JPH04278219A - 磁気記録媒体および磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記録媒体および磁気記憶装置Info
- Publication number
- JPH04278219A JPH04278219A JP4160891A JP4160891A JPH04278219A JP H04278219 A JPH04278219 A JP H04278219A JP 4160891 A JP4160891 A JP 4160891A JP 4160891 A JP4160891 A JP 4160891A JP H04278219 A JPH04278219 A JP H04278219A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- protective coating
- recording medium
- coating layer
- magnetic recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 92
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims description 59
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims description 10
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims description 6
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 claims description 4
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 3
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020676 Co—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910001337 iron nitride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はフレキシブル型磁気ディ
スク装置、ドラム型磁気記憶装置、テ−プ型磁気記憶装
置、カ−ド型磁気記憶装置、リジッド型磁気ディスク装
置などに用いる磁気記録媒体および磁気記憶装置に関す
る。
スク装置、ドラム型磁気記憶装置、テ−プ型磁気記憶装
置、カ−ド型磁気記憶装置、リジッド型磁気ディスク装
置などに用いる磁気記録媒体および磁気記憶装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】磁気記録の高密度化に対応するため、酸
化鉄薄膜、窒化鉄薄膜、磁性合金薄膜などの薄膜磁性層
を記録層とする磁気記録媒体の研究開発が進められてい
る。これら薄膜媒体は非磁性基体上にスパッタリング法
、真空蒸着法、メッキ法、イオンプレ−ティング法等の
手法により形成されることが多い。これらは膜厚が小さ
いこと、保磁力や磁化が大きいことなどの理由により高
記録密度化に適していると言える。しかしながら、上記
磁性薄膜を用いた磁気記録媒体は磁気ヘッドの摺動によ
り損傷を受けやすく、耐摺動性が悪いという問題を持っ
ている。磁気ファイルとして使用される磁気記録媒体等
は、特に高度の信頼性が要求されるため、上記問題点を
克服することは、高記録密度化を実現するうえで極めて
重要である。
化鉄薄膜、窒化鉄薄膜、磁性合金薄膜などの薄膜磁性層
を記録層とする磁気記録媒体の研究開発が進められてい
る。これら薄膜媒体は非磁性基体上にスパッタリング法
、真空蒸着法、メッキ法、イオンプレ−ティング法等の
手法により形成されることが多い。これらは膜厚が小さ
いこと、保磁力や磁化が大きいことなどの理由により高
記録密度化に適していると言える。しかしながら、上記
磁性薄膜を用いた磁気記録媒体は磁気ヘッドの摺動によ
り損傷を受けやすく、耐摺動性が悪いという問題を持っ
ている。磁気ファイルとして使用される磁気記録媒体等
は、特に高度の信頼性が要求されるため、上記問題点を
克服することは、高記録密度化を実現するうえで極めて
重要である。
【0003】従来の連続薄膜を用いた磁気記録媒体では
、上記問題点を解決するため、磁性膜上にC系保護被覆
層を形成する手法(特開昭61−54017号公報、特
開昭61−54019号公報)、C系保護被覆層上にさ
らに有機系液体潤滑剤を形成する手法(特開昭61−9
6512号公報)、WC保護被覆層を形成する手法(特
開昭49−20081号公報、特開昭53−21901
号公報、特開昭53−21902号公報)、Si,Zr
,Hf,Ti,Ta,Nb,Wの窒化物あるいは炭化物
保護被覆層を形成する手法(米国特許第Re.3246
4号公報)、Zr,Ti,Ta,Hfの酸化物,窒化物
,炭化物,硼化物保護被覆層を形成する手法(特開昭6
3−66722号公報)等が提案されている。
、上記問題点を解決するため、磁性膜上にC系保護被覆
層を形成する手法(特開昭61−54017号公報、特
開昭61−54019号公報)、C系保護被覆層上にさ
らに有機系液体潤滑剤を形成する手法(特開昭61−9
6512号公報)、WC保護被覆層を形成する手法(特
開昭49−20081号公報、特開昭53−21901
号公報、特開昭53−21902号公報)、Si,Zr
,Hf,Ti,Ta,Nb,Wの窒化物あるいは炭化物
保護被覆層を形成する手法(米国特許第Re.3246
4号公報)、Zr,Ti,Ta,Hfの酸化物,窒化物
,炭化物,硼化物保護被覆層を形成する手法(特開昭6
3−66722号公報)等が提案されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者らの検討によると、上記保護被覆層を有する従来技術
の場合には、保護被覆層の硬度は相対的に高いにもかか
わらず、磁性層と保護被覆層の密着力が小さく、磁気記
録媒体に割れ、剥離等の急激な損傷が生じやすく、装置
に振動等が加えられた時の耐摺動性が不十分であること
が問題であった。本発明は以上の点に鑑みなされたもの
であって、金属または酸化物、窒化物等の磁性層上に、
磁性層との密着性に優れた高硬度、高靱性保護被覆層を
形成することにより、耐摺動性に優れ、高密度記録に適
した磁気記録媒体および信頼性の高い大容量磁気記憶装
置を提供することを目的とする。
者らの検討によると、上記保護被覆層を有する従来技術
の場合には、保護被覆層の硬度は相対的に高いにもかか
わらず、磁性層と保護被覆層の密着力が小さく、磁気記
録媒体に割れ、剥離等の急激な損傷が生じやすく、装置
に振動等が加えられた時の耐摺動性が不十分であること
が問題であった。本発明は以上の点に鑑みなされたもの
であって、金属または酸化物、窒化物等の磁性層上に、
磁性層との密着性に優れた高硬度、高靱性保護被覆層を
形成することにより、耐摺動性に優れ、高密度記録に適
した磁気記録媒体および信頼性の高い大容量磁気記憶装
置を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、磁性層上に少なくとも1層の保護被覆層を
設け、該保護被覆層中に残留する内部応力の絶対値を1
GPa以下としたものである。また、このような磁気記
録媒体と磁気コアの一部に金属磁性合金を少なくとも含
み、実質的にジルコニアもしくはフェライトを磁気コア
の主たる成分とする磁気ヘッドとを組み合わせることに
より、記憶容量が従来に比べ1.5倍以上大きい磁気記
憶装置を作製できる。ここで上記保護被覆層上に少なく
とも1つの吸着性末端基を有する潤滑剤層を存在せしめ
ることで耐摺動性、耐食性を著しく向上できるのでさら
に好ましい。上記保護被覆層中に残留する内部応力の絶
対値を0.5GPa以下にすることがさらに望ましく、
0.3GPa以下とすれば、耐摺動性がより向上するの
で特に望ましい。さらに上記保護被覆層の膜厚を3nm
以上60nm以下、より望ましくは3nm以上40nm
以下、さらに望ましくは5nm以上30nm以下とする
ことで耐摺動性を高く保つと共に記録再生特性も良好に
できるので特に望ましい。
するために、磁性層上に少なくとも1層の保護被覆層を
設け、該保護被覆層中に残留する内部応力の絶対値を1
GPa以下としたものである。また、このような磁気記
録媒体と磁気コアの一部に金属磁性合金を少なくとも含
み、実質的にジルコニアもしくはフェライトを磁気コア
の主たる成分とする磁気ヘッドとを組み合わせることに
より、記憶容量が従来に比べ1.5倍以上大きい磁気記
憶装置を作製できる。ここで上記保護被覆層上に少なく
とも1つの吸着性末端基を有する潤滑剤層を存在せしめ
ることで耐摺動性、耐食性を著しく向上できるのでさら
に好ましい。上記保護被覆層中に残留する内部応力の絶
対値を0.5GPa以下にすることがさらに望ましく、
0.3GPa以下とすれば、耐摺動性がより向上するの
で特に望ましい。さらに上記保護被覆層の膜厚を3nm
以上60nm以下、より望ましくは3nm以上40nm
以下、さらに望ましくは5nm以上30nm以下とする
ことで耐摺動性を高く保つと共に記録再生特性も良好に
できるので特に望ましい。
【0006】また、上記磁気記憶装置に使用する磁気ヘ
ッドは金属磁性合金を少なくとも磁気コアの一部として
含み、実質的にジルコニアもしくはフェライトを磁気コ
ア部の主たる成分とすることにより磁気記憶装置の信頼
性を著しく高めることができので特に望ましい。
ッドは金属磁性合金を少なくとも磁気コアの一部として
含み、実質的にジルコニアもしくはフェライトを磁気コ
ア部の主たる成分とすることにより磁気記憶装置の信頼
性を著しく高めることができので特に望ましい。
【0007】
【作用】上記効果は以下の作用による。C系保護被覆層
を用いた場合、また、WCを保護被覆層として用いた場
合や、Si,Zr,Hf,Ti,Ta,Nb,Wの窒化
物あるいは炭化物を保護被覆層として用いた場合、また
Zr,Ti,Ta,Hfの酸化物,窒化物,炭化物,硼
化物を保護被覆層として用いた場合には、これら材料が
高い硬度を示すため原理的には磁気記録媒体の薄膜保護
被覆層として使用可能である。ところが、上記材料を保
護被覆層として形成した磁気記録媒体の耐摺動性に関し
て検討した結果、衝撃のような高荷重時に場合によって
はこれらの磁気記録媒体は充分な耐摺動性を示さないこ
とがあることが明らかになった。これは、保護被覆層が
脆く、また一般に保護被覆層中に残留する内部応力が大
きく、したがって磁性層との密着力も小さいため、磁気
ヘッドの摺動により機械的外力が加わった場合、保護被
覆層内および磁性層と保護被覆層の界面に亀裂を生じ、
剥離、破壊に至り易いためである。
を用いた場合、また、WCを保護被覆層として用いた場
合や、Si,Zr,Hf,Ti,Ta,Nb,Wの窒化
物あるいは炭化物を保護被覆層として用いた場合、また
Zr,Ti,Ta,Hfの酸化物,窒化物,炭化物,硼
化物を保護被覆層として用いた場合には、これら材料が
高い硬度を示すため原理的には磁気記録媒体の薄膜保護
被覆層として使用可能である。ところが、上記材料を保
護被覆層として形成した磁気記録媒体の耐摺動性に関し
て検討した結果、衝撃のような高荷重時に場合によって
はこれらの磁気記録媒体は充分な耐摺動性を示さないこ
とがあることが明らかになった。これは、保護被覆層が
脆く、また一般に保護被覆層中に残留する内部応力が大
きく、したがって磁性層との密着力も小さいため、磁気
ヘッドの摺動により機械的外力が加わった場合、保護被
覆層内および磁性層と保護被覆層の界面に亀裂を生じ、
剥離、破壊に至り易いためである。
【0008】これに対し本発明者らの検討によれば、内
部に残留する応力の絶対値を1GPa以下にした保護被
覆層を用いると、磁性層と保護被服層の実質的な密着性
に優れるため、耐摺動性を向上することができることが
明らかになった。
部に残留する応力の絶対値を1GPa以下にした保護被
覆層を用いると、磁性層と保護被服層の実質的な密着性
に優れるため、耐摺動性を向上することができることが
明らかになった。
【0009】ここでさらに、本発明の実施例1を例に、
上記内部応力の範囲について説明する。図2に示すよう
に、内部応力の絶対値を1GPa以下とした場合には、
摺動後の傷幅が40μm以下、0.5GPa以下とした
場合には傷幅が25μm以下、さらに、0.3GPa以
下とした場合には傷幅が20μm以下となった。本発明
者らの検討によると、傷幅40μm,25μm,20μ
mは、それぞれ耐CSS(コンタクト、スタ−ト、スト
ップ)特性の略1万回,5万回,10万回以上に相当す
る。したがって、内部応力の絶対値が1GPa以下のと
きCSS1万回以上と実用上十分な耐摺動性が確保でき
るため望ましい。内部応力の絶対値が0.5GPa以下
になるとさらに耐摺動性が向上するためより望ましく、
0.3GPa以下ではCSS10万回以上と高い耐摺動
性を確保できるため特に望ましい。
上記内部応力の範囲について説明する。図2に示すよう
に、内部応力の絶対値を1GPa以下とした場合には、
摺動後の傷幅が40μm以下、0.5GPa以下とした
場合には傷幅が25μm以下、さらに、0.3GPa以
下とした場合には傷幅が20μm以下となった。本発明
者らの検討によると、傷幅40μm,25μm,20μ
mは、それぞれ耐CSS(コンタクト、スタ−ト、スト
ップ)特性の略1万回,5万回,10万回以上に相当す
る。したがって、内部応力の絶対値が1GPa以下のと
きCSS1万回以上と実用上十分な耐摺動性が確保でき
るため望ましい。内部応力の絶対値が0.5GPa以下
になるとさらに耐摺動性が向上するためより望ましく、
0.3GPa以下ではCSS10万回以上と高い耐摺動
性を確保できるため特に望ましい。
【0010】次に、保護被服層の膜厚の好適な範囲につ
いて説明する。上記保護被覆層の膜厚は3nm以上60
nm以下であることが望ましい。なぜならば、膜厚が3
nmより小さい保護被覆層では磁気記録媒体の耐摺動性
向上に十分な寄与をなし得ず、逆に膜厚が60nmより
大きい保護被覆層では、磁性層と磁気ヘッドの距離を不
必要に隔てることになり、記録再生特性の低下を招くこ
とになるからである。記録再生特性を高め、実用上の耐
摺動性を保つためには、保護被覆層の膜厚は3nm以上
40nm以下、さらには5nm以上30nm以下とする
ことがより望ましい。
いて説明する。上記保護被覆層の膜厚は3nm以上60
nm以下であることが望ましい。なぜならば、膜厚が3
nmより小さい保護被覆層では磁気記録媒体の耐摺動性
向上に十分な寄与をなし得ず、逆に膜厚が60nmより
大きい保護被覆層では、磁性層と磁気ヘッドの距離を不
必要に隔てることになり、記録再生特性の低下を招くこ
とになるからである。記録再生特性を高め、実用上の耐
摺動性を保つためには、保護被覆層の膜厚は3nm以上
40nm以下、さらには5nm以上30nm以下とする
ことがより望ましい。
【0011】ジルコニア、フェライト、アルミナのよう
に略0.005cal/sec/cm/deg以上の熱
伝導率を持つ材料を磁気ヘッドのコア材とした場合、熱
歪の発生が少なく、また潤滑剤の熱揮発も少ないので耐
摺動性が向上し特に好ましい。
に略0.005cal/sec/cm/deg以上の熱
伝導率を持つ材料を磁気ヘッドのコア材とした場合、熱
歪の発生が少なく、また潤滑剤の熱揮発も少ないので耐
摺動性が向上し特に好ましい。
【0012】
【実施例】実施例1
図1は本発明の実施例1の磁気記録媒体の構成図である
。
。
【0013】NiPをメッキし、その表面に、略円周方
向に中心線平均面粗さで10nmの凹凸を設けた130
mmφのAl−Mg合金基板11上にRFマグネトロン
スパッタ法で、基板温度300℃、アルゴンガス圧2m
Torr、投入電力10W/cm2で膜厚50nmのC
r非磁性下地層12,12’、膜厚70nmのCo0.
86Cr0.12Ta0.02磁性層13,13’を形
成した後、(W0.9Co0.1)0.5C0.5保護
被覆層14,14’をDCマグネトロンスパッタ法で、
非磁性下地層、磁性層と同一条件、もしくは基板温度2
50℃、アルゴンガス圧2〜15mTorr、投入電力
0.5〜5W/cm2と、成膜条件を非磁性下地層、磁
性層のそれと変えて30nm形成し、さらに末端に吸着
性のエステル基を有するパ−フルオロアルキルポリエ−
テル潤滑層を4nm設けて磁気ディスクとした。保護被
覆層中の残留内部応力の評価には、保護被覆層のX線回
折ピ−クの位置を詳細に測定する方法、及び、別にシリ
コンウェハ上に上記磁気ディスクと同構成で作製した試
料で保護被覆層が存在する場合としない場合のシリコン
ウェハのたわみ量を測定する方法とを採用した。耐摺動
性の評価には、曲率30mmのジルコニア球面摺動子を
荷重10gfで磁気ディスク表面に押し付け、摺動子と
の相対速度10m/sで磁気ディスクを回転させて、摺
動3600回時の磁気ディスク表面に生じた傷幅を測定
する方法を採用した。保護被覆層中の残留内部応力の絶
対値と耐摺動性の関係を図2に示す。
向に中心線平均面粗さで10nmの凹凸を設けた130
mmφのAl−Mg合金基板11上にRFマグネトロン
スパッタ法で、基板温度300℃、アルゴンガス圧2m
Torr、投入電力10W/cm2で膜厚50nmのC
r非磁性下地層12,12’、膜厚70nmのCo0.
86Cr0.12Ta0.02磁性層13,13’を形
成した後、(W0.9Co0.1)0.5C0.5保護
被覆層14,14’をDCマグネトロンスパッタ法で、
非磁性下地層、磁性層と同一条件、もしくは基板温度2
50℃、アルゴンガス圧2〜15mTorr、投入電力
0.5〜5W/cm2と、成膜条件を非磁性下地層、磁
性層のそれと変えて30nm形成し、さらに末端に吸着
性のエステル基を有するパ−フルオロアルキルポリエ−
テル潤滑層を4nm設けて磁気ディスクとした。保護被
覆層中の残留内部応力の評価には、保護被覆層のX線回
折ピ−クの位置を詳細に測定する方法、及び、別にシリ
コンウェハ上に上記磁気ディスクと同構成で作製した試
料で保護被覆層が存在する場合としない場合のシリコン
ウェハのたわみ量を測定する方法とを採用した。耐摺動
性の評価には、曲率30mmのジルコニア球面摺動子を
荷重10gfで磁気ディスク表面に押し付け、摺動子と
の相対速度10m/sで磁気ディスクを回転させて、摺
動3600回時の磁気ディスク表面に生じた傷幅を測定
する方法を採用した。保護被覆層中の残留内部応力の絶
対値と耐摺動性の関係を図2に示す。
【0014】一般に成膜時のガス圧が高いほど、もしく
は相対的に低温で成膜することで保護被覆層中に残留す
る内部応力の絶対値を小さくできる。内部応力の絶対値
が1GPa以上の保護被覆層の場合、エッチング等によ
って非磁性下地層、磁性層を除去し、エッチング液に不
溶の保護被覆層を遊離させると保護被覆層がその大きな
内部応力のため、細かな糸状になるまでカ−ルした。こ
れに対して、内部応力の絶対値が0.5GPa以下の保
護被覆層はほとんどカ−ルしなかった。このことからも
内部応力が小さければ摺動によってもたらされる表面の
微小な傷等に対しても、保護被覆層が安定に存在するこ
とが理解できる。逆に本方法によって保護被覆層中の残
留内部応力を知ることもできる。
は相対的に低温で成膜することで保護被覆層中に残留す
る内部応力の絶対値を小さくできる。内部応力の絶対値
が1GPa以上の保護被覆層の場合、エッチング等によ
って非磁性下地層、磁性層を除去し、エッチング液に不
溶の保護被覆層を遊離させると保護被覆層がその大きな
内部応力のため、細かな糸状になるまでカ−ルした。こ
れに対して、内部応力の絶対値が0.5GPa以下の保
護被覆層はほとんどカ−ルしなかった。このことからも
内部応力が小さければ摺動によってもたらされる表面の
微小な傷等に対しても、保護被覆層が安定に存在するこ
とが理解できる。逆に本方法によって保護被覆層中の残
留内部応力を知ることもできる。
【0015】実施例2
次に、図1に示す構造の磁気ディスクでさらに別の実施
例について説明する。NiPをメッキし、その表面に、
円周方向に中心線平均面粗さで10nmの凹凸を設けた
130mmφのAl−Mg合金基板11上にRFマグネ
トロンスパッタ法で、基板温度300℃、アルゴンガス
圧3mTorr、投入電力5W/cm2で膜厚60nm
のCr0.9Ti0.1非磁性下地層12,12’、膜
厚40nmのCo0.83Cr0.12Pt0.05磁
性層13,13’を形成した後、カ−ボン保護被覆層1
4,14’をDCマグネトロンスパッタ法で、基板温度
100℃、アルゴンガス圧15mTorr、投入電力1
W/cm2で30nm形成し、末端にエステル基を有す
るパ−フルオロアルキルポリエ−テル系潤滑層を4nm
設けて磁気ディスクとした。
例について説明する。NiPをメッキし、その表面に、
円周方向に中心線平均面粗さで10nmの凹凸を設けた
130mmφのAl−Mg合金基板11上にRFマグネ
トロンスパッタ法で、基板温度300℃、アルゴンガス
圧3mTorr、投入電力5W/cm2で膜厚60nm
のCr0.9Ti0.1非磁性下地層12,12’、膜
厚40nmのCo0.83Cr0.12Pt0.05磁
性層13,13’を形成した後、カ−ボン保護被覆層1
4,14’をDCマグネトロンスパッタ法で、基板温度
100℃、アルゴンガス圧15mTorr、投入電力1
W/cm2で30nm形成し、末端にエステル基を有す
るパ−フルオロアルキルポリエ−テル系潤滑層を4nm
設けて磁気ディスクとした。
【0016】実施例3
次に、図1に示す構造の磁気ディスクでさらに別の実施
例について説明する。NiPをメッキし、その表面に、
円周方向に中心線平均面粗さで10nmの凹凸を設けた
63.5mmφのAl−Mg合金基板11上にRFマグ
ネトロンスパッタ法で、基板温度250℃、アルゴンガ
ス圧5mTorr、投入電力5W/cm2で膜厚100
nmのCr非磁性下地層12,12’、膜厚50nmの
Co0.85Cr0.10Pt0.05磁性層13,1
3’を形成した後、(W0.6Mo0.3Co0.1)
0.5C0.5保護被覆層14,14’をDCマグネト
ロンスパッタ法で、基板温度200℃、アルゴンガス圧
15mTorr、投入電力1W/cm2で20nm形成
し、末端にOH基を有するパ−フルオロアルキルポリエ
−テル系潤滑層を5nm設けて磁気ディスクとした。
例について説明する。NiPをメッキし、その表面に、
円周方向に中心線平均面粗さで10nmの凹凸を設けた
63.5mmφのAl−Mg合金基板11上にRFマグ
ネトロンスパッタ法で、基板温度250℃、アルゴンガ
ス圧5mTorr、投入電力5W/cm2で膜厚100
nmのCr非磁性下地層12,12’、膜厚50nmの
Co0.85Cr0.10Pt0.05磁性層13,1
3’を形成した後、(W0.6Mo0.3Co0.1)
0.5C0.5保護被覆層14,14’をDCマグネト
ロンスパッタ法で、基板温度200℃、アルゴンガス圧
15mTorr、投入電力1W/cm2で20nm形成
し、末端にOH基を有するパ−フルオロアルキルポリエ
−テル系潤滑層を5nm設けて磁気ディスクとした。
【0017】実施例4
次に、図1に示す構造の磁気ディスクでさらに別の実施
例について説明する。表面を化学的エッチング処理によ
り、略無秩序で、中心線平均面粗さで5nmの凹凸を設
けた89mmφの強化ガラス基板11上にDCマグネト
ロンスパッタ法で、基板温度300℃、アルゴンガス圧
1mTorr、投入電力10W/cm2で膜厚50nm
のCr非磁性下地層12,12’、膜厚60nmのCo
0.84Cr0.13Ta0.03磁性層13,13’
を形成した後、(Zr0.45Nb0.45Co0.1
)0.5O0.5保護被覆層14,14’をRFマグネ
トロンスパッタ法で、基板温度150℃、アルゴン50
vol%酸素50vol%混合ガス圧13mTorr、
投入電力1W/cm2で20nm形成し、CNを含む吸
着性極性基を有するパ−フルオロアルキルポリエ−テル
系潤滑層を7nm設けて磁気ディスクとした。
例について説明する。表面を化学的エッチング処理によ
り、略無秩序で、中心線平均面粗さで5nmの凹凸を設
けた89mmφの強化ガラス基板11上にDCマグネト
ロンスパッタ法で、基板温度300℃、アルゴンガス圧
1mTorr、投入電力10W/cm2で膜厚50nm
のCr非磁性下地層12,12’、膜厚60nmのCo
0.84Cr0.13Ta0.03磁性層13,13’
を形成した後、(Zr0.45Nb0.45Co0.1
)0.5O0.5保護被覆層14,14’をRFマグネ
トロンスパッタ法で、基板温度150℃、アルゴン50
vol%酸素50vol%混合ガス圧13mTorr、
投入電力1W/cm2で20nm形成し、CNを含む吸
着性極性基を有するパ−フルオロアルキルポリエ−テル
系潤滑層を7nm設けて磁気ディスクとした。
【0018】比較例1
次に、図1に示す構造の磁気ディスクで比較例について
説明する。
説明する。
【0019】NiPをメッキし、その表面に、円周方向
に中心線平均面粗さで10nmの凹凸を設けた130m
mφのAl−Mg合金基板11上にRFマグネトロンス
パッタ法で、基板温度200℃、アルゴンガス圧1.5
mTorr、投入電力1W/cm2で膜厚300nmの
Cr非磁性下地層12,12’、膜厚70nmのCo0
.60Ni0.35Zr0.05磁性層13,13’を
形成した後、カ−ボン保護被覆層14,14’をDCマ
グネトロンスパッタ法で、基板温度150℃、アルゴン
ガス圧2mTorr、投入電力15W/cm2で30n
m形成し、末端にエステル基を有するパ−フルオロアル
キルポリエ−テル系潤滑層を4nm設けて磁気ディスク
とした。
に中心線平均面粗さで10nmの凹凸を設けた130m
mφのAl−Mg合金基板11上にRFマグネトロンス
パッタ法で、基板温度200℃、アルゴンガス圧1.5
mTorr、投入電力1W/cm2で膜厚300nmの
Cr非磁性下地層12,12’、膜厚70nmのCo0
.60Ni0.35Zr0.05磁性層13,13’を
形成した後、カ−ボン保護被覆層14,14’をDCマ
グネトロンスパッタ法で、基板温度150℃、アルゴン
ガス圧2mTorr、投入電力15W/cm2で30n
m形成し、末端にエステル基を有するパ−フルオロアル
キルポリエ−テル系潤滑層を4nm設けて磁気ディスク
とした。
【0020】比較例2
次に、図1に示す構造の磁気ディスクでさらに別の比較
例について説明する。表面を化学的エッチング処理によ
り、略無秩序で、中心線平均面粗さで5nmの凹凸を設
けた89mmφの強化ガラス基板11上にRFマグネト
ロンスパッタ法で、基板温度350℃、アルゴンガス圧
1mTorr、投入電力3W/cm2で膜厚250nm
のCr非磁性下地層12,12’、膜厚50nmのCo
0.87Cr0.10Ta0.03磁性層13,13’
を形成した後、Ti0.5C0.5保護被覆層14,1
4’をDCマグネトロンスパッタ法で、基板温度250
℃、アルゴンガス圧5mTorr、投入電力10W/c
m2で30nm形成し、末端にベンゼン環を含む吸着基
を有するパ−フルオロアルキルポリエ−テル系潤滑層を
5nm設けて磁気ディスクとした。
例について説明する。表面を化学的エッチング処理によ
り、略無秩序で、中心線平均面粗さで5nmの凹凸を設
けた89mmφの強化ガラス基板11上にRFマグネト
ロンスパッタ法で、基板温度350℃、アルゴンガス圧
1mTorr、投入電力3W/cm2で膜厚250nm
のCr非磁性下地層12,12’、膜厚50nmのCo
0.87Cr0.10Ta0.03磁性層13,13’
を形成した後、Ti0.5C0.5保護被覆層14,1
4’をDCマグネトロンスパッタ法で、基板温度250
℃、アルゴンガス圧5mTorr、投入電力10W/c
m2で30nm形成し、末端にベンゼン環を含む吸着基
を有するパ−フルオロアルキルポリエ−テル系潤滑層を
5nm設けて磁気ディスクとした。
【0021】上記実施例2〜4、比較例1,2の磁気デ
ィスクについてCSSにより耐摺動性を評価した。結果
を表1に示す。
ィスクについてCSSにより耐摺動性を評価した。結果
を表1に示す。
【0022】
【表1】
【0023】表1に示すように本実施例の磁気ディスク
の耐CSS特性は比較例のそれに比べて格段に優れ、良
好な耐摩耗性を示した。
の耐CSS特性は比較例のそれに比べて格段に優れ、良
好な耐摩耗性を示した。
【0024】ここで、基板11にはNiPメッキAl合
金,強化ガラス,結晶化ガラス,プラスチック,セラミ
ックス,表面ガラスコ−トセラミックス等、非磁性下地
層12,12’にはCr,Mo,W,Cr−Ti,Cr
−Si,Cr−W等、磁性層13,13’にはCo−N
i,Co−Ni−Cr,Co−Ni−Zr,Co−Ni
−Pt,Co−Cr,Co−Cr−Ta,Co−Cr−
Pt等、保護被覆層14,14’にはカ−ボン、炭化物
、窒化物、酸化物、硼化物等を用いることができ、いず
れの組合せでも同様の効果が得られる。吸着性の有機系
潤滑剤層をさらにこの上に設けると耐摺動性が著しく向
上するので好ましい。
金,強化ガラス,結晶化ガラス,プラスチック,セラミ
ックス,表面ガラスコ−トセラミックス等、非磁性下地
層12,12’にはCr,Mo,W,Cr−Ti,Cr
−Si,Cr−W等、磁性層13,13’にはCo−N
i,Co−Ni−Cr,Co−Ni−Zr,Co−Ni
−Pt,Co−Cr,Co−Cr−Ta,Co−Cr−
Pt等、保護被覆層14,14’にはカ−ボン、炭化物
、窒化物、酸化物、硼化物等を用いることができ、いず
れの組合せでも同様の効果が得られる。吸着性の有機系
潤滑剤層をさらにこの上に設けると耐摺動性が著しく向
上するので好ましい。
【0025】実施例5
上記実施例2の磁気ディスクを2,4ないし8枚用い、
CoTaZr,FeAlSi合金等をギャップ部に設け
、コア部を多結晶もしくは単結晶のフェライトとしたメ
タルインギャップ型磁気ヘッド、もしくはNiFe,C
oFe,CoTaZr合金等を磁極材とし、コア部をジ
ルコニアを主たる成分とする非磁性材料とした薄膜磁気
ヘッドと組み合わせて磁気ディスク装置を作製した。 エラ−が生じるまでの平均装置寿命を求めたが、いずれ
も従来の磁気ディスクを用いた装置に比べ2〜10倍以
上の寿命となり、高い信頼性が得られた。磁気コアをフ
ェライトとした場合には、単結晶のフェライトを用いた
ときに特に優れた特性が得られた。従来のMn−Znフ
ェライトリングヘッドと組み合わせた磁気ディスク装置
に比べて、トラック幅方向の余分な情報を消去する能力
が高いため、本発明より成る磁気ディスク装置は位相マ
−ジンが広く、記憶容量を1.5倍以上高めることがで
きた。
CoTaZr,FeAlSi合金等をギャップ部に設け
、コア部を多結晶もしくは単結晶のフェライトとしたメ
タルインギャップ型磁気ヘッド、もしくはNiFe,C
oFe,CoTaZr合金等を磁極材とし、コア部をジ
ルコニアを主たる成分とする非磁性材料とした薄膜磁気
ヘッドと組み合わせて磁気ディスク装置を作製した。 エラ−が生じるまでの平均装置寿命を求めたが、いずれ
も従来の磁気ディスクを用いた装置に比べ2〜10倍以
上の寿命となり、高い信頼性が得られた。磁気コアをフ
ェライトとした場合には、単結晶のフェライトを用いた
ときに特に優れた特性が得られた。従来のMn−Znフ
ェライトリングヘッドと組み合わせた磁気ディスク装置
に比べて、トラック幅方向の余分な情報を消去する能力
が高いため、本発明より成る磁気ディスク装置は位相マ
−ジンが広く、記憶容量を1.5倍以上高めることがで
きた。
【0026】
【発明の効果】本発明の保護被覆層を設けた磁気記録媒
体は耐摺動性に優れるため、高密度記録に適し、実用に
十分な耐摺動性を持つ磁気記録媒体および磁気記憶装置
が得られる。
体は耐摺動性に優れるため、高密度記録に適し、実用に
十分な耐摺動性を持つ磁気記録媒体および磁気記憶装置
が得られる。
【図1】本発明の実施例1における磁気ディスクの断面
図である。
図である。
【図2】保護被覆層中の残留内部応力の絶対値と耐摺動
性の関係を示す図である。
性の関係を示す図である。
11…基板、12,12’…非磁性下地層、13,13
’…磁性層、14,14’…保護被覆層。
’…磁性層、14,14’…保護被覆層。
Claims (9)
- 【請求項1】磁性層上に少なくとも1層の保護被覆層を
有する磁気記録媒体において、該保護被覆層中に残留す
る内部応力の絶対値が1GPa以下であることを特徴と
する磁気記録媒体。 - 【請求項2】上記保護被覆層上に少なくとも1つの吸着
性末端基を有する潤滑剤層が存在する請求項1に記載の
磁気記録媒体。 - 【請求項3】保護被覆層中に残留する内部応力の絶対値
が0.5GPa以下である請求項1または2に記載の磁
気記録媒体。 - 【請求項4】保護被覆層中に残留する内部応力の絶対値
が0.3GPa以下である請求項3に記載の磁気記録媒
体。 - 【請求項5】上記保護被覆層の膜厚は3nm以上60n
m以下である請求項1乃至4のいずれかに記載の磁気記
録媒体。 - 【請求項6】上記保護被覆層の膜厚は3nm以上40n
m以下である請求項5に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項7】上記保護被覆層の膜厚は5nm以上30n
m以下である請求項6に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項8】請求項1ないし請求項7のいずれかに記載
の磁気記録媒体を少なくとも1つ有する磁気記録媒体と
金属磁性合金を少なくとも磁気コアの一部として含む磁
気ヘッドとを少なくとも有することを特徴とする磁気記
憶装置。 - 【請求項9】上記磁気ヘッドのコア材が実質的にジルコ
ニアもしくはフェライトを主たる成分とすることを特徴
とする請求項8に記載の磁気記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4160891A JPH04278219A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4160891A JPH04278219A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04278219A true JPH04278219A (ja) | 1992-10-02 |
Family
ID=12613074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4160891A Pending JPH04278219A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04278219A (ja) |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP4160891A patent/JPH04278219A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5750230A (en) | Magnetic recording media and magnetic recording system using the same | |
JP3803180B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法ならびに磁気ディスク装置 | |
JP2003346317A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JPH0916941A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
US6238780B1 (en) | Magnetic recording medium comprising multilayered carbon-containing protective overcoats | |
JPH11339240A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 | |
JPH10228620A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JP2003346318A (ja) | 磁気記録媒体 | |
WO2003083842A1 (fr) | Support d'enregistrement magnetique vertical, enregistreur magnetique comportant un tel support, procede de fabrication de support magnetique vertical, et appareil de fabrication de support magnetique vertical | |
JP3564707B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP3657196B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 | |
JP2594534B2 (ja) | 磁気記憶体 | |
JPH04278219A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
JP3705474B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0773433A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置 | |
JP2002324313A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP4523705B2 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録媒体製造方法、および情報再生装置 | |
JP2000123345A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 | |
JP3479529B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記憶装置 | |
US20060019125A1 (en) | Magnetic recording medium and production method thereof as well as magnetic disc device | |
JPH05258288A (ja) | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
JPH0737237A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置 | |
JP2000348334A (ja) | 磁気記録媒体及び磁気ディスク装置 | |
JP2861081B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
KR20020009629A (ko) | 자기 기록 매체 및 그 제조 방법과 자기 디스크 장치 |