JPH08264530A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置Info
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- JPH08264530A JPH08264530A JP6127895A JP6127895A JPH08264530A JP H08264530 A JPH08264530 A JP H08264530A JP 6127895 A JP6127895 A JP 6127895A JP 6127895 A JP6127895 A JP 6127895A JP H08264530 A JPH08264530 A JP H08264530A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】絶縁層上に密着層を介してタングステン膜を形
成し、その後タングステン膜及び密着層をエッチングす
る半導体装置の製造方法及びドライエッチング装置に関
し、スループットを低下させずに密着層及び主導電膜を
形成すること、プロセスの安定性や再現性を確保するこ
と、装置の設置面積を可能な限り縮小すること、装置の
処理能力を低下させることなく低温エッチング後の基板
表面での結露を防ぐこと、反応生成物を残すことなくレ
ジスト膜の除去を行う。 【構成】タングステンを含むガスを主としてジボランに
より還元し、絶縁層１１上に第１のタングステン膜１４
を形成する工程と、タングステンを含むガスを水素又は
シランにより還元し、第１のタングステン膜１４上に第
２のタングステン膜１５を形成する工程とを有する。
成し、その後タングステン膜及び密着層をエッチングす
る半導体装置の製造方法及びドライエッチング装置に関
し、スループットを低下させずに密着層及び主導電膜を
形成すること、プロセスの安定性や再現性を確保するこ
と、装置の設置面積を可能な限り縮小すること、装置の
処理能力を低下させることなく低温エッチング後の基板
表面での結露を防ぐこと、反応生成物を残すことなくレ
ジスト膜の除去を行う。 【構成】タングステンを含むガスを主としてジボランに
より還元し、絶縁層１１上に第１のタングステン膜１４
を形成する工程と、タングステンを含むガスを水素又は
シランにより還元し、第１のタングステン膜１４上に第
２のタングステン膜１５を形成する工程とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
及び半導体装置の製造装置に関し、より詳しくは、絶縁
層上に密着層を介してタングステン膜を形成し、その後
タングステン膜及び密着層をエッチングする半導体装置
の製造方法及びドライエッチング装置に関する。
及び半導体装置の製造装置に関し、より詳しくは、絶縁
層上に密着層を介してタングステン膜を形成し、その後
タングステン膜及び密着層をエッチングする半導体装置
の製造方法及びドライエッチング装置に関する。
【０００２】近年、半導体装置の微細化、高集積化が進
むにつれて、コンタクトホールやビアホールのアスペク
ト比は更に高くなる傾向にある。このため、ブランケッ
トタングステンを用いてコンタクトホール等を埋め、上
部配線層のカバレージを改善して、上下配線層との間で
良好なコンタクトを得る技術が必要となる。また、半導
体装置の微細化、高集積化が進むにつれて、メタル配線
層の信頼度の維持・向上が難しくなってきている。特に
サブミクロンレベルのメタル配線層として、アルミニウ
ム或いはアルミニウム合金単層を用いる場合、ストレス
マイグレーションやエレクトロマイグレーションの点か
ら、高い信頼度を要求される製品への適用が難しくなっ
てきている。この対策として、アルミニウム膜と他の金
属膜との積層配線構造、例えばＡｌ膜／ＴｉＮ膜等の多
層の配線層が使用されている。しかし、より高い信頼性
を得るために、新しい配線材料としてタングステンが使
用されはじめている。
むにつれて、コンタクトホールやビアホールのアスペク
ト比は更に高くなる傾向にある。このため、ブランケッ
トタングステンを用いてコンタクトホール等を埋め、上
部配線層のカバレージを改善して、上下配線層との間で
良好なコンタクトを得る技術が必要となる。また、半導
体装置の微細化、高集積化が進むにつれて、メタル配線
層の信頼度の維持・向上が難しくなってきている。特に
サブミクロンレベルのメタル配線層として、アルミニウ
ム或いはアルミニウム合金単層を用いる場合、ストレス
マイグレーションやエレクトロマイグレーションの点か
ら、高い信頼度を要求される製品への適用が難しくなっ
てきている。この対策として、アルミニウム膜と他の金
属膜との積層配線構造、例えばＡｌ膜／ＴｉＮ膜等の多
層の配線層が使用されている。しかし、より高い信頼性
を得るために、新しい配線材料としてタングステンが使
用されはじめている。
【０００３】タングステン膜を用いた場合、下地絶縁層
とタングステン膜の間の密着性を向上させるため、密着
層と呼ばれる窒化チタン膜等の導電膜を介在させること
が多い。現在、量産に適したこれらの膜のエッチング方
法は確立されておらず、様々な検討がなされている。ま
た、このエッチング方法に用いられるエッチング装置の
開発も進んでいる。
とタングステン膜の間の密着性を向上させるため、密着
層と呼ばれる窒化チタン膜等の導電膜を介在させること
が多い。現在、量産に適したこれらの膜のエッチング方
法は確立されておらず、様々な検討がなされている。ま
た、このエッチング方法に用いられるエッチング装置の
開発も進んでいる。
【０００４】
【従来の技術】一般に、ブランケットタングステン２は
酸化膜１との密着性が悪く、図９（ａ）に示すような剥
がれなどが生じることがある。このため、図９（ｂ）に
示すように、タングステン膜２と酸化膜１の間に密着層
３を介在させて密着性を高め、タングステン膜２の剥が
れを防止している。
酸化膜１との密着性が悪く、図９（ａ）に示すような剥
がれなどが生じることがある。このため、図９（ｂ）に
示すように、タングステン膜２と酸化膜１の間に密着層
３を介在させて密着性を高め、タングステン膜２の剥が
れを防止している。
【０００５】密着層３としてＴｉＮ膜が用いられること
が多く、スパッタ法により形成されるが、層間絶縁膜や
タングステン膜を形成するためのＣＶＤ法と異なるた
め、２つの成膜工程の間に装置への出し入れが伴い、ス
ループットの低下を招く。また、近年ＣＶＤ法によるＴ
ｉＮ膜の形成技術も確立されてきつつあるが、ブランケ
ットタングステンの堆積方法とは反応ガス等プロセス条
件が大きく異なるため、同一チャンバ内での連続成膜は
困難であり、やはりスループットの向上を図るためには
適していない。
が多く、スパッタ法により形成されるが、層間絶縁膜や
タングステン膜を形成するためのＣＶＤ法と異なるた
め、２つの成膜工程の間に装置への出し入れが伴い、ス
ループットの低下を招く。また、近年ＣＶＤ法によるＴ
ｉＮ膜の形成技術も確立されてきつつあるが、ブランケ
ットタングステンの堆積方法とは反応ガス等プロセス条
件が大きく異なるため、同一チャンバ内での連続成膜は
困難であり、やはりスループットの向上を図るためには
適していない。
【０００６】ところで、図１０（ａ）に示すように、ジ
ボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）の還元により形成されたタングステ
ン膜２ａは密着層を必要とせず、シリコン酸化膜１ａ等
絶縁膜の上に直接形成することができるため、スループ
ットの向上を図ろうとする場合に適している。また、ブ
ランケットタングステンと同じＣＶＤ法であるため、プ
ロセス開発等が容易に行えるという特徴を持つ。従っ
て、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁膜１ａ上
にジボランを用いて成膜されたタングステン膜２ａを配
線層として用いることも試されている。なお、図１０
（ｂ）は半導体基板５上の絶縁膜１ｂに形成されたコン
タクトホール６を通して底部の半導体基板５と接続する
配線層２ｂを示す。
ボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）の還元により形成されたタングステ
ン膜２ａは密着層を必要とせず、シリコン酸化膜１ａ等
絶縁膜の上に直接形成することができるため、スループ
ットの向上を図ろうとする場合に適している。また、ブ
ランケットタングステンと同じＣＶＤ法であるため、プ
ロセス開発等が容易に行えるという特徴を持つ。従っ
て、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁膜１ａ上
にジボランを用いて成膜されたタングステン膜２ａを配
線層として用いることも試されている。なお、図１０
（ｂ）は半導体基板５上の絶縁膜１ｂに形成されたコン
タクトホール６を通して底部の半導体基板５と接続する
配線層２ｂを示す。
【０００７】また、成膜されたチタンを含む合金膜及び
タングステン膜から配線層を形成するため、これらをエ
ッチングする工程が必要となる。タングステン膜のエッ
チングには、フッ素を含むガスが多く用いられ、そのエ
ッチング時の基板温度が、加工形状の制御の上で重要な
パラメータとなることが知られている。公知例によれ
ば、例えば、基板温度は−２０℃以下の低温（実用上、
−３５〜−５０℃が好ましい。）であることが必要とさ
れる。一方、この条件下では、チタンを含む合金のエッ
チングが進みにくく、更に、下地絶縁膜（シリコン酸化
膜）とタングステン膜とのエッチングの選択比を大きく
することが難しいので、タングステン膜とチタンを含む
合金膜とを同じチャンバ内でエッチングする場合に、非
常にマージンの狭い条件となっている。
タングステン膜から配線層を形成するため、これらをエ
ッチングする工程が必要となる。タングステン膜のエッ
チングには、フッ素を含むガスが多く用いられ、そのエ
ッチング時の基板温度が、加工形状の制御の上で重要な
パラメータとなることが知られている。公知例によれ
ば、例えば、基板温度は−２０℃以下の低温（実用上、
−３５〜−５０℃が好ましい。）であることが必要とさ
れる。一方、この条件下では、チタンを含む合金のエッ
チングが進みにくく、更に、下地絶縁膜（シリコン酸化
膜）とタングステン膜とのエッチングの選択比を大きく
することが難しいので、タングステン膜とチタンを含む
合金膜とを同じチャンバ内でエッチングする場合に、非
常にマージンの狭い条件となっている。
【０００８】この問題を避けるため、異なるプロセス条
件でそれぞれの膜をエッチングすることが必要となる。
従って、従来、タングステン膜とチタンを含む合金膜を
別々の装置でエッチングするという方法が採られてき
た。
件でそれぞれの膜をエッチングすることが必要となる。
従って、従来、タングステン膜とチタンを含む合金膜を
別々の装置でエッチングするという方法が採られてき
た。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ジボラ
ンを用いてタングステン膜を成膜する場合、抵抗を減ら
すため厚膜化すると、図１０（ａ）に示すように、その
タングステン膜２ａの表面に凹凸４が生じる（表面モホ
ロジが悪化する）こと、図１０（ｂ）に示すように、下
地の半導体基板５への侵入が顕著になり、半導体基板５
に浅いＰＮ接合が形成されている場合にその侵入層７が
ＰＮ接合を貫いて電気的ショートの原因となることなど
の問題がある。
ンを用いてタングステン膜を成膜する場合、抵抗を減ら
すため厚膜化すると、図１０（ａ）に示すように、その
タングステン膜２ａの表面に凹凸４が生じる（表面モホ
ロジが悪化する）こと、図１０（ｂ）に示すように、下
地の半導体基板５への侵入が顕著になり、半導体基板５
に浅いＰＮ接合が形成されている場合にその侵入層７が
ＰＮ接合を貫いて電気的ショートの原因となることなど
の問題がある。
【００１０】また、タングステン膜とＴｉＮ膜をエッチ
ングする場合、前記したように、プロセスマージンが狭
いため、製品量産時の安定性、再現性を確保する点で、
同一チャンバ内でのエッチングは困難であり、スループ
ットの向上を図れないという問題がある。プロセスマー
ジンを広げるために、２台の装置で別々にエッチングす
るようにした場合、装置コストの増加や、設置面積の増
大を招くという問題がある。
ングする場合、前記したように、プロセスマージンが狭
いため、製品量産時の安定性、再現性を確保する点で、
同一チャンバ内でのエッチングは困難であり、スループ
ットの向上を図れないという問題がある。プロセスマー
ジンを広げるために、２台の装置で別々にエッチングす
るようにした場合、装置コストの増加や、設置面積の増
大を招くという問題がある。
【００１１】更に、上記以外にも、解決しなければなら
ない以下のような問題がある。 低温エッチングの場合には、エッチング後のウエハを
そのまま大気中に出すと、ウエハが冷えているためウエ
ハ表面で大気中の水分が結露し、ウエハ上に残留してい
る反応生成物と反応して異物が生じたり、反応生成物の
溶融液が生成されて配線層に作用し、形成した配線層に
欠陥が生じたりするという問題がある。これを避けるた
め、水分を蒸発させるためのヒータ等が必要になるが、
これは設備コストの増大ばかりでなく、加熱時間を必要
とするため、ウエハの処理能力の低下を来す。
ない以下のような問題がある。 低温エッチングの場合には、エッチング後のウエハを
そのまま大気中に出すと、ウエハが冷えているためウエ
ハ表面で大気中の水分が結露し、ウエハ上に残留してい
る反応生成物と反応して異物が生じたり、反応生成物の
溶融液が生成されて配線層に作用し、形成した配線層に
欠陥が生じたりするという問題がある。これを避けるた
め、水分を蒸発させるためのヒータ等が必要になるが、
これは設備コストの増大ばかりでなく、加熱時間を必要
とするため、ウエハの処理能力の低下を来す。
【００１２】レジスト膜をマスクとして低温でエッチ
ングする場合、エッチング後のレジスト膜の側壁に除去
しにくい反応生成物が付着しており、酸素プラズマを用
いたアッシングでは除去しきれない場合が多い。この残
留物があると、その上に絶縁膜を堆積したとき異常成長
等が生じ、良品収率の低下を招く。また、この反応生成
物を除去するための処理を加えることは、設備コストの
増大や、ウエハの処理能力の低下を来す。
ングする場合、エッチング後のレジスト膜の側壁に除去
しにくい反応生成物が付着しており、酸素プラズマを用
いたアッシングでは除去しきれない場合が多い。この残
留物があると、その上に絶縁膜を堆積したとき異常成長
等が生じ、良品収率の低下を招く。また、この反応生成
物を除去するための処理を加えることは、設備コストの
増大や、ウエハの処理能力の低下を来す。
【００１３】本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて
創作されたものであり、スループットを低下させずに密
着層及び主導電膜からなる配線層を形成すること、プロ
セスの安定性や再現性を確保すること、装置の設置面積
を可能な限り縮小すること、装置の処理能力を低下させ
ることなく低温エッチング後の基板表面での結露を防ぐ
こと、反応生成物を残すことなくレジスト膜の除去を行
うことができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の
製造装置を提供することを目的とする。
創作されたものであり、スループットを低下させずに密
着層及び主導電膜からなる配線層を形成すること、プロ
セスの安定性や再現性を確保すること、装置の設置面積
を可能な限り縮小すること、装置の処理能力を低下させ
ることなく低温エッチング後の基板表面での結露を防ぐ
こと、反応生成物を残すことなくレジスト膜の除去を行
うことができる半導体装置の製造方法及び半導体装置の
製造装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、タ
ングステンを含むガスを主としてジボランにより還元
し、絶縁層上に第１のタングステン膜を形成する工程
と、タングステンを含むガスを水素又はシランにより還
元し、前記第１のタングステン膜上に第２のタングステ
ン膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体
装置の製造方法によって達成され、第２に、半導体基板
上に絶縁層を形成した後、前記絶縁層に開口を形成する
工程と、タングステンを含むガスを主としてジボランに
より還元し、前記開口を被覆して前記絶縁層上に第１の
タングステン膜を形成する工程と、タングステンを含む
ガスを水素又はシランにより還元し、前記第１のタング
ステン膜上に第２のタングステン膜を形成する工程とを
有することを特徴とする半導体装置の製造方法によって
達成され、第３に、前記第１のタングステン膜は、前記
絶縁層と前記第２のタングステン膜との間の密着を強化
する密着層であり、前記第２のタングステン膜は主導電
層であることを特徴とする第１又は第２の発明に記載の
半導体装置の製造方法によって達成され、第４に、前記
第１のタングステン膜及び前記第２のタングステン膜は
ブランケットタングステンであることを特徴とする第１
乃至第３の発明のいずれかに記載の半導体装置の製造方
法によって達成され、第５に、前記第２のタングステン
膜の形成後、前記第１のタングステン膜及び第２のタン
グステン膜をエッチングして前記開口に埋め込むことを
特徴とする第４の発明に記載の半導体装置の製造方法に
よって達成され、第６に、前記第２のタングステン膜の
形成後、前記第１のタングステン膜及び第２のタングス
テン膜を選択的にエッチングして配線層を形成すること
を特徴とする第４の発明に記載の半導体装置の製造方法
によって達成され、第７に、基板上に窒化チタン膜とタ
ングステン膜とを順に形成する工程と、減圧雰囲気中
で、前記基板を−２０℃以下の温度に保持してフッ素を
含むガスにより前記タングステン膜をエッチングする工
程と、前記タングステン膜のエッチング後に大気に曝さ
ないで前記基板を前記窒化チタン膜のエッチング場所に
移す工程と、減圧雰囲気中で、前記基板を１５℃以上の
温度に保持して塩素又は塩素を含むガスにより前記窒化
チタン膜をエッチングする工程とを有することを特徴と
する半導体装置の製造方法によって達成され、第８に、
前記フッ素を含むガスは三フッ化窒素であることを特徴
とする第７の発明に記載の半導体装置の製造方法によっ
て達成され、第９に、レジスト膜をマスクとして前記タ
ングステン膜と前記窒化チタン膜をエッチングした後、
活性化したフッ素を含むガスと酸素を含むガスの混合ガ
スに前記レジスト膜を曝して除去することを特徴とする
第７又は第８の発明に記載の半導体装置の製造方法によ
って達成され、第１０に、基板の冷却手段を備え、活性
化された第１のガスにより減圧状態で前記基板上の第１
の被エッチング体をエッチングする第１のチャンバと、
前記基板の加熱手段及び冷却手段を備え、活性化された
第２のガスにより減圧状態で前記基板上の第２の被エッ
チング体をエッチングする第２のチャンバと、前記第１
のチャンバ及び前記第２のチャンバとつながり、減圧状
態を保持してこれらの間で前記基板を移動可能な搬送路
とを有することを特徴とする半導体装置の製造装置によ
って達成される。
ングステンを含むガスを主としてジボランにより還元
し、絶縁層上に第１のタングステン膜を形成する工程
と、タングステンを含むガスを水素又はシランにより還
元し、前記第１のタングステン膜上に第２のタングステ
ン膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体
装置の製造方法によって達成され、第２に、半導体基板
上に絶縁層を形成した後、前記絶縁層に開口を形成する
工程と、タングステンを含むガスを主としてジボランに
より還元し、前記開口を被覆して前記絶縁層上に第１の
タングステン膜を形成する工程と、タングステンを含む
ガスを水素又はシランにより還元し、前記第１のタング
ステン膜上に第２のタングステン膜を形成する工程とを
有することを特徴とする半導体装置の製造方法によって
達成され、第３に、前記第１のタングステン膜は、前記
絶縁層と前記第２のタングステン膜との間の密着を強化
する密着層であり、前記第２のタングステン膜は主導電
層であることを特徴とする第１又は第２の発明に記載の
半導体装置の製造方法によって達成され、第４に、前記
第１のタングステン膜及び前記第２のタングステン膜は
ブランケットタングステンであることを特徴とする第１
乃至第３の発明のいずれかに記載の半導体装置の製造方
法によって達成され、第５に、前記第２のタングステン
膜の形成後、前記第１のタングステン膜及び第２のタン
グステン膜をエッチングして前記開口に埋め込むことを
特徴とする第４の発明に記載の半導体装置の製造方法に
よって達成され、第６に、前記第２のタングステン膜の
形成後、前記第１のタングステン膜及び第２のタングス
テン膜を選択的にエッチングして配線層を形成すること
を特徴とする第４の発明に記載の半導体装置の製造方法
によって達成され、第７に、基板上に窒化チタン膜とタ
ングステン膜とを順に形成する工程と、減圧雰囲気中
で、前記基板を−２０℃以下の温度に保持してフッ素を
含むガスにより前記タングステン膜をエッチングする工
程と、前記タングステン膜のエッチング後に大気に曝さ
ないで前記基板を前記窒化チタン膜のエッチング場所に
移す工程と、減圧雰囲気中で、前記基板を１５℃以上の
温度に保持して塩素又は塩素を含むガスにより前記窒化
チタン膜をエッチングする工程とを有することを特徴と
する半導体装置の製造方法によって達成され、第８に、
前記フッ素を含むガスは三フッ化窒素であることを特徴
とする第７の発明に記載の半導体装置の製造方法によっ
て達成され、第９に、レジスト膜をマスクとして前記タ
ングステン膜と前記窒化チタン膜をエッチングした後、
活性化したフッ素を含むガスと酸素を含むガスの混合ガ
スに前記レジスト膜を曝して除去することを特徴とする
第７又は第８の発明に記載の半導体装置の製造方法によ
って達成され、第１０に、基板の冷却手段を備え、活性
化された第１のガスにより減圧状態で前記基板上の第１
の被エッチング体をエッチングする第１のチャンバと、
前記基板の加熱手段及び冷却手段を備え、活性化された
第２のガスにより減圧状態で前記基板上の第２の被エッ
チング体をエッチングする第２のチャンバと、前記第１
のチャンバ及び前記第２のチャンバとつながり、減圧状
態を保持してこれらの間で前記基板を移動可能な搬送路
とを有することを特徴とする半導体装置の製造装置によ
って達成される。
【００１５】
【作用】本発明に係る成膜方法においては、タングステ
ンを含むガスを主としてジボランにより還元して第１の
タングステン膜を形成し、その上にタングステンを含む
ガスを水素又はシランにより還元して第２のタングステ
ン膜を形成している。従って、反応ガスを切り換えるだ
けで、第１及び第２のタングステン膜を連続して形成す
ることができる。これにより、ともにＣＶＤ法により、
同じチャンバ内で成膜することが可能であり、スループ
ットの向上を図ることができる。
ンを含むガスを主としてジボランにより還元して第１の
タングステン膜を形成し、その上にタングステンを含む
ガスを水素又はシランにより還元して第２のタングステ
ン膜を形成している。従って、反応ガスを切り換えるだ
けで、第１及び第２のタングステン膜を連続して形成す
ることができる。これにより、ともにＣＶＤ法により、
同じチャンバ内で成膜することが可能であり、スループ
ットの向上を図ることができる。
【００１６】また、ジボランの還元により形成された第
１のタングステン膜を密着層とし、水素又はシランの還
元によりその上に形成された第２のタングステン膜を主
導電層とする配線層では、絶縁層との密着性を改善し、
かつ表面モホロジを悪化させることなく厚膜化すること
が可能である。更に、半導体基板上の絶縁層に形成され
た開口に上記２層のタングステン膜を埋め込む場合、密
着層としての第１のタングステン膜の上に主導電層とし
ての第２のタングステン膜が形成されるため、ジボラン
の還元により形成され、開口の底部の半導体基板と接す
る第１のタングステン膜を薄くしてもよいので、半導体
基板へのタングステンの侵入を抑制することが可能であ
る。
１のタングステン膜を密着層とし、水素又はシランの還
元によりその上に形成された第２のタングステン膜を主
導電層とする配線層では、絶縁層との密着性を改善し、
かつ表面モホロジを悪化させることなく厚膜化すること
が可能である。更に、半導体基板上の絶縁層に形成され
た開口に上記２層のタングステン膜を埋め込む場合、密
着層としての第１のタングステン膜の上に主導電層とし
ての第２のタングステン膜が形成されるため、ジボラン
の還元により形成され、開口の底部の半導体基板と接す
る第１のタングステン膜を薄くしてもよいので、半導体
基板へのタングステンの侵入を抑制することが可能であ
る。
【００１７】また、本発明に係るエッチング方法によれ
ば、−２０℃以下の低温で、タングステン膜をエッチン
グし、１５℃以上の温度でＴｉＮ膜をエッチングしてい
る。従って、タングステン膜のエッチング時にはＴｉＮ
膜との選択比の確保ができ、ＴｉＮ膜のエッチング時に
はＴｉＮ膜のエッチングレート、及び下地絶縁層との選
択比が十分に確保できる。これにより、プロセスの安定
性、再現性が確保できる。
ば、−２０℃以下の低温で、タングステン膜をエッチン
グし、１５℃以上の温度でＴｉＮ膜をエッチングしてい
る。従って、タングステン膜のエッチング時にはＴｉＮ
膜との選択比の確保ができ、ＴｉＮ膜のエッチング時に
はＴｉＮ膜のエッチングレート、及び下地絶縁層との選
択比が十分に確保できる。これにより、プロセスの安定
性、再現性が確保できる。
【００１８】更に、本発明に係るレジスト膜の除去方法
においては、酸素ガスとフッ素を含むガスを用いたドラ
イアッシングによりエッチング用マスクとして用いたレ
ジスト膜を除去している。ところで、エッチングにより
生成された反応生成物中にはタングステンやＴｉＮが含
まれているため、酸素ガスのみを用いたドライアッシン
グではこれらを除去することは非常に困難であるが、フ
ッ素を含むガスを加えることにより、それらを効果的に
除去することができる。
においては、酸素ガスとフッ素を含むガスを用いたドラ
イアッシングによりエッチング用マスクとして用いたレ
ジスト膜を除去している。ところで、エッチングにより
生成された反応生成物中にはタングステンやＴｉＮが含
まれているため、酸素ガスのみを用いたドライアッシン
グではこれらを除去することは非常に困難であるが、フ
ッ素を含むガスを加えることにより、それらを効果的に
除去することができる。
【００１９】また、本発明に係るエッチング装置によれ
ば、それぞれ異なる膜をエッチング可能な第１及び第２
のチャンバを減圧可能な搬送路で連結することにより、
第１のチャンバから第２のチャンバに基板を大気に曝す
ことなく移動させることができる。このため、第２のチ
ャンバに移された基板の表面には大気中の水分による結
露が生じない。
ば、それぞれ異なる膜をエッチング可能な第１及び第２
のチャンバを減圧可能な搬送路で連結することにより、
第１のチャンバから第２のチャンバに基板を大気に曝す
ことなく移動させることができる。このため、第２のチ
ャンバに移された基板の表面には大気中の水分による結
露が生じない。
【００２０】更に、低温でのエッチングが可能な第１の
チャンバからそれよりも高い温度でのエッチングが可能
な第２のチャンバに移された基板の温度は上昇するた
め、基板の加熱のための特別な設備や処理が不要にな
り、設備コストの削減と、スループットの向上を図るこ
とができる。更に、２つのチャンバが連結されたエッチ
ング装置を用いることで、２台の別々のエッチング装置
を使用する場合に比べて装置コストの上昇を抑えること
ができ、かつ装置の設置面積の縮小を図ることができ
る。
チャンバからそれよりも高い温度でのエッチングが可能
な第２のチャンバに移された基板の温度は上昇するた
め、基板の加熱のための特別な設備や処理が不要にな
り、設備コストの削減と、スループットの向上を図るこ
とができる。更に、２つのチャンバが連結されたエッチ
ング装置を用いることで、２台の別々のエッチング装置
を使用する場合に比べて装置コストの上昇を抑えること
ができ、かつ装置の設置面積の縮小を図ることができ
る。
【００２１】
（１）本発明の第１の実施例に係る密着層及び主導電層
の成膜方法の説明 図３は、本発明の第１の実施例に係る密着層及び主導電
層の成膜方法に用いられるＣＶＤ装置の側面図である。
図３に示すように、チャンバ９１内にウエハ９７を保持
する、ヒータ９３が内蔵された基板保持具９２が設置さ
れている。また、六フッ化タングステン（ＷＦ 6 ）ガス
がチャンバ９１内に導入される第１のガス導入口９４
と、ジボラン（Ｂ 2 Ｈ6 ）と水素（Ｈ2 ）又はシラン
（ＳｉＨ4 ）の混合ガスがチャンバ９１内に導入される
第２のガス導入口９５と、不要な反応ガスを排出し、或
いはチャンバ９１内を減圧するために排気ポンプが接続
される排気口９６とが形成されている。なお、ヒータは
チャンバの外部に設けられてもよい。
の成膜方法の説明 図３は、本発明の第１の実施例に係る密着層及び主導電
層の成膜方法に用いられるＣＶＤ装置の側面図である。
図３に示すように、チャンバ９１内にウエハ９７を保持
する、ヒータ９３が内蔵された基板保持具９２が設置さ
れている。また、六フッ化タングステン（ＷＦ 6 ）ガス
がチャンバ９１内に導入される第１のガス導入口９４
と、ジボラン（Ｂ 2 Ｈ6 ）と水素（Ｈ2 ）又はシラン
（ＳｉＨ4 ）の混合ガスがチャンバ９１内に導入される
第２のガス導入口９５と、不要な反応ガスを排出し、或
いはチャンバ９１内を減圧するために排気ポンプが接続
される排気口９６とが形成されている。なお、ヒータは
チャンバの外部に設けられてもよい。
【００２２】図１（ａ）〜（ｅ）は、図３のＣＶＤ装置
を用いた、本発明の第１の実施例に係るコンタクトホー
ルの埋込み層（プラグ）の形成方法について示す断面図
である。ＷＦ6 ガスを主としてジボランにより還元して
形成されたタングステン膜を密着層１４とし、ＷＦ6 ガ
スを水素により還元して形成されたタングステン膜を主
導電層１５とする。いずれのタングステン膜も成長の選
択性を有しないブランケットタングステンとして形成さ
れる。
を用いた、本発明の第１の実施例に係るコンタクトホー
ルの埋込み層（プラグ）の形成方法について示す断面図
である。ＷＦ6 ガスを主としてジボランにより還元して
形成されたタングステン膜を密着層１４とし、ＷＦ6 ガ
スを水素により還元して形成されたタングステン膜を主
導電層１５とする。いずれのタングステン膜も成長の選
択性を有しないブランケットタングステンとして形成さ
れる。
【００２３】まず、図１（ａ）に示すように、シリコン
基板（半導体基板）１１上にシリコン酸化膜からなる絶
縁層１２を形成した後、絶縁層１２にコンタクトホール
１３を形成する。このとき、コンタクトホール１３の底
部にシリコン基板１１が露出している。次いで、図１
（ｂ）に示すように、流量１００ｃｃ／分のＷＦ6 ガス
と、流量１００ｃｃ／分のＢ2 Ｈ6 ガスと、流量1000ｃ
ｃ／分のＨ2 ガスの混合ガスをチャンバ９１内に供給し
て、ガス圧力１００Ｔｏｒｒ、基板温度４５０℃の条件
で、ＣＶＤ法により、絶縁層１２上に膜厚１００〜1000
Åの第１のタングステン膜（Ｗ膜）１４を形成する。こ
の場合、ＷＦ6 ガスは主としてＢ2 Ｈ6 ガスにより還元
されて、第１のタングステン膜からなる密着層１４が形
成される。
基板（半導体基板）１１上にシリコン酸化膜からなる絶
縁層１２を形成した後、絶縁層１２にコンタクトホール
１３を形成する。このとき、コンタクトホール１３の底
部にシリコン基板１１が露出している。次いで、図１
（ｂ）に示すように、流量１００ｃｃ／分のＷＦ6 ガス
と、流量１００ｃｃ／分のＢ2 Ｈ6 ガスと、流量1000ｃ
ｃ／分のＨ2 ガスの混合ガスをチャンバ９１内に供給し
て、ガス圧力１００Ｔｏｒｒ、基板温度４５０℃の条件
で、ＣＶＤ法により、絶縁層１２上に膜厚１００〜1000
Åの第１のタングステン膜（Ｗ膜）１４を形成する。こ
の場合、ＷＦ6 ガスは主としてＢ2 Ｈ6 ガスにより還元
されて、第１のタングステン膜からなる密着層１４が形
成される。
【００２４】続いて、図１（ｃ）に示すように、Ｂ2 Ｈ
6 ガスの供給を停止し、流量１００ｃｃ／分のＷＦ6 ガ
スと、流量1000ｃｃ／分のＨ2 ガスの混合ガスをチャン
バ９１内に供給して、ガス圧力１００Ｔｏｒｒ、基板温
度４５０℃の条件で、ＣＶＤ法により、密着層１４上に
膜厚１００〜1000Åの第２のタングステン膜からなる主
導電層１５を形成する。この場合、ＷＦ6 ガスはＨ2 ガ
スにより還元されて、第２のタングステン膜が形成され
る。これにより、コンタクトホール１３内に第１及び第
２のタングステン膜１４，１５が埋め込まれ、更に絶縁
層１２上にそれが積層される。このとき、シリコン基板
１１の表面はほぼ平坦となる。
6 ガスの供給を停止し、流量１００ｃｃ／分のＷＦ6 ガ
スと、流量1000ｃｃ／分のＨ2 ガスの混合ガスをチャン
バ９１内に供給して、ガス圧力１００Ｔｏｒｒ、基板温
度４５０℃の条件で、ＣＶＤ法により、密着層１４上に
膜厚１００〜1000Åの第２のタングステン膜からなる主
導電層１５を形成する。この場合、ＷＦ6 ガスはＨ2 ガ
スにより還元されて、第２のタングステン膜が形成され
る。これにより、コンタクトホール１３内に第１及び第
２のタングステン膜１４，１５が埋め込まれ、更に絶縁
層１２上にそれが積層される。このとき、シリコン基板
１１の表面はほぼ平坦となる。
【００２５】次いで、図１（ｄ）に示すように、ＮＦ3
ガスを用いたドライエッチングにより、エッチバックし
て絶縁層１２上の第１及び第２のタングステン膜１４，
１５を除去し、コンタクトホール１３内にのみ第１及び
第２のタングステン膜１４ａ，１５ａを残す。これによ
りプラグ１６が形成される。なお、エッチングガスとし
てＳＦ6 を用いてもよい。また、ＨＦ＋ＨＮＯ3 の混合
液やＨ2 Ｏ2 ＋ＮＨ3の混合液を用いたウエットエッチ
ングを行ってもよい。
ガスを用いたドライエッチングにより、エッチバックし
て絶縁層１２上の第１及び第２のタングステン膜１４，
１５を除去し、コンタクトホール１３内にのみ第１及び
第２のタングステン膜１４ａ，１５ａを残す。これによ
りプラグ１６が形成される。なお、エッチングガスとし
てＳＦ6 を用いてもよい。また、ＨＦ＋ＨＮＯ3 の混合
液やＨ2 Ｏ2 ＋ＮＨ3の混合液を用いたウエットエッチ
ングを行ってもよい。
【００２６】次に、図１（ｅ）に示すように、コンタク
トホール１３を被覆して絶縁層１２上にアルミニウム／
銅合金膜を形成した後、パターニングして、前記プラグ
１６と接続する配線層１７を形成する。これにより、シ
リコン基板１１と配線層１７はプラグ１６を介して接続
する。なお、その後、図２（ｂ）に示すように、必要に
より、配線層１７を被覆する層間絶縁膜１８を形成し、
更に上記と同じような工程を経て層間絶縁膜１８に形成
されたビアホール１９内にプラグ２２を埋め込み、更に
プラグ２２を介して配線層１７と接続する別の配線層２
３を形成してもよい。
トホール１３を被覆して絶縁層１２上にアルミニウム／
銅合金膜を形成した後、パターニングして、前記プラグ
１６と接続する配線層１７を形成する。これにより、シ
リコン基板１１と配線層１７はプラグ１６を介して接続
する。なお、その後、図２（ｂ）に示すように、必要に
より、配線層１７を被覆する層間絶縁膜１８を形成し、
更に上記と同じような工程を経て層間絶縁膜１８に形成
されたビアホール１９内にプラグ２２を埋め込み、更に
プラグ２２を介して配線層１７と接続する別の配線層２
３を形成してもよい。
【００２７】以上のように、本発明の第１の実施例に係
る成膜方法によれば、密着層１４を形成した後、チャン
バ９１に導入する反応ガスのうちジボランを停止するだ
けで、主導電層１５を形成するための所望の反応ガスを
チャンバ９１内に供給することができるので、密着層１
４及び主導電層１５を連続して形成することができる。
これにより、ともにＣＶＤ法により、同じチャンバ９１
内で成膜することが可能であり、スループットの向上を
図ることができる。
る成膜方法によれば、密着層１４を形成した後、チャン
バ９１に導入する反応ガスのうちジボランを停止するだ
けで、主導電層１５を形成するための所望の反応ガスを
チャンバ９１内に供給することができるので、密着層１
４及び主導電層１５を連続して形成することができる。
これにより、ともにＣＶＤ法により、同じチャンバ９１
内で成膜することが可能であり、スループットの向上を
図ることができる。
【００２８】更に、シリコン基板１１上の絶縁層１２に
形成されたコンタクトホール１３に上記２層のタングス
テン膜を埋め込む場合、主導電層１５としての第２のタ
ングステン膜が形成されるため、ジボランの還元により
形成され、コンタクトホール１３の底部のシリコン基板
１１と接する密着層１４としての第１のタングステン膜
１４を薄くしてもよいので、シリコン基板１１へのタン
グステンの侵入を抑制することが可能である。
形成されたコンタクトホール１３に上記２層のタングス
テン膜を埋め込む場合、主導電層１５としての第２のタ
ングステン膜が形成されるため、ジボランの還元により
形成され、コンタクトホール１３の底部のシリコン基板
１１と接する密着層１４としての第１のタングステン膜
１４を薄くしてもよいので、シリコン基板１１へのタン
グステンの侵入を抑制することが可能である。
【００２９】なお、上記の実施例では、密着層１４及び
主導電層１５のタングステン膜をブランケットタングス
テンとして形成しているが、選択成長により形成しても
よい。また、プラグ１６を形成する場合に本発明を適用
しているが、図２（ａ）に示すように、絶縁層１２上に
第１及び第２のタングステン膜１４，１５からなる配線
層２４を形成する場合にも本発明を適用することが可能
である。この場合、ジボランの還元により形成された第
１のタングステン膜を密着層１４とし、その上の水素の
還元により形成された第２のタングステン膜を主導電層
１５とすることにより、これらのタングステン膜により
作成された配線層では、絶縁層１２との密着性を改善
し、かつ表面モホロジを悪化させることなく厚膜化する
ことが可能である。
主導電層１５のタングステン膜をブランケットタングス
テンとして形成しているが、選択成長により形成しても
よい。また、プラグ１６を形成する場合に本発明を適用
しているが、図２（ａ）に示すように、絶縁層１２上に
第１及び第２のタングステン膜１４，１５からなる配線
層２４を形成する場合にも本発明を適用することが可能
である。この場合、ジボランの還元により形成された第
１のタングステン膜を密着層１４とし、その上の水素の
還元により形成された第２のタングステン膜を主導電層
１５とすることにより、これらのタングステン膜により
作成された配線層では、絶縁層１２との密着性を改善
し、かつ表面モホロジを悪化させることなく厚膜化する
ことが可能である。
【００３０】更に、下地の絶縁層１２としてシリコン酸
化膜を用いているが、リンガラス（ＰＳＧ膜）、リンボ
ロンガラス（ＢＰＳＧ膜）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯ
Ｎ膜）又はシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等であってもよ
い。また、基板温度を４５０℃としているが、３００℃
程度以上であればよい。更に、密着層１４を成膜するた
めの反応ガスとして、Ｂ2 Ｈ6 ＋ＷＦ6 ＋Ｈ2の混合ガ
スを用いているが、Ｂ2 Ｈ6 ＋ＷＦ6 ＋ＳｉＨ4 の混合
ガスを用いてもよい。また、主導電層１５を成膜するた
めの反応ガスとして、ＷＦ6 ＋Ｈ2 の混合ガスを用いて
いるが、ＷＦ6 ＋ＳｉＨ4 の混合ガスを用いてもよい。
この場合、基板温度は３５０℃が適当である。 （２）本発明の第２の実施例に係るエッチング装置の説
明 図４（ａ），図５，図６は、本発明の第２の実施例に係
るエッチング装置について示す側面図である。
化膜を用いているが、リンガラス（ＰＳＧ膜）、リンボ
ロンガラス（ＢＰＳＧ膜）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯ
Ｎ膜）又はシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等であってもよ
い。また、基板温度を４５０℃としているが、３００℃
程度以上であればよい。更に、密着層１４を成膜するた
めの反応ガスとして、Ｂ2 Ｈ6 ＋ＷＦ6 ＋Ｈ2の混合ガ
スを用いているが、Ｂ2 Ｈ6 ＋ＷＦ6 ＋ＳｉＨ4 の混合
ガスを用いてもよい。また、主導電層１５を成膜するた
めの反応ガスとして、ＷＦ6 ＋Ｈ2 の混合ガスを用いて
いるが、ＷＦ6 ＋ＳｉＨ4 の混合ガスを用いてもよい。
この場合、基板温度は３５０℃が適当である。 （２）本発明の第２の実施例に係るエッチング装置の説
明 図４（ａ），図５，図６は、本発明の第２の実施例に係
るエッチング装置について示す側面図である。
【００３１】図４（ａ）は、異なる種類の導電膜のエッ
チングが可能な第１のチャンバ及び第２のチャンバが直
列に接続されたエッチング装置の全体の構成について示
す。図４（ａ）において、１０１は、被エッチング体が
形成されたウエハ１００の冷却手段を備え、活性化され
たガスにより減圧状態でタングステン膜からなる主導電
層（第１の被エッチング体）をエッチングするための第
１のチャンバ、１０２は、ウエハ１００の加熱手段及び
冷却手段を備え、活性化されたガスにより減圧状態でタ
ングステン膜からなる密着層（第２の被エッチング体）
をエッチングする第２のチャンバ、１０３は、第１のチ
ャンバ１０１及び第２のチャンバ１０２とつながり、減
圧状態を保持して、それらの間でウエハ１００を移動可
能な搬送室（搬送路）である。
チングが可能な第１のチャンバ及び第２のチャンバが直
列に接続されたエッチング装置の全体の構成について示
す。図４（ａ）において、１０１は、被エッチング体が
形成されたウエハ１００の冷却手段を備え、活性化され
たガスにより減圧状態でタングステン膜からなる主導電
層（第１の被エッチング体）をエッチングするための第
１のチャンバ、１０２は、ウエハ１００の加熱手段及び
冷却手段を備え、活性化されたガスにより減圧状態でタ
ングステン膜からなる密着層（第２の被エッチング体）
をエッチングする第２のチャンバ、１０３は、第１のチ
ャンバ１０１及び第２のチャンバ１０２とつながり、減
圧状態を保持して、それらの間でウエハ１００を移動可
能な搬送室（搬送路）である。
【００３２】第１のチャンバ１０１と搬送室１０３の間
及び第２のチャンバ１０２と搬送室１０３の間にはそれ
ぞれウエハ１００の通路を開閉する図示しないバルブが
設けられている。１０４は第１のチャンバ１０１につな
がる入口側ロードロックチャンバである。第１のチャン
バ１０１と入口側ロードロックチャンバ１０４の接続部
と、接続部と反対側のウエハ１００の入口とにそれぞれ
ウエハ１００の通路を開閉するバルブが設けられてい
る。大気圧になっている入口側ロードロックチャンバ１
０４内に外からウエハ１００が搬入された後、既に減圧
されている第１のチャンバ１０１の室内圧力に合うよう
に入口側ロードロックチャンバ１０４内が減圧される。
その後ウエハ１００が第１のチャンバ１０１に搬入され
る。
及び第２のチャンバ１０２と搬送室１０３の間にはそれ
ぞれウエハ１００の通路を開閉する図示しないバルブが
設けられている。１０４は第１のチャンバ１０１につな
がる入口側ロードロックチャンバである。第１のチャン
バ１０１と入口側ロードロックチャンバ１０４の接続部
と、接続部と反対側のウエハ１００の入口とにそれぞれ
ウエハ１００の通路を開閉するバルブが設けられてい
る。大気圧になっている入口側ロードロックチャンバ１
０４内に外からウエハ１００が搬入された後、既に減圧
されている第１のチャンバ１０１の室内圧力に合うよう
に入口側ロードロックチャンバ１０４内が減圧される。
その後ウエハ１００が第１のチャンバ１０１に搬入され
る。
【００３３】１０５は第２のチャンバ１０２につながる
出口側ロードロックチャンバである。第２のチャンバ１
０１と出口側ロードロックチャンバ１０５の接続部と、
接続部と反対側のウエハ１００の出口とにそれぞれウエ
ハ１００の通路を開閉するバルブが設けられている。ウ
エハ１００を第２のチャンバ１０２から出口側ロードロ
ックチャンバ１０５に搬出する前に、既に減圧されてい
る第２のチャンバ１０２内の圧力に合うように出口側ロ
ードロックチャンバ１０５内が減圧される。続いて、ウ
エハの搬入後に出口側ロードロックチャンバ１０５内を
大気圧に戻し、その後、出口側ロードロックチャンバ１
０５から外にウエハ１００が搬出される。
出口側ロードロックチャンバである。第２のチャンバ１
０１と出口側ロードロックチャンバ１０５の接続部と、
接続部と反対側のウエハ１００の出口とにそれぞれウエ
ハ１００の通路を開閉するバルブが設けられている。ウ
エハ１００を第２のチャンバ１０２から出口側ロードロ
ックチャンバ１０５に搬出する前に、既に減圧されてい
る第２のチャンバ１０２内の圧力に合うように出口側ロ
ードロックチャンバ１０５内が減圧される。続いて、ウ
エハの搬入後に出口側ロードロックチャンバ１０５内を
大気圧に戻し、その後、出口側ロードロックチャンバ１
０５から外にウエハ１００が搬出される。
【００３４】上記の各室は各室内を減圧するための排気
ポンプ（排気装置）と接続される排気口１０６〜１１０
を有する。なお、図４（ａ）の構成のエッチング装置の
代わりに、図４（ｂ）のような構成のエッチング装置を
用いてもよい。図４（ｂ）はエッチング装置の全体の構
成について示す平面図である。
ポンプ（排気装置）と接続される排気口１０６〜１１０
を有する。なお、図４（ａ）の構成のエッチング装置の
代わりに、図４（ｂ）のような構成のエッチング装置を
用いてもよい。図４（ｂ）はエッチング装置の全体の構
成について示す平面図である。
【００３５】図４（ｂ）において、図４（ａ）と異なる
ところは、搬送室（搬送路）１０３ａを中心にして第１
及び第２のチャンバ１０１ａ，１０２ａと入口側及び出
口側ロードロックチャンバ１０４ａ，１０５ａが搬送室
１０３ａに接続されていることである。従って、第１の
チャンバ１０１ａ及び第２のチャンバ１０２ａにシリコ
ン基板１００を出し入れする際、ともにシリコン基板１
００は同じ搬送室１０３ａを通過することになる。各室
１０１ａ／１０３ａ，１０２ａ／１０３ａ，１０４ａ／
１０３ａ，１０５ａ／１０３ａ間の接続部にはシリコン
基板１００の通路を開閉する不図示のバルブが設けられ
ている。また、入口側ロードロックチャンバ１０４ａの
入口と出口側ロードロックチャンバ１０５ａの出口にも
ウエハ１００の通路を開閉するバルブが設けられてい
る。
ところは、搬送室（搬送路）１０３ａを中心にして第１
及び第２のチャンバ１０１ａ，１０２ａと入口側及び出
口側ロードロックチャンバ１０４ａ，１０５ａが搬送室
１０３ａに接続されていることである。従って、第１の
チャンバ１０１ａ及び第２のチャンバ１０２ａにシリコ
ン基板１００を出し入れする際、ともにシリコン基板１
００は同じ搬送室１０３ａを通過することになる。各室
１０１ａ／１０３ａ，１０２ａ／１０３ａ，１０４ａ／
１０３ａ，１０５ａ／１０３ａ間の接続部にはシリコン
基板１００の通路を開閉する不図示のバルブが設けられ
ている。また、入口側ロードロックチャンバ１０４ａの
入口と出口側ロードロックチャンバ１０５ａの出口にも
ウエハ１００の通路を開閉するバルブが設けられてい
る。
【００３６】図５は第１のチャンバ１０１により外部と
仕切られた第１のエッチング室の詳細な構成について示
す側面図である。図５において、１１１は第１のチャン
バ１０１内に設置された、ウエハ１００を保持する基板
保持具で、温度制御された冷媒、例えば不凍液を添加し
た水等を通流させる流路（冷却手段）１１２が形成され
ている。また、基板保持具１１１はエッチングガスをプ
ラズマ化するための高周波電力を印加する第１の電極を
兼ねている。１１３はエッチングガスをプラズマ化する
ための高周波電力を印加する第２の電極で、第１の電極
である基板保持具１１１と対向するように配置されてい
る。上記第２の電極１１３には高周波電力を供給する高
周波電源１１４が接続されている。また、第１の電極１
１１は接地されている。
仕切られた第１のエッチング室の詳細な構成について示
す側面図である。図５において、１１１は第１のチャン
バ１０１内に設置された、ウエハ１００を保持する基板
保持具で、温度制御された冷媒、例えば不凍液を添加し
た水等を通流させる流路（冷却手段）１１２が形成され
ている。また、基板保持具１１１はエッチングガスをプ
ラズマ化するための高周波電力を印加する第１の電極を
兼ねている。１１３はエッチングガスをプラズマ化する
ための高周波電力を印加する第２の電極で、第１の電極
である基板保持具１１１と対向するように配置されてい
る。上記第２の電極１１３には高周波電力を供給する高
周波電源１１４が接続されている。また、第１の電極１
１１は接地されている。
【００３７】１１５はエッチングガスを第１のチャンバ
１０１内に導入するためのガス導入口である。図６は第
２のチャンバ１０２により外部と仕切られた第２のエッ
チング室の詳細な構成について示す側面図である。図６
の第２のエッチング室は第１のエッチング室とほぼ同様
な構成を有する。第１のエッチング室と異なるところ
は、第２のチャンバ１０２内に設置された基板保持具１
２１には載置された基板の温度を１５℃以上に保持する
ために、基板を加熱するヒータ（加熱手段）１２２とそ
れを冷却する冷却手段１２３とを有する温度調節手段１
２４が内蔵されていることである。
１０１内に導入するためのガス導入口である。図６は第
２のチャンバ１０２により外部と仕切られた第２のエッ
チング室の詳細な構成について示す側面図である。図６
の第２のエッチング室は第１のエッチング室とほぼ同様
な構成を有する。第１のエッチング室と異なるところ
は、第２のチャンバ１０２内に設置された基板保持具１
２１には載置された基板の温度を１５℃以上に保持する
ために、基板を加熱するヒータ（加熱手段）１２２とそ
れを冷却する冷却手段１２３とを有する温度調節手段１
２４が内蔵されていることである。
【００３８】なお、基板保持具１２１は第１の電極を兼
ね、第２の電極１２５との間で、高周波電力を印加し、
電極１２１，１２５間の反応ガスをプラズマ化する。ま
た、第２の電極１２５には高周波電源１２６が接続さ
れ、第１の電極１２１は接地されている。更に、第２の
チャンバ１０２には、ガス導入口１２７と排気口１０９
が接続されている。
ね、第２の電極１２５との間で、高周波電力を印加し、
電極１２１，１２５間の反応ガスをプラズマ化する。ま
た、第２の電極１２５には高周波電源１２６が接続さ
れ、第１の電極１２１は接地されている。更に、第２の
チャンバ１０２には、ガス導入口１２７と排気口１０９
が接続されている。
【００３９】上記のエッチング装置では、それぞれ異な
る膜をエッチング可能な第１及び第２のチャンバ１０
１，１０２を減圧可能な搬送路１０３で連結することに
より、第１のチャンバ１０１から第２のチャンバ１０２
にウエハ１００を大気に曝すことなく移動させることが
できる。このため、第２のチャンバ１０２に移されたウ
エハ１００の表面には大気中の水分による結露が生じな
い。
る膜をエッチング可能な第１及び第２のチャンバ１０
１，１０２を減圧可能な搬送路１０３で連結することに
より、第１のチャンバ１０１から第２のチャンバ１０２
にウエハ１００を大気に曝すことなく移動させることが
できる。このため、第２のチャンバ１０２に移されたウ
エハ１００の表面には大気中の水分による結露が生じな
い。
【００４０】また、低温でエッチングが行われる第１の
チャンバ１０１からそれよりも高い温度でエッチングが
行われる第２のチャンバ１０２に移されたウエハ１００
の温度は上昇するため、ウエハ１００の加熱のための特
別な設備や処理が不要になり、設備コストの削減と、ス
ループットの向上を図ることができる。次に、レジスト
膜を除去するためのプラズマアッシャについて、図７を
参照しながら説明する。図７はダウンフローアッシャの
構成を示す側面図である。
チャンバ１０１からそれよりも高い温度でエッチングが
行われる第２のチャンバ１０２に移されたウエハ１００
の温度は上昇するため、ウエハ１００の加熱のための特
別な設備や処理が不要になり、設備コストの削減と、ス
ループットの向上を図ることができる。次に、レジスト
膜を除去するためのプラズマアッシャについて、図７を
参照しながら説明する。図７はダウンフローアッシャの
構成を示す側面図である。
【００４１】図７に示すように、チャンバ１３１はエッ
チング室１３２とプラズマ生成室１３３とマイクロ波導
入室１３４に分割されている。エッチング室１３２とプ
ラズマ生成室１３３の間はプラズマが通過する孔が形成
された仕切り板で仕切られ、プラズマ生成室１３３とマ
イクロ波導入室１３４の間はマイクロ波が伝わる石英等
の仕切り板１３６で仕切られている。
チング室１３２とプラズマ生成室１３３とマイクロ波導
入室１３４に分割されている。エッチング室１３２とプ
ラズマ生成室１３３の間はプラズマが通過する孔が形成
された仕切り板で仕切られ、プラズマ生成室１３３とマ
イクロ波導入室１３４の間はマイクロ波が伝わる石英等
の仕切り板１３６で仕切られている。
【００４２】また、プラズマ生成室１３３には反応ガス
をプラズマ生成室１３３内に導入するガス導入口１３８
が形成されている。エッチング室１３２には不要な反応
ガスを排出し、或いはエッチング室１３２及びプラズマ
生成室１３３内を減圧するための図示しない排気ポンプ
が接続される排気口１３９が形成されている。更に、エ
ッチング室１３２には処理が行われるウエハ１００を載
置する基板保持具１３７が設置されている。 （３）本発明の第３の実施例に係る密着層及び主導電層
のエッチング方法の説明 図８（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第３の実施例に係るエ
ッチング方法について示す断面図である。図４〜図６の
エッチング装置及び図７のダウンフロープラズマアッシ
ャを用いて説明する。なお、以下の説明においては、各
室１０１ａ／１０３ａ，１０２ａ／１０３ａ，１０４ａ
／１０３ａ，１０５ａ／１０３ａの接続部と、入口側ロ
ードロックチャンバ１０４の入口及び出口側ロードロッ
クチャンバ１０５の出口とに設けられたバルブの開閉に
ついて説明を省略しているが、適宜行われているものと
する。
をプラズマ生成室１３３内に導入するガス導入口１３８
が形成されている。エッチング室１３２には不要な反応
ガスを排出し、或いはエッチング室１３２及びプラズマ
生成室１３３内を減圧するための図示しない排気ポンプ
が接続される排気口１３９が形成されている。更に、エ
ッチング室１３２には処理が行われるウエハ１００を載
置する基板保持具１３７が設置されている。 （３）本発明の第３の実施例に係る密着層及び主導電層
のエッチング方法の説明 図８（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第３の実施例に係るエ
ッチング方法について示す断面図である。図４〜図６の
エッチング装置及び図７のダウンフロープラズマアッシ
ャを用いて説明する。なお、以下の説明においては、各
室１０１ａ／１０３ａ，１０２ａ／１０３ａ，１０４ａ
／１０３ａ，１０５ａ／１０３ａの接続部と、入口側ロ
ードロックチャンバ１０４の入口及び出口側ロードロッ
クチャンバ１０５の出口とに設けられたバルブの開閉に
ついて説明を省略しているが、適宜行われているものと
する。
【００４３】処理されるウエハ１００は、図８（ａ）に
示すように、直径６インチのシリコン基板３１上にシリ
コン酸化膜からなる絶縁層３２が形成され、絶縁層３２
に形成されたコンタクトホール３３を被覆して絶縁層３
２上に膜厚５０ｎｍのＴｉＮ膜（密着層）３４と膜厚３
５０ｎｍのタングステン膜（主導電層）３５とが形成さ
れている。また、所望の箇所に所定の形状の配線層を形
成するため、タングステン膜３５上に膜厚1700ｎｍのレ
ジストマスク３６が形成されている。
示すように、直径６インチのシリコン基板３１上にシリ
コン酸化膜からなる絶縁層３２が形成され、絶縁層３２
に形成されたコンタクトホール３３を被覆して絶縁層３
２上に膜厚５０ｎｍのＴｉＮ膜（密着層）３４と膜厚３
５０ｎｍのタングステン膜（主導電層）３５とが形成さ
れている。また、所望の箇所に所定の形状の配線層を形
成するため、タングステン膜３５上に膜厚1700ｎｍのレ
ジストマスク３６が形成されている。
【００４４】まず、入口側ロードロックチャンバ１０４
にウエハ１００を搬入した後、入口側ロードロックチャ
ンバ１０４，第１のチャンバ１０１内，搬送室１０３内
及び第２のチャンバ１０２内を排気し、減圧する。所定
の圧力に達したら、第１のチャンバ１０１内にウエハ１
００を搬入し、基板保持具１１１に載置する。
にウエハ１００を搬入した後、入口側ロードロックチャ
ンバ１０４，第１のチャンバ１０１内，搬送室１０３内
及び第２のチャンバ１０２内を排気し、減圧する。所定
の圧力に達したら、第１のチャンバ１０１内にウエハ１
００を搬入し、基板保持具１１１に載置する。
【００４５】続いて、冷却手段１１２によりウエハ１０
０を冷却し、基板温度を−５０℃に保持する。次いで、
ガス導入口１１５から流量１５０ｃｃ／分の三フッ化窒
素（ＮＦ3 ）ガスを導入し、第１のチャンバ１０１内の
ガス圧力を１００ｍＴｏｒｒに保持する。
０を冷却し、基板温度を−５０℃に保持する。次いで、
ガス導入口１１５から流量１５０ｃｃ／分の三フッ化窒
素（ＮＦ3 ）ガスを導入し、第１のチャンバ１０１内の
ガス圧力を１００ｍＴｏｒｒに保持する。
【００４６】次に、第１の電極１１１及び第２の電極１
１３間に高周波電力２００Ｗを印加する。これにより、
電極１１１，１１３間のＮＦ3 ガスがプラズマ化し、タ
ングステン膜３５がこれに曝されてエッチングが始ま
る。このとき、タングステン膜３５のエッチングレート
は３００ｎｍ／分となり、ＴｉＮ膜３４に対するタング
ステン膜３５のエッチング選択比は１００以上となって
いる。
１３間に高周波電力２００Ｗを印加する。これにより、
電極１１１，１１３間のＮＦ3 ガスがプラズマ化し、タ
ングステン膜３５がこれに曝されてエッチングが始ま
る。このとき、タングステン膜３５のエッチングレート
は３００ｎｍ／分となり、ＴｉＮ膜３４に対するタング
ステン膜３５のエッチング選択比は１００以上となって
いる。
【００４７】所定の時間が経過した後、図８（ｂ）に示
すように、タングステン膜３５がエッチングされる。次
いで、ウエハ１００を搬送室１０３に搬出した後、さら
に第２のチャンバ１０２内に搬入して基板保持具１２１
上に載置する。このとき、第２のチャンバ１０２内に搬
入されるまで、ウエハ１００は大気に曝されないので、
その表面に結露が生じるのを抑制することができる。
すように、タングステン膜３５がエッチングされる。次
いで、ウエハ１００を搬送室１０３に搬出した後、さら
に第２のチャンバ１０２内に搬入して基板保持具１２１
上に載置する。このとき、第２のチャンバ１０２内に搬
入されるまで、ウエハ１００は大気に曝されないので、
その表面に結露が生じるのを抑制することができる。
【００４８】次に、基板保持具１２１上のウエハ１００
を加熱し、温度２５℃に保持する。次いで、ガス導入口
１２７から流量１００ｃｃ／分の塩素（Ｃｌ2 ）ガスを
導入し、第２のチャンバ１０２内のガス圧力を５０ｍＴ
ｏｒｒに保持する。次に、第１の電極１２１及び第２の
電極１２５間に高周波電力４００Ｗを印加する。これに
より、電極１２１，１２５間のＣｌ2 ガスがプラズマ化
し、ＴｉＮ膜３４がこれに曝されてエッチングが始ま
る。このとき、ＴｉＮ膜３４のエッチングレートは２０
０ｎｍ／分となり、タングステン膜に対するＴｉＮ膜３
４のエッチング選択比は１００以上となっており、シリ
コン酸化膜に対するＴｉＮ膜３４のエッチング選択比は
７以上となっている。従って、レジストマスク３６がエ
ッチングされたとしても、ＴｉＮ膜３４を被覆するタン
グステン膜３５ａがマスクの役目を果たすため、エッチ
ング形状の異常は生じない。
を加熱し、温度２５℃に保持する。次いで、ガス導入口
１２７から流量１００ｃｃ／分の塩素（Ｃｌ2 ）ガスを
導入し、第２のチャンバ１０２内のガス圧力を５０ｍＴ
ｏｒｒに保持する。次に、第１の電極１２１及び第２の
電極１２５間に高周波電力４００Ｗを印加する。これに
より、電極１２１，１２５間のＣｌ2 ガスがプラズマ化
し、ＴｉＮ膜３４がこれに曝されてエッチングが始ま
る。このとき、ＴｉＮ膜３４のエッチングレートは２０
０ｎｍ／分となり、タングステン膜に対するＴｉＮ膜３
４のエッチング選択比は１００以上となっており、シリ
コン酸化膜に対するＴｉＮ膜３４のエッチング選択比は
７以上となっている。従って、レジストマスク３６がエ
ッチングされたとしても、ＴｉＮ膜３４を被覆するタン
グステン膜３５ａがマスクの役目を果たすため、エッチ
ング形状の異常は生じない。
【００４９】所定の時間が経過した後、図８（ｃ）に示
すように、ＴｉＮ膜３４がエッチングされる。これによ
り、タングステン膜３５とＴｉＮ膜３４のエッチングが
完了する。次いで、出口側ロードロックチャンバ１０５
を減圧した後、出口側ロードロックチャンバ１０５に第
２のチャンバ１０２内からウエハ１００を搬出する。続
いて、出口側ロードロックチャンバ１０５を大気圧に戻
した後、ウエハ１００を外に取り出す。
すように、ＴｉＮ膜３４がエッチングされる。これによ
り、タングステン膜３５とＴｉＮ膜３４のエッチングが
完了する。次いで、出口側ロードロックチャンバ１０５
を減圧した後、出口側ロードロックチャンバ１０５に第
２のチャンバ１０２内からウエハ１００を搬出する。続
いて、出口側ロードロックチャンバ１０５を大気圧に戻
した後、ウエハ１００を外に取り出す。
【００５０】次に、ウエハ１００をプラズマアッシャの
チャンバ１３１内に搬入し、基板保持具１３３に載置す
る。次に、基板保持具１３３上のウエハ１００を加熱
し、温度３０℃に保持する。次いで、ガス導入口１３８
から流量１００ｃｃ／分の四フッ化炭素（ＣＦ4 ）ガス
と流量９００ｃｃ／分の酸素（Ｏ2 ）ガスの混合ガスを
導入し、チャンバ１３１内のガス圧力を９００ｍＴｏｒ
ｒに保持する。
チャンバ１３１内に搬入し、基板保持具１３３に載置す
る。次に、基板保持具１３３上のウエハ１００を加熱
し、温度３０℃に保持する。次いで、ガス導入口１３８
から流量１００ｃｃ／分の四フッ化炭素（ＣＦ4 ）ガス
と流量９００ｃｃ／分の酸素（Ｏ2 ）ガスの混合ガスを
導入し、チャンバ１３１内のガス圧力を９００ｍＴｏｒ
ｒに保持する。
【００５１】次に、電力９００Ｗをマイクロ波導入室１
３４に導く。これにより、プラズマ生成室１３３内のＣ
Ｆ4 ＋Ｏ2 ガスはマイクロ波電力を吸収してプラズマ化
し、レジストマスク３６がこれに曝されてエッチングが
始まる。このとき、エッチングにより生成された反応生
成物中にはタングステンやＴｉＮが含まれているため、
Ｏ2 ガスのみを用いたドライアッシングではこれらを除
去することは非常に困難であるが、ＣＦ4 ガスを加える
ことにより、それらを効果的に除去することができる。
３４に導く。これにより、プラズマ生成室１３３内のＣ
Ｆ4 ＋Ｏ2 ガスはマイクロ波電力を吸収してプラズマ化
し、レジストマスク３６がこれに曝されてエッチングが
始まる。このとき、エッチングにより生成された反応生
成物中にはタングステンやＴｉＮが含まれているため、
Ｏ2 ガスのみを用いたドライアッシングではこれらを除
去することは非常に困難であるが、ＣＦ4 ガスを加える
ことにより、それらを効果的に除去することができる。
【００５２】所定の時間が経過した後、図８（ｄ）に示
すように、レジストマスク３６がエッチング・除去され
る。このようにして、ＴｉＮ膜３４及びタングステン膜
３５の２層膜からなる配線層３７が絶縁層３２上に形成
される。以上のように、本発明の実施例に係るエッチン
グ方法によれば、−５０℃の低温で、タングステン膜３
５をエッチングし、２５℃でＴｉＮ膜３４をエッチング
することにより、タングステン膜３５のエッチング時に
はＴｉＮ膜３４との選択比の確保ができ、ＴｉＮ膜３４
のエッチング時にはＴｉＮ膜３４のエッチングレート、
及び下地の絶縁層３２との選択比が十分に確保できるた
め、プロセスの安定性、再現性を確保することができ
る。
すように、レジストマスク３６がエッチング・除去され
る。このようにして、ＴｉＮ膜３４及びタングステン膜
３５の２層膜からなる配線層３７が絶縁層３２上に形成
される。以上のように、本発明の実施例に係るエッチン
グ方法によれば、−５０℃の低温で、タングステン膜３
５をエッチングし、２５℃でＴｉＮ膜３４をエッチング
することにより、タングステン膜３５のエッチング時に
はＴｉＮ膜３４との選択比の確保ができ、ＴｉＮ膜３４
のエッチング時にはＴｉＮ膜３４のエッチングレート、
及び下地の絶縁層３２との選択比が十分に確保できるた
め、プロセスの安定性、再現性を確保することができ
る。
【００５３】なお、上記の第３の実施例では、ＴｉＮ膜
３４のエッチングガスとして塩素を用いているが、Ｃｌ
＋Ａｒ，Ｃｌ＋Ｈｅ，Ｃｌ＋Ｎ2 等塩素を含むガスを用
いてもよい。
３４のエッチングガスとして塩素を用いているが、Ｃｌ
＋Ａｒ，Ｃｌ＋Ｈｅ，Ｃｌ＋Ｎ2 等塩素を含むガスを用
いてもよい。
【００５４】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る成膜方法に
おいては、タングステンを含むガスを主としてジボラン
により還元して第１のタングステン膜を形成し、その上
にタングステンを含むガスを水素又はシランにより還元
して第２のタングステン膜を形成している。従って、と
もにＣＶＤ法により、反応ガスを切り換えるだけで、同
じチャンバ内で連続成膜することが可能であり、スルー
プットの向上を図ることができる。また、ジボランの還
元により形成された第１のタングステン膜を密着層と
し、その上の第２のタングステン膜を主導電層とするこ
とにより、作成された配線層では、絶縁層との密着性を
改善し、かつ表面モホロジを悪化させることなく厚膜化
することが可能である。
おいては、タングステンを含むガスを主としてジボラン
により還元して第１のタングステン膜を形成し、その上
にタングステンを含むガスを水素又はシランにより還元
して第２のタングステン膜を形成している。従って、と
もにＣＶＤ法により、反応ガスを切り換えるだけで、同
じチャンバ内で連続成膜することが可能であり、スルー
プットの向上を図ることができる。また、ジボランの還
元により形成された第１のタングステン膜を密着層と
し、その上の第２のタングステン膜を主導電層とするこ
とにより、作成された配線層では、絶縁層との密着性を
改善し、かつ表面モホロジを悪化させることなく厚膜化
することが可能である。
【００５５】更に、半導体基板上の絶縁層に形成された
開口に上記２層のタングステン膜を埋め込む場合、ジボ
ランの還元により形成される、開口の底部の半導体基板
と接する第１のタングステン膜を薄くしてもよいので、
半導体基板へのタングステンの侵入を抑制することが可
能である。また、本発明に係るエッチング方法によれ
ば、−２０℃以下の低温で、タングステン膜をエッチン
グし、１５℃以上の温度でＴｉＮ膜をエッチングしてい
るので、タングステン膜のエッチング時にはＴｉＮ膜と
の選択比の確保ができ、ＴｉＮ膜のエッチング時にはＴ
ｉＮ膜のエッチングレート、及び下地絶縁層との選択比
が十分に確保でき、プロセスの安定性、再現性を確保で
きる。
開口に上記２層のタングステン膜を埋め込む場合、ジボ
ランの還元により形成される、開口の底部の半導体基板
と接する第１のタングステン膜を薄くしてもよいので、
半導体基板へのタングステンの侵入を抑制することが可
能である。また、本発明に係るエッチング方法によれ
ば、−２０℃以下の低温で、タングステン膜をエッチン
グし、１５℃以上の温度でＴｉＮ膜をエッチングしてい
るので、タングステン膜のエッチング時にはＴｉＮ膜と
の選択比の確保ができ、ＴｉＮ膜のエッチング時にはＴ
ｉＮ膜のエッチングレート、及び下地絶縁層との選択比
が十分に確保でき、プロセスの安定性、再現性を確保で
きる。
【００５６】更に、本発明に係るレジスト膜の除去方法
においては、酸素ガスにフッ素を含むガスを加えている
ので、レジスト膜とともに、タングステンやＴｉＮが含
まれている反応生成物を効果的に除去することができ
る。また、本発明に係るエッチング装置によれば、それ
ぞれ異なる膜をエッチング可能な第１及び第２のチャン
バを減圧可能な搬送路で連結することにより、第１のチ
ャンバから第２のチャンバに基板を大気に曝すことなく
移動させて、基板の表面での大気中の水分による結露を
抑制することが可能である。
においては、酸素ガスにフッ素を含むガスを加えている
ので、レジスト膜とともに、タングステンやＴｉＮが含
まれている反応生成物を効果的に除去することができ
る。また、本発明に係るエッチング装置によれば、それ
ぞれ異なる膜をエッチング可能な第１及び第２のチャン
バを減圧可能な搬送路で連結することにより、第１のチ
ャンバから第２のチャンバに基板を大気に曝すことなく
移動させて、基板の表面での大気中の水分による結露を
抑制することが可能である。
【００５７】更に、低温でのエッチングが可能な第１の
チャンバからこれよりも高い温度でのエッチングが可能
な第２のチャンバに移された基板の温度は上昇するた
め、基板の加熱のための特別な設備や処理が不要にな
り、設備コストの削減と、スループットの向上を図るこ
とができる。更に、２つのチャンバが連結されたエッチ
ング装置を用いることで、２台の別々のエッチング装置
を使用する場合に比べて装置コストの上昇を抑えること
ができ、かつ装置の設置面積の縮小を図ることができ
る。
チャンバからこれよりも高い温度でのエッチングが可能
な第２のチャンバに移された基板の温度は上昇するた
め、基板の加熱のための特別な設備や処理が不要にな
り、設備コストの削減と、スループットの向上を図るこ
とができる。更に、２つのチャンバが連結されたエッチ
ング装置を用いることで、２台の別々のエッチング装置
を使用する場合に比べて装置コストの上昇を抑えること
ができ、かつ装置の設置面積の縮小を図ることができ
る。
【図１】図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１の実施例
に係る密着層及び主導電層の成膜方法を用いたプラグの
形成方法について示す断面図である。
に係る密着層及び主導電層の成膜方法を用いたプラグの
形成方法について示す断面図である。
【図２】図２（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の実施例
に係る密着層及び主導電層の成膜方法を用いた他の例に
ついて示す断面図である。
に係る密着層及び主導電層の成膜方法を用いた他の例に
ついて示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施例に係る密着層及
び主導電層の成膜方法に用いられるＣＶＤ装置について
示す側面図である。
び主導電層の成膜方法に用いられるＣＶＤ装置について
示す側面図である。
【図４】図４（ａ），（ｂ）は、本発明の第２の実施例
に係るエッチング装置の構成について示す側面図及び平
面図である。
に係るエッチング装置の構成について示す側面図及び平
面図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施例に係るエッチン
グ装置のうち第１のエッチング室の詳細な構成について
示す側面図である。
グ装置のうち第１のエッチング室の詳細な構成について
示す側面図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施例に係るエッチン
グ装置のうち第２のエッチング室の詳細な構成について
示す側面図である。
グ装置のうち第２のエッチング室の詳細な構成について
示す側面図である。
【図７】図７は、本発明の第３の実施例に係るレジスト
マスクの除去方法に用いられるプラズマアッシャついて
示す側面図である。
マスクの除去方法に用いられるプラズマアッシャついて
示す側面図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第３の実施例
に係る配線層のエッチング方法及びレジストマスクの除
去方法について示す断面図である。
に係る配線層のエッチング方法及びレジストマスクの除
去方法について示す断面図である。
【図９】図９（ａ），（ｂ）は、従来例に係るタングス
テン膜を用いた配線層について示す断面図である。
テン膜を用いた配線層について示す断面図である。
【図１０】図１０（ａ），（ｂ）は、従来例に係るブラ
ンケットタングステン膜を用いた配線層の問題点につい
て示す断面図である。
ンケットタングステン膜を用いた配線層の問題点につい
て示す断面図である。
１１，３１ シリコン基板（半導体基板）、 １２，３２ 絶縁層、 １３，３３ コンタクトホール（開口）、 １４，14ａ，２０ 密着層（第１のタングステン膜）、 １５，15ａ，２１ 主導電層（第２のタングステン
膜）、 １６，２２ プラグ（埋込み層）、 １７，２３，２４，３７ 配線層、 １８ 層間絶縁膜、 １９ ビアホール（開口）、 ２１ チャンバ、 ２２ 基板保持具、 ３４，34ａ 密着層（ＴｉＮ膜）、 ３５，35ａ 主導電層（タングステン膜）、 ３６ レジストマスク（レジスト膜）、 ９１，１３１ チャンバ、 ９２，１３７ 基板保持具、 ９３，１２２ ヒータ（加熱手段）、 ９４ 第１のガス導入口、 ９５ 第２のガス導入口、 ９６，１０６〜１１０，１２６，１３９ 排気口、 ９７，１００ ウエハ、 １０１，１０１ａ 第１のチャンバ、 １０２，１０２ａ 第２のチャンバ、 １０３，１０３ａ 搬送室（搬送路）、 １０４，１０４ａ 入口側ロードロックチャンバ、 １０５，１０５ａ 出口側ロードロックチャンバ、 １１１，１２１ 基板保持具（第１の電極）、 １１２，１２３ 冷媒流路（冷却手段）、 １１３，１２５ 第２の電極、 １１４，１２６ 高周波電源、 １１５，１２７，１３８ ガス導入口、 １２４ 基板温度調節手段、 １３２ エッチング室、 １３３ プラズマ生成室、 １３４ マイクロ波導入室、 １３５，１３６ 仕切り板。
膜）、 １６，２２ プラグ（埋込み層）、 １７，２３，２４，３７ 配線層、 １８ 層間絶縁膜、 １９ ビアホール（開口）、 ２１ チャンバ、 ２２ 基板保持具、 ３４，34ａ 密着層（ＴｉＮ膜）、 ３５，35ａ 主導電層（タングステン膜）、 ３６ レジストマスク（レジスト膜）、 ９１，１３１ チャンバ、 ９２，１３７ 基板保持具、 ９３，１２２ ヒータ（加熱手段）、 ９４ 第１のガス導入口、 ９５ 第２のガス導入口、 ９６，１０６〜１１０，１２６，１３９ 排気口、 ９７，１００ ウエハ、 １０１，１０１ａ 第１のチャンバ、 １０２，１０２ａ 第２のチャンバ、 １０３，１０３ａ 搬送室（搬送路）、 １０４，１０４ａ 入口側ロードロックチャンバ、 １０５，１０５ａ 出口側ロードロックチャンバ、 １１１，１２１ 基板保持具（第１の電極）、 １１２，１２３ 冷媒流路（冷却手段）、 １１３，１２５ 第２の電極、 １１４，１２６ 高周波電源、 １１５，１２７，１３８ ガス導入口、 １２４ 基板温度調節手段、 １３２ エッチング室、 １３３ プラズマ生成室、 １３４ マイクロ波導入室、 １３５，１３６ 仕切り板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｈ０１Ｌ 21/285 Ｃ 21/3065 21/302 Ｂ 21/88 Ｑ
Claims (10)
- 【請求項１】 タングステンを含むガスを主としてジボ
ランにより還元し、絶縁層上に第１のタングステン膜を
形成する工程と、 タングステンを含むガスを水素又はシランにより還元
し、前記第１のタングステン膜上に第２のタングステン
膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板上に絶縁層を形成した後、前
記絶縁層に開口を形成する工程と、 タングステンを含むガスを主としてジボランにより還元
し、前記開口を被覆して前記絶縁層上に第１のタングス
テン膜を形成する工程と、 タングステンを含むガスを水素又はシランにより還元
し、前記第１のタングステン膜上に第２のタングステン
膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１のタングステン膜は、前記絶縁
層と前記第２のタングステン膜との間の密着を強化する
密着層であり、前記第２のタングステン膜は主導電層で
あることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記第１のタングステン膜及び前記第２
のタングステン膜はブランケットタングステンであるこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記第２のタングステン膜の形成後、前
記第１のタングステン膜及び第２のタングステン膜をエ
ッチングして前記開口に埋め込むことを特徴とする請求
項４に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記第２のタングステン膜の形成後、前
記第１のタングステン膜及び第２のタングステン膜を選
択的にエッチングして配線層を形成することを特徴とす
る請求項４に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 基板上に窒化チタン膜とタングステン膜
とを順に形成する工程と、 減圧雰囲気中で、前記基板を−２０℃以下の温度に保持
してフッ素を含むガスにより前記タングステン膜をエッ
チングする工程と、 前記タングステン膜のエッチング後に大気に曝さないで
前記基板を前記窒化チタン膜のエッチング場所に移す工
程と、 減圧雰囲気中で、前記基板を１５℃以上の温度に保持し
て塩素又は塩素を含むガスにより前記窒化チタン膜をエ
ッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項８】 前記フッ素を含むガスは三フッ化窒素で
あることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項９】 レジスト膜をマスクとして前記タングス
テン膜と前記窒化チタン膜をエッチングした後、活性化
したフッ素を含むガスと酸素を含むガスの混合ガスに前
記レジスト膜を曝して除去することを特徴とする請求項
７又は請求項８に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 基板の冷却手段を備え、活性化された
第１のガスにより減圧状態で前記基板上の第１の被エッ
チング体をエッチングする第１のチャンバと、 前記基板の加熱手段及び冷却手段を備え、活性化された
第２のガスにより減圧状態で前記基板上の第２の被エッ
チング体をエッチングする第２のチャンバと、 前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバとつなが
り、減圧状態を保持してこれらの間で前記基板を移動可
能な搬送路とを有することを特徴とする半導体装置の製
造装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP6127895A JPH08264530A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
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| JP6127895A JPH08264530A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
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|---|---|
| JPH08264530A true JPH08264530A (ja) | 1996-10-11 |
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ID=13166591
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JPH08264530A (ja) |
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999028526A1 (en) * | 1997-12-02 | 1999-06-10 | Applied Materials, Inc. | Low resistivity w using b2h6 nucleation step |
| WO2000004574A1 (en) * | 1998-07-14 | 2000-01-27 | Applied Materials, Inc. | Improved gate electrode connection structure by in situ chemical vapor deposition of tungsten and tungsten nitride |
| EP0981656A1 (en) * | 1997-05-16 | 2000-03-01 | Applied Materials, Inc. | Low resistivity w using b 2?h 6? |
| US6107200A (en) * | 1998-03-12 | 2000-08-22 | Fujitsu Limited | Semiconductor device manufacturing method |
| WO2001006032A1 (fr) * | 1999-07-14 | 2001-01-25 | Tokyo Electron Limited | Procede de formation d'un film de tungstene metallique |
| WO2001027347A1 (en) * | 1999-10-15 | 2001-04-19 | Asm Microchemistry Oy | Method of depositing transition metal nitride thin films |
| US6706115B2 (en) | 2001-03-16 | 2004-03-16 | Asm International N.V. | Method for preparing metal nitride thin films |
| US6902763B1 (en) | 1999-10-15 | 2005-06-07 | Asm International N.V. | Method for depositing nanolaminate thin films on sensitive surfaces |
| KR100477813B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2005-06-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의텅스텐금속배선형성방법 |
| US6986914B2 (en) | 2001-09-14 | 2006-01-17 | Asm International N.V. | Metal nitride deposition by ALD with reduction pulse |
| US7405143B2 (en) | 2004-03-25 | 2008-07-29 | Asm International N.V. | Method for fabricating a seed layer |
| US7498242B2 (en) | 2005-02-22 | 2009-03-03 | Asm America, Inc. | Plasma pre-treating surfaces for atomic layer deposition |
| US7595270B2 (en) | 2007-01-26 | 2009-09-29 | Asm America, Inc. | Passivated stoichiometric metal nitride films |
| US7598170B2 (en) | 2007-01-26 | 2009-10-06 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced ALD of tantalum nitride films |
| US7638170B2 (en) | 2007-06-21 | 2009-12-29 | Asm International N.V. | Low resistivity metal carbonitride thin film deposition by atomic layer deposition |
| US7749871B2 (en) | 1999-10-15 | 2010-07-06 | Asm International N.V. | Method for depositing nanolaminate thin films on sensitive surfaces |
| US7799680B2 (en) | 2003-08-04 | 2010-09-21 | Asm America, Inc. | Surface preparation prior to deposition on germanium |
| US8017182B2 (en) | 2007-06-21 | 2011-09-13 | Asm International N.V. | Method for depositing thin films by mixed pulsed CVD and ALD |
| JP2012054413A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Shibaura Mechatronics Corp | エッチング処理装置およびエッチング処理方法 |
| JP2012175073A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法および記憶媒体 |
| US8841182B1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-23 | Asm Ip Holding B.V. | Silane and borane treatments for titanium carbide films |
| US8846550B1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silane or borane treatment of metal thin films |
| US9012334B2 (en) | 2001-02-02 | 2015-04-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US9587310B2 (en) | 2001-03-02 | 2017-03-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US9631272B2 (en) | 2008-04-16 | 2017-04-25 | Asm America, Inc. | Atomic layer deposition of metal carbide films using aluminum hydrocarbon compounds |
| US9704716B2 (en) | 2013-03-13 | 2017-07-11 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of smooth metal nitride films |
| US9786492B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US9786491B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US9831094B2 (en) | 2005-10-27 | 2017-11-28 | Asm International N.V. | Enhanced thin film deposition |
| US9941425B2 (en) | 2015-10-16 | 2018-04-10 | Asm Ip Holdings B.V. | Photoactive devices and materials |
| US10002936B2 (en) | 2014-10-23 | 2018-06-19 | Asm Ip Holding B.V. | Titanium aluminum and tantalum aluminum thin films |
| US10103152B2 (en) | 2016-08-17 | 2018-10-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| US10504901B2 (en) | 2017-04-26 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured using the same |
| US10513772B2 (en) | 2009-10-20 | 2019-12-24 | Asm International N.V. | Process for passivating dielectric films |
| US10600637B2 (en) | 2016-05-06 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOC thin films |
| US10643925B2 (en) | 2014-04-17 | 2020-05-05 | Asm Ip Holding B.V. | Fluorine-containing conductive films |
| US10847529B2 (en) | 2017-04-13 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by the same |
| US10991573B2 (en) | 2017-12-04 | 2021-04-27 | Asm Ip Holding B.V. | Uniform deposition of SiOC on dielectric and metal surfaces |
| US11158500B2 (en) | 2017-05-05 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of oxygen containing thin films |
-
1995
- 1995-03-20 JP JP6127895A patent/JPH08264530A/ja active Pending
Cited By (71)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6156382A (en) * | 1997-05-16 | 2000-12-05 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition process for depositing tungsten |
| EP0981656A4 (en) * | 1997-05-16 | 2004-05-06 | Applied Materials Inc | LOW RESISTIVITY TUNGSTEN USING B 2? H 6? |
| EP0981656A1 (en) * | 1997-05-16 | 2000-03-01 | Applied Materials, Inc. | Low resistivity w using b 2?h 6? |
| US6251190B1 (en) | 1997-06-30 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Gate electrode connection structure by in situ chemical vapor deposition of tungsten and tungsten nitride |
| US6162715A (en) * | 1997-06-30 | 2000-12-19 | Applied Materials, Inc. | Method of forming gate electrode connection structure by in situ chemical vapor deposition of tungsten and tungsten nitride |
| US6206967B1 (en) | 1997-12-02 | 2001-03-27 | Applied Materials, Inc. | Low resistivity W using B2H6 nucleation step |
| US6099904A (en) * | 1997-12-02 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Low resistivity W using B2 H6 nucleation step |
| WO1999028526A1 (en) * | 1997-12-02 | 1999-06-10 | Applied Materials, Inc. | Low resistivity w using b2h6 nucleation step |
| KR100477813B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2005-06-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의텅스텐금속배선형성방법 |
| US6107200A (en) * | 1998-03-12 | 2000-08-22 | Fujitsu Limited | Semiconductor device manufacturing method |
| WO2000004574A1 (en) * | 1998-07-14 | 2000-01-27 | Applied Materials, Inc. | Improved gate electrode connection structure by in situ chemical vapor deposition of tungsten and tungsten nitride |
| WO2001006032A1 (fr) * | 1999-07-14 | 2001-01-25 | Tokyo Electron Limited | Procede de formation d'un film de tungstene metallique |
| US6964790B1 (en) | 1999-07-14 | 2005-11-15 | Tokyo Electron Limited | Method for forming metallic tungsten film |
| US6902763B1 (en) | 1999-10-15 | 2005-06-07 | Asm International N.V. | Method for depositing nanolaminate thin films on sensitive surfaces |
| US6863727B1 (en) | 1999-10-15 | 2005-03-08 | Asm International N.V. | Method of depositing transition metal nitride thin films |
| WO2001027347A1 (en) * | 1999-10-15 | 2001-04-19 | Asm Microchemistry Oy | Method of depositing transition metal nitride thin films |
| US7749871B2 (en) | 1999-10-15 | 2010-07-06 | Asm International N.V. | Method for depositing nanolaminate thin films on sensitive surfaces |
| JP2003511561A (ja) * | 1999-10-15 | 2003-03-25 | エイエスエム マイクロケミストリ オーワイ | 遷移金属窒化物薄膜の堆積方法 |
| JP4713041B2 (ja) * | 1999-10-15 | 2011-06-29 | エイエスエム インターナショナル エヌ．ヴェー． | 遷移金属窒化物薄膜の堆積方法 |
| KR100744219B1 (ko) * | 1999-10-15 | 2007-08-01 | 에이에스엠 인터내셔널 엔.붸. | 전이 금속 질화물 박막의 증착 방법 |
| US9012334B2 (en) | 2001-02-02 | 2015-04-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US9587310B2 (en) | 2001-03-02 | 2017-03-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6706115B2 (en) | 2001-03-16 | 2004-03-16 | Asm International N.V. | Method for preparing metal nitride thin films |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US7410666B2 (en) | 2001-09-14 | 2008-08-12 | Asm International N.V. | Metal nitride carbide deposition by ALD |
| US6986914B2 (en) | 2001-09-14 | 2006-01-17 | Asm International N.V. | Metal nitride deposition by ALD with reduction pulse |
| US7799680B2 (en) | 2003-08-04 | 2010-09-21 | Asm America, Inc. | Surface preparation prior to deposition on germanium |
| US7405143B2 (en) | 2004-03-25 | 2008-07-29 | Asm International N.V. | Method for fabricating a seed layer |
| US7498242B2 (en) | 2005-02-22 | 2009-03-03 | Asm America, Inc. | Plasma pre-treating surfaces for atomic layer deposition |
| US10964534B2 (en) | 2005-10-27 | 2021-03-30 | Asm International | Enhanced thin film deposition |
| US9831094B2 (en) | 2005-10-27 | 2017-11-28 | Asm International N.V. | Enhanced thin film deposition |
| US10297444B2 (en) | 2005-10-27 | 2019-05-21 | Asm International N.V. | Enhanced thin film deposition |
| US7595270B2 (en) | 2007-01-26 | 2009-09-29 | Asm America, Inc. | Passivated stoichiometric metal nitride films |
| US7598170B2 (en) | 2007-01-26 | 2009-10-06 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced ALD of tantalum nitride films |
| US7638170B2 (en) | 2007-06-21 | 2009-12-29 | Asm International N.V. | Low resistivity metal carbonitride thin film deposition by atomic layer deposition |
| US8017182B2 (en) | 2007-06-21 | 2011-09-13 | Asm International N.V. | Method for depositing thin films by mixed pulsed CVD and ALD |
| US9631272B2 (en) | 2008-04-16 | 2017-04-25 | Asm America, Inc. | Atomic layer deposition of metal carbide films using aluminum hydrocarbon compounds |
| US11549177B2 (en) | 2009-10-20 | 2023-01-10 | Asm International, N.V. | Process for passivating dielectric films |
| US10513772B2 (en) | 2009-10-20 | 2019-12-24 | Asm International N.V. | Process for passivating dielectric films |
| JP2012054413A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Shibaura Mechatronics Corp | エッチング処理装置およびエッチング処理方法 |
| JP2012175073A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法および記憶媒体 |
| US9704716B2 (en) | 2013-03-13 | 2017-07-11 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of smooth metal nitride films |
| US10074541B2 (en) | 2013-03-13 | 2018-09-11 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of smooth metal nitride films |
| US8846550B1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silane or borane treatment of metal thin films |
| US9236247B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Silane and borane treatments for titanium carbide films |
| US8841182B1 (en) | 2013-03-14 | 2014-09-23 | Asm Ip Holding B.V. | Silane and borane treatments for titanium carbide films |
| US9111749B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-08-18 | Asm Ip Holdings B.V. | Silane or borane treatment of metal thin films |
| US9583348B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Silane and borane treatments for titanium carbide films |
| US11450591B2 (en) | 2014-04-17 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Fluorine-containing conductive films |
| US10643925B2 (en) | 2014-04-17 | 2020-05-05 | Asm Ip Holding B.V. | Fluorine-containing conductive films |
| US11139383B2 (en) | 2014-10-23 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Titanium aluminum and tantalum aluminum thin films |
| US10002936B2 (en) | 2014-10-23 | 2018-06-19 | Asm Ip Holding B.V. | Titanium aluminum and tantalum aluminum thin films |
| US10636889B2 (en) | 2014-10-23 | 2020-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Titanium aluminum and tantalum aluminum thin films |
| US10861986B2 (en) | 2015-10-16 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Photoactive devices and materials |
| US11362222B2 (en) | 2015-10-16 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Photoactive devices and materials |
| US9941425B2 (en) | 2015-10-16 | 2018-04-10 | Asm Ip Holdings B.V. | Photoactive devices and materials |
| US11107673B2 (en) | 2015-11-12 | 2021-08-31 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US9786492B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US11996284B2 (en) | 2015-11-12 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US10424476B2 (en) | 2015-11-12 | 2019-09-24 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US9786491B2 (en) | 2015-11-12 | 2017-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US10510529B2 (en) | 2015-11-12 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOCN thin films |
| US11562900B2 (en) | 2016-05-06 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOC thin films |
| US10600637B2 (en) | 2016-05-06 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of SiOC thin films |
| US10103152B2 (en) | 2016-08-17 | 2018-10-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| US10847529B2 (en) | 2017-04-13 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by the same |
| US11195845B2 (en) | 2017-04-13 | 2021-12-07 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by the same |
| US10504901B2 (en) | 2017-04-26 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured using the same |
| US11158500B2 (en) | 2017-05-05 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of oxygen containing thin films |
| US11776807B2 (en) | 2017-05-05 | 2023-10-03 | ASM IP Holding, B.V. | Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of oxygen containing thin films |
| US10991573B2 (en) | 2017-12-04 | 2021-04-27 | Asm Ip Holding B.V. | Uniform deposition of SiOC on dielectric and metal surfaces |
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