JPH08250488A - プラズマ処理装置及びその方法 - Google Patents

プラズマ処理装置及びその方法

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JPH08250488A
JPH08250488A JP7328147A JP32814795A JPH08250488A JP H08250488 A JPH08250488 A JP H08250488A JP 7328147 A JP7328147 A JP 7328147A JP 32814795 A JP32814795 A JP 32814795A JP H08250488 A JPH08250488 A JP H08250488A
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JP
Japan
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plasma
chamber
gas
treated
active species
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JP7328147A
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English (en)
Inventor
Koji Yashima
浩二 八嶋
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/3255—Material
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    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱とプラズマとを併用し、短時間でかつ低温
にて処理できるプラズマ処理装置及びその方法を提供す
ること。 【解決手段】 プラズマ放電により励起された活性種に
より、被処理体を処理するプラズマ処理装置は、被処理
体１を支持するサセプタ電極３０とその対向電極２０か
ら成り、電源４０からの交流電圧が印加される一対のプ
ラズマ生成用電極を有する。さらに、被処理体１に向け
て熱線を輻射するハロゲンランプ６０が、各電極２０，
３０の外側に設けられている。電極２０，３０は、ハロ
ゲンランプ６０からの熱線を透過しかつ耐熱温度が２０
０℃以上の材質、例えばシリコン基板中に不純物がドー
プされたドープトシリコンにて形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、加熱及びプラズマ
を併用することで、低温でかつ短時間で被処理体を処理
するプラズマ処理装置及びその方法に関する。
【０００２】
【背景技術】例えば、半導体ウエハの酸化処理を例に挙
げれば、従来よりこの酸化工程は、主に大気圧近傍の圧
力下にて熱酸化により行っている。酸化レートを向上さ
せるために、プラズマ酸化も存在するが、真空プラズマ
を用いているため、真空装置が不可欠となっている。
【０００３】また、イオン注入などでドープされた不純
物を極力熱拡散させないようにするために、半導体ウエ
ハを数分以内に常温から約１０００℃に昇温させ、数秒
から数分の熱処理（アニール、熱酸化又は熱窒化）し
て、処理後の半導体ウエハを数分以内に常温に戻す方法
が知られている。これは、Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ
（以下、ＲＴと略記する）と呼ばれ、特開昭６０−１８
６２等に開示されている。
【０００４】このＲＴ処理手段である加熱源には、熱容
量が小さく瞬時に温度を変えられるハロゲンランプなど
が主として用いられる。
【０００５】ＲＴ処理を用いた従来の酸化（ＲＴ０；Ｒ
ａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）で
は、プラズマレスにて半導体ウエハを１０００℃以上に
昇温して、酸素雰囲気にて枚葉処理している。
【０００６】一方、窒化処理例えばシリコン酸化膜の窒
化をＲＴ処理は、ＲＴＮ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ
Ｎｉｔｒｏｇｅｎａｔｉｏｎ）と称されている。従来
より、ＲＴＮはプラズマレスにて半導体ウエハを１００
０℃以上に昇温して、アンモニア、Ｎ2Ｏなどの反応性
ガスを用いて処理している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の真空プラズマ装
置では、真空設備が不可欠であることから、装置コス
ト、ランニングコストが増大し、しかも、装置が大型化
していた。一方、大気圧下での処理の場合には、１００
０℃以上に昇温しても、処理レートが低いという問題が
あった。
【０００８】そこで、本発明者は、プラズマと熱とを併
用することで、処理時間を短縮させ、かつ、被処理体を
さほど高温まで昇温せずに処理する方法について鋭意研
究した。
【０００９】プラズマ放電を生成するには、一般に一対
のプラズマ発生用電極が必要であり、その一方に被処理
体が載置される。しかしこの場合、被処理体を加熱する
には、金属製の電極が障害となり、金属電極が輻射熱を
反射してしまうので、被処理体を効率よく昇温できなく
なる。これは、特に上述のＲＴ処理の場合に致命的な町
外となる。
【００１０】一方、被処理体を載置するサセプタ電極自
体にヒータを内蔵させることも考えられるが、ヒータ線
の存在する位置の温度が高温となり、被処理体の面内に
温度分布が形成されてしまう。こうなると、被処理体の
処理レートの面内均一性を確保できない。
【００１１】そこで、本発明の目的とするところは、プ
ラズマ発生用電極により輻射熱が反射されることを低減
しながら、熱とプラズマを併用して、被処理体を比較的
低温度にてかつ短時間で処理することのできるプラズマ
処理装置およびその方法を提供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、真空設備を要せず
に、しかも熱とプラズマとを併用して被処理体を短時間
で処理することのできる、低コストでかつ小型のプラズ
マ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法を提供
することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明装置は、プラズマ
放電により励起された活性種により、被処理体を処理す
るプラズマ処理装置において、前記被処理体を支持する
サセプタ電極とその対向電極から成り、交流電圧が印加
される一対のプラズマ生成用電極と、前記被処理体に向
けて熱線を輻射する加熱源と、を有し、少なくとも一方
の前記電極は、前記加熱源と対向して配置され、前記加
熱源からの前記熱線を透過しかつ耐熱温度が２００℃以
上の材質にて形成されていることを特徴とする。
【００１４】この装置を用いて実施され得る本発明方法
は、プラズマ放電により励起された活性種により、被処
理体を処理するプラズマ処理する方法において、（ａ）
前記被処理体を支持するサセプタ電極とその対向電極か
ら成る一対のプラズマ生成用電極の間に、大気圧又はそ
の近傍の圧力下にてガスを導入する工程と、（ｂ）前記
一対の電極に交流電圧を印加する工程と、（ｃ）加熱源
からの熱線を、少なくとも一方の前記電極を透過させ
て、前記被処理体に輻射する工程と、（ｄ）一対の前記
電極間に生成されたプラズマ放電により励起された活性
種と、加熱された被処理体と反応させて、前記被処理体
を処理する工程と、を有することを特徴とする。
【００１５】各発明によれば、一対の電極間にプラズマ
が生成され、プラズマ励起された活性種が、電極を透過
して輻射された熱線により効率よく加熱された被処理体
と反応して、短時間でプラズマ処理が行われる。しか
も、熱とプラズマを併用するため、従来よりも低温処理
が可能となる。なお、電極を透過させて輻射された熱線
により被処理体を効率よく加熱する方式は、大気圧プラ
ズマ処理装置に限らず、真空プラズマ処理装置において
も同等の効果がある。
【００１６】前記加熱源と対向する前記電極の材質は、
シリコン基板中に不純物がドープされたドープトシリコ
ンであることが好ましい。このドープトシリコンは、本
発明の電極として求められる導電性、耐熱性、光透過性
の各要求を満足する材質である。
【００１７】前記ドープトシリコン中の不純物濃度は１
０15／ｃｍ3以上であることが好ましい。この不純物濃
度により、電極としての十分な導電性を確保できる。
【００１８】前記加熱源と対向する前記電極の材質が、
炭化水素（ＳｉＣ）とすことができる。ＳｉＣも、導電
性、耐熱性、光透過性の要求を満足する材質である。
【００１９】前記加熱源と対向する前記電極の材質は、
インジウム−ティン−オキサイド（ＩＴＯ）とすること
もできる。ＩＴＯは、液晶表示装置の透明電極として利
用され、導電性、光透過性を有する。ＩＴＯは比較的耐
熱温度が低いが、例えば２００〜３００℃での低温処理
には使用できる。
【００２０】前記加熱源と対向する前記電極が、１ｍｍ
以下の板厚であることが好ましい。この程度まで薄い電
極は、光透過性をより高く確保できる。
【００２１】前記加熱源と前記サセプタ電極とが対向し
て配置され、前記サセプタ電極の外径が被処理体の外径
よりも大きく設定され、前記サセプタ電極の中央領域の
均熱領域に前記被処理体を支持することが好ましい。電
極のうち被処理体の外側の周縁部分が、従来のＳｉＣリ
ング等にて別個に形成していた均熱リングとして機能す
る。
【００２２】前記プラズマ生成領域は、大気圧又はその
近傍の圧力下に設定されることが好ましい。大気圧プラ
ズマに熱を併用することで、処理レートを向上でき、し
かも真空設備を要しないため、装置が低コストでかつ小
型化する。
【００２３】前記サセプタ電極と共に前記一対の電極を
構成する前記対向電極を支持するチャンバー壁が設けら
れ、前記サセプタ電極は前記チャンバー壁に対して移動
可能に配置され、前記チャンバー壁と当接して、その内
部空間を大気と仕切る構成とすることができる。こうす
ると、サセプタ電極の移動により被処理体の搬入出が可
能となる。しかも、サセプタ電極が、処理空間を大気と
仕切るシャッターとして兼用される。
【００２４】前記チャンバー壁は石英にて構成され、前
記サセプタ電極の板厚を、前記チャンバー壁の板厚より
も薄くすることが好ましい。サセプタ電極は、薄いほど
光透過性が高く、強度が求められるチャンバー壁よりも
薄くしている。
【００２５】前記チャンバー壁と前記対向電極との間に
ガス溜め室が形成され、前記ガス溜め室にガス導入管が
連結され、前記対向電極は、ガス通過用の多数の孔が形
成されている構成とすることができる。対向電極の多数
のガス通過孔を介することで、ガス濃度が均一化されて
拡散供給でき、被処理体の処理レートの面内均一性が向
上する。しかも、一旦ガス溜め室に導入されるガスが、
対向電極と対向する加熱源に予熱され、その予熱効率が
向上する。
【００２６】本発明装置の他の態様によれば、大気圧又
はその近傍の圧力下にてプラズマ励起された活性種によ
り、被処理体を処理するプラズマ処理装置において、一
対のプラズマ生成用電極が設けられ、導入されたガスを
プラズマ放電により励起して前記活性種を生成する第１
チャンバーと、前記被処理体が配置され、前記第１チャ
ンバーからの前記活性種により前記被処理体を処理する
第２チャンバーと、前記第２チャンバー内の前記被処理
体を輻射加熱する加熱源と、を有することを特徴とす
る。
【００２７】この装置を用いて実施し得る本発明方法
は、プラズマ放電により励起された活性種により、被処
理体を処理するプラズマ処理する方法において、（ａ）
第１チャンバー内に配置された一対のプラズマ生成用電
極間に、大気圧又はその近傍の圧力下にてガスを導入す
る工程と、（ｂ）前記一対の電極に交流電圧を印加して
プラズマ放電を生成して、前記ガスを励起して活性種を
生成する工程と、（ｃ）加熱源からの熱線を、第２チャ
ンバー内に配置された前記被処理体に輻射する工程と、
（ｄ）前記第１チャンバー内にて生成された前記活性種
を前記第２チャンバー内に導き、加熱された前記被処理
体と前記活性種とを反応させて、前記被処理体を処理す
る工程と、を有することを特徴とする。
【００２８】各発明によれば、第１チャンバー内の一対
の電極間にプラズマが生成され、プラズマ励起された活
性種は、第２チャンバー内にて、加熱源より輻射された
熱線により効率よく加熱された被処理体と反応して、短
時間でプラズマ処理が行われる。しかも、熱とプラズマ
を併用するため、従来よりも低温処理が可能となる。第
２チャンバーには、プラズマ発生用の電極を要しないの
で、熱線の入射が電極により妨げられることがない。
【００２９】本発明装置の更に他の態様によれば、大気
圧又はその近傍の圧力下にてプラズマ励起された活性種
により、被処理体を処理するプラズマ処理装置におい
て、導入されたガスをマイクロ波により励起してプラズ
マ放電を生成して、前記活性種を生成する第１チャンバ
ーと、前記被処理体が配置され、前記第１チャンバーか
らの前記活性種により前記被処理体を処理する第２チャ
ンバーと、前記第２チャンバー内の前記被処理体を輻射
加熱する加熱源と、を有することを特徴とする。
【００３０】この装置を利用して実施し得る本発明方法
は、プラズマ放電により励起された活性種により、被処
理体を処理するプラズマ処理する方法において、（ａ）
第１チャンバー内に、大気圧又はその近傍の圧力下にて
ガスを導入する工程と、（ｂ）前記第１チャンバー内に
マイクロ波を照射してプラズマ放電を生成し、前記ガス
を励起して活性種を生成する工程と、（ｃ）加熱源から
の熱線を、第２チャンバー内に配置された前記被処理体
に輻射する工程と、（ｄ）前記第１チャンバー内にて生
成された前記活性種を前記第２チャンバー内に導き、加
熱された前記被処理体と前記活性種とを反応させて、前
記被処理体を処理する工程と、を有することを特徴とす
る。
【００３１】各発明は、上記の各発明が第１チャンバー
内にて電極によりプラズマを発生していたのに対して、
マイクロ波励起により無極放電している点が相違する。
熱とプラズマとの併合により、被処理体を短時間でかつ
比較的低温で処理できる点は、上記の各発明と同様であ
る。
【００３２】前記加熱源は、前記第２チャンバー内に配
置することができる。こうすると、チャンバー壁を透過
させる必要がないため、加熱レートはさらに向上する。
【００３３】上述の各種プラズマ処理装置において、前
記加熱源を、前記被処理体を９０℃／ｍｉｎ以上の昇温
速度で昇温させる急速加熱手段にて構成できる。これに
より、上記の各種プラズマ処理装置にて、ＲＴ処理を実
現できる。
【００３４】上記の方法発明においては、下記の各種の
プロセスを実視することができる。
【００３５】まず、前記（ａ）工程にてプラズマ放電用
ガスと酸化性ガスとを導入すると、前記（ｄ）工程で
は、前記被処理体の表面を酸化処理することができる。
【００３６】前記（ａ）工程にてプラズマ放電用ガスと
窒化性ガスとを導入すると、前記（ｄ）工程にて前記被
処理体の表面を窒化処理することができる。
【００３７】前記（ａ）工程にて前記一対のプラズマ生
成用電極間に、プラズマ放電用ガスとアッシングガスと
を導入すると、前記（ｄ）工程にて前記被処理体の表面
をアッシング処理することができる。
【００３８】前記（ａ）工程にてプラズマ放電用ガスと
エッチングガスとを導入すると、前記（ｄ）工程にて前
記被処理体の表面をエッチング処理することができる。
このとき、前記プラズマ放電用ガス及びエッチングガス
を共にＨｅとすることもできる。
【００３９】前記（ａ）工程にてプラズマ放電用ガスと
成膜用ガスとを導入すると、前記（ｄ）工程にて前記被
処理体の表面に膜を気相成長させることができる。
【００４０】いずれの処理の場合も、前記加熱源によ
り、前記被処理体を９０℃／ｍｉｎ以上の昇温速度で昇
温させて、ＲＴ処理することが好ましい。
【００４１】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかわるプラズマ
処理装置及びその方法の実施例について、図面を参照に
して具体的に説明する。
【００４２】プラズマ処理装置の全体構成 図１に示すように、プラズマ処理装置１０は、上部チャ
ンバー１２ａと下部チャンバー１２ｂとを有する。上部
チャンバー１２ａには、ガス導入管１４及び排気管１６
が接続されている。
【００４３】上部チャンバー１２ａは、上部電極２０
と、その下面に配置された例えばＳｉＯ2製の１ｍｍ厚
程度の誘電体２１と、これを支持するチャンバー壁２２
とを有する。ガス導入管１４及び排気管１６は、このチ
ャンバー壁２２に連結されている。なお、この誘電体２
１は、特に大気圧プラズマの場合に、異常放電を防止す
る観点で必要とされる。
【００４４】一方、下部チャンバー１２ｂは、上部電極
２０と平行に配置された下部電極３０と、これを支持す
る垂直なチャンバー壁３２と、このチャンバー壁３２に
連結された水平なロッド３４とを有する。下部チャンバ
ー１２ｂは、図１の矢印方向に沿って水平に、一体とな
って移動可能となっている。この下部チャンバー１２ｂ
の移動により、下部電極３０上への被処理体例えば半導
体ウエハ１の載置と、この半導体ウエハ１のプラズマ処
理装置１０への搬入出が可能となっている。なお、下部
チャンバー１２ｂが図１に示す状態にあっては、チャン
バー壁３２が上部チャンバー１２ａのチャンバー壁２２
と当接する。同時に、下部電極３０の端面が、上部チャ
ンバー１２ａのチャンバー壁２２の内面に当接する。こ
れにより、プラズマ処理装置１０の処理空間を、大気と
仕切ることが可能となっている。なお、本実施例のプラ
ズマ処理装置１０は、大気圧プラズマ処理を行うもので
あり、大気との間の厳密な気密シールは不要である。
【００４５】なお、チャンバー壁２２，３２は、不純物
の析出の少ない材質例えば石英にて形成される。あるい
は、ＳＵＳ又はＡｌの金属壁とし、その内壁にＳｉをコ
ーティングするものでも良い。上部及び下部電極２０，
３０の材質については後述する。
【００４６】上部電極２０及び下部電極３０には、ＲＦ
電源４０が接続されている。このＲＦ電源４０より、例
えば１３、５６ＭＨｚ、１００Ｗの高周波電力を供給
し、かつ、ガス導入管１４より所定のプロセスガスを導
入することで、プラズマ処理装置１０内部にて、大気圧
又はその近傍の圧力下にて、プラズマ放電が生成される
ことになる。
【００４７】なお、下部電極３０は、被処理体である半
導体ウエハ１を載置するサセプタとして機能し、これを
サセプタ電極とも称する。また、上部電極２０は、この
サセプタ電極３０と対向する対向電極として機能する。
このサセプタ電極３０及び対向電極２０とで平行平板型
電極を構成している。
【００４８】ガス導入管１４には、流量計５０ａ、５０
ｂ、５０ｃ、５０ｄ及びバルブ５１ａ、５１ｂ、５１
ｃ、５１ｄを介して、ガスボンベ５２ａ、５２ｂ、５２
ｃ、５２ｄがそれぞれ接続されている。ガスボンベ５２
ａには、プラズマ放電用ガス例えばヘリウム（Ｈｅ）ガ
スが収容されている。ガスボンベ５２ｂには、各種の大
気圧プラズマ処理に適合した処理用反応ガスが収容され
ている。例えば半導体ウエハ１表面を酸化処理する場合
には、処理用反応ガスとして酸素（Ｏ2）が収容され
る。ガスボンベ５２ｃには、被処理体１の搬入出時に使
用されるパージガスが収容されている。このパージガス
としてＮ2を挙げることができる。なお、半導体ウエハ
１の表面を窒化処理する場合には、ガスボンベ５２ｃに
収容された窒素（Ｎ2）を、窒化処理用反応性ガスとし
て兼用できる。ガスボンベ５２ｄには、複数回のプロセ
スを経ることで汚染されるプラズマ処理装置１０の内壁
をエッチングによりクリーニングするためのエッチング
ガスが収容されている。このエッチングガスとしては、
例えばＣＦ4を挙げることができる。
【００４９】本実施例装置は、プラズマ放電により励起
された処理用反応性ガスの活性種により、半導体ウエハ
１の表面を処理するものであるが、この活性種と半導体
ウエハ１の表面との反応速度を向上させるために、ラン
プアニールを併用している。すなわち半導体ウエハ１を
高速にて昇温させるために、ＲＴ（Ｒａｐｉｄ−Ｔｈｅ
ｒｍａｌ）処理手段として、上部電極２０及び下部電極
３０のそれぞれ外側に、例えばハロゲンランプ６０を配
置している。なお、半導体ウエハ１の温度分布の面内均
一性を向上させるために、上側のハロゲンランプ６０と
下側のハロゲンランプ６０のそれぞれの軸方向を、相直
交するように配置している。さらに、半導体ウエハ１の
温度分布の面内均一性を向上させるために、図２に示す
とおり、下部電極３０の外径を、半導体ウエハ１の外径
よりも大きく設定している。例えば、半導体ウエハ１が
６インチウエハである場合、下部電極３０の外径を８イ
ンチに設定している。こうすると、８インチの下部電極
３０の中央領域の面内温度の面内均一性が確保され、こ
の均熱領域に半導体ウエハ１を載置することができる。
【００５０】上部電極２０及び下部電極３０の材質につ
いて 本実施例では、上部電極２０及び下部電極３０を、シリ
コン基板中に不純物例えばリン、ボロンなどをドープさ
せたドープトシリコンにて形成している。シリコン基板
中にドープされる不純物としては、例えばＭ０Ｓトラン
ジスタのソース、ドレインなどに採用される不純物濃度
が好ましく、１０15個／ｃｍ3〜１０19個／ｃｍ3として
いる。
【００５１】本発明にて、この上部電極２０及び下部電
極３０を構成する材質として求められる特性としては、
電極としての導電性を有すること、熱線例えば赤外
線を透過する性質を有すること、耐熱温度２００℃以
上であること、の３点である。さらに好ましい特性とし
て、耐食性を有すること、下部電極３０の場合に
は、半導体ウエハ１と比熱がほぼ同一であること、が求
められる。
【００５２】電極２０、３０をそれぞれ上述のドープト
シリコンにて形成することで、所定の導電性を有するこ
とになる。また、このドープトシリコンは、耐熱温度２
００℃を満足し、大気圧プラズマにさらされたとしても
半導体ウエハ１上に不純物として付着するパーティクル
を発生することがない耐腐食性を有する。
【００５３】また、このドープトシリコンは、シリコン
とほぼ同じ赤外線透過率を有し、上述の不純物濃度のド
ープトシリコンの場合、常温では透過率が７０％であ
る。
【００５４】ここで、ドープトシリコンは、シリコンと
同様に透過率が温度に依存して変化し、温度が高いほど
透過率は低下する。しかも、５００℃以上では１５５０
ｎｍ付近を境に波長が長くなるほど透過率が低下する
が、６００℃以下の温度ならドープトシリコンを光透過
部材として使用可能である。好しくは、５００℃以下、
さらに好ましくは４００℃以下の温度で使用すると、ド
ープトシリコンの透過率がさらに高まる。４００℃では
約５０％の透過率を確保できる。
【００５５】さらに、下部電極３０として使用される場
合には、半導体ウエハ１との比熱がほぼ同一であること
が好ましいが、ドープトシリコンは、半導体ウエハ１の
シリコン基板と比熱がほぼ同じである。これにより、ラ
ンプ６０にて下部電極３０を加熱したとしても、半導体
ウエハ１と下部電極３０との間で熱的ショックが生ずる
ことはない。また、下部電極３０は、光を透過してウエ
ハ１を加熱できるとともに、昇温した下部電極からの熱
伝導でもウエハ１を加熱できる。
【００５６】なお、上述の各種特性を満足する電極材質
として、炭化水素（ＳｉＣ）又はインジウム−ティン−
オキサイド（ＩＴＯ）等を挙げることができる。これら
の各種材質も、ドープトシリコンと同様に、導電性、光
透過性、２００℃以上の耐熱性有する。炭化水素（Ｓｉ
Ｃ）の場合には、ドープトシリコンと比較して電気的抵
抗が大きい点で劣っている。ＩＴＯの場合には、耐熱温
度が比較的低い点で劣っているが、２００〜３００℃程
度の低温処理の場合には有効である。
【００５７】光透過性はないが、電極２０、３０とし
て、カーボン（Ｃ）を用いることもできる。カーボン
は、加熱源により加熱されることで熱を吸収し、それを
熱エネルギーとして放出し、この放出される熱で、プラ
ズマ領域を加熱できる。ただし、カーボン（Ｃ）は、酸
化スピードが速い点で劣っており、酸化されることでＣ
Ｏ2として処理空間に飛散される欠点を有する。
【００５８】また、上述のの特性をより高く確保する
ためには、電極の板厚が薄い程良く、その板厚を１ｍｍ
以下に設定することが望ましい。
【００５９】本実施例の上部電極２０及び下部電極３０
の材質としての主たる特徴は、電極としての導電性機能
を有しながらも、ランプ６０からの熱線例えば赤外線を
透過し、被処理体１を効率よく加熱できる点にある。こ
の点を考慮すると、上部電極２０及び下部電極３０は、
その肉厚が薄い程よく、図１に示すとおり、周囲のチャ
ンバー壁２２、３２と比較して、電極の肉厚を薄く設定
することが好ましい。この電極２０、３０の肉厚として
は、上述の通り１ｍｍ以下、好ましくは０．３ｍｍ〜
０．６ｍｍがよい。肉厚の下限を下回ると、電極部分の
機械的強度を確保できない。肉厚の上限を上回ると、光
透過率が低減し、加熱効率が低下する。
【００６０】なお、本実施例では上部電極２０の下面に
誘電体２１を配置しているが、これをＳｉＯ2で形成
し、かつ、１ｍｍ程度の薄肉で形成することで、光透過
性を確保している。
【００６１】酸化処理方法の説明 まず、下部チャンバー１２ｂを、上部チャンバー１２ａ
と非対向の位置に退避させた状態で、下部電極３０上に
例えば常温の半導体ウエハ１を載置する。次に、下部チ
ャンバー１２ｂを移動させ、図１に示すように、上部チ
ャンバー１２ａと下部チャンバー１２ｂとで、大気と仕
切る処理空間を形成する。この時、ガスボンベ５２ｃに
収容された窒素（Ｎ2）を、流量計５０ｃ及びガス導入
管１４を介して、プラズマ処理装置１０内部に導入し、
かつ排気管１６から排気しながら、被処理体１の雰囲気
を空気から窒素ガスに雰囲気置換している。
【００６２】この後、上側及び下側のハロゲンランプ６
０を駆動して、半導体ウエハ１の温度を常温から５００
℃まで、毎分９０℃以上の平均昇温速度にて５秒間で昇
温させる。ハロゲンランプ６０からの赤外線は、ドープ
トシリコンにて形成された上部電極２０及び下部電極３
０及びＳｉＯ2製の誘電体２１を透過して、半導体ウエ
ハ１に輻射され、ＲＴ方式にて半導体ウエハ１を急速昇
温させることができる。
【００６３】この直後に、プラズマ処理装置１０内部に
導入されるガスを、ガスボンベ１２ａに収容されたプラ
ズマ放電用ガスであるＨｅガスと、ガスボンベ５２ｂに
収容された酸化性ガスである酸素（Ｏ2）とに、バルブ
操作により切り替える。さらに、上部電極２０及び下部
電極３０に、１３．５６ＭＨｚ、１００Ｗの高周波電力
を供給し、上部電極２０及び下部電極３０間に大気圧プ
ラズマ放電を発生させる。これにより、半導体ウエハ１
上に供給された酸素ガスとヘリウムガスをプラズマ励起
させ、半導体ウエハ１の表面をプラズマ酸化させる。こ
の時、半導体ウエハ１は予めハロゲンランプ６０により
昇温されているため、半導体ウエハ１例えばそのシリコ
ン基板を１００オングストロームの厚さにて１０秒とい
う短時間で、プラズマ酸化させることができた。
【００６４】ここで、本実施例によるプラズマ酸化方法
では、シリコン酸化膜中のシリコンの未結合手に対し
て、酸素ガスの分子より酸素ラジカルの方がより反応す
るため、従来の熱酸化よりもシリコン酸化膜の絶縁耐圧
も向上する。例えば、プラズマのない常圧の１００％酸
素雰囲気中で２００オングストロームのシリコン酸化膜
を形成させた場合、絶縁耐圧は８〜１０ＭＶ／ｃｍの電
界強度となる。プラズマが存在すると、絶縁耐圧は１０
〜１２ＭＶ／ｃｍまで向上する。
【００６５】窒化処理方法について 本実施例では、プラズマ処理装置１０内部の半導体ウエ
ハ１の酸化処理後に、同一チャンバー内にて引き続き窒
化処理を行っている。このために、プラズマ処理装置１
０内部に導入される反応性ガスを、酸素（Ｏ2）ガスか
ら窒素（Ｎ2）ガスに切り替える。このガスの切り替え
は、ガス導入管１４に連通するガスボンベを、ガスボン
ベ５２ｂからガスボンベ５２ｃにバルブ操作により切り
替えることで達成される。
【００６６】このガス切り替えと並行して、ハロゲンラ
ンプ６０のパワーを上昇させ、半導体ウエハ１を例えば
３秒間で８００℃まで昇温させる。
【００６７】こうすると、プラズマ処理装置１０内部に
導入され続けるプラズマ放電用ガスＨｅにより大気圧プ
ラズマの生成が維持されるとともに、酸素（Ｏ2）ガス
に代えて導入された窒素（Ｎ2）ガスが、プラズマ励起
されることになる。この窒素ガスの活性種により、半導
体ウエハ１のシリコン基板上に先に形成されていた酸化
膜を、例えば６０秒の処理時間にて約２０オングストロ
ームの厚さだけ窒化処理することができた。
【００６８】従来の真空プラズマ処理では、急速加熱方
式を採用しても、アンモニア又はＮ2Ｏの雰囲気下で１
１００℃の高温にて窒化処理する必要があり、しかも、
２０オングストロームの厚さを窒化するのに６０秒もの
時間を要していた。これと対比すると、本実施例方法は
低温処理であり、しかも処理時間を大幅に短縮できる。
また、従来は反応性を高めるために、アンモニア、Ｎ2
Ｏ等の安全性に注意を要する反応性ガスを使用しなけれ
ばならなかったが、本実施例では安全なＮ2ガスにて処
理することができた。
【００６９】なお、上述のとおり同一チャンバー内にて
シリコン基板上に酸化膜を形成し、さらにその酸化膜の
一部を窒化膜とした後に、反応性ガスである窒素
（Ｎ2）に代えて再度酸素（Ｏ2）に変更することで、Ｏ
ＮＯ（Ｏｘｉｄｅ／Ｎｉｔｒｉｄｅ／Ｏｘｉｄｅ）膜を
形成することができる。３層目の酸化膜は、酸素ガスを
導入した後１２０秒間の処理にて、４０オングストロー
ムの厚さの酸化膜を形成することができた。
【００７０】このように、低温でかつ短時間で処理する
ことで、熱応力に起因したシリコン基板の結晶欠陥を生
ずることなく、高いスループットにて処理することが可
能となる。なお、この処理速度、例えば酸化レートを変
更する場合には、上部電極２０及び下部電極３０の間の
電極ギャップ間隔を、例えば広げることでプラズマ密度
を低下させ、処理レートを下げることができる。逆に、
電極ギャップ間隔を狭めるとで、酸化レートを上げるこ
とができる。このために、上部電極２０と下部電極３０
との間の間隔を調整する機構を設けることが好ましい。
【００７１】プラズマ処理装置内部のクリーニング処理 本実施例では、上述のＯＮＯ膜の形成を枚葉式に処理
し、プラズマ処理装置１０内部に搬入される半導体ウエ
ハ１を交換することで複数回のプロセスを連続して行っ
た後に、汚染されたプラズマ処理装置１０内部のクリー
ニング処理を行うようにしている。このクリーニング処
理は、予め所定回数のプロセスが終了したのちに、自動
的に実施されるようにシーケンスとして組み込まれてい
る。
【００７２】このクリーニング処理は、処理済みの半導
体ウエハ１が下部チャンバー１２ｂと共に搬出され、半
導体ウエハ１が載置されない状態で、上部チャンバー１
２ａ及び下部チャンバー１２ｂにより、処理空間が大気
と仕切られた後に行われる。ここで、半導体ウエハ１を
搬出する際には、予め、プラズマ処理装置１０内部に導
入されるガスは窒素（Ｎ2）のみとなっており、これに
より、未だ高い温度を保有する半導体ウエハ１表面に自
然酸化膜が形成されることを防止している。
【００７３】半導体ウエハ１が搬出された後に、プラズ
マ処理装置１０内部に導入されるガスを、窒素ガスから
エッチングのためのガスに切り替えられる。エッチング
プロセスを行うためのガスとして、ガスボンベ５２ａに
収容されたプラズマ放電用ガスであるヘリウム（Ｈｅ）
と、ガスボンベ５２ｄに収容されたエッチング処理用反
応性ガスである例えばＣＦ4とが用いられる。
【００７４】プラズマ処理装置１０内部にこれらのガス
が導入され、かつ、上部及び下部電極２０，３０に高周
波電力が供給されると、Ｈｅガスが励起されて大気圧プ
ラズマが生成されると共に、エッチング処理用反応性ガ
スＣＦ4が活性化される。そして、このＣＦ4の活性種に
より、プラズマ処理装置１０内部すなわち上部電極２
０、下部電極３０及びチャンバー壁２２，３２の内壁面
が、エッチングされてクリーニング処理されることにな
る。この時、ハロゲンランプ６０により、プラズマ処理
装置１０内部を所定温度まで昇温させておくことで、エ
ッチングのための反応が促進され、エッチング処理時間
を短縮することが可能となる。
【００７５】このクリーニング処理により、上述のプロ
セスにより上部電極２０等の表面に形成された酸化膜あ
るいは窒化膜をエッチングし、この反応生成物を排気管
１６を介して排出することで、プラズマ処理装置１０内
部のクリーニングが完了する。この後、上述の０ＮＯ膜
形成のための処理を繰り返しても、上部電極２０等に付
着した酸化膜または窒化膜が、パーティクルとして半導
体ウエハ１に付着することを防止でき、処理の歩留まり
を向上させることができる。
【００７６】プラズマ処理装置の他の構造について 次に、本発明装置を、被処理***置の上方よりガスを導
入するタイプのプラズマ処理装置に適応した実施例につ
いて図３を参照して説明する。図３に示すプラズマ処理
装置７０は、下端が開口するチャンバー７２を有し、こ
のチャンバー７２の上面の中央領域にガス導入管７４を
連結している。このガス導入管７４は、図１に示す各種
ガスボンベに連結されている。チャンバー７２の内部に
は、上部電極８０と、その下面に配置された誘電体８１
が水平に配設されている。さらにチャンバー７２の下端
開口を密閉可能な下部電極８２が設けられている。この
上部電極８０及び下部電極８２で、平行平板型電極を構
成している。さらにチャンバー７２には、上部電極８０
よりも下方の側壁に、その周方向の複数箇所に排気管７
６が連結されている。
【００７７】チャンバー７２の上方には、ハロゲンラン
プ６０が配設され、同様に、下部電極８２の下方にもハ
ロゲンランプ６０が配置されている。上方及び下方のハ
ロゲンランプ６０は、図１と同様に、その軸方向が相直
交するように配設される。
【００７８】下部電極８２の下方のハロゲンランプ６０
は、下部電極８２を支持するサポート部材８４に支持さ
れる。これら下部電極８２、サポート部材８４及びハロ
ゲンランプ６０は、一体となって昇降移動可能であり、
その上方停止位置にてチャンバー７２の下端開口を密閉
可能となっている。
【００７９】上部電極８０及び下部電極８２は、図１に
示す実施例と同様に、ドープトシリコンにて形成されて
いる。誘電体８１は、１ｍｍ厚程度のＳｉＯ2で形成さ
れている。上部電極８０及び誘電体８１は、その上面よ
り下面に貫通する多数のガス通過孔８０ａ、８１ａを有
している。なお、チャンバー７２の上壁と上部電極８０
との間の空間が、ガス導入管７４を介して導入されたガ
スのガス溜め室７８として機能する。
【００８０】上記の構成を有するプラズマ処理装置７０
においても、図１に示すプラズマ処理装置１０と同様
に、例えばＯＮＯ膜の連続形成が可能である。特に、図
３に示すプラズマ処理装置７０にあっては、ガス導入管
７４を介して導入された所定のガスが、一旦ガス溜め室
７８に収容され、多数のガス通過孔８０ａを有する上部
電極８０を介して、プラズマ生成領域に導入されること
になる。ここで、多数のガス通過孔８０ａ、８１ａを備
えた上部電極８０、誘電体８１は、プラズマ生成領域に
ほぼ均一濃度にてガスを拡散させる拡散板として機能す
ることになる。この均一に拡散されて導入されたガス
は、図１の実施例と同様に、プラズマ放電により励起さ
れ、半導体ウエハ１をプラズマ処理することになる。
【００８１】さらに、図３に示すプラズマ処理装置７０
にあっても、下方のハロゲンランプ６０からの赤外線
は、ドープトシリコンにて形成された薄い板厚の下部電
極８２を透過して、下部電極８２上の半導体ウエハ１に
輻射されることになる。同様に、上方のハロゲンランプ
６０からの赤外線は、石英製のチャンバー７２、ドープ
トシリコン製の上部電極８０及びＳｉＯ2製の誘電体８
１を介して、半導体ウエハ１に輻射されることになる。
このようにして、半導体ウエハ１を高速昇温させること
ができ、図１の実施例と同様に、比較的短時間で酸化処
理または窒化処理を行うことが可能となる。
【００８２】なお、上部電極の上方からガスを導入する
方式を、図１に示すプラズマ処理装置１０に適用しても
よい。この時、上方から導入されたガスを、下部電極の
下方より排気する構成を採用することもできる。
【００８３】プラズマ処理装置のさらに他の構造につい
て 図４（Ａ）に示すプラズマ処理装置９０は、半導体ウエ
ハ１の搬入出用のゲート（図示せず）を備えたチャンバ
ー９２を有する。このチャンバー９２の上端面にガス導
入管９４が連結され、下端面に排気管９６が連結されて
いる。このチャンバー９２内部には、上部電極１００及
び誘電体１０２が、水平状態にて積層して支持されてい
る。さらに、チャンバー９２内部に突出したサポート部
材９２ａにより支持された状態で、上部電極１００と平
行に下部電極１０４が配置されている。
【００８４】さらに、チャンバー９２の上方及び下方に
は、図１及び図３に示す実施例と同様に、ハロゲンラン
プ６０が配設されている。
【００８５】上部電極１００及び下部電極１０４は、図
４（Ｂ）に示すメッシュ状の金属１０３にて構成されて
いる。図４（Ｂ）に示す通り、メッシュ状金属１０３の
板幅Ｗは、板厚Ｔに比べて小さく、開口率が大きく設定
されている。これにより、光透過率を高く確保でき、し
かもガス通過用開口として利用できる。誘電体１０２
は、下部電極１０４と対向する面側にて上部電極１００
と積層して形成され、例えば０．５ｍｍ以下の薄いポー
ラス状のセラミックにて形成されている。あるいは、誘
電体１０２をＳｉＯ2で形成してもよい。この誘電体１
０２は、異常放電を防止するために上部電極１００の下
面に形成されている。下部電極１０４については、２０
０〜３００℃の低温処理の場合には重金属汚染の心配が
ないが、高温処理の場合にはメッシュ状金属１０３をシ
リコン等で被覆して、汚染対策をすることができる。
【００８６】図４に示す実施例によれば、バルブ切り替
えにより選択されたガスは、ガス導入管９４を介してガ
ス溜め室９８に導入され、上部電極１００のガス通過開
口及びポーラス状の誘電体１０２を介して、プラズマ生
成領域に導入されることになる。平行平板型電極１０
０，１０４の間で生成されたプラズマ放電により、上述
のガスが励起され、その活性種により下部電極１０４上
の半導体ウエハ１のプラズマ処理が行われる。このプラ
ズマ処理空間からの排気は、下部電極１０４のガス通過
開口及びチャンバー７２の下端に設けた排気管７６を経
由して行われる。
【００８７】この実施例においても、プラズマ処理され
る半導体ウエハ１は、ハロゲンランプ６０からの輻射熱
により高速昇温されている。本実施例においては、半導
体ウエハ１の加熱は、主として下方に配置されたハロゲ
ンランプ６０にて行われる。この下方のハロゲンランプ
６０からの赤外線は、石英製のチャンバー９２及びメッ
シュ状金属１０３から成る下部電極１０４を透過又は通
過して、半導体ウエハ１に輻射され、これを加熱するこ
とになる。
【００８８】一方、上方に設けられたハロゲンランプ６
０は、導入されるガスの予熱作用を有する。即ち、ガス
導入管９４を経由してガス溜め室９８に収容されたガス
は、上方のハロゲンランプ６０からの赤外線をチャンバ
ー９２の上部壁を透過することで輻射され、ガス溜め室
９８内部のガスを予熱させることができる。これによ
り、導入されたガスが活性化され、プラズマ生成領域に
おける大気圧プラズマ放電を安定して発生させることが
できる。上方のハロゲンランプ６０からの輻射熱は、共
に０．５ｍｍと薄いポーラス状の金属にて形成された上
部電極１００と、ポーラス状の誘電体１０２を経由して
半導体ウエハ１にも輻射され、半導体ウエハ１の高速昇
温にも寄与することになる。
【００８９】このように、メッシュ状金属１０３は、金
属としての導電性を有すると共に、熱線例えば赤外線の
透過率も比較的高く維持できるため、図１又は図３にて
使用したドープトシリコン製の電極と同様な機能を有す
る。
【００９０】プラズマ処理装置のさらに他の構造につい
て 以下に説明する各種のプラズマ処理装置は、被処理体で
ある半導体ウエハ１を直接に大気圧プラズマにさらすこ
となく、同様のプラズマ処理を行うものである。
【００９１】図５に示すプラズマ処理装置１１０は、一
つの石英製の共通チャンバー１１２を有する。この一つ
の石英製共通チャンバー１１２は、その機能上、導入さ
れたガスを大気圧プラズマ放電により活性化する第１チ
ャンバー１１４と、この活性化されたガスにより被処理
体１をプラズマ処理する第２チャンバー１１６とに分け
られる。なお、共通チャンバー１１２の上部にはガス導
入管１１８ａが連結され、下部には排気管１１８ｂが連
結されている。また、第２チャンバー１１６内にて半導
体ウエハ１を支持するためのサポート部材１１８ｃが、
共通チャンバー１１２の内壁より突出して設けられてい
る。なお、このサポート部材１１８ｃは、半導体ウエハ
１の表面側のガスを裏面側の排気管９６が連結された空
間に導くためのガス通過孔（図示せず）を有している。
【００９２】さらに、上述した各実施例と同様に、共通
チャンバー１１２の上方及び下方には、加熱手段１１９
が設けられている。本実施例では、この加熱手段１１９
としてハロゲンランプに代えて、例えばカンタル（商品
名）線にて形成されたヒータを用いている。
【００９３】共通チャンバー１１２内部の第１チャンバ
ー１１４には、例えば垂直方向に配置された複数枚の電
極１２０が設けられている。隣り合う電極１２０の一方
には、その露出面を覆って誘電体１２２が形成されてい
る。そして、この相隣り合う一対の電極１２０、１２０
により、平行平板型電極を構成している。これらの一対
の平行平板電極には、ＲＦ電源４０が接続されている。
【００９４】この実施例では、ガス導入管１１８ａを介
して第１チャンバー１１４内部に導入された例えば酸素
ガスとヘリウムガスは、カンタルヒータ１１９により予
熱され、さらに一対の平行平板型電極１２０，１２０の
間でプラズマ励起される。
【００９５】この第１チャンバー１１４内部でプラズマ
励起されて活性化された活性種は、第２チャンバー１１
６内において、主として下方のカンタルヒータ１１９に
より昇温された半導体ウエハ１の例えばシリコン基板と
反応し、約１０分間で約５００オングストロームの酸化
膜を形成することができた。
【００９６】ここで、図６に示すプラズマ処理装置１１
０では、半導体ウエハ１を支持する電極を必要としない
ため、下方のカンタルヒータ１１９からの熱線は、石英
性のチャンバー１１２を透過することで半導体ウエハ１
に輻射される。図６に示す実施例では、ＲＴ方式を採用
していないが、カンタルヒータ１１９からの熱線は石英
製チャンバー１１２を透過するのみでよいことから、上
述した各種実施例と同様の加熱効率を実現できる。
【００９７】従って、従来と比較して、低温度でかつ短
時間の酸化処理であることから、熱に起因した結晶欠陥
が起きにくくなる。このためＩＣの素子分離に使われる
ＬＯＣＯＳ膜（例えばシリコン基板上にて５０００から
１５０００オングストロームの膜厚）を形成するのに、
従来は１０００℃付近にて５から１０時間要していたの
に対し、本実施例では９００℃以下にて１時間以内に形
成でき、低温度でかつ短時間の処理となる。この場合、
熱応力による結晶欠陥の発生防止や処理時間の短縮効果
だけでなく、シリコン基板にボロンやリン等がイオン注
入されている場合には、熱拡散によるボロンやリンの単
位面積当たりの濃度低下と拡散層の広がりとがなくな
り、高集積化に必要な濃くかつ浅い拡散層を実現でき
る。
【００９８】プラズマ処理装置の更に他の構造について 図６は、本発明をマイクロ波励起型のプラズマ処理装置
に適応した実施例装置を示している。同図において、こ
の処理装置１３０は、第１チャンバー１３２及び第２チ
ャンバー１３４を有する。第１チャンバー１３２の上部
にはガス導入管１３６が連結され、上述した各種実施例
と同様に、複数のガスボンベ５２ａ〜５２ｄと接続され
ている。この第１チャンバー１３２にはさらに、有磁場
マイクロ波発生部１４０が連結されている。この有磁場
マイクロ波発生部１４０は、磁場のもとでマイクロ波を
発生し、第１チャンバー１３２内部のガスにマイクロ波
を照射するものである。この第１チャンバー１３２内部
では、導入されたガスがマイクロ波により励起されて活
性化され、プラズマが生成される。
【００９９】この第１チャンバー１３２の下方に設けら
れた第２チャンバー１３４は、半導体ウエハ１を載置し
て支持する例えば石英製のサセプタ１５０を有する。こ
のサセプタ１５０を支持するサポート部材１５２が設け
られ、このサポート部材１５２の表面より裏面に貫通す
る多数のガス通過孔１５２ａが設けられている。そし
て、排気管１５４が、このガス通過孔１５２ａと対向す
るチャンバー壁に連結されている。
【０１００】第２チャンバー１３４の内部には、サセプ
タ１５０に支持された半導体ウエハ１の表面側及び裏面
側にそれぞれ、ＲＴ処理手段の一例であるハロゲンラン
プ６０が配置されている。この表裏面側のハロゲンラン
プ６０は、半導体ウエハ１を高速昇温させるものであ
る。なお、半導体ウエハ１の表面側に設けられたハロゲ
ンランプ６０は、半導体ウエハ１上のガスの均一分布を
確保する観点から、その外径が細いものほど好ましい。
【０１０１】そして、サセプタ１５０及びサポート部材
１５２等にて下部チャンバー１３４ｂを構成している。
この下部チャンバー１３４ｂの上方を囲むチャンバー
が、上部チャンバー１３４ａを構成している。
【０１０２】下部チャンバー１３４ｂは、上部チャンバ
ー１３４ａに対して昇降可能であり、その下降した位置
において、半導体ウエハ１の搬入出が可能となってい
る。また、その上方停止位置にて、下部チャンバー１３
４ｂが上部チャンバー１３４ａと当接し、処理空間が大
気から仕切るように密閉される。さらに、半導体ウエハ
１の搬入出口には、第２チャンバー１３４内部にのみパ
ージガス例えば窒素（Ｎ2）を導入できるように、上部
チャンバー１３４ａにはバルブ１３８ａを介してガス導
入管１３８ｂが連結されている。
【０１０３】図６に示す実施例では、第１チャンバー１
３２内部に導入されたガスが、有磁場マイクロ波発生部
１４０より照射されたマイクロ波により励起されて活性
化され、活性種が生成される。この活性種は、第２チャ
ンバー１３４内部に導入され、半導体ウエハ１の例えば
シリコン基板を酸化処理することになる。同時に、第２
チャンバー１３４内に配置された半導体ウエハ１は、そ
の表裏面双方に設けられたハロゲンランプ６０により高
速昇温されるので、上述した各種実施例と同様に、短時
間で、かつ低温度にて処理を行うことが可能となる。
【０１０４】なお、半導体ウエハ１の表面側に設けたハ
ロゲンランプ６０は、半導体ウエハ１に対して直接に赤
外線を輻射できるため、半導体ウエハ１の昇温効率がさ
らに向上する。また、半導体ウエハ１の裏面側に設けた
ハロゲンランプ６０は、石英製のサセプタ１５０を透過
させて、半導体ウエハ１に対して赤外線を輻射すること
になり、上述した各実施例と同様の昇温効率を達成でき
る。
【０１０５】なお、本発明は上記の各実施例に限定され
るものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実
施が可能である。上述した各種実施例は大気圧プラズマ
処理装置であるため、処理空間を厳密にシールする必要
はない。従って、例えば半導体ウエハ１を載置する部分
を水平移動可能なベルトコンベアとすることで、半導体
ウエハ１を連続して処理することが可能となる。
【０１０６】さらに、上述した各種実施例では、被処理
体である半導体基板上の構成膜として、シリコン酸化
膜、シリコン窒化膜を挙げたが、他にポリシリコン又は
高融点金属のシリサイド膜の形成にも本発明を適用する
ことができる。また、被処理体としての半導体基板は、
シリコンに限らず、ガリウム−砒素等の化合物半導体に
も同様に適用可能である。さらに、液晶表示装置の非線
形抵抗素子として用いられるＭＩＭ（メタル−絶縁−メ
タル）素子では、絶縁基板にタンタル（導体）をスパッ
タし、タンタルを熱酸化して用いているが、この酸化工
程に本発明方法を適用できる。こうすると、上述の各種
実施例にて説明したとおり、短時間でかつ低温処理が可
能となる。さらに、ＭＩＭ中のタンタルを窒化すれば、
ＭＩＭのスイッチング特性が向上することが知られてい
るが、この窒化処理に本発明方法を適用することもでき
る。従来では、タンタルのスパッタ時に、窒素をドープ
してスパッタすることで、タンタル中の一部のみが窒化
タンタルとなっている。これに対して、本発明方法を適
用してタンタル膜を窒化処理をすれば、窒化タンタルの
成分を多く含んだ膜を形成できる。
【０１０７】また、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）構造で
は、基板に石英（絶縁体）を用いているが、この石英基
板上に構成されるポリシリコン膜の酸化にも、本発明方
法を適用することができる。こうすると、熱応力による
欠陥の抑制や、スループットの向上の点で優れている。
【０１０８】なお、本発明方法において、加熱源からの
熱量を少なくすれば、反応速度が遅くなり、形成される
膜厚は薄くなる。例えばシリコンを例に挙げれば、シリ
コン基板上にて１００オングストローム以下の酸化膜や
窒化膜を形成することができ、高集積化ＩＣの形成に好
適となり、トンネル電流を使用するデバイスに有効であ
る。
【０１０９】さらに、本発明方法は上述の酸化処理もし
くは窒化処理に限らず、他の各種処理にも適用できる。
例えば、ＲＴ処理手段を備えたプラズマ処理装置にて、
上述のとおり、窒素ガスを用いれば窒化処理を行うこと
ができるが、この時プラズマを生成しないようにすれ
ば、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ−Ｔｈｅｒｍａｌ−Ａｎｎｅａ
ｌ）として利用できる。この場合、大気圧プラズマのも
とでのＲＴ方式での酸化処理と、大気圧プラズマのもと
でのＲＴ方式での窒化処理と、さらに加えて通常のＲＴ
方式でのアニエル処理等を併用できる汎用性の高い処理
装置を実現できる。また、この装置にヘリウムのみを導
入すれば、シリコン等の半導体、シリコン酸化膜や窒化
膜等の絶縁体をエッチングすることができる。例えば、
シリコン基板を酸化する前に、大気中で形成される膜質
の悪い自然酸化膜を、ヘリウムプラズマにて除去するこ
とができ、その後工程にて形成される酸化膜の膜質の向
上を図ることができる。
【０１１０】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例であるプラズマ処理装置の概
略断面図である。
【図２】図１に用いられる下部電極上に被処理体を載置
した状態の平面図である。
【図３】本発明のプラズマ処理装置の変形例を示す概略
断面図である。
【図４】（Ａ）は本発明のプラズマ処理装置の他の変形
例を示す概略断面図、（Ｂ）はそのプラズマ処理装置の
電極として用いられるメッシュ状電極の概略斜視図であ
る。
【図５】本発明のプラズマ処理装置のさらに他の変形例
を示す概略断面図である。
【図６】本発明のプラズマ処理装置のさらに他の変形例
を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１ 被処理体 １０、７０、９０、１１０、１３０ プラズマ処理装置 ２０、８０、１００ 上部電極 ３０、８２、１０４ 下部電極 ４０ ＲＦ電源 ５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ 流量計 ５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ バルブ ５２ａ、５２ｂ、５２ｃ、５２ｄ ガスボンベ ６０ ハロゲンランプ（ＲＴ処理手段） １０２ 誘電体 １１９ 加熱源 １２０ プラズマ発生用電極 １４０ 有磁場マイクロ波発生部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/324 9216−2Ｇ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｍ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 プラズマ放電により励起された活性種に
    より、被処理体を処理するプラズマ処理装置において、 前記被処理体を支持するサセプタ電極とその対向電極か
    ら成り、交流電圧が印加される一対のプラズマ生成用電
    極と、 前記被処理体に向けて熱線を輻射する加熱源と、 を有し、 少なくとも一方の前記電極は、前記加熱源と対向して配
    置され、前記加熱源からの前記熱線を透過しかつ耐熱温
    度が２００℃以上の材質にて形成されていることを特徴
    とするプラズマ処理装置。
  2. 【請求項２】 請求項１において、 前記加熱源と対向する前記電極は、シリコン基板中に不
    純物がドープされたドープトシリコンにて形成されてい
    ることを特徴とするプラズマ処理装置。
  3. 【請求項３】 請求項２おいて、 前記シリコン基板中の不純物濃度が１０15／ｃｍ3以上
    であることを特徴とするプラズマ処理装置。
  4. 【請求項４】 請求項１において、 前記加熱源と対向する前記電極は、炭化水素（ＳｉＣ）
    にて形成されていることを特徴とするプラズマ処理装
    置。
  5. 【請求項５】 請求項１において、 前記加熱源と対向する前記電極は、インジウム−ティン
    −オキサイド（ＩＴＯ）にて形成されていることを特徴
    とするプラズマ処理装置。
  6. 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかにおいて、 前記プラズマ生成領域は、大気圧又はその近傍の圧力下
    に設定されることを特徴とするプラズマ処理装置。
  7. 【請求項７】 大気圧又はその近傍の圧力下にてプラズ
    マ励起された活性種により、被処理体を処理するプラズ
    マ処理装置において、 一対のプラズマ生成用電極が設けられ、導入されたガス
    をプラズマ放電により励起して前記活性種を生成する第
    １チャンバーと、 前記被処理体が配置され、前記第１チャンバーからの前
    記活性種により前記被処理体を処理する第２チャンバー
    と、 前記第２チャンバー内の前記被処理体を輻射加熱する加
    熱源と、 を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
  8. 【請求項８】 大気圧又はその近傍の圧力下にてプラズ
    マ励起された活性種により、被処理体を処理するプラズ
    マ処理装置において、 導入されたガスをマイクロ波により励起してプラズマ放
    電を生成して、前記活性種を生成する第１チャンバー
    と、 前記被処理体が配置され、前記第１チャンバーからの前
    記活性種により前記被処理体を処理する第２チャンバー
    と、 前記第２チャンバー内の前記被処理体を輻射加熱する加
    熱源と、 を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
  9. 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれかにおいて、 前記加熱源を、前記被処理体を９０℃／ｍｉｎ以上の昇
    温速度で昇温させる急速加熱手段にて構成したことを特
    徴とするプラズマ処理装置。
  10. 【請求項１０】 プラズマ放電により励起された活性種
    により、被処理体を処理するプラズマ処理する方法にお
    いて、 （ａ）前記被処理体を支持するサセプタ電極とその対向
    電極から成る一対のプラズマ生成用電極の間に、大気圧
    又はその近傍の圧力下にてガスを導入する工程と、 （ｂ）前記一対の電極に交流電圧を印加する工程と、 （ｃ）加熱源からの熱線を、少なくとも一方の前記電極
    を透過させて、前記被処理体に輻射する工程と、 （ｄ）一対の前記電極間に生成されたプラズマ放電によ
    り励起された活性種と、加熱された被処理体と反応させ
    て、前記被処理体を処理する工程と、 を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
  11. 【請求項１１】 プラズマ放電により励起された活性種
    により、被処理体を処理するプラズマ処理する方法にお
    いて、 （ａ）第１チャンバー内に配置された一対のプラズマ生
    成用電極間に、大気圧又はその近傍の圧力下にてガスを
    導入する工程と、 （ｂ）前記一対の電極に交流電圧を印加してプラズマ放
    電を生成して、前記ガスを励起して活性種を生成する工
    程と、 （ｃ）加熱源からの熱線を、第２チャンバー内に配置さ
    れた前記被処理体に輻射する工程と、 （ｄ）前記第１チャンバー内にて生成された前記活性種
    を前記第２チャンバー内に導き、加熱された前記被処理
    体と前記活性種とを反応させて、前記被処理体を処理す
    る工程と、 を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
  12. 【請求項１２】 プラズマ放電により励起された活性種
    により、被処理体を処理するプラズマ処理する方法にお
    いて、 （ａ）第１チャンバー内に、大気圧又はその近傍の圧力
    下にてガスを導入する工程と、 （ｂ）前記第１チャンバー内にマイクロ波を照射してプ
    ラズマ放電を生成し、前記ガスを励起して活性種を生成
    する工程と、 （ｃ）加熱源からの熱線を、第２チャンバー内に配置さ
    れた前記被処理体に輻射する工程と、 （ｄ）前記第１チャンバー内にて生成された前記活性種
    を前記第２チャンバー内に導き、加熱された前記被処理
    体と前記活性種とを反応させて、前記被処理体を処理す
    る工程と、 を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１０乃至１２のいずれかにおい
    て、 前記加熱源により、前記被処理体を９０℃／ｍｉｎ以上
    の昇温速度で昇温させることを特徴とするプラズマ処理
    方法。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000306900A (ja) * 1999-03-08 2000-11-02 Trikon Holdings Ltd 気体供給用装置
JP2005076088A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Konica Minolta Holdings Inc 大気圧プラズマ処理装置のクリーニング方法及び大気圧プラズマ処理装置
JP2005260139A (ja) * 2004-03-15 2005-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 不純物導入方法
JP2007142175A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Sharp Corp プラズマプロセス方法およびプラズマプロセス装置
WO2007145132A1 (ja) * 2006-06-12 2007-12-21 Tokyo Electron Limited 載置台構造及び熱処理装置
JP2008010596A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Furukawa Electric Co Ltd:The 加熱処理方法および加熱処理装置
KR101117120B1 (ko) * 2009-06-04 2012-02-22 주식회사 에스에프에이 인라인 방식의 태양전지 제조용 플라즈마 처리장치
WO2012060325A1 (ja) * 2010-11-04 2012-05-10 日産化学工業株式会社 プラズマアニール方法及びその装置
JP2012126929A (ja) * 2010-12-13 2012-07-05 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法
JP2012160570A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Mitsubishi Materials Corp プラズマエッチング用シリコン電極板
JP2013522882A (ja) * 2010-03-10 2013-06-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 周期的な酸化およびエッチングのための装置と方法
WO2013141370A1 (ja) * 2012-03-22 2013-09-26 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および記録媒体
JP2023003410A (ja) * 2021-06-23 2023-01-11 セメス カンパニー，リミテッド 基板処理装置及び基板処理方法

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2921499B2 (ja) * 1996-07-30 1999-07-19 日本電気株式会社 プラズマ処理装置
US6040249A (en) * 1996-08-12 2000-03-21 Texas Instruments Incorporated Method of improving diffusion barrier properties of gate oxides by applying ions or free radicals of nitrogen in low energy
US5872426A (en) * 1997-03-18 1999-02-16 Stevens Institute Of Technology Glow plasma discharge device having electrode covered with perforated dielectric
US6147452A (en) * 1997-03-18 2000-11-14 The Trustees Of The Stevens Institute Of Technology AC glow plasma discharge device having an electrode covered with apertured dielectric
US6879103B1 (en) 1997-03-18 2005-04-12 The Trustees Of The Stevens Institute Of Technology Glow plasma discharge device
US6900592B2 (en) * 1997-03-18 2005-05-31 The Trustees Of The Stevens Institute Of Technology Method and apparatus for stabilizing of the glow plasma discharges
US8779322B2 (en) 1997-06-26 2014-07-15 Mks Instruments Inc. Method and apparatus for processing metal bearing gases
US7569790B2 (en) 1997-06-26 2009-08-04 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for processing metal bearing gases
US6559036B1 (en) * 1998-08-07 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
FR2789698B1 (fr) * 1999-02-11 2002-03-29 Air Liquide Procede et installation pour former un depot d'une couche sur un substrat
US6450116B1 (en) * 1999-04-22 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Apparatus for exposing a substrate to plasma radicals
US20050061445A1 (en) * 1999-05-06 2005-03-24 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
KR100748798B1 (ko) 1999-05-06 2007-08-13 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 에칭 장치
US6228438B1 (en) * 1999-08-10 2001-05-08 Unakis Balzers Aktiengesellschaft Plasma reactor for the treatment of large size substrates
AU2001224729A1 (en) * 2000-01-10 2001-07-24 Tokyo Electron Limited Segmented electrode assembly and method for plasma processing
MY120869A (en) * 2000-01-26 2005-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma treatment apparatus and method
US6833329B1 (en) 2000-06-22 2004-12-21 Micron Technology, Inc. Methods of forming oxide regions over semiconductor substrates
US6686298B1 (en) 2000-06-22 2004-02-03 Micron Technology, Inc. Methods of forming structures over semiconductor substrates, and methods of forming transistors associated with semiconductor substrates
US6649543B1 (en) * 2000-06-22 2003-11-18 Micron Technology, Inc. Methods of forming silicon nitride, methods of forming transistor devices, and transistor devices
JP3792999B2 (ja) * 2000-06-28 2006-07-05 株式会社東芝 プラズマ処理装置
US6660657B1 (en) * 2000-08-07 2003-12-09 Micron Technology, Inc. Methods of incorporating nitrogen into silicon-oxide-containing layers
US6712929B1 (en) * 2000-08-08 2004-03-30 Lam Research Corporation Deformation reduction at the main chamber
US6610615B1 (en) 2000-11-15 2003-08-26 Intel Corporation Plasma nitridation for reduced leakage gate dielectric layers
US20020124962A1 (en) * 2001-03-12 2002-09-12 Selwyn Gary S. Atmospheric pressure plasma etching reactor
US20030213561A1 (en) * 2001-03-12 2003-11-20 Selwyn Gary S. Atmospheric pressure plasma processing reactor
US6974523B2 (en) * 2001-05-16 2005-12-13 Lam Research Corporation Hollow anode plasma reactor and method
US6810886B2 (en) * 2001-05-24 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Chamber cleaning via rapid thermal process during a cleaning period
US6841342B2 (en) * 2001-08-08 2005-01-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6878585B2 (en) 2001-08-29 2005-04-12 Micron Technology, Inc. Methods of forming capacitors
US6723599B2 (en) 2001-12-03 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Methods of forming capacitors and methods of forming capacitor dielectric layers
JP4252749B2 (ja) * 2001-12-13 2009-04-08 忠弘 大見 基板処理方法および基板処理装置
US7517751B2 (en) * 2001-12-18 2009-04-14 Tokyo Electron Limited Substrate treating method
US20050016456A1 (en) * 2002-02-20 2005-01-27 Noriyuki Taguchi Plasma processing device and plasma processing method
JP4001498B2 (ja) * 2002-03-29 2007-10-31 東京エレクトロン株式会社 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成システム
US7204913B1 (en) * 2002-06-28 2007-04-17 Lam Research Corporation In-situ pre-coating of plasma etch chamber for improved productivity and chamber condition control
JP2004095918A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Fasl Japan Ltd 半導体記憶装置及び半導体装置の製造方法
US20040112863A1 (en) * 2002-12-16 2004-06-17 International Business Machines Corporation Method of enhancing surface reactions by local resonant heating
KR20040054091A (ko) * 2002-12-17 2004-06-25 아남반도체 주식회사 반도체 소자의 제조방법
US7316761B2 (en) * 2003-02-03 2008-01-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for uniformly etching a dielectric layer
JP4220817B2 (ja) * 2003-03-27 2009-02-04 浜松ホトニクス株式会社 ホトダイオードアレイおよびその製造方法並びに放射線検出器
US7022611B1 (en) * 2003-04-28 2006-04-04 Lam Research Corporation Plasma in-situ treatment of chemically amplified resist
JP4403919B2 (ja) * 2004-04-01 2010-01-27 株式会社Ｓｕｍｃｏ 耐久性に優れたプラズマエッチング用シリコン電極板
JPWO2006008889A1 (ja) * 2004-07-20 2008-05-01 シャープ株式会社 プラズマ処理装置
US20060054279A1 (en) * 2004-09-10 2006-03-16 Yunsang Kim Apparatus for the optimization of atmospheric plasma in a processing system
US7713379B2 (en) 2005-06-20 2010-05-11 Lam Research Corporation Plasma confinement rings including RF absorbing material for reducing polymer deposition
JP4617227B2 (ja) * 2005-09-01 2011-01-19 富士通セミコンダクター株式会社 強誘電体メモリ装置およびその製造方法
JP4865352B2 (ja) 2006-02-17 2012-02-01 三菱重工業株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20080066866A1 (en) * 2006-09-14 2008-03-20 Martin Kerber Method and apparatus for reducing plasma-induced damage in a semiconductor device
US7829469B2 (en) * 2006-12-11 2010-11-09 Tokyo Electron Limited Method and system for uniformity control in ballistic electron beam enhanced plasma processing system
US8361276B2 (en) * 2008-02-11 2013-01-29 Apjet, Inc. Large area, atmospheric pressure plasma for downstream processing
US20100000684A1 (en) * 2008-07-03 2010-01-07 Jong Yong Choi Dry etching apparatus
KR20100006009A (ko) * 2008-07-08 2010-01-18 주성엔지니어링(주) 반도체 제조 장치
US20100186671A1 (en) * 2009-01-23 2010-07-29 Applied Materials, Inc. Arrangement for working substrates by means of plasma
KR101842675B1 (ko) * 2009-07-08 2018-03-27 플라즈마시, 인크. 플라즈마 처리를 위한 장치 및 방법
US8249900B2 (en) * 2010-02-10 2012-08-21 Morgan Stanley & Co. Llc System and method for termination of pension plan through mutual annuitization
JP5809396B2 (ja) * 2010-06-24 2015-11-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP5730521B2 (ja) * 2010-09-08 2015-06-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ 熱処理装置
JP2013222878A (ja) * 2012-04-18 2013-10-28 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ熱処理方法および装置
KR101965256B1 (ko) * 2012-10-17 2019-04-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9246133B2 (en) * 2013-04-12 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting panel, and light-emitting device
US10203604B2 (en) * 2015-11-30 2019-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers
GB201709446D0 (en) 2017-06-14 2017-07-26 Semblant Ltd Plasma processing apparatus
US11124867B1 (en) * 2020-03-13 2021-09-21 National Taiwan University Of Science And Technology Gradient material layer and method for manufacturing the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS601862A (ja) * 1983-06-20 1985-01-08 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
US4857382A (en) * 1988-04-26 1989-08-15 General Electric Company Apparatus and method for photoetching of polyimides, polycarbonates and polyetherimides
US5178682A (en) * 1988-06-21 1993-01-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method for forming a thin layer on a semiconductor substrate and apparatus therefor
JP2749630B2 (ja) * 1989-04-24 1998-05-13 住友電気工業株式会社 プラズマ表面処理法

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000306900A (ja) * 1999-03-08 2000-11-02 Trikon Holdings Ltd 気体供給用装置
JP2005076088A (ja) * 2003-09-01 2005-03-24 Konica Minolta Holdings Inc 大気圧プラズマ処理装置のクリーニング方法及び大気圧プラズマ処理装置
JP4622275B2 (ja) * 2004-03-15 2011-02-02 パナソニック株式会社 不純物導入方法
JP2005260139A (ja) * 2004-03-15 2005-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 不純物導入方法
JP2007142175A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Sharp Corp プラズマプロセス方法およびプラズマプロセス装置
US8183502B2 (en) 2006-06-12 2012-05-22 Tokyo Electron Limited Mounting table structure and heat treatment apparatus
JP2007335425A (ja) * 2006-06-12 2007-12-27 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び熱処理装置
WO2007145132A1 (ja) * 2006-06-12 2007-12-21 Tokyo Electron Limited 載置台構造及び熱処理装置
JP2008010596A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Furukawa Electric Co Ltd:The 加熱処理方法および加熱処理装置
KR101117120B1 (ko) * 2009-06-04 2012-02-22 주식회사 에스에프에이 인라인 방식의 태양전지 제조용 플라즈마 처리장치
JP2013522882A (ja) * 2010-03-10 2013-06-13 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 周期的な酸化およびエッチングのための装置と方法
KR20190070998A (ko) * 2010-11-04 2019-06-21 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 플라즈마 어닐링 방법 및 그 장치
WO2012060325A1 (ja) * 2010-11-04 2012-05-10 日産化学工業株式会社 プラズマアニール方法及びその装置
JPWO2012060325A1 (ja) * 2010-11-04 2014-05-12 日産化学工業株式会社 プラズマアニール方法及びその装置
KR20140067956A (ko) * 2010-11-04 2014-06-05 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 플라즈마 어닐링 방법 및 그 장치
US11511316B2 (en) 2010-11-04 2022-11-29 Nissan Chemical Industries, Ltd. Plasma annealing method and device for the same
JP2012126929A (ja) * 2010-12-13 2012-07-05 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法
JP2012160570A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Mitsubishi Materials Corp プラズマエッチング用シリコン電極板
WO2013141370A1 (ja) * 2012-03-22 2013-09-26 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および記録媒体
US9502233B2 (en) 2012-03-22 2016-11-22 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Method for manufacturing semiconductor device, method for processing substrate, substrate processing device and recording medium
JPWO2013141370A1 (ja) * 2012-03-22 2015-08-03 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および記録媒体
JP2023003410A (ja) * 2021-06-23 2023-01-11 セメス カンパニー，リミテッド 基板処理装置及び基板処理方法

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