JPH0818327A - 小型アンテナの製造方法 - Google Patents
小型アンテナの製造方法Info
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- JPH0818327A JPH0818327A JP14672494A JP14672494A JPH0818327A JP H0818327 A JPH0818327 A JP H0818327A JP 14672494 A JP14672494 A JP 14672494A JP 14672494 A JP14672494 A JP 14672494A JP H0818327 A JPH0818327 A JP H0818327A
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- dielectric ceramic
- ceramic substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 量産に適した製造方法を提案することを目的
とする。 【構成】 複数個の小型アンテナが得られる形状の誘電
体セラミック基板１１の表面全体にメッキにより導体１
２を形成し、その後エッチングにより複数の側面導体３
をパターニングし、その後この誘電体セラミック基板１
１を切断して、複数個の小型アンテナを得るようにした
ものである。
とする。 【構成】 複数個の小型アンテナが得られる形状の誘電
体セラミック基板１１の表面全体にメッキにより導体１
２を形成し、その後エッチングにより複数の側面導体３
をパターニングし、その後この誘電体セラミック基板１
１を切断して、複数個の小型アンテナを得るようにした
ものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は携帯電話機、ＧＰＳ（衛
星測位システム）装置等の移動体通信に使用して好適な
小型アンテナの製造方法に関する。
星測位システム）装置等の移動体通信に使用して好適な
小型アンテナの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話機、ＧＰＳ装置等の移動
体通信機器の小型化に伴いアンテナの小型化を図るため
高い誘導率（εr ≧１０）の誘電体セラミック基板を使
用した図２に示す如き小型アンテナが提案されている。
体通信機器の小型化に伴いアンテナの小型化を図るため
高い誘導率（εr ≧１０）の誘電体セラミック基板を使
用した図２に示す如き小型アンテナが提案されている。
【０００３】この図２につき説明するに、図２におい
て、１は（Ｍｇ1-x Ｃａx ）ＴｉＯ3（Ｘ＝０．０５）
組成の粉末をプレス成形し、１３５０℃で焼成した比誘
電率が２０の誘電体セラミック基板を示し、この誘電体
セラミック基板１の形状は縦ａ×横ｂ×厚さｔが例えば
１３ｍｍ×１３ｍｍ×６ｍｍである。
て、１は（Ｍｇ1-x Ｃａx ）ＴｉＯ3（Ｘ＝０．０５）
組成の粉末をプレス成形し、１３５０℃で焼成した比誘
電率が２０の誘電体セラミック基板を示し、この誘電体
セラミック基板１の形状は縦ａ×横ｂ×厚さｔが例えば
１３ｍｍ×１３ｍｍ×６ｍｍである。
【０００４】この誘電体セラミック基板１の上面及び下
面に例えばＣｕの如き上面導体２ａ及び下面導体２ｂを
形成すると共にこの上面導体２ａ及び下面導体２ｂを短
絡する側面導体３を形成したものである。
面に例えばＣｕの如き上面導体２ａ及び下面導体２ｂを
形成すると共にこの上面導体２ａ及び下面導体２ｂを短
絡する側面導体３を形成したものである。
【０００５】この小型アンテナを使用するときには図２
に示す如く、この小型アンテナの下面導体２ｂを例えば
携帯電話機の金属シャーシ４上に載置する如くして、受
信専用アンテナとして使用する。この場合、この小型ア
ンテナはマイクロストリップ形の逆Ｆアンテナを構成す
る。
に示す如く、この小型アンテナの下面導体２ｂを例えば
携帯電話機の金属シャーシ４上に載置する如くして、受
信専用アンテナとして使用する。この場合、この小型ア
ンテナはマイクロストリップ形の逆Ｆアンテナを構成す
る。
【０００６】斯る小型アンテナにおいては、図２に示す
如く、縦の長さをａ、横の長さをｂ、この誘電体セラミ
ック基板１の比誘電率をεr 、受信電波の波長をλとし
たとき の関係が成立し、例えば８００ＭＨｚの電波を１３ｍｍ
×１３ｍｍ×６ｍｍの大きさの小型アンテナで受信する
ことができる。
如く、縦の長さをａ、横の長さをｂ、この誘電体セラミ
ック基板１の比誘電率をεr 、受信電波の波長をλとし
たとき の関係が成立し、例えば８００ＭＨｚの電波を１３ｍｍ
×１３ｍｍ×６ｍｍの大きさの小型アンテナで受信する
ことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来、斯る図２に示す
如き小型アンテナを製造するときは誘電体セラミック基
板１を所定形状例えば１３ｍｍ×１３ｍｍ×６ｍｍに成
形・加工した後に、上面導体２ａ、下面導体２ｂ及び側
面導体３を形成するようにしていたが、この従来の製造
方法では、１個ずつ、この上面導体２ａ、下面導体２ｂ
及び側面導体３を形成するので、手間がかかり、量産に
適さない不都合があった。
如き小型アンテナを製造するときは誘電体セラミック基
板１を所定形状例えば１３ｍｍ×１３ｍｍ×６ｍｍに成
形・加工した後に、上面導体２ａ、下面導体２ｂ及び側
面導体３を形成するようにしていたが、この従来の製造
方法では、１個ずつ、この上面導体２ａ、下面導体２ｂ
及び側面導体３を形成するので、手間がかかり、量産に
適さない不都合があった。
【０００８】本発明は斯る点に鑑み量産に適した製造方
法を提案せんとするものである。
法を提案せんとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明小型アンテナの製
造方法は例えば図１に示す如く、複数個の小型アンテナ
が得られる形状の誘電体セラミック基板１１の表面全体
にメッキにより導体１２を形成し、その後エッチングに
より複数の側面導体３をパターニングし、その後この誘
電体セラミック基板１１を切断して、複数個の小型アン
テナを得るようにしたものである。
造方法は例えば図１に示す如く、複数個の小型アンテナ
が得られる形状の誘電体セラミック基板１１の表面全体
にメッキにより導体１２を形成し、その後エッチングに
より複数の側面導体３をパターニングし、その後この誘
電体セラミック基板１１を切断して、複数個の小型アン
テナを得るようにしたものである。
【００１０】また本発明小型アンテナの製造方法は例え
ば図３に示す如く、複数個の小型アンテナが得られる形
状の誘電体セラミック基板１１の上面及び下面と複数の
側面導体部とにスクリーン印刷により導体ペースト１４
を被着し、その後焼付けし、その後この誘電体セラミッ
ク基板１１を切断して複数個の小型アンテナを得るよう
にしたものである。
ば図３に示す如く、複数個の小型アンテナが得られる形
状の誘電体セラミック基板１１の上面及び下面と複数の
側面導体部とにスクリーン印刷により導体ペースト１４
を被着し、その後焼付けし、その後この誘電体セラミッ
ク基板１１を切断して複数個の小型アンテナを得るよう
にしたものである。
【００１１】
【作用】本発明によれば複数個の小型アンテナの得られ
る誘電体セラミック基板１１に上面導体１２及び下面導
体１２と複数の側面導体３を形成した後に切断して複数
個の小型アンテナを得ているので生産性良く小型アンテ
ナを製造できる。
る誘電体セラミック基板１１に上面導体１２及び下面導
体１２と複数の側面導体３を形成した後に切断して複数
個の小型アンテナを得ているので生産性良く小型アンテ
ナを製造できる。
【００１２】
【実施例】以下、図１を参照して本発明小型アンテナの
製造方法の一実施例につき説明しよう。先ず、図１Ａに
示す如く、４個の小型アンテナが得られる形状の誘電体
セラミック基板１１を用意する。
製造方法の一実施例につき説明しよう。先ず、図１Ａに
示す如く、４個の小型アンテナが得られる形状の誘電体
セラミック基板１１を用意する。
【００１３】この誘電体セラミック基板１１は、誘電体
セラミック材料として例えば（Ｍｇ 1-x Ｃａx ）ＴｉＯ
3 （Ｘ＝０．０５）の組成のものを使用する。これは原
料としてＭｇＯ（酸化マグネシウム）、ＣａＣＯ3 （炭
酸カルシウム）、ＴｉＯ2 （酸化チタン）の粉末を秤量
し、ボールミルで１５時間混合した後、大気中、１００
０℃で仮焼を行い、再度ボールミルで１５時間粉砕し
て、バインダーとして、ＰＶＡ（ポリビニルアルコー
ル）を１重量％加えて造粒し、成形して大気中１３５０
℃で焼成することにより誘電体セラミック基板を作製す
る。この例の誘電体セラミック基板の比誘電率は２０で
ある。
セラミック材料として例えば（Ｍｇ 1-x Ｃａx ）ＴｉＯ
3 （Ｘ＝０．０５）の組成のものを使用する。これは原
料としてＭｇＯ（酸化マグネシウム）、ＣａＣＯ3 （炭
酸カルシウム）、ＴｉＯ2 （酸化チタン）の粉末を秤量
し、ボールミルで１５時間混合した後、大気中、１００
０℃で仮焼を行い、再度ボールミルで１５時間粉砕し
て、バインダーとして、ＰＶＡ（ポリビニルアルコー
ル）を１重量％加えて造粒し、成形して大気中１３５０
℃で焼成することにより誘電体セラミック基板を作製す
る。この例の誘電体セラミック基板の比誘電率は２０で
ある。
【００１４】次にこの誘電体セラミック基板を所定の寸
法に例えば小型アンテナが１３ｍｍ×１３ｍｍ×６ｍｍ
のときは例えは４個の大きさの１３ｍｍ×５６ｍｍ×６
ｍｍに研削、加工して図１Ａの誘電体セラミック基板１
１とする。この誘電体セラミック基板１１の形状の寸法
は使用する電波の波長λ、使用する誘電体セラミック基
板の誘電率εr により決定される。
法に例えば小型アンテナが１３ｍｍ×１３ｍｍ×６ｍｍ
のときは例えは４個の大きさの１３ｍｍ×５６ｍｍ×６
ｍｍに研削、加工して図１Ａの誘電体セラミック基板１
１とする。この誘電体セラミック基板１１の形状の寸法
は使用する電波の波長λ、使用する誘電体セラミック基
板の誘電率εr により決定される。
【００１５】次にメッキ工程により図１Ｂに示す如くこ
の誘電体セラミック基板１１の表面全体に導体１２を形
成する。この導体１２としてはＣＵ，Ａｇ，Ｎｉ，Ａｕ
等を用いることができる。この場合メッキ膜即ち導体の
厚さは高周波例えば８００ＭＨｚの表皮効果を考慮し
て、２０μｍ程度とする。
の誘電体セラミック基板１１の表面全体に導体１２を形
成する。この導体１２としてはＣＵ，Ａｇ，Ｎｉ，Ａｕ
等を用いることができる。この場合メッキ膜即ち導体の
厚さは高周波例えば８００ＭＨｚの表皮効果を考慮し
て、２０μｍ程度とする。
【００１６】次にメッキ工程である無電解銅メッキ工程
の例につき説明する。先ず、この誘電体セラミック基板
１１をエースクリーン Ａ−２２０（奥野製薬工業製）
を使用してアルカリ脱脂を行い、その後水洗いをする。
の例につき説明する。先ず、この誘電体セラミック基板
１１をエースクリーン Ａ−２２０（奥野製薬工業製）
を使用してアルカリ脱脂を行い、その後水洗いをする。
【００１７】次に、密着性を増す目的でこの誘電体セラ
ミック基板１１の表面をでこぼこにするためフッ酸４０
％、硝酸６０％の混合溶液を使用してエッチングし、そ
の後水洗いをする。
ミック基板１１の表面をでこぼこにするためフッ酸４０
％、硝酸６０％の混合溶液を使用してエッチングし、そ
の後水洗いをする。
【００１８】次に塩酸３５％の溶液を使用してプリディ
ップし、その後ＯＰＣ８０キャタリスト（奥野製薬工業
製）と塩酸３５％の溶液の混合液を使用し、パラジウム
を表面に付着するキャタライジングを行う。このキャタ
ライジング後、水洗いを行う。
ップし、その後ＯＰＣ８０キャタリスト（奥野製薬工業
製）と塩酸３５％の溶液の混合液を使用し、パラジウム
を表面に付着するキャタライジングを行う。このキャタ
ライジング後、水洗いを行う。
【００１９】次に硫酸９７％の溶液にアクセレートＸ
（奥野製薬工業製）を混合した液を使用して触媒を活性
化するためにアクセレーティングを行う。このアクセレ
ーティング後に水洗いを行う。
（奥野製薬工業製）を混合した液を使用して触媒を活性
化するためにアクセレーティングを行う。このアクセレ
ーティング後に水洗いを行う。
【００２０】次に銅の無電解メッキ液として、ＯＰＣカ
ッパーＴ（奥野製薬工業製）を使用して銅の無電解メッ
キを行う。この銅１２を所定厚例えば２０μｍ厚メッキ
した後に水洗いを行う。
ッパーＴ（奥野製薬工業製）を使用して銅の無電解メッ
キを行う。この銅１２を所定厚例えば２０μｍ厚メッキ
した後に水洗いを行う。
【００２１】次にグリコートを使用して防錆処理を行
い、その後Ｎ2 雰囲気中、３００℃×１時間の条件で熱
処理を行い誘電体セラミック基板１１と導体１２である
銅メッキ膜との密着性を増す如くする。
い、その後Ｎ2 雰囲気中、３００℃×１時間の条件で熱
処理を行い誘電体セラミック基板１１と導体１２である
銅メッキ膜との密着性を増す如くする。
【００２２】次に、図１Ｃに示す如くこの誘電体セラミ
ック基板１１の上面導体１２上及び下面導体１２上と４
つの側面導体３に対応する部分にスクリーン印刷技術を
使用してレジスト１３を塗布し、その後このレジスト１
３を乾燥する。
ック基板１１の上面導体１２上及び下面導体１２上と４
つの側面導体３に対応する部分にスクリーン印刷技術を
使用してレジスト１３を塗布し、その後このレジスト１
３を乾燥する。
【００２３】この図１Ｃに示す如く、レジスト１３を塗
布した誘電体セラミック基板１１をエッチング液として
の塩化第２鉄溶液に浸し、このレジスト１３の塗布され
ていない不用部分の導体１２である銅メッキ膜をエッチ
ングにより除去する（図１Ｄ）。このエッチング後に、
十分に水洗いして、このエッチング液を落とす如くす
る。
布した誘電体セラミック基板１１をエッチング液として
の塩化第２鉄溶液に浸し、このレジスト１３の塗布され
ていない不用部分の導体１２である銅メッキ膜をエッチ
ングにより除去する（図１Ｄ）。このエッチング後に、
十分に水洗いして、このエッチング液を落とす如くす
る。
【００２４】その後、図１Ｄに示す如く、この誘電体セ
ラミック基板１１上の導体１２上に塗布したレジスト１
３をＮａＯＨ１％の水溶液により除去し、図１Ｅに示す
如く、誘電体セラミック基板１１の上面及び下面に導体
１２が形成されると共に４つの短絡導体である側面導体
３が形成されたものとなる。
ラミック基板１１上の導体１２上に塗布したレジスト１
３をＮａＯＨ１％の水溶液により除去し、図１Ｅに示す
如く、誘電体セラミック基板１１の上面及び下面に導体
１２が形成されると共に４つの短絡導体である側面導体
３が形成されたものとなる。
【００２５】次に斯る図１Ｅに示す如き誘電体セラミッ
ク基板１１をダイヤモンド砥石等により、図１Ｆに示す
如く１３ｍｍ間隔に切断して、４個の小型アンテナを得
る。
ク基板１１をダイヤモンド砥石等により、図１Ｆに示す
如く１３ｍｍ間隔に切断して、４個の小型アンテナを得
る。
【００２６】本例による小型アンテナの製造方法によれ
ば４個の小型アンテナの得られる誘電体セラミック基板
１１にメッキ及びエッチングにより上面導体１２及び下
面導体１２と４個の側面導体３を形成した後に、切断し
て４個の小型アンテナを得ているので、生産性良く小型
アンテナを製造することができる利益がある。
ば４個の小型アンテナの得られる誘電体セラミック基板
１１にメッキ及びエッチングにより上面導体１２及び下
面導体１２と４個の側面導体３を形成した後に、切断し
て４個の小型アンテナを得ているので、生産性良く小型
アンテナを製造することができる利益がある。
【００２７】図３は本発明小型アンテナの製造方法の他
の実施例を示す工程図である。この図３を参照して本発
明小型アンテナの製造方法の他の実施例につき説明す
る。先ず、図３Ａに示す如く、図１Ａと同様にして４個
の小型アンテナが得られる形状例えば１３ｍｍ×５６ｍ
ｍ×６ｍｍの誘電体セラミック基板１１を用意する。
の実施例を示す工程図である。この図３を参照して本発
明小型アンテナの製造方法の他の実施例につき説明す
る。先ず、図３Ａに示す如く、図１Ａと同様にして４個
の小型アンテナが得られる形状例えば１３ｍｍ×５６ｍ
ｍ×６ｍｍの誘電体セラミック基板１１を用意する。
【００２８】次に図３Ｂに示す如く、この誘電体セラミ
ック基板１１の上面及び下面と４個の側面導体部とにス
クリーン印刷により導体ペースト１４を塗布する。この
場合この導体ペースト１４としては例えば昭栄化学工業
製のＨ−９１５４の銀塗料を使用する。
ック基板１１の上面及び下面と４個の側面導体部とにス
クリーン印刷により導体ペースト１４を塗布する。この
場合この導体ペースト１４としては例えば昭栄化学工業
製のＨ−９１５４の銀塗料を使用する。
【００２９】この導体ペースト１４を塗布後に２００℃
で１０分間乾燥する。その後大気雰囲気中、８００℃で
１５分間焼成し、この導体ペースト１４を厚さ例えば２
０μｍの銀導体とし、図３Ｂに示す如く、誘電体セラミ
ック基板１１の上面及び下面に銀導体が形成されると共
に４つの短絡導体である側面導体３が形成されたものと
なる。
で１０分間乾燥する。その後大気雰囲気中、８００℃で
１５分間焼成し、この導体ペースト１４を厚さ例えば２
０μｍの銀導体とし、図３Ｂに示す如く、誘電体セラミ
ック基板１１の上面及び下面に銀導体が形成されると共
に４つの短絡導体である側面導体３が形成されたものと
なる。
【００３０】次に斯る図３Ｂに示す如き誘電体セラミッ
ク基板１１をダイヤモンド砥石等により、図３Ｃに示す
如く１３ｍｍ間隔に切断して、４個の小型アンテナを得
る。
ク基板１１をダイヤモンド砥石等により、図３Ｃに示す
如く１３ｍｍ間隔に切断して、４個の小型アンテナを得
る。
【００３１】本例による小型アンテナの製造方法によれ
ば４個の小型アンテナの得られる誘電体セラミック基板
１１に上面導体及び下面導体と４個の側面導体３を形成
した後に、切断して、４個の小型アンテナを得ているの
で、生産性良く小型アンテナを製造することができる。
ば４個の小型アンテナの得られる誘電体セラミック基板
１１に上面導体及び下面導体と４個の側面導体３を形成
した後に、切断して、４個の小型アンテナを得ているの
で、生産性良く小型アンテナを製造することができる。
【００３２】尚上述実施例においては４個の小型アンテ
ナを同時に製造する例につき述べたが、その他の複数個
を同時に製造するようにしても良く、この場合も上述同
様の作用効果が得られることは容易に理解できよう。ま
た本発明は上述実施例に限ることなく本発明の要旨を逸
脱することなく、その他種々の構成が採り得ることは勿
論である。
ナを同時に製造する例につき述べたが、その他の複数個
を同時に製造するようにしても良く、この場合も上述同
様の作用効果が得られることは容易に理解できよう。ま
た本発明は上述実施例に限ることなく本発明の要旨を逸
脱することなく、その他種々の構成が採り得ることは勿
論である。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば生産性良く小型アンテナ
を製造することができる利益がある。
を製造することができる利益がある。
【図１】本発明小型アンテナの製造方法の一実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】小型アンテナの例を示す斜視図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す斜視図である。
１，１１ 誘電体セラミック基板 ２ａ，２ｂ，３，１２ 導体 １３ レジスト １４ 導体ペースト
Claims (2)
- 【請求項１】 複数個の小型アンテナが得られる形状の
誘電体セラミック基板の表面全体にメッキにより導体を
形成し、その後エッチングにより複数の側面導体をパタ
ーニングし、その後上記誘電体セラミック基板を切断し
て、複数個の小型アンテナを得るようにしたことを特徴
とする小型アンテナの製造方法。 - 【請求項２】 複数個の小型アンテナが得られる形状の
誘電体セラミック基板の上面及び下面と複数の側面導体
部とにスクリーン印刷により導体ペーストを被着し、そ
の後焼付けし、その後前記誘電体セラミック基板を切断
して複数個の小型アンテナを得るようにしたことを特徴
とする小型アンテナの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14672494A JPH0818327A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 小型アンテナの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14672494A JPH0818327A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 小型アンテナの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818327A true JPH0818327A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15414135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14672494A Pending JPH0818327A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 小型アンテナの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818327A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6034636A (en) * | 1996-08-21 | 2000-03-07 | Nec Corporation | Planar antenna achieving a wide frequency range and a radio apparatus used therewith |
| KR100387167B1 (ko) * | 2001-05-25 | 2003-06-12 | 한국과학기술연구원 | 초저속 경사회전 노광을 이용한 3차원의 미소 구조안테나의 제조방법 |
| EP1465290A1 (en) * | 2003-03-31 | 2004-10-06 | Filtronic LK Oy | Method for producing antenna components |
| KR100503844B1 (ko) * | 2002-01-24 | 2005-07-27 | 히다치 덴센 가부시끼가이샤 | 평판 안테나의 제조 방법 |
| WO2007096973A1 (ja) | 2006-02-23 | 2007-08-30 | Mitsubishi Materials Corporation | ドレッサー供給装置 |
| KR100841236B1 (ko) * | 2007-01-30 | 2008-06-25 | (주)삼우이피씨 | 엘티씨씨를 이용한 에스엠디형 칩 안테나 제조방법 |
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| KR101032875B1 (ko) * | 2008-10-23 | 2011-05-06 | 주식회사 이엠따블유 | 칩안테나 및 이의 제조 방법 |
-
1994
- 1994-06-28 JP JP14672494A patent/JPH0818327A/ja active Pending
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