JPH07302827A - 半導体ウエハ搬送装置 - Google Patents

半導体ウエハ搬送装置

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JPH07302827A
JPH07302827A JP6094694A JP9469494A JPH07302827A JP H07302827 A JPH07302827 A JP H07302827A JP 6094694 A JP6094694 A JP 6094694A JP 9469494 A JP9469494 A JP 9469494A JP H07302827 A JPH07302827 A JP H07302827A
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JP
Japan
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cleaning
semiconductor wafer
chuck
transfer
cleaning chamber
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JP6094694A
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English (en)
Inventor
Kazuya Goto
和弥 後藤
Tsutomu Udo
勉 有働
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Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi ULSI Engineering Corp
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウエハを吸着固定する搬送用チャック
に付着したパーティクルを半導体ウエハを搬送する毎に
確実に除去する。 【構成】 反応炉内への半導体ウエハの搬送が終了後、
クリーニング室7内に搬送用チャック5を挿入し、クリ
ーニング室7の上部に設けられた洗浄液供給手段8から
洗浄液が搬送用チャック5に噴射し、洗浄を行う。この
時、洗浄液は廃液ライン11から排出される。洗浄が終
了し洗浄液の噴射が中止されると、真空ポンプにより排
気孔10からクリーニング室7内の減圧を行い、洗浄液
の沸点を下げ、常温により洗浄液を沸騰させ蒸発排気さ
せる。洗浄液が蒸発排気されると、パージライン9から
所定の不活性ガスを導入し、クリーニング室7内にその
不活性ガスを充填させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ搬送装置
に関し、特に、化学的気相成長装置(以下、CVD装置
という)に用いられる半導体ウエハを収納治具あるいは
反応炉に搬送する半導体ウエハ搬送装置のクリーニング
機構に適用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】本発明者が検討したところによれば、C
VD装置に用いられる半導体ウエハ搬送装置において
は、半導体ウエハ搬送装置それ自体にクリーニング機構
はなく、CVD装置の反応炉のメンテナンス時に、作業
者がメチルアルコールなどを染み込ませた洗浄用の布に
よって半導体ウエハを吸着移動させる搬送用ウエハチャ
ックを拭いたり、真空掃除機などにより大きなパーティ
クルを吸い取ることにより洗浄し、搬送用チャックの汚
れが著しい場合は、新しい搬送用チャックに交換するこ
とにより対応している。
【0003】なお、半導体ウエハ搬送装置を用いたCV
D装置を述べてある例として、工業調査会発行「超LS
I製造・試験装置ガイドブック」1992年版、平成3
年11月22日発行、P31〜P33がある。
【0004】また、搬送用チャックからのパーティクル
を低減させる方法として、たとえば特開昭58−177
949号公報に示されるように、搬送用チャックを非金
属材料とするものおよび特開昭58−160627号公
報に示されるように、半導体ウエハを真空中で磁気的に
浮上させ、非接触搬送によりクリーン搬送を行うものが
知られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な半導体ウエハ搬送装置では、CVD装置の反応炉のメ
ンテナンス時だけしか搬送用チャックのクリーニングが
行われないので、半導体ウエハを反応炉に搬送する毎に
反応炉内から剥離した成長膜などのパーティクルが搬送
用チャック上に堆積してしまい、半導体ウエハを反応炉
に搬送させるために吸着することにより、半導体ウエハ
の裏面にパーティクルが付着してしまい、そのパーティ
クルが付着した半導体ウエハの下部に設けられる半導体
ウエハ上にパーティクルが落下し、付着してしまう恐れ
がある。
【0006】また、搬送用チャックに堆積したパーティ
クルと搬送される半導体ウエハの裏面との接触部がこす
れ合うことによって、半導体ウエハの裏面が削られパー
ティクルとなり、そのパーティクルが下側に設けられて
いる半導体ウエハの上面に付着してしまい、製品歩留ま
り向上の上で大きな問題となっている。
【0007】さらに、搬送用チャックのクリーニング
は、作業者が行っており、半導体ウエハ搬送装置の分
解、組立やクリーニング作業あるいは新しい搬送用チャ
ックへの交換など作業工数が大幅に必要になってしまう また、これらの作業に長時間を要してしまい、半導体装
置製造のスループットにも悪影響を及ぼしてしまう。
【0008】本発明の目的は、搬送用チャックに付着し
たパーティクルを半導体ウエハを搬送する毎に確実に除
去する半導体ウエハ搬送装置を提供することにある。
【0009】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0010】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0011】すなわち、本発明の半導体ウエハ搬送装置
は、半導体ウエハの吸着および搬送を行う搬送用チャッ
クの洗浄を行う洗浄室と、洗浄室内に設けられ、搬送用
チャックを洗浄する洗浄手段とを設けたものである。
【0012】また、本発明の半導体ウエハ搬送装置は、
前記洗浄手段が、搬送用チャックを洗浄する洗浄液を噴
射する洗浄液供給手段からなり、洗浄室の下部に、洗浄
液供給手段から噴射された洗浄液を排出する排出口を設
けたものである。
【0013】さらに、本発明の半導体ウエハ搬送装置
は、前記洗浄室の上部に、洗浄手段による洗浄が終了し
た後に前記洗浄室内を減圧する排気孔と、洗浄室の減圧
が終了した後に不活性ガスを導入する導入孔とを設け、
搬送用チャックの洗浄終了後に洗浄室を減圧することに
より洗浄液を蒸発排気させ、洗浄室の雰囲気を不活性ガ
スにより置換するものである。
【0014】また、本発明の半導体ウエハ搬送装置は、
前記洗浄手段が、搬送用チャックに正または負の電圧の
一方を帯電させる電圧帯電手段と、正または負の電圧の
一方に帯電されたパーティクルを吸着する導電性の材質
からなる第1の吸着手段と、第1の吸着手段に、搬送用
チャックに帯電させた極性と異なる極性の電圧を帯電さ
せる電源供給手段とよりなり、搬送チャックに付着して
いるパーティクルを静電吸着力により第1の吸着手段に
吸着させるものである。
【0015】さらに、本発明の半導体ウエハ搬送装置
は、前記洗浄手段が、搬送用チャックと同一の材質の円
板状からなる第2の吸着手段と、第2の吸着手段を円周
方向に回転させる回転手段とよりなるものである。
【0016】また、本発明の半導体ウエハ搬送装置は、
前記搬送用チャックが、半導体ウエハ上に成膜される膜
質と同一の材質よりなるものである。
【0017】
【作用】上記した本発明の半導体ウエハ搬送装置によれ
ば、搬送用チャックを半導体ウエハの搬送を行う毎に洗
浄室で洗浄することができる。
【0018】また、上記した本発明の半導体ウエハ搬送
装置によれば、洗浄液供給手段から搬送用チャックに洗
浄液を噴射することにより、搬送用チャックを洗浄液に
よって洗浄することができる。
【0019】さらに、上記した本発明の半導体ウエハ搬
送装置によれば、洗浄室を減圧させることにより、洗浄
後の洗浄液の沸点を下げて確実に蒸発乾燥および排気さ
せることができ、洗浄室を不活性ガスに置換することに
より洗浄室のクリーン度を高く保つことができる。
【0020】また、上記した本発明の半導体ウエハ搬送
装置によれば、電圧帯電手段により搬送用チャックに所
定の電圧を帯電させ、電源供給手段により第1の吸着手
段に該搬送用チャックと異極の電圧を帯電させることに
よって、搬送用チャックと第1の吸着手段との間に生じ
た静電吸着力により搬送用チャックに付着しているパー
ティクルを除去することができる。
【0021】さらに、上記した本発明の半導体ウエハ搬
送装置によれば、搬送用チャックと該搬送用チャックと
同材質からなる第2の吸着手段とを圧接させることによ
り搬送用チャックに付着したパーティクルを除去するこ
とができる。
【0022】また、上記した本発明の半導体ウエハ搬送
装置によれば、搬送用チャックの材質を半導体ウエハ上
に成膜する材質と同一にすることにより、半導体ウエハ
搬送時の裏面剥離などによるパーティクルの発生を低減
させることができる。
【0023】それにより、搬送用チャックから発生する
微小パーティクルを確実に防止することができ、搬送チ
ャックから発生した微小パーティクルに起因する半導体
装置の不良がなくなり、製品の歩留まりが向上する。
【0024】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
【0025】(実施例1)図1は、本発明の実施例1に
よるクリーニング機構を備えた半導体ウエハ搬送装置お
よびCVD装置の全体的概略平面図、図2は、本発明の
実施例1によるクリーニング機構を備えた半導体ウエハ
搬送装置の模式断面図、図3は、本発明の実施例1によ
る半導体ウエハを吸着搬送する搬送用チャックの外観斜
視図である。
【0026】本実施例1において、CVD装置は、半導
体ウエハ(図示せず)上に所望の薄膜を形成させる反応
炉1と、半導体ウエハを収納する半導体ウエハ収納室2
と、半導体ウエハを半導体ウエハ収納室2から反応炉1
に搬送する半導体ウエハ搬送装置3とより構成されてい
る。
【0027】また、半導体ウエハ搬送装置3は、搬送チ
ャンバ4の中央部に位置し、先端部に半導体ウエハを吸
着させるチャック機構である搬送用チャック5が設けら
れた半導体ウエハを所定の位置に移動させる半導体ウエ
ハ移載器6と、その搬送用チャック5を洗浄するクリー
ニング室(洗浄室)7とから構成されている。
【0028】さらに、搬送用チャック5それ自体は、半
導体ウエハ上に成長させられる膜質と同じもの、たとえ
ば、シリコン酸化膜であれば石英、シリコン窒化膜であ
れば窒化シリコンおよび炭化シリコン、多結晶シリコン
膜であればシリコンおよび炭化シリコンなどの材質によ
って構成されている。
【0029】また、図2に示すように、クリーニング室
7内には、搬送用チャック5を洗浄するための洗浄液が
噴射される洗浄液供給手段8が配設されている。
【0030】さらに、クリーニング室7の上面には、た
とえば、窒素ガス、アルゴンガスやハロゲンガスなどの
不活性ガスを導入する導入孔であるパージライン(導入
孔)9および真空ポンプ(図示せず)によってクリーニ
ング室7内を減圧するための排気孔10が設けられてい
る。
【0031】また、クリーニング室7の下面には、洗浄
液を排出するための廃液ライン(排出口)11が設けら
れている。
【0032】さらに、半導体ウエハ移載器6の下部に
は、半導体ウエハ移載器6を回転および前後方向に移動
させる移動手段12が設けられており、この移動手段1
2により半導体ウエハ移載器6を回転および前後方向に
移動させ、所定の位置に半導体ウエハを移載する。
【0033】次に、本実施例の作用について説明する。
【0034】反応炉1内への半導体ウエハの搬送が終了
し、半導体ウエハ上への成膜が開始されると、移動手段
12により半導体ウエハ移載器6は回転させられ、クリ
ーニング室7内に半導体ウエハの吸着部である搬送用チ
ャック5が挿入される。
【0035】そして、搬送用チャック5の上部に設けら
れている洗浄液供給手段8から、たとえば、フッ化水素
などの酸系の洗浄液が搬送用チャック5に噴射され、洗
浄が開始される。また、この時の洗浄後の洗浄液は、廃
液ライン11から排出される。
【0036】洗浄液の噴射が中止され、洗浄が終了する
と、真空ポンプにより排気孔10からクリーニング室7
内の減圧を行う。そして、クリーニング室7内を減圧す
ることにより洗浄液の沸点を下げ、常温により洗浄液を
沸騰させることによって蒸発排気させる。
【0037】次に、クリーニング室7内の洗浄液が蒸発
排気されると、パージライン9から所定の不活性ガスを
導入し、クリーニング室7内にその不活性ガスを充填さ
せ、クリーニング室7内のクリーン度を維持する。
【0038】それによって、本実施例1によれば、半導
体ウエハを反応炉1の搬送する毎に搬送用チャック5の
洗浄を洗浄液を噴射し、自動的に行うことにより、搬送
用チャック5から発生する微小パーティクルを防止する
ことができる。
【0039】(実施例2)図4は、本発明の実施例2に
よるクリーニング機構を備えた半導体ウエハ搬送装置の
模式断面図である。
【0040】本実施例2においては、クリーニング室7
内の側面にアーク放電を利用し、イオンを帯びた空気を
送風するイオニックブロー装置(帯電電圧手段)13が
設けられている。
【0041】また、搬送用チャック5が位置する上面に
は、たとえば、絶縁物などからなるパーティクル吸着体
(第1の吸着手段)14が設けられている。
【0042】さらに、このパーティクル吸着体14に
は、パーティクル吸着体14に正電圧を印加する電源供
給手段15が接続されている。
【0043】そして、搬送用チャック5の洗浄時には、
イオニックブロー装置13によって所定の時間イオンを
帯びた空気を搬送用チャック5に送風し、搬送用チャッ
ク5それ自体を負の電圧に帯電させる。
【0044】搬送用チャック5の帯電終了後、電源供給
手段15が動作し、パーティクル吸着体に正電圧を帯電
させ、イオニックブロー装置13により負の電圧に帯電
させられた搬送用チャック5に付着しているパーティク
ルをパーティクル吸着体14に静電気力により吸着除去
させる。
【0045】また、搬送用チャック5は、前記実施例1
と同様に半導体ウエハ上に成長させられる膜質と同じ材
質によって構成されている。
【0046】それによって、本実施例2では、半導体ウ
エハを反応炉1の搬送する毎に搬送用チャック5の洗浄
を静電吸着力によって電気的に、自動的に行うことによ
り、搬送用チャック5から発生する微小パーティクルを
防止することができる。
【0047】(実施例3)図5は、本発明の実施例3に
よるクリーニング機構を備えた半導体ウエハ搬送装置の
外観斜視図である。
【0048】本実施例3においては、クリーニング室7
内に円板状の表面が平滑であり、鏡面加工されたパーテ
ィクル吸着体(第2の吸着手段)14aが設けられてい
る。
【0049】このパーティクル吸着体14aは、搬送用
チャック5と同じ材質で構成され、たとえば、搬送用チ
ャック5が石英で構成されているとすると、パーティク
ル吸着体14aも石英により構成する。
【0050】また、パーティクル吸着体14aの下部に
は、パーティクル吸着体を回転させる回転手段16が設
けられている。
【0051】そして、搬送用チャック5の洗浄時には、
移動手段12により半導体ウエハ移載器6を下方向に移
動させた状態でクリーニング室7に挿入させ、その後、
半導体ウエハ移載器6を上方向に移動させる。
【0052】そして、搬送用チャック5をパーティクル
吸着体14aに接触させ、圧接させることにより、搬送
用チャック5に付着していたパーティクルがパーティク
ル吸着体14aにこすりつけられるように付着する。
【0053】また、洗浄動作が終了すると、半導体ウエ
ハ移載器6が移動手段12により下方向に移動し、搬送
用チャック5とパーティクル吸着体14aとの接触をな
くす。
【0054】そして、その後、回転手段16によりパー
ティクル吸着体14aを所定の位置まで回転させ、新し
い接触面により次回の洗浄を行う。
【0055】また、同様に搬送用チャック5は、半導体
ウエハ上に成長させられる膜質と同じ材質によって構成
されている。
【0056】それによって、本実施例3では、半導体ウ
エハを反応炉1の搬送する毎に搬送用チャック5の洗浄
をパーティクル吸着体14aと搬送用チャックとを接触
させることによって物理的に、自動的に行うことによ
り、搬送用チャック5から発生する微小パーティクルを
防止する。
【0057】また、搬送用チャック5をパーティクル吸
着体14aに接触させるだけの洗浄動作でなく、パーテ
ィクル吸着体14aに搬送用チャック5を接触させたま
まの状態で回転手段16によりパーティクル吸着体14
aを回転させて洗浄を行っても効果は同様である。
【0058】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものでなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【0059】たとえば、前記実施例1〜3の搬送用チャ
ック5は、搬送用チャック5それ自体を半導体ウエハ上
に成長させられる膜質と同じ材質によって構成せずに、
石英などからなる搬送用チャック5の表面全体に半導体
ウエハ上に成長させられる膜質と同じ材質の膜をコーテ
ィングするようにしても効果は同様である。
【0060】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0061】(1)本発明によれば、半導体ウエハを反
応炉に搬送する毎に搬送用チャックの洗浄を洗浄液によ
り自動的に行うことによって搬送用チャックから発生す
る微小パーティクルを防止することができる。
【0062】(2)また、本発明では、半導体ウエハを
反応炉の搬送する毎に搬送用チャックの洗浄を静電吸着
力によって電気的に自動的に行うことにより、搬送用チ
ャックから発生する微小パーティクルを防止することが
できる (3)さらに、本発明においては、半導体ウエハを反応
炉の搬送する毎に搬送用チャックの洗浄をパーティクル
吸着体と搬送用チャックとを接触させることによって物
理的に自動的に行うことにより、搬送用チャックから発
生する微小パーティクルを防止する。
【0063】(4)また、本発明によれば、搬送用チャ
ックの洗浄をウエハ処理中に行うことよりスループット
の低下を避け、ウエハ処理の時間を短く保ったまま搬送
用チャックの洗浄を行うことができる。
【0064】(5)さらに、本発明では、上記(1) 〜
(4)により、搬送用チャックから発生した微小パーテ
ィクルによる半導体装置の不良がなくなり、製品の歩留
まりが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例1によるクリーニング機構を備
えた半導体ウエハ搬送装置およびCVD装置の全体的概
略平面図である。
【図2】本発明の実施例1によるクリーニング機構を備
えた半導体ウエハ搬送装置の模式断面図である。
【図3】本発明の実施例1による半導体ウエハを吸着搬
送する搬送用チャックの外観斜視図である。
【図4】本発明の実施例2によるクリーニング機構を備
えた半導体ウエハ搬送装置の模式断面図である。
【図5】本発明の実施例3によるクリーニング機構を備
えた半導体ウエハ搬送装置の外観斜視図である。
【符号の説明】
1 反応炉 2 半導体ウエハ収納室 3 半導体ウエハ搬送装置 4 搬送チャンバ 5 搬送用チャック 6 半導体ウエハ移載器 7 クリーニング室(洗浄室) 8 洗浄液供給手段 9 パージライン(導入孔) 10 排気孔 11 廃液ライン(排出口) 12 移動手段 13 イオニックブロー装置(電圧帯電手段) 14 パーティクル吸着体(第1の吸着手段) 14a パーティクル吸着体(第2の吸着手段) 15 電源供給手段 16 回転手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 有働 勉 東京都小平市上水本町5丁目20番1号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウエハの吸着および搬送を行う搬
    送用チャックの洗浄を行う洗浄室と、前記洗浄室内に設
    けられ、前記搬送用チャックを洗浄する洗浄手段とを設
    けたことを特徴とする半導体ウエハ搬送装置。
  2. 【請求項2】 前記洗浄手段が、前記搬送用チャックを
    洗浄する洗浄液を噴射する洗浄液供給手段からなり、前
    記洗浄室の下部に、前記洗浄液供給手段から噴射された
    洗浄液を排出する排出口を設けたことを特徴とする請求
    項1記載の半導体ウエハ搬送装置。
  3. 【請求項3】 前記洗浄室の上部に、前記洗浄手段によ
    る洗浄が終了した後に前記洗浄室内を減圧する排気孔
    と、前記洗浄室の減圧が終了した後に不活性ガスを導入
    する導入孔とを設け、前記搬送用チャックの洗浄終了後
    に前記洗浄室を減圧することにより洗浄液を蒸発排気さ
    せ、前記洗浄室の雰囲気を不活性ガスにより置換するこ
    とを特徴とする請求項1または2記載の半導体ウエハ搬
    送装置。
  4. 【請求項4】 前記洗浄手段が、前記搬送用チャックに
    正または負の電圧の一方を帯電させる電圧帯電手段と、
    正または負の電圧の一方に帯電されたパーティクルを吸
    着する導電性の材質からなる第1の吸着手段と、前記第
    1の吸着手段に、前記搬送用チャックに帯電させた極性
    と異なる極性の電圧を帯電させる電源供給手段とよりな
    り、前記搬送用チャックに付着しているパーティクルを
    静電吸着により前記第1の吸着手段に吸着させることを
    特徴とする請求項1記載の半導体ウエハ搬送装置。
  5. 【請求項5】 前記洗浄手段が、前記搬送用チャックと
    同一の材質の円板状からなる第2の吸着手段と、前記第
    2の吸着手段を円周方向に回転させる回転手段とよりな
    り、前記搬送用チャックと第2の吸着手段とを圧接させ
    ることを特徴とする請求項1記載の半導体ウエハ搬送装
    置。
  6. 【請求項6】 前記搬送用チャックが、前記半導体ウエ
    ハ上に成膜される膜質と同一の材質よりなることを特徴
    とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体ウエ
    ハ搬送装置。
JP6094694A 1994-05-09 1994-05-09 半導体ウエハ搬送装置 Withdrawn JPH07302827A (ja)

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Cited By (5)

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