JP4681291B2 - 荷電粒子線装置およびそのコンタミネーション除去方法 - Google Patents

荷電粒子線装置およびそのコンタミネーション除去方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4681291B2
JP4681291B2 JP2004358331A JP2004358331A JP4681291B2 JP 4681291 B2 JP4681291 B2 JP 4681291B2 JP 2004358331 A JP2004358331 A JP 2004358331A JP 2004358331 A JP2004358331 A JP 2004358331A JP 4681291 B2 JP4681291 B2 JP 4681291B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
chamber
preliminary exhaust
charged particle
particle beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2004358331A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006164893A5 (ja
JP2006164893A (ja
Inventor
彬 米澤
建則 神力
純 新田
紀道 穴澤
隆一 志水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Holon Co Ltd
Original Assignee
Holon Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Holon Co Ltd filed Critical Holon Co Ltd
Priority to JP2004358331A priority Critical patent/JP4681291B2/ja
Priority to DE102005057069A priority patent/DE102005057069A1/de
Priority to US11/293,148 priority patent/US7375328B2/en
Publication of JP2006164893A publication Critical patent/JP2006164893A/ja
Publication of JP2006164893A5 publication Critical patent/JP2006164893A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4681291B2 publication Critical patent/JP4681291B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/18Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • H01J37/185Means for transferring objects between different enclosures of different pressure or atmosphere
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B08B7/0057Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02Details
    • H01J2237/022Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

本発明は、荷電粒子線照射により試料が汚染し像観察の支障となり易い半導体ウェーハやフォトマスク等の表面の観察、検査を行う荷電粒子線装置およびそのコンタミネーション除去方法に関するものである。
従来、走査型電子顕微鏡(SEM)等の電子線装置において、電子線照射に伴う試料汚染、いわゆるコンタミネーションにより像観察に支障をきたすことは良く知られている(非特許文献1参照)。これは、試料の表面に浮遊、吸着したハイドロカーボンに電子線が衝突しカーボンとなって試料上に堆積するためといわれている。このハイドロカーボンは、装置内の部品から放出されたガスからのみならず、既に汚染された試料によりSEM内に持ち込まれたものであることも多いと考えられる。それによりコンタミネーションの生成速度が通常よも大幅に大きくなることもしばしば観察される。
電子線装置におけるコンタミネーション対策としては下記の例がある。
(1)低温汚染防止装置:電子線で照射される試料の周囲を低温(例えば液体窒素温度)にした金属板を設けてハイドロカーボンを吸着させ、試料のコンタミネーションを低減させる。
(2)部品の洗浄、ガス出し:試料室内の部品を溶剤により超音波洗浄を行い、更に、高温にしてガス出し後、装置内に組み込むことで、放出されるハイドロカーボンを減らし、試料のコンタミネーションを低減させる。
上記(1)、(2)の対策後でも試料へのコンタミネーションの低減が十分でない場合がある。特に、半導体ウェーハやフォトマスクの表面の観察やパターン測長においては、同一個所を複数回測定するが、電子線照射に伴うコンタミネーションによりパターン寸法が変化し、その変化量がわずかであっても、許容できない測長値の再現精度の低下を招くことがある。
(3)ダウンフロー型アッシャー:O2とCF4の混合がガスから、高周波放電により活性酸素を生成させ、反応させることによりコンタミネーションを除く(非特許文献2参照)。この手法では、最適化制御が難しく、半導体ウェハーやフォトマスクの表面の観察やパターン測長においては、むしろエッチングによる測長値の再現精度の低下を招くと思われる。
以上のように、電子線照射装置における従来のコンタミネーション対策は十分とはいえなかった。
一方、半導体製造において、Si基板の表面上の有機物の、紫外線照射による乾式洗浄方法は良く知られている。この原理は以下のようである。即ち、紫外線により、酸素O2が活性酸素Oに解離する。この活性酸素により、有機物が酸化分解されて揮発し、除去される。特に、エキシマランプからの紫外線(波長172nmの真空紫外線)照射により洗浄する方法が効果的であることが知られている(非特許文献3参照)。この文献には、大気中では、エキシマランプ窓面と試料との距離を数mm以下にして、試料表面の活性酸素の密度を増すと洗浄効果が増大すること、また、当該距離を大きくすると、大気による紫外線の吸収により試料表面に照射する紫外線量が減り、表面付近で生じる活性酸素が減るため、洗浄効果が低減することが示されている。
しかしながら、荷電粒子線装置におけるコンタミネーションを除去、防止に紫外線照射が用いられることはなかった。
電子顕微鏡(1981) Vol.16,No.1,p2 学振132委員会第117回研究会資料(1991)p137 照明学会誌論文号(1999)Vol.83、No.5
本願発明は、大気圧、減圧下、あるいは酸素などのガス環境下において、試料に紫外線を照射して、荷電粒子線の照射により生じる試料のコンタミネーションの防止、除去あるいは低減し、測長装置などにおける操作性やスループットの低下を招くことなく、半導体ウェハーやフォトマスクのパターンの測長再現性などを向上させることを目的としている。
本発明は、これらの問題を解決するため、荷電粒子線を試料に照射して試料から放出される2次電子等を検出して画像を生成する荷電粒子線装置において、試料の試料室への自動搬送前後に、大気中、減圧室内、酸素ガス等のガス導入室内、あるいは減圧、さらには酸素等のガスを導入した試料室内で、紫外線を試料に一定時間照射し、試料のコンタミネーションの防止、除去あるいは低減を図るようにしている。
本発明は、試料のコンタミネーションを低減する荷電粒子線装置において、試料の荷電粒子線による観察前後において、エッチングすることなく、コンタミネーションを除去、低減し、パターンの測長の再現精度などを向上させることが可能となると共に、試料の自動搬送に連動して操作性、スループットを向上させることが可能となる。
エキシマランプをフォトマスク用の測長SEMに適用した。エキシマランプによる紫外線を、SEM観察によりコンタミネーションが付着したフォトマスクに照射したところ、コンタミネーションが低減あるいは除去され、測長の再現精度が向上した。以下、荷電粒子線として電子線を例に順次詳細に説明する。
図1は、本発明の実施例構成図を示す。図示の構成図は、フォトマスク用の測長SEMの部分平面図を示す。
図1の(a)は、予備排気室15あるいは試料室16の一方あるいは両者で、試料(マスク)12に紫外線を一定時間、照射し、試料12のコンタミネーションを除去するときの構成図を示す。
図1の(a)において、SMIFポッド11は、試料12である、ここでは、マスク(フォトマスク)をクリーン状態(塵埃の付着しない状態)で複数枚、収納して搬送するための箱である。
試料(マスク)12は、紫外線を一定時間、表面に照射してコンタミネーションを除去(電子線照射などにより付着したコンタミネーションを除去、およびコンタミネーションの元となるハイドロカーボンを除去の両者を含む、以下同一)する対象の試料(マスク)である。
搬送ロボット13は、SMIFポッド11の扉を開けて所定の試料(マスク)12を取り出し、ここでは、搬送ステージ14に搬送したり、逆に搬送ステージ14上の試料2をSMIFポッド11に搬送して扉を閉めたりするロボットである。
搬送ステージ14は、試料(マスク)12を固定し、以降の工程の予備排気室15、試料室16、更に、逆方向に搬送するときのステージ(試料12の搬送用の固定台、固定ケース)である。
予備排気室15は、大気から空気を排気あるいは真空から大気にリークし、高真空の試料室16に試料12を搬入あるいは搬出するための予備に排気する部屋であって、ここでは、紫外線照射ユニット21を設けて試料12の搬送時に自動的に紫外線を一定時間照射してコンタミネーションを除去するための部屋である。
紫外線照射ユニット21は、予備排気室15に設置したものであって、予備排気室15内に搬入された試料12を、一定時間、紫外線照射し、コンタミネーションを除去するためのものである。尚、紫外線照射ユニット21は予備排気室15にて、マスク12の横に図示したが、実際にはマスク12の上方に配置される(いずれにしても、マスク12の全表面を照射できればよい)。
試料室16は、細く絞った電子線ビームを試料(マスク)12に照射しつつ走査(線走査あるいは平面走査)し、試料12から放出された2次電子を検出して画像を表示するための部屋であって、ここでは、鏡筒17、紫外線照射ユニット22などから構成されるものである。
鏡筒17は、電子線ビームを細く絞って試料12面上に照射した状態で、走査(線走査、面走査)し、画像を生成するためのものである(図3参照)。
紫外線照射ユニット22は、試料室16に設置したものであって、試料室16内に搬入された試料12を、一定時間、紫外線照射し、コンタミネーションを除去するためのものである。尚、紫外線照射ユニット22は試料室16にてマスク12の横に図示したが、実際にはマスク12の上方に配置される(いずれにしても、マスク12の全表面を照射できればよい)。また、図1の(a)での取付位置は、試料室16の上板のどこであってもよい。また、鏡筒側方に設置された紫外線照射ユニット25を、コンパクトな重水素ランプで構成し、マスク12の面上の電子線照射点付近に紫外線を照射するようにしてもよい。
以上の構成のもとで、予備排気室15、試料室16の一方、あるいは両者で紫外線照射ユニット21,22,25により試料12の表面を一定時間、紫外線を照射し、発生した活性酸素等により試料12の表面のコンタミネーションを除去することが可能となる。
図1の(b)は、中間室24で、試料12に紫外線を一定時間、照射し、試料12のコンタミネーションを除去するときの構成図を示す。図中の、SMIFポッド11、試料(マスク)12、搬送ステージ14、予備排気室15、試料室16、鏡筒17は、図1の(a)の同一番号のものと同じであるので、説明を省略する。
図1の(b)において、搬送ロボット13は、SMIFポッド11の扉を開けて所定の試料(マスク)12を取り出し、ここでは、搬送ステージ14あるいは中間室24に搬送したり、中間室24と搬送ステージ14の間で試料12を搬送したり、搬送ステージ14あるいは中間室24の試料12をSMIFポッド11に搬送して扉を閉めたりなどするロボットである。
中間室24は、試料12を入れて、紫外線照射ユニット23により一定時間、紫外線を照射するための部屋であって、紫外線照射ユニット23などから構成されるものである。
紫外線照射ユニット23は、中間室24に設置したものであって、中間室24内に搬入された試料12を、一定時間、紫外線照射し、コンタミネーションを除去するためのものである。
以上の構成のもとで、中間室24で紫外線照射ユニット23により試料12の表面を一定時間、紫外線を照射し、発生した活性酸素等により試料12の表面のコンタミネーションを除去することが可能となる。
図2は、本発明の動作説明フローチャート(図1の(a))を示す。図2のS1からS10の各ステップは、図1の(a)の1から10にそれぞれ対応する。
図2において、S1は、SMIFポッド11からoutする。
S2は、搬送ステージ14にonする。これらS1、S2は、図1の(a)の搬送ロボット13が、SMIFポッド11を開状態にして所定の試料(マスク)12を取り出して搬送し、搬送ステージ14に載せる。
S3は、予備排気室15にinする。これは、S2で搬送ステージ14に載せた試料12を、当該搬送ステージ14と一緒に予備排気室15に図示外の搬送機構で自動搬入する。
S4は、紫外線照射する。これは、S3で予備排気室15に入れた試料12(搬送ステージ14に載せた試料12)に、当該予備排気室15に設置した紫外線照射ユニット21で当該試料12の全面に一定時間、紫外線を照射し、コンタミネーションを除去する。
S5は、試料室16にinする。これは、S4で紫外線照射してコンタミネーションを除去した試料12(搬送ステージ14に載せた試料12)を試料室16に入れ、鏡筒17の所定位置(測長、画像撮影の位置)に移動する。
S6は、測長する。これは、S5で鏡筒17の所定位置に入れた試料12について、指定されたパターンの寸法の測長を行う(図5で後述する)。
S7は、試料室16からoutする。
S8は、予備排気室15からoutする。
S9は、搬送ステージ14からoutする。
S10は、SMIFポッド11に入れる。これらS7、S8、S9S10は、試料12をSMIFポッド11から試料室16に搬入したと逆の手順で、試料室16からSMIFポッド11に搬入する。
ここで、予備排気室15は搬送ステージ14に載せた状態の試料(マスク)12について、当該予備排気排気室15の上部には172nmの波長の紫外線を発光するエキシマランプが設置されている。エキシマランプの周囲は、大気中の酸素による紫外線の吸収を防止するため窒素雰囲気にし、石英窓を介して紫外線がマスク(試料)12に照射されるように構成されている(後述する図4の(a)参照)。予備排気室15がドライポンプ等の低真空ポンプにより粗排気されると共に、紫外線がマスク(試料)12の全面に照射される(S3、S4)。粗排気中に紫外線が照射されるため、スループットを損なうことがなくハイドロカーポン等の汚れを除去できる。紫外線によりマスク(試料)12の表面付近に活性酸素が生成され、マスク(試料)12の表面の有機物がCO2,H2Oとなって揮発性となり排気、洗浄される。予備排気室15の圧力は、大気圧の場合よりも、0.1Torr程度まで排気したほうが、洗浄効果が増した。マスク(試料)12の面と石英窓の距離は、1cm程度あったため、大気中では、紫外線の吸収が大きく、マスク(試料)12の表面付近の活性酸素が著しく減るが、減圧することにより、紫外線の吸収が減り、マスク(試料)12の表面付近の活性酸素を効果的に生じさせたためと考えられる。更に、洗浄効果を増すために、減圧した状態で予備排気室15に酸素O2やオゾンO3等のガスを適量導入してもよい。洗浄、粗排気後、ターボモレキュラーポンプ等(オイルレスの真空排気ポンプ)の高真空ポンプにより真空を本排気する。
そして、予備排気室15と試料室16との間の弁を開け、マスク(試料)12を試料室16内の図示外の試料ステージに搬送する(S5)。図5の(a)に示すように、マスク(試料)12の表面上の予め設定した測定点M付近を鏡筒17の直下に移動し、例えばラインの線幅Lを像観察し、測長する。設定個所を複数回繰り返し測長する(S6)。像観察、測長を終了し、試料室16から予備排気室15に戻す(S7、S8)。予備排気室15を真空リークした後、予備排気室15から出されたマスク(試料)12はSMIFポッド12に戻され、一連の像観察、測長は終了する。
図2の実施例では、測長の前、即ち電子線照射の前に紫外線をマスク(試料)12の全面に照射して汚染(コンタミネーション)を除去している。この理由は、マスク(試料)12であるフォトマスクの表面には、図2の処理の前の、SEM観察以外の何らかの工程で、ハイドロカーポン等の汚れが既に付着しており、これが図1の(a)の装置内に持ち込まれてコンタミネーションがマスク(試料)12の表面に生成されることがあると考えられるため、電子線照射前に予めマスク(試料)12の表面の全領域から予め除去したものである。もちろん、マスク(試料)12の表面が、前の工程でSEM観察、測長により電子線照射に伴い発生したコンタミネーションを被っている場合であっても、当該コンタミネーションと、更に、コンタミネーションの元となるハイドロカーボン等の付着物を紫外線照射して活性酸素で揮発性のガス(例えばCO2,H2Oなど)にして除去(真空排気して除去)できるという顕著な効果がある。
また、電子線照射汚染の履歴がなく、ハイドロカーボン等の汚れがマスク(試料)12の表面に付着していない場合には、測長前の紫外線照射を省き、測長後の紫外線照射のみにしてもよい(図2とは逆に、紫外線照射は、測長前は省き、測長後は行う(図6(a)で後述))。この場合には、予備排気室15で真空リークしている時に紫外線をマスク(試料)12の表面の全面に照射し、スループットを損なうことなく、像観察、測長に伴って生じたコンタミネーションを除去、低減する。
また、図2の処理において、マスク(試料)12への紫外線照射によるコンタミネーション除去が十分でない場合、N回の測長後、測長値Lの平均は、次第に増加することがある(図5の(b))。測長後の増加分△L(=LN−Ll)が予め設定した基準値△Lsを超える場合には、図6の(b)で示すように、マスク(試料)12を試料室16から予備排気室15に搬出し、真空リーク後、再度紫外線を照射、洗浄後、再び試料室16に搬入して測長することにより、測長再現性を向上させることが可能である。また、図2、更に、後述する図6の(a),(b)で示す一連の処理は、予め設定したレシピにより自動的に行われるため、操作性を損なうことはない。
また、紫外線照射時の予備排気室15の真空圧力値を、紫外線照射による洗浄効果が大きくなるように制御することも可能である。例えば、真空ゲージの測定値が1Torrを保つように、一定時間、ノズルからマスク(試料)12の表面に酸素を導くようにする。更に、測長回数、ビーム電流等のマスク(試料)12を電子線で照射する照射条件、マスク種類等に応じて、紫外線の照射時間、照射回数を実験で予め求めて最適値を設定するようにしてもよい。
図3は、本発明の説明図を示す。これは、図1の(a),(b)の鏡筒17、試料室16の構成例を示す。
図3において、電子線1は、電子銃52から放出され集束レンズ63で集束され、更に、対物レンズ62で試料12の表面に焦点合わせされた細く絞ったビーム状の電子線であって、ここでは、図示外の偏向系で当該試料12上を走査(X方向あるいはY方向の一方に走査(線走査)、または、X方向およびY方向に走査(面走査))するものである。そして、電子線1を試料16上を走査したときに放出された2次電子を、2次電子検出器45で検出していわゆるラインプロファイル像、あるいは2次電子画像を図示外の表示装置上に表示する。
集束レンズ63は、電子銃52から放出された電子線を集束するものである。
対物レンズ62は、電子線1を試料12上に細く絞った状態で照射するものである。この細く絞られた電子線1は、図示外の偏向系で線走査あるいは面走査される。
試料12は、観察対象および測長対象の試料であって、例えばウェハ、フォトマスクなどである。
電子銃52は、例えばフィールドエミッション型の電子銃であって、先端の尖った陰極に高電界を印加して電子を引き出して加速して放出するものである。
電子銃室53は、電子銃52を格納する室であって、イオンポンプ55によって高真空に排気されるものである。
オリフィス54は、小さな孔であって、電子銃52から放出された電子線1を通過させると共に、電子銃室53と、第1中間室56との間の圧力差(例えば10−2から10−3Torr)を保持するためのものである。
第1中間室56は、電子銃室53と第2中間室59との間に設けた室であって、イオンポンプ58で真空排気するものであり、下方に設けた小さな孔であるオリフィス57との作用により、電子銃室53の真空圧力を小さく保持するためのものである。
第2中間室59は、対物レンズ62の上に設けた室であって、ここでは、2次電子検出器45を設けた室である。
排気管60は、第2中間室59を真空排気する図示外の排気系に接続(ターボモレキュラーポンプなど)に接続するものである。
2次電子検出器45は、試料12に電子線1を照射したときに放出された2次電子44に対して、正の高電界を印加して対物レンズ62の中心軸の近傍を螺旋(対物レンズ62の磁界により螺旋)させながら上方向に移動させて高効率に当該2次電子44を検出するものである。
試料室16は、試料12などを収納して真空に保持する室である。
周囲空間50は、試料12上の電子線1を線走査あるいは平面走査する領域の周囲の空間であって、図示外の紫外線照射ユニット22(図1の(a)参照)で紫外線を試料12の表面に照射して当該試料12上のコンタミネーションを除去、低減するための空間である。この際、図示しないが、酸素(あるいは空気)をノズルから当該試料12の表面に噴射し、紫外線照射により活性酸素を発生させて試料12の表面のコンタミネーションを揮発性のガス(例えばCO2,H2Oなど)にして除去、低減するようにしている。
オリフィス61は、試料室16にガスを導入して圧力を上昇させたときに、第2中間室59へのガスの流入を可及的に小さくするためのものである(通常、試料室16と、第2中間室59との間の圧力差(例えば10−2から10−3Torr)を保持するためのものである)。
以上の構成を持つ鏡筒17を、図1の(a),(b)の同一番号の鏡筒17に使用する。
図4は、本発明の紫外線照射ユニット(側面図)の例を示す。
図4の(a)は、予備排気室15に設置する紫外線照射ユニット21の例を示す。
図4の(a)において、紫外線ランプ71は、紫外線を放出するランプであって、例えばエキシマランプである。
石英窓72は、大気中に設置した紫外線ランプ71から放出された紫外線をロスなく真空中へ導入する窓であって、石英で作成された紫外線に対するロス(透過ロス)の少ない窓である。
Oリング72は、真空密封するOリングであって、紫外線ランプ71の窒素雰囲気側と、マスク12の真空側とをシールするOリングである。
マスク12は、試料12の一例である。
マスクホルダ74は、マスク12を保持するホルダである。
以上の構成からなる紫外線照射ユニット21を、既述した図1の(a)の予備排気室15に設け、予備排気室15を粗真空排気中に、レシピに従い自動的に、紫外線ランプ71を点灯して発生した紫外線が石英窓72を透過してマスク(試料)12の表面の全体を一定時間照射し、既述したようにコンタミネーションを除去、低減することが可能となる。
図4の(b)は、中間室24に設置する紫外線照射ユニット23の例を示す。
図4の(b)において、紫外線ランプ81は、紫外線を放出するランプであって、例えばエキシマランプである。
石英窓82は、窒素雰囲気中に設置した紫外線ランプ81から放出された紫外線をロスなく中間室24内へ導入する窓であって、石英で作成された紫外線に対するロス(透過ロス)の少ない窓である。
窓枠83は、紫外線ランプ81と中間室24との間に設けた窓枠である。
マスク12は、試料12の一例である。
マスクホルダ84は、マスク12を保持するホルダである。
以上の構成からなる紫外線照射ユニット23を、既述した図1の(b)の中間室24に設け、中間室24にマスク12を入れた状態で、レシピに従い自動的に、紫外線ランプ81を点灯して発生した紫外線が石英窓82を透過してマスク(試料)12の表面の全体を一定時間照射し、既述したようにコンタミネーションを除去、低減することが可能となる。ここで、中間室24に紫外線照射ユニット23を設けた場合には、大気中に設置されるマスク(試料)12である例えばフォトマスクについて、紫外線の大気中の酸素による吸収を防止して洗浄効果を高めるため、紫外線ランプ81を隔てる石英窓82の面との距離dを1〜2mmに近接させる。図1の(b)の搬送ロボット13により、中間室24内のマスクホルダに設置された後、図示していない昇降機構により、マスク12を上昇させ、マスクホルダ84を窓枠83とA部にて突き当てることにより、マスク12の面と石英窓82の面との距離dを規定する(図4の(b))。距離dを設定した後、紫外線を例えば30秒間、マスク12の表面の全面に照射する。洗浄効果を増すために、中間室24に酸素やオゾンO3等のガスを導入してもよい。ここで、オゾンや活性酸素とマスク12の表面上のハイドロカーボンとの反応により生じたCO2等のガスを排気するための排気ダクト等の機能を図示しないが機構を設けている。
図4の(c)は、マスクの透過率例を示す。これは、光の波長に対するマスク(試料)12の透過光の透過率の変化の例を示す。図中の実線の石英ガラスのグラフは、本発明の紫外線照射による洗浄処理を行った部分の透過率を示す。図中の点線の石英ガラスRは、紫外線照射による洗浄処理を行わなかった部分の透過率を示す。両者はほとんど差異がなく重なっており、例えばArFエキシマレーザ(波長193nm)による露光に対して、当該両者に差が無いことが判明する。これにより、紫外線照射による石英ガラスからなるマスク(試料)12に対して、紫外線照射によるコンタミネーション除去を行っても、当該マスク(試料)12の透過率の変化がないことが判明した。
図5は、本発明の説明図(測長)を示す。
図5の(a)は、マスク(6”×6”)上のパターンの線幅などを測長する例を示す。
図5の(a)において、マスク12は、6インチ×6インチの板状のものであって、表面に微細なパターンが形成されている。マスク12上の測長指定されたパターンについて、下方に拡大したパターンを示す。このパターン上で指定された線幅Lを測長する。測長は、既述した図3のSEM走査側電子顕微鏡を構成する鏡筒17の下方の試料12の位置に、図示のマスクを固定し、指定された場所Mを中心に移動させ、細く絞った電子線スポットで面走査し、そのときに放出された2次電子を2次電子検出器45で検出し、表示装置の画面上に走査に同期して当該2次電子検出器24で検出した信号で輝度変調し、いわゆるSEM像(2次電子像)を表示し、パターンの欠陥などを観察する。また、測長時は、指定された位置Mについて、ライン走査してラインプロファイルを画面上に表示し、測定対象の線の左側と右側のエッジで輝度が高くなるので例えばエッジ部分の距離を測長し、線の幅とするなどの公知のSEMを使用した微細パターンの精密測長を行う。測長は、指定されたパターンの位置Mについて、複数回、測長を繰り返す。このとき、測長回数と、そのときの線幅Lをプロットすると、図5の(b)のようになる。
図5の(b)は、測長結果をプロットした例を示す。横軸は測長回数Nを表し、縦軸はそのときの線幅Lを表す。これは、図5の(a)の指定された位置Mの線幅Lを繰り返し測長し、そのときの測長した回数Nと、測長した線幅Lとをプロットしたものである。測長回数Nの増加に伴い、電子線照射によるコンタミネーションが発生して線幅Lが徐々にに増加する。従って、最初の測定値L1からN回、繰り返し測長し、N回目の測長値LNとし、そのときの差ΔLを求める。この求めたΔLが、予め実験で求めた精度に対応する値以下のときは、コンタミネーションが規定値よりも少なく、正確な線幅の測長値と判定する。一方、求めたΔLが規定値よりも大きいときは、不正確な測長値と判定し、破棄し、マスク12に既述したように、紫外線を照射してマスク12の表面の汚染(コンタミネーション)を除去する。一度の紫外線照射によるコンタミネーション除去でも十分でないときは所定回数まで繰り返し紫外線照射してコンタミネーション除去する。
図6は、本発明の他の動作説明フローチャートを示す。
図6の(a)は、試料(マスク)12の測長後に紫外線照射してコンタミネーションを除去、低減する例のフローチャートを示す。ここで、S21からS26、およびS29からS31は既述した図2のS1からS6、およびS8からS10と同一であるので、説明を省略する。
図6の(a)において、S27は、予備排気室にinする。これは、電子線ビームをマスク(試料)12に照射して測長した後、マスク(試料)12を予備排気室15に入れる。
S28は、紫外線照射する。これは、S27で予備排気室15に入れたマスク(試料)12に、予備排気室15に設置した紫外線照射ユニット21で当該試料12の全面に一定時間、紫外線を照射し、コンタミネーションを除去する。そして、S29からS31でSMIFポッド11に搬送する。
以上のように、マスク(試料)12を測長した後に、予備排気室15で紫外線を当該マスク(試料)12に照射し、測長時の電子線照射によるコンタミネーションを除去、低減して綺麗にし、次の工程にマスク(試料)12を渡すことが可能となる。
図6の(b)は、試料(マスク)12の測長時に既述した図5の(b)で得た値ΔLが規定値ΔLsよりも大きいときにコンタミネーションが大と判定し、予備排気室15にマスク(試料)12を戻して紫外線照射してコンタミネーションを除去、低減し、再度、測長することを繰り返すときのフローチャートを示す。ここで、S41、S42、S44、S46、S47、S49からS52は、既述した図2のS1、S2、S4、S5、S6、S7からS10と同一であるので、説明を省略する。
図6の(b)において、S43は、予備排気室15で粗排気する。これは、1回目は大気圧から粗排気し、2回目以降はS49のNOで、複数回、パターンの幅を測長して得た図5の(b)のΔLが予め規定したΔLsよりも大きくてコンタミネーションが大と判明した場合に、S53でマスク(試料)12を予備排気室15に搬送し、S54で予備排気室15をリークして大気を入れた後、当該S43で予備排気室15を再度、粗排気を開始する。そして、粗排気中に、既述したように、S44で紫外線をマスク(試料)12の表面の全体に一定時間照射し、コンタミネーションを除去、低減し、S45で予備排気室15を本排気した後、S46でマスク(試料)12を試料室16の所定位置に搬送し、S47で測長を繰り返す。ここで、S54、S43で予備排気室15をリークして大気圧にした後に粗排気を開始したが、紫外線をマスク(試料)12に照射してコンタミネーションを除去するに十分なだけの空気(あるいは酸素を含む空気あるいは酸素)を少しリーク(例えば1Torrまでリーク)して紫外線を照射してコンタミネーションを除去し、粗排気時間を短縮するようにしてもよい。一方、S48のYESの場合には、複数回繰り返して測長した結果が良好(図5の(b)のΔLが規定値ΔLsよりも小さい場合)には、S49からS52で既述したように、マスク(試料)12をSMIFポッド11に戻す。
尚、試料室16の内部で、紫外線を照射してコンタミネーションを除去する場合には、例えば、SEM観察(SEM測長)後、酸素を局部的にノズルから当該マスク(試料)1の表面に吹き付けるように導入し、電子線を照射した個所を含む領域に紫外線を、紫外線照射ユニット22で照射し、生じた活性酸素によりコンタミネーションを除去する。電子線を照射した箇所はメモリに記憶しておく。紫外線照射ユニット22であるエキシマランプを装着するための空間的な余裕がない場合には、コンパクトな重水素ランプを使用し、電子線照射した数mm径程度の領域に紫外線を照射する。
本発明は、試料のコンタミネーションを低減する荷電粒子線装置、特に、測長装置などにおいて、試料の荷電粒子線による観察前後において、エッチングすることなく、コンタミネーションを低減し、パターンの測長の再現精度などを向上させる共に、試料の自動搬送に連動して操作性やスループットを向上させる荷電粒子線装置および荷電粒子線装置のコンタミネーション除去方向に関するものである。
本発明の実施例構成図である。 本発明の動作説明フローチャート(図1の(a))である。 本発明の説明図(鏡筒、試料室)である。 本発明の紫外線照射ユニット例である。 本発明の説明図(測長)ある。 本発明の他の動作説明フローチャートである。
符号の説明
11:SMIFポッド
12:試料(マスク)
13:搬送ロボット
14:搬送ステージ
15:予備排気室
16:試料室
17:鏡筒
21,22,23,25:紫外線照射ユニット
24:中間室
71,81:紫外線ランプ
72,82:石英窓

Claims (7)

  1. 荷電粒子線を試料に照射して当該試料から放出される荷電粒子を検出して画像を生成する荷電粒子線装置において、
    前記試料を複数枚収納して搬送するための収納箱と、
    前記試料を搬入して予備排気する予備排気室と、
    前記試料の前記予備排気室に搬入前あるいは搬入後あるいはその両方で、当該試料を搬入する中間室と、
    前記中間室内に搬入した試料の表面を一定時間、紫外線を照射する紫外線照射ユニットと、
    前記収納箱内に収納された前記試料を前記中間室あるいは前記予備排気室との間で相互に搬送、あるいは中間室と予備排気室との間で相互に搬送する搬送ロボットと、
    前記予備排気室を予備排気した状態で、当該予備排気室との間の仕切り弁を開けて前記試料を観察する位置に搬送、あるいは観察する位置に設置されている試料を当該予備排気室に搬送する試料室と、
    前記試料の前記予備排気室への搬入前あるいは搬入後あるいはその両方において前記中間室で前記紫外線照射ユニットにより当該試料の表面に一定時間、紫外線を照射し、当該試料の表面のコンタミネーションを除去する手段と
    を有することを特徴とする荷電粒子線装置。
  2. 前記中間室を減圧あるいは昇圧して試料の表面に一定時間、紫外線を照射することを特徴とする請求項1に記載の荷電粒子線装置。
  3. 前記試料の搬送に対応して予め設定した手順に従い、前記紫外線照射ユニットにより前記中間室で試料の表面を一定時間、紫外線を照射することを特徴とする請求項1から請求項2のいずれかに記載の荷電粒子線装置。
  4. 前記中間室で前記試料の全面に前記紫外線を照射したことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の荷電粒子線装置。
  5. 前記紫外線照射ユニットは、エキシマランプから構成されることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の荷電粒子線装置。
  6. 前記中間室で前記試料を前記紫外線照射ユニットの紫外線照射窓に近接させる機構を設けたことを特徴とする請求項1から請求項のいずれかに記載の荷電粒子線装置。
  7. 荷電粒子線を試料に照射して当該試料から放出される荷電粒子を検出して画像を生成する荷電粒子線装置のコンタミネーション除去方法において、
    前記試料を複数枚収納して搬送するための収納箱と、
    前記試料を搬入して予備排気する予備排気室と、
    前記試料の前記予備排気室に搬入前あるいは搬入後あるいはその両方で、当該試料を搬入する中間室と、
    前記中間室内に搬入した試料の表面を一定時間、紫外線を照射する紫外線照射ユニットと、
    前記収納箱内に収納された前記試料を前記中間室あるいは前記予備排気室との間で相互に搬送、あるいは中間室と予備排気室との間で相互に搬送する搬送ロボットと、
    前記予備排気室を予備排気した状態で、当該予備排気室との間の仕切り弁を開けて前記試料を観察する位置に搬送、あるいは観察する位置に設置されている試料を当該予備排気室に搬送する試料室とを備え、
    前記試料の前記予備排気室への搬入前あるいは搬入後あるいはその両方において前記中間室で前記紫外線照射ユニットにより当該試料の表面に一定時間、紫外線を照射し、当該試料の表面のコンタミネーションを除去する
    荷電粒子線装置のコンタミネーション除去方法。
JP2004358331A 2004-12-10 2004-12-10 荷電粒子線装置およびそのコンタミネーション除去方法 Active JP4681291B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004358331A JP4681291B2 (ja) 2004-12-10 2004-12-10 荷電粒子線装置およびそのコンタミネーション除去方法
DE102005057069A DE102005057069A1 (de) 2004-12-10 2005-11-30 Vorrichtung mit einem geladenen Partikelstrahl sowie Verfahren zur Kontaminationsbeseitigung in einer solchen Vorrichtung
US11/293,148 US7375328B2 (en) 2004-12-10 2005-12-05 Charged particle beam apparatus and contamination removal method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004358331A JP4681291B2 (ja) 2004-12-10 2004-12-10 荷電粒子線装置およびそのコンタミネーション除去方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006164893A JP2006164893A (ja) 2006-06-22
JP2006164893A5 JP2006164893A5 (ja) 2008-01-17
JP4681291B2 true JP4681291B2 (ja) 2011-05-11

Family

ID=36500361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004358331A Active JP4681291B2 (ja) 2004-12-10 2004-12-10 荷電粒子線装置およびそのコンタミネーション除去方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7375328B2 (ja)
JP (1) JP4681291B2 (ja)
DE (1) DE102005057069A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4546902B2 (ja) 2005-08-24 2010-09-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
JP2007212288A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Toshiba Corp パターン検査方法、パターン検査装置およびプログラム
US7550744B1 (en) * 2007-03-23 2009-06-23 Kla-Tencor Corporation Chamberless substrate handling
US8013300B2 (en) * 2008-06-20 2011-09-06 Carl Zeiss Nts, Llc Sample decontamination
DE102008062080A1 (de) * 2008-12-12 2010-06-17 Karlsruher Institut für Technologie Vorrichtung zum Transport atmosphärenempfindlicher Proben und Verwendung derselben
DE102009033319B4 (de) * 2009-07-15 2019-02-21 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Partikelstrahl-Mikroskopiesystem und Verfahren zum Betreiben desselben
JP5783318B1 (ja) * 2014-11-28 2015-09-24 Jfeスチール株式会社 微量炭素定量分析装置および微量炭素定量分析方法
KR101619226B1 (ko) * 2015-11-17 2016-05-10 (주)잉켐테크 열전사 인쇄 장치
CN111033678B (zh) * 2017-06-21 2023-10-27 株式会社日立高新技术 带电粒子束装置以及清洁方法
CN111061129B (zh) * 2018-10-17 2022-11-01 台湾积体电路制造股份有限公司 光刻***及清洁光刻***的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08325733A (ja) * 1995-05-26 1996-12-10 Tel Varian Ltd 真空処理方法および真空処理装置
JP2001015057A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Jeol Ltd 荷電粒子線装置および荷電粒子線装置用試料供給方法
JP2001325912A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 Hitachi Ltd 電子ビーム検査装置
JP2002025497A (ja) * 2000-07-07 2002-01-25 Canon Inc 真空分析装置、質量分析装置および電子顕微鏡装置
JP2002195965A (ja) * 2000-12-27 2002-07-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd オージェ電子分光分析装置およびそれを用いた分析方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08325733A (ja) * 1995-05-26 1996-12-10 Tel Varian Ltd 真空処理方法および真空処理装置
JP2001015057A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Jeol Ltd 荷電粒子線装置および荷電粒子線装置用試料供給方法
JP2001325912A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 Hitachi Ltd 電子ビーム検査装置
JP2002025497A (ja) * 2000-07-07 2002-01-25 Canon Inc 真空分析装置、質量分析装置および電子顕微鏡装置
JP2002195965A (ja) * 2000-12-27 2002-07-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd オージェ電子分光分析装置およびそれを用いた分析方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7375328B2 (en) 2008-05-20
DE102005057069A1 (de) 2006-06-14
US20060138363A1 (en) 2006-06-29
JP2006164893A (ja) 2006-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7375328B2 (en) Charged particle beam apparatus and contamination removal method therefor
US6344115B1 (en) Pattern forming method using charged particle beam process and charged particle beam processing system
US8986562B2 (en) Methods of laser processing photoresist in a gaseous environment
JP4728553B2 (ja) 荷電粒子ビームシステムを用いてリソグラフィマスクを修正するための方法と装置
US8368018B2 (en) Method and apparatus for charged particle beam inspection
US8507879B2 (en) Oxidative cleaning method and apparatus for electron microscopes using UV excitation in an oxygen radical source
JPH10223512A (ja) 電子ビーム投影露光装置
JP6496210B2 (ja) 荷電粒子線装置
EP0237220B1 (en) Method and apparatus for forming a film
US20070284541A1 (en) Oxidative cleaning method and apparatus for electron microscopes using UV excitation in a oxygen radical source
US20100006756A1 (en) Charged particle beam apparatus and method for generating charged particle beam image
JP4546902B2 (ja) 走査電子顕微鏡
JPS6322610B2 (ja)
JP2000010260A (ja) マスク修正装置の黒欠陥修正方法
JPH11329328A (ja) 電子ビーム検査装置
JP2005254186A (ja) 異物除去装置
JP3908530B2 (ja) フォトマスクの白欠陥修正方法
US7078689B1 (en) Integrated electron beam and contaminant removal system
JP2001015057A (ja) 荷電粒子線装置および荷電粒子線装置用試料供給方法
JPH0573052B2 (ja)
US6703623B1 (en) Electron beam proximity exposure apparatus
JP4580982B2 (ja) 荷電粒子ビーム装置、コンタミネーションの除去方法及び試料の観察方法
JP2002237443A (ja) 汚染除去装置、露光装置の汚染除去方法及び露光装置
JP2008091767A (ja) 露光装置と、露光装置におけるコンタミネーション除去方法
JP2009128007A (ja) 検査装置、検査方法及び記憶媒体

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071127

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071127

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100407

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100420

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100528

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100713

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101013

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20101025

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101130

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101210

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110118

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110204

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4681291

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250