JPH0843854A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0843854A JPH0843854A JP17552794A JP17552794A JPH0843854A JP H0843854 A JPH0843854 A JP H0843854A JP 17552794 A JP17552794 A JP 17552794A JP 17552794 A JP17552794 A JP 17552794A JP H0843854 A JPH0843854 A JP H0843854A
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- liquid crystal
- pixel
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 有効画素領域の開口率を向上させ、補助容量
に応じた膜厚の調整も行うことのできる液晶表示装置の
提供を目的とする。 【構成】 液晶セル領域内の絶縁膜である層間膜6bを
例えばITOのような透明導電膜4とCS 透明導電膜5
とで挟み込む構造により補助容量を形成している。
に応じた膜厚の調整も行うことのできる液晶表示装置の
提供を目的とする。 【構成】 液晶セル領域内の絶縁膜である層間膜6bを
例えばITOのような透明導電膜4とCS 透明導電膜5
とで挟み込む構造により補助容量を形成している。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、情報に応じた駆動電圧
が各画素に対応した液晶セルに接続する画素電極を介し
て印加され、この複数の液晶セルを用いてデータを表示
する液晶表示装置に関する。
が各画素に対応した液晶セルに接続する画素電極を介し
て印加され、この複数の液晶セルを用いてデータを表示
する液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、OA用として薄膜トランジスタ−
液晶表示装置(Thin Film Transistor-Liquid Crystal
Disply:以下、TFT−LCDという)は、例えば 640
× 480 画素のビデオグラフィックスアレイ(Video Gr
aphics Array:以下、VGAという)対応のものが市場
に登場している。今後、VGAとの上位互換性を有する
XGA(eXtended Graphics Array)仕様やエンジニア
ワークステーション(EWS)仕様に対応した大画面、
高精細化への流れに沿って各社でTFT−LCDの開発
が行われている。
液晶表示装置(Thin Film Transistor-Liquid Crystal
Disply:以下、TFT−LCDという)は、例えば 640
× 480 画素のビデオグラフィックスアレイ(Video Gr
aphics Array:以下、VGAという)対応のものが市場
に登場している。今後、VGAとの上位互換性を有する
XGA(eXtended Graphics Array)仕様やエンジニア
ワークステーション(EWS)仕様に対応した大画面、
高精細化への流れに沿って各社でTFT−LCDの開発
が行われている。
【0003】また、映像用としても直視型、プロジェク
ションと共に解像度を重要視した高精細化の要求があ
る。
ションと共に解像度を重要視した高精細化の要求があ
る。
【0004】このような要求の中で、ディスプレイの明
るさは、性能上、重要なポイントとなる。この明るさ
は、バックライトの輝度及びパネルの透過率で決まる。
この中でパネルの透過率を決定する要素には、例えば偏
光板、カラーフィルタ、ガラス、液晶、有効表示部の開
口率等が挙げられる。画素の設計を行うにあたって、ど
のようにすると開口率が大きく取れるようになるかは、
各社の設計ノウハウとなっている。TFTアレイの設計
は、要求性能を満たすバスライン、TFT及び補助容量
CS のサイズとレイアウトをマスクパターンの設計規則
に従って行っている。
るさは、性能上、重要なポイントとなる。この明るさ
は、バックライトの輝度及びパネルの透過率で決まる。
この中でパネルの透過率を決定する要素には、例えば偏
光板、カラーフィルタ、ガラス、液晶、有効表示部の開
口率等が挙げられる。画素の設計を行うにあたって、ど
のようにすると開口率が大きく取れるようになるかは、
各社の設計ノウハウとなっている。TFTアレイの設計
は、要求性能を満たすバスライン、TFT及び補助容量
CS のサイズとレイアウトをマスクパターンの設計規則
に従って行っている。
【0005】特に、画素サイズが小さくなるにつれて、
画素部分の液晶容量だけでは液晶印加電圧保持率を高め
ることができないので保持容量を補うための補助容量を
液晶容量と並列に接続している。
画素部分の液晶容量だけでは液晶印加電圧保持率を高め
ることができないので保持容量を補うための補助容量を
液晶容量と並列に接続している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、例えばアク
ティブマトリクス(AM)型のLCDでは、所望の特性
を得るための素子設計とのバランスを取りながら画素電
極の大きさを決める必要がある。これは、LCDの高精
細化を進めると、LCDは、LCDにおける各画素間の
ピッチが細かくなり、配線領域やTFT部等のLCDに
おける遮光部分が大きくなって開口率が低下してくる。
このように開口率の低下を抑える一つの方式として付加
容量方式、すなわちCS オンゲート構造があり、現在の
構造では、各画素は、上から第2の多結晶シリコン、い
わゆる2POLY/絶縁膜/第1の多結晶シリコン、い
わゆる1POLYという構造を画素毎にとるようにして
専用の補助容量CS を形成している(図7や図8の補助
容量CS 形成領域を参照)。
ティブマトリクス(AM)型のLCDでは、所望の特性
を得るための素子設計とのバランスを取りながら画素電
極の大きさを決める必要がある。これは、LCDの高精
細化を進めると、LCDは、LCDにおける各画素間の
ピッチが細かくなり、配線領域やTFT部等のLCDに
おける遮光部分が大きくなって開口率が低下してくる。
このように開口率の低下を抑える一つの方式として付加
容量方式、すなわちCS オンゲート構造があり、現在の
構造では、各画素は、上から第2の多結晶シリコン、い
わゆる2POLY/絶縁膜/第1の多結晶シリコン、い
わゆる1POLYという構造を画素毎にとるようにして
専用の補助容量CS を形成している(図7や図8の補助
容量CS 形成領域を参照)。
【0007】この方式によるLCDは、蓄積容量方式の
LCDに比べて開口率を大きくできるものの、例えば図
7に示すように、有効画素領域に対して補助容量の領域
が30%以上を占めている。このため、付加容量方式の
LCDであっても開口率を向上させたり、透過率の低下
を余儀なくされる。また、TFT−LCDのデバイスに
おいてTFTは、高精細化に伴ってゲートバスラインの
容量が大きく、付加容量が無視できなくなり、結果とし
て信号の遅延を生じてしまう。
LCDに比べて開口率を大きくできるものの、例えば図
7に示すように、有効画素領域に対して補助容量の領域
が30%以上を占めている。このため、付加容量方式の
LCDであっても開口率を向上させたり、透過率の低下
を余儀なくされる。また、TFT−LCDのデバイスに
おいてTFTは、高精細化に伴ってゲートバスラインの
容量が大きく、付加容量が無視できなくなり、結果とし
て信号の遅延を生じてしまう。
【0008】また、容量を付加するため、専用の補助容
量CS ラインが各ラインの画素毎に走っている。このた
め、ゲートバスラインやソースバスラインが、専用の補
助容量CS ラインを乗り越える構造になっている。この
構造をとることが信号の断線の要因となっている。この
ような原因によってLCDのパネルの歩留りが低下して
しまうようになる。
量CS ラインが各ラインの画素毎に走っている。このた
め、ゲートバスラインやソースバスラインが、専用の補
助容量CS ラインを乗り越える構造になっている。この
構造をとることが信号の断線の要因となっている。この
ような原因によってLCDのパネルの歩留りが低下して
しまうようになる。
【0009】一方、開口率及び容量の問題から、バスラ
インの真下に補助容量CS を形成するようにした場合、
このバスラインと形成した補助容量CS の間でカップリ
ングが発生する。このカップリングによってLCDに
は、電界の影響によって液晶分子の整列方向が乱れて光
漏れ、すなわちドメインがプレチルトドメインやリバー
スチルトドメインとして引き起こされ、コントラスト低
下や輝点不良を起こしてしまう虞れがでてくる。また、
このようなドメイン現象は、透明導電膜が段差を形成す
ることによっても生じる。
インの真下に補助容量CS を形成するようにした場合、
このバスラインと形成した補助容量CS の間でカップリ
ングが発生する。このカップリングによってLCDに
は、電界の影響によって液晶分子の整列方向が乱れて光
漏れ、すなわちドメインがプレチルトドメインやリバー
スチルトドメインとして引き起こされ、コントラスト低
下や輝点不良を起こしてしまう虞れがでてくる。また、
このようなドメイン現象は、透明導電膜が段差を形成す
ることによっても生じる。
【0010】そこで、本発明は、上述したような実情に
鑑みてなされたものであり、有効画素領域の開口率を向
上させ、補助容量に応じた膜厚の調整も行うことのでき
る液晶表示装置の提供を目的とする。
鑑みてなされたものであり、有効画素領域の開口率を向
上させ、補助容量に応じた膜厚の調整も行うことのでき
る液晶表示装置の提供を目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明に係る液晶表示装
置は、上述した課題を解決するために、情報に応じた駆
動電圧が各画素に対応した液晶セルに接続する画素電極
を介して印加され、この複数の液晶セルを用いてデータ
を表示する液晶表示装置において、液晶セル領域内の絶
縁膜である層間膜を例えばITOのような透明導電膜で
挟み込む構造により補助容量を形成することを特徴とし
ている。
置は、上述した課題を解決するために、情報に応じた駆
動電圧が各画素に対応した液晶セルに接続する画素電極
を介して印加され、この複数の液晶セルを用いてデータ
を表示する液晶表示装置において、液晶セル領域内の絶
縁膜である層間膜を例えばITOのような透明導電膜で
挟み込む構造により補助容量を形成することを特徴とし
ている。
【0012】ここで、透明導電膜は、各画素毎のゲート
ラインあるいは補助容量のラインに接続すると共に、画
素内の領域の層間膜を透明導電膜で覆って構成してもよ
い。また、各画素毎のゲートラインあるいは補助容量の
ラインに接続された透明導電膜を縦方向あるいは横方向
のいずれかの複数画素分をまとめて形成してもよい。
ラインあるいは補助容量のラインに接続すると共に、画
素内の領域の層間膜を透明導電膜で覆って構成してもよ
い。また、各画素毎のゲートラインあるいは補助容量の
ラインに接続された透明導電膜を縦方向あるいは横方向
のいずれかの複数画素分をまとめて形成してもよい。
【0013】
【作用】本発明に係る液晶表示装置では、画素電極と同
じ材質からなる透明導電膜で絶縁膜を挟み込む構造にし
て補助容量を形成することにより、画素領域全体で付加
容量を満足するように形成しながら、液晶セルの画素面
積を有効に活用している。
じ材質からなる透明導電膜で絶縁膜を挟み込む構造にし
て補助容量を形成することにより、画素領域全体で付加
容量を満足するように形成しながら、液晶セルの画素面
積を有効に活用している。
【0014】この透明導電膜は、各画素毎のゲートライ
ンあるいは補助容量のラインに接続すると共に、上記画
素内の領域の層間膜を上記透明導電膜で覆って構成する
ことにより、有効画素領域を削らないので開口率を向上
させ、例えば膜厚の調整して透過率にも影響を与えない
ようにしている。
ンあるいは補助容量のラインに接続すると共に、上記画
素内の領域の層間膜を上記透明導電膜で覆って構成する
ことにより、有効画素領域を削らないので開口率を向上
させ、例えば膜厚の調整して透過率にも影響を与えない
ようにしている。
【0015】各画素毎のゲートラインあるいは補助容量
のラインに接続された透明導電膜を縦方向あるいは横方
向のいずれかの複数画素分をまとめて形成するようにし
ても、液晶セルの開口率や透過光量を上げることができ
る。
のラインに接続された透明導電膜を縦方向あるいは横方
向のいずれかの複数画素分をまとめて形成するようにし
ても、液晶セルの開口率や透過光量を上げることができ
る。
【0016】
【実施例】以下、本発明に係る液晶表示装置の実施例に
ついて、図面を参照しながら説明する。この液晶表示装
置は、供給される情報に応じた駆動電圧が各画素に対応
した液晶セルに接続する画素電極を介して印加され、こ
の複数の液晶セルを用いてデータを表示するものであ
る。この液晶表示装置は、補助容量、いわゆるCS 構成
方式における付加容量方式を用いるCS オンゲート構造
を採用している。この実施例では、アモルファス−TF
Tを用いた液晶表示装置(LCD)について説明する。
ついて、図面を参照しながら説明する。この液晶表示装
置は、供給される情報に応じた駆動電圧が各画素に対応
した液晶セルに接続する画素電極を介して印加され、こ
の複数の液晶セルを用いてデータを表示するものであ
る。この液晶表示装置は、補助容量、いわゆるCS 構成
方式における付加容量方式を用いるCS オンゲート構造
を採用している。この実施例では、アモルファス−TF
Tを用いた液晶表示装置(LCD)について説明する。
【0017】この方式による液晶表示装置は、例えば図
1に示すように、基本的に蓄積容量方式のいわゆるCS
オンコモン構造に比較して通常、CS ラインがない、あ
るいは最小限度のCS ライン1しか有していないため開
口率を上げることができる。例えばCS ライン1がない
場合、CS ライン1とゲートライン2間のリークがなく
なる。また、この方式では、ライン間のクロス部が少な
くなること、ソースライン3の容量が小さくなること及
びゲートライン2の容量が大きくなる等の特徴を有して
いる。
1に示すように、基本的に蓄積容量方式のいわゆるCS
オンコモン構造に比較して通常、CS ラインがない、あ
るいは最小限度のCS ライン1しか有していないため開
口率を上げることができる。例えばCS ライン1がない
場合、CS ライン1とゲートライン2間のリークがなく
なる。また、この方式では、ライン間のクロス部が少な
くなること、ソースライン3の容量が小さくなること及
びゲートライン2の容量が大きくなる等の特徴を有して
いる。
【0018】TFT−LCDは、この大型の高精細度化
に伴って1つの画素が占める面積が小さくなる。さら
に、画素ピッチが細かくなるにつれて画素部分の液晶容
量だけでは保持容量が小さくなることが知られている。
に伴って1つの画素が占める面積が小さくなる。さら
に、画素ピッチが細かくなるにつれて画素部分の液晶容
量だけでは保持容量が小さくなることが知られている。
【0019】本発明の液晶表示装置は、高精細度化に伴
って、画素電極と同じ材質を用いて絶縁膜を挟み込んで
必要とされる補助容量CS を形成している。液晶表示装
置は、この透明導電膜4と、ゲートライン2(または専
用のCS ライン1)に接続したCS 透明導電膜5とで補
助容量を画素毎に形成している。図1の液晶表示装置の
概略的な要部平面図において、透明導電膜4とCS 透明
導電膜5とが重なり合っている部分が斜線で示されてい
る。この斜線の部分が、この液晶セル、すなわち画素領
域における補助容量CS 形成領域に相当する。
って、画素電極と同じ材質を用いて絶縁膜を挟み込んで
必要とされる補助容量CS を形成している。液晶表示装
置は、この透明導電膜4と、ゲートライン2(または専
用のCS ライン1)に接続したCS 透明導電膜5とで補
助容量を画素毎に形成している。図1の液晶表示装置の
概略的な要部平面図において、透明導電膜4とCS 透明
導電膜5とが重なり合っている部分が斜線で示されてい
る。この斜線の部分が、この液晶セル、すなわち画素領
域における補助容量CS 形成領域に相当する。
【0020】ここで、画素電極は、画素の駆動電極とし
て透明導電膜4を用いる。この透明導電膜4には、IT
O(Indium Tin Oxide:以下ITOという)やSnO2
等の材質が用いられる。この透明導電膜4とCS 透明導
電膜5の材質は同じものであってもよい。
て透明導電膜4を用いる。この透明導電膜4には、IT
O(Indium Tin Oxide:以下ITOという)やSnO2
等の材質が用いられる。この透明導電膜4とCS 透明導
電膜5の材質は同じものであってもよい。
【0021】また、上記絶縁膜としては、後述する層間
膜が相当し、この層間膜の材質には、例えばPSG(Ph
ospho Silicate Glass)、NSG、SiO2 、SiN及
び平坦化材等が上げられる。さらに、データを供給する
信号線には、アルミニウム系金属、Cu、Ti、Mo、
Wまたはそれらの合金が用いられている。
膜が相当し、この層間膜の材質には、例えばPSG(Ph
ospho Silicate Glass)、NSG、SiO2 、SiN及
び平坦化材等が上げられる。さらに、データを供給する
信号線には、アルミニウム系金属、Cu、Ti、Mo、
Wまたはそれらの合金が用いられている。
【0022】このように後述する層間膜を透明導電膜4
とCS 透明導電膜5とで挟み込む構造にして補助容量C
S の領域を形成することにより、付加容量を確保しなが
ら、液晶の画素に相当する有効画素領域中において、従
来CS ライン1が占めることによって遮光されていた領
域分の面積を抑えることができる。これにより、画素の
開口率を向上っせることができる。
とCS 透明導電膜5とで挟み込む構造にして補助容量C
S の領域を形成することにより、付加容量を確保しなが
ら、液晶の画素に相当する有効画素領域中において、従
来CS ライン1が占めることによって遮光されていた領
域分の面積を抑えることができる。これにより、画素の
開口率を向上っせることができる。
【0023】簡単に、この製造プロセスについて図2に
示す液晶表示装置の要部断面図を参照しながら説明す
る。ここで、この要部断面は、図2の一点鎖線で示す破
断線で切った断面である。また、必要に応じて図1も参
照する。
示す液晶表示装置の要部断面図を参照しながら説明す
る。ここで、この要部断面は、図2の一点鎖線で示す破
断線で切った断面である。また、必要に応じて図1も参
照する。
【0024】先ず、透明基板10上には、アモルファス
−TFT(以下、a−TFTという)がトランジスタ形
成領域TRに形成される。この透明基板10上には、ゲ
ート層2Gが成膜される。このa−TFTがAlゲート
TFT、チャンネルエッチ型の場合、Alはゲートパタ
ーン、すなわちゲート電極を成すゲート層2Gを形成し
た後に、層間膜6aとして例えば陽極酸化法で稠密で強
固な膜であるAl2O3を形成する。また、陽極酸化法で
Ta2O5を成膜することによって短絡不良の発生を低減
させる。このAl2O3もTa2O5も、ゲート絶縁膜とし
て実用化されている。
−TFT(以下、a−TFTという)がトランジスタ形
成領域TRに形成される。この透明基板10上には、ゲ
ート層2Gが成膜される。このa−TFTがAlゲート
TFT、チャンネルエッチ型の場合、Alはゲートパタ
ーン、すなわちゲート電極を成すゲート層2Gを形成し
た後に、層間膜6aとして例えば陽極酸化法で稠密で強
固な膜であるAl2O3を形成する。また、陽極酸化法で
Ta2O5を成膜することによって短絡不良の発生を低減
させる。このAl2O3もTa2O5も、ゲート絶縁膜とし
て実用化されている。
【0025】次に、いわゆるa−Si島を形成するため
に、a−Siとの界面特性が良好なSiNを用い2層構
造とする。このSiN膜は、通常a−Siと同様にプラ
ズマCVD法によって成膜する。a−Siは、i層(i
・a−Si)とn層(n+ ・a−Si)を形成する。
に、a−Siとの界面特性が良好なSiNを用い2層構
造とする。このSiN膜は、通常a−Siと同様にプラ
ズマCVD法によって成膜する。a−Siは、i層(i
・a−Si)とn層(n+ ・a−Si)を形成する。
【0026】次のプロセスでは、a−Siのエッチング
を行う。島状パターンのa−Siは、ゲートパターンか
ら出ないようにi層とn層を残し、ゲート領域にコンタ
クトが形成される(図1及び図2の1Con、2Con
を参照)。また、TFTのソース/ドレイン電極も形成
される。
を行う。島状パターンのa−Siは、ゲートパターンか
ら出ないようにi層とn層を残し、ゲート領域にコンタ
クトが形成される(図1及び図2の1Con、2Con
を参照)。また、TFTのソース/ドレイン電極も形成
される。
【0027】そして、信号線(すなわちゲートライン
3)となる金属膜3Sが成膜される。この信号線3は、
配線パターンをマスクにしてエッチングによって形成す
る。
3)となる金属膜3Sが成膜される。この信号線3は、
配線パターンをマスクにしてエッチングによって形成す
る。
【0028】この後、スパッタリング法あるいはCVD
法等を用いて透明電極である例えばITOを堆積させて
画素電極のパターン化を行う。付加容量方式を用いてい
るので、ITO電極によるCS 透明導電膜5は、ゲート
配線とオーバーラップさせてコンタクトするようにして
いる。このCS 透明導電膜5は、専用の補助容量CSラ
インと共に、補助容量CS の一部を成す透明導電膜とし
てコンタクトしている(図1及び図2を参照)。
法等を用いて透明電極である例えばITOを堆積させて
画素電極のパターン化を行う。付加容量方式を用いてい
るので、ITO電極によるCS 透明導電膜5は、ゲート
配線とオーバーラップさせてコンタクトするようにして
いる。このCS 透明導電膜5は、専用の補助容量CSラ
インと共に、補助容量CS の一部を成す透明導電膜とし
てコンタクトしている(図1及び図2を参照)。
【0029】次に、再び、層間膜6bでパターン化に応
じた領域を覆う。この層間膜6bの被膜形成後、TFT
のドレイン(画素電極)側にコンタクト領域を形成する
ためエッチングを行う。
じた領域を覆う。この層間膜6bの被膜形成後、TFT
のドレイン(画素電極)側にコンタクト領域を形成する
ためエッチングを行う。
【0030】最後に、駆動電極となる透明導電膜4を成
膜しパターン形成する。
膜しパターン形成する。
【0031】このような手順によって単層構造ではある
が絶縁層である層間膜6bをCS 透明導電膜5、透明導
電膜4で挟み込むことにより、必要とする大容量の補助
容量CS を確保しながら、従来の専用の補助容量CS の
占有領域に比べて狭い領域で済ませている。専用の補助
容量CS の占有面積が小さくなることにより、1つの画
素の有効画素面積を広く採ることができ、開口率を向上
させることができる。
が絶縁層である層間膜6bをCS 透明導電膜5、透明導
電膜4で挟み込むことにより、必要とする大容量の補助
容量CS を確保しながら、従来の専用の補助容量CS の
占有領域に比べて狭い領域で済ませている。専用の補助
容量CS の占有面積が小さくなることにより、1つの画
素の有効画素面積を広く採ることができ、開口率を向上
させることができる。
【0032】また、透明導電膜4、5の全膜厚を調整す
ることにより、従来に比べても透過率の損失のほとんど
ない液晶表示装置を提供することができる。
ることにより、従来に比べても透過率の損失のほとんど
ない液晶表示装置を提供することができる。
【0033】次に、上述した液晶表示装置の第1の変形
例について図3の要部断面図を参照しながら簡単に説明
する。
例について図3の要部断面図を参照しながら簡単に説明
する。
【0034】この実施例は、最初に、透明基板10上に
CS 透明導電膜5を画素領域にわたって形成する。この
形成領域は、図1に示すように透明導電膜4の領域と略
々同じ領域を占めるように形成する。以後、ゲート金属
を成膜してゲート層2Gを形成し、エッチング処理した
後の処理手順は、ほとんど上述した実施例の手順と同じ
手順を行う。
CS 透明導電膜5を画素領域にわたって形成する。この
形成領域は、図1に示すように透明導電膜4の領域と略
々同じ領域を占めるように形成する。以後、ゲート金属
を成膜してゲート層2Gを形成し、エッチング処理した
後の処理手順は、ほとんど上述した実施例の手順と同じ
手順を行う。
【0035】このように例えば層間膜6a、6bをCS
透明導電膜5a、5bで挟み込むような構造にし、多層
化して補助容量CS を形成したコンデンサ部分(図1の
CS透明導電膜5とのオーバーラップ部分)と専用のC
S ライン1と接続するようにすることにより、専用のC
S ラインの領域を最小限に抑えることができ、有効画素
領域を確保して開口率を向上させることができ、かつ透
明導電膜の膜厚も制御できる。これによって、従来の有
効画素の30%程度を占めて、低下させていた開口率が
向上する。
透明導電膜5a、5bで挟み込むような構造にし、多層
化して補助容量CS を形成したコンデンサ部分(図1の
CS透明導電膜5とのオーバーラップ部分)と専用のC
S ライン1と接続するようにすることにより、専用のC
S ラインの領域を最小限に抑えることができ、有効画素
領域を確保して開口率を向上させることができ、かつ透
明導電膜の膜厚も制御できる。これによって、従来の有
効画素の30%程度を占めて、低下させていた開口率が
向上する。
【0036】また、前述した実施例の第2の変形例とし
て、各画素毎のゲートラインあるいは補助容量のライン
に接続された透明導電膜を縦方向あるいは横方向のいず
れかの複数画素分をまとめて形成するようにしてもよ
い。すなわち、専用のCS ライン1を全く設けずにCS
透明導電膜5を全画素あるいは数画素ずつの複数の画素
にわたってひとまとめに形成して補助容量CS の代替に
用いる。実際に図4に示す透明導電膜4は、液晶セル、
すなわち画素領域に対応する範囲だけを覆うように形成
する。この際、一点鎖線B−B’の破断線で切った断面
は、図4に示すように層間膜6bをCS 透明導電膜5、
透明導電膜4で挟むような構造になっている。なお、図
4のCS 透明導電膜5は、全画素あるいは数画素ずつ縦
方向に形成してもよい。
て、各画素毎のゲートラインあるいは補助容量のライン
に接続された透明導電膜を縦方向あるいは横方向のいず
れかの複数画素分をまとめて形成するようにしてもよ
い。すなわち、専用のCS ライン1を全く設けずにCS
透明導電膜5を全画素あるいは数画素ずつの複数の画素
にわたってひとまとめに形成して補助容量CS の代替に
用いる。実際に図4に示す透明導電膜4は、液晶セル、
すなわち画素領域に対応する範囲だけを覆うように形成
する。この際、一点鎖線B−B’の破断線で切った断面
は、図4に示すように層間膜6bをCS 透明導電膜5、
透明導電膜4で挟むような構造になっている。なお、図
4のCS 透明導電膜5は、全画素あるいは数画素ずつ縦
方向に形成してもよい。
【0037】これにより、上記透明導電膜4とCS 透明
導電膜5とが重なる領域が、各画素毎にコンデンサとし
ての機能を果たすことによって、より一層画素の開口率
の向上を図ることができる。
導電膜5とが重なる領域が、各画素毎にコンデンサとし
ての機能を果たすことによって、より一層画素の開口率
の向上を図ることができる。
【0038】次に、液晶表示装置の第3の変形例につい
て図5及び図6を参照しながら説明する。
て図5及び図6を参照しながら説明する。
【0039】この実施例では、CS 透明導電膜5が次段
のゲート配線である横方向に走るゲートライン3とオー
バーラップするように横一列に全画素あるいは数画素ず
つまとめて形成している。この場合もCS 透明導電膜5
が透明導電膜4とで補助容量CS を形成することによ
り、第2の変形例と同様に、CS ライン1を全く形成せ
ずに済ませている。CS 透明導電膜5は、透明であるこ
とから、液晶が配された画素領域の開口率を下げること
なく、有効画素領域を有効に使用して透過光量も膜厚の
調整によって最適化させることができる。この実施例で
も図6に示すように層間膜6を透明導電膜4とCS 透明
導電膜5とで挟み込む構造に各層を形成して画素毎の補
助容量CS 領域、すなわちコンデンサ領域を形成してい
ることが判る。
のゲート配線である横方向に走るゲートライン3とオー
バーラップするように横一列に全画素あるいは数画素ず
つまとめて形成している。この場合もCS 透明導電膜5
が透明導電膜4とで補助容量CS を形成することによ
り、第2の変形例と同様に、CS ライン1を全く形成せ
ずに済ませている。CS 透明導電膜5は、透明であるこ
とから、液晶が配された画素領域の開口率を下げること
なく、有効画素領域を有効に使用して透過光量も膜厚の
調整によって最適化させることができる。この実施例で
も図6に示すように層間膜6を透明導電膜4とCS 透明
導電膜5とで挟み込む構造に各層を形成して画素毎の補
助容量CS 領域、すなわちコンデンサ領域を形成してい
ることが判る。
【0040】なお、この実施例では、CS 透明導電膜5
と後段側のゲートラインとをオーバーラップさせた場合
を示したが、CS 透明導電膜5は、前段側のゲートライ
ンとオーバーラップさせるようにしてもよい。
と後段側のゲートラインとをオーバーラップさせた場合
を示したが、CS 透明導電膜5は、前段側のゲートライ
ンとオーバーラップさせるようにしてもよい。
【0041】また、上述した実施例は、すべてCS オン
ゲート構造のa−TFTについて説明したが、上述した
実施例に限定されるものでなく、蓄積容量方式のa−T
FTにおいて採用されるCS オンコモン構造の場合、縦
方向に走るソースラインとオーバーラップさせるように
すれば、従来の開口率に比べて開口率を改善させること
ができる。
ゲート構造のa−TFTについて説明したが、上述した
実施例に限定されるものでなく、蓄積容量方式のa−T
FTにおいて採用されるCS オンコモン構造の場合、縦
方向に走るソースラインとオーバーラップさせるように
すれば、従来の開口率に比べて開口率を改善させること
ができる。
【0042】以上のように構成することにより、画素の
小型化に伴って必要となる補助容量CS をCS 透明導電
膜を用いて補い、従来設けられていた専用のCS ライン
を最小限にして有効画素領域の開口率を向上させること
ができる。透明導電膜の膜厚を調整することにより、透
過光量を所定の範囲内に収めるように維持させることが
できる。
小型化に伴って必要となる補助容量CS をCS 透明導電
膜を用いて補い、従来設けられていた専用のCS ライン
を最小限にして有効画素領域の開口率を向上させること
ができる。透明導電膜の膜厚を調整することにより、透
過光量を所定の範囲内に収めるように維持させることが
できる。
【0043】また、各画素毎のゲートラインあるいは補
助容量のラインに接続すると共に、上記画素内の領域の
層間膜を上記透明導電膜で覆って構成したり、各画素毎
のゲートラインあるいは補助容量のラインに接続された
透明導電膜を縦方向あるいは横方向のいずれかの複数画
素分をまとめて形成するようにしても開口率を向上させ
ることができ、高精細度化しても開口率を低下させるこ
とのないLCDを提供することができる。
助容量のラインに接続すると共に、上記画素内の領域の
層間膜を上記透明導電膜で覆って構成したり、各画素毎
のゲートラインあるいは補助容量のラインに接続された
透明導電膜を縦方向あるいは横方向のいずれかの複数画
素分をまとめて形成するようにしても開口率を向上させ
ることができ、高精細度化しても開口率を低下させるこ
とのないLCDを提供することができる。
【0044】
【発明の効果】本発明に係る液晶表示装置では、絶縁膜
を補助容量の役割を果たす透明導電膜で挟み込むことに
より、必要とする補助容量を満たしながら、画素の開口
率を向上させることができる。これにより、より一層高
精細度の液晶表示装置は、輝度が高く、すなわち明る
く、しかも解像度の高い液晶表示装置を提供することが
できる。
を補助容量の役割を果たす透明導電膜で挟み込むことに
より、必要とする補助容量を満たしながら、画素の開口
率を向上させることができる。これにより、より一層高
精細度の液晶表示装置は、輝度が高く、すなわち明る
く、しかも解像度の高い液晶表示装置を提供することが
できる。
【0045】また、各画素毎のゲートラインあるいは補
助容量のラインに接続すると共に、上記画素内の領域の
層間膜を上記透明導電膜で覆って構成したり、各画素毎
のゲートラインあるいは補助容量のラインに接続された
透明導電膜を縦方向あるいは横方向のいずれかの複数画
素分をまとめて形成するようにしても開口率を向上させ
ることができ、高精細度化しても開口率を低下させるこ
とのないLCDを提供することができる。
助容量のラインに接続すると共に、上記画素内の領域の
層間膜を上記透明導電膜で覆って構成したり、各画素毎
のゲートラインあるいは補助容量のラインに接続された
透明導電膜を縦方向あるいは横方向のいずれかの複数画
素分をまとめて形成するようにしても開口率を向上させ
ることができ、高精細度化しても開口率を低下させるこ
とのないLCDを提供することができる。
【図1】本発明に係る液晶表示装置の概略的な要部平面
図である。
図である。
【図2】上記液晶表示装置を破断線A−A’に沿って切
った際の要部断面図である。
った際の要部断面図である。
【図3】上記液晶表示装置における第1の変形例を説明
する要部断面図である。
する要部断面図である。
【図4】上記液晶表示装置における第2の変形例を説明
する要部断面図である。
する要部断面図である。
【図5】上記液晶表示装置におけるCS 透明導電膜とゲ
ートラインとの位置関係を説明する要部平面図である。
ートラインとの位置関係を説明する要部平面図である。
【図6】上記液晶表示装置を破断線B−B’に沿って切
った際の要部断面図である。
った際の要部断面図である。
【図7】従来の液晶表示装置における概略的な要部平面
図である。
図である。
【図8】従来の液晶表示装置における要部断面図であ
る。
る。
1 補助容量CS ライン 2 ゲートライン 3 信号線(ソースライン) 4 透明導電膜 5、5a、5b CS 透明導電膜 6、6a、6b 層間膜 2G ゲート層 3S 信号線 TR トランジスタ形成領域
Claims (3)
- 【請求項1】 情報に応じた駆動電圧が各画素に対応し
た液晶セルに接続する画素電極を介して印加され、この
複数の液晶セルを用いてデータを表示する液晶表示装置
において、 上記液晶セル領域内の絶縁膜を透明導電膜で挟み込む構
造により補助容量を形成することを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項2】 上記透明導電膜は、各画素毎のゲートラ
インあるいは補助容量のラインに接続すると共に、上記
画素内の領域の層間膜を上記透明導電膜で覆って構成す
ることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 【請求項3】 上記各画素毎のゲートラインあるいは補
助容量のラインに接続された透明導電膜を縦方向あるい
は横方向のいずれかの複数画素分をまとめて形成するこ
とを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17552794A JP3339190B2 (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17552794A JP3339190B2 (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0843854A true JPH0843854A (ja) | 1996-02-16 |
JP3339190B2 JP3339190B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=15997628
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17552794A Expired - Lifetime JP3339190B2 (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3339190B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6313481B1 (en) | 1998-08-06 | 2001-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
US6690031B1 (en) | 1998-04-28 | 2004-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US6914260B2 (en) | 1996-06-25 | 2005-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
JP2007003903A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びこれを備えた電子機器 |
WO2008087764A1 (ja) | 2007-01-17 | 2008-07-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示パネル及び液晶表示装置 |
JP2009003187A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
JP2011043821A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Chi Mei Electronics Corp | 表示装置 |
JP2012208293A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Seiko Epson Corp | 液晶装置および電子機器 |
WO2014069260A1 (ja) * | 2012-10-29 | 2014-05-08 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
JP2018185541A (ja) * | 2013-05-03 | 2018-11-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018205774A (ja) * | 2013-04-19 | 2018-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
-
1994
- 1994-07-27 JP JP17552794A patent/JP3339190B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US6576504B2 (en) | 1998-08-06 | 2003-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating a liquid crystal display device having an improved storage capacitance |
JP2007003903A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びこれを備えた電子機器 |
US8125584B2 (en) | 2007-01-17 | 2012-02-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display panel and liquid crystal display device |
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US8866982B2 (en) | 2009-08-20 | 2014-10-21 | Innolux Corporation | Display device |
JP2012208293A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Seiko Epson Corp | 液晶装置および電子機器 |
WO2014069260A1 (ja) * | 2012-10-29 | 2014-05-08 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
US9570469B2 (en) | 2012-10-29 | 2017-02-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active-matrix substrate and liquid-crystal display device |
JP2018205774A (ja) * | 2013-04-19 | 2018-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2018185541A (ja) * | 2013-05-03 | 2018-11-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2020060769A (ja) * | 2013-05-03 | 2020-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2022103223A (ja) * | 2013-05-03 | 2022-07-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3339190B2 (ja) | 2002-10-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020716 |