jER806H” and “YL983U” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, “EPICLON 830S” manufactured by DIC Corporation, and the like can be used. As the bifunctional naphthalene type epoxy resin, “HP4032”, “HP4032D”, “HP4032SS” manufactured by DIC, and the like can be used. As the tetrafunctional naphthalene type epoxy resin, “HP4700” and “HP4710” manufactured by DIC, etc. can be used. As the naphthol type epoxy resin, “ESN-475V” manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., “NC7000L” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. and the like can be used. As the epoxy resin having a butadiene structure, “PB-3600” manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd. can be used. Examples of the biphenyl type epoxy resin include “NC3000”, “NC3000H”, “NC3000L” and “NC3100” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., “YX4000”, “YX4000H”, “YX4000HK” and “YL6121” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. Can be used. As the anthracene type epoxy resin, “YX8800” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation can be used. As the naphthylene ether type epoxy resin, “EXA-7310”, “EXA-7311”, “EXA-7311L”, “EXA7311-G3” and the like manufactured by DIC can be used.
上記エポキシ樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、１０質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましい。上記エポキシ樹脂の含有量が上記下限値以上であると、コア基板２２形成時のハンドリング性が向上し、コア基板２２を形成するのが容易となる。
また、上記エポキシ樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）の全固形分を１００質量％としたとき、５５質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましい。上記エポキシ樹脂の含有量が上記上限値以下であると、コア基板２２の機械的強度、難燃性および低熱膨張性を向上させることができる。The content of the epoxy resin is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more when the total solid content of the thermosetting resin composition (X) (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass. preferable. When the content of the epoxy resin is equal to or more than the lower limit value, handling properties at the time of forming the
In addition, the content of the epoxy resin is preferably 55% by mass or less, and more preferably 40% by mass or less, when the total solid content of the thermosetting resin composition (X) is 100% by mass. When the content of the epoxy resin is not more than the above upper limit value, the mechanical strength, flame retardancy, and low thermal expansion of the
熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）は、上述した通り、必須成分としてナフトール樹脂を含んでいることが好ましい。かかるナフトール樹脂はナフトール性水酸基を有し、かつ、上記エポキシ樹脂に対して硬化作用を有するエポキシ樹脂硬化剤である。上記ナフトール樹脂としては、例えば、ナフトールノボラック樹脂、ナフトールアラルキル型樹脂などが挙げられ、これらの１種又は２種以上組み合わせて使用してもよい。ナフトール樹脂は、半導体パッケージの反りをより一層低減できる観点から、ナフトールアラルキル型樹脂が好ましく、下記式（１）であらわされるナフトールアラルキル型樹脂がより好ましい。
ナフトールアラルキル型樹脂として、例えば、新日鐵化学社製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ３７５」および「ＳＮ３９５」、日本化薬社製の「ＮＨＮ」および「ＣＢＮ」等を用いることができる。As described above, the thermosetting resin composition (X) preferably contains a naphthol resin as an essential component. Such a naphthol resin is an epoxy resin curing agent having a naphtholic hydroxyl group and having a curing action on the epoxy resin. Examples of the naphthol resins include naphthol novolak resins and naphthol aralkyl resins, and these may be used alone or in combination. The naphthol resin is preferably a naphthol aralkyl type resin, more preferably a naphthol aralkyl type resin represented by the following formula (1), from the viewpoint of further reducing the warpage of the semiconductor package.
As naphthol aralkyl type resins, for example, “SN170”, “SN180”, “SN190”, “SN475”, “SN485”, “SN495”, “SN375” and “SN395” manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., Nippon Kayaku “NHN”, “CBN” and the like manufactured by the company can be used.
（上記一般式（１）式において、ｎは１以上１５以下の整数であり、ｍはそれぞれ独立に１または２であり、ｌはそれぞれ独立に０または１であり、Ｒはそれぞれ独立にアルキル基、好ましくはメチル基である。） (In the general formula (1), n is an integer of 1 to 15, m is independently 1 or 2, l is independently 0 or 1, and R is independently an alkyl group. Preferably a methyl group.)
コア基板２２の最外層が上記ナフトール樹脂を含む樹脂材料により形成されている場合、硬化収縮が小さく、さらに線張係数が小さいコア基板２２とすることができる。
When the outermost layer of the
上記ナフトール樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、１０質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましい。上記ナフトール樹脂の含有量が上記下限値以上であると、コア基板２２成形時のハンドリング性が向上し、コア基板２２を形成するのが容易となる。
上記ナフトール樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）の全固形分を１００質量％としたとき、５５質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましい。上記ナフトール樹脂の含有量が上記上限値以下であると、コア基板２２の機械的強度、難燃性および低熱膨張性を向上させることができる。The content of the naphthol resin is preferably 10% by mass or more and more preferably 20% by mass or more when the total solid content of the thermosetting resin composition (X) (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass. preferable. When the content of the naphthol resin is equal to or more than the lower limit value, handling properties at the time of molding the
The content of the naphthol resin is preferably 55% by mass or less and more preferably 40% by mass or less when the total solid content of the thermosetting resin composition (X) is 100% by mass. When the content of the naphthol resin is not more than the above upper limit value, the mechanical strength, flame retardancy, and low thermal expansion of the
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）は、必須成分として無機充填材を含んでいることが好ましい。これにより、コア基板２２の機械強度および剛性を向上させることができる。さらに、得られるコア基板２２の線膨張係数を小さくすることができる。
The thermosetting resin composition (X) according to the present embodiment preferably contains an inorganic filler as an essential component. Thereby, the mechanical strength and rigidity of the
上記無機充填材としては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカなどの酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物；硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物；チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩；などを挙げることができる。 Examples of the inorganic filler include silicates such as talc, fired clay, unfired clay, mica, and glass; oxides such as titanium oxide, alumina, boehmite, silica, and fused silica; calcium carbonate, magnesium carbonate, hydro Carbonates such as talcite; hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide and calcium hydroxide; sulfates or sulfites such as barium sulfate, calcium sulfate and calcium sulfite; zinc borate, barium metaborate, boric acid Examples thereof include borates such as aluminum, calcium borate and sodium borate; nitrides such as aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride and carbon nitride; titanates such as strontium titanate and barium titanate; .
上記無機充填材として、これらの中の１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、とくにシリカが好ましい。シリカの形状には破砕状および球状がある。熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）の溶融粘度を下げて、無機充填材の熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）への高充填化を確保するために球状シリカを使うなど、その目的にあわせた使用方法を採用することができる。 As the inorganic filler, one of these may be used alone, or two or more may be used in combination. Among these, silica is particularly preferable. Silica has a crushed shape and a spherical shape. In order to reduce the melt viscosity of the thermosetting resin composition (X) and use spherical silica to ensure high filling of the inorganic filler into the thermosetting resin composition (X), etc. The usage method can be adopted.
無機充填材の平均粒子径ｄ５０は、０．０１μｍ以上が好ましく、０．０５μｍ以上がより好ましい。無機充填材の平均粒子径ｄ５０が上記下限値以上であると、ワニスの粘度が高くなるのを抑制でき、コア基板２２作製時の作業性を向上させることができる。また、無機充填材の平均粒子径は、５．０μｍ以下が好ましく、２．０μｍ以下がより好ましく、１．０μｍ以下がさらに好ましい。無機充填材の平均粒子径ｄ５０が上記上限値以下であると、ワニス中で無機充填材の沈降などの現象を抑制でき、より均一なコア基板２２の最外層を得ることができる。
上記無機充填材の平均粒子径ｄ５０は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径（Ｄ５０）を平均粒子径とすることができる。The average particle diameter d50 of the inorganic filler is preferably 0.01 μm or more, and more preferably 0.05 μm or more. When the average particle diameter d50 of the inorganic filler is equal to or larger than the lower limit, it is possible to suppress the viscosity of the varnish from being increased, and it is possible to improve the workability when the
The average particle diameter d50 of the inorganic filler is measured, for example, by measuring the particle size distribution on a volume basis with a laser diffraction particle size distribution measuring device (LA-500, manufactured by HORIBA), and the median diameter (D50) is averaged. The particle diameter can be set.
また、上記無機充填材は、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いてもよいし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いてもよい。さらに平均粒子径が単分散および／または多分散の無機充填材を１種類または２種類以上で併用してもよい。 The inorganic filler may be a monodispersed inorganic filler having an average particle diameter, or may be an inorganic filler having a polydispersed average particle diameter. Furthermore, one type or two or more types of inorganic fillers having an average particle size of monodispersed and / or polydispersed may be used in combination.
無機充填材は、平均粒子径５．０μｍ以下のシリカ粒子が好ましく、平均粒子径０．０１μｍ以上２．０μｍ以下のシリカ粒子がより好ましく、０．０５μｍ以上１．０μｍ以下のシリカ粒子が特に好ましい。これにより、無機充填材の熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）への充填性をさらに向上させることができる。 The inorganic filler is preferably silica particles having an average particle size of 5.0 μm or less, more preferably silica particles having an average particle size of 0.01 μm or more and 2.0 μm or less, and particularly preferably silica particles of 0.05 μm or more and 1.0 μm or less. . Thereby, the filling property to the thermosetting resin composition (X) of an inorganic filler can further be improved.
無機充填材の含有量は、熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、２０質量％以上７０質量％以下が好ましく、３０質量％以上５０質量％以下がより好ましい。 The content of the inorganic filler is preferably 20% by mass or more and 70% by mass or less, when the total solid content of the thermosetting resin composition (X) (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass, preferably 30% by mass. % To 50% by mass is more preferable.
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）は、熱可塑性樹脂をさらに含むことが好ましい。これにより、コア基板２２とソルダーレジスト層１０との密着性をより一層向上できると共に、コア基板２２の最外層の応力緩和能をより一層向上できる。
It is preferable that the thermosetting resin composition (X) according to this embodiment further includes a thermoplastic resin. Thereby, the adhesiveness between the
本実施形態に係る熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ＡＢＳ樹脂等が挙げられる。これらの中でも、絶縁層１０１と金属層１０３との密着性をより一層向上できる観点から、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂およびポリアミドイミド樹脂からなる群から選択される１種または２種以上が好ましく、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、およびポリアミドイミド樹脂からなる群から選択される１種または２種以上が特に好ましい。
熱可塑性樹脂として、これらの中の１種類を単独で用いてもよいし、異なる重量平均分子量を有する２種類以上を併用してもよく、１種類または２種類以上とそれらのプレポリマーとを併用してもよい。Examples of the thermoplastic resin according to the present embodiment include acrylic resin, methacrylic resin, phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, thermoplastic polyimide resin, polyamide resin, polyamideimide resin, polyphenylene oxide resin, polyethersulfone resin, polyester resin, Examples thereof include polyethylene resin, polystyrene resin, polysulfone resin, polybutadiene resin, and ABS resin. Among these, the group consisting of an acrylic resin, a methacrylic resin, a phenoxy resin, a polyvinyl acetal resin, a polyamide resin, a thermoplastic polyimide resin, and a polyamideimide resin from the viewpoint of further improving the adhesion between the insulating layer 101 and the metal layer 103. 1 type or 2 or more types selected from are preferable, and 1 type or 2 or more types selected from the group consisting of acrylic resins, methacrylic resins, phenoxy resins, polyvinyl acetal resins, and polyamideimide resins are particularly preferable.
As the thermoplastic resin, one of these may be used alone, or two or more having different weight average molecular weights may be used in combination, or one or two or more and those prepolymers may be used in combination. May be.
上記アクリル樹脂としては、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ−プロピル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸、２−ヒドロキシエチルアクリレートのような各種アクリル系モノマーから選択される共重合体等が挙げられる。これらのうち、アクリル樹脂としては、ポリアクリル酸メチル又はポリアクリル酸エチルが、コア基板２２作製時の作業性を向上させる点で、好ましい。
Examples of the acrylic resin include copolymers selected from various acrylic monomers such as methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, n-butyl acrylate, acrylic acid, and 2-hydroxyethyl acrylate. Can be mentioned. Among these, as the acrylic resin, polymethyl acrylate or polyethyl acrylate is preferable in terms of improving workability when the
上記メタクリル樹脂としては、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ−プロピル、メタクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸、２−ヒドロキシエチルメタクリレートのような各種メタクリル系モノマーから選択される共重合体等が挙げられる。これらのうち、メタクリル樹脂としては、ポリメタクリル酸メチル又はポリメタクリル酸エチルが、コア基板２２作製時の作業性を向上させる点で、好ましい。
Examples of the methacrylic resin include copolymers selected from various methacrylic monomers such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, n-propyl methacrylate, n-butyl methacrylate, methacrylic acid, and 2-hydroxyethyl methacrylate. Can be mentioned. Among these, as the methacrylic resin, polymethyl methacrylate or polyethyl methacrylate is preferable in terms of improving workability when the
上記フェノキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、およびトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される一種または二種以上の骨格を有するものが挙げられる。フェノキシ樹脂の末端はフェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。
フェノキシ樹脂としては、例えば、ジャパンエポキシレジン社製の「１２５６」、「４２５０」（ビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、ジャパンエポキシレジン社製の「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、ジャパンエポキシレジン社製の「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）、東都化成社製の「ＦＸ２８０」、「ＦＸ２９３」、ジャパンエポキシレジン社製の「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」、「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。Examples of the phenoxy resin include bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenolacetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, terpene skeleton And those having one or more skeletons selected from the group consisting of trimethylcyclohexane skeletons. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group.
Examples of the phenoxy resin include “1256” and “4250” (bisphenol A skeleton-containing phenoxy resin) manufactured by Japan Epoxy Resin, “YX8100” (bisphenol S skeleton-containing phenoxy resin) manufactured by Japan Epoxy Resin, Japan Epoxy Resin "YX6954" (bisphenol acetophenone skeleton-containing phenoxy resin) manufactured by KK, "FX280", "FX293" manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., "YL7553BH30", "YL6794", "YL7213", "YL7290" manufactured by Japan Epoxy Resins, "YL7482" etc. are mentioned.
上記ポリビニルアセタール樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂が挙げられる。市販のポリビニルアセタール樹脂としては、電気化学工業社製の電化ブチラール４０００−２、５０００−Ａ、６０００−Ｃ、６０００−ＥＰ、積水化学工業社製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、ＫＳシリーズ、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。 Examples of the polyvinyl acetal resin include polyvinyl butyral resin. Examples of commercially available polyvinyl acetal resins include: electrified butyral 4000-2, 5000-A, 6000-C, 6000-EP manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., and ESREC BH series, BX series, KS series, BL series manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd. , BM series and the like.
上記ポリアミドイミド樹脂としては、主鎖中にアミド基とイミド基を有する重合体であれば特に限定されず、例えば、ジカルボン酸誘導体とジイソシアネートから合成することができる。上記ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡績社製のＨＲ−１１ＮＮ、ＨＲ−１６ＮＮ等が挙げられる。 The polyamide-imide resin is not particularly limited as long as it is a polymer having an amide group and an imide group in the main chain, and can be synthesized from, for example, a dicarboxylic acid derivative and diisocyanate. Specific examples of the polyamideimide resin include HR-11NN and HR-16NN manufactured by Toyobo Co., Ltd.
上記熱可塑性樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、１質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、２質量％以上１０質量％以下であることがより好ましい。 The content of the thermoplastic resin is 1% by mass or more and 20% by mass or less when the total solid content of the thermosetting resin composition (X) (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass. Preferably, it is 2 mass% or more and 10 mass% or less.
（その他の添加剤）
このほか、必要に応じて、熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）にはカップリング剤、ゴム粒子、上記ナフトール樹脂以外の硬化剤などの添加剤を適宜配合することができる。本実施形態で用いられる熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）は、上記成分を有機溶媒などにより溶解および／または分散させた液状形態で好適に用いることができる。(Other additives)
In addition, if necessary, additives such as a coupling agent, rubber particles, and a curing agent other than the naphthol resin can be appropriately blended in the thermosetting resin composition (X). The thermosetting resin composition (X) used in the present embodiment can be suitably used in a liquid form in which the above components are dissolved and / or dispersed with an organic solvent or the like.
（カップリング剤）
カップリング剤の使用により、無機充填材と各樹脂成分との界面の濡れ性を向上させることができる。したがって、カップリング剤を使用することは好ましく、コア基板２２の最外層の耐熱性を改良することができる。(Coupling agent)
By using a coupling agent, the wettability of the interface between the inorganic filler and each resin component can be improved. Therefore, it is preferable to use a coupling agent, and the heat resistance of the outermost layer of the
カップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられる。カップリング剤は１種類を単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよい。
これにより、無機充填材と各樹脂成分との界面の濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることができる。Examples of the coupling agent include an epoxy silane coupling agent, a cationic silane coupling agent, an amino silane coupling agent, a titanate coupling agent, and a silicone oil type coupling agent. A coupling agent may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
Thereby, the wettability of the interface of an inorganic filler and each resin component can be made high, and, thereby, heat resistance can be improved more.
カップリング剤の添加量は、無機充填材の比表面積に依存するのでとくに限定されないが、熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、０．０１質量％以上１質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上０．５質量％以下がより好ましい。
カップリング剤の含有量が上記下限値以上であると、無機充填材を十分に被覆することができ、コア基板２２の耐熱性を向上させることができる。また、カップリング剤の含有量が上記上限値以下であると、反応に影響を与えるのを抑制でき、コア基板２２の曲げ強度などの低下を抑制することができる。The addition amount of the coupling agent is not particularly limited because it depends on the specific surface area of the inorganic filler, but the total solid content (that is, the component excluding the solvent) of the thermosetting resin composition (X) is 100% by mass. When it is 0.01 mass% or more and 1 mass% or less, 0.05 mass% or more and 0.5 mass% or less are more preferable.
When the content of the coupling agent is not less than the above lower limit value, the inorganic filler can be sufficiently covered, and the heat resistance of the
（ゴム粒子）
ゴム粒子の使用により、コア基板２２の応力緩和能をより一層向上できる。その結果として、得られる配線基板２０の絶縁信頼性をより一層向上できる。
ゴム粒子の好ましい例としては、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子、シリコーン粒子などが挙げられる。(Rubber particles)
By using rubber particles, the stress relaxation ability of the
Preferable examples of the rubber particles include core-shell type rubber particles, crosslinked acrylonitrile butadiene rubber particles, crosslinked styrene butadiene rubber particles, acrylic rubber particles, and silicone particles.
コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される２層構造、または外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、コア層がガラス状ポリマーで構成される３層構造のものなどが挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メタクリル酸メチルの重合物などで構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物（ブチルゴム）などで構成される。コアシェル型ゴム粒子の具体例としては、スタフィロイドＡＣ３８３２、ＡＣ３８１６Ｎ（商品名、ガンツ化成社製）、メタブレンＫＷ−４４２６（商品名、三菱レイヨン社製）が挙げられる。架橋アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）粒子の具体例としては、ＸＥＲ−９１（平均粒子径０．５μｍ、ＪＳＲ社製）などが挙げられる。 The core-shell type rubber particles are rubber particles having a core layer and a shell layer. For example, a two-layer structure in which an outer shell layer is formed of a glassy polymer and an inner core layer is formed of a rubbery polymer, or Examples include a three-layer structure in which the outer shell layer is made of a glassy polymer, the intermediate layer is made of a rubbery polymer, and the core layer is made of a glassy polymer. The glassy polymer layer is made of, for example, a polymer of methyl methacrylate, and the rubbery polymer layer is made of, for example, a butyl acrylate polymer (butyl rubber). Specific examples of the core-shell type rubber particles include Staphyloid AC3832, AC3816N (trade names, manufactured by Ganz Kasei Co., Ltd.), and Metabrene KW-4426 (trade names, manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.). Specific examples of the crosslinked acrylonitrile butadiene rubber (NBR) particles include XER-91 (average particle size: 0.5 μm, manufactured by JSR).
架橋スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）粒子の具体例としては、ＸＳＫ−５００（平均粒子径０．５μｍ、ＪＳＲ社製）などが挙げられる。アクリルゴム粒子の具体例としては、メタブレンＷ３００Ａ（平均粒子径０．１μｍ）、Ｗ４５０Ａ（平均粒子径０．２μｍ）（三菱レイヨン社製）などが挙げられる。 Specific examples of the crosslinked styrene butadiene rubber (SBR) particles include XSK-500 (average particle size 0.5 μm, manufactured by JSR). Specific examples of the acrylic rubber particles include methabrene W300A (average particle size 0.1 μm), W450A (average particle size 0.2 μm) (manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.), and the like.
シリコーン粒子は、オルガノポリシロキサンで形成されたゴム弾性微粒子であればとくに限定されず、例えば、シリコーンゴム（オルガノポリシロキサン架橋エラストマー）そのものからなる微粒子、および二次元架橋主体のシリコーンからなるコア部を三次元架橋型主体のシリコーンで被覆したコアシェル構造粒子などが挙げられる。シリコーンゴム微粒子としては、ＫＭＰ−６０５、ＫＭＰ−６００、ＫＭＰ−５９７、ＫＭＰ−５９４（信越化学社製）、トレフィルＥ−５００、トレフィルＥ−６００（東レ・ダウコーニング社製）などの市販品を用いることができる。 The silicone particles are not particularly limited as long as they are rubber elastic fine particles formed of organopolysiloxane. For example, fine particles made of silicone rubber (organopolysiloxane crosslinked elastomer) itself and a core portion made of silicone mainly composed of two-dimensional crosslinks. Examples thereof include core-shell structure particles coated with silicone mainly composed of a three-dimensional crosslinking type. As silicone rubber fine particles, commercially available products such as KMP-605, KMP-600, KMP-597, KMP-594 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Trefil E-500, Trefil E-600 (manufactured by Toray Dow Corning), etc. Can be used.
ゴム粒子の添加量は、熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、０．１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．５質量％以上３．０質量％以下がより好ましい。 The addition amount of the rubber particles is preferably 0.1% by mass or more and 5% by mass or less when the total solid content of the thermosetting resin composition (X) (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass. More preferably, the content is 5% by mass or more and 3.0% by mass or less.
（その他の硬化剤）
上記ナフトール樹脂以外の硬化剤としては、例えば、ベンジルジメチルアミン（ＢＤＭＡ）、２，４，６−トリスジメチルアミノメチルフェノール（ＤＭＰ−３０）などの３級アミン化合物；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール（ＥＭＩ２４）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（２ＰＺ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール（２Ｐ４ＭＨＺ）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（１Ｂ２ＰＺ）などのイミダゾール化合物；ＢＦ３錯体などのルイス酸などの触媒型の硬化剤が挙げられる。(Other curing agents)
Examples of the curing agent other than the naphthol resin include tertiary amine compounds such as benzyldimethylamine (BDMA) and 2,4,6-trisdimethylaminomethylphenol (DMP-30); 2-methylimidazole, 2-ethyl -4-methylimidazole (EMI24), 2-phenyl-4-methylimidazole (2P4MZ), 2-phenylimidazole (2PZ), 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxyimidazole (2P4MHZ), 1-benzyl-2 -Imidazole compounds such as phenylimidazole (1B2PZ); and catalyst-type curing agents such as Lewis acids such as BF3 complexes.
また、例えば、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物；ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）などの芳香族酸無水物などを含む酸無水物；ノボラック型フェノール樹脂、フェノールポリマーなどのポリフェノール化合物；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテルなどのポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネートなどのイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂などの有機酸類などの重付加型の硬化剤も用いることができる。 Also, for example, aliphatic polyamines such as diethylenetriamine (DETA), triethylenetetramine (TETA), metaxylylenediamine (MXDA), diaminodiphenylmethane (DDM), m-phenylenediamine (MPDA), diaminodiphenylsulfone (DDS) In addition to aromatic polyamines such as dicyandiamide (DICY), polyamine compounds containing organic acid dihydralazide, etc .; alicyclic acid anhydrides such as hexahydrophthalic anhydride (HHPA), methyltetrahydrophthalic anhydride (MTHPA), and trimellitic anhydride Acid anhydrides including aromatic acid anhydrides such as acid (TMA), pyromellitic anhydride (PMDA) and benzophenone tetracarboxylic acid (BTDA); polyphenols such as novolac-type phenolic resins and phenolic polymers Nord compounds; polysulfide, thioester, polymercaptan compounds such as thioethers; isocyanate prepolymer, isocyanate compounds such as blocked isocyanate; polyaddition type curing agent, such as organic acids such as carboxylic acid-containing polyester resin can be used.
さらに、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂系硬化剤；メチロール基含有尿素樹脂のような尿素樹脂；メチロール基含有メラミン樹脂のようなメラミン樹脂などの縮合型の硬化剤も用いてもよい。フェノール樹脂系硬化剤は、一分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等のノボラック型樹脂；トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂；フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のビスフェノール化合物等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。これらのうち、硬化性の点から水酸基当量は９０ｇ／ｅｑ以上、２５０ｇ／ｅｑ以下のものが好ましい。 Furthermore, for example, phenolic resin-based curing agents such as novolak-type phenolic resins and resol-type phenolic resins; urea resins such as methylol group-containing urea resins; and condensation-type curing agents such as melamine resins such as methylol group-containing melamine resins It may be used. The phenol resin-based curing agent is a monomer, oligomer, or polymer in general having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule, and its molecular weight and molecular structure are not particularly limited. For example, phenol novolak resin, cresol novolak Novolak resins such as resins; polyfunctional phenol resins such as triphenolmethane phenol resins; modified phenol resins such as terpene-modified phenol resins and dicyclopentadiene-modified phenol resins; phenol aralkyl resins having a phenylene skeleton and / or a biphenylene skeleton Aralkyl type resins such as bisphenol compounds such as bisphenol A and bisphenol F, and the like may be used alone or in combination of two or more. Among these, the hydroxyl equivalent is preferably 90 g / eq or more and 250 g / eq or less from the viewpoint of curability.
上記ナフトール樹脂以外の硬化剤の含有量は、熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、０．０１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上１質量％以下がより好ましい。硬化剤の含有量が上記数値範囲内であると、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂成分の硬化を促進する効果が十分に発揮することができる。 The content of the curing agent other than the naphthol resin is 0.01% by mass or more and 5% by mass when the total solid content of the thermosetting resin composition (X) (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass. The following is preferable, and 0.05% by mass or more and 1% by mass or less is more preferable. When the content of the curing agent is within the above numerical range, the effect of promoting the curing of a thermosetting resin component such as an epoxy resin can be sufficiently exerted.
さらに、熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）には、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤などの上記成分以外の添加物を添加してもよい。 Furthermore, in the thermosetting resin composition (X), if necessary, the above-mentioned pigments, dyes, antifoaming agents, leveling agents, ultraviolet absorbers, foaming agents, antioxidants, flame retardants, ion scavengers, etc. Additives other than the components may be added.
以上の熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）において、各成分の割合はたとえば、以下のようである。
熱硬化性樹脂組成物（Ｘ）の全固形分（すなわち、溶媒を除く成分）を１００質量％としたとき、好ましくは、上記エポキシ樹脂の割合が１０質量％以上５５質量％以下であり、上記ナフトール樹脂の割合が１０質量％以上５５質量％以下であり、上記無機充填材の割合が２０質量％以上７０質量％以下である。より好ましくは、上記エポキシ樹脂の割合が２０質量％以上４０質量％以下であり、上記ナフトール樹脂の割合が２０質量％以上４０質量％以下であり、上記無機充填材の割合が３０質量％以上５０質量％以下である。In the above thermosetting resin composition (X), the ratio of each component is as follows, for example.
When the total solid content of the thermosetting resin composition (X) (that is, the component excluding the solvent) is 100% by mass, the proportion of the epoxy resin is preferably 10% by mass to 55% by mass, The ratio of the naphthol resin is 10% by mass or more and 55% by mass or less, and the ratio of the inorganic filler is 20% by mass or more and 70% by mass or less. More preferably, the proportion of the epoxy resin is 20% to 40% by mass, the proportion of the naphthol resin is 20% to 40% by mass, and the proportion of the inorganic filler is 30% to 50%. It is below mass%.
＜ソルダーレジスト層１０を形成する樹脂材料＞
本実施形態に係るソルダーレジスト層１０は、たとえば以下のような熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）から形成することができる。<Resin Material Forming Solder Resist
The solder resist
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、配線基板２０の絶縁材料として使用できる樹脂組成物であれば、特に限定されない。熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえば、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ビニルベンジル樹脂等の熱硬化性樹脂に少なくともその硬化剤を配合した組成物とすることができる。中でも、エポキシ樹脂（Ａ）、シアネート樹脂および無機充填材とを必須成分として含有する組成物が好ましい。
The thermosetting resin composition (P) is not particularly limited as long as it is a resin composition that can be used as an insulating material for the
（エポキシ樹脂（Ａ））
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は主にエポキシ樹脂（Ａ）を含むことができる。エポキシ樹脂（Ａ）は、たとえばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，３−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂（４，４'−（１，４−フェニレンジイソプリジエン）ビスフェノール型エポキシ樹脂）、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂（４，４'−シクロヘキシジエンビスフェノール型エポキシ樹脂）などのビスフェノール型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素構造を有するノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂；ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレンジオール型エポキシ樹脂、２官能ないし４官能エポキシ型ナフタレン樹脂、ビナフチル型エポキシ樹脂、ナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂などのナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂；アントラセン型エポキシ樹脂；フェノキシ型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂；ノルボルネン型エポキシ樹脂；アダマンタン型エポキシ樹脂；フルオレン型エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレートなどの複素環式エポキシ樹脂；Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラグリシジルメタキシレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラグリシジルビスアミノメチルシクロヘキサン、Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアニリンなどのグリシジルアミン類や、グリシジル（メタ）アクリレートとエチレン性不飽和二重結合を有する化合物との共重合物、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、ビスフェノールのジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のグリシジルエーテル化物から選択される一種または二種以上を含むことができる。(Epoxy resin (A))
The thermosetting resin composition (P) can mainly contain an epoxy resin (A). The epoxy resin (A) is, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin (4,4 ' -(1,3-phenylenediisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol P type epoxy resin (4,4 '-(1,4-phenylenediisopridiene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol Z type epoxy Bisphenol type epoxy resins such as resins (4,4'-cyclohexyldiene bisphenol type epoxy resins); phenol novolac type epoxy resins, brominated phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, tetrapheno Novolak-type epoxy resins such as novolak-type epoxy resins having a ruthenium ethane-type novolak-type epoxy resin and condensed ring aromatic hydrocarbon structures; biphenyl-type epoxy resins; aralkyl-type epoxy resins such as xylylene-type epoxy resins and biphenyl-aralkyl-type epoxy resins ; Having a naphthalene skeleton such as naphthylene ether type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthalene diol type epoxy resin, bifunctional or tetrafunctional epoxy type naphthalene resin, binaphthyl type epoxy resin, naphthalene aralkyl type epoxy resin, etc. Epoxy resin; anthracene type epoxy resin; phenoxy type epoxy resin; dicyclopentadiene type epoxy resin; norbornene type epoxy resin; adamantane type epoxy resin; Type epoxy resin, phosphorus-containing epoxy resin, alicyclic epoxy resin, aliphatic chain epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, bixylenol type epoxy resin, trihydroxyphenylmethane type epoxy resin, tetraphenylolethane type epoxy resin , Heterocyclic epoxy resins such as triglycidyl isocyanurate; N, N, N ′, N′-tetraglycidylmetaxylenediamine, N, N, N ′, N′-tetraglycidylbisaminomethylcyclohexane, N, N— Diglycidylamines such as diglycidylaniline, copolymers of glycidyl (meth) acrylate and compounds with ethylenically unsaturated double bonds, epoxy resins having a butadiene structure, diglycidyl etherified products of bisphenol, diglycidyl of naphthalenediol Etherate, it can include one or more selected from glycidyl ethers of phenols.
これらの中でも、ソルダーレジスト層１０と、コア基板２２、導電パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、埋め込み性を向上させる観点からは、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがより好ましい。これにより、ソルダーレジスト層１０の線膨張率を低下させることができるとともに、その弾性率を向上させることもできる。また、配線基板２０の剛性を向上させて作業性の向上に寄与することや、半導体パッケージ１０２における耐リフロー性の向上および反りの抑制を実現することも可能である。なお、ソルダーレジスト層１０と、コア基板２２、導電パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、導電パターン２４のソルダーレジスト層１０への埋め込み性を向上させる観点からは、３官能以上のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂を含むことがとくに好ましい。
Among these, it is more preferable to include an epoxy resin having a naphthalene skeleton from the viewpoint of improving the adhesion between the solder resist
本実施形態においては、エポキシ樹脂（Ａ）として、以下の式（ａ）に示すエポキシ樹脂を含むことが、好ましい態様の一例として挙げられる。 In this embodiment, it is mentioned as an example of a preferable aspect that the epoxy resin shown to the following formula | equation (a) is included as an epoxy resin (A).
（式（ａ）中、ｎは０〜１０の整数であり、Ｒ１およびＲ２は互いに独立して水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、または炭素数１〜６のアルコキシ基である） (In formula (a), n is an integer of 0 to 10, and R1 and R2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms)
エポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して３質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて形成されるソルダーレジスト層１０と、コア基板２２、導電パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、導電パターン２４のソルダーレジスト層１０への埋め込み性の向上に寄与することができる。一方で、エポキシ樹脂（Ａ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましい。エポキシ樹脂（Ａ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて形成されるソルダーレジスト層１０の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。なお、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分とは、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）中に含まれる溶剤を除く成分全体を指す。以下、本明細書において同様である。
The content of the epoxy resin (A) is, for example, preferably 3% by mass or more and more preferably 5% by mass or more with respect to the total solid content of the thermosetting resin composition (P). By making content of an epoxy resin (A) more than the said lower limit, the soldering resist
（無機充填材（Ｂ））
無機充填材（Ｂ）の具体例としては、球状シリカ、および破砕シリカ等が挙げられる。ソルダーレジスト層１０と、コア基板２２、導電パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、導電パターン２４のソルダーレジスト層１０への埋め込み性を向上させる観点からは、球状シリカを含むことがより好ましい。また、無機充填材（Ｂ）は、たとえば溶融シリカである。無機充填材（Ｂ）は、図７に示す通り、無機充填材１２０としてソルダーレジスト層１０に含まれる。(Inorganic filler (B))
Specific examples of the inorganic filler (B) include spherical silica and crushed silica. From the viewpoint of improving the adhesion between the solder resist
無機充填材（Ｂ）として、平均粒子径が２ｎｍ以上１００ｎｍ以下である微粒子シリカを熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）中に含むことがより好ましい。これにより、ソルダーレジスト層１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、導電パターン２４のソルダーレジスト層１０への埋め込み性を向上させることができる。平均粒子径が２ｎｍ以上１００ｎｍ以下である微粒子シリカと、平均粒子径が１００ｎｍ超過のシリカをともに熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）中に含むことが、ソルダーレジスト層１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、導電パターン２４のソルダーレジスト層１０への埋め込み性を向上させるうえで好ましい態様の一例として挙げられる。
なお、無機充填材（Ｂ）の平均粒子径は、たとえばレーザー回折式粒度分布測定装置（ＨＯＲＩＢＡ社製、ＬＡ−５００）を用いて測定することが可能である。As the inorganic filler (B), it is more preferable that fine particle silica having an average particle diameter of 2 nm or more and 100 nm or less is included in the thermosetting resin composition (P). Thereby, the adhesiveness between the solder resist
In addition, the average particle diameter of an inorganic filler (B) can be measured, for example using a laser diffraction type particle size distribution measuring apparatus (the product made by HORIBA, LA-500).
無機充填材（Ｂ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して３０質量％以上であることが好ましく、５０質量％以上であることがより好ましい。無機充填材（Ｂ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて得られるソルダーレジスト層１０の耐熱性や耐湿性を効果的に向上させることができる。また、無機充填剤（Ｂ）の含有量が上記下限値以上であれば、ソルダーレジスト層１０の線膨張率を低下させることができるとともに、その弾性率を向上させることができる。これにより、得られる半導体パッケージ１０２の反り低減に寄与することも可能である。一方で、無機充填材（Ｂ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して９４質量％以下であることが好ましく、８５質量％以下であることがより好ましい。無機充填材（Ｂ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、ソルダーレジスト層１０と、コア基板２２、導電体パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、、導電パターン２４のソルダーレジスト層１０への埋め込み性を向上させることが可能となる。
The content of the inorganic filler (B) is, for example, preferably 30% by mass or more and more preferably 50% by mass or more with respect to the total solid content of the thermosetting resin composition (P). By making content of an inorganic filler (B) more than the said lower limit, the heat resistance and moisture resistance of the soldering resist
（シアネート樹脂（Ｃ））
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえばシアネート樹脂（Ｃ）を含むことができる。これにより、ソルダーレジスト層１０の線膨張率を低下させることができるとともに、その弾性率および剛性の向上を図ることができる。また、得られる半導体装置の耐熱性や耐湿性の向上に寄与することも可能である。
シアネート樹脂（Ｃ）は、たとえばノボラック型シアネート樹脂；ビスフェノールＡ型シアネート樹脂、ビスフェノールＥ型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールＦ型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂；ナフトールアラルキル型フェノール樹脂と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるナフトールアラルキル型シアネート樹脂；ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂；ビフェニルアルキル型シアネート樹脂から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、ソルダーレジスト層１０の線膨張率を低下させるとともに、弾性率および剛性を向上させる観点からは、ノボラック型シアネート樹脂およびナフトールアラルキル型シアネート樹脂のうちの少なくとも一方を含むことがより好ましく、ノボラック型シアネート樹脂を含むことがとくに好ましい。(Cyanate resin (C))
The thermosetting resin composition (P) can contain, for example, a cyanate resin (C). Thereby, while being able to reduce the linear expansion coefficient of the soldering resist
The cyanate resin (C) is, for example, a novolak-type cyanate resin; a bisphenol-type cyanate resin such as a bisphenol A-type cyanate resin, a bisphenol E-type cyanate resin, or a tetramethylbisphenol F-type cyanate resin; a naphthol aralkyl-type phenol resin; 1 type or 2 types or more selected from naphthol aralkyl type cyanate resin obtained by reaction of this; dicyclopentadiene type cyanate resin; biphenyl alkyl type cyanate resin can be included. Among these, from the viewpoint of reducing the linear expansion coefficient of the solder resist
シアネート樹脂（Ｃ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して３質量％以上であることが好ましく、５質量％以上であることがより好ましい。シアネート樹脂（Ｃ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて形成されるソルダーレジスト層１０の線膨張率を効果的に低下させることができるとともに、その弾性率を向上させることができる。また、ソルダーレジスト層１０と、コア基板２２、導電パターン２４、および封止樹脂４０との密着性や、導電パターン２４のソルダーレジスト層１０への埋め込み性の向上に寄与することができる。一方で、シアネート樹脂（Ｃ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して３０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましい。シアネート樹脂（Ｃ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて形成されるソルダーレジスト層１０の耐熱性や耐湿性の向上を図ることができる。
The content of the cyanate resin (C) is, for example, preferably 3% by mass or more and more preferably 5% by mass or more with respect to the total solid content of the thermosetting resin composition (P). By making content of cyanate resin (C) more than the said lower limit, the linear expansion coefficient of the soldering resist
（硬化促進剤（Ｄ））
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえば硬化促進剤（Ｄ）を含むことができる。これにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の硬化性を向上させることができる。硬化促進剤（Ｄ）としては、エポキシ樹脂（Ａ）の硬化反応を促進させる化合物を用いることができ、その種類はとくに限定されない。本実施形態においては、硬化促進剤（Ｄ）として、たとえばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタンなどの３級アミン類、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸、およびオニウム塩化合物から選択される一種または二種以上を含むことができる。これらの中でも、硬化性をより効果的に向上させる観点からは、オニウム塩化合物を含むことがより好ましい。(Curing accelerator (D))
The thermosetting resin composition (P) can contain, for example, a curing accelerator (D). Thereby, the sclerosis | hardenability of a thermosetting resin composition (P) can be improved. As a hardening accelerator (D), the compound which accelerates | stimulates hardening reaction of an epoxy resin (A) can be used, The kind in particular is not limited. In the present embodiment, as the hardening accelerator (D), for example, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, zinc octylate, bisacetylacetonate cobalt (II), trisacetylacetonate cobalt ( III) organic metal salts such as triethylamine, tributylamine, tertiary amines such as diazabicyclo [2,2,2] octane, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-ethyl-4-ethylimidazole, 2-phenyl Imidazoles such as -4-ethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxyimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxyimidazole, phenol, Bisphenol A, Noni Phenolic compounds such as phenol, acetic acid, benzoic acid, salicylic, organic acids such as p-toluenesulfonic acid, and one or more selected from an onium salt compound. Among these, it is more preferable to include an onium salt compound from the viewpoint of more effectively improving curability.
硬化促進剤（Ｄ）として用いられるオニウム塩化合物は、とくに限定されないが、たとえば下記一般式（２）で表される化合物を用いることができる。 Although the onium salt compound used as a hardening accelerator (D) is not specifically limited, For example, the compound represented by following General formula (2) can be used.
（式（２）中、Ｐはリン原子、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環または複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を示し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａ−は分子外に放出しうるプロトンを少なくとも１個以上分子内に有するｎ（ｎ≧１）価のプロトン供与体のアニオン、またはその錯アニオンを示す） (In formula (2), P represents a phosphorus atom, R3, R4, R5 and R6 each represents an organic group having a substituted or unsubstituted aromatic ring or heterocyclic ring, or a substituted or unsubstituted aliphatic group; A- may represent an anion of an n (n ≧ 1) -valent proton donor having at least one proton that can be released to the outside of the molecule, or a complex anion thereof. Show)
硬化促進剤（Ｄ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して０．１質量％以上であることが好ましく、０．３質量％以上であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の硬化性をより効果的に向上させることができる。一方で、硬化促進剤（Ｄ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。硬化促進剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の保存性を向上させることができる。 The content of the curing accelerator (D) is preferably 0.1% by mass or more, for example, 0.3% by mass or more with respect to the total solid content of the thermosetting resin composition (P). More preferred. By making content of a hardening accelerator (D) more than the said lower limit, sclerosis | hardenability of a thermosetting resin composition (P) can be improved more effectively. On the other hand, the content of the curing accelerator (D) is, for example, preferably 10% by mass or less and more preferably 5% by mass or less with respect to the total solid content of the thermosetting resin composition (P). preferable. By making content of a hardening accelerator (D) below the said upper limit, the preservability of a thermosetting resin composition (P) can be improved.
（着色剤（Ｅ））
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえば着色剤（Ｅ）を含むことができる。着色剤（Ｅ）は、たとえば緑、赤、青、黄、および黒等の染料、顔料、および色素から選択される一種または二種以上を含んでもよい。これらの中でも、開口部２８の視認性等を向上させる観点から、緑色の着色剤を含むことがより好ましく、緑色染料を含むことがとくに好ましい。緑色の着色剤としては、たとえばアントラキノン系、フタロシアニン系、およびペリレン系等の公知の着色剤を一種または二種以上含むことができる。(Colorant (E))
The thermosetting resin composition (P) can contain, for example, a colorant (E). The colorant (E) may include one or more selected from dyes, pigments, and pigments such as green, red, blue, yellow, and black. Among these, from the viewpoint of improving the visibility of the
着色剤（Ｅ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して０．０５質量％以上であることが好ましく、０．１質量％以上であることがより好ましい。着色剤（Ｅ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて得られるソルダーレジスト層１０の開口部２８の視認性や隠蔽性をより効果的に向上させることができる。
一方、着色剤（Ｅ）の含有量は、たとえば熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の全固形分に対して５質量％以下であることが好ましく、３質量％以下であることがより好ましい。着色剤（Ｅ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の硬化性等をより効果的に向上させることが可能となる。The content of the colorant (E) is, for example, preferably 0.05% by mass or more and more preferably 0.1% by mass or more with respect to the total solid content of the thermosetting resin composition (P). preferable. By making content of a coloring agent (E) more than the said lower limit, visibility and concealment of the
On the other hand, the content of the colorant (E) is, for example, preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less, based on the total solid content of the thermosetting resin composition (P). By making content of a coloring agent (E) below the said upper limit, it becomes possible to improve sclerosis | hardenability etc. of a thermosetting resin composition (P) more effectively.
（その他の成分）
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）には、上記各成分以外に、必要に応じてカップリング剤、レベリング剤、硬化剤、感光剤、消泡剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、およびイオン捕捉剤等から選択される一種または二種以上の添加物を添加してもよい。
カップリング剤としては、たとえばエポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤などのシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤などが挙げられる。
レベリング剤としては、アクリル系共重合物等が挙げられる。
硬化剤としては、たとえばフェノール樹脂等のフェノール系硬化剤、ナフトール型ノボラック樹脂等のナフトール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤又はこれらのエポキシアダクトやマイクロカプセル化した化合物、シアネートエステル樹脂等が挙げられる。中でもフェノール系硬化剤やナフトール系硬化剤が好ましい。感光剤としては、たとえば感光性ジアゾキノン化合物が挙げられる。
また、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、ほかに、コア基板２２とソルダーレジスト層１０との密着性向上、および封止樹脂４０とソルダーレジスト層１０との密着性向上の観点から、ポリビニルアセタール樹脂を含んでも良い。ポリビニルアセタール樹脂としてはたとえば、ポリビニルブチラール樹脂やポリビニルアセトアセタール樹脂などが挙げられる。(Other ingredients)
In addition to the above components, the thermosetting resin composition (P) includes a coupling agent, a leveling agent, a curing agent, a photosensitizer, an antifoaming agent, an ultraviolet absorber, a foaming agent, an antioxidant, as necessary. One or more additives selected from a flame retardant and an ion scavenger may be added.
Examples of the coupling agent include silane coupling agents such as epoxy silane coupling agents, cationic silane coupling agents and aminosilane coupling agents, titanate coupling agents and silicone oil type coupling agents.
Examples of the leveling agent include acrylic copolymers.
Examples of the curing agent include a phenolic curing agent such as a phenol resin, a naphthol curing agent such as a naphthol type novolak resin, an amine curing agent, a guanidine curing agent, an imidazole curing agent, an acid anhydride curing agent, or the like. Examples thereof include epoxy adducts, microencapsulated compounds, and cyanate ester resins. Of these, phenol-based curing agents and naphthol-based curing agents are preferred. Examples of the photosensitive agent include photosensitive diazoquinone compounds.
In addition, the thermosetting resin composition (P) is polyvinyl chloride from the viewpoint of improving the adhesion between the
（溶剤）
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえば溶剤を含むことができる。溶剤としては、たとえばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸ブチル、テトラメチルベンゼン、エチレングリコールモノエチルエーテル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびＮ−メチルピロリドン等の有機溶剤から選択される一種または二種以上を含むことができる。(solvent)
The thermosetting resin composition (P) can contain a solvent, for example. Examples of the solvent include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, xylene, ethyl acetate, butyl acetate, butyl lactate, tetramethylbenzene, ethylene glycol monoethyl ether, cyclohexane, heptane, cyclohexane, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethyl One or more selected from organic solvents such as acetamide, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, cellosolve, carbitol, anisole, and N-methylpyrrolidone can be included.
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）がワニス状である場合において、ワニス中の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）の固形分含有量は、たとえば３０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以上７０質量％以下であることがより好ましい。これにより、作業性や成膜性に非常に優れた熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）が得られる。なお、ワニス状の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、たとえば上述の各成分を、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶剤中に溶解、混合、撹拌することにより調製することができる。 In the case where the thermosetting resin composition (P) is varnished, the solid content of the thermosetting resin composition (P) in the varnish is preferably, for example, 30% by mass or more and 80% by mass or less. 40 mass% or more and 70 mass% or less is more preferable. Thereby, the thermosetting resin composition (P) excellent in workability | operativity and film formability is obtained. The varnish-like thermosetting resin composition (P) includes, for example, the above-described components, an ultrasonic dispersion method, a high-pressure collision dispersion method, a high-speed rotation dispersion method, a bead mill method, a high-speed shear dispersion method, and rotation and revolution It can prepare by melt | dissolving, mixing, and stirring in a solvent using various mixers, such as a formula dispersion system.
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）は、ほかに、たとえばガラス繊維基材等の繊維基材や紙基材を含んでもよい。これにより、ソルダーレジスト層１０の剛性を向上させることができ、配線基板２０の反りが抑えられる。
In addition, the thermosetting resin composition (P) according to the present embodiment may include, for example, a fiber substrate such as a glass fiber substrate or a paper substrate. Thereby, the rigidity of the solder resist
熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）がフィルム状である場合には、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて得られる樹脂膜として、このフィルム状熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）をそのまま用いることができる。一方で、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）がワニス状である場合には、このワニス状熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を成膜して得られた熱硬化性樹脂膜に対し、溶剤除去処理を行った樹脂膜を、熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を用いて得られる樹脂膜として使用することができる。この溶剤除去処理は、熱硬化性樹脂膜の溶剤含有率が熱硬化性樹脂膜全体に対して５質量％以下となる条件で行われる。また、処理後の熱硬化性樹脂膜は、１７０℃、２分の熱処理前後における重量変化率が５質量％以下となる。本実施形態においては、たとえば１００〜１６０℃、５分〜６０分の条件で溶剤除去処理を行うことができる。 When the thermosetting resin composition (P) is in the form of a film, the film-like thermosetting resin composition (P) is used as it is as a resin film obtained using the thermosetting resin composition (P). Can be used. On the other hand, when the thermosetting resin composition (P) is varnished, the solvent is used for the thermosetting resin film obtained by forming the varnish-like thermosetting resin composition (P). The resin film subjected to the removal treatment can be used as a resin film obtained using the thermosetting resin composition (P). This solvent removal process is performed on the conditions that the solvent content rate of a thermosetting resin film will be 5 mass% or less with respect to the whole thermosetting resin film. Moreover, the thermosetting resin film after processing has a weight change rate of 5% by mass or less before and after heat treatment at 170 ° C. for 2 minutes. In this embodiment, for example, the solvent removal treatment can be performed under conditions of 100 to 160 ° C. and 5 to 60 minutes.
以上、図面を参照して本発明の好適な実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば、上述した実施形態では、配線基板として、複数の開口部２８が設けられた配線基板について説明したが、１つの開口部が設けられた配線基板であってもよい。
As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are the illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above. For example, in the above-described embodiment, a wiring board provided with a plurality of
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。 It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.
次に、本発明の実施例について説明する。なお、本実施形態は、これらの実施例の記載に何ら限定されない。 Next, examples of the present invention will be described. In addition, this embodiment is not limited to description of these Examples at all.
（実施例１）
［１］ソルダーレジスト層を形成するために用いる熱硬化性樹脂組成物（Ｐ１）の調製
撹拌容器に、エポキシ樹脂としてナフタレンアラルキル型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製、ＨＰ−５０００）９．５質量％、無機充填剤（フィラー）として溶融シリカ粒子（Ｂ１）（株式会社アドマテックス製、アドマナノ、平均粒径０．０５μｍ）１２．４質量％、無機充填剤として溶融シリカ粒子（Ｂ２）（株式会社アドマテックス製、ＳＯ−Ｃ４、平均粒径１μｍ）６５．７質量％、着色剤として緑色染料（日本化薬株式会社製、Ｋａｙａｓｅｔ Ｇｒｅｅｎ）０．３質量％、シアネート樹脂としてフェノールノボラック型シアネートエステル樹脂（ＬＯＮＺＡ社製、ＰＴ−３０）１０．６質量％、カップリング剤として３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、Ａ−１８７）０．３質量％、レベリング剤としてアクリル系樹脂（ＢＹＫ−Ｃｈｅｍｉｅ ＧｍｂＨ製、ＢＹＫ−３６１Ｎ）０．２質量％を投入し、その後、撹拌容器内に硬化促進剤として２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製、２Ｐ４ＭＨＺ）１．０質量％を添加して、混合液を得た。次に、撹拌容器内の混合液を、高速撹拌装置を用いて３０分間撹拌し、不揮発分が６５質量％となるように調整して、下記表１に示す配合のワニス状の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ１）を得た。Example 1
[1] Preparation of thermosetting resin composition (P 1 ) used for forming a solder resist layer 9.5 mass of naphthalene aralkyl type epoxy resin (manufactured by DIC Corporation, HP-5000) as an epoxy resin in a stirring vessel %, Fused silica particle (B1) as inorganic filler (filler) (manufactured by Admatechs Co., Ltd., Admanano, average particle size 0.05 μm) 12.4 mass%, fused silica particle (B2) (incorporated as inorganic filler) Made by Admatechs, SO-C4, average particle size 1 μm) 65.7% by mass, green dye as colorant (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., Kayase Green) 0.3% by mass, phenol novolac type cyanate ester resin as cyanate resin (Manufactured by LONZA, PT-30) 10.6% by mass, 3-glycidoxypropylene as a coupling agent Trimethoxysilane (Momentive Performance Materials, Inc., A-187) 0.3% by mass, acrylic resin (BYK-Chemie GmbH, BYK-361N) 0.2% by mass was added as a leveling agent, and then In addition, 1.0% by mass of 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MHZ) was added to the stirring vessel as a curing accelerator to obtain a mixed solution. Next, the mixed solution in the stirring vessel is stirred for 30 minutes using a high-speed stirring device, and adjusted so that the non-volatile content becomes 65% by mass, and a varnish-like thermosetting resin having the composition shown in Table 1 below is prepared. A composition (P 1 ) was obtained.
［２］コア基板の最外層を形成するために用いる熱硬化性樹脂組成物（Ｘ１）の調製
エポキシ樹脂としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＰＩＣＬＯＮ ８３０Ｓ）７．０質量部、４官能ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＰＩＣＬＯＮ ＨＰ−４７１０、下記一般式（ｂ））１８．０質量部、硬化剤としてナフトールアラルキル型樹脂（新日鐵化学社製、ＳＮ−４８５、下記一般式（ｃ））３０．０質量部、熱可塑性樹脂としてアクリル樹脂（日立化成社製、ＫＨ−ＣＴ−８６５）５．０質量部、硬化触媒としてイミダゾール（四国化成社製、キュアゾール１Ｂ２ＰＺ）０．１質量部をジメチルアセトアミドとメチルエチルケトンの混合溶媒に添加して混合液を得た。その後、この混合液を３０分攪拌して溶解させた。
さらに、混合液にカップリング剤としてエポキシシランカップリング剤（モメンティブパフォーマンスマテリアルズ社製、Ａ１８７）０．２質量部、無機充填材としてシリカ粒子（アドマテックス社製、ＳＯ２５Ｒ、平均粒子径０．５μｍ）３８．０質量部、ゴム粒子（ガンツ化成社製、スタフィロイドＡＣ３８１６Ｎ）１．７質量部を添加した。その後、高速攪拌装置を用いて混合液を１０分攪拌し、下記表１に示す配合の固形分３０％の樹脂ワニスを熱硬化性樹脂組成物（Ｘ１）として調製した。[2] Preparation of Thermosetting Resin Composition (X 1 ) Used for Forming Outermost Layer of Core Substrate 7.0 parts by mass of bisphenol F type epoxy resin (Epiclon 830S, manufactured by DIC) as an epoxy resin 18.0 parts by mass of a naphthalene type epoxy resin (manufactured by DIC, EPICLON HP-4710, the following general formula (b)), a naphthol aralkyl type resin (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., SN-485, the following general formula ( c)) 30.0 parts by mass, acrylic resin (made by Hitachi Chemical Co., Ltd., KH-CT-865) 5.0 parts by mass as a thermoplastic resin, and imidazole (Shikoku Kasei Co., Ltd., Curazole 1B2PZ) 0.1 mass as a curing catalyst Part was added to a mixed solvent of dimethylacetamide and methyl ethyl ketone to obtain a mixed solution. Thereafter, the mixed solution was stirred for 30 minutes to be dissolved.
Further, 0.2 parts by mass of an epoxy silane coupling agent (Momentive Performance Materials, A187) as a coupling agent in the mixed solution, and silica particles (Admatechs, SO25R, average particle size of 0.5 μm as an inorganic filler) ) 38.0 parts by mass and 1.7 parts by mass of rubber particles (manufactured by Ganz Kasei Co., Ltd., Staphyloid AC3816N) were added. Thereafter, the mixture using a high speed stirrer and stirred for 10 minutes to prepare a 30% solids resin varnish formulations shown in Table 1 as the thermosetting resin composition (X 1).
上記一般式（ｃ）において、ｎは１〜１０の整数である。 In the said general formula (c), n is an integer of 1-10.
［３］コア基板の作製
［２］で上述した方法で調整した樹脂ワニスを、１２μｍ電解銅箔の粗化面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後（半硬化後）の層厚が５μｍとなるように塗工し、１４０℃の乾燥装置で２分間乾燥して、エッチング阻止膜付き銅箔を得た。次に、銅張積層板の両面の銅箔をすべてエッチングした銅なし基板の両面に、上記で作成したエッチング阻止膜付き銅箔の上記エッチング阻止膜側を銅なし基板に対向させ、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度１００℃、圧力１ＭＰａにて真空加熱加圧成形させた後、１８０℃の乾燥装置で６０分間乾燥した。その後、両面の銅箔を回路パターニングし、銅箔を粗化処理して、回路付きのエッチング阻止膜を最外層に有するコア基板を得た。なお、基板として、銅張積層板（住友ベークライト株式会社製、ＬαＺ４７８５ＧＳ−Ｂ）を用意した。[3] Fabrication of core substrate The resin varnish prepared by the method described above in [2] is dried on a roughened surface of 12 μm electrolytic copper foil using a comma coater device (after semi-curing) and the layer thickness is 5 μm. The resulting coating was dried for 2 minutes with a drying apparatus at 140 ° C. to obtain a copper foil with an etching stopper film. Next, on both sides of the copper-less substrate etched all copper foil on both sides of the copper-clad laminate, the above-mentioned etching prevention film side of the copper foil with the etching prevention film created above is opposed to the copper-less substrate, vacuum pressurization type Using a laminator apparatus, vacuum heating and pressure molding was performed at a temperature of 100 ° C. and a pressure of 1 MPa, and then dried for 60 minutes by a 180 ° C. drying apparatus. Thereafter, the copper foils on both sides were subjected to circuit patterning, and the copper foil was roughened to obtain a core substrate having an etching stopper film with a circuit as an outermost layer. In addition, the copper clad laminated board (Sumitomo Bakelite Co., Ltd. make, L (alpha) Z4785GS-B) was prepared as a board | substrate.
［４］ソルダーレジスト膜の作製
次に、ソルダーレジスト膜を作製した。ＰＥＴフィルム（ユニチカ株式会社製、ＴＲ１Ｔ、厚さ３８μｍ）をキャリア基材とし、コンマコーターを用いて乾燥後のソルダーレジスト膜が２０μｍとなるようにワニス状の熱硬化性樹脂組成物（Ｐ）を塗工し、１４０℃の乾燥装置で２分間乾燥して、キャリア付のソルダーレジスト膜を作製した。[4] Preparation of solder resist film Next, a solder resist film was prepared. Using a PET film (Unitika Ltd., TR1T, thickness 38 μm) as a carrier substrate and using a comma coater, a varnish-like thermosetting resin composition (P) so that the solder resist film after drying becomes 20 μm It was coated and dried for 2 minutes with a drying apparatus at 140 ° C. to prepare a solder resist film with a carrier.
［５］ラミネート
上記[３]で得られたコア基板上に、上記［４］で得られたキャリア付のソルダーレジスト膜を、エッチング阻止膜とソルダーレジスト膜とが対向するようにして重ね合わせた。この積層体を、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度１００℃、圧力１ＭＰａにて真空加熱加圧成形させた。キャリア付のソルダーレジスト膜のキャリア基材であるＰＥＴフィルムを剥離した後、コア基板を熱風乾燥装置にて１６０℃で６０分間加熱し、さらに２００℃で６０分間加熱して硬化させた。以上の工程により構造体が得られた。[5] Laminate The solder resist film with a carrier obtained in [4] above was overlaid on the core substrate obtained in [3] so that the etching stopper film and the solder resist film face each other. . This laminated body was vacuum-heated and pressure-molded at a temperature of 100 ° C. and a pressure of 1 MPa using a vacuum pressure laminator device. After peeling off the PET film, which is a carrier base material of the solder resist film with a carrier, the core substrate was heated at 160 ° C. for 60 minutes with a hot air drying apparatus, and further heated at 200 ° C. for 60 minutes to be cured. A structure was obtained by the above steps.
［６］開口の形成
次に、構造体の銅箔の一部とコア基板の最外層の一部とが露出するように、平均粒子径（Ｄ５０）が１０μｍの微細粒子を用いてブラスト法によりコア基板上のソルダーレジスト膜に複数の開口を形成した。なお、ブラスト処理の加工速度は、１．４ｍｍ／ｓｅｃとした。このとき、全ての開口において、露出したコア基板の最外層表面は、エッチングダメージのない状態であった。[6] Formation of opening Next, by blasting using fine particles having an average particle diameter (D50) of 10 μm so that a part of the copper foil of the structure and a part of the outermost layer of the core substrate are exposed. A plurality of openings were formed in the solder resist film on the core substrate. In addition, the processing speed of the blasting process was set to 1.4 mm / sec. At this time, in all the openings, the exposed outermost layer surface of the core substrate was free from etching damage.
［７］デスミア処理
次に、開口が形成された構造体を６０℃の膨潤液（アトテック社製、スウェリングディップ セキュリガント Ｐ）に５分間浸漬し、さらに８０℃の過マンガン酸カリウム水溶液（アトテック社製、コンセントレート コンパクト ＣＰ）に５分浸漬後、中和し、さらにＯ２ガスによるプラズマ照射を５分間行うことで、デスミア処理を行った。このとき、構造体にバイアス電圧は印加しなかった。[7] Desmear treatment Next, the structure in which the opening is formed is immersed in a swelling liquid at 60 ° C. (Swelling Dip Securigant P, manufactured by Atotech Co., Ltd.) for 5 minutes, and further an aqueous potassium permanganate solution at 80 ° C. (Atotech). After being immersed in Concentrate Compact CP) for 5 minutes, neutralization was performed, and further, plasma irradiation with O 2 gas was performed for 5 minutes to perform desmear treatment. At this time, no bias voltage was applied to the structure.
［８］めっき処理
次に、銅箔の露出部にめっき層を形成した。具体的には、無電解ニッケルめっき層３μｍを形成し、さらにその上に無電解金めっき層０．１μｍを形成した。[8] Plating treatment Next, a plating layer was formed on the exposed portion of the copper foil. Specifically, an electroless nickel plating layer of 3 μm was formed, and an electroless gold plating layer of 0.1 μm was further formed thereon.
［９］プラズマ処理
次に、ソルダーレジスト膜およびめっき層の形成された構造体の上面をプラズマ処理して、積層基板（配線基板）を得た。プラズマ処理の条件は以下の通りとした。このとき積層基板にバイアス電圧は印加しなかった。
真空度：２０Ｐａ
処理ガス：アルゴンガス
ガス流量：２００ｓｃｃｍ
電力：２００Ｗ
時間：２ｍｉｎ[9] Plasma treatment Next, the upper surface of the structure on which the solder resist film and the plating layer were formed was subjected to plasma treatment to obtain a multilayer substrate (wiring substrate). The conditions for the plasma treatment were as follows. At this time, no bias voltage was applied to the laminated substrate.
Degree of vacuum: 20Pa
Process gas: Argon gas Gas flow rate: 200 sccm
Power: 200W
Time: 2min
［１０］表面粗さの測定
上記［９］で得た積層基板におけるソルダーレジスト膜の表面粗さを、レーザー顕微鏡（株式会社キーエンス製、ＶＫ−Ｘ１００）を用いて測定した。その結果、算術平均粗さＲａは０．１５μｍ、十点平均粗さＲｚは１．７３μｍ、二乗平均粗さＲＭＳは０．１８０μｍであった。[10] Measurement of surface roughness The surface roughness of the solder resist film in the laminated substrate obtained in [9] above was measured using a laser microscope (manufactured by Keyence Corporation, VK-X100). As a result, the arithmetic average roughness Ra was 0.15 μm, the ten-point average roughness Rz was 1.73 μm, and the root-mean-square roughness RMS was 0.180 μm.
[１１]半導体パッケージの作製
上記［９］で得た積層基板を用いて、図３に示す半導体パッケージを作製した。[11] Fabrication of Semiconductor Package The semiconductor package shown in FIG. 3 was fabricated using the multilayer substrate obtained in [9] above.
（実施例２）
コア基板の最外層を形成するために用いる熱硬化性樹脂組成物（Ｘ２）として、下記表１に示す配合組成の熱硬化性樹脂組成物を用いた以外は、実施例１と同様の方法でコア基板、構造体、積層基板および半導体パッケージを作製した。なお、本実施例で得られた積層基板において、露出したコア基板の最外層表面は、エッチングダメージのない状態であった。(Example 2)
The same method as in Example 1 except that the thermosetting resin composition having the blending composition shown in Table 1 below was used as the thermosetting resin composition (X 2 ) used to form the outermost layer of the core substrate. Thus, a core substrate, a structure, a laminated substrate, and a semiconductor package were produced. In the laminated substrate obtained in this example, the exposed outermost layer surface of the core substrate was free from etching damage.
（実施例３）
コア基板の最外層を形成するために用いる熱硬化性樹脂組成物（Ｘ３）として、下記表１に示す配合組成の熱硬化性樹脂組成物を用いた以外は、実施例１と同様の方法でコア基板、構造体、積層基板および半導体パッケージを作製した。なお、本実施例で得られた積層基板において、露出したコア基板の最外層表面は、エッチングダメージのない状態であった。(Example 3)
The same method as in Example 1 except that the thermosetting resin composition having the composition shown in Table 1 below was used as the thermosetting resin composition (X 3 ) used to form the outermost layer of the core substrate. Thus, a core substrate, a structure, a laminated substrate, and a semiconductor package were produced. In the laminated substrate obtained in this example, the exposed outermost layer surface of the core substrate was free from etching damage.
（実施例４）
コア基板の最外層を形成するために用いる熱硬化性樹脂組成物（Ｘ４）として、下記表１に示す配合組成の熱硬化性樹脂組成物を用いた以外は、実施例１と同様の方法でコア基板、構造体、積層基板および半導体パッケージを作製した。なお、本実施例で得られた積層基板において、露出したコア基板の最外層表面は、エッチングダメージのない状態であった。Example 4
The same method as in Example 1 except that the thermosetting resin composition having the composition shown in Table 1 below was used as the thermosetting resin composition (X 4 ) used for forming the outermost layer of the core substrate. Thus, a core substrate, a structure, a laminated substrate, and a semiconductor package were produced. In the laminated substrate obtained in this example, the exposed outermost layer surface of the core substrate was free from etching damage.
（実施例５）
コア基板として、銅張積層板（住友ベークライト株式会社製、ＬαＺ４７８５ＧＳ−Ｂ）を準備した。
次に、ソルダーレジスト層を形成するために用いる熱硬化性樹脂組成物（P２）として、下記表１に示す配合組成の熱硬化性樹脂組成物を準備し、上記［４］と同様にしてキャリア付きソルダーレジスト膜を作製した。
その後、上記［５］と同様にして、コア基板上に、銅箔とソルダーレジスト膜とが対向するようにして、キャリア付きソルダーレジスト膜をラミネートし、構造体を得た。その後、上記［６］〜［１１］の工程を経て、積層基板および半導体パッケージを作製した。なお、本実施例で得られた積層基板において、露出したコア基板の最外層表面は、エッチングダメージのない状態であった。(Example 5)
A copper-clad laminate (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., LαZ4785GS-B) was prepared as a core substrate.
Next, as the thermosetting resin composition (P 2 ) used for forming the solder resist layer, a thermosetting resin composition having the blending composition shown in Table 1 below is prepared, and the same as [4] above. A solder resist film with a carrier was prepared.
Thereafter, in the same manner as in [5] above, a solder resist film with a carrier was laminated on the core substrate so that the copper foil and the solder resist film faced to obtain a structure. Then, the laminated substrate and the semiconductor package were produced through the steps [6] to [11]. In the laminated substrate obtained in this example, the exposed outermost layer surface of the core substrate was free from etching damage.
（実施例６）
コア基板の最外層を形成するために用いる熱硬化性樹脂組成物として、上述した熱硬化性樹脂組成物（Ｘ３）を用いるとともに、ソルダーレジスト層を形成するために用いる熱硬化性樹脂組成物として、上述した熱硬化性樹脂組成物（Ｐ２）を用いた以外は、実施例１と同様の方法でコア基板、構造体、積層基板および半導体パッケージを作製した。なお、本実施例で得られた積層基板において、露出したコア基板の最外層表面は、エッチングダメージのない状態であった。(Example 6)
As the thermosetting resin composition used to form the outermost layer of the core substrate, the above-described thermosetting resin composition (X 3 ) is used, and the thermosetting resin composition used to form the solder resist layer. As described above, a core substrate, a structure, a multilayer substrate, and a semiconductor package were produced in the same manner as in Example 1 except that the above-described thermosetting resin composition (P 2 ) was used. In the laminated substrate obtained in this example, the exposed outermost layer surface of the core substrate was free from etching damage.
（比較例）
コア基板の最外層を形成するために用いる熱硬化性樹脂組成物（Ｘ５）として、下記表１に示す配合組成の熱硬化性樹脂組成物を用いた以外は、実施例１と同様の方法でコア基板、構造体、積層基板および半導体パッケージを作製した。
なお、本比較例で得られた積層基板において、露出したコア基板の最外層表面には、不規則なエッチングダメージが加わっていることが確認された。(Comparative example)
The same method as in Example 1 except that the thermosetting resin composition having the composition shown in Table 1 below was used as the thermosetting resin composition (X 5 ) used to form the outermost layer of the core substrate. Thus, a core substrate, a structure, a laminated substrate, and a semiconductor package were produced.
In the multilayer substrate obtained in this comparative example, it was confirmed that irregular etching damage was applied to the exposed outermost layer surface of the core substrate.
実施例および比較例について、以下の評価を行った。結果を表１に示す。 The following evaluation was performed about the Example and the comparative example. The results are shown in Table 1.
（ブラスト法による加工深さの測定）
各実施例および比較例について、上記［２］で述べた方法で作製した樹脂ワニスを用い、ＰＥＴフィルム（ユニチカ株式会社製、ＴＲ１Ｔ、厚さ３８μｍ）上に、上記［３］で述べた方法を用いて厚さ２０μｍの樹脂膜を作製した。この樹脂膜と、上記［４］で述べた方法で作製したキャリア付のソルダーレジスト膜とに対して、それぞれ上記［６］で述べた方法と同様の手法でブラスト処理を実施し、樹脂膜およびソルダーレジスト膜の加工深さを測定した。測定したデータについては、処理対象の厚みが一定ではないことを考慮して、ソルダーレジスト膜の加工深さＸ１を１０としたときの、上記樹脂膜の加工深さＸ２を算出した。なお、マイクロブラスト処理による表面加工深さは、処理対象への表面加工速度に比例した。(Measurement of processing depth by blast method)
For each example and comparative example, using the resin varnish produced by the method described in [2] above, the method described in [3] above on a PET film (Unitika Ltd., TR1T, thickness 38 μm). A resin film having a thickness of 20 μm was produced. The resin film and a solder resist film with a carrier produced by the method described in [4] above are subjected to blasting by the same method as that described in [6] above, and the resin film and The processing depth of the solder resist film was measured. Regarding the measured data, the processing depth X2 of the resin film was calculated when the processing depth X1 of the solder resist film was set to 10 in consideration of the fact that the thickness of the processing target was not constant. In addition, the surface processing depth by the microblast processing was proportional to the surface processing speed to the processing target.
（半導体パッケージの耐久性）
各実施例および比較例について、上記［１１］で述べた方法で得られた半導体パッケージ４個を６０℃、湿度６０％の条件下で４０時間処理後、ＩＲリフロー炉（ピーク温度：２６０℃）で３回処理し、大気中で、−５５℃（１５分）、１２５℃（１５分）で５００サイクル処理した。つぎに、超音波映像装置（日立建機ファインテック社製、ＦＳ３００）を用いて、半導体素子、半田バンプに異常がないか観察し、以下の基準にしたがって評価した。
Ａ：半導体素子、半田バンプともに異常なし、または一部にクラックが見られるが実用上問題なし。
Ｂ：半導体素子および／または半田バンプの一部にクラックが見られ実用上問題あり。
Ｃ：半導体素子、半田バンプともにクラックが見られ使用できない。(Durability of semiconductor packages)
For each example and comparative example, four semiconductor packages obtained by the method described in [11] above were treated for 40 hours under conditions of 60 ° C. and 60% humidity, and then an IR reflow furnace (peak temperature: 260 ° C.) And was subjected to 500 cycles at −55 ° C. (15 minutes) and 125 ° C. (15 minutes) in the atmosphere. Next, using an ultrasonic imaging device (manufactured by Hitachi Construction Machinery Finetech Co., Ltd., FS300), the semiconductor elements and solder bumps were observed for abnormalities and evaluated according to the following criteria.
A: There is no abnormality in the semiconductor element and the solder bump, or a crack is seen in a part, but there is no practical problem.
B: Cracks are seen in a part of the semiconductor element and / or solder bump, which is problematic in practical use.
C: Both the semiconductor element and the solder bump are cracked and cannot be used.
（半導体パッケージの接続信頼性）
各実施例および比較例について、上記［１１］で述べた方法で得られた半導体パッケージ３個をフライングチェッカー（１１１６Ｘ−ＹＣ ハイテスタ：日置電機社製）を用い、半田バンプを介して半導体素子と回路基板間を通る回路端子の導通の測定をおこない、初期値とした。つぎに、６０℃、湿度６０％の吸湿条件下で４０時間処理後、ＩＲリフロー炉（ピーク温度：２６０℃）で３回処理し、同様に導通を測定して初期値より抵抗値が５％以上上昇したサンプルを実装時の断線と判定して、以下の基準にしたがって評価した。ここで、初期値で断線が生じていた場合は、回路作製上の不具合と判断しカウントしていない。なお、半導体パッケージ１個につき測定箇所は６１箇所、計１８３箇所を測定した。
Ａ：断線箇所が無かった、または断線箇所が１〜１０％であった。
Ｂ：断線箇所が１１〜５０％であった。
Ｃ：断線箇所が５１％以上であった。(Semiconductor package connection reliability)
For each of the examples and comparative examples, three semiconductor packages obtained by the method described in [11] above were used using a flying checker (1116X-YC Hitester: manufactured by Hioki Electric Co., Ltd.), and a semiconductor element and a circuit via solder bumps. The continuity of circuit terminals passing between the substrates was measured and set as the initial value. Next, after treatment for 40 hours under a moisture absorption condition of 60 ° C. and 60% humidity, the treatment was conducted three times in an IR reflow furnace (peak temperature: 260 ° C.), and the continuity was measured in the same manner, and the resistance value was 5% from the initial value. The sample that has risen above was determined as a disconnection during mounting, and was evaluated according to the following criteria. Here, when the disconnection has occurred at the initial value, it is determined that it is a malfunction in circuit fabrication and is not counted. In addition, the measurement location was 61 locations per semiconductor package, and a total of 183 locations were measured.
A: There was no disconnection part or the disconnection part was 1 to 10%.
B: The disconnection location was 11 to 50%.
C: The disconnection location was 51% or more.
実施例の半導体パッケージは、いずれも、耐久性および接続信頼性に優れたものであったのに対し、比較例の半導体パッケージは、特に、接続信頼性という観点において、要求水準を満たすものではなかった。 While all of the semiconductor packages of the examples were excellent in durability and connection reliability, the semiconductor package of the comparative example did not satisfy the required level particularly in terms of connection reliability. It was.
本発明によれば、コア基板と、コア基板の少なくとも一方の面上に設けられた導電パターンと、導電パターンを覆うように、コア基板の上記一方の面上に設けられたソルダーレジスト層とを有する構造体を提供する。かかる構造体は、コア基板の上記一方の面が、導電パターンが接触する第１の領域と、第１の領域と隣接する第２の領域とを備え、少なくとも第２の領域のブラスト処理に対するエッチング耐性が、ソルダーレジスト層のブラスト処理に対するエッチング耐性より高い。かかる構造体を用いた配線基板では、開口部に露出した導電パッドやコア基板の表面に対するエッチングダメージを抑えることができる。したがって、かかる構造体（配線基板）を用いることにより、耐久性および接続信頼性に優れた半導体パッケージを、より容易に、かつ、より高い歩留りで作成することができる。したがって、本発明は、産業上の利用可能性を有する。 According to the present invention, the core substrate, the conductive pattern provided on at least one surface of the core substrate, and the solder resist layer provided on the one surface of the core substrate so as to cover the conductive pattern are provided. A structure is provided. In such a structure, the one surface of the core substrate includes a first region in contact with the conductive pattern, and a second region adjacent to the first region, and at least etching for blasting the second region. The resistance is higher than the etching resistance to the blast treatment of the solder resist layer. In a wiring board using such a structure, etching damage to the conductive pad exposed at the opening and the surface of the core substrate can be suppressed. Therefore, by using such a structure (wiring board), a semiconductor package excellent in durability and connection reliability can be produced more easily and with a higher yield. Therefore, the present invention has industrial applicability.
Claims (13)
前記コア基板の少なくとも一方の面上に設けられた導電パターンと、
前記導電パターンおよび前記コア基板の前記一方の面を覆うようにし、かつ、これらに直接接触して設けられたソルダーレジスト層とを有し、
前記コア基板の前記一方の面は、前記導電パターンが接触する第１の領域と、前記第１の領域と隣接する第２の領域とを備え、少なくとも前記第２の領域のブラスト処理に対するエッチング耐性が、前記ソルダーレジスト層の前記ブラスト処理に対するエッチング耐性より高いことを特徴とする構造体。 A core substrate;
A conductive pattern provided on at least one surface of the core substrate;
The conductive patterns and to cover the one surface of the core substrate, and, and a solder resist layer provided in contact these directly,
The one surface of the core substrate includes a first region in contact with the conductive pattern, and a second region adjacent to the first region, and at least etching resistance to blasting of the second region Is higher than the etching resistance of the solder resist layer to the blast treatment.
前記ソルダーレジスト層に対して前記ブラスト処理を実施することにより、前記ソルダーレジスト層を貫通して、前記コア基板の前記一方の面の一部と前記導電パターンの一部とが露出する少なくとも１つの開口部を形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。 Preparing the structure according to any one of claims 1 to 8 ,
By performing the blasting process on the solder resist layer, at least one of the one surface of the core substrate and a part of the conductive pattern is exposed through the solder resist layer. And a step of forming an opening.
前記コア基板の少なくとも一方の面上に設けられた導電パターンと、
前記導電パターンおよび前記コア基板の前記一方の面を覆うようにし、かつ、これらに直接接触して設けられたソルダーレジスト層と、
前記ソルダーレジスト層を貫通して設けられ、前記コア基板の前記一方の面の一部と前記導電パターンの一部とが露出する少なくとも１つの開口部とを有し、
前記コア基板の前記一方の面は、前記導電パターンが接触する第１の領域と、前記第１の領域と隣接する第２の領域とを備え、少なくとも前記第２の領域のブラスト処理に対するエッチング耐性が、前記ソルダーレジスト層の前記ブラスト処理に対するエッチング耐性より高いことを特徴とする配線基板。 A core substrate;
A conductive pattern provided on at least one surface of the core substrate;
A solder resist layer provided so as to cover the conductive pattern and the one surface of the core substrate , and in direct contact with them ;
Provided through the solder resist layer, and having at least one opening through which a part of the one surface of the core substrate and a part of the conductive pattern are exposed;
The one surface of the core substrate includes a first region in contact with the conductive pattern, and a second region adjacent to the first region, and at least etching resistance to blasting of the second region Is higher than the etching resistance with respect to the said blast process of the said soldering resist layer, The wiring board characterized by the above-mentioned.
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