JPH0412325A - 液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示素子及びその製造方法Info
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- JPH0412325A JPH0412325A JP11560690A JP11560690A JPH0412325A JP H0412325 A JPH0412325 A JP H0412325A JP 11560690 A JP11560690 A JP 11560690A JP 11560690 A JP11560690 A JP 11560690A JP H0412325 A JPH0412325 A JP H0412325A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示素子及びその製造方法に関する。
近年、液晶表示装置は軽量化及び薄型化が可能で、しか
も消費電力が小さく、カラー化が容易であること等の利
点から、パーソナル・コンピュータ、ワードプロセサー
などの末端表示や薄型テレビなどの映像表示に用いられ
ている。
も消費電力が小さく、カラー化が容易であること等の利
点から、パーソナル・コンピュータ、ワードプロセサー
などの末端表示や薄型テレビなどの映像表示に用いられ
ている。
液晶表示には、ツイストネマチイック(TN)タイプ、
スーパーツイストネマチイック(STN)タイプ、ゲス
トホストタイプ、相転移タイプ、複屈折制御タイプ等が
知られているが、最近はこれらのうち、TN液晶表示か
ら液晶分子のねじれ角を180〜360°ねじったST
N型液晶表示装置が注目を浴びている。
スーパーツイストネマチイック(STN)タイプ、ゲス
トホストタイプ、相転移タイプ、複屈折制御タイプ等が
知られているが、最近はこれらのうち、TN液晶表示か
ら液晶分子のねじれ角を180〜360°ねじったST
N型液晶表示装置が注目を浴びている。
通常はねじれ角200〜270°が一般的に用いられつ
つあるが、この場合ねじれ角を大きくすると、液晶分子
が基板上に配列する角(プレチルト角)を、従来の液晶
方式に比べ大きくする必要がある。そのため、特開昭6
4−24226号、同64−79725号、同64−7
9726号、同64−79727号、同64−8422
1号各公報等には、プレチルト角を大きくするための配
向膜(配向層)を形成させる手段が提案されている。
つあるが、この場合ねじれ角を大きくすると、液晶分子
が基板上に配列する角(プレチルト角)を、従来の液晶
方式に比べ大きくする必要がある。そのため、特開昭6
4−24226号、同64−79725号、同64−7
9726号、同64−79727号、同64−8422
1号各公報等には、プレチルト角を大きくするための配
向膜(配向層)を形成させる手段が提案されている。
液晶用配向材料としては、一般にポリイミド高分子化合
物が用いられている。このポリイミド膜をラビング処理
して、液晶分子を配列するプレチルト角を形成させる。
物が用いられている。このポリイミド膜をラビング処理
して、液晶分子を配列するプレチルト角を形成させる。
この方法により形成されるポリイミド膜のプレチルト角
は、2〜3°以下の小さな値である。STN方式で表示
する場合、液晶表示の走査線の数が200本以下では、
液晶分子のねじれ角が200°以下で良く、このときの
プレチルト角は2〜3°でも使用できる。しかし、走査
線本数が400本位の数になると、ねじれ角を240°
以上にすることが必要となり、これにつれてプレチルト
角も4〜5″′以上が要求されるようになる。
は、2〜3°以下の小さな値である。STN方式で表示
する場合、液晶表示の走査線の数が200本以下では、
液晶分子のねじれ角が200°以下で良く、このときの
プレチルト角は2〜3°でも使用できる。しかし、走査
線本数が400本位の数になると、ねじれ角を240°
以上にすることが必要となり、これにつれてプレチルト
角も4〜5″′以上が要求されるようになる。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが1通常のポリイミド化合物でプレチルト角を大
きくするには、ポリイミド膜形成処理温度を200℃近
辺以上の高温にまで上げなければならない。しかしなが
ら、ポリイミド膜形成のために高温処理を施すと、液晶
表示素子として能動素子(薄膜トランジスタ、二端子素
子等)やカラーフィルターを形成した基板上に配向膜を
形成させる場合、あるいは液晶表示素子の基板としてポ
リマーフィルムを用いた場合、素子やカラーフィルター
あるいはポリマーフィルム基板に損傷を及ぼすことが多
い。更に、高温処理のため生産性も悪く。
きくするには、ポリイミド膜形成処理温度を200℃近
辺以上の高温にまで上げなければならない。しかしなが
ら、ポリイミド膜形成のために高温処理を施すと、液晶
表示素子として能動素子(薄膜トランジスタ、二端子素
子等)やカラーフィルターを形成した基板上に配向膜を
形成させる場合、あるいは液晶表示素子の基板としてポ
リマーフィルムを用いた場合、素子やカラーフィルター
あるいはポリマーフィルム基板に損傷を及ぼすことが多
い。更に、高温処理のため生産性も悪く。
しかも配向層が不均一となる可能性も多い。
従って、本発明の目的は、前記従来技術の有する問題点
を克服した、低い処理温度で高プレチルト角が得られ、
安定である配向膜を使用した液晶表示素子及びその製造
方法を提供することにある。
を克服した、低い処理温度で高プレチルト角が得られ、
安定である配向膜を使用した液晶表示素子及びその製造
方法を提供することにある。
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、特定金属を含有す
るポリイミド又はポリアミド重合体を配向膜として用い
た液晶表示素子が前記目的に適合することを知見し、本
発明を完成するに到った。
るポリイミド又はポリアミド重合体を配向膜として用い
た液晶表示素子が前記目的に適合することを知見し、本
発明を完成するに到った。
すなわち、本発明によれば、ポリアミック酸、ポリイミ
ド系高分子又はポリアミド系高分子から得られたポリイ
ミド又はポリアミド重合体を主成分とする膜中に、II
Ib、IVa、IVb及びVa族の金属の少なくとも1
種を含有してなる高分子膜を、液晶の配向膜として用い
たことを特徴とする液晶表示素子が提供される。
ド系高分子又はポリアミド系高分子から得られたポリイ
ミド又はポリアミド重合体を主成分とする膜中に、II
Ib、IVa、IVb及びVa族の金属の少なくとも1
種を含有してなる高分子膜を、液晶の配向膜として用い
たことを特徴とする液晶表示素子が提供される。
また、本発明によれば、ポリアミック酸、ポリイミド系
高分子又はポリアミド系高分子を主成分とする高分子材
料の溶液に、mb、rVa、IVb及びVa族の金属の
少なくとも1種の有機化合物を混合溶解し、得られた混
合溶液を透明電極を有する電極基板上に塗布後加熱処理
して、該基板上にポリイミド又はポリアミド重合体被膜
を形成させ、更に該被膜に配向処理を施す工程を含むこ
とを特徴とする液晶表示素子の製造方法が提供される。
高分子又はポリアミド系高分子を主成分とする高分子材
料の溶液に、mb、rVa、IVb及びVa族の金属の
少なくとも1種の有機化合物を混合溶解し、得られた混
合溶液を透明電極を有する電極基板上に塗布後加熱処理
して、該基板上にポリイミド又はポリアミド重合体被膜
を形成させ、更に該被膜に配向処理を施す工程を含むこ
とを特徴とする液晶表示素子の製造方法が提供される。
本発明の液晶表示素子は、特定金属の有機化合物を含有
するポリイミド又はポリアミド重合体からなる配向膜を
基板上に形成させたことを特徴とするものであるが、前
記金属の有機化合物によりポリイミド前駆体のポリイミ
ド化反応が促進されるので、低温且つ短時間で前記重合
体の被膜が形成され、且つ配向処理により高プレチルト
角の安定な配向膜を形成することができるものとなる。
するポリイミド又はポリアミド重合体からなる配向膜を
基板上に形成させたことを特徴とするものであるが、前
記金属の有機化合物によりポリイミド前駆体のポリイミ
ド化反応が促進されるので、低温且つ短時間で前記重合
体の被膜が形成され、且つ配向処理により高プレチルト
角の安定な配向膜を形成することができるものとなる。
以下、本発明の液晶表示素子及びその製造方法について
、詳細に説明する。
、詳細に説明する。
ポリアミック酸、ポリイミド系高分子及びポリアミド系
高分子化合物、特にポリイミドの前駆体であるポリアミ
ック酸は、加熱処理を受けて化合物中の脱水反応により
イミド化を完結させる。
高分子化合物、特にポリイミドの前駆体であるポリアミ
ック酸は、加熱処理を受けて化合物中の脱水反応により
イミド化を完結させる。
般に、加熱処理温度が高いと、ポリイミド化が進むと同
時に配向処理(ラビング)した膜のプレチルト角は大き
くなる。一方、加熱処理温度が低いと、同時配向処理し
てもプレチルト角は大きくならないし、安定性に欠ける
。従って、ポリイミド化を充分完結することは是非必要
である。
時に配向処理(ラビング)した膜のプレチルト角は大き
くなる。一方、加熱処理温度が低いと、同時配向処理し
てもプレチルト角は大きくならないし、安定性に欠ける
。従って、ポリイミド化を充分完結することは是非必要
である。
本発明で使用する金属の有機化合物(有機金属化合物)
は、非常に反応性に富み、特に加水分解反応性が強い。
は、非常に反応性に富み、特に加水分解反応性が強い。
ポリアミック酸のイミド化反応は加熱による脱水反応で
あるため、前記有機金属化合物を添加すると、イミド化
反応が促進される。
あるため、前記有機金属化合物を添加すると、イミド化
反応が促進される。
また、前記有機金属化合物の金属は、一般に遷移金属と
呼ばれる元素であり、配位結合により商号一 膜中の活性基と結合を形成することもあり、熱的にも安
定な膜を形成する。また、結合して膜中に存在するため
、液晶への悪影響もない。なお、ポリアミック酸のイミ
ド化の主反応は、下式で示される。
呼ばれる元素であり、配位結合により商号一 膜中の活性基と結合を形成することもあり、熱的にも安
定な膜を形成する。また、結合して膜中に存在するため
、液晶への悪影響もない。なお、ポリアミック酸のイミ
ド化の主反応は、下式で示される。
(式中、Roは脂環式構造を含むテトラカルボン酸又は
その誘導体を構成する4価の有機基を、またR2は脂環
式構造を含むジアミンを構成する2価の有機基をそれぞ
れ示す。) 一方、前記有機金属化合物の被膜は、表面張力を低下さ
せる作用も有する。特に、Ti化合物は被膜の臨界表面
張力が20前後で、一般に液晶を垂直配向させる。従っ
て、これらの化合物がポリイミド膜、ポリアミド膜中に
存在すると、垂直配向性から水平配向性まで変化させる
ことができ、プレチルト角を大きな範囲(数度〜90°
)で制御できる。
その誘導体を構成する4価の有機基を、またR2は脂環
式構造を含むジアミンを構成する2価の有機基をそれぞ
れ示す。) 一方、前記有機金属化合物の被膜は、表面張力を低下さ
せる作用も有する。特に、Ti化合物は被膜の臨界表面
張力が20前後で、一般に液晶を垂直配向させる。従っ
て、これらの化合物がポリイミド膜、ポリアミド膜中に
存在すると、垂直配向性から水平配向性まで変化させる
ことができ、プレチルト角を大きな範囲(数度〜90°
)で制御できる。
前記有機金属化合物の金属としては、IIIb、IVa
、IVb及びVa族のものを用いることができ、その具
体的としては、例えばTi、 Zr、 Cr、 V、
No、 AQ、Sn及びZnが挙げられ、有機金属化合
物としてはそれらの有機アルコラード化合物のタイプが
扱いやすい。もちろん、アルコラードタイプに限定され
るものではない。これらの中でも、特に金属としてはT
i及びZrが有効で、テトラブトキシチタネート、チタ
ニウムアセチルアセテート、ジルコニウムアセチルアセ
テートなどの有機金属化合物が好ましい。有機金属化合
物のポリアミック酸、ポリイミド、ポリアミド等への添
加量は、場合により異なるが、高分子化合物に対して0
.05〜30重量%の範囲が好ましい。有機金属化合物
の添加量が30重量%を越える場合には、有機金属化合
物の特性が支配的となる。逆に、 0.05重量%未満
の場合には、イミド化の反応率が低い。しかし、低イミ
ド化率でも良い配向処理剤の場合は、0.05重量%未
満でも良い。
、IVb及びVa族のものを用いることができ、その具
体的としては、例えばTi、 Zr、 Cr、 V、
No、 AQ、Sn及びZnが挙げられ、有機金属化合
物としてはそれらの有機アルコラード化合物のタイプが
扱いやすい。もちろん、アルコラードタイプに限定され
るものではない。これらの中でも、特に金属としてはT
i及びZrが有効で、テトラブトキシチタネート、チタ
ニウムアセチルアセテート、ジルコニウムアセチルアセ
テートなどの有機金属化合物が好ましい。有機金属化合
物のポリアミック酸、ポリイミド、ポリアミド等への添
加量は、場合により異なるが、高分子化合物に対して0
.05〜30重量%の範囲が好ましい。有機金属化合物
の添加量が30重量%を越える場合には、有機金属化合
物の特性が支配的となる。逆に、 0.05重量%未満
の場合には、イミド化の反応率が低い。しかし、低イミ
ド化率でも良い配向処理剤の場合は、0.05重量%未
満でも良い。
本発明において用いられるポリアミック酸、ポリイミド
系高分子及びポリアミド系高分子としては、例えば下記
一般式(1)で表わされる化合物が挙げられる。
系高分子及びポリアミド系高分子としては、例えば下記
一般式(1)で表わされる化合物が挙げられる。
(式中、Roは脂環式構造を含むテトラカルボン酸又は
その誘導体を構成する4価の有機基を、R2は脂環式構
造を含むジアミンを構成する2価の有機基を、またR3
は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を、それぞれ
示す。) 上式中、R1の具体例としてはシクロブタン、シクロペ
ンタン、シクロヘキサン、ベンゼン等から誘導される4
価の基が、R2の具体例としては、シクロヘキサン、ジ
シクロヘキシルメタン、ジシクロへキシルスルホン、ジ
シクロヘキシルエーテル、ジフェニルエーテル、ジフェ
ニルメタン、ジフェニルスルホン、長鎖状アルキル化合
物などから誘導される2価の基が、またR3のアルキル
基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル基など
が、それぞれ挙げられる。
その誘導体を構成する4価の有機基を、R2は脂環式構
造を含むジアミンを構成する2価の有機基を、またR3
は水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を、それぞれ
示す。) 上式中、R1の具体例としてはシクロブタン、シクロペ
ンタン、シクロヘキサン、ベンゼン等から誘導される4
価の基が、R2の具体例としては、シクロヘキサン、ジ
シクロヘキシルメタン、ジシクロへキシルスルホン、ジ
シクロヘキシルエーテル、ジフェニルエーテル、ジフェ
ニルメタン、ジフェニルスルホン、長鎖状アルキル化合
物などから誘導される2価の基が、またR3のアルキル
基の具体例としては、メチル、エチル、プロピル基など
が、それぞれ挙げられる。
次に、本発明の液晶表示素子の製造方法について説明す
る。
る。
本発明の液晶表示素子の製造方法は、前記高分子材料の
溶液に前記有機金属化合物を混合溶解し、得られた混合
溶液を透明電極を有する電極基板上に塗布後加熱処理し
て、尊基板上にポリイミド又はポリアミド重合体被膜を
形成させ、更に該被膜に配向処理を施す工程を含むこと
を特徴とする。
溶液に前記有機金属化合物を混合溶解し、得られた混合
溶液を透明電極を有する電極基板上に塗布後加熱処理し
て、尊基板上にポリイミド又はポリアミド重合体被膜を
形成させ、更に該被膜に配向処理を施す工程を含むこと
を特徴とする。
すなわち、本発明の製造方法においては、先ずポリアミ
ック酸、ポリイミド系高分子又はポリアミド系高分子を
主成分とする高分子材料の溶液に、前記有機金属化合物
の少なくとも1種の適量を添加溶解し、塗布用の溶液を
調製する。前記高分子材料を溶解する溶媒としては、極
性溶媒が好ましく、その具体例としては、例えばN−メ
チル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルカ
プロラクタム、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチル
スルホラン、ヘキサメチルホスホルアミド、ブチロラク
トン等を挙げることができる。これらの極性溶媒は、単
独で用いてもよいし、2種以上のものを組合せて用いて
もよい。この溶媒は用いるポリアミック酸、ポリイミド
系高分子、ポリアミド系高分子の溶解性により選定され
るので、上記以外でも良い。
ック酸、ポリイミド系高分子又はポリアミド系高分子を
主成分とする高分子材料の溶液に、前記有機金属化合物
の少なくとも1種の適量を添加溶解し、塗布用の溶液を
調製する。前記高分子材料を溶解する溶媒としては、極
性溶媒が好ましく、その具体例としては、例えばN−メ
チル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルカ
プロラクタム、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチル
スルホラン、ヘキサメチルホスホルアミド、ブチロラク
トン等を挙げることができる。これらの極性溶媒は、単
独で用いてもよいし、2種以上のものを組合せて用いて
もよい。この溶媒は用いるポリアミック酸、ポリイミド
系高分子、ポリアミド系高分子の溶解性により選定され
るので、上記以外でも良い。
溶液中の前記高分子材料の濃度は、通常0.1〜10重
量算の範囲が好ましい。該濃度が10重量%を越えると
塗布性が低下する。
量算の範囲が好ましい。該濃度が10重量%を越えると
塗布性が低下する。
次に、調製された塗布液を透明電極を有する電極基板上
に塗布するが、塗布の方法は特に限定されず、例えばス
ピン塗布法、印刷塗布法、浸漬塗布法等の通常の方法を
採用することができる。塗布膜の厚さは、被膜状態で5
00〜2,000人の範囲とするのが好ましい。
に塗布するが、塗布の方法は特に限定されず、例えばス
ピン塗布法、印刷塗布法、浸漬塗布法等の通常の方法を
採用することができる。塗布膜の厚さは、被膜状態で5
00〜2,000人の範囲とするのが好ましい。
続いて、得られた塗布膜を乾燥及び加熱処理すると、溶
媒が除去され、且つポリアミック酸がイミド化して、ポ
リイミド又はポリアミド重合体被膜が形成される。乾燥
加熱処理条件は、溶媒の種類等によって異なるので一概
には規定できないが、−数的には約60〜約200℃の
温度で、約30分〜約2時間程度である。
媒が除去され、且つポリアミック酸がイミド化して、ポ
リイミド又はポリアミド重合体被膜が形成される。乾燥
加熱処理条件は、溶媒の種類等によって異なるので一概
には規定できないが、−数的には約60〜約200℃の
温度で、約30分〜約2時間程度である。
以上のようにして形成された重合体被膜に、配向処理を
施こすことによって、配向膜が形成される。配向処理の
手段としては、特に限定されるものではなく、通常の方
法を採用することができ。
施こすことによって、配向膜が形成される。配向処理の
手段としては、特に限定されるものではなく、通常の方
法を採用することができ。
例えばスポンジ、ナイロン植毛布等でラビング処理する
ことによって、容易に達成することができる。
ことによって、容易に達成することができる。
このようにして形成された配向膜により得られるプレチ
ルト角の大きさは、加熱処理の温度及び配向処理の程度
によって、数度から90°の範囲で制御することができ
る。
ルト角の大きさは、加熱処理の温度及び配向処理の程度
によって、数度から90°の範囲で制御することができ
る。
11一
液晶表示素子の基板としては、種々の材料のものを用い
ることができ、例えば−軸延伸ポリエステルフィルム、
ポリエーテルサルフォンフィルム、ボリアリレートフィ
ルム、表面加工したポリカーボネートフィルム等のポリ
マーフィルムやガラス、石英ガラスなどが挙げられる。
ることができ、例えば−軸延伸ポリエステルフィルム、
ポリエーテルサルフォンフィルム、ボリアリレートフィ
ルム、表面加工したポリカーボネートフィルム等のポリ
マーフィルムやガラス、石英ガラスなどが挙げられる。
特に本発明においては、ポリマーフィルム又はカラーフ
ィルターを設けたガラス基板を用いると、低温加工でき
るため有利である。
ィルターを設けたガラス基板を用いると、低温加工でき
るため有利である。
液晶としては、特に限定されず、液晶表示素子において
従来用いられてきた物質、例えばネマティック液晶、コ
レステリック液晶、スメクチック液晶、強誘電性液晶等
を用いることができる。
従来用いられてきた物質、例えばネマティック液晶、コ
レステリック液晶、スメクチック液晶、強誘電性液晶等
を用いることができる。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。
発明はこれらに限定されるものではない。
実施例1
ポリアミック酸[前記一般式(1)において、R1カ◎
、R2が−o−O−o−1R3カ水素g 子1’ 示す
hる化合物]のN−メチル−2−ピロリドンの3%溶液
を調製し、この溶液にテトラ−n−ブトキシチタネート
(TOT)を固形分比で0.2%添加し、これをスピナ
ーでl軸延伸ポリエステルフィルムに塗布後、100℃
で1時間乾燥加熱処理し、800人の被膜を形成した。
、R2が−o−O−o−1R3カ水素g 子1’ 示す
hる化合物]のN−メチル−2−ピロリドンの3%溶液
を調製し、この溶液にテトラ−n−ブトキシチタネート
(TOT)を固形分比で0.2%添加し、これをスピナ
ーでl軸延伸ポリエステルフィルムに塗布後、100℃
で1時間乾燥加熱処理し、800人の被膜を形成した。
得られた被覆をスポンジでラビング処理し、液晶(ZL
I2293;メルク社製)を用いて2400ツイストの
液晶セルを作製し、プレチルト角を測定したところ、約
5″の値が得られ、TOT未添加の場合(プレチルト角
約2°)と比べ、大きな値が得られた。
I2293;メルク社製)を用いて2400ツイストの
液晶セルを作製し、プレチルト角を測定したところ、約
5″の値が得られ、TOT未添加の場合(プレチルト角
約2°)と比べ、大きな値が得られた。
実施例2
実施例1におけるTOTの代わりに、ジルコニウムアセ
チルアセテートを0.5%添加した以外は、実施例1と
同様な方法で液晶表示素子を作製し、プレチルト角を測
定したところ、約7″の値が得られた。
チルアセテートを0.5%添加した以外は、実施例1と
同様な方法で液晶表示素子を作製し、プレチルト角を測
定したところ、約7″の値が得られた。
実施例3
実施例1におけるTOTの添加量を約2%に代えた以外
は、実施例1と同様な方法で液晶表示素子を作製し、評
価したところ、垂直配向状態が得られた。
は、実施例1と同様な方法で液晶表示素子を作製し、評
価したところ、垂直配向状態が得られた。
=14−
請求項(1)の液晶表示素子は、ポリイミド又はポリア
ミド重合体を主成分とする膜中に、前記特定の金属を配
合した高分子膜を、液晶の配向膜として用いた構成とし
たことから、次のような卓越した効果を奏する。
ミド重合体を主成分とする膜中に、前記特定の金属を配
合した高分子膜を、液晶の配向膜として用いた構成とし
たことから、次のような卓越した効果を奏する。
(イ)高プレチルト角配向処理膜が形成される。
(ロ)ポリマーフィルム基板上にも安定な高プレチルト
角配向処理膜が形成され、走査線数の多いスーパーツイ
スト液晶表示素子が得られる。
角配向処理膜が形成され、走査線数の多いスーパーツイ
スト液晶表示素子が得られる。
また、請求項(2)の液晶表示素子の製造方法は、ポリ
アミック酸、ポリイミド系高分子又はポリアミド系高分
子を主成分とする高分子材料の溶液に、前記特定の金属
の有機化合物を混合溶解し、該混合溶液を透明電極を有
する基板上に塗布後加熱処理し、ポリイミド又はポリア
ミド重合体被膜を形成させ、更に該被覆に配向処理を施
すという構成としたことから、次のような卓越した効果
を奏する。
アミック酸、ポリイミド系高分子又はポリアミド系高分
子を主成分とする高分子材料の溶液に、前記特定の金属
の有機化合物を混合溶解し、該混合溶液を透明電極を有
する基板上に塗布後加熱処理し、ポリイミド又はポリア
ミド重合体被膜を形成させ、更に該被覆に配向処理を施
すという構成としたことから、次のような卓越した効果
を奏する。
(ハ)低温で短時間にポリイミド又はポリアミド重合体
被覆を形成することができる。
被覆を形成することができる。
(ニ)能動素子、カラーフィルターを損傷することなく
、生産性を向上することが可能となる。
、生産性を向上することが可能となる。
特許出願人 株式会社 リ コ −
代理人弁理士 池浦敏明(ほか1名)
Claims (2)
- (1)ポリアミック酸、ポリイミド系高分子又はポリア
ミド系高分子から得られたポリイミド、ポリアミド又は
ポリアミドイミド重合体を主成分とする膜中に、IIIb
、IVa、IVb及びVa族の金属の少なくとも1種を含有
してなる高分子膜を、液晶の配向膜として用いたことを
特徴とする液晶表示素子。 - (2)ポリアミック酸、ポリイミド系高分子又はポリア
ミド系高分子を主成分とする高分子材料の溶液に、III
b、IVa、IVb及びVa族の金属の少なくとも1種の有
機化合物を混合溶解し、得られた混合溶液を透明電極を
有する電極基板上に塗布後加熱処理して、該基板上にポ
リイミド、ポリアミド又はポリアミドイミド重合体被膜
を形成させ、更に該被膜に配向処理を施す工程を含むこ
とを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11560690A JPH0412325A (ja) | 1990-05-01 | 1990-05-01 | 液晶表示素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11560690A JPH0412325A (ja) | 1990-05-01 | 1990-05-01 | 液晶表示素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0412325A true JPH0412325A (ja) | 1992-01-16 |
Family
ID=14666801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11560690A Pending JPH0412325A (ja) | 1990-05-01 | 1990-05-01 | 液晶表示素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0412325A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5686980A (en) * | 1995-04-03 | 1997-11-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light-shielding film, useable in an LCD, in which fine particles of a metal or semi-metal are dispersed in and throughout an inorganic insulating film |
WO2000061684A1 (fr) * | 1999-04-09 | 2000-10-19 | Chisso Corporation | Composition de vernis et element d'affichage a cristaux liquides |
JP2005176596A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Lg Electron Inc | 洗濯機用アウタロータ型モータのステータコア及びバックヨークの製造方法 |
-
1990
- 1990-05-01 JP JP11560690A patent/JPH0412325A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5686980A (en) * | 1995-04-03 | 1997-11-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light-shielding film, useable in an LCD, in which fine particles of a metal or semi-metal are dispersed in and throughout an inorganic insulating film |
WO2000061684A1 (fr) * | 1999-04-09 | 2000-10-19 | Chisso Corporation | Composition de vernis et element d'affichage a cristaux liquides |
US6685997B1 (en) | 1999-04-09 | 2004-02-03 | Chisso Corporation | Varnish composition and liquid-crystal display element |
JP4591803B2 (ja) * | 1999-04-09 | 2010-12-01 | チッソ株式会社 | ワニス組成物および液晶表示素子 |
JP2005176596A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Lg Electron Inc | 洗濯機用アウタロータ型モータのステータコア及びバックヨークの製造方法 |
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