JP4947248B2

JP4947248B2 - ノッチ付き化合物半導体ウエハ

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Publication number: JP4947248B2
Application number: JP2001279829A
Authority: JP
Inventors: 隆一鳥羽; 直也砂地
Original assignee: Dowa Electronics Materials Co Ltd
Current assignee: Dowa Electronics Materials Co Ltd
Priority date: 2001-09-14
Filing date: 2001-09-14
Publication date: 2012-06-06
Anticipated expiration: 2021-09-14
Also published as: US20060113559A1; JP2003086474A; US20040242001A1; WO2003025985A1; US7256478B2; EP1437762A1; KR20040035787A; TW548702B; KR100869431B1; US20060060883A1; US7256477B2; EP1437762A4; US20060113558A1; US6998700B2; US7256476B2

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ノッチ付き化合物半導体ウエハに関し、特に、化合物半導体結晶の結晶面の方位から所定の方向に傾いた面方位を有するノッチ付化合物半導体ウエハに関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰなどの半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）として、円形のウエハが広く用いられており、デバイスを形成する結晶面として、通常（１００）、（１１１）、（５１１）面などの所定の面方位を中心とした結晶面が用いられている。これらのうち、（１００）面に近接した面方位を有するウエハが特に重要である。
【０００３】
また、代表的な化合物半導体であるＧａＡｓやＩｎＰなどのウエハの表面にデバイスを形成するために、イオン注入法やエピタキシャル成長法が用いられている。イオン注入に用いられるウエハとして、通常（１００）面からの面方位が０．５°以内の公差に抑えたウエハが使用されている。一方、エピタキシャル成長に用いられるウエハとしては、成膜した表面の平滑さが重要なため、結晶面を意図的に（１００）面から所定の結晶方位に傾けたウエハが使用される場合も多い。すなわち、（１００）ジャストの面では、原理的に原子ステップがないので、飛来した原料原子が表面で拡散する距離（拡散長）内でステップエッジを見出すことができず、円滑な成長を行うのが困難であるが、ウエハの面方位を意図的に（１００）面からずらすことにより原子ステップを形成させれば、拡散長内で原料原子がそのステップに納まり、良好なエピタキシャル成長が可能になる場合があるからである。
【０００４】
図１は、閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する二元化合物半導体の例としてのＧａＡｓ化合物半導体の（１００）最表面の原子の結合手の方向を模式的に示している。この図に示すように、Ｇａ原子面のダングリングボンドは図の前後方向、Ａｓ原子面のダングリングボンドは図の左右方向であり、Ｇａ原子の結合手の方向は［０−１−１］方向に平行な方向、Ａｓ原子の結合手の方向はその方向に対して垂直の方向になる。したがって、図１に示す［０−１−１］方向と［０１−１］方向は異なる性質を有することになる。なお、一般に負の方向指数は数値の上にバーを付けて表すが、本明細書中では数値の前に「−」の記号を付けて表すことにする。また、格子面の座標が負の場合も同様に数値の前に「−」の記号を付けて表すことにする。
【０００５】
図２に示すように、ステップ端で結晶成長が進行する場合には、ステップ端の結合手の方向が結晶成長に影響を与えるので、ウエハの面方位をどの方向に傾けるかが非常に重要である。したがって、ウエハの面方位を傾けてスライスする方向（以下、「オフ方向」という）は、ウエハの仕様として結晶学的な方位を規定することになる。
【０００６】
また、ウエハの面内の結晶学的な方位を明確にするために、一般にウエハの外周部にオリエンテーションフラットやノッチが形成されている。図３は、結晶面が（１００）面のＧａＡｓ半導体ウエハの表面側を［１００］方向として（０−１−１）側面側から見た場合のＧａＡｓの原子配列を示している。この図から、各原子の結合手の方向は、ウエハの表と裏では９０°方向が異なることがわかる。そのため、化合物半導体では、裏表を間違わないようにするために、オリエンテーションフラットの他に、副フラットを設けることが一般的である。
【０００７】
また、Ｓｉウエハの場合は、単体元素で構成されているので、加工前に裏表を取り違えても、異方性がないために大きな支障はなく、また、デバイス形成面のみが鏡面加工されているので、裏表の取り違えの危険性も少ない。一方、化合物半導体ウエハの場合は、Ｓｉウエハに比べて加工が難しく、ウエハの強度も弱いので、加工精度や強度の要求を満たすために、４インチ口径以上のウエハでは両面を鏡面加工するのが一般的である。
【０００８】
このような背景の下に、４インチ口径までの化合物半導体ウエハでは、オリエンテーションフラットの加工位置が規格化されており、その規格化の例として、ＳＥＭＩ規格Ｍ９−０９９９がある。この規格には、図４に示すように、主オリエンテーションフラットを（０１−１）面、副オリエンテーションフラットを（０１１）面とするいわゆるＵＳ（アメリカン）タイプ（図４（ａ））と、主オリエンテーションフラットを（０−１−１）面、副オリエンテーションフラットを（０−１１）面とするいわゆるＥＪ（ユーロ・ジャパニーズ）タイプ（図４（ｂ））がある。
【０００９】
また、（１００）面から傾けることなくスライスしたいわゆるジャストウエハの場合は、表と裏を逆に加工すれば良いだけであるため、鏡面加工前には１種類のスライスウエハの半製品在庫を持つだけで済む。
【００１０】
しかしながら、（１００）面から所定方位に傾けてスライスしたウエハの場合には、裏表を逆にすると、オフ方向の結晶学的な方位が異なってしまうという問題がある。例えば、ＥＪタイプのオリエンテーションフラットを有するウエハを、主オリエンテーションフラットである［０−１−１］方向、すなわち（１１１）Ａ面方向に傾けてスライスすると、ＵＳタイプのオリエンテーションフラットを有するウエハであると誤って認識して裏面を加工した場合に、主オリエンテーション方向に対して（１１１）Ｂ面に傾けることになってしまう。これについて図５を参照して説明する。図５は、溶融ＫＯＨエッチングによるＧａＡｓ（１００）面におけるエッチピットの形状と結晶方位の関係とを示す図である。この図からわかるように、裏表をひっくり返すと、主オリエンテーションフラットに対してエッチピットの向きが９０°ずれる、すなわち、結晶学的な方位が９０°ずれるとともに、副オリエンテーションフラットの位置が左右逆になるため、全く別の物になってしまうことがわかる。したがって、ジャストウエハのような対応ができないことになる。
【００１１】
また、（１１１）Ａ面と（１１１）Ｂ面の中間の方向に傾けてスライスする場合のみ、裏表を逆に加工しても、結晶学的に等価な方向を得ることができる。ただし、オリエンテーションフラットとの相対的なオフ方向は、図６に示すように異なってしまう問題がある。
【００１２】
また、６インチ口径のウエハでは、４インチ口径までのウエハの経緯の延長線上で、主（副）オリエンテーションフラットの位置を定め、ほぼ相似形の長さを規定する動きがあった。しかし、主オリエンテーションフラットの長さが長すぎて、（１）ウエハのプロセス中の回転におけるバランスが悪く、（２）加熱プロセス中のウエハ内の温度分布が悪くなり易く、（３）デバイスの収率が下がるなどの諸般の事情から、図７に示すようにＳＥＭＩ規格Ｍ９．７−０２００により、ウエハの一箇所にノッチを設けることが規格化されている。この規格では、従来のオリエンテーションフラットの結晶学的な位置ではなく、［０１０］方向の位置にノッチを設けることが規格化されている。すなわち、図７に示すように、（１１１）Ａと（１１１）Ｂとの中間方向の位置にノッチを設けているため、ウエハを裏返しても、（１００）ジャストのウエハの場合には、ノッチの前後左右の結晶学的な方位は全く変わらない。この規格によるメリットは、デバイス形成用の鏡面研磨面を磨くまでのスライスから始まる加工工程で、裏表の識別管理が全く不要なことである。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した従来の技術では、（１００）ジャストのウエハの場合には、裏表の管理が大幅に軽減されたが、（１００）面から傾けてスライスしたウエハについては考慮がなされていない。すなわち、ＳＥＭＩ規格Ｍ９．７−０２００の表１および図３では、〈１１０〉方向群の一方向に傾けてスライスする際に、ノッチが形成される部分である［０１０］方向に傾けてスライスすることを規定している。この場合、図８に示すように、ウエハの表と裏を逆にすると、オフ方向はノッチ方向から１８０°反対側になってしまう。すなわち、裏表の取り違いによって別の仕様のウエハになってしまう。
【００１４】
上述したように、６インチウエハでは、裏表ともに鏡面研磨が施されるため、目視による裏表の識別は簡単ではなく、ウエハの加工工程中に裏表を判別するための対策と、裏表が逆にならないための管理が必要になる。その対策として、ウエハ加工の初期段階で、ウエハの片面にレーザーマーキングを施すことがなされている。しかしながら、レーザーマーキングの深さは、後の加工しろよりも深くしなければ研磨加工中に消えてしまうので、深めに彫る必要がある。それでもウエハの厚み公差（通常は±１０〜２０μｍ）との関係があり、レーザーマーキングによるウエハロット表示部分が見え難くなったり、深く残ることによりウエハ破損の起点になるなどの問題が生じていた。
【００１５】
他の方法として、ウエハの外周部の表面側と裏面側の面取り量を非対称とし、側面を観察することにより、裏表の判別を行う方法が知られている（特開平８−１９５３６６号公報参照）。しかしながら、この方法は、ＳＥＭＩ規格Ｍ９−０９９９の図７および表に記載された規格を逸脱することになり易く、全ての顧客に受け入れられるものではない。
【００１６】
さらに他の方法として、外周部の面取り形状の規格を満足しつつ、ノッチ部分のみで表面側と裏面側の面取りを非対称にすることにより、裏表を判別する方法が提案されている（特開２０００−３３１８９８号公報参照）。この方法は、一つの解決策として有望であるが、ノッチ部分はアライメント用のピンを当てる部分であり、ただでさえ割れ易いＧａＡｓやＩｎＰなどの化合物半導体の場合、破損率の増加という面では多少難点がある。
【００１７】
したがって、本発明は、上述した従来の問題点に鑑み、結晶面が（１００）面である化合物半導体結晶を（１００）面から所定の方向に傾けてスライスする場合に、裏表の識別のための余計な加工や、工程内での繁雑な管理をしなくても、換言すれば工程の途中で裏表が逆になっても、最終的な鏡面研磨加工の仕上り段階で、全て同一の仕様になるノッチ付き半導体ウエハを提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、結晶面が（１００）面である化合物半導体結晶を（１００）面から〈１１０〉方向群の一方向に傾けてスライスする場合に、ノッチが形成される部分である［０１０］方向に傾けてスライスすることを規定していることが上述した問題の原因であるとの結論を得て、結晶面が（１００）面である化合物半導体結晶をスライスすることにより作製される化合物半導体ウエハについて、［０１０］方向にノッチを形成する場合には、（１００）面から［１０１］または［１０−１］方向に傾けてスライスし、［００１］方向にノッチを形成する場合には、（１００）面から［０−１０］または［０１０］方向に傾けてスライスし、［０−１０］方向にノッチを形成する場合には、（１００）面から［００１］または［００−１］方向に傾けてスライスし、［００−１］方向にノッチを形成する場合には、（１００）面から［０１０］または［０−１０］方向に傾けてスライスすることにより、ノッチ付き化合物半導体ウエハの裏表が逆になっても同一の仕様になることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１９】
すなわち、本発明によるノッチ付き半導体ウエハは、（１００）面から［１０１］または［１０−１］方向に傾いた面方位を有するとともに［０１０］方向にノッチが形成され、あるいは（１００）面から［０−１０］または［０１０］方向に傾いた面方位を有するとともに［００１］方向にノッチが形成され、あるいは（１００）面から［００１］または［００−１］方向に傾いた面方位を有するとともに［０−１０］方向にノッチが形成され、あるいは（１００）面から［０１０］または［０−１０］方向に傾いた面方位を有するとともに［００−１］方向にノッチが形成されていることを特徴とする。
【００２０】
上記のノッチ付き化合物半導体ウエハにおいて、面方位の（１００）面から傾いた角度は、±０．５°乃至１５°の範囲であるのが好ましい。また、面方位の傾く方向の面内回転誤差は、±１０°以内であるのが好ましい。また、上記のノッチ付き化合物半導体ウエハは、閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する化合物半導体からなるのが好ましい。さらに、上記のノッチ付き化合物半導体ウエハは、円形の化合物半導体ウエハであり、直径が９９．０ｍｍ以上であるのが好ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明によるノッチ付き化合物半導体ウエハの実施の形態では、結晶面が（１００）面である化合物半導体結晶をスライスすることにより作製される化合物半導体ウエハについて、［０１０］方向にノッチを形成し、（１１１）Ａ面と（１１１）Ｂ面の中間位置の方向に傾けてスライスする際に、（１００）面から４つの結晶学的に等価な＜１１０＞方向群のうち［１０１］または［１０−１］方向に傾けてスライスする。これにより、たとえウエハの裏表が逆になっても、ノッチに対するオフ方向の位置関係をも含むウエハの加工仕様を維持するできる。また、結晶面が（１００）面である化合物半導体結晶から作製される化合物半導体ウエハにノッチを形成する方向は、［０１０］以外に、［００１］、［０−１０］、［００−１］の３通りの候補があり、［００１］方向にノッチを形成する場合には、（１００）面から［０−１０］または［０１０］方向に傾けてスライスし、［０−１０］方向にノッチを形成する場合には、（１００）面から［００１］または［００−１］方向に傾けてスライスし、［００−１］方向にノッチを形成する場合には、（１００）面から［０１０］または［０−１０］方向に傾けてスライスする。これらの場合も上記と同様の効果が得られる。
【００２２】
また、本発明によるノッチ付き化合物半導体ウエハの実施の形態では、（１００）面から傾いた角度（以下「オフ角」という）は、０．５°〜１５°である。一般にウエハのオフ角の公差は±０．５°程度が許容されているが、１５°以内とするのは、（１００）ジャストの場合からの意図しない方向ずれなどを含めないためである。また、イオン注入用の基板としては、（１００）ジャストのウエハが使用されていたが、注入不純物のチャネリングを防止するために、注入時にウエハ自身を傾ける方法が取られていた。特に、平行注入ではなく、ビーム走査でウエハ面内に注入する場合には、大口径化に伴い、均一性を確保するために、７〜１０°の傾斜をつける場合が多い。ところが、パターン越しの選択注入では、大きなウエハ傾斜での注入は、影になる部分が生じ、今後ますます必要となる微細化の障害となる。選択注入部にパターンの影が生じないようにする対策として、ウエハ側で格子面を傾ける方法も必要となるため、オフ角を１５°以内とする。
【００２３】
さらに、本発明によるノッチ付き化合物半導体ウエハの実施の形態では、オフ方向の面内回転誤差を±１０°以内とする。この誤差以上になると、裏表のステップエッジ構成元素の状態が大幅に変わり、エピタキシャル成長膜の特性に影響を与えるためである。すなわち、図９（ａ）に示すように、（１１１）Ａと（１１１）Ｂの丁度中間の方向に傾けてスライスした場合は、ステップエッジにおいてステップの方向を向く結合手を持つ原子の数は、●の原子と○の原子で等しくなる。ところが、オフ方向に面内回転誤差がある場合には、図９（ｂ）に示すように、ステップエッジでステップの方向を向く原子の数は●の原子の方が多くなってしまう。前述したように、この状態の裏面では○の原子の方がステップの方向を向く結合手が多くなるため、裏と表のステップ状態の差異が強調されてしまう。これを回避する範囲として面内回転誤差を±１０°以内とする。
【００２４】
また、本発明によるノッチ付き化合物半導体ウエハの実施の形態では、ＧａＡｓだけでなく、ＩｎＰやその他の閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する化合物半導体結晶からなるウエハを含み、４インチ以上の口径を有する。
【００２５】
【実施例】
以下、実施例に基づいて本発明によるノッチ付き化合物半導体ウエハについて詳細に説明する。
【００２６】
［実施例１］
６インチＧａＡｓ化合物半導体結晶を、（１００）面から［１０１］方向に０．５°傾いた方向に、厚さ８００μｍにスライスして、２枚の６インチＧａＡｓ化合物半導体ウエハ１０を得た。図１０に示すように、これらのウエハの外周部の［０１０］方向の位置にノッチ１２を形成し、両面研磨して、それぞれ厚さ６５０μｍとした。
【００２７】
その後、２枚のウエハを裏表が逆になるようにして、それぞれのウエハから、エピタキシャル成長、電極化、ダイスカットなどの工程を経てＬＥＤを作製した。これらのＬＥＤの発光特性を調べたところ、いずれのウエハから作製したＬＥＤも同様に問題のない発光特性を示し、本実施例により得られた半導体ウエハが裏表を逆にしても同一の仕様になることが確認された。
【００２８】
また、本実施例で作製したウエハを溶融ＫＯＨエッチングにより処理して光学顕微鏡で観察したところ、図１１、図１２および図１３に示すように、裏表をひっくり返しても、ノッチに対するオフの方向（この場合、左方向）も変化せず、ＫＯＨエッチピットの方向性も変わらず、結晶学的にも、形状仕様的にも全く同じものになることがわかった。
【００２９】
［実施例２］
スライスする方向を（１００）面から［１０−１］方向に０．５°傾いた方向にした以外は、実施例１と同様の方法によりＬＥＤを作製した。これらのＬＥＤの発光特性を調べたところ、いずれのウエハから作製したＬＥＤも同様に問題のない発光特性を示し、本実施例により得られた半導体ウエハも裏表を逆にしても同一の仕様になることが確認された。また、光学顕微鏡による観察結果も実施例１と同様であった。
【００３０】
［実施例３］
６インチＧａＡｓ化合物半導体結晶を、（１００）面から［０−１０］方向に０．５°傾いた方向に、厚さ８００μｍにスライスして、２枚の６インチＧａＡｓ化合物半導体ウエハを得た。これらのウエハの外周部の［００１］方向の位置にノッチを形成し、両面研磨して、それぞれ厚さ６５０μｍとした。その後、２枚のウエハを裏表が逆になるようにして、それぞれのウエハから、エピタキシャル成長、電極化、ダイスカットなどの工程を経てＬＥＤを作製した。これらのＬＥＤの発光特性を調べたところ、いずれのウエハから作製したＬＥＤも同様に問題のない発光特性を示し、本実施例により得られた半導体ウエハが裏表を逆にしても同一の仕様になることが確認された。また、光学顕微鏡による観察結果も実施例１と同様であった。
【００３１】
［実施例４］
スライスする方向を（１００）面から［０１０］方向に０．５°傾いた方向にした以外は、実施例３と同様の方法によりＬＥＤを作製した。これらのＬＥＤの発光特性を調べたところ、いずれのウエハから作製したＬＥＤも同様に問題のない発光特性を示し、本実施例により得られた半導体ウエハも裏表を逆にしても同一の仕様になることが確認された。また、光学顕微鏡による観察結果も実施例１と同様であった。
【００３２】
［実施例５］
６インチＧａＡｓ化合物半導体結晶を、（１００）面から［００１］方向に０．５°傾いた方向に、厚さ８００μｍにスライスして、２枚の６インチＧａＡｓ化合物半導体ウエハを得た。これらのウエハの外周部の［０−１０］方向の位置にノッチを形成し、両面研磨して、それぞれ厚さ６５０μｍとした。その後、２枚のウエハを裏表が逆になるようにして、それぞれのウエハから、エピタキシャル成長、電極化、ダイスカットなどの工程を経てＬＥＤを作製した。これらのＬＥＤの発光特性を調べたところ、いずれのウエハから作製したＬＥＤも同様に問題のない発光特性を示し、本実施例により得られた半導体ウエハが裏表を逆にしても同一の仕様になることが確認された。また、光学顕微鏡による観察結果も実施例１と同様であった。
【００３３】
［実施例６］
スライスする方向を（１００）面から［００−１］方向に０．５°傾いた方向にした以外は、実施例５と同様の方法によりＬＥＤを作製した。これらのＬＥＤの発光特性を調べたところ、いずれのウエハから作製したＬＥＤも同様に問題のない発光特性を示し、本実施例により得られた半導体ウエハも裏表を逆にしても同一の仕様になることが確認された。また、光学顕微鏡による観察結果も実施例１と同様であった。
【００３４】
［実施例７］
６インチＧａＡｓ化合物半導体結晶を、（１００）面から［０１０］方向に０．５°傾いた方向に、厚さ８００μｍにスライスして、２枚の６インチＧａＡｓ化合物半導体ウエハを得た。これらのウエハの外周部の［００−１］方向の位置にノッチを形成し、両面研磨して、それぞれ厚さ６５０μｍとした。その後、２枚のウエハを裏表が逆になるようにして、それぞれのウエハから、エピタキシャル成長、電極化、ダイスカットなどの工程を経てＬＥＤを作製した。これらのＬＥＤの発光特性を調べたところ、いずれのウエハから作製したＬＥＤも同様に問題のない発光特性を示し、本実施例により得られた半導体ウエハが裏表を逆にしても同一の仕様になることが確認された。また、光学顕微鏡による観察結果も実施例１と同様であった。
【００３５】
［実施例８］
スライスする方向を（１００）面から［０−１０］方向に０．５°傾いた方向にした以外は、実施例７と同様の方法によりＬＥＤを作製した。これらのＬＥＤの発光特性を調べたところ、いずれのウエハから作製したＬＥＤも同様に問題のない発光特性を示し、本実施例により得られた半導体ウエハも裏表を逆にしても同一の仕様になることが確認された。また、光学顕微鏡による観察結果も実施例１と同様であった。
【００３６】
【発明の効果】
上述したように、本発明によれば、化合物半導体結晶をその結晶面から所定の方向（ノッチの位置に対応して設定した所定の方向）に傾いた方向にスライスすることにより、裏表を逆にしても同一の仕様になるノッチ付き化合物半導体結晶を提供することができる。したがって、研磨工程において裏表の検査が不要となり、コストダウンを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する二元化合物半導体の例としてのＧａＡｓ化合物半導体の（１００）最表面の原子の結合手の方向を模式的に示す図。
【図２】ステップ部における結晶成長の様子を模式的に示す図。
【図３】結晶面が（１００）面のＧａＡｓ半導体ウエハの表面側を［１００］方向として（０−１−１）側面側から見た場合のＧａＡｓの原子配列を模式的に示す図。
【図４】ＳＥＭＩ規格Ｍ９−０９９９により規格化された（主、副）オリエンテーションフラットの位置を示す図。
【図５】ＧａＡｓ（１００）面から所定方位に傾けてスライスしたウエハについて、溶融ＫＯＨエッチングによるＧａＡｓ（１００）面におけるエッチピットの形状と結晶方位の関係とを示す図。
【図６】ＳＥＭＩ規格Ｍ９−０９９９により規格化された位置に（主、副）オリエンテーションフラットを形成し、オフ方向を［１００］方向にした場合の（ａ）ＵＳタイプと（ｂ）ＥＪタイプのオフ方向を示す図。
【図７】結晶面が（１００）面のウエハにおいてＳＥＭＩ規格Ｍ９．７−０２００により規格化された位置に形成されたノッチを示す図。
【図８】ＳＥＭＩ規格のオフ方向にしたウエハについて、溶融ＫＯＨエッチングによるＧａＡｓ（１００）面におけるエッチピットの形状と結晶方位の関係とを示す図。
【図９】化合物半導体ウエハを（１００）面から傾けてスライスした場合の原子ステップの状態を示す図であり、（ａ）は（１１１）Ａと（１１１）Ｂの丁度中間の方向に傾けてスライスした場合の原子ステップの状態を示し、（ｂ）はオフ方向に面内回転誤差がある場合の原子ステップの状態を示している。
【図１０】実施例１のウエハのオフ方向とノッチの位置を示す平面図。
【図１１】実施例１のオフ方向にしたウエハについて、溶融ＫＯＨエッチングによるＧａＡｓ（１００）面におけるエッチピットの形状と結晶方位の関係とを示す図。
【図１２】実施例１のオフ方向にしたウエハについて、溶融ＫＯＨエッチングによるＧａＡｓ（１００）面における光学顕微鏡写真であり、図１１（ａ）に対応する。
【図１３】実施例１のオフ方向にしたウエハについて、溶融ＫＯＨエッチングによるＧａＡｓ（１００）面における光学顕微鏡写真であり、図１１（ｂ）に対応する。
【符号の説明】
１０ウエハ
１２ノッチ

Claims

（１００）面から［１０１］または［１０−１］方向に傾いた面方位を有し、［０１０］方向にノッチが形成されていることを特徴とする、ノッチ付き化合物半導体ウエハ。
（１００）面から［０−１０］または［０１０］方向に傾いた面方位を有し、［００１］方向にノッチが形成されていることを特徴とする、ノッチ付き化合物半導体ウエハ。
（１００）面から［００１］または［００−１］方向に傾いた面方位を有し、［０−１０］方向にノッチが形成されていることを特徴とする、ノッチ付き化合物半導体ウエハ。
（１００）面から［０１０］または［０−１０］方向に傾いた面方位を有し、［００−１］方向にノッチが形成されていることを特徴とする、ノッチ付き化合物半導体ウエハ。
前記面方位の（１００）面から傾いた角度が±０．５°乃至１５°の範囲であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載のノッチ付き化合物半導体ウエハ。
前記面方位の傾く方向の面内回転誤差が±１０°以内であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載のノッチ付き化合物半導体ウエハ。
前記ノッチ付き化合物半導体ウエハが閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する化合物半導体からなることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれかに記載のノッチ付き化合物半導体ウエハ。
前記ノッチ付き化合物半導体ウエハが円形の化合物半導体ウエハであり、直径が９９．０ｍｍ以上であることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれかに記載のノッチノッチ付き化合物半導体ウエハ。