JPH0831500B2 - フィルムキャリアテープ - Google Patents

フィルムキャリアテープ

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JPH0831500B2
JPH0831500B2 JP4632890A JP4632890A JPH0831500B2 JP H0831500 B2 JPH0831500 B2 JP H0831500B2 JP 4632890 A JP4632890 A JP 4632890A JP 4632890 A JP4632890 A JP 4632890A JP H0831500 B2 JPH0831500 B2 JP H0831500B2
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JP
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hole
olb
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lead
carrier tape
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豊一 市井
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341Surface mounted components
    • H05K3/3421Leaded components

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  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は多リード化した半導体装置に好適のフィルム
キャリアテープに関する。
[従来の技術] 第7図は従来のフィルムキャリアテープを示す平面図
である。
ポリイミド等からなる絶縁フィルム6cは帯状に成形さ
れており、この絶縁フィルム6cの幅方向の縁部には、搬
送及び位置決め用のスプロケットホール1cが絶縁フィル
ム6cの長手方向に沿って規則的に配列されている。ま
た、絶縁フィルム6cの幅方向の中央には、接続されるべ
き半導体チップ2cよりも若干大きく開口したデバイスホ
ール3cが設けられている。このデバイスホール3cも、絶
縁フィルム6cの長手方向に沿って、所定の間隔毎に設け
られている。そして、このデバイスホール3cの周囲に
は、デバイスホール3cの1辺に対応して1個のアウター
リードボンディングホール(以下;OLBホールという)13
cが台形状に成形されて設けられている。
絶縁フィルム6c上には、銅等の金属箔からなるリード
4cが所定のパターンで形成されている。このリード4cの
一方の端部はデバイスホール3cの内側に導出されてお
り、このリード4cはOLBホール13c上を横断して、OLBホ
ール13cの外側に形成された電気選別パッド5cに接続さ
れている。
このフィルムキャリアテープは以下に示すようにして
製造されている。
先ず、ポリイミド等の絶縁フィルム6cにデバイスホー
ル3c、OLBホール13c及びスプロケットホール1cを穿設す
る。次に、この絶縁フィルム6c上に銅等の金属箔を被着
する。次いで、エッチング等により前記金属箔を所定の
形状に成形することにより、リード4c及び電気選別パッ
ド5cを形成する。これにより、フィルムキャリアテープ
が完成する。
第8図及び第9図は、上述した従来のフィルムキャリ
アテープと半導体チップとの接続方法を示す断面図であ
る。
半導体チップ2cには、予めその上面の電極端子上に金
属突起物であるバンプ7cが設けられている。この半導体
チップ2cをフィルムキャリアテープのデバイスホール3c
の中央に配置し、リード4cとバンプ7cとを熱圧着法又は
共晶法等により接合(インナーリードボンディング)す
る。
この場合に、リード4cの先端部の変形を防止するため
に、第8図に示すように、リード先端部近傍に、予め絶
縁フィルム6cの枠であるサスペンダー8cを設けておくこ
ともある。また、半導体装置の信頼性向上及び機械的保
護のために、第9図に示すように、半導体チップ2c上に
樹脂9aをポッティングして半導体チップ2cの電極端子形
成面を樹脂封止することもある。
その後、電気選別パッド5cに試験装置の接触子を接触
させて電気選別及びバイアス試験を行う。
このようにして製造されたフィルムキャリアテープ型
半導体装置は、以下に示すようにしてプリント基板上に
実装される。
第10図はフィルムキャリアテープ型半導体装置の実装
方法を示す断面図である。先ず、リード4cをOLBホール1
3cの半導体チップ2cから遠い側の縁部に沿って切断す
る。そして、半導体チップ2cをその電極端子形成面を上
方にして、接着材10cによりプリント基板11c上の所定の
位置に接着する。
次に、リード4cをプリント基板11cに形成されたボン
ディングパッド12cに接合(アウターリードボンディン
グ)する。これにより半導体装置の実装が完了する。
フィルムキャリアテープを使用すると、リード4cの数
に拘らず、インナーリードボンディングが一度で処理で
きるために、ボンディング速度が速いという長所があ
る。また、スプロケットホール1cにより搬送及び位置決
めを行うことができるために、作業の自動化が容易であ
るという利点もある。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、従来のフィルムキャリアテープは、リ
ード4cが細く且つ薄いために、リードの変形が発生し易
く、実装作業が複雑又は煩雑であるという欠点がある。
特に、リード4cの数が多い場合は、リード4cの配列ピッ
チが小さくリード4c間の間隔が狭くなるため、例えば半
田によりリード4cをボンディングパッド12cとを接続し
ようとすると、リード4c間に半田ブリッジが形成され易
く、ショート等の不都合が発生する虞れがある。
一般的に、半田による半導体装置の実装は、半導体装
置のリード先端のピッチが0.5mmの場合が安定して実装
できる限界とされている。しかし、従来のフィルムキャ
リアテープを使用して200乃至300ピン以上のリードを有
する多リード半導体装置を製造する場合、0.5mmピッチ
でリード先端を配列しようとすると、半導体装置の面積
を大きくする必要がある。
近年、半導体装置はその能力の向上に伴って多リード
化が著しいが、フィルムキャリアテープ型半導体装置の
場合、インナーリード側は多リード化に容易に対応でき
るのに対して、上述の如く、アウターリード側において
多リード化が制約されてしまう。つまり、従来のフィル
ムキャリアテープを使用した半導体装置は、実装密度に
関しては他のパッケージと同一であり、リードが薄いた
めに実装が困難であるという問題点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであっ
て、多リード化された半導体装置においても、半導体装
置の面積の増大が抑制され、高密度実装を可能とするフ
ィルムキャリアテープを提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本願の第1発明に係るフィルムキャリアテープは、絶
縁フィルムと、この絶縁フィルムに設けられた矩形のデ
バイスホールと、このデバイスホールの周囲に前記デバ
イスホールの1辺に対して2個以上設けられた第1のア
ウターリードボンディングホールと、この第1のアウタ
ーリードボンディングホールの外側の領域に穿設された
第2のアウターリードボンディングホールと、前記絶縁
フィルム上に形成されその一端が前記デバイスホールの
内側に導出されており他端が前記第1のアウターリード
ボンディングホール及び第2のアウターリードボンディ
ングホールのいずれか一方の上を選択的に横断している
複数本のリードとを有することを特徴とする。
本願の第2発明に係るフィルムキャリアテープは、絶
縁フィルムと、この絶縁フィルムに設けられた矩形のデ
バイスホールと、このデバイスホールの周囲に前記デバ
イスホールの1辺に対して2個以上設けられたアウター
リードボンディングホールと、前記絶縁フィルム上に形
成されその一端が前記デバイスホールの内側に導出され
ており他端が前記アウターリードボンディングホールの
デバイスホールに近い側の辺及びこの辺に対向する辺か
ら前記アウターリードボンディングホールの内側に導出
された複数本のリードとを有し、前記リードの他端は前
記アウターリードボンディングホールにおいて千鳥状に
配列されていることを特徴とする。
[作用] 本願の第1発明においては、デバイスホールの周囲に
デバイスホールの1辺に対して2個以上の第1のOLBホ
ールが設けられている。また、この第1のOLBホールの
外側に第2のOLBホールが設けられている。そして、リ
ードは第1のOLBホール又は第2のOLBホールのいずれか
一方の上を選択的に横断している。即ち、第1のOLBホ
ール上を横断しているリードは、従来と同様に第1のOL
Bホールのデバイスホール側縁部に延出し、第1のOLBホ
ール上を横断している。そして、第2のOLBホールを横
断するリードは、例えば2個の第1のOLBホールの間に
配線され、第1のOLBホールを横断することなく、第2
のOLBホールの縁部に延出し、第2のOLBホール上を横断
している。
本発明のフィルムキャリアテープは、このような構造
を有しており、半導体チップとリードとは、従来と同様
にしてインナーリードボンディングされる。そして、基
板に実装されるに際して、リードのアウターリード側
は、第1及び第2のOLBホールのデバイスホールから遠
い側の縁部において切断され、所定の形状に成形されて
実装される。つまり、アウターリードボンディング時に
は、第1のOLBホールのリード及び第2のOLBホールのリ
ードが2列に配列されて基板上に配置される。これによ
り、リード先端の間隔が従来に比して大きくなり、実装
時に半田ブリッジ等が発生することを抑制できる。ま
た、半導体装置の大きさが実装条件により制限されるこ
とが回避され、半導体装置の高密度実装が達成される。
本願の第2発明においては、OLBホール側のリード先
端部は、OLBホールの対向する2辺からOLBホールの内側
に千鳥状に配列されて導出されている。即ち、OLBホー
ルにおいて、OLBホールの一方の辺から導出されたリー
ド間の中央の位置に他方の辺から導出されたリードが整
合するようにしてリード先端が配列されている。
この場合に、一方のリードは、従来と同様に、デバイ
スホール側からOLBホールに導出されており、例えば他
方のリードは2個のOLBホール間に配線されていてデバ
イスホールから遠い側のOLBホールの縁部に延出し、こ
の縁部からOLBホール内に導出されている。これによ
り、本願の第1発明と同様に、リード間隔を従来に比し
て拡大でき、半田ブリッジ等の不都合が回避されると共
に、半導体装置の高集積化が達成できる。
[実施例] 次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して
説明する。
第1図は本願の第1発明の実施例に係るフィルムキャ
リアテープを示す平面図である。
絶縁フィルム6aには、従来と同様に、幅方向の縁部に
搬送及び位置決め用のスプロケットホール1aが規則的に
配列されて穿設されており、幅方向の中央に半導体チッ
プ2aが配置されるデバイスホール3aが穿設されている。
デバイスホール3aの周囲には、第1のOLBホール13aが
デバイスホール3aの1辺に対して2個穿設されている。
この第1のOLBホール13aは、1斜辺を有する台形であ
り、従来のフィルムキャリアテープのOLBホールをデバ
イスホール3aの辺に対して直交する方向で2分割した形
状である。
この第1のOLBホール13aの外側には、第2のOLBホー
ル14aがデバイスホール3aの1辺に対して2個穿設され
ている。この第2のOLBホール14aの形状は矩形である。
リード4aは、その一端がデバイスホール3aの内側に導
出されている。そして、デバイスホール3aの各辺の中央
部に配置されたリード4aは、2個の第1のOLBホール13a
の間に配線されていて、第2のOLBホール14a上を横断
し、第2のOLBホール14aの外側に形成された電気選別パ
ッド5aに接続されている。また、デバイスホール3bの角
部側に配置されたリード4aは、第1のOLBホール13a上を
横断して、第1のOLBホール13aの外側に形成された電気
選別パッド5aに接続されている。
第2図は本実施例に係るフィルムキャリアテープに半
導体チップを接続した状態を示す断面図である。
半導体チップ2aはデバイスホール3aの中央部に配置さ
れる。この半導体チップ2aの上面に形成されている電極
端子上にはバンプ7aが設けられており、このバンプ7aが
リード4aとインナーリードボンディングされる。そし
て、半導体チップ2aの上面は、例えば樹脂9aにより封止
される。
第3図は本実施例に係るフィルムキャリアテープを使
用した半導体装置の実装方法を示す断面図である。
先ず、第2のOLBホール14aのデバイスホール3aから遠
い側の縁部に沿ってリード4a及び絶縁フィルム6aを切断
する。次に、リード4bをカルビング状に成形する。即
ち、リード4aを第1及び第2のOLBホール13a,14aのデバ
イスホールに近い側の縁部で略垂直に屈曲すると共に、
リード4aの先端部を絶縁フィルム6aに対して平行になる
ように屈曲する。その後、必要に応じて、第3図に示す
ように半導体チップ2aの上面を樹脂9aで封止する。
次いで、ボンディングパッド12aを有するプリント基
板11a上の所定位置に接着材10aにより半導体チップ2aを
接着する。そして、各リード4aを一括してアウターリー
ドボンディングする。
本実施例においては、複数本のリード4aが第1のOLB
ホール13a及び第2のOLBホール14aに分散されて配置さ
れているため、アウターリード側のリード4a先端の間隔
を従来に比して拡大することができる。このため、半導
体装置の実装時に、半田ブリッジ等の不都合が発生する
ことを回避できる。従って、半導体装置の大きさの制約
が解消されるため、半導体装置を小型化することができ
る。
第4図は本願の第2発明の実施例に係るフィルムキャ
リアテープを示す平面図である。
本実施例の絶縁フィルム6bも、従来と同様に、その長
手方向の縁部にスプロケットホール1bが規則的に配列さ
れており、幅方向の中央部に穿設された矩形のデバイス
ホール3bが設けられている。
このデバイスホール3bと周囲にはOLBホール13bがデバ
イスホール3bの1辺に対して2個ずつ設けられている。
このOLBホール13bの形状は1斜辺を有する台形であり、
従来のフィルムキャリアテープのOLBホールを2分割し
た形状である。絶縁フィルム6b上に形成されたリード4b
の一方の端部は、デバイスホール3bの内側に導出してい
る。そして、デバイスホール3bの角部側に配置されたリ
ード4bはOLBホール13bのデバイスホール3bに近い側の縁
部に設けられた電気選別パッド5bに接続されており、こ
の電気選別パッド5bからOLBホール13b内に導出してい
る。また、残りのリード4bは、OLBホール13b間に配線さ
れていて、OLBホール13bのデバイスホール3bから遠い側
の縁部に設けられた電気選別パッド5bに接続されてお
り、この電気選別パッド5bからOLBホール13b内に導出し
ている。これらのリード4bは、OLBホール13b内において
千鳥状に配列されている。従って、各リード4bの先端は
比較的離れている。
第5図は本実施例に係るフィルムキャリアテープに半
導体チップを接続した状態を示す断面図である。
本実施例においては、半導体チップ2bをデバイスホー
ル3bの中央部に配置し、半導体チップ2bのバンプ7bとリ
ード4bとをインナーリードボンディングする。その後、
半導体チップ2bの上面を樹脂9bにより封止する。
第6図は本実施例に係るフィルムキャリアテープを使
用した半導体装置の実装方法を示す断面図である。
先ず、リード4を切断しないようにして、フィルムキ
ャリアテープをOLBホール13bの外側で切断する。そし
て、リード4bを所定のカルビング状に成形する。
次に、ボンディングパッド12bが形成されたプリント
基板11b上に接着材10bにより半導体チップ2bを接着す
る。そして、リード4bを一括してOLBする。これによ
り、半導体装置の実装が完了する。
本実施例においても、第1の実施例と同様の効果を得
ることができる。
[発明の効果] 以上説明したように本願の第1発明によれば、デバイ
スホールの周囲に第1及び第2のOLBホールが設けられ
ており、複数本のリードはこの第1及び第2のOLBホー
ルに分散されて配設されているから、アウターリード側
のリード先端間の間隔が従来に比して大きい。このた
め、アウターリードボンディング時のショート不良が抑
制される。また、半導体チップの大きさが実装時の制約
により制限されることが回避されるため、半導体装置が
小型化され、半導体装置の高密度実装が達成できる。
また、本願の第2発明によれば、リードのアウターリ
ードボンディング側先端部がOLBホールの対向する2辺
かOLBホールの内側に導出しており、この各リード先端
は千鳥状に配列されているから、リード先端間の間隔が
従来に比して大きい。このため、本願の第1発明と同様
に、アウターリードボンディング時のショート不良が抑
制されると共に、半導体装置の高密度実装が達成でき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本願第1発明の実施例に係るフィルムキャリア
テープを示す平面図、第2図は同じくそのフィルムキャ
リアテープに半導体チップを接続した状態を示す断面
図、第3図は同じくそのフィルムキャリアテープを使用
した半導体装置の実装方法を示す断面図、第4図は本願
第2発明の実施例に係るフィルムキャリアテープを示す
平面図、第5図は同じくそのフィルムキャリアテープに
半導体チップを接続した状態を示す断面図、第6図は同
じくそのフィルムキャリアテープを使用した半導体装置
の実装方法を示す断面図、第7図は従来のフィルムキャ
リアテープを示す平面図、第8図及び第9図は同じくそ
のフィルムキャリアテープと半導体チップとの接続方法
を示す断面図、第10図は従来のフィルムキャリアテープ
型半導体装置の実装方法を示す断面図である。 1a,1b,1c;スプロケットホール、2a,2b,2c;半導体チッ
プ,3a,3b,3c;デバイスホール、4a,4b,4c;リード、5a,5
b,5c;電気選別パッド、6a,6b,6c;絶縁フィルム、7a,7b,
7c;バンプ、8c;サスペンダ、9a,9b,9c;樹脂、10a,10b,1
0c;接着材、11a,11b,11c;プリント基板、12a,12b,12c;
ボンディングパッド、13a,13b,13c,14a;アウターリード
ボンディングホール

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁フィルムと、この絶縁フィルムに設け
    られた矩形のデバイスホールと、このデバイスホールの
    周囲に前記デバイスホールの1辺に対して2個以上設け
    られた第1のアウターリードボンディングホールと、こ
    の第1のアウターリードボンディングホールの外側の領
    域に穿設された第2のアウターリードボンディングホー
    ルと、前記絶縁フィルム上に形成されその一端が前記デ
    バイスホールの内側に導出されており他端が前記第1の
    アウターリードボンディングホール及び第2のアウター
    リードボンディングホールのいずれか一方の上を選択的
    に横断している複数本のリードとを有することを特徴と
    するフィルムキャリアテープ。
  2. 【請求項2】絶縁フィルムと、この絶縁フィルムに設け
    られた矩形のデバイスホールと、このデバイスホールの
    周囲に前記デバイスホールの1辺に対して2個以上設け
    られたアウターリードボンディングホールと、前記絶縁
    フィルム上に形成されその一端が前記デバイスホールの
    内側に導出されており他端が前記アウターリードボンデ
    ィングホールのデバイスホールに近い側の辺及びこの辺
    に対向する辺から前記アウターリードボンディングホー
    ルの内側に導出された複数本のリードとを有し、前記リ
    ードの他端は前記アウターリードボンディングホールに
    おいて千鳥状に配列されていることを特徴とするフィル
    ムキャリアテープ。
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