JPH0863731A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0863731A JPH0863731A JP6195479A JP19547994A JPH0863731A JP H0863731 A JPH0863731 A JP H0863731A JP 6195479 A JP6195479 A JP 6195479A JP 19547994 A JP19547994 A JP 19547994A JP H0863731 A JPH0863731 A JP H0863731A
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- Japan
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- magnetic
- recording medium
- substrate
- linear expansion
- magnetic recording
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B33/00—Constructional parts, details or accessories not provided for in the other groups of this subclass
- G11B33/02—Cabinets; Cases; Stands; Disposition of apparatus therein or thereon
- G11B33/08—Insulation or absorption of undesired vibrations or sounds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁性層に大きい面内圧縮歪を加えることで、
記録媒体の保磁力を大きくして出力を高めるとともに、
高い耐衝撃性を保つことにより、高密度記録が可能な磁
気記録媒体を得る。 【構成】 媒体の非金属非磁性基板11の常温における
線膨脹係数を負の磁歪常数の磁性層13の線膨張係数よ
りも高くする。例えば磁性層の線膨張係数0.0000
12/degに対し、基板11の線膨張係数を0.00
0013/deg以上0.0001/deg以下とす
る。これにより常温で磁性層に大きな面内圧縮歪ができ
るので、高い耐衝撃性を保ちながら、保磁力の大きな媒
体が得られる。
記録媒体の保磁力を大きくして出力を高めるとともに、
高い耐衝撃性を保つことにより、高密度記録が可能な磁
気記録媒体を得る。 【構成】 媒体の非金属非磁性基板11の常温における
線膨脹係数を負の磁歪常数の磁性層13の線膨張係数よ
りも高くする。例えば磁性層の線膨張係数0.0000
12/degに対し、基板11の線膨張係数を0.00
0013/deg以上0.0001/deg以下とす
る。これにより常温で磁性層に大きな面内圧縮歪ができ
るので、高い耐衝撃性を保ちながら、保磁力の大きな媒
体が得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はリジッド型磁気ディスク
装置、ドラム型磁気記憶装置、カ−ド型磁気記憶装置な
どにの磁気記憶装置に用いる磁気記録媒体に係り、特
に、高い耐衝撃性と高い保磁力を有する磁気記録媒体に
関する。
装置、ドラム型磁気記憶装置、カ−ド型磁気記憶装置な
どにの磁気記憶装置に用いる磁気記録媒体に係り、特
に、高い耐衝撃性と高い保磁力を有する磁気記録媒体に
関する。
【0002】
【従来の技術】近年情報量の増加に伴い磁気記憶装置に
は益々の大容量化が要求される一方、小型化の要求も強
まっている。小型化された磁気記憶装置は可搬型コンピ
ュ−タ等に搭載されることも多く、落下等の機械的衝撃
から磁気記憶装置が損傷しない程度の高い耐衝撃性を備
える必要がある。これに対応するために、例えば特開昭
49−122707号公報では、磁気記録媒体の基板と
して、NiPをメッキしたAl合金基板に替えて、より
降伏強度の高い強化ガラス、結晶化ガラス、セラミク
ス、アモルファスカ−ボン、単結晶シリコン、表面酸化
単結晶シリコン等の非金属非磁性基板を使用する手法等
が提案されている。
は益々の大容量化が要求される一方、小型化の要求も強
まっている。小型化された磁気記憶装置は可搬型コンピ
ュ−タ等に搭載されることも多く、落下等の機械的衝撃
から磁気記憶装置が損傷しない程度の高い耐衝撃性を備
える必要がある。これに対応するために、例えば特開昭
49−122707号公報では、磁気記録媒体の基板と
して、NiPをメッキしたAl合金基板に替えて、より
降伏強度の高い強化ガラス、結晶化ガラス、セラミク
ス、アモルファスカ−ボン、単結晶シリコン、表面酸化
単結晶シリコン等の非金属非磁性基板を使用する手法等
が提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術で使用されていた上記強化ガラス、結晶化ガラ
ス、セラミクス、アモルファスカ−ボン、単結晶シリコ
ン、表面酸化単結晶シリコン等の基板では、NiPメッ
キAl合金基板を使用したときに比べ、磁気記録媒体の
保磁力が小さくなりやすいという問題があることがわか
った。すなわち、本発明者らの研究によると、上記強化
ガラス、結晶化ガラス、セラミクス、アモルファスカ−
ボン、単結晶シリコン、表面酸化単結晶シリコン等の基
板の常温における線膨張係数は、例えばホ−ヤ株式会社
製強化ガラス基板エヌ5エ−で約0.000009/d
eg、コ−ニングインコ−ポレイテッド製結晶化ガラス
基板メムコア2で約0.000012/degであり、
NiPメッキAl合金基板の常温における線膨張係数約
0.000023/degに比べて著しく小さく、また
磁性層の常温における線膨張係数例えば約0.0000
12/degにごく近いかまたはこれよりも小さいた
め、基板上に直接もしくは下地層を介して設けられた磁
性層に基板から加わる面内圧縮歪が小さくなるか、ある
いは面内引っ張り歪が加わり、その結果磁気記録媒体の
保磁力が小さくなりやすいことが明らかとなった。
来技術で使用されていた上記強化ガラス、結晶化ガラ
ス、セラミクス、アモルファスカ−ボン、単結晶シリコ
ン、表面酸化単結晶シリコン等の基板では、NiPメッ
キAl合金基板を使用したときに比べ、磁気記録媒体の
保磁力が小さくなりやすいという問題があることがわか
った。すなわち、本発明者らの研究によると、上記強化
ガラス、結晶化ガラス、セラミクス、アモルファスカ−
ボン、単結晶シリコン、表面酸化単結晶シリコン等の基
板の常温における線膨張係数は、例えばホ−ヤ株式会社
製強化ガラス基板エヌ5エ−で約0.000009/d
eg、コ−ニングインコ−ポレイテッド製結晶化ガラス
基板メムコア2で約0.000012/degであり、
NiPメッキAl合金基板の常温における線膨張係数約
0.000023/degに比べて著しく小さく、また
磁性層の常温における線膨張係数例えば約0.0000
12/degにごく近いかまたはこれよりも小さいた
め、基板上に直接もしくは下地層を介して設けられた磁
性層に基板から加わる面内圧縮歪が小さくなるか、ある
いは面内引っ張り歪が加わり、その結果磁気記録媒体の
保磁力が小さくなりやすいことが明らかとなった。
【0004】従って、本発明の目的は、上記従来技術の
問題点を解決し、磁性層に大きい面内圧縮歪を加えるこ
とにより、磁気記録媒体の保磁力を大きくして再生出力
を高めるとともに、高い耐衝撃性を保つことにより、高
密度記録が可能な磁気記録媒体を提供することにある。
問題点を解決し、磁性層に大きい面内圧縮歪を加えるこ
とにより、磁気記録媒体の保磁力を大きくして再生出力
を高めるとともに、高い耐衝撃性を保つことにより、高
密度記録が可能な磁気記録媒体を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、非金属非磁性基板上に少なくとも一層の
多結晶薄膜または非晶質薄膜からなる磁性層を有する磁
気記録媒体において、非金属非磁性基板の常温における
線膨脹係数を0.000013/deg以上0.000
1/deg以下としたものである。
に、本発明は、非金属非磁性基板上に少なくとも一層の
多結晶薄膜または非晶質薄膜からなる磁性層を有する磁
気記録媒体において、非金属非磁性基板の常温における
線膨脹係数を0.000013/deg以上0.000
1/deg以下としたものである。
【0006】また、本発明は、非金属非磁性基板の常温
における線膨張係数を磁性層の常温における線膨張係数
より大きくしたものである。
における線膨張係数を磁性層の常温における線膨張係数
より大きくしたものである。
【0007】磁性層としては、負の磁歪定数をもつもの
が用いられる。また磁性層の線膨張係数は、上記非金属
非磁性基板の線膨張係数よりも低い例えば0.0000
12/degのものが用いられる。
が用いられる。また磁性層の線膨張係数は、上記非金属
非磁性基板の線膨張係数よりも低い例えば0.0000
12/degのものが用いられる。
【0008】なお、このような磁気記録媒体と組み合わ
される磁気ヘッドとして、磁気コア(スライダ)の一部
に金属磁性合金または磁気抵抗効果素子を少なくとも含
み実質的にジルコニアもしくはアルミナチタンカ−バイ
ドもしくはフェライトを磁気コアの主たる成分とする磁
気ヘッドを用いることにより、記憶容量が従来に比べて
1.5倍以上大きく、信頼性の高い大容量磁気記憶装置
を作製できる。磁気ヘッドの磁気記録媒体対向面にC,
Si,SiO2,ZrO2,Al2O3からなる被覆層を設
けると、磁気記憶装置の信頼性を著しく向上できるの
で、より好ましい。
される磁気ヘッドとして、磁気コア(スライダ)の一部
に金属磁性合金または磁気抵抗効果素子を少なくとも含
み実質的にジルコニアもしくはアルミナチタンカ−バイ
ドもしくはフェライトを磁気コアの主たる成分とする磁
気ヘッドを用いることにより、記憶容量が従来に比べて
1.5倍以上大きく、信頼性の高い大容量磁気記憶装置
を作製できる。磁気ヘッドの磁気記録媒体対向面にC,
Si,SiO2,ZrO2,Al2O3からなる被覆層を設
けると、磁気記憶装置の信頼性を著しく向上できるの
で、より好ましい。
【0009】
【作用】上記構成に基づく作用を説明する。
【0010】本発明は、線膨張係数の大きい非金属非磁
性基板を使用することで、高い耐衝撃性を保ちながら、
磁気記録媒体の保磁力を大きくして出力を高めることに
より、高密度記録が可能な磁気記録媒体を提供するもの
であって、これは以下の作用による。
性基板を使用することで、高い耐衝撃性を保ちながら、
磁気記録媒体の保磁力を大きくして出力を高めることに
より、高密度記録が可能な磁気記録媒体を提供するもの
であって、これは以下の作用による。
【0011】一般的に磁性層としてよく使用されている
Coを主成分とする合金磁性材料は負の磁歪定数を持つ
ものが多く、これは圧縮歪の方向に保磁力が高くなる性
質を示す。一方、磁気記録媒体では、約150℃から3
00℃の基板上に直接もしくは下地層を介して設けられ
た磁性層が室温まで冷却される際、基板と磁性層の熱膨
張率の違いにより、磁性層は基板から面内圧縮または面
内引っ張りの応力を受け歪を生じる。したがって高い保
磁力を得るには磁性層が基板から大きな面内圧縮応力を
受けることが有効である。図3は本発明の実施例1,2
および比較例1〜4の磁気記録媒体の常温における基板
の線膨脹係数と面内円周方向の保磁力の関係を示す図で
ある。この図から明らかな如く、線膨脹係数の大きい基
板を使用した磁気記録媒体は高保磁力を示すことがわか
る。
Coを主成分とする合金磁性材料は負の磁歪定数を持つ
ものが多く、これは圧縮歪の方向に保磁力が高くなる性
質を示す。一方、磁気記録媒体では、約150℃から3
00℃の基板上に直接もしくは下地層を介して設けられ
た磁性層が室温まで冷却される際、基板と磁性層の熱膨
張率の違いにより、磁性層は基板から面内圧縮または面
内引っ張りの応力を受け歪を生じる。したがって高い保
磁力を得るには磁性層が基板から大きな面内圧縮応力を
受けることが有効である。図3は本発明の実施例1,2
および比較例1〜4の磁気記録媒体の常温における基板
の線膨脹係数と面内円周方向の保磁力の関係を示す図で
ある。この図から明らかな如く、線膨脹係数の大きい基
板を使用した磁気記録媒体は高保磁力を示すことがわか
る。
【0012】次に、非金属非磁性基板の線膨脹係数の好
適な範囲について説明する。磁性層が常温で基板から大
きな面内圧縮応力を受けるためには基板の熱膨張率が磁
性層の熱膨張率より大きいことが必要となる。上記Co
を主成分とする合金磁性材料の常温における線膨脹係数
が約0.000012/degであることから、非金属
非磁性基板の常温における線膨脹係数を0.00001
3/deg以上とすることがこのように大きな面内圧縮
応力を受ける上で望ましい。線膨脹係数が0.0000
13/deg未満では磁性層に基板から加わる面内圧縮
歪が小さくなるか、あるいは面内引っ張り歪が加わり保
磁力が小さくなりやすいため好ましくない。一方、常温
における線膨脹係数が0.0001/degより大きい
と磁性層の線膨張係数に比べて大きくなり過ぎるため、
磁性層に過大な歪が加わり、基板と磁性層との密着性を
劣化させるのでこれもまた好ましくない。したがって、
高保磁力を得かつ基板と磁性層の密着性を良くする上で
非金属非磁性基板の常温における線膨脹係数を0.00
0013/deg以上0.0001/deg以下とする
ことが好ましい。
適な範囲について説明する。磁性層が常温で基板から大
きな面内圧縮応力を受けるためには基板の熱膨張率が磁
性層の熱膨張率より大きいことが必要となる。上記Co
を主成分とする合金磁性材料の常温における線膨脹係数
が約0.000012/degであることから、非金属
非磁性基板の常温における線膨脹係数を0.00001
3/deg以上とすることがこのように大きな面内圧縮
応力を受ける上で望ましい。線膨脹係数が0.0000
13/deg未満では磁性層に基板から加わる面内圧縮
歪が小さくなるか、あるいは面内引っ張り歪が加わり保
磁力が小さくなりやすいため好ましくない。一方、常温
における線膨脹係数が0.0001/degより大きい
と磁性層の線膨張係数に比べて大きくなり過ぎるため、
磁性層に過大な歪が加わり、基板と磁性層との密着性を
劣化させるのでこれもまた好ましくない。したがって、
高保磁力を得かつ基板と磁性層の密着性を良くする上で
非金属非磁性基板の常温における線膨脹係数を0.00
0013/deg以上0.0001/deg以下とする
ことが好ましい。
【0013】このような線膨張係数をもつ非金属非磁性
基板として各種のガラスがあり、これを用いることで高
い耐衝撃性と高保磁力を共に得ることができる。
基板として各種のガラスがあり、これを用いることで高
い耐衝撃性と高保磁力を共に得ることができる。
【0014】なお、本発明の磁気記録媒体と組み合わさ
れる磁気ヘットとしては、磁気コア(スライダ)の一部
に金属磁性合金または磁気抵抗効果素子を少なくとも含
み、実質的にジルコニアもしくはアルミナチタンカ−バ
イドもしくはフェライトを磁気コアの主たる成分とする
磁気ヘッドを用いることにより、信頼性の高い大容量の
磁気記憶装置を作製できるため好ましい。ジルコニア,
アルミナチタンカ−バイド,およびフェライトは0.0
05cal/sec/cm/deg以上の熱伝導率を持
ち熱歪が少なく、潤滑剤の熱揮発の発生が少ないことに
よって、耐摺動特性が向上するためである。さらに、磁
気ヘッドの磁気記録媒体対向面にC,Si,SiO2,
ZrO2,Al2O3からなる被覆層を設けると、磁気記
憶装置の信頼性を著しく向上できるので、より好まし
い。これは、磁気ヘッドと磁気記録媒体が接触したとき
の摩擦係数を低減できるためである。このような磁気ヘ
ッドは、低摩擦係数のため、動作中に摩擦熱により磁気
記録媒体の温度を上昇して、面内圧縮歪を低下させその
保磁力を低下させるおそれがないので、好都合である。
れる磁気ヘットとしては、磁気コア(スライダ)の一部
に金属磁性合金または磁気抵抗効果素子を少なくとも含
み、実質的にジルコニアもしくはアルミナチタンカ−バ
イドもしくはフェライトを磁気コアの主たる成分とする
磁気ヘッドを用いることにより、信頼性の高い大容量の
磁気記憶装置を作製できるため好ましい。ジルコニア,
アルミナチタンカ−バイド,およびフェライトは0.0
05cal/sec/cm/deg以上の熱伝導率を持
ち熱歪が少なく、潤滑剤の熱揮発の発生が少ないことに
よって、耐摺動特性が向上するためである。さらに、磁
気ヘッドの磁気記録媒体対向面にC,Si,SiO2,
ZrO2,Al2O3からなる被覆層を設けると、磁気記
憶装置の信頼性を著しく向上できるので、より好まし
い。これは、磁気ヘッドと磁気記録媒体が接触したとき
の摩擦係数を低減できるためである。このような磁気ヘ
ッドは、低摩擦係数のため、動作中に摩擦熱により磁気
記録媒体の温度を上昇して、面内圧縮歪を低下させその
保磁力を低下させるおそれがないので、好都合である。
【0015】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面により説明す
る。
る。
【0016】実施例1 図1は本発明の実施例1の磁気記録媒体の断面図であ
る。
る。
【0017】中心線平均面粗さ1nmの直径48mm
φ、厚さ1.0mm、常温における線膨張係数0.00
0018/degの日本電気硝子株式会社製エムエル−
01ガラス基板11上にDCマグネトロンスパッタ法
で、基板温度250℃、アルゴンガス圧5mTorr、
投入電力10W/cm2で膜厚30nmのCr下地層1
2,12’、膜厚30nmのCo0.78Cr0.16T
a0.06磁性層13,13’を形成した後、DCマグネ
トロンスパッタ法で、基板温度140℃、アルゴンガス
圧10mTorr、投入電力1W/cm2で膜厚10n
mのカ−ボン保護被覆層14,14’を形成し、さらに
末端にベンゼン環を含む吸着性極性基を有するパ−フル
オロアルキルポリエ−テル潤滑層15,15’を4nm
設けてディスク状磁気記録媒体とした。
φ、厚さ1.0mm、常温における線膨張係数0.00
0018/degの日本電気硝子株式会社製エムエル−
01ガラス基板11上にDCマグネトロンスパッタ法
で、基板温度250℃、アルゴンガス圧5mTorr、
投入電力10W/cm2で膜厚30nmのCr下地層1
2,12’、膜厚30nmのCo0.78Cr0.16T
a0.06磁性層13,13’を形成した後、DCマグネ
トロンスパッタ法で、基板温度140℃、アルゴンガス
圧10mTorr、投入電力1W/cm2で膜厚10n
mのカ−ボン保護被覆層14,14’を形成し、さらに
末端にベンゼン環を含む吸着性極性基を有するパ−フル
オロアルキルポリエ−テル潤滑層15,15’を4nm
設けてディスク状磁気記録媒体とした。
【0018】実施例2 次に、図1に示す構造の磁気記録媒体でさらに別の実施
例について説明する。
例について説明する。
【0019】中心線平均面粗さ1nmの直径48mm
φ、厚さ1.5mm、常温における線膨張係数0.00
0016/degの日本電気硝子株式会社製エ−3ガラ
ス基板を使用し、実施例1と同じ方法で磁気記録媒体を
作製した。
φ、厚さ1.5mm、常温における線膨張係数0.00
0016/degの日本電気硝子株式会社製エ−3ガラ
ス基板を使用し、実施例1と同じ方法で磁気記録媒体を
作製した。
【0020】実施例3 図2は本発明の実施例3の磁気記録媒体の断面図であ
る。
る。
【0021】中心線平均面粗さ1nmの直径48mm
φ、厚さ0.635mm、常温における線膨張係数0.
000018/degの日本電気硝子株式会社製エムエ
ル−01ガラス基板21上にDCマグネトロンスパッタ
法で、基板温度250℃、アルゴンガス圧3mTor
r、投入電力10W/cm2で膜厚25nmのCo0.76
Cr0.16Pt0.08磁性層22,22’を形成した後、
DCマグネトロンスパッタ法で、基板温度100℃、ア
ルゴン85vol%メタン15vol%混合ガス圧10
mTorr、投入電力1W/cm2で膜厚10nmのカ
−ボン保護被覆層23,23’を形成し、さらに末端に
をCNを含む吸着性極性基を有するパ−フルオロアルキ
ルポリエ−テル潤滑層24,24’を4nm設けて磁気
記録媒体とした。
φ、厚さ0.635mm、常温における線膨張係数0.
000018/degの日本電気硝子株式会社製エムエ
ル−01ガラス基板21上にDCマグネトロンスパッタ
法で、基板温度250℃、アルゴンガス圧3mTor
r、投入電力10W/cm2で膜厚25nmのCo0.76
Cr0.16Pt0.08磁性層22,22’を形成した後、
DCマグネトロンスパッタ法で、基板温度100℃、ア
ルゴン85vol%メタン15vol%混合ガス圧10
mTorr、投入電力1W/cm2で膜厚10nmのカ
−ボン保護被覆層23,23’を形成し、さらに末端に
をCNを含む吸着性極性基を有するパ−フルオロアルキ
ルポリエ−テル潤滑層24,24’を4nm設けて磁気
記録媒体とした。
【0022】比較例1 次に、図1に示す構造の磁気記録媒体で比較例1につい
て説明する。
て説明する。
【0023】中心線平均面粗さ3nmの直径65mm
φ、厚さ0.8mm、常温における線膨張係数0.00
0012/degのコ−ニングインコ−ポレイテッド製
メムコア2結晶化ガラス基板を使用し、実施例1と同じ
方法で磁気記録媒体を作製した。
φ、厚さ0.8mm、常温における線膨張係数0.00
0012/degのコ−ニングインコ−ポレイテッド製
メムコア2結晶化ガラス基板を使用し、実施例1と同じ
方法で磁気記録媒体を作製した。
【0024】比較例2 次に、図1に示す構造の磁気記録媒体でさらに別の比較
例について説明する。
例について説明する。
【0025】中心線平均面粗さ1nmの直径48mm
φ、厚さ0.635mm、常温における線膨張係数0.
000009/degのホ−ヤ株式会社製エヌ5エ−強
化ガラス基板を使用し、実施例1と同じ方法で磁気記録
媒体を作製した。
φ、厚さ0.635mm、常温における線膨張係数0.
000009/degのホ−ヤ株式会社製エヌ5エ−強
化ガラス基板を使用し、実施例1と同じ方法で磁気記録
媒体を作製した。
【0026】比較例3 次に、図1に示す構造の磁気記録媒体でさらに別の比較
例について説明する。
例について説明する。
【0027】中心線平均面粗さ1nmの直径48mm
φ、厚さ0.635mm、常温における線膨張係数0.
000003/degの株式会社神戸製鋼所製アモルフ
ァスカ−ボン基板ユ−ダックを使用し、実施例1と同じ
方法で磁気記録媒体を作製した。
φ、厚さ0.635mm、常温における線膨張係数0.
000003/degの株式会社神戸製鋼所製アモルフ
ァスカ−ボン基板ユ−ダックを使用し、実施例1と同じ
方法で磁気記録媒体を作製した。
【0028】比較例4 次に、図1に示す構造の磁気記録媒体でさらに別の比較
例について説明する。
例について説明する。
【0029】中心線平均面粗さ1nmの直径65mm
φ、厚さ0.8mm、常温における線膨張係数0.00
0023/degのNiPメッキAl合金基板を使用
し、実施例1と同じ方法で磁気記録媒体を作製した。
φ、厚さ0.8mm、常温における線膨張係数0.00
0023/degのNiPメッキAl合金基板を使用
し、実施例1と同じ方法で磁気記録媒体を作製した。
【0030】実施例4 上記実施例1〜3および比較例1〜4の磁気記録媒体の
面内円周方向の保磁力を振動試料型磁力計により測定し
た。
面内円周方向の保磁力を振動試料型磁力計により測定し
た。
【0031】図3は常温における基板の線膨張係数と磁
気記録媒体の面内円周方向の保磁力の関係を示す図であ
る。図3で、「実1」「実2」は上記実施例1と2を、
「比1」〜「比4」は上記比較例1〜4を示す。比較例
4は、基板の線膨張係数が本発明の条件を満足してい
て、保磁力が大きくても、NiPメッキAlの合金基板
を用いたため表面硬度が低く変形が生じてしまい、後記
のようにエラーが発生した。
気記録媒体の面内円周方向の保磁力の関係を示す図であ
る。図3で、「実1」「実2」は上記実施例1と2を、
「比1」〜「比4」は上記比較例1〜4を示す。比較例
4は、基板の線膨張係数が本発明の条件を満足してい
て、保磁力が大きくても、NiPメッキAlの合金基板
を用いたため表面硬度が低く変形が生じてしまい、後記
のようにエラーが発生した。
【0032】さらに上記実施例1〜3および比較例1〜
4の磁気記録媒体を1,2,4ないし8枚用い、磁気コ
アの一部にNiFe合金を少なくとも含み、コア部をジ
ルコニアを主たる成分とする非磁性材料とした薄膜磁気
ヘッドを組み合わせて図4に示す磁気記憶装置を作製
し、記録再生特性を評価した。図4において、401,
402,403,404は本発明より成る磁気記録媒
体、405,406,407,408,409,41
0,411,412は磁気ヘッド、413は可動式ヘッ
ドア−ム、414はボイスコイルモ−タ、415は制御
回路、416は位置決め検出回路、417はヘッド選択
スイッチ、418は記録再生回路、419はコントロ−
ラである。この装置で80kFCIの信号を記録再生し
たときの装置S/Nを評価した。
4の磁気記録媒体を1,2,4ないし8枚用い、磁気コ
アの一部にNiFe合金を少なくとも含み、コア部をジ
ルコニアを主たる成分とする非磁性材料とした薄膜磁気
ヘッドを組み合わせて図4に示す磁気記憶装置を作製
し、記録再生特性を評価した。図4において、401,
402,403,404は本発明より成る磁気記録媒
体、405,406,407,408,409,41
0,411,412は磁気ヘッド、413は可動式ヘッ
ドア−ム、414はボイスコイルモ−タ、415は制御
回路、416は位置決め検出回路、417はヘッド選択
スイッチ、418は記録再生回路、419はコントロ−
ラである。この装置で80kFCIの信号を記録再生し
たときの装置S/Nを評価した。
【0033】さらに、上記磁気記憶装置に150G,1
1msecの衝撃を与えた後、エラ−の発生の有無を調
べた。
1msecの衝撃を与えた後、エラ−の発生の有無を調
べた。
【0034】以上の結果を図5にまとめて示す。
【0035】図5に示すように、実施例1〜3の磁気記
録媒体は比較例1〜4の磁気記録媒体に比べ、保磁力が
高く記録再生特性に格段に優れ、また耐衝撃性も優れて
いることが明らかとなった。
録媒体は比較例1〜4の磁気記録媒体に比べ、保磁力が
高く記録再生特性に格段に優れ、また耐衝撃性も優れて
いることが明らかとなった。
【0036】実施例5 次に実施例1〜3の磁気記録媒体を使用した上記実施例
4の磁気記憶装置の磁気ヘッドを、磁気抵抗効果素子を
再生部に含み、コア部をアルミナチタンカ−バイドを主
たる成分とする非磁性材料とした記録再生分離型磁気ヘ
ッドに替えて、実施例4と同様の手法で記録再生特性を
評価したところ、装置S/Nが1.5倍以上向上した。
実施例1〜3の磁気記録媒体と磁気抵抗効果素子を再生
部に含む記録再生分離型磁気ヘッドとの組合せでは、媒
体S/Nが大きいため磁気ヘッドの浮上量を大きくでき
ること等により信頼性の高い磁気記憶装置を提供でき
る。エラ−が生じるまでの平均装置寿命を求めたとこ
ろ、従来の記録媒体を用いた装置に比べ、2〜10倍以
上の寿命となり高い信頼性が得られた。磁気抵抗効果素
子の表面にC,Si,SiO2,ZrO2,Al2O3等の
層を設けると、装置の信頼性をさらに向上できるので好
ましい。
4の磁気記憶装置の磁気ヘッドを、磁気抵抗効果素子を
再生部に含み、コア部をアルミナチタンカ−バイドを主
たる成分とする非磁性材料とした記録再生分離型磁気ヘ
ッドに替えて、実施例4と同様の手法で記録再生特性を
評価したところ、装置S/Nが1.5倍以上向上した。
実施例1〜3の磁気記録媒体と磁気抵抗効果素子を再生
部に含む記録再生分離型磁気ヘッドとの組合せでは、媒
体S/Nが大きいため磁気ヘッドの浮上量を大きくでき
ること等により信頼性の高い磁気記憶装置を提供でき
る。エラ−が生じるまでの平均装置寿命を求めたとこ
ろ、従来の記録媒体を用いた装置に比べ、2〜10倍以
上の寿命となり高い信頼性が得られた。磁気抵抗効果素
子の表面にC,Si,SiO2,ZrO2,Al2O3等の
層を設けると、装置の信頼性をさらに向上できるので好
ましい。
【0037】ここで、下地層12,12’にはCr,M
o,W,Cr−Ti,Cr−V,Cr−Si,Cr−
W,C,Ni−P等が用いられる。磁性層13,1
3’,32,32’にはCo−Ni,Co−Ni−C
r,Co−Ni−Zr,Co−Ni−Pt,Co−C
r,Co−Cr−Ta,Co−Cr−Pt,Co−Cr
−Pt−Si等が用いられる。これらの磁性層は、いず
れも線膨張係数が約0.000012/degである。
また保護被覆層14,14’,33,33’にはC,炭
化物,窒化物,酸化物,硼化物等を用いることができ、
いずれの組合せでも同様の効果が得られる。また、下地
層、磁性層、保護被覆層を2層以上で構成しても差し支
えない。
o,W,Cr−Ti,Cr−V,Cr−Si,Cr−
W,C,Ni−P等が用いられる。磁性層13,1
3’,32,32’にはCo−Ni,Co−Ni−C
r,Co−Ni−Zr,Co−Ni−Pt,Co−C
r,Co−Cr−Ta,Co−Cr−Pt,Co−Cr
−Pt−Si等が用いられる。これらの磁性層は、いず
れも線膨張係数が約0.000012/degである。
また保護被覆層14,14’,33,33’にはC,炭
化物,窒化物,酸化物,硼化物等を用いることができ、
いずれの組合せでも同様の効果が得られる。また、下地
層、磁性層、保護被覆層を2層以上で構成しても差し支
えない。
【0038】
【発明の効果】以上詳しく説明したように、本発明によ
れば、磁性層に比べて線膨張係数の大きい非金属非磁性
基板を使用することにより、高い耐衝撃性を保ちなが
ら、記録媒体の保磁力を大きくして再生出力を高め、高
密度記録が可能な磁気記録媒体が得られるという効果が
ある。
れば、磁性層に比べて線膨張係数の大きい非金属非磁性
基板を使用することにより、高い耐衝撃性を保ちなが
ら、記録媒体の保磁力を大きくして再生出力を高め、高
密度記録が可能な磁気記録媒体が得られるという効果が
ある。
【0039】また、非金属非磁性基板として常温におけ
る線膨張係数が0.000013/deg〜0.000
1/degの範囲のものを用いることにより、Co系等
線膨張係数が約0.000012/degまたはそれ以
下の磁性層と組み合わせて高い保磁力及び高い耐衝撃性
を有する磁気記録媒体が得られるという効果がある。
る線膨張係数が0.000013/deg〜0.000
1/degの範囲のものを用いることにより、Co系等
線膨張係数が約0.000012/degまたはそれ以
下の磁性層と組み合わせて高い保磁力及び高い耐衝撃性
を有する磁気記録媒体が得られるという効果がある。
【図1】本発明の実施例1における磁気記録媒体の断面
図である。
図である。
【図2】本発明の実施例3における磁気記録媒体の断面
図である。
図である。
【図3】基板の線膨脹係数と磁気記録媒体の保磁力の関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図4】本発明の実施例4における磁気記憶装置の構成
図である。
図である。
【図5】実施例及び比較例の各種特性を示す図である。
11,21 非磁性基板 12,12’ 下地層 13,13’,22,22’ 磁性層 14,14’,23,23’ 保護被覆層 15,15’,24,24’ 潤滑層 401,402,403,404 磁気記録媒体 405,406,407,408,409,410,4
11,412 磁気ヘッド 413 可動式ヘッドア−ム 414 ボイスコイルモ−タ 415 制御回路 416 位置決め検出回路 417 ヘッド選択スイッチ 418 記録再生回路 419 コントロ−ラ
11,412 磁気ヘッド 413 可動式ヘッドア−ム 414 ボイスコイルモ−タ 415 制御回路 416 位置決め検出回路 417 ヘッド選択スイッチ 418 記録再生回路 419 コントロ−ラ
フロントページの続き (72)発明者 藤田 塩地 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 米川 隆生 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 正田 光広 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 加藤 章 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 細江 譲 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 五十嵐 万壽和 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (3)
- 【請求項1】 非金属非磁性基板上に少なくとも一層の
多結晶薄膜または非晶質薄膜からなる磁性層を有する磁
気記録媒体において、前記非金属非磁性基板の常温にお
ける線膨脹係数が0.000013/deg以上0.0
001/deg以下とされていることを特徴とする磁気
記録媒体。 - 【請求項2】 非金属非磁性基板上に少なくとも一層の
多結晶薄膜または非晶質薄膜からなる磁性層を有する磁
気記録媒体において、前記非金属非磁性基板の常温にお
ける線膨張係数を前記磁性層の常温における線膨張係数
よりも大きくしたことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項3】 前記磁性層は負の磁歪定数を有すること
を特徴とする請求項1または2記載の磁気記録媒体。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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US08/518,391 US5906884A (en) | 1994-08-19 | 1995-08-15 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19547994A JP3368064B2 (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0863731A true JPH0863731A (ja) | 1996-03-08 |
JP3368064B2 JP3368064B2 (ja) | 2003-01-20 |
Family
ID=16341775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19547994A Expired - Fee Related JP3368064B2 (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 磁気記録媒体 |
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Country | Link |
---|---|
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---|---|---|---|---|
JP4568926B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2010-10-27 | ソニー株式会社 | 磁気機能素子及び磁気記録装置 |
US7706103B2 (en) | 2006-07-25 | 2010-04-27 | Seagate Technology Llc | Electric field assisted writing using a multiferroic recording media |
US20100053817A1 (en) * | 2008-09-04 | 2010-03-04 | Robert Glenn Biskeborn | Coated magnetic head and methods for fabrication thereof |
US8611043B2 (en) | 2011-06-02 | 2013-12-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic head having polycrystalline coating |
US8611044B2 (en) | 2011-06-02 | 2013-12-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic head having separate protection for read transducers and write transducers |
US8837082B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-09-16 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording head having quilted-type coating |
US9036297B2 (en) | 2012-08-31 | 2015-05-19 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording head having protected reader sensors and near zero recession writer poles |
US8780496B2 (en) | 2012-09-21 | 2014-07-15 | International Business Machines Corporation | Device such as magnetic head having hardened dielectric portions |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1800523A1 (de) * | 1968-10-02 | 1970-07-02 | Ibm Deutschland | Verfahren zur Herstellung einer Magnetschicht mit niedriger Magnetostriktion und mit hoher Koerzitivkraft fuer magnetische Aufzeichnungstraeger |
JPS49122707A (ja) * | 1973-03-26 | 1974-11-25 | ||
US4438066A (en) * | 1981-06-30 | 1984-03-20 | International Business Machines Corporation | Zero to low magnetostriction, high coercivity, polycrystalline, Co-Pt magnetic recording media |
JPS61247932A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | トルクセンサ |
US4680211A (en) * | 1985-07-25 | 1987-07-14 | The Dow Chemical Company | Recording disks |
JPH0692263B2 (ja) * | 1989-02-16 | 1994-11-16 | 伊藤忠商事株式会社 | 記録ディスク基板及びその製造方法 |
DE69027763T2 (de) * | 1989-08-31 | 1997-04-17 | Idemitsu Kosan Co | Magnetisches aufzeichnungsmedium |
US5431804A (en) * | 1990-10-09 | 1995-07-11 | Diamond Technologies Company | Nickel-cobalt-boron alloy deposited on a substrate |
US5401572A (en) * | 1991-06-27 | 1995-03-28 | Sony Corporation | Magnetic recording medium and magnetic recording method for digital image signal |
-
1994
- 1994-08-19 JP JP19547994A patent/JP3368064B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-08-15 US US08/518,391 patent/US5906884A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3368064B2 (ja) | 2003-01-20 |
US5906884A (en) | 1999-05-25 |
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