JPH08325733A - 真空処理方法および真空処理装置 - Google Patents
真空処理方法および真空処理装置Info
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- JPH08325733A JPH08325733A JP7152242A JP15224295A JPH08325733A JP H08325733 A JPH08325733 A JP H08325733A JP 7152242 A JP7152242 A JP 7152242A JP 15224295 A JP15224295 A JP 15224295A JP H08325733 A JPH08325733 A JP H08325733A
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- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims abstract description 92
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 26
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 claims description 25
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 24
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 42
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被処理体に付着する塵埃の量を低減すること
ができ、歩留りの向上が図れる真空処理方法および真空
処理装置を提供する。 【構成】 真空処理室１０に弁１３を介して設けられた
真空予備室１４に被処理体Ｗを収容し、上記弁１３に上
記被処理体Ｗと対向して設けられた塵埃吸着体２１に静
電気により上記真空予備室１４内の塵埃を吸着した後、
上記弁１３を開放して真空処理室１０側から真空予備室
１４の被処理体Ｗに所定の処理を施す。従って、上記被
処理体Ｗと対向する塵埃吸着体２１に真空予備室１４内
の塵埃が効果的に吸着されるとともに、被処理体Ｗを真
空処理室１０に移すことなく真空予備室１４で所定の処
理を施すことにより塵埃の発生が抑制されるため、被処
理体Ｗに付着する塵埃の量を低減することができ、歩留
りの向上が図れる。
ができ、歩留りの向上が図れる真空処理方法および真空
処理装置を提供する。 【構成】 真空処理室１０に弁１３を介して設けられた
真空予備室１４に被処理体Ｗを収容し、上記弁１３に上
記被処理体Ｗと対向して設けられた塵埃吸着体２１に静
電気により上記真空予備室１４内の塵埃を吸着した後、
上記弁１３を開放して真空処理室１０側から真空予備室
１４の被処理体Ｗに所定の処理を施す。従って、上記被
処理体Ｗと対向する塵埃吸着体２１に真空予備室１４内
の塵埃が効果的に吸着されるとともに、被処理体Ｗを真
空処理室１０に移すことなく真空予備室１４で所定の処
理を施すことにより塵埃の発生が抑制されるため、被処
理体Ｗに付着する塵埃の量を低減することができ、歩留
りの向上が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空処理方法および真
空処理装置に関する。
空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】減圧雰囲気下で被処理体に所定の処理を
施す真空処理装置として、例えばイオン注入装置、エッ
チング装置、アッシング装置、スパッタ装置、減圧ＣＶ
Ｄ装置等が知られている。そして、このような真空処理
装置としては、真空処理室に弁を介して真空予備室を設
け、この真空予備室に収容された被処理体に上記弁を開
放して真空処理室側から所定の処理を施すようにしたも
のがある。
施す真空処理装置として、例えばイオン注入装置、エッ
チング装置、アッシング装置、スパッタ装置、減圧ＣＶ
Ｄ装置等が知られている。そして、このような真空処理
装置としては、真空処理室に弁を介して真空予備室を設
け、この真空予備室に収容された被処理体に上記弁を開
放して真空処理室側から所定の処理を施すようにしたも
のがある。
【０００３】上記真空処理装置によれば、真空処理室を
所定の真空度に保ったままで真空予備室のみを常圧に戻
して被処理体の搬入搬出を行い、真空予備室に被処理体
を収容して真空処理室と同じ真空度にしたら、弁を開放
するだけで真空処理室側から真空予備室の被処理体に直
接所定の処理を施すことができる。このため、真空予備
室から真空処理室に被処理体を移して所定の処理を施す
ようにしたものよりも、更に処理能力の向上等が図れ
る。
所定の真空度に保ったままで真空予備室のみを常圧に戻
して被処理体の搬入搬出を行い、真空予備室に被処理体
を収容して真空処理室と同じ真空度にしたら、弁を開放
するだけで真空処理室側から真空予備室の被処理体に直
接所定の処理を施すことができる。このため、真空予備
室から真空処理室に被処理体を移して所定の処理を施す
ようにしたものよりも、更に処理能力の向上等が図れ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記真
空処理装置においては、真空予備室に被処理体を搬入搬
出する際に塵埃（パーティクル）が侵入し、また、真空
予備室の真空排気時や常圧復帰時にたとえスロー排気や
スローベントを行ったとしても気体の流れによる塵埃の
舞い上がりが生じる。このため、半導体デバイスの製造
工程等においては、これらの塵埃が被処理体である半導
体ウエハに付着して不良発生の原因となり、歩留りの低
下を招く大きな要因となっている。
空処理装置においては、真空予備室に被処理体を搬入搬
出する際に塵埃（パーティクル）が侵入し、また、真空
予備室の真空排気時や常圧復帰時にたとえスロー排気や
スローベントを行ったとしても気体の流れによる塵埃の
舞い上がりが生じる。このため、半導体デバイスの製造
工程等においては、これらの塵埃が被処理体である半導
体ウエハに付着して不良発生の原因となり、歩留りの低
下を招く大きな要因となっている。
【０００５】そこで、本発明の目的は、被処理体に付着
する塵埃の量を低減することができ、歩留りの向上が図
れる真空処理方法および真空処理装置を提供することに
ある。
する塵埃の量を低減することができ、歩留りの向上が図
れる真空処理方法および真空処理装置を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１の発明は、真空処理室に弁を介して設けられ
た真空予備室に被処理体を収容し、上記弁に上記被処理
体と対向して設けられた塵埃吸着体に静電気により上記
真空予備室内の塵埃を吸着した後、上記弁を開放して真
空処理室側から真空予備室の被処理体に所定の処理を施
すことを特徴とする。
に請求項１の発明は、真空処理室に弁を介して設けられ
た真空予備室に被処理体を収容し、上記弁に上記被処理
体と対向して設けられた塵埃吸着体に静電気により上記
真空予備室内の塵埃を吸着した後、上記弁を開放して真
空処理室側から真空予備室の被処理体に所定の処理を施
すことを特徴とする。
【０００７】請求項２の発明は、真空処理室に弁を介し
て真空予備室を設け、この真空予備室に収容された被処
理体に上記弁を開放して真空処理室側から所定の処理を
施す真空処理装置において、上記弁に上記被処理体と対
向して静電気により塵埃を吸着する塵埃吸着体を設けた
こと特徴とする。
て真空予備室を設け、この真空予備室に収容された被処
理体に上記弁を開放して真空処理室側から所定の処理を
施す真空処理装置において、上記弁に上記被処理体と対
向して静電気により塵埃を吸着する塵埃吸着体を設けた
こと特徴とする。
【０００８】請求項３の発明は、請求項２の発明におけ
る上記真空予備室が、上記被処理体を保持する保持体に
より外側へ開閉可能に構成され、その外側には開放され
た真空予備室を介して上記塵埃吸着体の静電気を除去
し、吸着された塵埃を除去するクリーニング手段が設け
られていることを特徴とする。
る上記真空予備室が、上記被処理体を保持する保持体に
より外側へ開閉可能に構成され、その外側には開放され
た真空予備室を介して上記塵埃吸着体の静電気を除去
し、吸着された塵埃を除去するクリーニング手段が設け
られていることを特徴とする。
【０００９】請求項４の発明は、請求項３の発明におけ
る上記クリーニング手段が、静電気を除去するためのイ
オンを発生するイオン発生部と、発生したイオンを上記
塵埃吸着体に吹き付ける送風部とからなることを特徴と
する。
る上記クリーニング手段が、静電気を除去するためのイ
オンを発生するイオン発生部と、発生したイオンを上記
塵埃吸着体に吹き付ける送風部とからなることを特徴と
する。
【００１０】
【作用】請求項１の発明によれば、真空処理室に弁を介
して設けられた真空予備室に被処理体を収容した際に、
上記弁に上記被処理体と対向して設けられた塵埃吸着体
に静電気により上記真空予備室内の塵埃が吸着される。
そして、上記弁を開放して真空処理室側から真空予備室
の被処理体に所定の処理が施される。従って、上記被処
理体と対向する塵埃吸着体に真空予備室内の塵埃が効果
的に吸着されるとともに、被処理体を真空処理室に移す
ことなく真空予備室で所定の処理を施すことにより塵埃
の発生が抑制されるため、被処理体に付着する塵埃の量
を十分低減することができ、歩留りの向上が図れる。
して設けられた真空予備室に被処理体を収容した際に、
上記弁に上記被処理体と対向して設けられた塵埃吸着体
に静電気により上記真空予備室内の塵埃が吸着される。
そして、上記弁を開放して真空処理室側から真空予備室
の被処理体に所定の処理が施される。従って、上記被処
理体と対向する塵埃吸着体に真空予備室内の塵埃が効果
的に吸着されるとともに、被処理体を真空処理室に移す
ことなく真空予備室で所定の処理を施すことにより塵埃
の発生が抑制されるため、被処理体に付着する塵埃の量
を十分低減することができ、歩留りの向上が図れる。
【００１１】請求項２の発明によれば、真空処理室に弁
を介して真空予備室が設けられ、この真空予備室に収容
された被処理体に上記弁を開放して真空処理室側から所
定の処理が施されるのであるが、上記弁に上記被処理体
と対向して静電気により塵埃を吸着する塵埃吸着体が設
けられているため、上記真空予備室に被処理体を収容し
た際に塵埃吸着体に真空予備室内の塵埃が効果的に吸着
されるとともに、被処理体を真空処理室に移すことなく
真空予備室で所定の処理を施すことにより塵埃の発生が
抑制され、被処理体に付着する塵埃の量を十分低減する
ことができ、歩留りの向上が図れる。
を介して真空予備室が設けられ、この真空予備室に収容
された被処理体に上記弁を開放して真空処理室側から所
定の処理が施されるのであるが、上記弁に上記被処理体
と対向して静電気により塵埃を吸着する塵埃吸着体が設
けられているため、上記真空予備室に被処理体を収容し
た際に塵埃吸着体に真空予備室内の塵埃が効果的に吸着
されるとともに、被処理体を真空処理室に移すことなく
真空予備室で所定の処理を施すことにより塵埃の発生が
抑制され、被処理体に付着する塵埃の量を十分低減する
ことができ、歩留りの向上が図れる。
【００１２】請求項３の発明によれば、上記真空予備室
が上記被処理体を保持する保持体により外側へ開閉可能
に構成され、その外側には開放された真空予備室を介し
て上記塵埃吸着体の静電気を除去し、吸着された塵埃を
除去するクリーニング手段が設けられているため、この
クリーニング手段によって上記塵埃吸着体を定期的にク
リーニングすることができ、塵埃吸着体の吸着機能を維
持することができる。なお、上記塵埃吸着体の静電気が
クリーニング手段によって一時的に除去されるが、塵埃
吸着体には真空予備室の真空排気時や常圧復帰時の気流
の摩擦により再び静電気が帯電し、吸着機能が復帰す
る。
が上記被処理体を保持する保持体により外側へ開閉可能
に構成され、その外側には開放された真空予備室を介し
て上記塵埃吸着体の静電気を除去し、吸着された塵埃を
除去するクリーニング手段が設けられているため、この
クリーニング手段によって上記塵埃吸着体を定期的にク
リーニングすることができ、塵埃吸着体の吸着機能を維
持することができる。なお、上記塵埃吸着体の静電気が
クリーニング手段によって一時的に除去されるが、塵埃
吸着体には真空予備室の真空排気時や常圧復帰時の気流
の摩擦により再び静電気が帯電し、吸着機能が復帰す
る。
【００１３】請求項４の発明によれば、上記クリーニン
グ手段が静電気を除去するためのイオンを発生するイオ
ン発生部と、発生したイオンを上記塵埃吸着体に吹き付
ける送風部とからなっているため、上記塵埃吸着体の静
電気を除去し、吸着された塵埃を効果的に除去すること
ができる。
グ手段が静電気を除去するためのイオンを発生するイオ
ン発生部と、発生したイオンを上記塵埃吸着体に吹き付
ける送風部とからなっているため、上記塵埃吸着体の静
電気を除去し、吸着された塵埃を効果的に除去すること
ができる。
【００１４】
【実施例】以下に、本発明を半導体デバイスの製造工程
で用いられるイオン注入装置に適用した一実施例につい
て添付図面を参照して詳述する。
で用いられるイオン注入装置に適用した一実施例につい
て添付図面を参照して詳述する。
【００１５】真空処理装置であるイオン注入装置の全体
構成を示す図２において、１はイオン源で、ガスボック
ス２内に収容されたガスボトルから供給される所定のガ
ス、例えばアルシン（ＡｓＨ3）等のドーパントガスを
イオン源用電源３から印加された電力によりプラズマ化
するようになっている。イオン発生源１の近傍には、プ
ラズマ化されたプラズマイオンをイオンビームＢとして
引き出す引出電極４が設けられ、この引出電極４の下流
には所望のイオンのみを選択する質量分析マグネット
５、可変スリット６、イオンビームＢに所望のエネルギ
ーを付与する加速管７、イオンビームＢを上下方向およ
び左右方向に振るＹスキャンプレートおよびＸスキャン
プレート９が順に設けられている。
構成を示す図２において、１はイオン源で、ガスボック
ス２内に収容されたガスボトルから供給される所定のガ
ス、例えばアルシン（ＡｓＨ3）等のドーパントガスを
イオン源用電源３から印加された電力によりプラズマ化
するようになっている。イオン発生源１の近傍には、プ
ラズマ化されたプラズマイオンをイオンビームＢとして
引き出す引出電極４が設けられ、この引出電極４の下流
には所望のイオンのみを選択する質量分析マグネット
５、可変スリット６、イオンビームＢに所望のエネルギ
ーを付与する加速管７、イオンビームＢを上下方向およ
び左右方向に振るＹスキャンプレートおよびＸスキャン
プレート９が順に設けられている。
【００１６】上記Ｘスキャンプレート９の下流には、被
処理体（被処理基板ともいう）である半導体ウエハ（以
下、単にウエハともいう。）Ｗにイオン注入を行う真空
処理室である注入室１０を含むエンドステーション１１
が設けられている。上記イオンビームＢが通過する経路
および注入室１０は、例えばターボ分子ポンプやクライ
オポンプ等の減圧ポンプにより例えば１０-6Ｔｏｒｒ程
度の高真空に維持されている。
処理体（被処理基板ともいう）である半導体ウエハ（以
下、単にウエハともいう。）Ｗにイオン注入を行う真空
処理室である注入室１０を含むエンドステーション１１
が設けられている。上記イオンビームＢが通過する経路
および注入室１０は、例えばターボ分子ポンプやクライ
オポンプ等の減圧ポンプにより例えば１０-6Ｔｏｒｒ程
度の高真空に維持されている。
【００１７】また、注入室１０には、イオンビームＢの
電流量を検出するとともに放出二次電子を逃さないよう
にするためのファラデー１２が設けられている。更に、
上記注入室１０は、二股に分岐され、それぞれには弁
（トラックロックバルブともいう）１３を介して真空予
備室１４が設けられており、一方でイオン注入を行って
いる間に他方でウエハの交換を行い、スループットの向
上が図れるように構成されている。
電流量を検出するとともに放出二次電子を逃さないよう
にするためのファラデー１２が設けられている。更に、
上記注入室１０は、二股に分岐され、それぞれには弁
（トラックロックバルブともいう）１３を介して真空予
備室１４が設けられており、一方でイオン注入を行って
いる間に他方でウエハの交換を行い、スループットの向
上が図れるように構成されている。
【００１８】上記エンドステーション１１について更に
詳述すると、図１、図３ないし図４に示すように注入室
１０の端壁（クランピングプレートともいう）１５には
開口部１６が設けられ、この開口部１６は上記弁１３お
よびウエハＷの保持体であるプラテン１７により両端が
閉じられることにより上記真空予備室１４を形成するよ
うに構成されている。上記弁１３およびプラテン１７の
注入室端壁１５に対する当接面部にはシール部材である
Ｏリング１８，１９が設けられ、開口部１６が弁１３も
しくはプラテン１７により常に閉じられていることによ
り、注入室１０内が高真空状態に維持されている。な
お、上記注入室１０、弁１３およびプラテン１７は、例
えばアルミニウム合金により形成されている。
詳述すると、図１、図３ないし図４に示すように注入室
１０の端壁（クランピングプレートともいう）１５には
開口部１６が設けられ、この開口部１６は上記弁１３お
よびウエハＷの保持体であるプラテン１７により両端が
閉じられることにより上記真空予備室１４を形成するよ
うに構成されている。上記弁１３およびプラテン１７の
注入室端壁１５に対する当接面部にはシール部材である
Ｏリング１８，１９が設けられ、開口部１６が弁１３も
しくはプラテン１７により常に閉じられていることによ
り、注入室１０内が高真空状態に維持されている。な
お、上記注入室１０、弁１３およびプラテン１７は、例
えばアルミニウム合金により形成されている。
【００１９】上記弁１３は、これを開閉操作するための
弁開閉機構２０を備え、上記開口部１６を注入室１０の
内側から閉じ、また、開口部１６から離れてこれを開放
してから上方へ退避されるようになっている。なお、上
記弁１３が上方へ退避されると、これと連動して上記フ
ァラデー１２の一部を構成する筒状の可動ファラデー１
２ａが図７の（ｃ）に示すように開口部１６に接近移動
されるようになっている。
弁開閉機構２０を備え、上記開口部１６を注入室１０の
内側から閉じ、また、開口部１６から離れてこれを開放
してから上方へ退避されるようになっている。なお、上
記弁１３が上方へ退避されると、これと連動して上記フ
ァラデー１２の一部を構成する筒状の可動ファラデー１
２ａが図７の（ｃ）に示すように開口部１６に接近移動
されるようになっている。
【００２０】特に、上記弁１３のウエハＷと対向する面
には、塵埃を静電気により吸着する塵埃吸着体２１が設
けられている。この塵埃吸着体２１は、静電気が帯電し
易い材質、例えば樹脂、ガラス等によりウエハとほぼ同
じ外径の円板状に形成されている。
には、塵埃を静電気により吸着する塵埃吸着体２１が設
けられている。この塵埃吸着体２１は、静電気が帯電し
易い材質、例えば樹脂、ガラス等によりウエハとほぼ同
じ外径の円板状に形成されている。
【００２１】一方、上記プラテン１７は、これを注入室
１０の外側から進退させて開閉操作するための開閉機構
２２を備えている。プラテン１７の中心部に設けられた
軸孔２３には、ウエハＷを負圧により吸着保持する吸引
管からなるチャック２４が進退（出没）可能に設けられ
ている。上記開口部１６には、プラテン１７との間でウ
エハＷの周縁部を挟持するためのクランプリング２５が
設けられている。このクランプリング２５は、上記開口
部１６に形成された環状の溝２６にストッパー２７を介
して収容され、溝２６にはクランプリング２５をプラテ
ン側へ付勢するコイルバネ２８が取付けられている。
１０の外側から進退させて開閉操作するための開閉機構
２２を備えている。プラテン１７の中心部に設けられた
軸孔２３には、ウエハＷを負圧により吸着保持する吸引
管からなるチャック２４が進退（出没）可能に設けられ
ている。上記開口部１６には、プラテン１７との間でウ
エハＷの周縁部を挟持するためのクランプリング２５が
設けられている。このクランプリング２５は、上記開口
部１６に形成された環状の溝２６にストッパー２７を介
して収容され、溝２６にはクランプリング２５をプラテ
ン側へ付勢するコイルバネ２８が取付けられている。
【００２２】上記プラテン１７には、真空予備室１４内
を真空排気（真空引き）するための図示しない排気管が
設けられるともに、真空予備室１４内に不活性ガス、例
えば窒素ガス（Ｎ2）を供給して常圧に復帰させるため
の給気管（ベント管）５２が設けられている。また、プ
ラテン１７の上方には、図６にも示すようにプラテン１
７の後退により開放された真空予備室１４を介して上記
塵埃吸着体２１の静電気を除去し、吸着された塵埃を除
去するクリーニング手段２９が設けられている。
を真空排気（真空引き）するための図示しない排気管が
設けられるともに、真空予備室１４内に不活性ガス、例
えば窒素ガス（Ｎ2）を供給して常圧に復帰させるため
の給気管（ベント管）５２が設けられている。また、プ
ラテン１７の上方には、図６にも示すようにプラテン１
７の後退により開放された真空予備室１４を介して上記
塵埃吸着体２１の静電気を除去し、吸着された塵埃を除
去するクリーニング手段２９が設けられている。
【００２３】このクリーニング手段２９は、本実施例で
は静電気を除去するためのイオンを発生するイオン発生
部（イオナイザーともいう）３０と、発生したイオンを
上記塵埃吸着体２１に向けて吹き付ける送風部３１とか
ら主に構成されている。また、この送風部３１は、不活
性ガス、例えば窒素ガスを吹き出すノズルからなってい
る。
は静電気を除去するためのイオンを発生するイオン発生
部（イオナイザーともいう）３０と、発生したイオンを
上記塵埃吸着体２１に向けて吹き付ける送風部３１とか
ら主に構成されている。また、この送風部３１は、不活
性ガス、例えば窒素ガスを吹き出すノズルからなってい
る。
【００２４】上記プラテン１７の下方には、図３に示す
ように複数枚（実施例では２５枚）のウエハＷを収容し
たカセット３２を複数個（実施例では２個）ずつキャリ
ッジ３３に乗せてカセット搬入搬出口（ポート）３４か
らプラテン１７の下方へ往復搬送するカセット搬送機構
３５が設けられている。このカセット搬送機構３５は、
上記キャリッジ３３を搬送方向に移動可能に支持する搬
送路３６と、一端に回転駆動部（減速機付モータ）３７
を有するボールネジ３８からなる搬送駆動部３９とから
主に構成されている。
ように複数枚（実施例では２５枚）のウエハＷを収容し
たカセット３２を複数個（実施例では２個）ずつキャリ
ッジ３３に乗せてカセット搬入搬出口（ポート）３４か
らプラテン１７の下方へ往復搬送するカセット搬送機構
３５が設けられている。このカセット搬送機構３５は、
上記キャリッジ３３を搬送方向に移動可能に支持する搬
送路３６と、一端に回転駆動部（減速機付モータ）３７
を有するボールネジ３８からなる搬送駆動部３９とから
主に構成されている。
【００２５】なお、上記搬送路３６には、キャリッジ３
３の位置を検知するセンサやカセット３２内のウエハＷ
のオリフラ（オリエンテーションフラット）を合せるオ
リフラ合せ機構等が配設されている（図示省略）。ま
た、上記カセット３２は、ウエハＷを所定間隔で上方か
ら垂直に収容する溝を有しているとともに、上部および
底部が開放されている（図示省略）。
３の位置を検知するセンサやカセット３２内のウエハＷ
のオリフラ（オリエンテーションフラット）を合せるオ
リフラ合せ機構等が配設されている（図示省略）。ま
た、上記カセット３２は、ウエハＷを所定間隔で上方か
ら垂直に収容する溝を有しているとともに、上部および
底部が開放されている（図示省略）。
【００２６】上記プラテン１７の下方には、図４ないし
図５にも示すようにキャリッジ３３により移動されたカ
セット３２内から処理前のウエハＷを一枚ずつプラテン
１７に供給し、あるいは処理後のウエハＷをプラテン１
７からカセット３２内に戻すためのウエハ搬送機構４０
が設けられている。このウエハ搬送機構４０は、ウエハ
Ｗを垂直に支持するピック４１と、このピック４１を昇
降させる昇降駆動部４２とから主に構成されている。上
記ピック４１は、垂直に起立した薄い厚さ（４ｍｍ程
度）の柄４３の上端に幅広部４４を有し、この幅広部４
４の上端にはウエハＷの下側周縁部を支持するためにウ
エハＷの半径とほぼ等しい径の凹曲面状で、かつ上方に
向って漸次幅広のテーパになった支持溝４５が形成され
ている。
図５にも示すようにキャリッジ３３により移動されたカ
セット３２内から処理前のウエハＷを一枚ずつプラテン
１７に供給し、あるいは処理後のウエハＷをプラテン１
７からカセット３２内に戻すためのウエハ搬送機構４０
が設けられている。このウエハ搬送機構４０は、ウエハ
Ｗを垂直に支持するピック４１と、このピック４１を昇
降させる昇降駆動部４２とから主に構成されている。上
記ピック４１は、垂直に起立した薄い厚さ（４ｍｍ程
度）の柄４３の上端に幅広部４４を有し、この幅広部４
４の上端にはウエハＷの下側周縁部を支持するためにウ
エハＷの半径とほぼ等しい径の凹曲面状で、かつ上方に
向って漸次幅広のテーパになった支持溝４５が形成され
ている。
【００２７】また、上記昇降駆動部４２は、上記搬送路
３６の下方に垂直に設けられた一対のガイドロッド４６
と、これらガイドロッド４６に昇降可能に支持された昇
降枠４７と、この昇降枠４７にリンク４８を介して昇降
動を与える回転駆動部（減速機付モータ）４９とから主
に構成され、その昇降枠４７に上記ピック４１の下端部
が取付けられている。上記エンドステーション１１は、
上記開口部１６と連通し、上記カセット搬送機構３５お
よびウエハ搬送機構４０、並びにプラテン１７やクリー
ニング手段２９等を収容した処理室（搬送室或いはロー
ダ室ともいう）５０を有しており、この処理室５０の一
端にカセット搬入搬出口３４が設けられている。また、
上記処理室５０は、上方からフィルタ５１を介してクリ
ーンエアが供給され、下方から排気されるようになって
いる。
３６の下方に垂直に設けられた一対のガイドロッド４６
と、これらガイドロッド４６に昇降可能に支持された昇
降枠４７と、この昇降枠４７にリンク４８を介して昇降
動を与える回転駆動部（減速機付モータ）４９とから主
に構成され、その昇降枠４７に上記ピック４１の下端部
が取付けられている。上記エンドステーション１１は、
上記開口部１６と連通し、上記カセット搬送機構３５お
よびウエハ搬送機構４０、並びにプラテン１７やクリー
ニング手段２９等を収容した処理室（搬送室或いはロー
ダ室ともいう）５０を有しており、この処理室５０の一
端にカセット搬入搬出口３４が設けられている。また、
上記処理室５０は、上方からフィルタ５１を介してクリ
ーンエアが供給され、下方から排気されるようになって
いる。
【００２８】次に、上記イオン注入装置の作用ないしイ
オン注入処理方法について述べる。先ず、注入室１０の
弁１３を閉じ、プラテン１７を後退させて真空予備室１
４を開放した状態において、ウエハ搬送機構４０のピッ
ク４１が上昇してカセット３２内からウエハＷを持ち上
げてプラテン１７の前に搬送する。次に、図７の（ａ）
に示すようにプラテン１７からチャック２４が前進して
上記ウエハＷを吸着すると、ピック４１が下降し、図７
の（ｂ）に示すようにチャック４１が後退してウエハＷ
がプラテン１７に保持された状態になる。
オン注入処理方法について述べる。先ず、注入室１０の
弁１３を閉じ、プラテン１７を後退させて真空予備室１
４を開放した状態において、ウエハ搬送機構４０のピッ
ク４１が上昇してカセット３２内からウエハＷを持ち上
げてプラテン１７の前に搬送する。次に、図７の（ａ）
に示すようにプラテン１７からチャック２４が前進して
上記ウエハＷを吸着すると、ピック４１が下降し、図７
の（ｂ）に示すようにチャック４１が後退してウエハＷ
がプラテン１７に保持された状態になる。
【００２９】次いで、図１に示すようにプラテン１７を
前進させて真空予備室１４を閉じ、プラテン１７とクラ
ンプリング２５との間でウエハＷを挟み込んだなら、チ
ャック２４の真空を切り、真空予備室１４内をロータリ
ーポンプ等の減圧ポンプで真空排気する。次に、上記弁
１３を開けて真空予備室１４を注入室１０側に開放し、
この弁１３を上方へ退避させると、これと連動して図７
の（ｃ）に示すように可動ファラデー１２ａが開口部１
６に接近移動し、イオンビームＢの経路の外周を覆う。
前進させて真空予備室１４を閉じ、プラテン１７とクラ
ンプリング２５との間でウエハＷを挟み込んだなら、チ
ャック２４の真空を切り、真空予備室１４内をロータリ
ーポンプ等の減圧ポンプで真空排気する。次に、上記弁
１３を開けて真空予備室１４を注入室１０側に開放し、
この弁１３を上方へ退避させると、これと連動して図７
の（ｃ）に示すように可動ファラデー１２ａが開口部１
６に接近移動し、イオンビームＢの経路の外周を覆う。
【００３０】次いで、ターゲットであるウエハＷにイオ
ンビームＢを照射してイオン注入処理を施し、この処理
が終ったら、弁１３を閉じ、真空予備室１４内を窒素ガ
スの供給により常圧に戻し、チャック２４の真空を生じ
させてプラテン１７を開ける。その後は上記とは逆の手
順でプラテン１７からカセット３２にウエハＷが戻され
る。そして、上述したサイクルでウエハＷのイオン注入
処理が順次連続的に行われる。
ンビームＢを照射してイオン注入処理を施し、この処理
が終ったら、弁１３を閉じ、真空予備室１４内を窒素ガ
スの供給により常圧に戻し、チャック２４の真空を生じ
させてプラテン１７を開ける。その後は上記とは逆の手
順でプラテン１７からカセット３２にウエハＷが戻され
る。そして、上述したサイクルでウエハＷのイオン注入
処理が順次連続的に行われる。
【００３１】このようなイオン注入処理において、図１
に示すようにプラテン１７を閉じて真空予備室１４にウ
エハＷを収容した段階で、真空予備室１４内の塵埃が弁
１３に設けられた塵埃吸着体２１にその静電吸着作用に
より吸着される。上記塵埃吸着体２１が弁１３にウエハ
Ｗと対向して設けられているため、ウエハＷの周りに浮
遊する塵埃を塵埃吸着体２１に効果的に吸着することが
でき、ウエハＷに付着する塵埃の量を低減することがで
き、歩留りの向上が図れる。
に示すようにプラテン１７を閉じて真空予備室１４にウ
エハＷを収容した段階で、真空予備室１４内の塵埃が弁
１３に設けられた塵埃吸着体２１にその静電吸着作用に
より吸着される。上記塵埃吸着体２１が弁１３にウエハ
Ｗと対向して設けられているため、ウエハＷの周りに浮
遊する塵埃を塵埃吸着体２１に効果的に吸着することが
でき、ウエハＷに付着する塵埃の量を低減することがで
き、歩留りの向上が図れる。
【００３２】上記塵埃吸着体２１は、ある程度塵埃を吸
着すると、静電的に飽和状態になり、吸着能力が低下す
るだけでなく、それまでに吸着した塵埃を放出すること
がある。そこで、上記塵埃吸着体２１をクリーニング手
段２９によって定期的にクリーニングする。このクリー
ニング手段２９は、図６に示すようにプラテン１７の上
方に設けられたイオン発生部３０と、発生したイオンを
窒素ガスとともに上記塵埃吸着体２１に吹き付ける送風
部３１とからなっていることにより、プラテン１７を開
けた状態で塵埃吸着体２１にイオンを窒素ガスとともに
定期的に吹き付けて、塵埃吸着体２１の表面に吸着され
ている塵埃を除去することができる。除去された塵埃
は、処理室５０下方の図示しない排気口から外部へ排出
される。
着すると、静電的に飽和状態になり、吸着能力が低下す
るだけでなく、それまでに吸着した塵埃を放出すること
がある。そこで、上記塵埃吸着体２１をクリーニング手
段２９によって定期的にクリーニングする。このクリー
ニング手段２９は、図６に示すようにプラテン１７の上
方に設けられたイオン発生部３０と、発生したイオンを
窒素ガスとともに上記塵埃吸着体２１に吹き付ける送風
部３１とからなっていることにより、プラテン１７を開
けた状態で塵埃吸着体２１にイオンを窒素ガスとともに
定期的に吹き付けて、塵埃吸着体２１の表面に吸着され
ている塵埃を除去することができる。除去された塵埃
は、処理室５０下方の図示しない排気口から外部へ排出
される。
【００３３】これにより上記塵埃吸着体２１の吸着機能
を維持することができ、ウエハＷへの塵埃の付着を防止
することができる。なお、上記塵埃吸着体２１の静電気
が上記クリーニング手段２９のイオンによって一時的に
除去されるが、塵埃吸着体２１には真空予備室１４の真
空排気時や常圧復帰時の気流の摩擦により再び静電気が
帯電し、吸着機能が復帰するようになる。
を維持することができ、ウエハＷへの塵埃の付着を防止
することができる。なお、上記塵埃吸着体２１の静電気
が上記クリーニング手段２９のイオンによって一時的に
除去されるが、塵埃吸着体２１には真空予備室１４の真
空排気時や常圧復帰時の気流の摩擦により再び静電気が
帯電し、吸着機能が復帰するようになる。
【００３４】このように上記イオン注入装置ないしイオ
ン注入処理方法によれば、真空処理室である注入室１０
に弁１３を介して設けられた（連設された）真空予備室
１４にウエハＷを収容した際に、上記真空予備室１４内
の塵埃が上記弁１３にウエハＷと対向して設けられた塵
埃吸着体２１に吸着される。そして、上記弁１３を開放
して注入室１０側から真空予備室１４のウエハＷにイオ
ン注入処理が施される。従って、上記ウエハＷと対向す
る塵埃吸着体２１に真空予備室１４内の塵埃を効果的に
吸着することができるとともに、ウエハＷを注入室１０
に移すことなく真空予備室１４でイオン注入処理を施す
ことにより塵埃の発生を抑制することができるため、ウ
エハＷに付着する塵埃の量を十分低減することができ、
歩留りの向上が図れる。
ン注入処理方法によれば、真空処理室である注入室１０
に弁１３を介して設けられた（連設された）真空予備室
１４にウエハＷを収容した際に、上記真空予備室１４内
の塵埃が上記弁１３にウエハＷと対向して設けられた塵
埃吸着体２１に吸着される。そして、上記弁１３を開放
して注入室１０側から真空予備室１４のウエハＷにイオ
ン注入処理が施される。従って、上記ウエハＷと対向す
る塵埃吸着体２１に真空予備室１４内の塵埃を効果的に
吸着することができるとともに、ウエハＷを注入室１０
に移すことなく真空予備室１４でイオン注入処理を施す
ことにより塵埃の発生を抑制することができるため、ウ
エハＷに付着する塵埃の量を十分低減することができ、
歩留りの向上が図れる。
【００３５】また、上記真空予備室１４が上記ウエハＷ
を保持するプラテン１７により外側へ開閉可能に構成さ
れ、その外側には開放された真空予備室１４を介して上
記塵埃吸着体２１の静電気を除去し、吸着された塵埃を
除去するクリーニング手段２９が設けられているため、
このクリーニング手段２９によって上記塵埃吸着体２１
を定期的にクリーニングすることができ、塵埃吸着体２
１の吸着機能を維持することができる。更に、上記クリ
ーニング手段２９が静電気を除去するためのイオンを発
生するイオン発生部３０と、発生したイオンを上記塵埃
吸着体２１に吹き付ける送風部３１とからなっているた
め、上記塵埃吸着体２１の静電気を除去し、吸着された
塵埃を効果的に除去することができる。
を保持するプラテン１７により外側へ開閉可能に構成さ
れ、その外側には開放された真空予備室１４を介して上
記塵埃吸着体２１の静電気を除去し、吸着された塵埃を
除去するクリーニング手段２９が設けられているため、
このクリーニング手段２９によって上記塵埃吸着体２１
を定期的にクリーニングすることができ、塵埃吸着体２
１の吸着機能を維持することができる。更に、上記クリ
ーニング手段２９が静電気を除去するためのイオンを発
生するイオン発生部３０と、発生したイオンを上記塵埃
吸着体２１に吹き付ける送風部３１とからなっているた
め、上記塵埃吸着体２１の静電気を除去し、吸着された
塵埃を効果的に除去することができる。
【００３６】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、上記実施例の塵埃吸着体は真空
予備室の真空排気時や常圧復帰時の気流の摩擦により静
電気が帯電されるようになっているが、数ＫＶの電圧を
印加することにより積極的に帯電させるように構成して
もよい。また、上記実施例では本発明をイオン注入装置
に適用した場合について説明したが、本発明は減圧雰囲
気下で被処理体に所定の処理を施す真空処理装置であれ
ば、イオン注入装置以外に、例えばエッチング装置、ア
ッシング装置、スパッタ装置、減圧ＣＶＤ装置等にも適
用することが可能である。更に、被処理体としては、半
導体ウエハ以外に、例えばＬＣＤ基板等にも適用するこ
とが可能である。
ものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施
が可能である。例えば、上記実施例の塵埃吸着体は真空
予備室の真空排気時や常圧復帰時の気流の摩擦により静
電気が帯電されるようになっているが、数ＫＶの電圧を
印加することにより積極的に帯電させるように構成して
もよい。また、上記実施例では本発明をイオン注入装置
に適用した場合について説明したが、本発明は減圧雰囲
気下で被処理体に所定の処理を施す真空処理装置であれ
ば、イオン注入装置以外に、例えばエッチング装置、ア
ッシング装置、スパッタ装置、減圧ＣＶＤ装置等にも適
用することが可能である。更に、被処理体としては、半
導体ウエハ以外に、例えばＬＣＤ基板等にも適用するこ
とが可能である。
【００３７】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果が得られる。
な優れた効果が得られる。
【００３８】（１）請求項１ないし２の発明によれば、
真空処理室に弁を介して連結された真空予備室に被処理
体を収容した際に、上記弁に上記被処理体と対向して設
けられた塵埃吸着体に静電気により上記真空予備室内の
塵埃が吸着され、上記弁を開放して真空処理室側から真
空予備室の被処理体に所定の処理が施されるため、上記
被処理体と対向する塵埃吸着体に真空予備室内の塵埃が
効果的に吸着されるとともに、被処理体を真空処理室に
移すことなく真空予備室で所定の処理を施すことにより
塵埃の発生が抑制され、被処理体に付着する塵埃の量を
十分低減することができ、歩留りの向上が図れる。
真空処理室に弁を介して連結された真空予備室に被処理
体を収容した際に、上記弁に上記被処理体と対向して設
けられた塵埃吸着体に静電気により上記真空予備室内の
塵埃が吸着され、上記弁を開放して真空処理室側から真
空予備室の被処理体に所定の処理が施されるため、上記
被処理体と対向する塵埃吸着体に真空予備室内の塵埃が
効果的に吸着されるとともに、被処理体を真空処理室に
移すことなく真空予備室で所定の処理を施すことにより
塵埃の発生が抑制され、被処理体に付着する塵埃の量を
十分低減することができ、歩留りの向上が図れる。
【００３９】（２）請求項３ないし４の発明によれば、
上記塵埃吸着体をクリーニング手段によって定期的にク
リーニングすることができるため、塵埃吸着体の吸着機
能を維持することができる。
上記塵埃吸着体をクリーニング手段によって定期的にク
リーニングすることができるため、塵埃吸着体の吸着機
能を維持することができる。
【図１】本発明をイオン注入装置に適用した一実施例を
示す要部拡大断面図である。
示す要部拡大断面図である。
【図２】イオン注入装置の全体構成を示す平面図であ
る。
る。
【図３】イオン注入装置のエンドステーションの構成を
示す側断面図である。
示す側断面図である。
【図４】エンドステーションの一部を示す斜視図であ
る。
る。
【図５】ウエハ搬送機構を示す正面図である。
【図６】塵埃吸着体のクリーニングを行っている状態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図７】ウエハを真空予備室にセットしてイオン注入処
理を施すまでの工程を概略的に示す説明図である。
理を施すまでの工程を概略的に示す説明図である。
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １０ 注入室（真空処理室） １３ 弁 １４ 真空予備室 １７ プラテン（保持体） ２１ 塵埃吸着体 ２９ クリーニング手段 ３０ イオン発生部 ３１ 送風部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/265 21/68 Ａ 21/3065 21/265 Ｄ 21/68 21/302 Ｎ
Claims (4)
- 【請求項１】 真空処理室に弁を介して設けられた真空
予備室に被処理体を収容し、上記弁に上記被処理体と対
向して設けられた塵埃吸着体に静電気により上記真空予
備室内の塵埃を吸着した後、上記弁を開放して真空処理
室側から真空予備室の被処理体に所定の処理を施すこと
を特徴とする真空処理方法。 - 【請求項２】 真空処理室に弁を介して真空予備室を設
け、この真空予備室に収容された被処理体に上記弁を開
放して真空処理室側から所定の処理を施す真空処理装置
において、上記弁に上記被処理体と対向して静電気によ
り塵埃を吸着する塵埃吸着体を設けたこと特徴とする真
空処理装置。 - 【請求項３】 上記真空予備室が、上記弁体と対向して
被処理体を保持する保持体により外側へ開閉可能に構成
され、その外側には開放された真空予備室を介して上記
塵埃吸着体の静電気を除去し、吸着された塵埃を除去す
るクリーニング手段が設けられていることを特徴とする
請求項２記載の真空処理装置。 - 【請求項４】 上記クリーニング手段が、静電気を除去
するためのイオンを発生するイオン発生部と、発生した
イオンを上記塵埃吸着体に吹き付ける送風部とからなる
ことを特徴とする請求項３記載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15224295A JP3452422B2 (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15224295A JP3452422B2 (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08325733A true JPH08325733A (ja) | 1996-12-10 |
| JP3452422B2 JP3452422B2 (ja) | 2003-09-29 |
Family
ID=15536202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15224295A Expired - Fee Related JP3452422B2 (ja) | 1995-05-26 | 1995-05-26 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3452422B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006164893A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Horon:Kk | 荷電粒子線装置およびそのコンタミネーション除去方法 |
| JP2009004161A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Ebara Corp | 試料表面上の異物除去方法及びこれに用いる荷電粒子装置 |
| CN104867846A (zh) * | 2014-02-26 | 2015-08-26 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 晶圆加工装置 |
| US9194826B2 (en) | 2007-04-16 | 2015-11-24 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus and sample observation method using the same |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0322528U (ja) * | 1989-07-18 | 1991-03-08 | ||
| JPH0461227A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Hitachi Ltd | 真空装置の排気方法 |
| JPH0520683A (ja) * | 1991-02-13 | 1993-01-29 | Alps Electric Co Ltd | 磁性膜フレークの除去方法 |
| JPH06140294A (ja) * | 1992-01-10 | 1994-05-20 | Tel Varian Ltd | 真空処理装置 |
| JPH0654763U (ja) * | 1993-01-06 | 1994-07-26 | 日新電機株式会社 | イオン注入装置 |
-
1995
- 1995-05-26 JP JP15224295A patent/JP3452422B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0322528U (ja) * | 1989-07-18 | 1991-03-08 | ||
| JPH0461227A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Hitachi Ltd | 真空装置の排気方法 |
| JPH0520683A (ja) * | 1991-02-13 | 1993-01-29 | Alps Electric Co Ltd | 磁性膜フレークの除去方法 |
| JPH06140294A (ja) * | 1992-01-10 | 1994-05-20 | Tel Varian Ltd | 真空処理装置 |
| JPH0654763U (ja) * | 1993-01-06 | 1994-07-26 | 日新電機株式会社 | イオン注入装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006164893A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Horon:Kk | 荷電粒子線装置およびそのコンタミネーション除去方法 |
| JP4681291B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2011-05-11 | 株式会社ホロン | 荷電粒子線装置およびそのコンタミネーション除去方法 |
| US9194826B2 (en) | 2007-04-16 | 2015-11-24 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus and sample observation method using the same |
| JP2009004161A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Ebara Corp | 試料表面上の異物除去方法及びこれに用いる荷電粒子装置 |
| CN104867846A (zh) * | 2014-02-26 | 2015-08-26 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 晶圆加工装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3452422B2 (ja) | 2003-09-29 |
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