JPH08223174A - 輻輳通知制御方法及び輻輳通知制御装置 - Google Patents

輻輳通知制御方法及び輻輳通知制御装置

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JPH08223174A
JPH08223174A JP2782995A JP2782995A JPH08223174A JP H08223174 A JPH08223174 A JP H08223174A JP 2782995 A JP2782995 A JP 2782995A JP 2782995 A JP2782995 A JP 2782995A JP H08223174 A JPH08223174 A JP H08223174A
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JP
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congestion
atm
congestion notification
cell
path
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Withdrawn
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JP2782995A
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English (en)
Inventor
Michio Kusayanagi
道夫 草柳
Masahito Okuda
将人 奥田
Tomohiro Ishihara
智宏 石原
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ATM網に於ける輻輳通知制御方法及び輻輳
通知制御装置に関し、効率的に輻輳通知を行う。 【構成】 スイッチ部1と制御部4とインタフェース部
5,6とを有し、スイッチ部1のATMセルを一時的に
蓄積するバッファメモリ2のオーバーフロー又は蓄積量
が所定値を超えた時に輻輳検出部3は輻輳発生を検出す
る。輻輳発生時に、バッファメモリ2に残留していたA
TMセルのパス、又は輻輳発生によって廃棄されたAT
Mセルのパス、又は接続テーブル8に設定されたパスの
中から選択した所定数のパスに対して、ATMセルの発
側と着側との何れか一方又は両方に輻輳通知を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ATM(Asynchronou
s Transfer Mode ;非同期転送モード)網に於ける輻
輳通知制御方法及び輻輳通知制御装置に関する。ATM
セルを転送するATM網は既に各種の方式が提案されて
いる。例えば、ユーザがパス設定要求時にトラヒックを
ATM網に申告し、ATM網は、そのトラヒックによっ
て、ATMセルの廃棄や遅延の増加等が生じないことを
確認できた時に、そのパス設定要求を受入れ、パス設定
後は、申告したトラヒックを正しく守っているか否かを
UPC(Usage Parameter Control)(ポリシン
グ)によって監視し、ATMセルの流量を制御する方式
が知られている。
【0002】しかし、申告トラヒックに比較して低いト
ラヒックによって通信を行うユーザが多数の場合、新た
な他のパス設定要求ユーザに対して制限が加えられるこ
とになり、ATM網の使用効率が低くなる問題がある。
そこで、許容トラヒックを超えたトラヒックによる通信
を行うことを許可し、或いは上限トラヒックを設けない
で通信を行うことを許可するATM網が提案されてい
る。このATM網は、輻輳が発生した場合、ユーザに輻
輳通知を行い、ユーザが輻輳通知に従ってトラヒックを
低減することを期待するものであり、この輻輳通知を効
率良く実行できることが要望されている。
【0003】
【従来の技術】図6はATM網エレメントの説明図であ
り、スイッチ部61と制御部63とインタフェース部6
4,65とを有し、スイッチ部61はATMセルを一時
的に蓄積するバッファメモリ62を備えている。ATM
セルは、5バイトのヘッダ部と48バイトの情報フィー
ルドとからなり、ユーザ網インタフェースの場合は、ヘ
ッダ部は、4ビットの一般制御フローGFCと、8ビッ
トの仮想パス識別子VPIと、16ビットの仮想チャネ
ル識別子VCIと、3ビットのペイロードタイプPT
と、1ビットのセル損失優先表示CLPと、8ビットの
ヘッダ誤り制御(HEC)とを含み、ペイロードタイプ
PTによって輻輳中か否かの表示を行うことができる。
【0004】図7はクロスポイント型スイッチ部の説明
図であり、例えば、入力ハイウェイIH1〜IH4と出
力ハイウェイOH1〜OH4とのクロスポイントに、バ
ッファメモリBFを設け、入力ハイウェイIH1〜IH
4からのATMセルは、出力ハイウェイOH1〜OH4
対応のバッファメモリBFに書込まれて一時的に蓄積さ
れ、出力ハイウェイOH1〜OH4に所定のタイミング
で読出されて送出される。
【0005】図6に於けるバッファメモリ62又は図7
に於けるバッファメモリBFは、それぞれ有限の記憶容
量を有するものであり、ユーザのトラヒックに上限を設
けない場合、ATMセルの流入が集中すると、バッファ
メモリがオーバーフロー或いはバッファメモリ内の蓄積
量が一定値を超えた輻輳状態となり、セル損失優先表示
CLP等に従ってATMセルの廃棄が行われ、又ユーザ
に対して輻輳発生を通知してトラヒックの低減を行わせ
る。
【0006】図8は従来例の輻輳通知の説明図であり、
ATM網71を介して発側端末装置72と着側端末装置
73との間で通信を行う場合、ATM網71に於いて輻
輳発生を検出すると、一点鎖線の経路又は点線の経路で
輻輳通知を行うことが考えられている。前者の一点鎖線
の経路で通知する場合は、ATM網71に於いて、着側
端末装置73に送出するATMセルのヘッダ部のペイロ
ードタイプPTによって輻輳中を表示して送出するか、
或いはパスが設定された総ての着側端末装置に対して輻
輳通知を行う。着側端末装置73は、ATM網71から
の輻輳通知によって、発側端末装置72に送出するAT
Mセルを用いて輻輳発生を通知する。発側端末装置72
は、着側端末装置73からの輻輳通知によってトラヒッ
クの低減を図ることになる。
【0007】又後者の点線の経路で輻輳通知を行う場合
は、ATM網71に於いて、OAM(Operation,Adm
inistration and Maintenance;保守運用)セルを用い
て、発側端末装置72に輻輳通知を行う。又はOAMセ
ルの一種のRMセル(リソースマネージメントセル)を
生成して発側端末装置72に輻輳通知を行う。この場合
もパスが設定された総ての発側端末装置に対して輻輳通
知を行うことになる。そして、発側端末装置72は、A
TM網71からの輻輳通知に従ってトラヒックの低減を
図ることになる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】輻輳発生時に、ATM
網71からの輻輳通知を、図8の一点鎖線の経路で、パ
スが設定された総てのATMセルの着側の端末装置或い
は着側の伝送装置に対して行うか、又は図8の点線の経
路で、パスが設定された総てのATMセルの発側の端末
装置或いは発側の伝送装置に対して行うことになり、こ
の輻輳通知に従って一斉にトラヒックを低減すると、輻
輳は回避されるが、ATM網71は低トラヒック状態と
なり、使用効率が低下する。又輻輳発生時に、パスを設
定しているが、ATMセルを送出していない発側の端末
装置或いは発側の伝送装置が存在した場合でも、輻輳通
知を行うことになり、輻輳通知の為の処理負担が大きく
なる問題がある。本発明は、輻輳発生時の輻輳通知の効
率を改善することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の輻輳通知制御方
法及び輻輳通知制御装置は、図1を参照して説明する
と、(1)ATMセルを転送するATM網に於ける輻輳
通知制御方法に於いて、ATM網に於ける輻輳発生時
に、ATM網を一時的に蓄積するバッファメモリ2に残
留しているATMセルのパスを識別し、このパスにより
ATMセルの発側と着側との何れか一方又は両方に輻輳
通知を送出する。
【0010】(2)又ATM網に於ける輻輳発生時に、
バッファメモリ2から順次読出して送出される一定数の
ATMセルに、輻輳中を示すマーキングを施して送出す
る。
【0011】(3)又輻輳中を示すマーキングが施され
たATMセルを、このATMセルのパスを識別して、こ
のATMセルの発側へ輻輳中を示すOAMセル(保守運
用セル)生成して送出する。
【0012】(4)又ATM網に於ける輻輳発生時に、
廃棄したATMセル又はバッファメモリ2の所定値を超
えて入力されたATMセルのパスを識別し、このパスに
よりATMセルの発側と着側との何れか一方又は両方に
輻輳通知を送出する。
【0013】(5)又ATM網に於ける輻輳発生時に、
複数の接続パスの中の1或いは複数の接続パスを選択し
て、ATMセルの発側と着側との何れか一方又は両方に
輻輳通知を送出する。
【0014】(6)又ATM網に於ける輻輳発生時に、
要求通信品質を基に複数の接続パスの中の1或いは複数
の接続パスを選択して、ATMセルの発側と着側との何
れか一方又は両方に輻輳通知を送出する。
【0015】(7)又ATM網に於ける輻輳発生時に、
複数の接続パスの中の設定時刻順序に従った1或いは複
数の接続パスを選択して、ATMセルの発側と着側との
何れか一方又は両方に輻輳通知を送出する。
【0016】(8)又ATMセルの接続パス毎の流量を
計測し、ATM網に於ける輻輳発生時に、この輻輳発生
前の一定時間内の接続パス毎の流量の計測値を基に1或
いは複数の接続パスを選択して、ATMセルの発側と着
側との何れか一方又は両方に輻輳通知を送出する。
【0017】(9)又ATMセルの接続パス毎の流量を
計測し、ATM網に於ける輻輳発生時に、輻輳発生前の
一定時間内の流量の多い順に所定数の接続パスを選択し
て、ATMセルの発側と着側との何れか一方又は両方に
輻輳通知を送出する。
【0018】(10)又ATMセルの接続パス毎の流量
を計測し、ATM網に於ける輻輳発生時に、輻輳発生前
の一定時間内に少なくとも1ATMセルの流入があった
接続パスの中から所定数の接続パスを選択して、ATM
セルの発側と着側との何れか一方又は両方に輻輳通知を
送出する。
【0019】(11)又ATMセルの接続パス毎の流量
を計測し、ATM網に於ける輻輳発生時に、輻輳発生前
の一定時間内の流量が設定値を超えた接続パスの中の所
定数の接続パスを選択して、ATMセルの発側と着側と
の何れか一方又は両方に輻輳通知を送出する。
【0020】(12)又ATMセルを転送するATM網
に於ける輻輳通知制御装置に於いて、ATMセルを一時
的に蓄積するバッファメモリ2のオーバーフロー又は蓄
積量が所定値を超えたことを検出する輻輳検出部3と、
ATMセルのヘッダ部のルーティング情報をバッファメ
モリ2と同期して蓄積するルーティング情報バッファメ
モリと、輻輳検出部3による輻輳検出情報によってルー
ティング情報バッファメモリから送出されるルーティン
グ情報を基に輻輳通知を送出する制御部4とを備えてい
る。
【0021】(13)又ATMセルを一時的に蓄積する
バッファメモリ2のオーバーフロー又は蓄積量が所定値
を超えたことを検出する輻輳検出部3と、輻輳検出部3
により輻輳発生を検出した時、バッファメモリ2から送
出するATMセルに、連続的或いはランダム的に輻輳発
生を示すマーキングを施すマーキング部と、このマーキ
ング部によりマーキングを施されたATMセルをカウン
トし、所定数をカウントした時にマーキング部の動作を
停止させるカウンタと、マーキングを施されたATMセ
ルを検出して、このATMセルのヘッダ部のルーティン
グ情報を基に輻輳発生を通知するOAMセルを形成し、
このOAMセルをATMセルの発側へ送出するOAMセ
ル生成部とを備えている。
【0022】(14)又ATMセルを一時的に蓄積する
バッファメモリ2のオーバーフロー又は蓄積量が所定値
を超えたことを検出する輻輳検出部3と、輻輳検出部3
により輻輳発生を検出した時に、廃棄ATMセル又はバ
ッファメモリ2の所定値を超えて蓄積されたATMセル
のヘッダ部のルーティング情報を基に、ATMセルの発
側と着側との何れか一方又は両方に輻輳通知を行う制御
部4とを備えている。
【0023】(15)又ATMセルを一時的に蓄積する
バッファメモリ2のオーバーフロー又は蓄積量が所定値
を超えたことを検出する輻輳検出部3と、ATMセルを
転送するパス等の設定する接続テーブル8を有する制御
部4とを備え、この制御部4は、輻輳検出部3からの輻
輳発生通知によって接続テーブル8に設定されたパスの
中の1或いは複数のパスを選択して、ATMセルの発側
と着側との何れか一方又は両方に輻輳通知を送出する構
成を備えている。
【0024】(16)又接続テーブル8は、パスの設定
時刻情報を設定パスと共に記憶する構成を備えている。
【0025】(17)又ATMセルを一時的に蓄積する
バッファメモリ2のオーバーフロー又は蓄積量が所定値
を超えたことを検出する輻輳検出部3と、バッファメモ
リ2に入力されるATMセルの流量をパス毎に計測する
流量計測部と、輻輳検出部3からの輻輳発生通知によっ
て、流量計測部による輻輳発生前の一定時間内のパス対
応のATMセルの流量を基に、輻輳通知を行うパスを選
択して、ATMセルの発側と着側との何れか一方又は両
方に輻輳通知を送出する制御部4とを備えている。
【0026】
【作用】
(1)図1のATM網エレメントに於いて、スイッチ部
1のインタフェース部5を介してATMセルの発側、イ
ンタフェース部6を介して着側が接続され、スイッチ部
1は、バッファメモリ2と輻輳検出部3とを備え、バッ
ファメモリ2のオーバーフロー又はATMセルの蓄積量
が所定値を超えたことを検出して、輻輳発生通知を制御
部4に送出する。この輻輳発生時に、バッファメモリ2
に残留しているATMセルのパスを識別し、このパスに
よってATMセルの発側と着側との何れか一方又は両方
に輻輳通知を送出する。即ち、総ての設定パスではな
く、バッファメモリ2に残留しているATMセルのパス
にのみ輻輳通知を送出する。又着側へのみ輻輳通知を送
出する場合は、着側から発側へATMセルによって輻輳
発生を通知することになる。
【0027】(2)又輻輳検出部3によって輻輳発生を
検出すると、バッファメモリ2から順次読出して送出さ
れる一定数のATMセルに、輻輳中を示すマーキングを
施して送出する。このマーキングは、ヘッダ部のペイロ
ードタイプPT等を利用することができる。この場合、
予め定められた数のATMセルによって輻輳通知を行
う。
【0028】(3)又輻輳中を示すマーキングが施され
たATMセルを識別した時、そのATMセルのパスを識
別してOAMセルを生成し、そのATMセルの発側に生
成したOAMセルを送出して、ATM網に於ける輻輳発
生を通知する。
【0029】(4)又輻輳発生時に、廃棄したATMセ
ルのパスを識別し、又はバッファメモリ2の所定値を超
えて入力されたATMセルのパスを識別して、そのAT
Mセルの発側又は着側或いは両方に、OAMセルによっ
て輻輳通知を行う。
【0030】(5)又輻輳発生時に、複数の接続パスの
中の任意の1パスを選択し、或いは連続又はランダム的
に複数のパスを選択して、輻輳通知を送出する。この輻
輳通知によって発側からのATMセルの送出が低減され
て輻輳が回避されることになるが、回避されないで輻輳
が継続する場合は、他のパスを選択して輻輳通知を行う
ことができる。又輻輳通知は、ATMセルの発側と着側
との何れか一方又は両方に送出するものである。
【0031】(6)又輻輳発生時に、ユーザからの要求
通信品質を加味して、輻輳通知を行うパス選択条件とし
て、接続パスの中の1或いは複数のパスを選択する。
【0032】(7)又パスの設定時刻を記録しておき、
この設定時刻を、輻輳発生時の輻輳通知を行うパス選択
条件として、接続パスの中の1或いは複数のパスを選択
する。例えば、設定時刻が古いものから順に選択するこ
とができる。
【0033】(8)又接続パス毎のATMセルの流量を
計測し、輻輳発生前の一定時間内の流量を、輻輳発生時
の輻輳通知を行うパス選択条件として、接続パスの中の
1或いは複数のパスを選択する。
【0034】(9)又接続パス毎のATMセルの流量を
計測し、輻輳発生前の一定時間内の流量が多い順に輻輳
通知を行うパスを選択する。即ち、過去の一定時間内の
流量の多いパスによるATMセルの流入を抑制できれ
ば、輻輳を迅速に回避できる可能性が大きくなる。
【0035】(10)又接続パス毎にATMセルの流量
を計測し、輻輳発生前の一定時間内に少なくとも1AT
Mセルの流入があった接続パスを中から、輻輳通知を行
うパスを選択する。即ち、過去の一定時間内にATMセ
ルを送出した発側に於いてATMセルの送出を抑制する
ことによって、ATMセルを送出していない発側に輻輳
通知を行うよりも、効果的にATMセルの流入を抑制で
きる可能性が大きくなる。
【0036】(11)又接続パス毎にATMセルの流量
を計測し、輻輳発生前の一定時間内の流量が設定値を超
えた接続パスを選択し、その接続パスの中から輻輳通知
を行うパスを選択する。即ち、過去の一定時間内に設定
値を超える流量のATMセルを送出した発側からのAT
Mセルの流入を抑制できれば、輻輳を迅速に回避できる
可能性が大きくなる。
【0037】(12)又ATM網エレメントとしては、
スイッチ部1と、制御部4と、インタフェース部5,6
とを有し、又スイッチ部1はバッファメモリ2と輻輳検
出部3とを有し、又制御部4は輻輳通知部7と接続テー
ブル8とを備えることができる。ATMセルを一時的に
蓄積するバッファメモリ2に、図1では図示を省略した
ルーティング情報バッファメモリを設け、流入したAT
Mセルをバッファメモリ2に蓄積すると共に、そのAT
Mセルのヘッダ部のVPI(仮想パス識別子)とVCI
(仮想チャネル識別子)とを蓄積する。輻輳検出部3
は、バッファメモリ2のオーバーフロー又は所定値を超
えてATMセルが流入したことを検出すると、輻輳検出
情報を制御部4に転送し、制御部4は、ルーティング情
報バッファメモリから読出されるルーティング情報を基
に、輻輳通知部7によってATMセルの発側と着側との
何れか一方又は両方に輻輳通知を送出する。
【0038】(13)又バッファメモリ2と輻輳検出部
3の外に、マーキング部と、カウンタと、マーキング検
出部と、OAMセル生成部とを設け、輻輳検出部3によ
って輻輳発生を検出すると、バッファメモリ2から読出
して送出されるATMセルにマーキング部によって輻輳
発生を示すマーキングを施す。マーキング検出部は、こ
のマーキングを検出すると、例えば、ATMセルのヘッ
ダ部のペイロードタイプPTのビットによって輻輳中を
表示して着側へ送出する。又OAMセル生成部を制御し
て、輻輳通知を行うOAMセルを生成して発側へ送出す
る。カウンタは、バッファメモリ2から順次読出された
ATMセルに施すマーキングをカウントするもので、こ
のマーキングは、バッファメモリ2から順次読出される
ATMセルに対して連続的に施すか又はランダム的に施
すことができる。
【0039】(14)又輻輳検出部3は、バッファメモ
リ2のオーバーフロー又は蓄積量が所定値を超えたこと
を検出した時に、輻輳検出情報を制御部4へ通知する。
又輻輳発生によって廃棄されたATMセルのヘッダ部の
ルーティング情報を保持し、このルーティング情報によ
るパスのATMセルの発側と着側との何れか一方又は両
方に輻輳通知を行う。
【0040】(15)又制御部4の接続テーブル8は、
ATMセルの転送の為に設定したパスの情報を記憶する
もので、例えば、VPI対応に接続情報を記憶するか、
又はVPI,VCI対応に接続情報を記憶するものであ
る。そして、輻輳検出部3から輻輳発生検出情報を受信
すると、この接続テーブル8を参照し、接続パスの中か
ら1或いは複数のパスを選択し、そのパスのATMセル
の発側と着側との何れか一方又は両方に輻輳通知を行
う。
【0041】(16)又接続テーブル8は、接続パスの
情報と共に設定時刻情報を記憶する構成とし、輻輳発生
時の輻輳通知を行うパスの選択条件として設定時刻を含
める。例えば、設定時刻の古いものから順にパスを選択
することができる。
【0042】(17)流量計測部は、バッファメモリ2
に入力されるATMセルの流量を計測し、輻輳検出部3
からの輻輳発生検出情報によって、その輻輳発生前の一
定時間内の接続パス毎のATMセルの流量を基に制御部
4は輻輳通知を行うパスを選択する。その場合、流量の
多いものから順に輻輳通知を行うパスを選択するか、又
は流量が所定値を超えた接続パスの中から輻輳通知を行
うパスを選択するか、又は1ATMセルでも流入があっ
た接続パスの中から輻輳通知を行うパスを選択すること
ができる。
【0043】
【実施例】図1は本発明の第1の実施例のATM網エレ
メントの説明図であり、1はスイッチ部、2はバッファ
メモリ、3は輻輳検出部、4は制御部、5,6はインタ
フェース部、7は輻輳通知部、8は接続テーブルであ
る。ユーザの発側端末装置やATMセルの発側の伝送装
置等からのATMセルがインタフェース部5を介してス
イッチ部1に入力され、バッファメモリ2に一時的に蓄
積される。このバッファメモリ2から読出されたATM
セルはインタフェース部6を介して、ユーザの着側端末
装置やATMセルの着側の伝送装置に転送される。又イ
ンタフェース部5は、ATMセルのヘッダ部のVPI
(仮想パス識別子)とVCI(仮想チャネル識別子)と
を含むルーティング情報を複写して制御部4に転送する
処理等を行うものである。
【0044】輻輳検出部3は、バッファメモリ2がオー
バーフローしてATMセルを廃棄する状態を検出する
か、又はバッファメモリ2の蓄積量が所定値を超えた状
態を検出するものであり、例えば、バッファメモリ2の
書込アドレスと読出アドレスとの差分を判定することに
より、この差分がバッファメモリ2のアドレス数と同一
又は所定値を超えた時に、輻輳発生は判断する構成とす
ることができる。そして、輻輳発生を検出すると、その
輻輳発生検出情報を制御部4へ転送する。制御部4は、
輻輳通知部7の制御によってATMセルの発側へ輻輳通
知をOAMセルによって通知するか、又は着側へインタ
フェース部6を介してATMセルのペイロードタイプP
Tのビットによる輻輳中の表示によって通知することが
できる。
【0045】又制御部4の接続テーブル8は、VPI
(仮想パス識別子)とVCI(仮想チャネル識別子)と
を基にパスの設定情報を格納するものであり、この接続
テーブル8を参照することにより、設定パスと未設定パ
スとを容易に識別することができる。なお、パスは、仮
想パスVP又は仮想チャネルVCとの何れかを総称した
ものである。そして、輻輳検出部3からの輻輳発生検出
情報により、制御部4は接続テーブル8を参照して、設
定パスの中から輻輳通知を行う1又は複数のパスを選択
し、輻輳通知部7から輻輳通知を行うことができる。
【0046】この場合の複数パスの選択数は、ATM網
エレメント毎にそれぞれ異なる最適値を設定することが
できる。又季節,日時等に対応して選択パス数を変更す
ることも可能である。又接続テーブル8による設定パス
数に対して予め設定した割合、例えば、30%のパスを
選択して輻輳通知を行うことができる。この場合の割合
についても、ATM網エレメント毎に異なるように設定
することが可能であり、又季節,日時等に対応して変更
することも可能である。
【0047】又選択されたパスのATMセルの着側にの
みATMセルのヘッダ部のペイロードタイプPTのビッ
トによって輻輳中を表示して輻輳通知を行い、この輻輳
通知を受信識別した着側から発側へATMセルによって
輻輳発生を通知することができる。又発側にのみ輻輳通
知を行う場合は、輻輳通知部7の制御によってOAM
(保守運用)セルを生成し、このOAMセル(又はRM
セル〔リソースマネージメントセル〕)によって、選択
されたパスのATMセルの発側に輻輳通知を行うことが
できる。又ATMセルの発側と着側との両方に輻輳通知
を行うこともできる。
【0048】又輻輳発生によって廃棄されるATMセル
のVPI,VCIによるルーティング情報を図示を省略
したメモリに保持し、このルーティング情報を基に輻輳
通知を行うことができる。例えば、輻輳検出部3によっ
て輻輳発生を検出し、入力されたATMセルをバッファ
メモリ2に書込むことなく廃棄処理する場合に、そのA
TMセルのヘッダ部からVPI,VCIを抽出してメモ
リに格納し、輻輳発生検出情報を制御部4に転送すると
共に、このVPI,VCIによるルーティング情報を制
御部4に転送し、制御部4は、輻輳通知部7によりルー
ティング情報を基にOAMセルを生成して輻輳通知を行
うことができる。この場合も、ATMセルの発側と着側
との何れか一方又は両方に輻輳通知を行うことができ
る。
【0049】図2は本発明の第2の実施例の要部説明図
であり、バッファメモリ2と輻輳検出部3と共に、ルー
ティング情報バッファメモリ11とゲート回路12とを
設けた輻輳通知制御装置の要部を示し、制御部は図示を
省略している。ルーティング情報バッファメモリ11
は、バッファメモリ2と同一のアドレス数を備え、同一
の書込アドレス及び同一の読出アドレスが加えられて、
同期して動作するように制御される。このようなアドレ
ス制御構成は、既に知られている各種の構成を適用でき
るものである。
【0050】従って、発側からのヘッダ部を含むATM
セルはバッファメモリ2に書込まれると共に、そのAT
Mセルのヘッダ部のVPI(仮想パス識別子)とVCI
(仮想チャネル識別子)とを含むルーティング情報が複
写されて、ルーティング情報バッファメモリ11に書込
まれる。又バッファメモリ2からATMセルが読出され
る時に、そのATMセル対応のルーティング情報が、ル
ーティング情報バッファメモリ11から読出される。
【0051】正常時は、ゲート回路12は閉じられてお
り、ルーティング情報バッファメモリ11から読出され
たルーティング情報は制御部へは転送されない。しか
し、輻輳検出部3によって、バッファメモリ2のオーバ
ーフローや所定値を超える蓄積量となったことを検出し
た時、輻輳発生検出情報によってゲート回路12を開
き、ルーティング情報バッファメモリ11から読出され
たルーティング情報が制御部へ転送される。制御部は、
このルーティング情報によって、接続テーブルを参照す
ることなく、ATMセルの発側と着側との何れか一方又
は両方に輻輳通知を行うことができる。
【0052】この実施例に於いても、ATMセルの着側
へは、ATMセルのヘッダ部のペイロードタイプPTの
ビットによる輻輳表示によって輻輳通知を行うことがで
き、又ATMセルの発側へは、ルーティング情報に従っ
てOAMセルを生成し、そのOAMセルによって輻輳通
知を行うことができる。
【0053】従って、輻輳発生時に、バッファメモリ2
に蓄積されているATMセルのルーティング情報が、ル
ーティング情報バッファメモリ11に蓄積されているか
ら、このルーティング情報を基に輻輳通知を行うもの
で、ATMセルにより通信中の発側又は着側又は両方に
輻輳通知を行い、パスを設定していても、ATMセルを
送出していないATMセルの発側又は着側又は両方には
輻輳通知を行わない。即ち、輻輳発生直前のバッファメ
モリ2の蓄積容量に相当する数のパスに対してのみ輻輳
通知を行うことにより、輻輳発生に余り影響を及ぼさな
いATMセルの発側と着側とには余分な輻輳通知を行わ
ないから、効率良く輻輳通知を行うことができる。
【0054】図3は本発明の第3の実施例の要部説明図
であり、バッファメモリ2と輻輳検出部3と共に、マー
キング部21と、カウンタ22と、マーキング検出部2
3と、OAMセル生成部24とを設けた輻輳通知制御装
置の要部を示し、輻輳検出部3は、前述の実施例と同様
にバッファメモリ2のオーバーフロー又は所定値の蓄積
量を超えたことを検出するものであり、輻輳発生検出に
よってカウンタ22を起動し、マーキング部21を起動
する。マーキング部21は、バッファメモリ2から読出
されるATMセルにマーキングを施すもので、このマー
キングは、ATMセルのヘッダ部等に施すことができ
る。
【0055】又カウンタ22は、マーキング部21によ
りマーキングを施したATMセルをカウンタとすること
になり、予め設定されたカウント数となると、マーキン
グ部21によるマーキングの処理を停止させる。又マー
キング部21は、バッファメモリ2から順次読出される
ATMセルに対して、連続的に且つカウンタ22の設定
数だけマーキングを施すことことができる。又バッファ
メモリ2から順次読出されるATMセルに対して、連続
的ではなくランダム的にカウンタ22の設定数だけマー
キングを施すこともできる。
【0056】輻輳通知をATMセルの着側にのみ行う場
合、マーキング検出部23は、マーキング部21により
マーキングが施されたATMセルを検出し、そのATM
セルのヘッダ部のペイロードタイプPTのビットにより
輻輳中を表示して送出するか、又はマーキング部21に
よりATMセルのヘッダ部のペイロードタイプPTのビ
ットにより輻輳中表示を行った場合は、そのまま着側へ
送出する。
【0057】又輻輳通知をATMセルの発側に対して行
う場合は、マーキング検出部23に於いてマーキングが
施されたATMセルを検出すると、OAMセル生成部2
4にそのATMセルのVPI,VCIによるルーティン
グ情報と共に輻輳通知のOAMセルの生成を指示する。
それによって、OAMセル生成部24から輻輳通知のO
AMセルを生成して、ATMセルの発側に送出する。
【0058】従って、輻輳発生時にバッファメモリ2に
蓄積されているATMセルの中のカウンタ22の設定数
だけについて、そのATMセルのパスに輻輳通知を送出
することができ、制御部4の接続テーブル8(図1参
照)に設定されたパスについて総て輻輳通知を行う場合
に比較して、効率の良い輻輳通知が可能となる。
【0059】図4は本発明の第4の実施例の要部説明図
であり、図1と同一符号は同一の機能部分を示し、30
はOAMセル生成部である。バッファメモリ2と輻輳検
出部3とは、前述の各実施例に於ける構成及び動作はほ
ぼ同一である。又制御部4の接続テーブル8は、例え
ば、8aに示す構成として、接続パスとそのパスの設定
時刻とを対応して記憶させるか、又は8bに示す構成と
して、接続パスとそのパスの要求通信品質QOS(Qua
lity of Service)とを対応して記憶させる。
【0060】輻輳検出部3により輻輳発生を検出する
と、制御部4は、接続テーブル8を参照し、例えば、8
aに示す構成の場合、接続パスP1,P2,P3,P
4,・・・についての設定時刻t1,t3,t2,t
5,・・・を基に、古い時刻から順に1又は複数のパス
を選択して輻輳通知を行う。例えば、古い時刻をt1と
し、2個のパスを選択する場合、P1,P3のパスを選
択して、輻輳通知を行うことになる。
【0061】この場合、設定時刻が古いものは、長時間
の通信を行っていることにより、トラヒックを低減する
ように輻輳通知を行い、設定時刻が新しいものは、通信
を開始したばかりであるから、現状のトラヒックの維持
を許容するシステム特性となる。これと反対に、設定時
刻の新しいものから順に1又は複数のパスを選択して輻
輳通知を行うこともできる。この場合、設定時刻の古い
ものは、間もなく通信が終了することが予想され、通信
を開始したばかりの設定時刻の新しいものは、輻輳が回
避されるまで待ち合わせが可能であるシステム特性に適
用できる。
【0062】又接続テーブル8が8bに示す構成の場
合、接続パスP1,P2,・・・について要求通信品質
QOSが記憶され、輻輳発生時に、要求通信品質の低い
ものから順に1又は複数のパスを選択して、前述のよう
に、輻輳通知を行うことができる。従って、要求通信品
質の高いものについてのトラヒックを維持させ、要求通
信品質の低いものについてのトラヒックを低減させて、
輻輳を回避することができる。
【0063】図5は本発明の第5の実施例の要部説明図
であり、バッファメモリ2と輻輳検出部3と制御部4と
を備えた輻輳通知制御装置に於いて、流量計測部40を
設けて、バッファメモリ2に入力されるATMセルの流
量をパス毎に計測する。そして、一定時間内の計測値を
流量計測部40に於いて保持するから、又は図示のよう
に、制御部4の接続テーブル8cに、接続パス対応に一
定時間内の流量を記憶し、一定時間内の流量が変化する
毎に更新される。
【0064】輻輳通知部7は、検索部41と選択部42
とを有し、輻輳検出部3からの輻輳発生検出情報が制御
部4に加えられると、検索部41は接続テーブル8cを
検索する。この接続テーブル8cの接続パス対応の流量
は、輻輳発生前の一定時間内のATMセルの流量を示す
ことになり、検索部41は、接続テーブル8cを検索し
て、接続パス対応に1個のATMセルでも流入したパス
を選択部42に通知する。選択部42は、通知されたパ
スの中の1又は複数のパスを選択し、輻輳通知部7の制
御によって輻輳通知を行う。この場合の輻輳通知も、A
TMセルの発側のみ又は着側のみに行うか、又は両方に
行うことができる。
【0065】又検索部41により接続テーブル8cを検
索して、輻輳発生前の一定時間内のATMセルの流量の
多いものから順にパスを選択部42に通知し、選択部4
2は、通知された流量の多いもの順のパスの中の1又は
複数のパスを選択し、輻輳通知部7の制御によって輻輳
通知を行うことができる。従って、流量の最も多い発側
が輻輳通知によってトラヒックを低減すれば、輻輳回避
の迅速化を図ることができる。
【0066】又検索部41により接続テーブル8cを検
索して、輻輳発生前の一定時間内のATMセルの流量
が、所定値を超えたパスを選択部42に通知し、選択部
42は、通知されたパスの中の1又は複数のパスを選択
し、輻輳通知部7の制御によって輻輳通知を行うことが
できる。従って、定常的に多量のATMセルを送出した
発側に輻輳通知を行ってトラヒックを低減させることが
可能となる。
【0067】又輻輳発生前の一定時間は、必要に応じて
変更可能とするものである。例えば、接続テーブル8c
に設定されたパス数が多い場合には、一定時間を短く
し、パス数が少ない場合には一定時間を長くするように
変更することも可能である。又ATM網エレメント毎に
相違させることも可能である。この実施例に於ける輻輳
通知も、ATMセルの発側のみ又は着側のみ或いは両方
に行うことができる。
【0068】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の輻輳通知
制御方法に於いては、輻輳発生時に、バッファメモリ2
に蓄積されたATMセル、又は廃棄されたATMセルの
ルーティング情報を基に輻輳通知を行うか、或いは、接
続テーブル8を参照して設定パスの中から選択したパス
に輻輳通知を行うものであり、輻輳発生の直接の原因と
なったパスに対して輻輳通知を行うことができるから、
効率的に輻輳通知を行って輻輳回避の迅速化を図ること
ができる利点がある。
【0069】又本発明の輻輳通知制御装置に於いては、
ルーティング情報バッファメモリを設けた場合、輻輳発
生時に制御部4へ輻輳通知を行うルーティング情報を容
易に通知することができる。又マーキング部やカウンタ
を設けた場合は、輻輳発生時に、バッファメモリ2に蓄
積された所定数のATMセルのパスに対して輻輳通知を
行うことができる。又接続テーブル8に、接続パスと共
にパス設定時刻情報又は要求通信品質又はATMセルの
一定時間内の流量を記憶させ、輻輳発生時に、接続テー
ブル8を参照して、所定数のパスを選択する時に、設定
時刻又は要求通信品質又は流量を選択条件としてパス選
択を行い、選択されたパスに対して輻輳通知を行うもの
であるから、効率的に輻輳通知を行うことが可能となる
利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例のATM網エレメントの
説明図である。
【図2】本発明の第2の実施例の要部説明図である。
【図3】本発明の第3の実施例の要部説明図である。
【図4】本発明の第4の実施例の要部説明図である。
【図5】本発明の第5の実施例の要部説明図である。
【図6】ATM網エレメントの説明図である。
【図7】クロスポイント型スイッチ部の説明図である。
【図8】従来例の輻輳通知の説明図である。
【符号の説明】
1 スイッチ部 2 バッファメモリ 3 輻輳検出部 4 制御部 5,6 インタフェース部 7 輻輳通知部 8 接続テーブル

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ATMセルを転送するATM網に於ける
    輻輳通知制御方法に於いて、 前記ATM網に於ける輻輳発生時に、前記ATMセルを
    一時的に蓄積するバッファメモリに残留している前記A
    TMセルのパスを識別し、該パスにより前記ATMセル
    の発側と着側との何れか一方又は両方に輻輳通知を送出
    することを特徴とする輻輳通知制御方法。
  2. 【請求項2】 ATMセルを転送するATM網に於ける
    輻輳通知制御方法に於いて、 前記ATM網に於ける輻輳発生時に、バッファメモリか
    ら順次読出して送出される一定数の前記ATMセルに、
    輻輳中を示すマーキングを施して送出することを特徴と
    する輻輳通知制御方法。
  3. 【請求項3】 前記輻輳中を示すマーキングが施された
    前記ATMセルを、該ATMセルのパスを識別して、該
    ATMセルの発側へ輻輳中を示すOAMセルを生成して
    送出することを特徴とする請求項2記載の輻輳通知制御
    方法。
  4. 【請求項4】 ATMセルを転送するATM網に於ける
    輻輳通知制御方法に於いて、 前記ATM網に於ける輻輳発生時に、廃棄したATMセ
    ル又はバッファメモリの所定値を超えて入力されたAT
    Mセルのパスを識別し、該パスにより前記ATMセルの
    発側と着側との何れか一方又は両方に輻輳通知を送出す
    ることを特徴とする輻輳通知制御方法。
  5. 【請求項5】 ATMセルを転送するATM網に於ける
    輻輳通知制御方式に於いて、 前記ATM網に於ける輻輳発生時に、複数の接続パスの
    中の1或いは複数の接続パスを選択して、前記ATMセ
    ルの発側と着側との何れか一方又は両方に輻輳通知を送
    出することを特徴とする輻輳通知制御方法。
  6. 【請求項6】 ATMセルを転送するATM網に於ける
    輻輳通知制御方式に於いて、 前記ATM網に於ける輻輳発生時に、要求通信品質を基
    に複数の接続パスの中の1或いは複数の接続パスを選択
    して、前記ATMセルの発側と着側との何れか一方又は
    両方に輻輳通知を送出することを特徴とする輻輳通知制
    御方法。
  7. 【請求項7】 ATMセルを転送するATM網に於ける
    輻輳通知制御方式に於いて、 前記ATM網に於ける輻輳発生時に、複数の接続パスの
    中の設定時刻順序に従った1或いは複数の接続パスを選
    択して、前記ATMセルの発側と着側との何れか一方又
    は両方に輻輳通知を送出することを特徴とする輻輳通知
    制御方法。
  8. 【請求項8】 ATMセルを転送するATM網に於ける
    輻輳通知制御方式に於いて、 前記ATMセルの接続パス毎の流量を計測し、前記AT
    M網に於ける輻輳発生時に、該輻輳発生前の一定時間内
    の前記接続パス毎の流量の計測値を基に1或いは複数の
    接続パスを選択して、前記ATMセルの発側と着側との
    何れか一方又は両方に輻輳通知を送出することを特徴と
    する輻輳通知制御方法。
  9. 【請求項9】 前記ATMセルの接続パス毎の流量を計
    測し、前記ATM網に於ける輻輳発生時に、該輻輳発生
    前の一定時間内の流量の多い順に所定数の接続パスを選
    択して、前記ATMセルの発側と着側との何れか一方又
    は両方に輻輳通知を送出することを特徴とする請求項8
    記載の輻輳通知制御方法。
  10. 【請求項10】 前記ATMセルの接続パス毎の流量を
    計測し、前記ATM網に於ける輻輳発生時に、該輻輳発
    生前の一定時間内に少なくとも1ATMセルの流入があ
    った接続パスの中から所定数の接続パスを選択して、前
    記ATMセルの発側と着側との何れか一方又は両方に輻
    輳通知を送出することを特徴とする請求項8記載の輻輳
    通知制御方法。
  11. 【請求項11】 前記ATMセルの接続パス毎の流量を
    計測し、前記ATM網に於ける輻輳発生時に、該輻輳発
    生前の一定時間内の流量が設定値を超えた接続パスの中
    の所定数の接続パスを選択して、前記ATMセルの発側
    と着側との何れか一方又は両方に輻輳通知を送出するこ
    とを特徴とする請求項8記載の輻輳通知制御方法。
  12. 【請求項12】 ATMセルを転送するATM網に於け
    る輻輳通知制御装置に於いて、 前記ATMセルを一時的に蓄積するバッファメモリのオ
    ーバーフロー又は蓄積量が所定値を超えたことを検出す
    る輻輳検出部と、 前記ATMセルのヘッダ部のルーティング情報を前記バ
    ッファメモリと同期して蓄積するルーティング情報バッ
    ファメモリと、 前記輻輳検出部による輻輳検出情報によって前記ルーテ
    ィング情報バッファメモリから送出される前記ルーティ
    ング情報を基に輻輳通知を送出する制御部とを備えたこ
    とを特徴とする輻輳通知制御装置。
  13. 【請求項13】 ATMセルを転送するATM網に於け
    る輻輳通知制御装置に於いて、 前記ATMセルを一時的に蓄積するバッファメモリのオ
    ーバーフロー又は蓄積量が所定値を超えたことを検出す
    る輻輳検出部と、 該輻輳検出部により輻輳発生を検出した時、前記バッフ
    ァメモリから送出する前記ATMセルに、連続的或いは
    ランダム的に輻輳発生を示すマーキングを施すマーキン
    グ部と、 該マーキング部によりマーキングを施したATMセルを
    カウントし、所定数をカウントした時に前記マーキング
    部の動作を停止させるカウンタと、 前記マーキングを施したATMセルを検出して該ATM
    セルのヘッダ部のルーティング情報を基に輻輳発生を通
    知するOAMセルを形成し、該OAMセルを前記ATM
    セルの発側へ送出するOAMセル生成部とを備えたこと
    を特徴とする輻輳通知制御装置。
  14. 【請求項14】 ATMセルを転送するATM網に於け
    る輻輳通知制御装置に於いて、 前記ATMセルを一時的に蓄積するバッファメモリのオ
    ーバーフロー又は蓄積量が所定値を超えたことを検出す
    る輻輳検出部と、 該輻輳検出部により輻輳発生を検出した時に、廃棄AT
    Mセル又は前記バッファメモリの所定値を超えて蓄積さ
    れたATMセルのヘッダ部のルーティング情報を基に、
    前記ATMセルの発側と着側との何れか一方又は両方に
    輻輳通知を送出する制御部とを備えたことを特徴とする
    輻輳通知制御装置。
  15. 【請求項15】 ATMセルを転送するATM網に於け
    る輻輳通知制御装置に於いて、 前記ATMセルを一時的に蓄積するバッファメモリのオ
    ーバーフロー又は蓄積量が所定値を超えたことを検出す
    る輻輳検出部と、 前記ATMセルを転送するパス等を設定する接続テーブ
    ルを有する制御部とを備え、 該制御部は、前記輻輳検出部からの輻輳発生通知によっ
    て前記接続テーブルに設定されたパスの中の1或いは複
    数のパスを選択して、前記ATMセルの発側と着側との
    何れか一方又は両方に輻輳通知を送出する構成を備えた
    ことを特徴とする輻輳通知制御装置。
  16. 【請求項16】 前記接続テーブルは、前記パスの設定
    時刻情報を設定パスと共に記憶する構成を備えたことを
    特徴とする請求項15記載の輻輳通知制御装置。
  17. 【請求項17】 ATMセルを転送するATM網に於け
    る輻輳通知制御装置に於いて、 前記ATMセルを一時的に蓄積するバッファメモリのオ
    ーバーフロー又は蓄積量が所定値を超えたことを検出す
    る輻輳検出部と、 前記バッファメモリに入力されるATMセルの流量をパ
    ス毎に計測する流量計測部と、 前記輻輳検出部からの輻輳発生通知によって、前記流量
    計測部による輻輳発生前の一定時間内のパス対応のAT
    Mセルの流量を基に、輻輳通知を行うパスを選択して、
    前記ATMセルの発側と着側との何れか一方又は両方に
    輻輳通知を送出する制御部とを備えたことを特徴とする
    輻輳通知制御装置。
JP2782995A 1995-02-16 1995-02-16 輻輳通知制御方法及び輻輳通知制御装置 Withdrawn JPH08223174A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6438138B1 (en) 1997-10-01 2002-08-20 Nec Corporation Buffer controller incorporated in asynchronous transfer mode network for changing transmission cell rate depending on duration of congestion and method for controlling thereof
US6912603B2 (en) 2001-06-08 2005-06-28 Fujitsu Limited Transmitting apparatus and method of controlling flow thereof
JP2015057931A (ja) * 2011-04-27 2015-03-26 日本電気株式会社 ネットワーク装置、通信システム、異常トラヒックの検出方法およびプログラム

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