JPH08340036A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPH08340036A JPH08340036A JP7168141A JP16814195A JPH08340036A JP H08340036 A JPH08340036 A JP H08340036A JP 7168141 A JP7168141 A JP 7168141A JP 16814195 A JP16814195 A JP 16814195A JP H08340036 A JPH08340036 A JP H08340036A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- processed
- chambers
- dust
- cassette
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000011282 treatment Methods 0.000 title abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 19
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 62
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium(II) oxide Chemical compound [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理体を支持する支持部に複雑な加工を要
することなく表面平滑性を持たせることができ、支持部
での塵埃の発生および被処理体への塵埃の付着を防止し
て被処理体の歩留りの向上が図れる処理装置を提供す
る。 【構成】 複数の被処理体Ｗを収容する容器３と上記被
処理体Ｗに所定の処理を施す処理室２７Ａ〜２７Ｃとの
間で、上記被処理体Ｗの搬送を行う過程で上記被処理体
Ｗを支持する支持部１０を有する処理装置において、上
記支持部１０を気孔の極めて少ないポアフリー材により
形成している。これにより、被処理体Ｗを支持する支持
部１０に複雑な加工を要することなく表面平滑性を持た
せることができ、支持部１０での塵埃の発生および被処
理体への塵埃の付着を防止することができ、歩留りの向
上が図れる。
することなく表面平滑性を持たせることができ、支持部
での塵埃の発生および被処理体への塵埃の付着を防止し
て被処理体の歩留りの向上が図れる処理装置を提供す
る。 【構成】 複数の被処理体Ｗを収容する容器３と上記被
処理体Ｗに所定の処理を施す処理室２７Ａ〜２７Ｃとの
間で、上記被処理体Ｗの搬送を行う過程で上記被処理体
Ｗを支持する支持部１０を有する処理装置において、上
記支持部１０を気孔の極めて少ないポアフリー材により
形成している。これにより、被処理体Ｗを支持する支持
部１０に複雑な加工を要することなく表面平滑性を持た
せることができ、支持部１０での塵埃の発生および被処
理体への塵埃の付着を防止することができ、歩留りの向
上が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程においては、
被処理体ないし被処理基板である半導体ウエハに成膜、
酸化、ドーピング、アニール、エッチング等の各種の処
理を施す工程があり、この処理工程におけるスループッ
トの向上、無塵化及び省スペース化等を図る観点から、
種々の処理装置が提案されている（特開平３−１９２５
２号公報、特開平４−１３３４２２号公報等参照）。
被処理体ないし被処理基板である半導体ウエハに成膜、
酸化、ドーピング、アニール、エッチング等の各種の処
理を施す工程があり、この処理工程におけるスループッ
トの向上、無塵化及び省スペース化等を図る観点から、
種々の処理装置が提案されている（特開平３−１９２５
２号公報、特開平４−１３３４２２号公報等参照）。
【０００３】このような処理装置においては、複数のウ
エハを収容する容器であるカセットと上記ウエハに所定
の処理を施す処理室例えば真空処理室との間で、ウエハ
の搬送を行う過程でウエハを支持する各種の支持部を有
している。この支持部としては、例えばウエハの移載を
行う移載機構のピックがある。このピックは、所定の剛
性、耐熱性、耐食性等を有し、かつウエハを汚染しない
材質、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を原料とするセラミ
ックにより形成されている。
エハを収容する容器であるカセットと上記ウエハに所定
の処理を施す処理室例えば真空処理室との間で、ウエハ
の搬送を行う過程でウエハを支持する各種の支持部を有
している。この支持部としては、例えばウエハの移載を
行う移載機構のピックがある。このピックは、所定の剛
性、耐熱性、耐食性等を有し、かつウエハを汚染しない
材質、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を原料とするセラミ
ックにより形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記処
理装置においては、ピックが気孔の多い多気孔質材から
なっていて、表面平滑性に劣るため、ウエハがピックの
上面で擦れることにより塵埃（パーティクル）を発生す
ることがあり、この塵埃がウエハに付着して不良発生の
原因となり、歩留りの低下を招く大きな要因となってい
る。
理装置においては、ピックが気孔の多い多気孔質材から
なっていて、表面平滑性に劣るため、ウエハがピックの
上面で擦れることにより塵埃（パーティクル）を発生す
ることがあり、この塵埃がウエハに付着して不良発生の
原因となり、歩留りの低下を招く大きな要因となってい
る。
【０００５】特に、ウエハの裏面を吸着する吸引孔を有
するピックにおいては、発生した塵埃が吸引孔の周囲に
集ることにより、ウエハの裏面に多量の塵埃が付着し易
い。なお、ピックに表面平滑性を持たせるために、アル
ミナセラミックからなる母材の表面にアルミニウムの被
膜を蒸着等により形成し、この被膜を複合電解研磨（Ｏ
ＭＣＰ）により鏡面仕上げするという加工方法が採用さ
れる場合もあるが、複雑な加工を要し、製造コストが増
大する欠点がある。
するピックにおいては、発生した塵埃が吸引孔の周囲に
集ることにより、ウエハの裏面に多量の塵埃が付着し易
い。なお、ピックに表面平滑性を持たせるために、アル
ミナセラミックからなる母材の表面にアルミニウムの被
膜を蒸着等により形成し、この被膜を複合電解研磨（Ｏ
ＭＣＰ）により鏡面仕上げするという加工方法が採用さ
れる場合もあるが、複雑な加工を要し、製造コストが増
大する欠点がある。
【０００６】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、被処理体を支持する支持部に複雑な加工を要するこ
となく表面平滑性を持たせることができ、支持部での塵
埃の発生および被処理体への塵埃の付着を防止して歩留
りの向上が図れる処理装置を提供することにある。
し、被処理体を支持する支持部に複雑な加工を要するこ
となく表面平滑性を持たせることができ、支持部での塵
埃の発生および被処理体への塵埃の付着を防止して歩留
りの向上が図れる処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載の処理装置は、複数の被処理体を収容す
る容器と上記被処理体に所定の処理を施す処理室との間
で、上記被処理体の搬送を行う過程で上記被処理体を支
持する支持部を有する処理装置において、上記支持部を
気孔の極めて少ないポアフリー材により形成したことを
特徴とする。
に請求項１記載の処理装置は、複数の被処理体を収容す
る容器と上記被処理体に所定の処理を施す処理室との間
で、上記被処理体の搬送を行う過程で上記被処理体を支
持する支持部を有する処理装置において、上記支持部を
気孔の極めて少ないポアフリー材により形成したことを
特徴とする。
【０００８】請求項２記載の処理装置は、上記支持部が
ポアフリー材からなる板材を切削加工することにより所
定の形状に形成されていることを特徴とする。
ポアフリー材からなる板材を切削加工することにより所
定の形状に形成されていることを特徴とする。
【０００９】請求項３記載の処理装置は、上記支持部が
被処理体を吸着する吸引孔を有する移載機構のピックで
あることを特徴とする。
被処理体を吸着する吸引孔を有する移載機構のピックで
あることを特徴とする。
【００１０】
【作用】請求項１記載の処理装置によれば、被処理体を
その搬送過程で支持する支持部を気孔の極めて少ないポ
アフリー材により形成したので、被処理体を支持する支
持部に複雑な加工を要することなく表面平滑性を持たせ
ることができる。これにより、上記支持部での被処理体
の擦れによる塵埃の発生および被処理体への塵埃の付着
を抑制ないし防止することができ、歩留りの向上が図れ
る。
その搬送過程で支持する支持部を気孔の極めて少ないポ
アフリー材により形成したので、被処理体を支持する支
持部に複雑な加工を要することなく表面平滑性を持たせ
ることができる。これにより、上記支持部での被処理体
の擦れによる塵埃の発生および被処理体への塵埃の付着
を抑制ないし防止することができ、歩留りの向上が図れ
る。
【００１１】請求項２記載の処理装置によれば、上記支
持部がポアフリー材を板状に成形、焼成してなる板材を
切削加工することにより所定の形状に形成されるため、
寸法精度の高い精密な支持部が得られる。
持部がポアフリー材を板状に成形、焼成してなる板材を
切削加工することにより所定の形状に形成されるため、
寸法精度の高い精密な支持部が得られる。
【００１２】請求項３記載の処理装置によれば、上記支
持部が被処理体を吸着する吸引孔を有する移載機構のピ
ックであるため、吸引孔の周囲に集って被処理体に付着
する塵埃の量を十分に低減することが可能となり、歩留
りの向上が図れる。
持部が被処理体を吸着する吸引孔を有する移載機構のピ
ックであるため、吸引孔の周囲に集って被処理体に付着
する塵埃の量を十分に低減することが可能となり、歩留
りの向上が図れる。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明を複数の処理室を有するマル
チチャンバ型の真空処理装置に適用した一実施例につい
て添付図面を参照して詳述する。図１ないし図２におい
て、１はローダ室を構成する第１の移載室であり、この
移載室１の両側にはゲートバルブＧ１，Ｇ２を介して第
１のカセット室２Ａおよび第２のカセット室２Ｂが接続
されている。これらカセット室２Ａ，２Ｂは、複数枚
（例えば２５枚）の被処理体例えば半導体ウエハＷを所
定の間隔（例えば５ｍｍ間隔）で収容する容器たるカセ
ット３を収容するチャンバである。
チチャンバ型の真空処理装置に適用した一実施例につい
て添付図面を参照して詳述する。図１ないし図２におい
て、１はローダ室を構成する第１の移載室であり、この
移載室１の両側にはゲートバルブＧ１，Ｇ２を介して第
１のカセット室２Ａおよび第２のカセット室２Ｂが接続
されている。これらカセット室２Ａ，２Ｂは、複数枚
（例えば２５枚）の被処理体例えば半導体ウエハＷを所
定の間隔（例えば５ｍｍ間隔）で収容する容器たるカセ
ット３を収容するチャンバである。
【００１４】上記カセット室２Ａ，２Ｂには、外部との
間を開閉するゲートバルブＧ３，Ｇ４が設けられ、カセ
ット室２Ａ，２Ｂ内には上記カセット３をウエハＷが水
平な状態で支持するコ字状のアーム４ａを有してカセッ
ト３を外部との間で上記ゲートバルブＧ３，Ｇ４を介し
て搬入搬出するカセット搬入搬出機構４と、搬入された
カセット３を上記アーム４ａから受け取って高さ調整可
能に支持する昇降可能なカセットステージ５とが設けら
れている。第１の移載室１およびカセット室２Ａ，２Ｂ
には、不活性ガス例えば窒素（Ｎ2）ガスを供給するた
めのガス供給管６が接続され、両室内が図示しない圧力
調整器により大気圧（常圧）以上例えば大気圧の不活性
ガス雰囲気に維持されている。
間を開閉するゲートバルブＧ３，Ｇ４が設けられ、カセ
ット室２Ａ，２Ｂ内には上記カセット３をウエハＷが水
平な状態で支持するコ字状のアーム４ａを有してカセッ
ト３を外部との間で上記ゲートバルブＧ３，Ｇ４を介し
て搬入搬出するカセット搬入搬出機構４と、搬入された
カセット３を上記アーム４ａから受け取って高さ調整可
能に支持する昇降可能なカセットステージ５とが設けら
れている。第１の移載室１およびカセット室２Ａ，２Ｂ
には、不活性ガス例えば窒素（Ｎ2）ガスを供給するた
めのガス供給管６が接続され、両室内が図示しない圧力
調整器により大気圧（常圧）以上例えば大気圧の不活性
ガス雰囲気に維持されている。
【００１５】上記第１の移載室１内には、第１の移載機
構７と、ウエハＷの中心およびオリエンテーションフラ
ット（オリフラともいう）の位置合せを行うための回転
ステージ８とが配設されている。この回転ステージ８
は、ウエハＷの周縁位置を検知する図示しない光センサ
および上記第１の移載機構７とともにウエハＷの位置合
せ機構を構成している。例えばウエハＷの中心が回転ス
テージ８の中心からずれていることが検出された場合に
は、第１の移載機構７によりウエハＷの位置が修正され
る。上記第１の移載機構７は、水平方向に回転および伸
縮可能なアーム例えば多関節アーム９の先端にウエハＷ
を支持する後述のピック１０を有し、上記第１ないし第
２のカセット室２Ａ，２Ｂ内のカセット３と、上記回転
ステージ８と、後述の真空予備室１１Ａ，１１Ｂとの間
でウエハＷの移載を行うように構成されている。
構７と、ウエハＷの中心およびオリエンテーションフラ
ット（オリフラともいう）の位置合せを行うための回転
ステージ８とが配設されている。この回転ステージ８
は、ウエハＷの周縁位置を検知する図示しない光センサ
および上記第１の移載機構７とともにウエハＷの位置合
せ機構を構成している。例えばウエハＷの中心が回転ス
テージ８の中心からずれていることが検出された場合に
は、第１の移載機構７によりウエハＷの位置が修正され
る。上記第１の移載機構７は、水平方向に回転および伸
縮可能なアーム例えば多関節アーム９の先端にウエハＷ
を支持する後述のピック１０を有し、上記第１ないし第
２のカセット室２Ａ，２Ｂ内のカセット３と、上記回転
ステージ８と、後述の真空予備室１１Ａ，１１Ｂとの間
でウエハＷの移載を行うように構成されている。
【００１６】上記第１の移載室１の後方には、ゲートバ
ルブＧ５，Ｇ６を介して第１の真空予備室１１Ａおよび
第２の真空予備室１１Ｂが接続されている。これら真空
予備室１１Ａ，１１Ｂは、図３に示すように上面に石英
ガラス板が装着された窓１２を有し、その窓１２上には
加熱装置（加熱手段）１３が設けられている。また、真
空予備室１１Ａ，１１Ｂ内の下部に設けられた冷却手段
例えば冷却水通路を有する冷却ステージ１４が設けられ
るとともに上下二段のウエハ載置具１５が昇降可能に設
けられている。
ルブＧ５，Ｇ６を介して第１の真空予備室１１Ａおよび
第２の真空予備室１１Ｂが接続されている。これら真空
予備室１１Ａ，１１Ｂは、図３に示すように上面に石英
ガラス板が装着された窓１２を有し、その窓１２上には
加熱装置（加熱手段）１３が設けられている。また、真
空予備室１１Ａ，１１Ｂ内の下部に設けられた冷却手段
例えば冷却水通路を有する冷却ステージ１４が設けられ
るとともに上下二段のウエハ載置具１５が昇降可能に設
けられている。
【００１７】上記加熱装置１３は、ランプケース１６内
に例えばハロゲンランプからなる複数の加熱ランプ１７
を設け、これら加熱ランプ１７の周りを囲むように反射
鏡１８を設けて構成されている。上記ウエハ載置具１５
は、図４にも示すように上記冷却ステージ１４の外周よ
りも少し大きい上下２つのリング１９にそれぞれウエハ
Ｗの周縁部を保持するための例えば石英やセラミック等
からなる複数（好ましくは３個）の保持爪２０を周方向
に等間隔で設け、これら両リング１９を昇降軸２１に取
付けて構成されている。
に例えばハロゲンランプからなる複数の加熱ランプ１７
を設け、これら加熱ランプ１７の周りを囲むように反射
鏡１８を設けて構成されている。上記ウエハ載置具１５
は、図４にも示すように上記冷却ステージ１４の外周よ
りも少し大きい上下２つのリング１９にそれぞれウエハ
Ｗの周縁部を保持するための例えば石英やセラミック等
からなる複数（好ましくは３個）の保持爪２０を周方向
に等間隔で設け、これら両リング１９を昇降軸２１に取
付けて構成されている。
【００１８】上記昇降軸２０は、上記真空予備室１１
Ａ，１１Ｂの底部を気密に摺動可能に貫通して昇降機構
２２に連結されている。上記冷却ステージ１４の外周部
には、上記ウエハ載置具１５が下降した際に下段リング
１９の保持爪２０の移動を許容するための図示しない溝
が形成されている。そして、上記真空予備室１１Ａ，１
１Ｂにおいて、ウエハ載置具１５の上段に載置された被
処理前のウエハＷが、上限位置にて加熱ランプ１７によ
り例えば４００〜５００℃に加熱（予備加熱）され、下
段に載置されたウエハＷは下段リング１９が冷却ステー
ジ１４の外周を降下することにより冷却ステージ１９上
に受け渡されて例えば７０℃〜５０℃に冷却されるよう
になっている。なお、冷却ステージ１４には、その上面
にウエハＷを接触させることなく所定の隙間をもって支
持する支持具が設けられていてもよい。
Ａ，１１Ｂの底部を気密に摺動可能に貫通して昇降機構
２２に連結されている。上記冷却ステージ１４の外周部
には、上記ウエハ載置具１５が下降した際に下段リング
１９の保持爪２０の移動を許容するための図示しない溝
が形成されている。そして、上記真空予備室１１Ａ，１
１Ｂにおいて、ウエハ載置具１５の上段に載置された被
処理前のウエハＷが、上限位置にて加熱ランプ１７によ
り例えば４００〜５００℃に加熱（予備加熱）され、下
段に載置されたウエハＷは下段リング１９が冷却ステー
ジ１４の外周を降下することにより冷却ステージ１９上
に受け渡されて例えば７０℃〜５０℃に冷却されるよう
になっている。なお、冷却ステージ１４には、その上面
にウエハＷを接触させることなく所定の隙間をもって支
持する支持具が設けられていてもよい。
【００１９】上記第１および第２の真空予備室１１Ａ，
１１Ｂには、室内を所定の圧力１０ -3〜１０-6Ｔｏｒｒ
に減圧するための減圧ポンプ２３が排気管２４およびバ
ルブＶ１，Ｖ２を介して接続されるとともに、室内を不
活性ガス例えば窒素ガスで常圧復帰させるためのガス供
給管２５が接続されている。そして、上記第１および第
２の真空予備室１１Ａ，１１Ｂの後方には、ゲートバル
ブＧ７，Ｇ８を介して第２の移載室２６が接続されてい
る。この移載室２６内には、上記真空予備室１１Ａ，１
１Ｂと、後述の処理室例えば真空処理室２７Ａ〜２７Ｃ
との間でウエハＷの移載を行うための例えば多関節アー
ムからなる第２の移載機構２８が配置されている。
１１Ｂには、室内を所定の圧力１０ -3〜１０-6Ｔｏｒｒ
に減圧するための減圧ポンプ２３が排気管２４およびバ
ルブＶ１，Ｖ２を介して接続されるとともに、室内を不
活性ガス例えば窒素ガスで常圧復帰させるためのガス供
給管２５が接続されている。そして、上記第１および第
２の真空予備室１１Ａ，１１Ｂの後方には、ゲートバル
ブＧ７，Ｇ８を介して第２の移載室２６が接続されてい
る。この移載室２６内には、上記真空予備室１１Ａ，１
１Ｂと、後述の処理室例えば真空処理室２７Ａ〜２７Ｃ
との間でウエハＷの移載を行うための例えば多関節アー
ムからなる第２の移載機構２８が配置されている。
【００２０】上記第２の移載室２６には、ゲートバルブ
Ｇ９〜Ｇ１１を介して左右および後方の三方に第１〜第
３の真空処理室２７Ａ〜２７Ｃが接続され、これら移載
室２６および真空処理室２７Ａ〜２７Ｃには室内を所定
の圧力例えば１０-7〜１０-8Ｔｏｒｒに減圧するための
減圧ポンプが接続されている（図示省略）。上記第１の
真空処理室２７Ａは例えば微細パターンが形成されたウ
エハＷ上に４００〜５００℃の温度下でチタン膜をスパ
ッタリングにより成膜するためのものであり、第２の真
空処理室２７Ｂは例えば微細パターンにタングステン層
をＣＶＤにより形成するためのものであり、また第３の
真空処理装置２７Ｃはタングステン層をエッチバックす
るためのものである。この例は、第１〜第３の真空処理
室２７Ａ〜２７ＣによりウエハＷ上に異なる処理を連続
的に施す場合であるが、これら真空処理室２７Ａ〜２７
Ｃは同一の処理を行うように構成されていてもよい。
Ｇ９〜Ｇ１１を介して左右および後方の三方に第１〜第
３の真空処理室２７Ａ〜２７Ｃが接続され、これら移載
室２６および真空処理室２７Ａ〜２７Ｃには室内を所定
の圧力例えば１０-7〜１０-8Ｔｏｒｒに減圧するための
減圧ポンプが接続されている（図示省略）。上記第１の
真空処理室２７Ａは例えば微細パターンが形成されたウ
エハＷ上に４００〜５００℃の温度下でチタン膜をスパ
ッタリングにより成膜するためのものであり、第２の真
空処理室２７Ｂは例えば微細パターンにタングステン層
をＣＶＤにより形成するためのものであり、また第３の
真空処理装置２７Ｃはタングステン層をエッチバックす
るためのものである。この例は、第１〜第３の真空処理
室２７Ａ〜２７ＣによりウエハＷ上に異なる処理を連続
的に施す場合であるが、これら真空処理室２７Ａ〜２７
Ｃは同一の処理を行うように構成されていてもよい。
【００２１】そして、上記カセット３と真空処理室２７
Ａ〜２７Ｃとの間でウエハの搬送を行う過程でウエハＷ
を支持する支持部、例えば第１の移載機構７のピック１
０は、気孔の極めて少ないポアフリー材により形成され
ている。上記ピック１０は、図５ないし図６に示すよう
に平面略Ｙ字状に形成され、その先端側の上面には図７
ないし図８にも示すようにウエハＷを支持するための複
数（好ましくは３つ）の***した同一水平面状の支持面
部２９ａ〜２９ｃが形成されるとともに、これら支持面
２９ａ〜２９ｃにはウエハＷの裏面を吸着して保持する
ための吸引孔３０が形成されている。
Ａ〜２７Ｃとの間でウエハの搬送を行う過程でウエハＷ
を支持する支持部、例えば第１の移載機構７のピック１
０は、気孔の極めて少ないポアフリー材により形成され
ている。上記ピック１０は、図５ないし図６に示すよう
に平面略Ｙ字状に形成され、その先端側の上面には図７
ないし図８にも示すようにウエハＷを支持するための複
数（好ましくは３つ）の***した同一水平面状の支持面
部２９ａ〜２９ｃが形成されるとともに、これら支持面
２９ａ〜２９ｃにはウエハＷの裏面を吸着して保持する
ための吸引孔３０が形成されている。
【００２２】上記ピック１０の裏面には、上記吸引孔３
０と連通する溝状の吸引通路３１が基部側まで形成され
るとともに、この吸引通路３１を覆う例えばステンレス
スチール製のプレート３２が気密に接合されている。こ
のプレート３２の基端部には吸引口部３３が形成され、
この吸引口部３３には吸引パイプおよびバルブを介して
減圧ポンプないし減圧タンク等の吸引源が接続されてい
る（図示省略）。上記ピック１０は、所定の厚さ例えば
２ｍｍに形成されている。
０と連通する溝状の吸引通路３１が基部側まで形成され
るとともに、この吸引通路３１を覆う例えばステンレス
スチール製のプレート３２が気密に接合されている。こ
のプレート３２の基端部には吸引口部３３が形成され、
この吸引口部３３には吸引パイプおよびバルブを介して
減圧ポンプないし減圧タンク等の吸引源が接続されてい
る（図示省略）。上記ピック１０は、所定の厚さ例えば
２ｍｍに形成されている。
【００２３】上記ピック１０は、ポアフリー材からなる
板材、詳しくはポアフリー材を板状に成形して焼成して
なる板材を例えばフライス盤等の切削機械により切削加
工することにより上記形状に形成されている。上記ポア
フリー材としては、例えば酸化チタン（ＴｉＯ）、チタ
ニア（ＴｉＯ2）等が用いられ、用途に応じて例えばＨ
ＰＦ、ＡＨＰＦ、ＫＰＦ等の種類がある。上記ピックを
形成するポアフリー材としては、静電対策としての導電
性を有し、かつ安価なＫＰＦが好適である。
板材、詳しくはポアフリー材を板状に成形して焼成して
なる板材を例えばフライス盤等の切削機械により切削加
工することにより上記形状に形成されている。上記ポア
フリー材としては、例えば酸化チタン（ＴｉＯ）、チタ
ニア（ＴｉＯ2）等が用いられ、用途に応じて例えばＨ
ＰＦ、ＡＨＰＦ、ＫＰＦ等の種類がある。上記ピックを
形成するポアフリー材としては、静電対策としての導電
性を有し、かつ安価なＫＰＦが好適である。
【００２４】次に、実施例の作用を述べる。先ず、ゲー
トバルブＧ３，Ｇ４を開き、カセット３をカセット搬入
搬出機構４により第１ないし第２のカセット室２Ａ，２
Ｂに搬入し、開口面を第１の移載室１側に向けた状態で
カセットステージ５に受け渡す。続いて、ゲートバルブ
Ｇ３，Ｇ４を閉じ、カセット室２Ａ，２Ｂ内を大気圧の
不活性ガス雰囲気にするとともにカセットステージ５に
よりカセット３を所定の位置まで上昇させる。
トバルブＧ３，Ｇ４を開き、カセット３をカセット搬入
搬出機構４により第１ないし第２のカセット室２Ａ，２
Ｂに搬入し、開口面を第１の移載室１側に向けた状態で
カセットステージ５に受け渡す。続いて、ゲートバルブ
Ｇ３，Ｇ４を閉じ、カセット室２Ａ，２Ｂ内を大気圧の
不活性ガス雰囲気にするとともにカセットステージ５に
よりカセット３を所定の位置まで上昇させる。
【００２５】次に、ゲートバルブＧ１，Ｇ２を開き、カ
セット３内のウエハＷを第１の移載機構７のピック１０
に吸着させ、予め不活性ガス雰囲気にされている第１の
移載室１内に搬入し、更に回転ステージ８上に吸着を解
除して受け渡し、ここでウエハＷのオリフラ合せおよび
中心の位置合せを行う。上記ウエハＷを予め大気圧の不
活性ガス雰囲気にされた第１ないし第２の真空予備室１
１Ａ，１１Ｂ内にゲートバルブＧ５，Ｇ６を開いて搬入
し、ウエハ載置具１５の上段に載置した後、既に冷却さ
れた下段の処理済みのウエハＷを真空予備室１１Ａ，１
１Ｂ内から第１の移載室１内に搬出してカセット３に戻
す。
セット３内のウエハＷを第１の移載機構７のピック１０
に吸着させ、予め不活性ガス雰囲気にされている第１の
移載室１内に搬入し、更に回転ステージ８上に吸着を解
除して受け渡し、ここでウエハＷのオリフラ合せおよび
中心の位置合せを行う。上記ウエハＷを予め大気圧の不
活性ガス雰囲気にされた第１ないし第２の真空予備室１
１Ａ，１１Ｂ内にゲートバルブＧ５，Ｇ６を開いて搬入
し、ウエハ載置具１５の上段に載置した後、既に冷却さ
れた下段の処理済みのウエハＷを真空予備室１１Ａ，１
１Ｂ内から第１の移載室１内に搬出してカセット３に戻
す。
【００２６】次いで、上記ゲートバルブＧ５，Ｇ６を閉
じ、真空予備室１１Ａ，１１Ｂ内を例えば１０-3〜１０
-6Ｔｏｒｒの真空度に減圧するとともに上記ウエハＷを
例えば３０〜６０秒間で５００℃に予備加熱する。予備
加熱後、ゲートバルブＧ７，Ｇ８を開いて、予め１０-7
〜１０-8Ｔｏｒｒの真空度に減圧された第２の移載室２
６と上記真空予備室１１Ａ，１１Ｂとの間を連通させ、
真空処理室２７Ａ〜２７Ｃで既に処理されたウエハＷを
第２の移載機構２８により真空予備室１１Ａ，１１Ｂ内
に搬入してウエハ載置具１５の下段に載置し、上段の予
備加熱済みのウエハＷを真空処理室２７Ａ〜２７Ｃ内に
搬入して所定の処理を施す。
じ、真空予備室１１Ａ，１１Ｂ内を例えば１０-3〜１０
-6Ｔｏｒｒの真空度に減圧するとともに上記ウエハＷを
例えば３０〜６０秒間で５００℃に予備加熱する。予備
加熱後、ゲートバルブＧ７，Ｇ８を開いて、予め１０-7
〜１０-8Ｔｏｒｒの真空度に減圧された第２の移載室２
６と上記真空予備室１１Ａ，１１Ｂとの間を連通させ、
真空処理室２７Ａ〜２７Ｃで既に処理されたウエハＷを
第２の移載機構２８により真空予備室１１Ａ，１１Ｂ内
に搬入してウエハ載置具１５の下段に載置し、上段の予
備加熱済みのウエハＷを真空処理室２７Ａ〜２７Ｃ内に
搬入して所定の処理を施す。
【００２７】そして、上記ゲートバルブＧ７，Ｇ８を閉
じ、真空予備室１１Ａ，１１Ｂ内を不活性ガスの供給に
より大気圧に戻しつつ上記ウエハＷを例えば３０〜６０
秒間で７０〜５０℃に冷却する。このうようなサイクル
によりカセット内のウエハが順次連続的に処理されるこ
とになる。
じ、真空予備室１１Ａ，１１Ｂ内を不活性ガスの供給に
より大気圧に戻しつつ上記ウエハＷを例えば３０〜６０
秒間で７０〜５０℃に冷却する。このうようなサイクル
によりカセット内のウエハが順次連続的に処理されるこ
とになる。
【００２８】上記実施例の真空処理装置によれば、真空
予備室１１Ａ，１１Ｂにおいて処理前のウエハＷを所定
の減圧下で予備加熱するため、ウエハＷの表面に付着し
ている水分などの不純物を除去することができるととも
に、真空処理室１１Ａ，１１ＢにおけるウエハＷの昇温
時間を短縮することができ、歩留りの向上およびスルー
プットの向上が図れる。また、処理後のウエハＷを不活
性ガス雰囲気下で冷却するため、処理後のウエハＷを大
気と反応させるこなく化学的に安定した状態でカセット
３に戻すことができる。しかも、複数（２つ）の真空予
備室１１Ａ，１１Ｂおよび複数（３つ）の真空処理室２
７Ａ〜２７Ｃを備えているとともに、上記真空予備室１
１Ａ，１１Ｂ内には上下２段のウエハ載置具１５が設け
られているため、スループットの更なる向上が図れる。
予備室１１Ａ，１１Ｂにおいて処理前のウエハＷを所定
の減圧下で予備加熱するため、ウエハＷの表面に付着し
ている水分などの不純物を除去することができるととも
に、真空処理室１１Ａ，１１ＢにおけるウエハＷの昇温
時間を短縮することができ、歩留りの向上およびスルー
プットの向上が図れる。また、処理後のウエハＷを不活
性ガス雰囲気下で冷却するため、処理後のウエハＷを大
気と反応させるこなく化学的に安定した状態でカセット
３に戻すことができる。しかも、複数（２つ）の真空予
備室１１Ａ，１１Ｂおよび複数（３つ）の真空処理室２
７Ａ〜２７Ｃを備えているとともに、上記真空予備室１
１Ａ，１１Ｂ内には上下２段のウエハ載置具１５が設け
られているため、スループットの更なる向上が図れる。
【００２９】特に、ウエハＷをその搬送過程で支持する
支持部である第１の移載機構７のピック１０を気孔の極
めて少ないポアフリー材により形成したので、ピック１
０に複雑な加工を要することなく表面平滑性を持たせる
ことができる。このため、上記ピック１０でのウエハＷ
の擦れによる塵埃の発生およびウエハＷへの塵埃の付着
を抑制ないし防止することができ、またピック１０にウ
エハＷを吸着する吸引孔３０を有していても吸引孔３０
の周囲に集ってウエハＷに付着する塵埃の量を十分に低
減することができ、歩留りの向上が図れる。また、上記
ピック１０がポアフリー材を板状に成形、焼成してなる
板材を切削加工することにより所定の形状に形成される
ため、寸法精度の高い精密なピックが得られる。
支持部である第１の移載機構７のピック１０を気孔の極
めて少ないポアフリー材により形成したので、ピック１
０に複雑な加工を要することなく表面平滑性を持たせる
ことができる。このため、上記ピック１０でのウエハＷ
の擦れによる塵埃の発生およびウエハＷへの塵埃の付着
を抑制ないし防止することができ、またピック１０にウ
エハＷを吸着する吸引孔３０を有していても吸引孔３０
の周囲に集ってウエハＷに付着する塵埃の量を十分に低
減することができ、歩留りの向上が図れる。また、上記
ピック１０がポアフリー材を板状に成形、焼成してなる
板材を切削加工することにより所定の形状に形成される
ため、寸法精度の高い精密なピックが得られる。
【００３０】なお、本発明は、前記実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、第１の移載室内にカセットを配
置する構成や真空予備室が１個のみの構成であってもよ
く、カセット、第１の移載室および真空予備室間でのウ
エハの移載は真空雰囲気下で行うように構成してもよ
い。また、大気圧以上のガス雰囲気下でウエハの移載を
行う場合の雰囲気ガスとしては、不活性ガス以外に例え
ば水分が十分に除去されたクリーンエアを用いてもよ
い。更に、不活性ガスとしては、窒素（Ｎ2）ガス以外
に例えばヘリウムガス、アルゴンガス、炭酸ガス等が適
用可能である。
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、第１の移載室内にカセットを配
置する構成や真空予備室が１個のみの構成であってもよ
く、カセット、第１の移載室および真空予備室間でのウ
エハの移載は真空雰囲気下で行うように構成してもよ
い。また、大気圧以上のガス雰囲気下でウエハの移載を
行う場合の雰囲気ガスとしては、不活性ガス以外に例え
ば水分が十分に除去されたクリーンエアを用いてもよ
い。更に、不活性ガスとしては、窒素（Ｎ2）ガス以外
に例えばヘリウムガス、アルゴンガス、炭酸ガス等が適
用可能である。
【００３１】真空処理室は２個或いは４個以上であって
もよい。処理室としては、真空処理室でなく常圧の処理
室であってもよく、また処理室における処理としては、
酸化、ドーピング、アニール、エッチング、アッシング
などの種々の処理が可能である。更に、被処理体として
は、半導体ウエハ以外に例えばＬＣＤ基板等が適用可能
である。上記実施例では、第１の移載機構のピックをポ
アフリー材により形成した一例が示されているが、ウエ
ハを支持する支持部であれば、例えば回転ステージ、第
２の移載機構のピック、真空処理室内における冷却ステ
ージ上の支持具等をポアフリー材により形成してもよ
い。
もよい。処理室としては、真空処理室でなく常圧の処理
室であってもよく、また処理室における処理としては、
酸化、ドーピング、アニール、エッチング、アッシング
などの種々の処理が可能である。更に、被処理体として
は、半導体ウエハ以外に例えばＬＣＤ基板等が適用可能
である。上記実施例では、第１の移載機構のピックをポ
アフリー材により形成した一例が示されているが、ウエ
ハを支持する支持部であれば、例えば回転ステージ、第
２の移載機構のピック、真空処理室内における冷却ステ
ージ上の支持具等をポアフリー材により形成してもよ
い。
【００３２】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果が得られる。
な優れた効果が得られる。
【００３３】（１）請求項１記載の処理装置によれば、
被処理体をその搬送過程で支持する支持部を気孔の極め
て少ないポアフリー材により形成したので、被処理体を
支持する支持部に複雑な加工を要することなく表面平滑
性を持たせることができ、これにより上記支持部での被
処理体の擦れによる塵埃の発生および被処理体への塵埃
の付着を抑制ないし防止することができ、歩留りの向上
が図れる。
被処理体をその搬送過程で支持する支持部を気孔の極め
て少ないポアフリー材により形成したので、被処理体を
支持する支持部に複雑な加工を要することなく表面平滑
性を持たせることができ、これにより上記支持部での被
処理体の擦れによる塵埃の発生および被処理体への塵埃
の付着を抑制ないし防止することができ、歩留りの向上
が図れる。
【００３４】（２）請求項２記載の処理装置によれば、
上記支持部がポアフリー材からなる板材を切削加工する
ことにより所定の形状に形成されているため、寸法精度
の高い精密な支持部が得られる。
上記支持部がポアフリー材からなる板材を切削加工する
ことにより所定の形状に形成されているため、寸法精度
の高い精密な支持部が得られる。
【００３５】（３）請求項３記載の処理装置によれば、
上記支持部が被処理体を吸着する吸引孔を有する移載機
構のピックであるため、吸引孔の周囲に集って被処理体
に付着する塵埃の量を十分に低減することができ、歩留
りの向上が図れる。
上記支持部が被処理体を吸着する吸引孔を有する移載機
構のピックであるため、吸引孔の周囲に集って被処理体
に付着する塵埃の量を十分に低減することができ、歩留
りの向上が図れる。
【図１】本発明の一実施例を示す平面図である。
【図２】図１に示した真空処理装置の斜視図である。
【図３】真空予備室の断面図である。
【図４】真空予備室内の載置具の斜視図である。
【図５】移載機構のピックの平面図である。
【図６】図５に示したピックの裏面図である。
【図７】図５のＡ−Ａ線拡大断面図である。
【図８】図５のＢ−Ｂ線拡大断面図である。
３ カセット（容器） ７ 第１の移載機構 １０ ピック（支持部） ２７Ａ〜２７Ｃ 真空処理室（処理室） ３０ 吸引孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ａ 21/31 21/324 Ｄ 21/324 21/302 Ｂ
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の被処理体を収容する容器と上記被
処理体に所定の処理を施す処理室との間で、上記被処理
体の搬送を行う過程で上記被処理体を支持する支持部を
有する処理装置において、上記支持部を気孔の極めて少
ないポアフリー材により形成したことを特徴とする処理
装置。 - 【請求項２】 上記支持部がポアフリー材からなる板材
を切削加工することにより所定の形状に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の処理装置。 - 【請求項３】 上記支持部が被処理体を吸着する吸引孔
を有する移載機構のピックであることを特徴とする請求
項１または２記載の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7168141A JPH08340036A (ja) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | 処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7168141A JPH08340036A (ja) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | 処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08340036A true JPH08340036A (ja) | 1996-12-24 |
Family
ID=15862599
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7168141A Pending JPH08340036A (ja) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | 処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08340036A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003013215A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
| WO2003019648A1 (fr) * | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Tokyo Electron Limited | Systeme de traitement de semi-conducteurs |
| JP2008258647A (ja) * | 2008-05-26 | 2008-10-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2009246010A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Taiheiyo Cement Corp | 真空吸着装置 |
| JP2009540547A (ja) * | 2006-06-02 | 2009-11-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | マルチスロットロードロックチャンバおよび操作方法 |
| JP2010194668A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Kyocera Corp | 吸着搬送部材およびこれを用いた基板搬送装置 |
| JP2010239102A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-10-21 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| JP2011103496A (ja) * | 2008-06-27 | 2011-05-26 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| JP2012054536A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-03-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2013207152A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP2014067939A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び不活性ガス供給ユニット及び半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521584A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-01-29 | Nikon Corp | 保持装置 |
-
1995
- 1995-06-09 JP JP7168141A patent/JPH08340036A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521584A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-01-29 | Nikon Corp | 保持装置 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003013215A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
| WO2003019648A1 (fr) * | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Tokyo Electron Limited | Systeme de traitement de semi-conducteurs |
| JP2003077976A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム |
| US7090741B2 (en) | 2001-08-31 | 2006-08-15 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor processing system |
| JP2009540547A (ja) * | 2006-06-02 | 2009-11-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | マルチスロットロードロックチャンバおよび操作方法 |
| JP2009246010A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Taiheiyo Cement Corp | 真空吸着装置 |
| JP2008258647A (ja) * | 2008-05-26 | 2008-10-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2010239102A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-10-21 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| JP2011103496A (ja) * | 2008-06-27 | 2011-05-26 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| JP2011103495A (ja) * | 2008-06-27 | 2011-05-26 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| JP2010194668A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Kyocera Corp | 吸着搬送部材およびこれを用いた基板搬送装置 |
| JP2012054536A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-03-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2013207152A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP2014067939A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び不活性ガス供給ユニット及び半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3288200B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| US6382895B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| JP3238432B2 (ja) | マルチチャンバ型枚葉処理装置 | |
| JP3332926B2 (ja) | ウェーハ処理機械真空前端部−ウェーハ処理方法および装置 | |
| US5769952A (en) | Reduced pressure and normal pressure treatment apparatus | |
| KR100613674B1 (ko) | 웨이퍼 처리 장치 및 처리 방법 | |
| JP4244555B2 (ja) | 被処理体の支持機構 | |
| JP3966594B2 (ja) | 予備真空室およびそれを用いた真空処理装置 | |
| WO2000028587A1 (fr) | Dispositif de traitement | |
| JPH0249424A (ja) | エッチング方法 | |
| JP2003077974A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP4168642B2 (ja) | 被処理体収納容器体及び処理システム | |
| JP2003077976A (ja) | 処理システム | |
| JPH08340036A (ja) | 処理装置 | |
| JP3172331B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JP2000208589A (ja) | 処理装置 | |
| JP2002261148A (ja) | 処理システム及び被処理体の予熱方法 | |
| JP3604241B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| WO1998019335A1 (fr) | Appareil de traitement thermique de type vertical | |
| JP2003059998A (ja) | トレイ式マルチチャンバー基板処理装置及びトレイ式基板処理装置 | |
| JP2004200219A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| KR100242534B1 (ko) | 멀티 챔버시스템 | |
| JPH11102951A (ja) | 処理装置 | |
| JP3643954B2 (ja) | 洗浄処理装置 | |
| JP2004014939A (ja) | チャックテーブル |