JPH08204270A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
- Publication number
- JPH08204270A JPH08204270A JP7025883A JP2588395A JPH08204270A JP H08204270 A JPH08204270 A JP H08204270A JP 7025883 A JP7025883 A JP 7025883A JP 2588395 A JP2588395 A JP 2588395A JP H08204270 A JPH08204270 A JP H08204270A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser
- circuit
- reference voltage
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K15/00—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers
- G06K15/02—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers
- G06K15/12—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers by photographic printing, e.g. by laser printers
- G06K15/1204—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers by photographic printing, e.g. by laser printers involving the fast moving of an optical beam in the main scanning direction
- G06K15/1209—Intensity control of the optical beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06832—Stabilising during amplitude modulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザのレーザ強度が所定値に到達す
るまでの立ち上げ時間の短縮化且つ立ち上げ時期の精度
を高め、画像記録媒体の汚れを防止し得るような半導体
レーザ駆動回路を提供すること。 【構成】 画像形成する為に、ｔ０の時点において、
「Ｈ」レベルのレーザ点灯信号ＬＳが入力端子６１に供
給されたとき、オペアンプ４１の＋入力端子には、ｔ０
の時点において、「０．７Ｖ」に切換えられた基準電圧
Ｖｋが瞬時に供給されるので、オペアンプ４１の出力電
圧Ｖｂが増加し、第１トランジスタ５１と第２トランジ
スタ５２とが導通して、ｔ０の時点から、半導体レーザ
１１に駆動電流Ｉの供給が開始され、レーザ光のレーザ
強度が上昇し、ｔ２の時点で画像形成可能なレーザ強度
に達する。
るまでの立ち上げ時間の短縮化且つ立ち上げ時期の精度
を高め、画像記録媒体の汚れを防止し得るような半導体
レーザ駆動回路を提供すること。 【構成】 画像形成する為に、ｔ０の時点において、
「Ｈ」レベルのレーザ点灯信号ＬＳが入力端子６１に供
給されたとき、オペアンプ４１の＋入力端子には、ｔ０
の時点において、「０．７Ｖ」に切換えられた基準電圧
Ｖｋが瞬時に供給されるので、オペアンプ４１の出力電
圧Ｖｂが増加し、第１トランジスタ５１と第２トランジ
スタ５２とが導通して、ｔ０の時点から、半導体レーザ
１１に駆動電流Ｉの供給が開始され、レーザ光のレーザ
強度が上昇し、ｔ２の時点で画像形成可能なレーザ強度
に達する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザプリンタやレー
ザファクシミリ等の画像形成装置に適用される半導体レ
ーザ駆動回路に関し、特に半導体レーザの点灯信号を受
けてから画像形成可能なレーザ強度に達する迄の立ち上
げ時間を短縮するようにしたものに関する。
ザファクシミリ等の画像形成装置に適用される半導体レ
ーザ駆動回路に関し、特に半導体レーザの点灯信号を受
けてから画像形成可能なレーザ強度に達する迄の立ち上
げ時間を短縮するようにしたものに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体レーザにおいては、駆動電
流に対するレーザ光の強度が半導体レーザ毎に異なるこ
とや、個々の半導体レーザにおいても、自己発熱などに
よる半導体レーザの温度変化に応じてそのレーザ強度が
変化するので、半導体レーザ駆動回路には、半導体レー
ザに設けたモニタ用のフォトダイオードの出力をフィー
ドバックして、所定のレーザ強度でレーザ発光するよう
に、半導体レーザの駆動電流を制御する電流制御回路が
設けられている。
流に対するレーザ光の強度が半導体レーザ毎に異なるこ
とや、個々の半導体レーザにおいても、自己発熱などに
よる半導体レーザの温度変化に応じてそのレーザ強度が
変化するので、半導体レーザ駆動回路には、半導体レー
ザに設けたモニタ用のフォトダイオードの出力をフィー
ドバックして、所定のレーザ強度でレーザ発光するよう
に、半導体レーザの駆動電流を制御する電流制御回路が
設けられている。
【０００３】その半導体レーザ駆動回路１００は、例え
ば図５に示すように構成されている。即ち、半導体レー
ザチップ１１０には、半導体レーザ１１１とフォトダイ
オード１１２とが内蔵され、このフォトダイオード１１
２は、半導体レーザ１１１で出射したレーザ光のレーザ
強度に対応するモニタ電流Ｉｍを出力し、ピークホール
ド回路１３０のオペアンプ（差動増幅器）１３１の＋入
力端子にモニタ電圧Ｖｍとして供給される。そして、そ
のオペアンプ１３１の出力は駆動制御回路１４０のオペ
アンプ１４１の−入力端子にピークモニタ電圧Ｖａとし
て供給される。ここで、このオペアンプ１４１の＋入力
端子には、所定の基準電圧Ｖｋ（例えば、約0.7 Ｖ）が
供給されている。また、そのオペアンプ１４１の出力電
圧Ｖｂは、トランジスタ複合接続型増幅回路１５０のト
ランジスタ１５１のベースに供給され、そのトランジス
タ１５１が導通したとき、トランジスタ１５２も同時に
導通して、所定電圧Ｖ２の印加に伴う駆動電流Ｉがトラ
ンジスタ１５２を介して半導体レーザ１１１に流れ、半
導体レーザ１１１がレーザ発光する。
ば図５に示すように構成されている。即ち、半導体レー
ザチップ１１０には、半導体レーザ１１１とフォトダイ
オード１１２とが内蔵され、このフォトダイオード１１
２は、半導体レーザ１１１で出射したレーザ光のレーザ
強度に対応するモニタ電流Ｉｍを出力し、ピークホール
ド回路１３０のオペアンプ（差動増幅器）１３１の＋入
力端子にモニタ電圧Ｖｍとして供給される。そして、そ
のオペアンプ１３１の出力は駆動制御回路１４０のオペ
アンプ１４１の−入力端子にピークモニタ電圧Ｖａとし
て供給される。ここで、このオペアンプ１４１の＋入力
端子には、所定の基準電圧Ｖｋ（例えば、約0.7 Ｖ）が
供給されている。また、そのオペアンプ１４１の出力電
圧Ｖｂは、トランジスタ複合接続型増幅回路１５０のト
ランジスタ１５１のベースに供給され、そのトランジス
タ１５１が導通したとき、トランジスタ１５２も同時に
導通して、所定電圧Ｖ２の印加に伴う駆動電流Ｉがトラ
ンジスタ１５２を介して半導体レーザ１１１に流れ、半
導体レーザ１１１がレーザ発光する。
【０００４】ところで、半導体レーザ１１１の駆動電流
Ｉは、ピークモニタ電圧Ｖａにより負帰還制御されるの
で、半導体レーザ１１１のレーザ強度が変動したとき、
つまりオペアンプ１４１の−入力端子のピークモニタ電
圧Ｖａが変動したときでも、オペアンプ１４１の出力電
圧Ｖｂは、基準電圧Ｖｋに対して常に所定電圧となるよ
うに制御されることから、半導体レーザ１１１のレーザ
強度が安定するようになっている。ここで、変調回路１
７０は、図示外の制御回路から受けた画像データＧＳに
応じて、半導体レーザ１１１に供給される駆動電流Ｉを
ＯＮ／ＯＦＦ制御する為に、半導体レーザ１１１に供給
される駆動電流Ｉをバイパス（変調）するようになって
いる。
Ｉは、ピークモニタ電圧Ｖａにより負帰還制御されるの
で、半導体レーザ１１１のレーザ強度が変動したとき、
つまりオペアンプ１４１の−入力端子のピークモニタ電
圧Ｖａが変動したときでも、オペアンプ１４１の出力電
圧Ｖｂは、基準電圧Ｖｋに対して常に所定電圧となるよ
うに制御されることから、半導体レーザ１１１のレーザ
強度が安定するようになっている。ここで、変調回路１
７０は、図示外の制御回路から受けた画像データＧＳに
応じて、半導体レーザ１１１に供給される駆動電流Ｉを
ＯＮ／ＯＦＦ制御する為に、半導体レーザ１１１に供給
される駆動電流Ｉをバイパス（変調）するようになって
いる。
【０００５】一方、オペアンプ１４１の−入力端子に
は、トランジスタ１４５を介して所定電圧Ｖ１（例え
ば、約５Ｖ）が供給され、このトランジスタ１４５のベ
ースに「Ｈ」レベルのレーザ点灯信号ＬＳが供給された
ときには、トランジスタ１４５が導通することで、電圧
Ｖ１がオペアンプ１４１の−入力端子に印加され、ピー
クモニタ電圧Ｖａと無関係にオペアンプ１４１の出力電
圧Ｖｂを強制的に「０」Ｖとすることで、半導体レーザ
１１１がレーザ光を出射しないようにし、またトランジ
スタ１４５のベースに「Ｌ」レベルのレーザ点灯信号Ｌ
Ｓが供給されたときには、トランジスタ１４５が遮断す
ることで、オペアンプ１４１の−入力端子には、ピーク
ホールド回路１３０からのピークモニタ電圧Ｖａが供給
されるようになり、半導体レーザ１１１がレーザ光を出
射するようになり、画像形成が可能になる。尚、半導体
レーザ１１１の駆動電流Ｉをデジタル的にフィードバッ
ク制御する技術としては、特開平５─１４５１５４号公
報に記載されている。
は、トランジスタ１４５を介して所定電圧Ｖ１（例え
ば、約５Ｖ）が供給され、このトランジスタ１４５のベ
ースに「Ｈ」レベルのレーザ点灯信号ＬＳが供給された
ときには、トランジスタ１４５が導通することで、電圧
Ｖ１がオペアンプ１４１の−入力端子に印加され、ピー
クモニタ電圧Ｖａと無関係にオペアンプ１４１の出力電
圧Ｖｂを強制的に「０」Ｖとすることで、半導体レーザ
１１１がレーザ光を出射しないようにし、またトランジ
スタ１４５のベースに「Ｌ」レベルのレーザ点灯信号Ｌ
Ｓが供給されたときには、トランジスタ１４５が遮断す
ることで、オペアンプ１４１の−入力端子には、ピーク
ホールド回路１３０からのピークモニタ電圧Ｖａが供給
されるようになり、半導体レーザ１１１がレーザ光を出
射するようになり、画像形成が可能になる。尚、半導体
レーザ１１１の駆動電流Ｉをデジタル的にフィードバッ
ク制御する技術としては、特開平５─１４５１５４号公
報に記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、図５
に示す半導体レーザ駆動回路１００においては、図６に
示すように、レーザ点灯信号ＬＳが、ｔ０の時点で
「Ｈ」レベルから「Ｌ」レベルに切換えられたとき、図
７に示すように、オペアンプ１４１の−入力端子の電圧
Ｖａは、コンデンサ１４４に充電された電荷が抵抗１４
６，１４２，１３４などを介してアースに流れることか
ら、これらコンデンサ１４４や抵抗１４６，１４２，１
３４によるＣ−Ｒ回路の時定数に基づいた過渡特性で減
少する。そして、−入力端子の電圧Ｖａが＋入力端子の
基準電圧Ｖｋより所定電圧だけ下降したとき（ｔ１の時
点）に、オペアンプ１４１の出力電圧Ｖｂが出力され、
図８に示すように、トランジスタ複合接続型増幅回路１
５０が作動して、半導体レーザ１１１には、トランジス
タ１５２に流れる駆動電流Ｉが供給され、図８に示すよ
うに、半導体レーザ１１１は、そのレーザ強度特性に基
づいてレーザ光を出射するようになり、画像形成可能に
なる。
に示す半導体レーザ駆動回路１００においては、図６に
示すように、レーザ点灯信号ＬＳが、ｔ０の時点で
「Ｈ」レベルから「Ｌ」レベルに切換えられたとき、図
７に示すように、オペアンプ１４１の−入力端子の電圧
Ｖａは、コンデンサ１４４に充電された電荷が抵抗１４
６，１４２，１３４などを介してアースに流れることか
ら、これらコンデンサ１４４や抵抗１４６，１４２，１
３４によるＣ−Ｒ回路の時定数に基づいた過渡特性で減
少する。そして、−入力端子の電圧Ｖａが＋入力端子の
基準電圧Ｖｋより所定電圧だけ下降したとき（ｔ１の時
点）に、オペアンプ１４１の出力電圧Ｖｂが出力され、
図８に示すように、トランジスタ複合接続型増幅回路１
５０が作動して、半導体レーザ１１１には、トランジス
タ１５２に流れる駆動電流Ｉが供給され、図８に示すよ
うに、半導体レーザ１１１は、そのレーザ強度特性に基
づいてレーザ光を出射するようになり、画像形成可能に
なる。
【０００７】即ち、図７に示すように、オペアンプ１４
１の−入力端子の電圧Ｖａは、過渡特性で徐々に減少す
ることから、図８に示すように、レーザ点灯信号ＬＳが
「Ｌ」レベルになった時点ｔ０から、半導体レーザ１１
１から画像形成可能なレーザ強度となるレーザ光が出射
される画像形成可能な時点ｔ２までの立ち上げ時間が長
期化するという問題がある。また図７・図８に示すよう
に、オペアンプ１４１の−入力端子の電圧Ｖａが過渡特
性に基づいて減少する場合、電源電圧Ｖ１の変動や過渡
特性の変動により、半導体レーザ１１１へ駆動電流を供
給する時点ｔ１が変動するとともに、半導体レーザ１１
１自体のレーザ強度特性に応じて、画像形成可能時点ｔ
２が変動する場合が多い。故に、その画像形成可能時点
ｔ２が早いタイミングで行なわれたときには、感光体ド
ラム上には、所定の画像形成領域よりも先行して余分な
静電潜像が形成され、その結果、その余分な静電潜像に
付着したトナーが画像記録媒体の先端部の裏側に付着し
て、記録用紙などの画像記録媒体が汚れる場合があると
いう問題がある。
１の−入力端子の電圧Ｖａは、過渡特性で徐々に減少す
ることから、図８に示すように、レーザ点灯信号ＬＳが
「Ｌ」レベルになった時点ｔ０から、半導体レーザ１１
１から画像形成可能なレーザ強度となるレーザ光が出射
される画像形成可能な時点ｔ２までの立ち上げ時間が長
期化するという問題がある。また図７・図８に示すよう
に、オペアンプ１４１の−入力端子の電圧Ｖａが過渡特
性に基づいて減少する場合、電源電圧Ｖ１の変動や過渡
特性の変動により、半導体レーザ１１１へ駆動電流を供
給する時点ｔ１が変動するとともに、半導体レーザ１１
１自体のレーザ強度特性に応じて、画像形成可能時点ｔ
２が変動する場合が多い。故に、その画像形成可能時点
ｔ２が早いタイミングで行なわれたときには、感光体ド
ラム上には、所定の画像形成領域よりも先行して余分な
静電潜像が形成され、その結果、その余分な静電潜像に
付着したトナーが画像記録媒体の先端部の裏側に付着し
て、記録用紙などの画像記録媒体が汚れる場合があると
いう問題がある。
【０００８】本発明の目的は、電流制御回路に供給する
基準電圧を切換えることで、半導体レーザのレーザ強度
が所定値に到達するまでの立ち上げ時間の短縮化且つ立
ち上げ時期の精度を高め、画像記録媒体の汚れを防止し
得るような半導体レーザ駆動回路を提供することであ
る。
基準電圧を切換えることで、半導体レーザのレーザ強度
が所定値に到達するまでの立ち上げ時間の短縮化且つ立
ち上げ時期の精度を高め、画像記録媒体の汚れを防止し
得るような半導体レーザ駆動回路を提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の半導体レーザ
駆動回路は、半導体レーザが出射するレーザ光のレーザ
強度を電気信号に変換するフォトダイオードと、このフ
ォトダイオードの出力をフィードバックして所定のレー
ザ強度で発光するように半導体レーザの駆動電流を制御
する電流制御回路とを備えた半導体レーザ駆動回路にお
いて、半導体レーザの点灯／消灯を制御する為に外部よ
り入力される「Ｈ」レベル／「Ｌ」レベルのレーザ点灯
信号を受けて、電流制御回路の基準電圧を切換える基準
電圧切換回路を設けたものである。
駆動回路は、半導体レーザが出射するレーザ光のレーザ
強度を電気信号に変換するフォトダイオードと、このフ
ォトダイオードの出力をフィードバックして所定のレー
ザ強度で発光するように半導体レーザの駆動電流を制御
する電流制御回路とを備えた半導体レーザ駆動回路にお
いて、半導体レーザの点灯／消灯を制御する為に外部よ
り入力される「Ｈ」レベル／「Ｌ」レベルのレーザ点灯
信号を受けて、電流制御回路の基準電圧を切換える基準
電圧切換回路を設けたものである。
【００１０】ここで、請求項２の半導体レーザ駆動回路
は、請求項１の発明において、前記電流制御回路は、フ
ォトダイオードの出力を受けてピークホールドするピー
クホールド回路と、基準電圧とピークホールド回路の出
力とを＋入力端子と−入力端子とに夫々受ける駆動制御
回路と、この駆動制御回路の出力を受けて半導体レーザ
の駆動電流を制御するトランジスタ複合接続型増幅回路
とを備えたものである。
は、請求項１の発明において、前記電流制御回路は、フ
ォトダイオードの出力を受けてピークホールドするピー
クホールド回路と、基準電圧とピークホールド回路の出
力とを＋入力端子と−入力端子とに夫々受ける駆動制御
回路と、この駆動制御回路の出力を受けて半導体レーザ
の駆動電流を制御するトランジスタ複合接続型増幅回路
とを備えたものである。
【００１１】
【作用】請求項１の半導体レーザ駆動回路においては、
フォトダイオードは、半導体レーザが出射するレーザ光
のレーザ強度を電気信号に変換して出力し、電流制御回
路は、そのフォトダイオードからの出力をフィードバッ
クする。つまり基準電圧切換回路から供給される基準電
圧と比較して、所定のレーザ強度でレーザ発光するよう
に半導体レーザの駆動電流を制御する。そして、基準電
圧切換回路は、半導体レーザの点灯／消灯を制御する為
に外部より入力される「Ｈ」レベル／「Ｌ」レベルのレ
ーザ点灯信号を受けて、電流制御回路の基準電圧を切換
える。
フォトダイオードは、半導体レーザが出射するレーザ光
のレーザ強度を電気信号に変換して出力し、電流制御回
路は、そのフォトダイオードからの出力をフィードバッ
クする。つまり基準電圧切換回路から供給される基準電
圧と比較して、所定のレーザ強度でレーザ発光するよう
に半導体レーザの駆動電流を制御する。そして、基準電
圧切換回路は、半導体レーザの点灯／消灯を制御する為
に外部より入力される「Ｈ」レベル／「Ｌ」レベルのレ
ーザ点灯信号を受けて、電流制御回路の基準電圧を切換
える。
【００１２】即ち、電流制御回路の基準電圧は、何らＣ
−Ｒ回路を介さずに、基準電圧用電源から直接に供給さ
れることから、切換え時の応答遅れがなく、瞬時に切換
えられる。故に、半導体レーザの点灯の為に基準電圧が
切換えられたときに、半導体レーザが画像形成可能な所
定のレーザ強度に達するまでの立ち上げ時間は、半導体
レーザのレーザ強度特性だけに基づくことから、立ち上
げ時間を短縮でき、しかもその立ち上げ時期の精度を高
めるとともに、画像記録媒体の汚れを防止することがで
きる。
−Ｒ回路を介さずに、基準電圧用電源から直接に供給さ
れることから、切換え時の応答遅れがなく、瞬時に切換
えられる。故に、半導体レーザの点灯の為に基準電圧が
切換えられたときに、半導体レーザが画像形成可能な所
定のレーザ強度に達するまでの立ち上げ時間は、半導体
レーザのレーザ強度特性だけに基づくことから、立ち上
げ時間を短縮でき、しかもその立ち上げ時期の精度を高
めるとともに、画像記録媒体の汚れを防止することがで
きる。
【００１３】請求項２の半導体レーザ駆動回路において
は、請求項１と同様の作用を奏するが、前記電流制御回
路は、フォトダイオードの出力を受けてピークホールド
するピークホールド回路と、基準電圧とピークホールド
回路の出力とを＋入力端子と−入力端子とに夫々受ける
駆動制御回路と、この駆動制御回路の出力を受けて半導
体レーザの駆動電流を制御するトランジスタ複合接続型
増幅回路とを備えたので、フォトダイオードの出力のピ
ーク値が略基準電圧になるようにトランジスタ複合接続
型増幅回路により大きな増幅率で増幅された駆動電流を
半導体レーザに供給することから、半導体レーザのレー
ザ強度の微小な変動を精度よく確実に解消できる。
は、請求項１と同様の作用を奏するが、前記電流制御回
路は、フォトダイオードの出力を受けてピークホールド
するピークホールド回路と、基準電圧とピークホールド
回路の出力とを＋入力端子と−入力端子とに夫々受ける
駆動制御回路と、この駆動制御回路の出力を受けて半導
体レーザの駆動電流を制御するトランジスタ複合接続型
増幅回路とを備えたので、フォトダイオードの出力のピ
ーク値が略基準電圧になるようにトランジスタ複合接続
型増幅回路により大きな増幅率で増幅された駆動電流を
半導体レーザに供給することから、半導体レーザのレー
ザ強度の微小な変動を精度よく確実に解消できる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面に基いて
説明する。図１に示すように、半導体レーザ駆動回路１
は、レーザプリンタ、レーザファクシミリ等に適用され
る駆動回路である。この半導体レーザ駆動回路１は、半
導体レーザチップ１０に設けられたフォトダイオード１
２と、ピークホールド回路３０と駆動制御回路４０とト
ランジスタ複合接続型増幅回路５０とを備えた電流制御
回路２０と、基準電圧切換回路６０とを設けたものであ
る。
説明する。図１に示すように、半導体レーザ駆動回路１
は、レーザプリンタ、レーザファクシミリ等に適用され
る駆動回路である。この半導体レーザ駆動回路１は、半
導体レーザチップ１０に設けられたフォトダイオード１
２と、ピークホールド回路３０と駆動制御回路４０とト
ランジスタ複合接続型増幅回路５０とを備えた電流制御
回路２０と、基準電圧切換回路６０とを設けたものであ
る。
【００１５】前記フォトダイオード１２は、半導体レー
ザチップ１０にレーザ光を出射する半導体レーザ１１と
共に内蔵されて一体形成され、その半導体レーザ１１で
出射したレーザ光のレーザ強度をモニタ電流Ｉｍ（電気
信号に相当する）に変換して出力するように構成されて
いる。
ザチップ１０にレーザ光を出射する半導体レーザ１１と
共に内蔵されて一体形成され、その半導体レーザ１１で
出射したレーザ光のレーザ強度をモニタ電流Ｉｍ（電気
信号に相当する）に変換して出力するように構成されて
いる。
【００１６】次に、電流制御回路２０について説明す
る。先ず、ピークホールド回路３０は、フォトダイオー
ド１２から出力されたモニタ電流Ｉｍを受けて、そのピ
ーク値を保持する回路であり、オペアンプ３１（差動増
幅器）の＋入力端子にはモニタ電流Ｉｍが供給され且つ
抵抗３２を介して接地されている。また、オペアンプ３
１の出力ラインには、ダイオード３３が介設されるとと
もに、抵抗３４とコンデンサ３５との並列接続を介して
接地されている。更に、ダイオード３３のカソードとオ
ペアンプ３１の−入力端子とが接続されている。
る。先ず、ピークホールド回路３０は、フォトダイオー
ド１２から出力されたモニタ電流Ｉｍを受けて、そのピ
ーク値を保持する回路であり、オペアンプ３１（差動増
幅器）の＋入力端子にはモニタ電流Ｉｍが供給され且つ
抵抗３２を介して接地されている。また、オペアンプ３
１の出力ラインには、ダイオード３３が介設されるとと
もに、抵抗３４とコンデンサ３５との並列接続を介して
接地されている。更に、ダイオード３３のカソードとオ
ペアンプ３１の−入力端子とが接続されている。
【００１７】即ち、オペアンプ３１を用いたピークホー
ルド機能を有するボルテージホロワ回路が設けられてい
るので、入力されたモニタ電流Ｉｍに対応するモニタ電
圧Ｖｍのうちのモニタピーク電圧Ｖａが、抵抗３４とコ
ンデンサ３５とによるＣ−Ｒ回路により保持されて駆動
制御回路４０に出力される。
ルド機能を有するボルテージホロワ回路が設けられてい
るので、入力されたモニタ電流Ｉｍに対応するモニタ電
圧Ｖｍのうちのモニタピーク電圧Ｖａが、抵抗３４とコ
ンデンサ３５とによるＣ−Ｒ回路により保持されて駆動
制御回路４０に出力される。
【００１８】駆動制御回路４０は、モニタピーク電圧Ｖ
ａを基準電圧Ｖｋに略等しくするように負帰還制御する
回路であり、オペアンプ（差動増幅器）４１の−入力端
子には、抵抗４２を介してモニタピーク電圧Ｖａが供給
され、その＋入力端子には、基準電圧切換回路６０から
供給される基準電圧Ｖｋが供給される。そして、オペア
ンプ４１の出力電圧Ｖｂはトランジスタ複合接続型増幅
回路５０の第１トランジスタ５１のベースに供給され、
その第１トランジスタ５１のエミッタ電流が、抵抗４３
とコンデンサ４４とによるＣ−Ｒ回路を介してオペアン
プ４１の−入力端子に供給されるようになっている。
ａを基準電圧Ｖｋに略等しくするように負帰還制御する
回路であり、オペアンプ（差動増幅器）４１の−入力端
子には、抵抗４２を介してモニタピーク電圧Ｖａが供給
され、その＋入力端子には、基準電圧切換回路６０から
供給される基準電圧Ｖｋが供給される。そして、オペア
ンプ４１の出力電圧Ｖｂはトランジスタ複合接続型増幅
回路５０の第１トランジスタ５１のベースに供給され、
その第１トランジスタ５１のエミッタ電流が、抵抗４３
とコンデンサ４４とによるＣ−Ｒ回路を介してオペアン
プ４１の−入力端子に供給されるようになっている。
【００１９】トランジスタ複合接続型増幅回路５０は、
２つのトランジスタ５１，５２を用いてダーリントン接
続された大きな電流増幅が得られる増幅回路であり、第
１トランジスタ５１のコレクタには、両抵抗５３，５４
を介して、また第２トランジスタ５２のエミッタには、
抵抗５４を介して夫々電源電圧Ｖ２が供給される。そし
て、第２トランジスタ５２のコレクタ電流が半導体レー
ザ１１に駆動電流Ｉとして供給するように構成されてい
る。
２つのトランジスタ５１，５２を用いてダーリントン接
続された大きな電流増幅が得られる増幅回路であり、第
１トランジスタ５１のコレクタには、両抵抗５３，５４
を介して、また第２トランジスタ５２のエミッタには、
抵抗５４を介して夫々電源電圧Ｖ２が供給される。そし
て、第２トランジスタ５２のコレクタ電流が半導体レー
ザ１１に駆動電流Ｉとして供給するように構成されてい
る。
【００２０】即ち、レーザ強度が変動することによりモ
ニタピーク電圧Ｖａが基準電圧Ｖｋに対して、微小電圧
だけ変動したときには、オペアンプ４１の出力電圧Ｖｂ
も変動し、第１トランジスタ５１のエミッタ電流が変動
することから半導体レーザ１１の駆動電流Ｉが変化し
て、レーザ強度を修正するので、モニタピーク電圧Ｖａ
は略基準電圧Ｖｋと等しい電圧に制御される。
ニタピーク電圧Ｖａが基準電圧Ｖｋに対して、微小電圧
だけ変動したときには、オペアンプ４１の出力電圧Ｖｂ
も変動し、第１トランジスタ５１のエミッタ電流が変動
することから半導体レーザ１１の駆動電流Ｉが変化し
て、レーザ強度を修正するので、モニタピーク電圧Ｖａ
は略基準電圧Ｖｋと等しい電圧に制御される。
【００２１】基準電圧切換回路６０は、図示外のレーザ
点灯信号ＬＳを受けて、このレーザ点灯信号ＬＳの
「Ｈ」レベル（約５Ｖ）／「Ｌ」レベル（０Ｖ）に基づ
いてオペアンプ４１の＋入力端子に出力する基準電圧Ｖ
ｋを切換える回路であり、レーザ点灯信号ＬＳの入力端
子６１は、２つの分圧抵抗６２，６３を介して接地さ
れ、「Ｈ」レベルのレーザ点灯信号ＬＳを入力端子６１
に受けたときには、２つの分圧抵抗６２，６３で決定さ
れる所定の基準電圧Ｖｋ（例えば、約 0.7Ｖ）を出力す
る一方、「Ｌ」レベルのレーザ点灯信号ＬＳを入力端子
６１に受けたときには、０Ｖの基準電圧Ｖｋを出力す
る。
点灯信号ＬＳを受けて、このレーザ点灯信号ＬＳの
「Ｈ」レベル（約５Ｖ）／「Ｌ」レベル（０Ｖ）に基づ
いてオペアンプ４１の＋入力端子に出力する基準電圧Ｖ
ｋを切換える回路であり、レーザ点灯信号ＬＳの入力端
子６１は、２つの分圧抵抗６２，６３を介して接地さ
れ、「Ｈ」レベルのレーザ点灯信号ＬＳを入力端子６１
に受けたときには、２つの分圧抵抗６２，６３で決定さ
れる所定の基準電圧Ｖｋ（例えば、約 0.7Ｖ）を出力す
る一方、「Ｌ」レベルのレーザ点灯信号ＬＳを入力端子
６１に受けたときには、０Ｖの基準電圧Ｖｋを出力す
る。
【００２２】即ち、この基準電圧切換回路６０において
は、「Ｈ」レベル／「Ｌ」レベルのレーザ点灯信号ＬＳ
を２つの分圧抵抗６２，６３を介して切換えるととも
に、基準電圧Ｖｋをオペアンプ４１の＋入力端子に直接
に供給するので、その基準電圧Ｖｋを瞬時に切換えるこ
とができる。
は、「Ｈ」レベル／「Ｌ」レベルのレーザ点灯信号ＬＳ
を２つの分圧抵抗６２，６３を介して切換えるととも
に、基準電圧Ｖｋをオペアンプ４１の＋入力端子に直接
に供給するので、その基準電圧Ｖｋを瞬時に切換えるこ
とができる。
【００２３】ここで、半導体レーザ１１のレーザ光を画
像データに応じて変調する変調回路７０について簡単に
説明する。前記第２トランジスタ５２のコレクタ電流を
バイパスする為のトランジスタ７１が設けられ、このト
ランジスタ７１のベースには、抵抗７２とスピードアッ
プ用コンデンサ７３との並列接続を介して、負論理の画
像データＧＤが入力端子７４に供給される。即ち、
「Ｈ」レベルの画像データＧＤが入力端子７４に入力さ
たときには、そのトランジスタ７１が導通して、第２ト
ランジスタ５２のコレクタ電流がこのトランジスタ７１
に流れるので、半導体レーザ１１にはレーザ光を出射す
る駆動電流Ｉが供給されないことから、画素形成が行な
われず、また「Ｌ」レベルの画像データＧＤが入力さた
ときには、そのトランジスタ７１が遮断して、第２トラ
ンジスタ５２のコレクタ電流が半導体レーザ１１に供給
されることから、画素形成が行われる。
像データに応じて変調する変調回路７０について簡単に
説明する。前記第２トランジスタ５２のコレクタ電流を
バイパスする為のトランジスタ７１が設けられ、このト
ランジスタ７１のベースには、抵抗７２とスピードアッ
プ用コンデンサ７３との並列接続を介して、負論理の画
像データＧＤが入力端子７４に供給される。即ち、
「Ｈ」レベルの画像データＧＤが入力端子７４に入力さ
たときには、そのトランジスタ７１が導通して、第２ト
ランジスタ５２のコレクタ電流がこのトランジスタ７１
に流れるので、半導体レーザ１１にはレーザ光を出射す
る駆動電流Ｉが供給されないことから、画素形成が行な
われず、また「Ｌ」レベルの画像データＧＤが入力さた
ときには、そのトランジスタ７１が遮断して、第２トラ
ンジスタ５２のコレクタ電流が半導体レーザ１１に供給
されることから、画素形成が行われる。
【００２４】次に、以上説明した半導体レーザ駆動回路
１のレーザ駆動動作について説明する。先ず、画像形成
の終了に伴って、「Ｌ」レベルのレーザ点灯信号ＬＳが
入力端子６１に供給されたとき、オペアンプ４１の＋入
力端子には、「０Ｖ」に切換えられた基準電圧Ｖｋが瞬
時に供給されるので、オペアンプ４１の−入力端子に供
給さるモニタピーク電圧Ｖａが、その基準電圧Ｖｋに略
等しくなるように、抵抗４３とコンデンサ４４とによる
負帰還により降下するので、オペアンプ４１の出力電圧
Ｖｂも降下し、第１トランジスタ５１のエミッタ電流が
降下することから、第２トランジスタ５２のコレクタ電
流が低減されて半導体レーザ１１のレーザ強度が降下す
る。
１のレーザ駆動動作について説明する。先ず、画像形成
の終了に伴って、「Ｌ」レベルのレーザ点灯信号ＬＳが
入力端子６１に供給されたとき、オペアンプ４１の＋入
力端子には、「０Ｖ」に切換えられた基準電圧Ｖｋが瞬
時に供給されるので、オペアンプ４１の−入力端子に供
給さるモニタピーク電圧Ｖａが、その基準電圧Ｖｋに略
等しくなるように、抵抗４３とコンデンサ４４とによる
負帰還により降下するので、オペアンプ４１の出力電圧
Ｖｂも降下し、第１トランジスタ５１のエミッタ電流が
降下することから、第２トランジスタ５２のコレクタ電
流が低減されて半導体レーザ１１のレーザ強度が降下す
る。
【００２５】その結果、フォトダイオード１２からのモ
ニタ電流Ｉｍが降下する。ここで、ピークホールド回路
３０において、低いモニタ電圧Ｖｍはダイオード３３の
カソードに供給されないで、モニタピーク電圧Ｖａは抵
抗３４とコンデンサ３５による時定数に基づいて徐々に
下降する。そして、オペアンプ４１の出力電圧Ｖｂが第
１トランジスタ５１の動作電圧以下に降下したとき、第
１・第２トランジスタ５１，５２が遮断されて、半導体
レーザ１１はレーザ発光しなくなり、オペアンプ４１の
−入力端子には「０Ｖ」のモニタピーク電圧Ｖａが供給
されることになる。
ニタ電流Ｉｍが降下する。ここで、ピークホールド回路
３０において、低いモニタ電圧Ｖｍはダイオード３３の
カソードに供給されないで、モニタピーク電圧Ｖａは抵
抗３４とコンデンサ３５による時定数に基づいて徐々に
下降する。そして、オペアンプ４１の出力電圧Ｖｂが第
１トランジスタ５１の動作電圧以下に降下したとき、第
１・第２トランジスタ５１，５２が遮断されて、半導体
レーザ１１はレーザ発光しなくなり、オペアンプ４１の
−入力端子には「０Ｖ」のモニタピーク電圧Ｖａが供給
されることになる。
【００２６】一方、画像形成する為に、図２に示すよう
に、ｔ０の時点において、「Ｈ」レベルのレーザ点灯信
号ＬＳが入力端子６１に供給されたとき、オペアンプ４
１の＋入力端子には、図３に示すように、ｔ０の時点に
おいて、「0.7 Ｖ」に切換えられた基準電圧Ｖｋが瞬時
に供給されるので、オペアンプ４１の出力電圧Ｖｂが増
加し、第１トランジスタ５１と第２トランジスタ５２と
が導通して、図４に示すように、ｔ０の時点から、半導
体レーザ１１に駆動電流Ｉの供給が開始され、レーザ強
度特性に基づいて、レーザ光のレーザ強度が上昇し、ｔ
２の時点で画像形成可能なレーザ強度に達する。その
後、モニタ電圧Ｖｍに基づくモニタピーク電圧Ｖａが、
基準電圧Ｖｋに対する所定電圧となるように負帰還制御
され、半導体レーザ１１は所定のレーザ強度でレーザ発
光する。
に、ｔ０の時点において、「Ｈ」レベルのレーザ点灯信
号ＬＳが入力端子６１に供給されたとき、オペアンプ４
１の＋入力端子には、図３に示すように、ｔ０の時点に
おいて、「0.7 Ｖ」に切換えられた基準電圧Ｖｋが瞬時
に供給されるので、オペアンプ４１の出力電圧Ｖｂが増
加し、第１トランジスタ５１と第２トランジスタ５２と
が導通して、図４に示すように、ｔ０の時点から、半導
体レーザ１１に駆動電流Ｉの供給が開始され、レーザ強
度特性に基づいて、レーザ光のレーザ強度が上昇し、ｔ
２の時点で画像形成可能なレーザ強度に達する。その
後、モニタ電圧Ｖｍに基づくモニタピーク電圧Ｖａが、
基準電圧Ｖｋに対する所定電圧となるように負帰還制御
され、半導体レーザ１１は所定のレーザ強度でレーザ発
光する。
【００２７】即ち、半導体レーザ１１の点灯／消灯を制
御する為に外部より入力される「Ｈ」レベル／「Ｌ」レ
ベルのレーザ点灯信号ＬＳを受けて、駆動制御回路４０
の基準電圧Ｖｋを切換える基準電圧切換回路６０を設け
たので、駆動制御回路４０の基準電圧Ｖｋは、何らＣ−
Ｒ回路を介さずにその基準電圧切換回路６０から直接に
供給されることから、切換え時の応答遅れがなく、瞬時
に切換えられる。故に、半導体レーザ１１の点灯の為に
基準電圧Ｖｋが切換えられたときに、半導体レーザ１１
が画像形成可能な所定のレーザ強度に達するまでの立ち
上げ時間は、半導体レーザ１１のレーザ強度特性だけに
基づくことから、立ち上げ時間を短縮でき、しかもその
立ち上げ時期の精度を高めるとともに、画像記録媒体の
汚れを防止することができる。
御する為に外部より入力される「Ｈ」レベル／「Ｌ」レ
ベルのレーザ点灯信号ＬＳを受けて、駆動制御回路４０
の基準電圧Ｖｋを切換える基準電圧切換回路６０を設け
たので、駆動制御回路４０の基準電圧Ｖｋは、何らＣ−
Ｒ回路を介さずにその基準電圧切換回路６０から直接に
供給されることから、切換え時の応答遅れがなく、瞬時
に切換えられる。故に、半導体レーザ１１の点灯の為に
基準電圧Ｖｋが切換えられたときに、半導体レーザ１１
が画像形成可能な所定のレーザ強度に達するまでの立ち
上げ時間は、半導体レーザ１１のレーザ強度特性だけに
基づくことから、立ち上げ時間を短縮でき、しかもその
立ち上げ時期の精度を高めるとともに、画像記録媒体の
汚れを防止することができる。
【００２８】更に、電流制御回路２０は、フォトダイオ
ード１２の出力を受けてピークホールドするピークホー
ルド回路３０と、基準電圧Ｖｋとピークホールド回路３
０の出力とを＋入力端子と−入力端子とに夫々受けるオ
ペアンプ４１を有する駆動制御回路４０と、この駆動制
御回路４０の出力を受けて半導体レーザ１１の駆動電流
Ｉを制御するトランジスタ複合接続型増幅回路５０とを
備えたので、フォトダイオード１２の出力のピーク値が
略基準電圧Ｖｋになるように差動増幅され、更にトラン
ジスタ複合接続型増幅回路５０により大きな増幅率で増
幅された駆動電流Ｉを半導体レーザ１１に供給すること
から、半導体レーザ１１のレーザ強度の微小な変動を精
度よく確実に解消できる。
ード１２の出力を受けてピークホールドするピークホー
ルド回路３０と、基準電圧Ｖｋとピークホールド回路３
０の出力とを＋入力端子と−入力端子とに夫々受けるオ
ペアンプ４１を有する駆動制御回路４０と、この駆動制
御回路４０の出力を受けて半導体レーザ１１の駆動電流
Ｉを制御するトランジスタ複合接続型増幅回路５０とを
備えたので、フォトダイオード１２の出力のピーク値が
略基準電圧Ｖｋになるように差動増幅され、更にトラン
ジスタ複合接続型増幅回路５０により大きな増幅率で増
幅された駆動電流Ｉを半導体レーザ１１に供給すること
から、半導体レーザ１１のレーザ強度の微小な変動を精
度よく確実に解消できる。
【００２９】尚、前記トランジスタ複合接続型増幅回路
５０は、複数のトランジスタを用いたダーリントン接続
やこれの各種の変形型接続であってもよい。また、基準
電圧切換回路６０にアナログスイッチを設け、基準電圧
Ｖｋを「０」Ｖと「0.7 Ｖ」とに切換えるように構成す
る等、本発明の技術的思想の範囲内において、既存の技
術や当業者に自明の技術に基いて種々の変更を加えるこ
ともあり得る。尚、半導体レーザにより画像形成するレ
ーザファクシミリや複写機等の各種の半導体レーザ駆動
回路に本発明を適用し得ることは勿論である。
５０は、複数のトランジスタを用いたダーリントン接続
やこれの各種の変形型接続であってもよい。また、基準
電圧切換回路６０にアナログスイッチを設け、基準電圧
Ｖｋを「０」Ｖと「0.7 Ｖ」とに切換えるように構成す
る等、本発明の技術的思想の範囲内において、既存の技
術や当業者に自明の技術に基いて種々の変更を加えるこ
ともあり得る。尚、半導体レーザにより画像形成するレ
ーザファクシミリや複写機等の各種の半導体レーザ駆動
回路に本発明を適用し得ることは勿論である。
【００３０】
【発明の効果】請求項１の半導体レーザ駆動回路によれ
ば、半導体レーザの点灯／消灯を制御する為に外部より
入力される「Ｈ」レベル／「Ｌ」レベルのレーザ点灯信
号を受けて、電流制御回路の基準電圧を切換える基準電
圧切換回路を設けたので、電流制御回路の基準電圧は、
何らＣ−Ｒ回路を介さずに、基準電圧用電源から直接に
供給されることから、切換え時の応答遅れがなく、瞬時
に切換えられる。故に、半導体レーザの点灯の為に基準
電圧が切換えられたときに、半導体レーザが画像形成可
能な所定のレーザ強度に達するまでの立ち上げ時間は、
半導体レーザのレーザ強度特性だけに基づくことから、
立ち上げ時間を短縮でき、しかもその立ち上げ時期の精
度を高めるとともに、画像記録媒体の汚れを防止するこ
とができる。
ば、半導体レーザの点灯／消灯を制御する為に外部より
入力される「Ｈ」レベル／「Ｌ」レベルのレーザ点灯信
号を受けて、電流制御回路の基準電圧を切換える基準電
圧切換回路を設けたので、電流制御回路の基準電圧は、
何らＣ−Ｒ回路を介さずに、基準電圧用電源から直接に
供給されることから、切換え時の応答遅れがなく、瞬時
に切換えられる。故に、半導体レーザの点灯の為に基準
電圧が切換えられたときに、半導体レーザが画像形成可
能な所定のレーザ強度に達するまでの立ち上げ時間は、
半導体レーザのレーザ強度特性だけに基づくことから、
立ち上げ時間を短縮でき、しかもその立ち上げ時期の精
度を高めるとともに、画像記録媒体の汚れを防止するこ
とができる。
【００３１】請求項２の半導体レーザ駆動回路によれ
ば、請求項１と同様の効果を奏するが、前記電流制御回
路は、ピークホールド回路と、駆動制御回路と、トラン
ジスタ複合接続型増幅回路とを備えたので、フォトダイ
オードの出力のピーク値が略基準電圧になるように、ト
ランジスタ複合接続型増幅回路により大きな増幅率で増
幅された駆動電流を半導体レーザに供給することから、
半導体レーザのレーザ強度の微小な変動を精度よく確実
に解消できる。
ば、請求項１と同様の効果を奏するが、前記電流制御回
路は、ピークホールド回路と、駆動制御回路と、トラン
ジスタ複合接続型増幅回路とを備えたので、フォトダイ
オードの出力のピーク値が略基準電圧になるように、ト
ランジスタ複合接続型増幅回路により大きな増幅率で増
幅された駆動電流を半導体レーザに供給することから、
半導体レーザのレーザ強度の微小な変動を精度よく確実
に解消できる。
【図１】本発明の実施例に係る半導体レーザ駆動回路の
回路図である。
回路図である。
【図２】レーザ点灯信号の信号レベルを示す図である。
【図３】基準電圧の電圧レベルを示す図である。
【図４】半導体レーザのレーザ強度特性を示す図であ
る。
る。
【図５】従来技術に係る図１相当図である。
【図６】従来技術に係る図２相当図である。
【図７】従来技術に係り、画像形成時における駆動制御
回路のオペアンプの−入力端子の電圧降下特性を示す図
である。
回路のオペアンプの−入力端子の電圧降下特性を示す図
である。
【図８】従来技術に係る図４相当図である。
１ 半導体レーザ駆動回路 １０ 半導体レーザチップ １１ 半導体レーザ １２ フォトダイオード ２０ 電流制御回路 ３０ ピークホールド回路 ４０ 駆動制御回路 ４１ オペアンプ ５０ トランジスタ複合接続型増幅回路 ６０ 基準電圧切換回路
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体レーザが出射するレーザ光のレー
ザ強度を電気信号に変換するフォトダイオードと、この
フォトダイオードの出力をフィードバックして所定のレ
ーザ強度で発光するように半導体レーザの駆動電流を制
御する電流制御回路とを備えた半導体レーザ駆動回路に
おいて、 前記半導体レーザの点灯／消灯を制御する為に外部より
入力される「Ｈ」レベル／「Ｌ」レベルのレーザ点灯信
号を受けて、電流制御回路の基準電圧を切換える基準電
圧切換回路を設けたことを特徴とする半導体レーザ駆動
回路。 - 【請求項２】 前記電流制御回路は、前記フォトダイオ
ードの出力を受けてピークホールドするピークホールド
回路と、基準電圧とピークホールド回路の出力とを＋入
力端子と−入力端子とに夫々受ける駆動制御回路と、こ
の駆動制御回路の出力を受けて半導体レーザの駆動電流
を制御するトランジスタ複合接続型増幅回路とを備えた
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ駆動回
路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7025883A JPH08204270A (ja) | 1995-01-20 | 1995-01-20 | 半導体レーザ駆動回路 |
| US08/582,307 US5661739A (en) | 1995-01-20 | 1996-01-03 | Semiconductor laser driving circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7025883A JPH08204270A (ja) | 1995-01-20 | 1995-01-20 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08204270A true JPH08204270A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=12178188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7025883A Pending JPH08204270A (ja) | 1995-01-20 | 1995-01-20 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5661739A (ja) |
| JP (1) | JPH08204270A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1093170A (ja) * | 1996-09-10 | 1998-04-10 | Fuji Xerox Co Ltd | レーザダイオード駆動回路、レーザダイオード駆動用半導体集積回路、および画像記録装置 |
| US6021144A (en) * | 1999-02-24 | 2000-02-01 | Nvision, Inc. | Automatic power control circuit for a laser driver |
| JP2001036186A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Sony Corp | 半導体レーザ駆動回路 |
| EP1265357B1 (en) * | 2001-06-08 | 2006-05-24 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Driver circuit |
| DE102004058595B4 (de) * | 2004-11-26 | 2009-04-02 | Atmel Germany Gmbh | Treiberschaltung und Verfahren zur Kompensation von Offsetströmen in einer Treiberschaltung |
| CN106384934A (zh) * | 2015-09-11 | 2017-02-08 | 北京特安电源科技有限公司 | 一种多路半导体激光器驱动电源的实现方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4009385A (en) * | 1976-03-22 | 1977-02-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Laser control circuit |
| US4856011A (en) * | 1985-01-30 | 1989-08-08 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser control circuit |
| US4819241A (en) * | 1985-08-16 | 1989-04-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Laser diode driving circuit |
| US4771431A (en) * | 1985-08-30 | 1988-09-13 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Semiconductor laser drive |
| US5123023A (en) * | 1990-11-21 | 1992-06-16 | Polaroid Corporation | Laser driver with plural feedback loops |
| JPH05145154A (ja) * | 1991-11-15 | 1993-06-11 | Minolta Camera Co Ltd | 半導体レーザの駆動装置 |
-
1995
- 1995-01-20 JP JP7025883A patent/JPH08204270A/ja active Pending
-
1996
- 1996-01-03 US US08/582,307 patent/US5661739A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5661739A (en) | 1997-08-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0775969B1 (en) | Image forming apparatus and constant current circuit switching device for use therewith | |
| JP3880914B2 (ja) | 半導体レーザ駆動装置、半導体レーザ駆動方法及び半導体レーザ駆動装置を使用した画像形成装置 | |
| JP2718707B2 (ja) | レーザプリンタのための制御回路 | |
| JP2011066089A (ja) | 半導体レーザ制御装置及び画像形成装置 | |
| KR100988900B1 (ko) | 반도체 장치, 그 반도체 장치를 사용한 반도체 레이저 구동장치 및 화상 형성 장치 | |
| KR100498666B1 (ko) | 발광 제어 장치 및 화상 형성 장치 | |
| JPH08204270A (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| US5764667A (en) | Current steering circuit | |
| US7796658B2 (en) | Drive circuit and drive method for semiconductor light source | |
| JP2007158022A (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| JP3843666B2 (ja) | レーザダイオード駆動回路及び画像記録装置 | |
| JP2004153116A (ja) | 半導体レーザ駆動装置 | |
| JP4082956B2 (ja) | 半導体レーザ制御回路 | |
| JP3424345B2 (ja) | 半導体レーザ駆動装置 | |
| JPH11298077A (ja) | 半導体レーザ制御装置 | |
| JP2612856B2 (ja) | 半導体レーザ出力制御装置 | |
| JPH1197788A (ja) | 半導体レーザーの自動光量制御回路 | |
| JP4517598B2 (ja) | 発光素子駆動装置及び画像形成装置 | |
| JP3001167B2 (ja) | 定電流回路スイッチング装置 | |
| JP2004153114A (ja) | 半導体レーザ駆動装置 | |
| JPS6262572A (ja) | 半導体レ−ザ駆動回路 | |
| JP2003072141A (ja) | 網点画像露光装置及び光源駆動回路 | |
| KR0119696Y1 (ko) | 레이저의 광출력 자동제어장치 | |
| JP2005262481A (ja) | 光ビーム発光制御装置 | |
| JP2001308447A (ja) | 半導体レーザ駆動装置 |