JPH08264410A - Alignment stage - Google Patents
Alignment stageInfo
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- JPH08264410A JPH08264410A JP7061106A JP6110695A JPH08264410A JP H08264410 A JPH08264410 A JP H08264410A JP 7061106 A JP7061106 A JP 7061106A JP 6110695 A JP6110695 A JP 6110695A JP H08264410 A JPH08264410 A JP H08264410A
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- mask holder
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Machine Tool Units (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Workshop Equipment, Work Benches, Supports, Or Storage Means (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、６自由度で位置合わせ
を行う位置決めステージに関し、特に露光装置のマスク
とウエハの相互位置調整用のステージに関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positioning stage for performing alignment with 6 degrees of freedom, and more particularly to a stage for adjusting a mutual position of a mask and a wafer of an exposure apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】露光装置は、ウエハ表面にマスクのパタ
ーンを焼き付けるためにマスクとウエハの相互間の位置
合わせを高精度に調整する必要がある。この露光装置の
マスクとウエハの相互間位置調整用の従来のステージと
して特開平２−９５５０号公報に開示された発明が知ら
れている。同公報記載の発明によれば、装置の構成は図
８の側面図及び図９の平面図に示すように、定盤５１上
にウエハホルダ５２及びマスクホルダ５３が設けられ、
マスクホルダ５３にはマスク５５が、ウエハホルダ５２
にはウエハ５４が取り付けられるようになっている。さ
らにマスクホルダ５３の上方には露光用の光学系５６及
びアライメント用の光学系５７が設置されている。2. Description of the Related Art An exposure apparatus needs to adjust the alignment between the mask and the wafer with high accuracy in order to print the pattern of the mask on the surface of the wafer. The invention disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-9550 is known as a conventional stage for adjusting the mutual position of the mask and the wafer of this exposure apparatus. According to the invention described in the publication, as shown in the side view of FIG. 8 and the plan view of FIG. 9, the apparatus is provided with a wafer holder 52 and a mask holder 53 on a surface plate 51.
A mask 55 is attached to the mask holder 53 and a wafer holder 52 is attached.
A wafer 54 is attached to the. Furthermore, an optical system 56 for exposure and an optical system 57 for alignment are installed above the mask holder 53.
【０００３】また、ウエハホルダ５２がステージ６０の
上面に設置され、ステージ６０に力を作用させてＸ方向
に移動させる１組のＸ送り機構６１と、ステージ６０に
２箇所において力を作用させてＹ方向に移動させる２組
のＹ送り機構６２と、ステージ６０の裏面側から３箇所
において力を作用させてＺ方向に移動させる３組のＺ送
り機構６３と、ウエハ５４の高さと傾きを検出する複数
のセンサ６２とを備えている。Further, a wafer holder 52 is installed on the upper surface of the stage 60, and a set of X feed mechanism 61 for exerting a force on the stage 60 to move it in the X direction and a force for exerting a force on the stage 60 at two points Y. Direction, two sets of Y feed mechanisms 62, three sets of Z feed mechanisms 63 that apply a force to move in the Z direction from the back side of the stage 60, and the height and tilt of the wafer 54 are detected. And a plurality of sensors 62.
【０００４】そして、アライメント用の光学系５７でマ
スク５５とウエハ５４の合わせマークを観察しながらＸ
Ｙ方向の位置を調整するとともにセンサ６２の値を見な
がらＺ方向の高さ及び傾きを調整する。これらの操作
後、露光用の光を照射し、ウエハ５４表面にマスク５５
のパターンを焼き付けるようになっている。Then, while observing the alignment mark between the mask 55 and the wafer 54 with the optical system 57 for alignment, X
The height and inclination in the Z direction are adjusted while adjusting the position in the Y direction and observing the value of the sensor 62. After these operations, light for exposure is irradiated to mask 55 on the surface of wafer 54.
Is designed to be burned.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この位
置決めステージでは、マスク５５とウエハ５４を密着さ
せて露光する場合、マスク５５とウエハ５４が平行にな
るように調整しなければならいので手間がかかる。さら
にウエハ５４をマスク５５に押しつける圧力の制御が難
しいという問題がある。However, in this positioning stage, when the mask 55 and the wafer 54 are brought into close contact with each other for exposure, it is necessary to make adjustments so that the mask 55 and the wafer 54 are parallel to each other, which is troublesome. Further, it is difficult to control the pressure for pressing the wafer 54 against the mask 55.
【０００６】よって本発明は前記問題点に鑑みてなされ
たものであり、マスク５５とウエハ５４を容易に位置調
整して密着させる、その際に常に一定の圧力でウエハ５
４をマスク５５に押しつけつつ露光することができる露
光装置の位置決めステージを提供する。Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and the mask 55 and the wafer 54 are easily adjusted in position and brought into close contact with each other.
There is provided a positioning stage of an exposure apparatus capable of performing exposure while pressing 4 on the mask 55.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の位置決めステージは図１に示すように、定
盤１上にステージ機構８を介してウエハホルダ２が設け
られ、ウエハホルダ２にはウエハ４が取り付けられる。
一方、ウエハ４に対向してその上方にはマスクホルダ３
が設けられ、マスクホルダ３にはマスク３が取り付けら
れるようになっている。またマスクホルダ３の上方には
Ｘ軸まわり及びＹ軸まわりに回転するチルトステージ９
が設けられ、マスクホルダ３はＸＹ方向にのみ動かない
状態でチルトステージ９に対し３か所の吊り部材１０を
介して吊り下げられている。そして吊り下げられたマス
クホルダ３はバネ１１を介して重量バランスが保たれる
ようになっている。さらにチルトステージ９にはチルト
ステージ９とマスクホルダ３との間隔を測定する３か所
の測長器１２が設けられている。そしてマスク５に対す
るウエハ４の位置は、ステージ機構８によりウエハ４を
Ｚ軸まわりに回転及びＸＹＺ方向に移動させることによ
り位置合わすることを可能になっている。In order to achieve the above object, the positioning stage of the present invention is provided with a wafer holder 2 on a surface plate 1 via a stage mechanism 8 as shown in FIG. The wafer 4 is attached.
On the other hand, the mask holder 3 faces the wafer 4 and is located above it.
Is provided, and the mask 3 is attached to the mask holder 3. Above the mask holder 3, there is a tilt stage 9 that rotates about the X axis and the Y axis.
Is provided, and the mask holder 3 is suspended from the tilt stage 9 via suspension members 10 at three locations in a state where it does not move only in the XY directions. The weight of the suspended mask holder 3 is maintained via the spring 11. Further, the tilt stage 9 is provided with three length measuring devices 12 for measuring the distance between the tilt stage 9 and the mask holder 3. The position of the wafer 4 with respect to the mask 5 can be aligned by rotating the wafer 4 around the Z axis and moving it in the XYZ directions by the stage mechanism 8.
【０００８】[0008]
【作用】本発明によれば、ウエハホルダ２にウエハ４
を、マスクホルダ３にマスク５をセットし、ステージ機
構８によりウエハ４のＸＹ方向とＺ軸まわりの回転位置
を合わせることによりウエハ４とマスク５の相対的位置
を決定することができる。また、焼き付け精度を高める
ためにウエハ４とマスク５を平行にする必要がある。こ
の平行度の調整にはステージ機構８によりウエハ４をＺ
方向に上昇させることにより、ウエハ４をマスク５に平
行に接触させることができる。According to the present invention, the wafer 4 is mounted on the wafer holder 2.
By setting the mask 5 on the mask holder 3 and aligning the rotational positions of the wafer 4 around the XY direction and the Z axis by the stage mechanism 8, the relative positions of the wafer 4 and the mask 5 can be determined. Further, it is necessary to make the wafer 4 and the mask 5 parallel to each other in order to improve the baking accuracy. To adjust the parallelism, the stage mechanism 8 moves the wafer 4 to Z
The wafer 4 can be brought into contact with the mask 5 in parallel by raising in the direction.
【０００９】ウエハ４とマスク５を平行に接触させるこ
とについては、マスク３がバネ１１を介して重量バラン
スが保たれた状態でチルトステージ９に吊り部材１０を
介して吊り下げられているので、ウエハ４をさらにＺ方
向に上昇させていくことによりマスク５がマスクホルダ
３とともに上昇させられて、マスクホルダ３がウエハ４
に対して傾いていたとしてもウエハ４の傾きにならって
マスク５も傾斜させられる。そして３か所の測長器１２
が全てマスクホルダ３の上昇を示したときにウエハ４と
マスク５は平行な状態になり、両者が密着した状態とな
るので、この状態を保ちつつ焼き付けを行う。Regarding the contact between the wafer 4 and the mask 5 in parallel, since the mask 3 is suspended by the tilt stage 9 through the suspension member 10 in a state where the weight balance is maintained by the spring 11. By further raising the wafer 4 in the Z direction, the mask 5 is raised together with the mask holder 3, and the mask holder 3 is moved to the wafer 4
Even if the mask 5 is inclined with respect to, the mask 5 is also inclined according to the inclination of the wafer 4. And three length measuring instruments 12
When all indicate that the mask holder 3 has risen, the wafer 4 and the mask 5 are in a parallel state and are in close contact with each other. Therefore, baking is performed while maintaining this state.
【００１０】また、ウエハ４とマスクと５の間にミクロ
ンオーダの間隔を設けて焼き付けを行う場合は、予め負
荷がかかっていない状態のチルトステージ９と、マスク
ホルダ３の間隔を３か所の測長機１２により計測して原
点合わせをしておき、マスク５がウエハ４に密着して平
行になった状態で３か所の測長機１２が同じ値を示すよ
うにチルトステージ９を調整する。When printing is performed with a micron-order interval provided between the wafer 4 and the mask 5, the interval between the tilt stage 9 and the mask holder 3 which is not preloaded is set at three positions. The tilt stage 9 is adjusted so that the origins are measured and aligned with the length-measuring machine 12 and that the lengths of the three length-measuring machines 12 show the same value when the mask 5 is in close contact with and parallel to the wafer 4. To do.
【００１１】つぎに、ステージ機構８によりウエハ４を
下降させる。このとき、マスク５はウエハ４と密着した
状態で下降し、３箇所の測定機１２が原点に戻った時マ
スク５は停止する。その後ウエハ４を任意の距離だけ下
降させ、ウエハ４とマスク５との間に所望の隙間を形成
させて焼き付けを行う。Next, the stage mechanism 8 lowers the wafer 4. At this time, the mask 5 is lowered in a state of being in close contact with the wafer 4, and the mask 5 is stopped when the measuring machines 12 at the three places return to the origin. After that, the wafer 4 is lowered by an arbitrary distance, a desired gap is formed between the wafer 4 and the mask 5, and baking is performed.
【００１２】また、チルトステージ９にシリンダ１２を
設けマスクホルダ３を下方に押圧可能にすることによ
り、シリンダ１２にてウエハ４とマスク５の接触圧を調
整することができる。また、マスクホルダ３がチルトス
テージ９に吊り下げられた状態で固定することもでき
る。Further, by providing the tilt stage 9 with the cylinder 12 so that the mask holder 3 can be pressed downward, the contact pressure between the wafer 4 and the mask 5 can be adjusted by the cylinder 12. Further, the mask holder 3 can be fixed while being suspended from the tilt stage 9.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面とともに具体的
に説明する。なお各実施例において共通の要旨は共通の
符号を付して対応させることにより重複する説明を省略
する。Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings. In each of the embodiments, common points will be denoted by common reference numerals and corresponding description will be omitted.
【００１４】[0014]
【実施例１】図２及び図３は本発明の実施例１を示し、
図２は位置決めステージの要部断面図。図３は図２の平
面図である。本実施例の位置決めステージは、定盤１上
に設けられたステージ機構８の面にウエハホルダ２が設
けられ、ウエハホルダ２の上方にはその面に対向してマ
スクホルダ３が設けられている。そして、ウエハホルダ
２の面にはウエハ４が、マスクホルダ３の面にはマスク
５が真空吸着にて取り付けられるようになっている。Embodiment 1 FIGS. 2 and 3 show Embodiment 1 of the present invention,
FIG. 2 is a sectional view of the main part of the positioning stage. FIG. 3 is a plan view of FIG. In the positioning stage of this embodiment, the wafer holder 2 is provided on the surface of the stage mechanism 8 provided on the surface plate 1, and the mask holder 3 is provided above the wafer holder 2 so as to face the surface. The wafer 4 is attached to the surface of the wafer holder 2, and the mask 5 is attached to the surface of the mask holder 3 by vacuum suction.
【００１５】そして、マスクホルダ３の上方にはスライ
ドレール１５を介して水平方向に移動可能なチルトステ
ージ９が設けられ、マスクホルダ３は３個の吊り部材１
０を介してチルトステージ９に吊りさげられるとともに
バネ１１にて下方に押し下げられ、重量バランスが保た
れている。A tilt stage 9 which is horizontally movable via a slide rail 15 is provided above the mask holder 3, and the mask holder 3 includes three suspension members 1
It is hung on the tilt stage 9 via 0 and pushed down by the spring 11 to keep the weight balance.
【００１６】マスクホルダ３はその側方における対向面
にそれぞれ配置された４個のプランジャ１４にてＸ，Ｙ
方向の動きが規制され、またチルトステージ９はその対
角位置に配置された２個の作動マイクロメータヘッド１
３にてチルト操作され、ステージ機構８はウエハホルダ
２をＸ，Ｙ方向の位置とＺ軸まわりの回転位置を調整す
ることが可能に構成している。そして、この構成の上方
には露光用の光学系６と移動可能なアライメント用光学
系７が配置されている。The mask holder 3 is provided with four plungers 14 arranged on opposite sides of the mask holder 3 in X and Y directions.
The movement of the direction is restricted, and the tilt stage 9 has two working micrometer heads 1 arranged at diagonal positions thereof.
The stage mechanism 8 is configured to be capable of adjusting the position of the wafer holder 2 in the X and Y directions and the rotational position around the Z axis by being tilted at 3. An exposure optical system 6 and a movable alignment optical system 7 are arranged above this structure.
【００１７】この構成の位置決めステージの作用として
は、チルトステージ９をスライドレール１５を介して水
平方向に移動させ互いが対向しない状態にして、ウエハ
ホルダ２にはウエハ４を、マスクホルダ３にはマスク５
をそれぞれ真空吸着させた後にチルトステージ９を元に
移動させてマスク５とウエハ４とを対向させる。The operation of the positioning stage having this structure is that the tilt stage 9 is moved horizontally via the slide rails 15 so that they do not face each other, and the wafer 4 is placed on the wafer holder 2 and the mask is placed on the mask holder 3. 5
After each of them is vacuum-sucked, the tilt stage 9 is moved to make the mask 5 and the wafer 4 face each other.
【００１８】つぎに、アライメント用光学系７によりウ
エハ４とマスク５のそれぞれ２か所の図示しないマーク
を観察し、ステージ機構８にてＸ，Ｙ方向とＺ軸まわり
の回転位置調整をして観察マークの位置合わせする。こ
れにより、ウエハ４とマスク５の相対的位置が決まる。Next, the alignment optical system 7 observes two marks (not shown) on each of the wafer 4 and the mask 5, and the stage mechanism 8 adjusts the rotational positions around the X and Y directions and the Z axis. Align the observation mark. As a result, the relative positions of the wafer 4 and the mask 5 are determined.
【００１９】平行度の調整は、ステージ機構８によりウ
エハ４をＺ方向に上昇させることによりウエハ４をマス
ク５に接触させる。この場合、マスクホルダ３がバネ１
１により重量バランスを保った状態でチルトステージ９
に吊り部材を介して吊り下げられているので、ウエハ４
が傾斜していてもマスク５はその傾斜に沿って接触す
る。この状態でさらにウエハ４を上昇させると、マスク
５がマスクホルダ３とともにバネの弾性力に抗して上方
に持ち上げられる。そして、３か所の測長機１２の全て
が、マスクホルダ３が上昇したことを示したとき、マス
ク５がウエハ４に密着した状態になるので、この時点で
焼き付けを行う。To adjust the parallelism, the wafer 4 is brought into contact with the mask 5 by raising the wafer 4 in the Z direction by the stage mechanism 8. In this case, the mask holder 3 has the spring 1
Tilt stage 9 with weight balance maintained by 1
The wafer 4 is hung from the wafer 4 via a hanging member.
Even when the mask is inclined, the mask 5 contacts along the inclination. When the wafer 4 is further raised in this state, the mask 5 is lifted upward together with the mask holder 3 against the elastic force of the spring. Then, when all of the length measuring machines 12 at three places indicate that the mask holder 3 has been lifted, the mask 5 is brought into close contact with the wafer 4, and therefore, printing is performed at this point.
【００２０】また、ウエハ４とマスク５との間にミクロ
ンオーダの間隔を設けて焼き付けを行う場合は、予め負
荷の無い状態のチルトステージ９とマスクホルダ３との
間隔を３か所の測長機１２により計測して原点合わせを
しておく。そして、マスク５がウエハ４に密着して両者
が平行となった状態で３か所の測長機１２が同じ値を示
すようにチルトステージ９を作動マイクロメータヘッド
１３によりチルト調整した後にステージ機構８によりウ
エハ４を下降させる。In the case where the wafer 4 and the mask 5 are printed with an interval of the order of micron between them, the interval between the tilt stage 9 and the mask holder 3 which is not loaded in advance is measured at three positions. The machine 12 is used to measure and align the origin. Then, the tilt stage 9 is tilt-adjusted by the actuating micrometer head 13 so that the length measuring machines 12 at three locations show the same value in a state where the mask 5 is in close contact with the wafer 4 and are parallel to each other. The wafer 4 is lowered by 8.
【００２１】このとき、マスク５はウエハ４と密着した
状態で下降し、３箇所の測長機１２が原点に戻ったとき
マスク５を停止させ、その後にさらにウエハ４を任意の
距離だけ下降させウエハ４とマスク５との間に隙間を形
成させて焼き付けを行う。At this time, the mask 5 is lowered in a state of being in close contact with the wafer 4, and the mask 5 is stopped when the three length measuring machines 12 return to the origin, and then the wafer 4 is further lowered by an arbitrary distance. A gap is formed between the wafer 4 and the mask 5, and baking is performed.
【００２２】本実施例によればマスク５とウエハ４とを
密着させる場合に、ウエハ４をＺ方向に上昇させるだけ
でマスク５の傾きを自動的に調整することができる。According to this embodiment, when the mask 5 and the wafer 4 are brought into close contact with each other, the inclination of the mask 5 can be automatically adjusted only by raising the wafer 4 in the Z direction.
【００２３】[0023]
【実施例２】図４及び図５は本発明の実施例２を示し、
図４は位置決めステージの要部断面図、図５は図４の平
面図である。本実施例では前記実施例１の位置決めステ
ージにおいて、マスクホルダ３を下方に押圧可能にする
シリンダ１６をチルトステージ９の４か所に設けたもの
である。Second Embodiment FIGS. 4 and 5 show a second embodiment of the present invention,
4 is a cross-sectional view of the main part of the positioning stage, and FIG. 5 is a plan view of FIG. In this embodiment, in the positioning stage of the first embodiment, cylinders 16 that enable the mask holder 3 to be pressed downward are provided at four positions on the tilt stage 9.
【００２４】この構成の位置決めステージは、マスク５
がウエハ４に密着した状態でシリンダ１６の圧力を調整
することにより、ウエハ４とマスク５との接触圧を調整
することができる。またマスクホルダ３をチルトステー
ジ９に吊り下げられた状態のままで固定することもでき
る。The positioning stage having this structure is provided with the mask 5
The contact pressure between the wafer 4 and the mask 5 can be adjusted by adjusting the pressure of the cylinder 16 in a state where the wafer 4 is in close contact with the wafer 4. Further, the mask holder 3 can be fixed while being suspended from the tilt stage 9.
【００２５】本実施例によれば、ウエハ４とマスク５と
の接触圧を調整することができるので、焼き付けを行う
際にソフトコンタクト方式、あるいはハードコンタクト
方式等の選択ができる。According to this embodiment, since the contact pressure between the wafer 4 and the mask 5 can be adjusted, the soft contact method or the hard contact method can be selected when printing.
【００２６】[0026]
【実施例３】図６及び図７は本発明の実施例３を示し、
図６は位置決めステージの要部断面図、図７は図６の平
面図である。本実施例では前記実施例１の位置決めステ
ージにおいて、ウエハホルダ２のウエハ吸着部外周に、
ゴムパッキン１７を配置するとともに、ゴムパッキン１
７の内側に通じる排気孔２ａを設けたものである。Third Embodiment FIGS. 6 and 7 show a third embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a sectional view of a main part of the positioning stage, and FIG. 7 is a plan view of FIG. In this embodiment, in the positioning stage of the first embodiment, the wafer holder 2 has an outer periphery on the wafer suction portion.
The rubber packing 17 is arranged and the rubber packing 1
An exhaust hole 2a communicating with the inside of 7 is provided.
【００２７】この構成の位置決めステージは、ステージ
機構８によりＸ，Ｙ方向及びＺ軸まわりの回転位置を合
わせてウエハ４とマスク５との相対的位置を決め、その
後にステージ機構８によりウエハ４をＺ方向に上昇させ
る。そして、前記実施例１と同様に３か所の測長機１２
が全てマスクホルダ３の上昇を示したとき、ゴムパッキ
ン１７がマスク５に密着状態となるので、ゴムパッキン
１７の内側でウエハ４とマスク５間に存在する空気を排
気孔２ａを介して図示しない排気装置にて排気すること
によりウエハ４とマスク５とを密着させることができ
る。In the positioning stage having this structure, the relative position between the wafer 4 and the mask 5 is determined by aligning the rotational positions around the X, Y directions and the Z axis by the stage mechanism 8, and then the wafer 4 is moved by the stage mechanism 8. Raise in the Z direction. Then, as in the first embodiment, the length measuring machines 12 at three locations are used.
Indicates that the mask holder 3 has risen, the rubber packing 17 is brought into close contact with the mask 5, so that the air existing between the wafer 4 and the mask 5 inside the rubber packing 17 is not shown through the exhaust hole 2a. The wafer 4 and the mask 5 can be brought into close contact with each other by exhausting with an exhaust device.
【００２８】本実施例によれば、ウエハ４とマスク５と
の間に存在する空気量を排気により調整して真空度を増
すことによりウエハ４とマスク５との密着度を一層高め
ることができる。According to the present embodiment, the amount of air existing between the wafer 4 and the mask 5 is adjusted by exhausting to increase the degree of vacuum, so that the degree of adhesion between the wafer 4 and the mask 5 can be further enhanced. .
【００２９】[0029]
【発明の効果】本発明によればマスクとウエハとを密着
させる場合、マスクとウエハの傾きを自動的に調整で
き、その際にウエハをマスクに押しつける接触圧を容易
に制御できる。According to the present invention, when the mask and the wafer are brought into close contact with each other, the inclination of the mask and the wafer can be automatically adjusted, and at that time, the contact pressure for pressing the wafer against the mask can be easily controlled.
【図１】本発明の位置決めステージの要部断面図。FIG. 1 is a sectional view of a main part of a positioning stage of the present invention.
【図２】本発明の実施例１を示す位置決めステージの要
部断面図。FIG. 2 is a sectional view of a main part of a positioning stage showing the first embodiment of the present invention.
【図３】図２の平面図。FIG. 3 is a plan view of FIG. 2;
【図４】本発明の実施例２を示す位置決めステージの要
部断面図。FIG. 4 is a sectional view of a main part of a positioning stage showing a second embodiment of the present invention.
【図５】図４の平面図。5 is a plan view of FIG.
【図６】本発明の実施例３を示す位置決めステージの要
部断面図。FIG. 6 is a sectional view of a main part of a positioning stage showing a third embodiment of the present invention.
【図７】図６の平面図FIG. 7 is a plan view of FIG. 6;
【図８】従来のステージの側面図。FIG. 8 is a side view of a conventional stage.
【図９】従来のステージの平面図。FIG. 9 is a plan view of a conventional stage.
１ 定盤 ２ ウエハホルダ ３ マスクホルダ ４ ウエハ ５ マスク ６ 露光用光学系 ７ 移動可能なアライメント用光学系 ８ ステージ機構 ９ チルトステージ １０ 吊り部材 １１ バネ １２ 測長機 1 surface plate 2 wafer holder 3 mask holder 4 wafer 5 mask 6 exposure optical system 7 movable alignment optical system 8 stage mechanism 9 tilt stage 10 suspension member 11 spring 12 length measuring machine
Claims (2)
ハを設置するウエハホルダと、ウエハを軸まわりに回転
及びＸ，Ｙ，Ｚ方向に移動させ、マスクとウエハとの位
置合わせをするステージから成る位置決め機構におい
て、Ｘ軸及びＹ軸まわりに回転するチルトステージと、
Ｘ，Ｙ方向にのみ動かない状態で前記チルトステージに
吊り下げられたマスクホルダと、前記マスクホルダの重
量バランスをとるバネと、前記チルトステージと前記マ
スクホルダの間隔を３か所で測定する測長器とを備えた
ことを特徴とする位置決めステージ。1. A positioning comprising a mask holder for placing a mask, a wafer holder for placing a wafer, and a stage for aligning the mask with the wafer by rotating the wafer about an axis and moving it in the X, Y, and Z directions. In the mechanism, a tilt stage that rotates around the X axis and the Y axis,
A mask holder hung on the tilt stage in a state where it does not move only in the X and Y directions, a spring that balances the weight of the mask holder, and a measurement that measures the distance between the tilt stage and the mask holder at three locations. A positioning stage characterized by having a length device.
るシリンダを前記チルトステージに設けたことを特徴と
する請求項１記載の位置決めステージ。2. The positioning stage according to claim 1, wherein the tilt stage is provided with a cylinder that allows the mask holder to be pressed downward.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7061106A JPH08264410A (en) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | Alignment stage |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7061106A JPH08264410A (en) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | Alignment stage |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264410A true JPH08264410A (en) | 1996-10-11 |
Family
ID=13161503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7061106A Withdrawn JPH08264410A (en) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | Alignment stage |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264410A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270486A (en) * | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Orc Mfg Co Ltd | Substrate exposure apparatus and method of using the same |
| JP2003029414A (en) * | 2001-07-19 | 2003-01-29 | Adtec Engineeng Co Ltd | Exposure device |
| JP2009058630A (en) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Ulvac Japan Ltd | Photoirradiation device |
-
1995
- 1995-03-20 JP JP7061106A patent/JPH08264410A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002270486A (en) * | 2001-03-09 | 2002-09-20 | Orc Mfg Co Ltd | Substrate exposure apparatus and method of using the same |
| JP4594541B2 (en) * | 2001-03-09 | 2010-12-08 | 株式会社オーク製作所 | Substrate exposure apparatus and method of using the same |
| JP2003029414A (en) * | 2001-07-19 | 2003-01-29 | Adtec Engineeng Co Ltd | Exposure device |
| JP2009058630A (en) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Ulvac Japan Ltd | Photoirradiation device |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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