JPH08140368A - マイクロ構造体及びその形成法 - Google Patents
マイクロ構造体及びその形成法Info
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- JPH08140368A JPH08140368A JP6272109A JP27210994A JPH08140368A JP H08140368 A JPH08140368 A JP H08140368A JP 6272109 A JP6272109 A JP 6272109A JP 27210994 A JP27210994 A JP 27210994A JP H08140368 A JPH08140368 A JP H08140368A
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
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- H02N1/002—Electrostatic motors
- H02N1/006—Electrostatic motors of the gap-closing type
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
- Y10S977/86—Scanning probe structure
- Y10S977/873—Tip holder
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- Micromachines (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロ構造体及び基板に使用する材料に制
限がなく、電極パターンを有するマイクロ構造体と基板
との電気的接続が可能な、マイクロ構造体とその形成法
を提供する。 【構成】 基板１０と、支持部１３，１３’と、レバー
１２と該レバーに形成した電極１７からなるビームとか
らなるマイクロ構造体において、該支持部により前記基
板と空隙を介してビーム及び／又は電極部が上面より支
持され、前記ビームの下面に前記電極部が形成されてい
るマイクロ構造体を提供する。また、上記マイクロ構造
体の形成法と、電極に電圧を印加することによりビーム
が変位する静電アクチュエータを提供する。
限がなく、電極パターンを有するマイクロ構造体と基板
との電気的接続が可能な、マイクロ構造体とその形成法
を提供する。 【構成】 基板１０と、支持部１３，１３’と、レバー
１２と該レバーに形成した電極１７からなるビームとか
らなるマイクロ構造体において、該支持部により前記基
板と空隙を介してビーム及び／又は電極部が上面より支
持され、前記ビームの下面に前記電極部が形成されてい
るマイクロ構造体を提供する。また、上記マイクロ構造
体の形成法と、電極に電圧を印加することによりビーム
が変位する静電アクチュエータを提供する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロメカニクス技
術を用いて作製するマイクロ構造体、とくに犠牲層を用
いて形成されるマイクロ構造体の形成法に関するもので
ある。
術を用いて作製するマイクロ構造体、とくに犠牲層を用
いて形成されるマイクロ構造体の形成法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、小型の可動機構を有する微小機械
がマイクロメカニクス技術により検討されている。とく
に、半導体集積回路形成技術（半導体フォトリソグラフ
ィプロセス）を用いて形成するマイクロ構造体は、基板
上に複数の小型で作製再現性の高い微小な機械部品を作
製することが可能である。このため、アレイ化、低コス
ト化が比較的容易となり、かつ小型化により従来の機械
式構体に比べて高速応答性が期待できる。
がマイクロメカニクス技術により検討されている。とく
に、半導体集積回路形成技術（半導体フォトリソグラフ
ィプロセス）を用いて形成するマイクロ構造体は、基板
上に複数の小型で作製再現性の高い微小な機械部品を作
製することが可能である。このため、アレイ化、低コス
ト化が比較的容易となり、かつ小型化により従来の機械
式構体に比べて高速応答性が期待できる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】基板上にマイクロ構造
体を作製する典型的な方法としては以下の３つがある。
第１の方法としては、ポリシリコン膜よりなるワブルマ
イクロモーター（M.Mehregany et al., “Operation of
microfabricated harmonic and ordinary side-drive
motors”，Proceedings IEEE Micro Electro Mechanica
l Systems Workshop 1990,p.1-8)や、リニアマイクロア
クチュエータ（P.Cheung et al.,“Modeling and posit
ion-detection of a polysilicon linear microactuato
r”，Micromechanical Sensors,Actuators,and Systems
ASME 1991,DS C-Vol.32,p.269-278) 等を形成する作製
方法であり、これはＳｉ基板上の犠牲層となるシリコン
酸化膜と薄膜形成したマイクロ構造体となるポリシリコ
ン、ＳＯＩ（Si on Insulator ）またはＳＩＭＯＸ（Se
paration by ion implantation of oxygen, B.Diem et
al., “SOI(SIMOX)as a Substrate for Surface Microm
achining of Single Crystalline Silicon and Actuato
rs ”，The 7th International Conference onSolid-St
ate Sensors and Actuators,Transducers '93,June 7-1
0,1993,p.233-236 ）のシリコン膜を所望の形状にパタ
ーニングした後に、フッ酸水溶液にてシリコン酸化膜を
除去するシリコン酸化膜を犠牲層として用いる方法であ
る。
体を作製する典型的な方法としては以下の３つがある。
第１の方法としては、ポリシリコン膜よりなるワブルマ
イクロモーター（M.Mehregany et al., “Operation of
microfabricated harmonic and ordinary side-drive
motors”，Proceedings IEEE Micro Electro Mechanica
l Systems Workshop 1990,p.1-8)や、リニアマイクロア
クチュエータ（P.Cheung et al.,“Modeling and posit
ion-detection of a polysilicon linear microactuato
r”，Micromechanical Sensors,Actuators,and Systems
ASME 1991,DS C-Vol.32,p.269-278) 等を形成する作製
方法であり、これはＳｉ基板上の犠牲層となるシリコン
酸化膜と薄膜形成したマイクロ構造体となるポリシリコ
ン、ＳＯＩ（Si on Insulator ）またはＳＩＭＯＸ（Se
paration by ion implantation of oxygen, B.Diem et
al., “SOI(SIMOX)as a Substrate for Surface Microm
achining of Single Crystalline Silicon and Actuato
rs ”，The 7th International Conference onSolid-St
ate Sensors and Actuators,Transducers '93,June 7-1
0,1993,p.233-236 ）のシリコン膜を所望の形状にパタ
ーニングした後に、フッ酸水溶液にてシリコン酸化膜を
除去するシリコン酸化膜を犠牲層として用いる方法であ
る。
【０００４】しかしながら、この方法ではシリコン酸化
膜をフッ酸水溶液にてエッチング除去するために、構造
体としてはフッ酸に食刻されないフッ酸腐食耐性材料を
用いる必要があり、マイクロ構造体にアルミニウム電極
等の電極を配線することができない。さらに、ポリシリ
コンをマイクロ構造体として用いる場合には膜応力によ
る反りが生じないようにポリシリコンの膜応力を制御す
る必要がある。ＳＯＩ基板を用いる場合、バルクＳｉ薄
膜の下のシリコン酸化を膜除去してしまうために、構造
体を支えるシリコン酸化膜がエッチバックされ、構造体
が梁形状となり基板と構造体との電気的接続が困難とな
る。
膜をフッ酸水溶液にてエッチング除去するために、構造
体としてはフッ酸に食刻されないフッ酸腐食耐性材料を
用いる必要があり、マイクロ構造体にアルミニウム電極
等の電極を配線することができない。さらに、ポリシリ
コンをマイクロ構造体として用いる場合には膜応力によ
る反りが生じないようにポリシリコンの膜応力を制御す
る必要がある。ＳＯＩ基板を用いる場合、バルクＳｉ薄
膜の下のシリコン酸化を膜除去してしまうために、構造
体を支えるシリコン酸化膜がエッチバックされ、構造体
が梁形状となり基板と構造体との電気的接続が困難とな
る。
【０００５】第２の方法は、アルミニウム（Ａｌ）薄膜
のマイクロミラーよりなる空間光変調器（L.J.Hornbec
k、特開平２−８８１２）を形成する作製方法であり、
基板上に犠牲層となるフォトレジストを塗布し、Ａｌ薄
膜を薄膜形成し所望の形状にパターニングした後に、酸
素プラズマを用いたドライエッチングによりフォトレジ
ストを除去し、Ａｌ薄膜からなるマイクロ構造体を形成
する方法である。
のマイクロミラーよりなる空間光変調器（L.J.Hornbec
k、特開平２−８８１２）を形成する作製方法であり、
基板上に犠牲層となるフォトレジストを塗布し、Ａｌ薄
膜を薄膜形成し所望の形状にパターニングした後に、酸
素プラズマを用いたドライエッチングによりフォトレジ
ストを除去し、Ａｌ薄膜からなるマイクロ構造体を形成
する方法である。
【０００６】この方法では、フォトレジストを犠牲層と
して用いることにより基板の表面粗さに依存することな
く、様々な種類の基板上にマイクロ構造体を形成するこ
とが可能である。これにより、反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）によるドライエッチングで犠牲層除去が可能
であり、ウエットエッチングにより犠牲層を除去する際
に生じるマイクロ構造体と基板との貼り付き（Stickin
g）を回避できる。しかしながら、作製工程中でフォト
レジストが熱的損傷をおこさない程度の低温で構造体薄
膜形成を行う必要があり、構造体材料の制約が大きい。
さらに、マイクロ構造体を真空蒸着、スパッタリング等
の薄膜形成プロセスにより形成するために、作製したマ
イクロ構造体が膜応力による反りを生じないよう膜の応
力制御をする必要がある。
して用いることにより基板の表面粗さに依存することな
く、様々な種類の基板上にマイクロ構造体を形成するこ
とが可能である。これにより、反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）によるドライエッチングで犠牲層除去が可能
であり、ウエットエッチングにより犠牲層を除去する際
に生じるマイクロ構造体と基板との貼り付き（Stickin
g）を回避できる。しかしながら、作製工程中でフォト
レジストが熱的損傷をおこさない程度の低温で構造体薄
膜形成を行う必要があり、構造体材料の制約が大きい。
さらに、マイクロ構造体を真空蒸着、スパッタリング等
の薄膜形成プロセスにより形成するために、作製したマ
イクロ構造体が膜応力による反りを生じないよう膜の応
力制御をする必要がある。
【０００７】第３の方法は、バルクであるＳｉ基板上に
マイクロ構造体のパターンを形成した後に、ガラス基板
に前記パターンの一部を陽極接合法により接合し、接合
したＳｉ基板を裏面よりエッチングし、マイクロ構造体
のみをガラス基板上に残すことにより形成する方法であ
る。この方法を用い、Ｓｉ基板を薄膜化したバルクＳｉ
薄膜からなるリニアアクチュエータ（Y.Gianchandani e
t al.,“Micron-Size,High Aspect Ratio Bulk Silicon
micromechanical Devices”，Proceedings IEEE Micro
Electro Mechanical Systems Workshop,1992,p.208-21
3)及びシリコン窒化膜よりなるＡＦＭ（Atomic Force M
icroscope ）用のカンチレバー（T.A.Albrecht et al.,
United States Patent Number 5,221,415 ）等が形成で
きる。
マイクロ構造体のパターンを形成した後に、ガラス基板
に前記パターンの一部を陽極接合法により接合し、接合
したＳｉ基板を裏面よりエッチングし、マイクロ構造体
のみをガラス基板上に残すことにより形成する方法であ
る。この方法を用い、Ｓｉ基板を薄膜化したバルクＳｉ
薄膜からなるリニアアクチュエータ（Y.Gianchandani e
t al.,“Micron-Size,High Aspect Ratio Bulk Silicon
micromechanical Devices”，Proceedings IEEE Micro
Electro Mechanical Systems Workshop,1992,p.208-21
3)及びシリコン窒化膜よりなるＡＦＭ（Atomic Force M
icroscope ）用のカンチレバー（T.A.Albrecht et al.,
United States Patent Number 5,221,415 ）等が形成で
きる。
【０００８】この方法では、犠牲層を用いる必要がな
く、フッ酸耐性のない材料によってマイクロ構造体を形
成することが可能である。しかしながら、ガラスと陽極
接合を行う必要から、材料としては酸化物を形成する導
電性のＳｉ及びＡｌ，Ｔｉ，Ｎｉ等の金属、又はＳｉ基
板上に形成した薄膜においてのみ陽極接合可能なシリコ
ン窒化膜、シリコン酸化膜に限定される。また、陽極接
合の接合温度が３００℃以上であり、熱応力の歪みによ
る接合時の基板の損傷を回避するためには、ガラスはＳ
ｉ基板とほぼ等しい熱膨張係数を持っている必要があ
る。このために、使用できるガラスはパイレックスガラ
ス（商品名＃７７４０Corning ）等のガラスに限定され
る。さらに、接合面にあらかじめ空隙を形成しておくた
め、接合後に電極等をマイクロ構造体に形成することが
できない。また、基板としては可動イオンを含むガラス
を用いる必要があることから、基板上に回路を集積化す
ることができない。さらに、陽極接合によってガラスと
導電性材料を接合する場合、ガラス及び導電性材料の表
面粗さを５００オングストローム以下に押える必要があ
り、段差の大きな配線上に接合することができない。
く、フッ酸耐性のない材料によってマイクロ構造体を形
成することが可能である。しかしながら、ガラスと陽極
接合を行う必要から、材料としては酸化物を形成する導
電性のＳｉ及びＡｌ，Ｔｉ，Ｎｉ等の金属、又はＳｉ基
板上に形成した薄膜においてのみ陽極接合可能なシリコ
ン窒化膜、シリコン酸化膜に限定される。また、陽極接
合の接合温度が３００℃以上であり、熱応力の歪みによ
る接合時の基板の損傷を回避するためには、ガラスはＳ
ｉ基板とほぼ等しい熱膨張係数を持っている必要があ
る。このために、使用できるガラスはパイレックスガラ
ス（商品名＃７７４０Corning ）等のガラスに限定され
る。さらに、接合面にあらかじめ空隙を形成しておくた
め、接合後に電極等をマイクロ構造体に形成することが
できない。また、基板としては可動イオンを含むガラス
を用いる必要があることから、基板上に回路を集積化す
ることができない。さらに、陽極接合によってガラスと
導電性材料を接合する場合、ガラス及び導電性材料の表
面粗さを５００オングストローム以下に押える必要があ
り、段差の大きな配線上に接合することができない。
【０００９】本発明は上記問題点を解消するためになさ
れたもので、（１）マイクロ構造体及び基板の材料が制
限されることなく、（２）電極パターンを有するマイク
ロ構造体と基板との電気的接続が可能なマイクロ構造体
及びそのの形成法を提供することを目的とする・
れたもので、（１）マイクロ構造体及び基板の材料が制
限されることなく、（２）電極パターンを有するマイク
ロ構造体と基板との電気的接続が可能なマイクロ構造体
及びそのの形成法を提供することを目的とする・
【００１０】
【課題を解決するための手段】すなわち、上記目的を達
成するためになされた本発明は、第２基板上に構造体層
を形成する工程と、前記構造体層に導電体からなる電極
部を形成する工程と、第１基板及び／又は第２基板上に
樹脂膜よりなる接着層を形成する工程と、前記接着層を
介して第１基板と構造体層及び電極部を接着する工程
と、前記第２基板を除去する工程と、前記構造体層及び
電極部と第１基板とを接続するための支持層を形成する
工程と、接着層を除去する工程を有することを特徴とす
るマイクロ構造体の形成法である。
成するためになされた本発明は、第２基板上に構造体層
を形成する工程と、前記構造体層に導電体からなる電極
部を形成する工程と、第１基板及び／又は第２基板上に
樹脂膜よりなる接着層を形成する工程と、前記接着層を
介して第１基板と構造体層及び電極部を接着する工程
と、前記第２基板を除去する工程と、前記構造体層及び
電極部と第１基板とを接続するための支持層を形成する
工程と、接着層を除去する工程を有することを特徴とす
るマイクロ構造体の形成法である。
【００１１】更に、上記形成法により作製されたマイク
ロ構造体は、基板と、支持部と、少なくとも１つ以上の
電極を有するビームからなり、該支持部により前記基板
と空隙を介してビームが上面より支持され、前記電極の
少なくとも１つは可動電極からなり、前記ビームの下面
に該可動電極が形成されてなることを特徴とする。
ロ構造体は、基板と、支持部と、少なくとも１つ以上の
電極を有するビームからなり、該支持部により前記基板
と空隙を介してビームが上面より支持され、前記電極の
少なくとも１つは可動電極からなり、前記ビームの下面
に該可動電極が形成されてなることを特徴とする。
【００１２】さらに本発明は、マイクロ構造体の形成法
を用いて形成する、基板と、該基板に形成した固定電極
及び駆動電極と、該駆動電極上部に金属薄膜よりなる支
持部により、空隙を介して支持した可動電極を有するビ
ームとからなる静電アクチュエータにおいて、該可動電
極がビーム下面に形成してあり前記支持部が前記可動電
極と前記固定電極を電気的に接続すると共に機械的に前
記ビームをビーム上面より支持し、前記駆動電極と前記
可動電極に電圧を印加することによりビームが変位する
ことを特徴とする静電アクチュエータを提供する。
を用いて形成する、基板と、該基板に形成した固定電極
及び駆動電極と、該駆動電極上部に金属薄膜よりなる支
持部により、空隙を介して支持した可動電極を有するビ
ームとからなる静電アクチュエータにおいて、該可動電
極がビーム下面に形成してあり前記支持部が前記可動電
極と前記固定電極を電気的に接続すると共に機械的に前
記ビームをビーム上面より支持し、前記駆動電極と前記
可動電極に電圧を印加することによりビームが変位する
ことを特徴とする静電アクチュエータを提供する。
【００１３】以下、本発明を更に詳細に説明する。
【００１４】接着層を形成する方法としては、通常の形
成方法が使用でき、例えば、樹脂分子を有機溶媒で希釈
した液をスピンナー法、ディッピング法、スプレー法等
により塗布する方法等の樹脂膜形成法を用いて行う。塗
布方法では樹脂膜は基板上の表面凹凸が存在しても、平
坦性良く塗布することが可能であり、これにより他方の
基板と接着する工程において基板表面粗さに依存せずに
良好な面接着が可能となる。樹脂材料としては、回路を
集積化したＳｉ基板上に樹脂膜を形成する場合、ナトリ
ウムイオン等の不純物の少ないフォトレジストが好まし
い。密着力及び機械的な強度に優れたゴムを有するゴム
系フォトレジストが特に好ましい。
成方法が使用でき、例えば、樹脂分子を有機溶媒で希釈
した液をスピンナー法、ディッピング法、スプレー法等
により塗布する方法等の樹脂膜形成法を用いて行う。塗
布方法では樹脂膜は基板上の表面凹凸が存在しても、平
坦性良く塗布することが可能であり、これにより他方の
基板と接着する工程において基板表面粗さに依存せずに
良好な面接着が可能となる。樹脂材料としては、回路を
集積化したＳｉ基板上に樹脂膜を形成する場合、ナトリ
ウムイオン等の不純物の少ないフォトレジストが好まし
い。密着力及び機械的な強度に優れたゴムを有するゴム
系フォトレジストが特に好ましい。
【００１５】本発明で使用できるゴム系フォトレジスト
としては、例えば「微細加工とレジスト」（野々垣三郎
著、高分子学会編集、共立出版発行、１９９０年）１１
頁第３行に記載のゴムが好ましく、また東京応化工業
（株）製の高解像度ネガ型フォトレジストとしてＯＭＲ
−８３等のゴムを含有するフォトレジストが同様に使用
できる。
としては、例えば「微細加工とレジスト」（野々垣三郎
著、高分子学会編集、共立出版発行、１９９０年）１１
頁第３行に記載のゴムが好ましく、また東京応化工業
（株）製の高解像度ネガ型フォトレジストとしてＯＭＲ
−８３等のゴムを含有するフォトレジストが同様に使用
できる。
【００１６】構造体層が形成された第２基板としては、
半導体フォトリソグラフィプロセスとエッチングにより
構造体のパターンを形成した基板、第２基板上に構造体
層を薄膜形成した基板、転写用犠牲層を介して構造体層
を形成した第２基板等を用いることが可能である。
半導体フォトリソグラフィプロセスとエッチングにより
構造体のパターンを形成した基板、第２基板上に構造体
層を薄膜形成した基板、転写用犠牲層を介して構造体層
を形成した第２基板等を用いることが可能である。
【００１７】半導体フォトリソグラフィプロセスとエッ
チングにより構造体のパターンを形成した基板及び第２
基板上に構造体層を薄膜形成した基板では、第２基板を
除去する工程において、基板材料に適したエッチング液
を用いたウエットエッチング、反応性ガスを用いたドラ
イエッチング、又は研磨砥粒を用いてラッピングする方
法を用いて裏面を削り構造体層のみを残すこととなる。
例えば、第２基板としてＳｉを用いる場合、エッチング
液としては水酸化カリウム溶液（ＫＯＨ）、４−メチル
アンモニウム水溶液（tetramethyl ammoniumhydroxid
e）等のアルカリ水溶液、又はフッ酸及び硝酸の混合水
溶液等を用い、反応性ガスとしてはＣＦ4，ＳＦ6 ，Ｎ
Ｆ3 等のプラズマガスを用いて行う。また、構造体とし
てｎ型、第２基板としてｐ型のｐｎ接合からなるＳｉウ
エハを用いる場合、アルカリ水溶液を用いた電解エッチ
ングにより構造体層に電圧を印加することで、ｎ型の構
造体層のみを残すことができる（B.Kloeck,et al.,“St
udy of Ellectrochemical Etch-Stop for High-Precisi
on Thickness Control of Silicon Membranes ”IEEETR
ANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,VOL.36,NO.4,pp663-6
69,1989）。エッチングにより構造体のパターンを形成
したＳｉ等のバルクを第２基板として用いれば、マイク
ロ構造体は反ることがなく、犠牲層上に薄膜形成してマ
イクロ構造体を作成する際に問題となった膜応力による
反りの問題を回避できる。
チングにより構造体のパターンを形成した基板及び第２
基板上に構造体層を薄膜形成した基板では、第２基板を
除去する工程において、基板材料に適したエッチング液
を用いたウエットエッチング、反応性ガスを用いたドラ
イエッチング、又は研磨砥粒を用いてラッピングする方
法を用いて裏面を削り構造体層のみを残すこととなる。
例えば、第２基板としてＳｉを用いる場合、エッチング
液としては水酸化カリウム溶液（ＫＯＨ）、４−メチル
アンモニウム水溶液（tetramethyl ammoniumhydroxid
e）等のアルカリ水溶液、又はフッ酸及び硝酸の混合水
溶液等を用い、反応性ガスとしてはＣＦ4，ＳＦ6 ，Ｎ
Ｆ3 等のプラズマガスを用いて行う。また、構造体とし
てｎ型、第２基板としてｐ型のｐｎ接合からなるＳｉウ
エハを用いる場合、アルカリ水溶液を用いた電解エッチ
ングにより構造体層に電圧を印加することで、ｎ型の構
造体層のみを残すことができる（B.Kloeck,et al.,“St
udy of Ellectrochemical Etch-Stop for High-Precisi
on Thickness Control of Silicon Membranes ”IEEETR
ANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,VOL.36,NO.4,pp663-6
69,1989）。エッチングにより構造体のパターンを形成
したＳｉ等のバルクを第２基板として用いれば、マイク
ロ構造体は反ることがなく、犠牲層上に薄膜形成してマ
イクロ構造体を作成する際に問題となった膜応力による
反りの問題を回避できる。
【００１８】転写用犠牲層を介して構造体層を形成した
基板としては、例えば第２基板をガラス基板とし、構造
体層に転写用犠牲層となる金属膜を薄膜形成した後に該
金属膜とガラス基板に電圧を印加し、陽極接合法により
形成した接合体からなる基板、シリコン酸化膜を転写用
犠牲層とし、シリコン膜を構造体層とするＳＯＩ基板ま
たはＳＩＭＯＸ基板等の中間層を有する基板、第２基板
上に転写用犠牲層及び構造体層を薄膜形成した接合体等
を用いることができる。転写用犠牲層の材料としては、
転写用犠牲層を除去するエッチャントにより少なくとも
接着層及び構造体層が腐食されない材料より選択され
る。薄膜形成法としては、真空蒸着法、ＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition ）法等の薄膜堆積法を用いる。陽
極接合による場合、第２基板はアルカリ金属の可動イオ
ン（例えばナトリウム等）を含むガラス基板であり、金
属膜としてはＳｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｎｉ等の陽極接合可能
な金属膜またはこれら元素を含有する合金よりなる金属
膜を用いればよい。これら金属膜を構造体層に薄膜形成
することにより、構造体層の材料として絶縁体、半導
体、金属等様々の材料をガラス基板に陽極接合すること
が可能である。
基板としては、例えば第２基板をガラス基板とし、構造
体層に転写用犠牲層となる金属膜を薄膜形成した後に該
金属膜とガラス基板に電圧を印加し、陽極接合法により
形成した接合体からなる基板、シリコン酸化膜を転写用
犠牲層とし、シリコン膜を構造体層とするＳＯＩ基板ま
たはＳＩＭＯＸ基板等の中間層を有する基板、第２基板
上に転写用犠牲層及び構造体層を薄膜形成した接合体等
を用いることができる。転写用犠牲層の材料としては、
転写用犠牲層を除去するエッチャントにより少なくとも
接着層及び構造体層が腐食されない材料より選択され
る。薄膜形成法としては、真空蒸着法、ＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition ）法等の薄膜堆積法を用いる。陽
極接合による場合、第２基板はアルカリ金属の可動イオ
ン（例えばナトリウム等）を含むガラス基板であり、金
属膜としてはＳｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｎｉ等の陽極接合可能
な金属膜またはこれら元素を含有する合金よりなる金属
膜を用いればよい。これら金属膜を構造体層に薄膜形成
することにより、構造体層の材料として絶縁体、半導
体、金属等様々の材料をガラス基板に陽極接合すること
が可能である。
【００１９】第２基板に構造体層を接合する際、構造体
層の厚みが数十μｍ以下の場合、ハンドリングが難し
い。この為、接合後に薄膜化し構造体層となる、あるい
は構造体層が予め形成された基板であって該基板を除去
することにより構造体層が形成されるような基板等を用
いることも可能である。該基板の薄膜化あるいは除去で
は基板材料に適したエッチング液を用いたウエットエッ
チング、反応性ガスを用いたドライエッチング、又は研
磨砥粒を用いてラッピング、ポリッシングする方法を用
いて裏面から削り行えば所望の厚みの構造体層を第２基
板上に接合することができる。Ｓｉ，ＧａＡｓ等のバル
クの基板を用いれば、薄膜化したバルクからなるマイク
ロ構造体は反ることがなく、犠牲層上に薄膜形成してマ
イクロ構造体を作製する際に問題となった膜応力による
反りの問題を回避できる。また、薄膜化により接合体層
の膜厚を任意に調整することが可能である。
層の厚みが数十μｍ以下の場合、ハンドリングが難し
い。この為、接合後に薄膜化し構造体層となる、あるい
は構造体層が予め形成された基板であって該基板を除去
することにより構造体層が形成されるような基板等を用
いることも可能である。該基板の薄膜化あるいは除去で
は基板材料に適したエッチング液を用いたウエットエッ
チング、反応性ガスを用いたドライエッチング、又は研
磨砥粒を用いてラッピング、ポリッシングする方法を用
いて裏面から削り行えば所望の厚みの構造体層を第２基
板上に接合することができる。Ｓｉ，ＧａＡｓ等のバル
クの基板を用いれば、薄膜化したバルクからなるマイク
ロ構造体は反ることがなく、犠牲層上に薄膜形成してマ
イクロ構造体を作製する際に問題となった膜応力による
反りの問題を回避できる。また、薄膜化により接合体層
の膜厚を任意に調整することが可能である。
【００２０】電極部を構造体層に形成する工程として
は、第２基板上に形成した構造体層に、真空蒸着法を用
いて導電体薄膜を形成した後に該導電体薄膜を半導体フ
ォトリソグラフィによりパターン形成するか、あるい
は、予め導電体層を形成してある構造体層を第２基板上
に形成した後に該導電体層をパターニングして電極部を
形成する。導電体層としては、例えばＳｉ基板上に形成
したｐ+ 層を用いることが可能である。
は、第２基板上に形成した構造体層に、真空蒸着法を用
いて導電体薄膜を形成した後に該導電体薄膜を半導体フ
ォトリソグラフィによりパターン形成するか、あるい
は、予め導電体層を形成してある構造体層を第２基板上
に形成した後に該導電体層をパターニングして電極部を
形成する。導電体層としては、例えばＳｉ基板上に形成
したｐ+ 層を用いることが可能である。
【００２１】第１基板と構造体層及び電極部を接着する
工程としては、第１基板と第２基板を裏面より圧力をか
けて押し当てた後に、加熱処理することにより接着層で
ある樹脂膜中に含まれる有機溶媒を蒸発させ、樹脂を硬
化するとともに各基板との接着力を強くすることにより
行う。第１基板及び第２基板が導電体であるならば、各
々に電圧を印加し、発生する静電力を用いて圧力を加え
接着することも可能である。電極部を構造体層に形成す
ることにより、接着する工程を経ることで、電極部は接
着層と構造体層の間に位置することとなる。
工程としては、第１基板と第２基板を裏面より圧力をか
けて押し当てた後に、加熱処理することにより接着層で
ある樹脂膜中に含まれる有機溶媒を蒸発させ、樹脂を硬
化するとともに各基板との接着力を強くすることにより
行う。第１基板及び第２基板が導電体であるならば、各
々に電圧を印加し、発生する静電力を用いて圧力を加え
接着することも可能である。電極部を構造体層に形成す
ることにより、接着する工程を経ることで、電極部は接
着層と構造体層の間に位置することとなる。
【００２２】第１基板及び／又は構造体層に溝を形成す
ることで接着層を加熱処理する際に発生する有機溶媒の
蒸気を前記溝を通じて逃がすことができる。溝として、
半導体フォトリソグラフィプロセスによりパターニング
した構造体層のパターンの段差部分を前記溝として用い
ることが可能である。
ることで接着層を加熱処理する際に発生する有機溶媒の
蒸気を前記溝を通じて逃がすことができる。溝として、
半導体フォトリソグラフィプロセスによりパターニング
した構造体層のパターンの段差部分を前記溝として用い
ることが可能である。
【００２３】接着層である樹脂膜を硬化する温度は比較
的低温にて行うことが可能であり、第１基板と第２基板
の熱膨張係数の違いによる接着時の基板損傷を回避で
き、熱膨張係数差に伴う第１基板材料の制限がない。
的低温にて行うことが可能であり、第１基板と第２基板
の熱膨張係数の違いによる接着時の基板損傷を回避で
き、熱膨張係数差に伴う第１基板材料の制限がない。
【００２４】第２基板を除去する工程において、転写用
犠牲層を有する第２基板では転写用犠牲層を除去する工
程により、第１基板上の接着層と構造体層が接着された
まま第２基板と構造体層は分離されることとなる。すな
わち、本工程により第２基板上の構造体が第１基板の接
着層上に転写される。
犠牲層を有する第２基板では転写用犠牲層を除去する工
程により、第１基板上の接着層と構造体層が接着された
まま第２基板と構造体層は分離されることとなる。すな
わち、本工程により第２基板上の構造体が第１基板の接
着層上に転写される。
【００２５】支持層は第１基板と構造体層及び／又は電
極部を機械的に接続するものであり、接着層を除去する
前に形成することにより転写された構造体層及び／又は
電極部を上から釣り上げる構造になっている。支持層と
して金属薄膜（Ａｌ等）を用いることにより、電気的に
構造体層及び／又は電極部と第１基板を接続することが
できる。
極部を機械的に接続するものであり、接着層を除去する
前に形成することにより転写された構造体層及び／又は
電極部を上から釣り上げる構造になっている。支持層と
して金属薄膜（Ａｌ等）を用いることにより、電気的に
構造体層及び／又は電極部と第１基板を接続することが
できる。
【００２６】樹脂膜からなる接着層を除去する工程で
は、樹脂膜を溶解する溶液に浸すことによりウエットエ
ッチング除去する方法、あるいは酸素プラズマを用いた
アッシングによりドライエッチングする方法により行
う。接着層が樹脂からなることにより、ドライエッチン
グすることが可能であり、従来のウエットエッチングに
よる犠牲層除去の際に問題であった貼り付きが回避でき
る。
は、樹脂膜を溶解する溶液に浸すことによりウエットエ
ッチング除去する方法、あるいは酸素プラズマを用いた
アッシングによりドライエッチングする方法により行
う。接着層が樹脂からなることにより、ドライエッチン
グすることが可能であり、従来のウエットエッチングに
よる犠牲層除去の際に問題であった貼り付きが回避でき
る。
【００２７】上記形成法により作製されたマイクロ構造
体は、第１基板と、支持層からなる支持部と、構造体層
からなる電極を有するビームからなり、該支持部により
前記基板と空隙を介してビームが上面より支持され、電
極がビーム下面に配置してある特徴を有している。第１
基板に固定電極及び駆動電極を形成し、構造体層をカン
チレバー型又はトーションビーム型のビーム形状にパタ
ーニングし、ビームに形成した電極部を可動電極とする
ことにより、支持部が可動電極と固定電極を電気的に接
続すると共に機械的にビーム及び駆動電極を上面より支
持し、駆動電極と可動電極に駆動電圧を印加することに
よりビームが変位する静電アクチュエータが作製でき
る。本発明の方法で製造することができるマイクロ構造
体としては、例えば静電アクチュエータ、ＡＦＭ，ＳＴ
Ｍ（Scanning Tunneling Microscope ）等のトンネル電
流、ファンデルワールス力、磁力、静電力等を検出する
マイクロスコープシステムに用いるカンチレバー、エア
ブリッジ構造型の配線等を精度良く製造することが可能
となる。上記構成を有する静電アクチュエータは、可動
電極をビーム下面に配置したことにより、ビーム上面に
可動電極を配置した場合に比べて可動電極と駆動電極の
間隔をビームの膜厚に相当する間隔だけ短くすることが
でき、ビームを変位させるのに要する駆動電圧の低電圧
化を計れる。また、例えばビームを電極と同オーダー程
度に薄膜化した場合、ビーム下面の電極を薄膜形成した
際に生じる内部応力によるビームの反りを、ビーム上面
にも電極を設け上下対称構造にすることにより除去する
ことが可能である。
体は、第１基板と、支持層からなる支持部と、構造体層
からなる電極を有するビームからなり、該支持部により
前記基板と空隙を介してビームが上面より支持され、電
極がビーム下面に配置してある特徴を有している。第１
基板に固定電極及び駆動電極を形成し、構造体層をカン
チレバー型又はトーションビーム型のビーム形状にパタ
ーニングし、ビームに形成した電極部を可動電極とする
ことにより、支持部が可動電極と固定電極を電気的に接
続すると共に機械的にビーム及び駆動電極を上面より支
持し、駆動電極と可動電極に駆動電圧を印加することに
よりビームが変位する静電アクチュエータが作製でき
る。本発明の方法で製造することができるマイクロ構造
体としては、例えば静電アクチュエータ、ＡＦＭ，ＳＴ
Ｍ（Scanning Tunneling Microscope ）等のトンネル電
流、ファンデルワールス力、磁力、静電力等を検出する
マイクロスコープシステムに用いるカンチレバー、エア
ブリッジ構造型の配線等を精度良く製造することが可能
となる。上記構成を有する静電アクチュエータは、可動
電極をビーム下面に配置したことにより、ビーム上面に
可動電極を配置した場合に比べて可動電極と駆動電極の
間隔をビームの膜厚に相当する間隔だけ短くすることが
でき、ビームを変位させるのに要する駆動電圧の低電圧
化を計れる。また、例えばビームを電極と同オーダー程
度に薄膜化した場合、ビーム下面の電極を薄膜形成した
際に生じる内部応力によるビームの反りを、ビーム上面
にも電極を設け上下対称構造にすることにより除去する
ことが可能である。
【００２８】上述のように構成された本発明のマイクロ
構造体の形成法では、第１基板及び第２基板の少なくと
も何れか一方の基板上に形成した樹脂膜よりなる接着層
により、第２基板上に形成した構造体層及び構造体層に
形成した電極部と第１基板を接着した後に、第２基板を
除去し、支持層により第１基板と構造体層及び電極部を
機械的に接続し、前記接着層を除去することにより行
う。樹脂膜によって接着することにより、第１基板、第
２基板、及び第２基板上に形成した構造体層の材料が制
限されることなく、また樹脂膜を除去する前に構造体層
の上面にも電極を形成できる。前記接着層は樹脂膜より
なることにより、溶媒、アッシング、加熱等により除去
でき、電極部をエッチングすることがない。そして、樹
脂膜よりなる接着層をドライエッチングにより除去する
ことで、従来の犠牲層除去の際に問題となる貼り付きを
回避できる。
構造体の形成法では、第１基板及び第２基板の少なくと
も何れか一方の基板上に形成した樹脂膜よりなる接着層
により、第２基板上に形成した構造体層及び構造体層に
形成した電極部と第１基板を接着した後に、第２基板を
除去し、支持層により第１基板と構造体層及び電極部を
機械的に接続し、前記接着層を除去することにより行
う。樹脂膜によって接着することにより、第１基板、第
２基板、及び第２基板上に形成した構造体層の材料が制
限されることなく、また樹脂膜を除去する前に構造体層
の上面にも電極を形成できる。前記接着層は樹脂膜より
なることにより、溶媒、アッシング、加熱等により除去
でき、電極部をエッチングすることがない。そして、樹
脂膜よりなる接着層をドライエッチングにより除去する
ことで、従来の犠牲層除去の際に問題となる貼り付きを
回避できる。
【００２９】また、本発明の形成法により作製した静電
アクチュエータは、ビームに形成した可動電極をビーム
の下面に配置することができ、これにより基板上に形成
した駆動電極と可動電極の間隔を短くでき、駆動電極を
低減することができる。
アクチュエータは、ビームに形成した可動電極をビーム
の下面に配置することができ、これにより基板上に形成
した駆動電極と可動電極の間隔を短くでき、駆動電極を
低減することができる。
【００３０】
【実施例】次に本発明にかかるマイクロ構造体の形成法
ならびにそれによって得られるマイクロ構造体を実施例
によって図１乃至図９の図面を参照して詳細に説明す
る。実施例１ 図１及び図２は本発明のマイクロ構造体の形成法の第１
の実施例を説明するための作製工程図であり、図３はそ
れを用いて作製したマイクロ構造体の斜視図である。本
発明のマイクロ構造体は、図３に示すように以下の構造
を持つ。１０は第１基板であるガラス基板、１５及び１
６はガラス基板１０上に薄膜形成した駆動電極及び固定
電極であり、可動電極１７は、Ｓｉのｐ+ 層からなりト
ーションバー１１を有し、空隙を介して支持部１３，１
３’によりトーションバー１１の上面より支持され、レ
バー１２はパターニングしたＳｉ構造体層からなり、可
動電極１７上にある。以上のように可動電極とレバーに
よりビームは構成されている。支持層１３，１３’はＡ
ｌ膜の電気導電体よりなり、可動電極１７と固定電極１
６を電気的に接続している。本発明のマイクロ構造体
は、駆動電極１５とビーム下面の可動電極１７と電気的
に接続した固定電極１６に電圧を印加することにより変
位する静電アクチュエータとなっている。これにより静
電アクチュエータは、可動電極１７が空隙を介して支持
層１３，１３’によりトーションバー上面より釣り下げ
られた構造となり、支持層１３，１３’はビームとガラ
ス基板１０及び固定電極１６とをエアブリッジ（Air Br
idge）構造によって機械的かつ電気的に接続する。駆動
電極１５と可動電極１７に電圧を印加することでトーシ
ョンバー１１が捩じり回転し、レバーが基板側に回転変
位する。レバー部分はトーションバーに比べて膜厚が厚
く橈むことはない。
ならびにそれによって得られるマイクロ構造体を実施例
によって図１乃至図９の図面を参照して詳細に説明す
る。実施例１ 図１及び図２は本発明のマイクロ構造体の形成法の第１
の実施例を説明するための作製工程図であり、図３はそ
れを用いて作製したマイクロ構造体の斜視図である。本
発明のマイクロ構造体は、図３に示すように以下の構造
を持つ。１０は第１基板であるガラス基板、１５及び１
６はガラス基板１０上に薄膜形成した駆動電極及び固定
電極であり、可動電極１７は、Ｓｉのｐ+ 層からなりト
ーションバー１１を有し、空隙を介して支持部１３，１
３’によりトーションバー１１の上面より支持され、レ
バー１２はパターニングしたＳｉ構造体層からなり、可
動電極１７上にある。以上のように可動電極とレバーに
よりビームは構成されている。支持層１３，１３’はＡ
ｌ膜の電気導電体よりなり、可動電極１７と固定電極１
６を電気的に接続している。本発明のマイクロ構造体
は、駆動電極１５とビーム下面の可動電極１７と電気的
に接続した固定電極１６に電圧を印加することにより変
位する静電アクチュエータとなっている。これにより静
電アクチュエータは、可動電極１７が空隙を介して支持
層１３，１３’によりトーションバー上面より釣り下げ
られた構造となり、支持層１３，１３’はビームとガラ
ス基板１０及び固定電極１６とをエアブリッジ（Air Br
idge）構造によって機械的かつ電気的に接続する。駆動
電極１５と可動電極１７に電圧を印加することでトーシ
ョンバー１１が捩じり回転し、レバーが基板側に回転変
位する。レバー部分はトーションバーに比べて膜厚が厚
く橈むことはない。
【００３１】上記構成を有する静電アクチュエータは、
ビームに形成した可動電極をレバー下面に配置したこと
により、ビーム上面に可動電極を配置した場合に比べて
可動電極と駆動電極の間隔をレバーの膜厚に相当する間
隔だけ短くすることができ、ビームを変位するに要する
駆動電圧の低電圧化を計れる。
ビームに形成した可動電極をレバー下面に配置したこと
により、ビーム上面に可動電極を配置した場合に比べて
可動電極と駆動電極の間隔をレバーの膜厚に相当する間
隔だけ短くすることができ、ビームを変位するに要する
駆動電圧の低電圧化を計れる。
【００３２】図１，２を用いて図３に示すマイクロ構造
体のＡ−Ａ断面図における本発明の形成法について説明
する。第２基板として、構造体層２３となるｎ型拡散層
（８０Ω・ｃｍ、厚さ３μｍ）を形成したｐ型Ｓｉ基板
２２を用い、さらに該拡散層にボロンをイオン注入しｐ
+ 層２４（１２０Ω／□、厚さ０．５μｍ）を形成した
基板を用いた（図１−（Ａ））。前記基板上にフォトレ
ジストを塗布し露光、現像を行うフォトリソグラフィプ
ロセスを用いてフォトレジストのパターニングを施し、
該フォトレジストをマスクして、ｐ+ 層２４をＣＦ4 ガ
スを用いて反応性イオンエッチング（ＲＩ）によりエッ
チングして可動電極１７を形成し、フォトレジストをレ
ジスト剥離液を用いて剥離し、図１−（Ｂ）に示す可動
電極を有する第２基板を作製する。これにより、構造体
層の一部からなる可動電極を形成できた。
体のＡ−Ａ断面図における本発明の形成法について説明
する。第２基板として、構造体層２３となるｎ型拡散層
（８０Ω・ｃｍ、厚さ３μｍ）を形成したｐ型Ｓｉ基板
２２を用い、さらに該拡散層にボロンをイオン注入しｐ
+ 層２４（１２０Ω／□、厚さ０．５μｍ）を形成した
基板を用いた（図１−（Ａ））。前記基板上にフォトレ
ジストを塗布し露光、現像を行うフォトリソグラフィプ
ロセスを用いてフォトレジストのパターニングを施し、
該フォトレジストをマスクして、ｐ+ 層２４をＣＦ4 ガ
スを用いて反応性イオンエッチング（ＲＩ）によりエッ
チングして可動電極１７を形成し、フォトレジストをレ
ジスト剥離液を用いて剥離し、図１−（Ｂ）に示す可動
電極を有する第２基板を作製する。これにより、構造体
層の一部からなる可動電極を形成できた。
【００３３】接着する第１基板には、駆動電極１５及び
固定電極１６を有するガラス基板１０（商品名、＃７０
５９Corning ）を用いた。ガラス基板１０は、Ｓｉに比
べて熱膨張係数が１．４倍ほど大きい。駆動電極１５、
固定電極１６は、ガラス基板１０上に電子ビーム蒸着法
によりＣｒを５ｎｍ、Ａｕを２００ｎｍ連続して成膜
し、フォトリソグラフィプロセスによりフォトレジスト
をパターニングし、該フォトレジストをマスクとしてＡ
ｕ，Ｃｒをヨウ素とヨウ化カリウムの水溶液からなるＡ
ｕエッチャント及び硝酸セリウムアンモニウム及び過塩
素酸の水溶液からＣｒエッチャントにより図３に示す電
極パターンにパターニングしたものである。次に、ガラ
ス基板１０に、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）を
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解し溶液をスピンナ
ー法により塗布し、５０℃にて１０分間の前処理加熱
し、ＰＭＭＡからなる２．５μｍ厚の接着層２６を形成
する（図１−（Ｃ））。塗布する際の樹脂を溶解した溶
液中に含まれる溶媒の含有量を調節しないと、加熱処理
の際の溶媒蒸気により接着層と第２基板との間に気泡が
残る場合がある。硬化しない程度の低温にて前処理加熱
を施し、樹脂膜中に含まれる溶媒の含有量を調節するこ
とで界面に気泡が残ることを防止できる。ＰＭＭＡにお
いては、５０℃にて１０分間の前処理により気泡の発生
を抑えることが可能であった。
固定電極１６を有するガラス基板１０（商品名、＃７０
５９Corning ）を用いた。ガラス基板１０は、Ｓｉに比
べて熱膨張係数が１．４倍ほど大きい。駆動電極１５、
固定電極１６は、ガラス基板１０上に電子ビーム蒸着法
によりＣｒを５ｎｍ、Ａｕを２００ｎｍ連続して成膜
し、フォトリソグラフィプロセスによりフォトレジスト
をパターニングし、該フォトレジストをマスクとしてＡ
ｕ，Ｃｒをヨウ素とヨウ化カリウムの水溶液からなるＡ
ｕエッチャント及び硝酸セリウムアンモニウム及び過塩
素酸の水溶液からＣｒエッチャントにより図３に示す電
極パターンにパターニングしたものである。次に、ガラ
ス基板１０に、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）を
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解し溶液をスピンナ
ー法により塗布し、５０℃にて１０分間の前処理加熱
し、ＰＭＭＡからなる２．５μｍ厚の接着層２６を形成
する（図１−（Ｃ））。塗布する際の樹脂を溶解した溶
液中に含まれる溶媒の含有量を調節しないと、加熱処理
の際の溶媒蒸気により接着層と第２基板との間に気泡が
残る場合がある。硬化しない程度の低温にて前処理加熱
を施し、樹脂膜中に含まれる溶媒の含有量を調節するこ
とで界面に気泡が残ることを防止できる。ＰＭＭＡにお
いては、５０℃にて１０分間の前処理により気泡の発生
を抑えることが可能であった。
【００３４】図１−（Ｂ）の第２基板と図１−（Ｃ）の
接着層２６を形成した第１基板を図１−（Ｄ）に示すよ
うに各基板の裏面より圧力を加えて接着する。本実施例
では図に示すように、可動電極１７は接着層２６中に埋
め込まれたが、接着する際の圧力を調節することにより
埋め込まれることを回避することも可能である。第１基
板と第２基板を接着層を介して接着した後に、１５０℃
に加熱し接着層を硬化した。
接着層２６を形成した第１基板を図１−（Ｄ）に示すよ
うに各基板の裏面より圧力を加えて接着する。本実施例
では図に示すように、可動電極１７は接着層２６中に埋
め込まれたが、接着する際の圧力を調節することにより
埋め込まれることを回避することも可能である。第１基
板と第２基板を接着層を介して接着した後に、１５０℃
に加熱し接着層を硬化した。
【００３５】この後、図１−（Ｄ）の接着した基板に対
して、８０℃、３０ｗｔ％のＫＯＨ溶液中で、拡散層に
自然電極電位に対して３Ｖの正電位を印加して電解エッ
チングを行い、第２基板のｐ型Ｓｉ基板のみをエッチン
グ除去した（図１−（Ｅ））。電解エッチングによりｎ
型拡散層である構造体層２３がエッチングされることは
ない。次に、構造体層２３上にフォトレジストを塗布
し、露光現像を行うフォトリソグラフィプロセスを用い
てフォトレジストのパターニングを施し（図１−
（Ｆ））、該フォトレジスト１０１をマスクとして構造
体層２３をＣＦ4 ガスを用いて反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）によりエッチングし、ｎ型Ｓｉ拡散層からな
るレバーパターン２５を形成し、続いて、酸素ガスによ
るＲＩＥによりフォトレジスト１０１を除去すると共に
接着層をレバー及びトーションバーと同一のパターンに
エッチングした（図２−（Ｇ））。
して、８０℃、３０ｗｔ％のＫＯＨ溶液中で、拡散層に
自然電極電位に対して３Ｖの正電位を印加して電解エッ
チングを行い、第２基板のｐ型Ｓｉ基板のみをエッチン
グ除去した（図１−（Ｅ））。電解エッチングによりｎ
型拡散層である構造体層２３がエッチングされることは
ない。次に、構造体層２３上にフォトレジストを塗布
し、露光現像を行うフォトリソグラフィプロセスを用い
てフォトレジストのパターニングを施し（図１−
（Ｆ））、該フォトレジスト１０１をマスクとして構造
体層２３をＣＦ4 ガスを用いて反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）によりエッチングし、ｎ型Ｓｉ拡散層からな
るレバーパターン２５を形成し、続いて、酸素ガスによ
るＲＩＥによりフォトレジスト１０１を除去すると共に
接着層をレバー及びトーションバーと同一のパターンに
エッチングした（図２−（Ｇ））。
【００３６】以上のようにして形成したレバー及び可動
電極上に、支持層となるＡｌ膜２７を真空蒸着法の一つ
であるＡｌターゲットを用いたスパッタリング法により
１μｍ成膜した（図２−（Ｈ））。前記Ａｌ膜上にフォ
トリソグラフィプロセスによりフォトレジスト１０２を
塗布、露光、現像し（図２−（Ｉ））、Ａｌ膜２７をり
ん酸、硝酸及び酢酸からなるＡｌエッチャントを用いて
パターニングし、図２−（Ｊ）の支持部１３’のパター
ンをトーションバー１１上に形成した。最後に、酸素プ
ラズマによりフォトレジスト１０２及び可動電極下部の
樹脂膜であるＰＭＭＡをエッチング除去し、空隙２９を
形成した。以上の形成法を用いて、図２−（Ｋ）の空隙
２９を持つバルクＳｉ（結晶体）からなるトーションレ
バー型のビームをＡｌ膜で支持した図３に示す静電アク
チュエータを形成した。酸素プラズマによるエッチング
により各電極がエッチングされることはなく、かつ従来
のウエットエッチングによる犠牲層除去の際に問題とな
る貼り付きを回避することができた。
電極上に、支持層となるＡｌ膜２７を真空蒸着法の一つ
であるＡｌターゲットを用いたスパッタリング法により
１μｍ成膜した（図２−（Ｈ））。前記Ａｌ膜上にフォ
トリソグラフィプロセスによりフォトレジスト１０２を
塗布、露光、現像し（図２−（Ｉ））、Ａｌ膜２７をり
ん酸、硝酸及び酢酸からなるＡｌエッチャントを用いて
パターニングし、図２−（Ｊ）の支持部１３’のパター
ンをトーションバー１１上に形成した。最後に、酸素プ
ラズマによりフォトレジスト１０２及び可動電極下部の
樹脂膜であるＰＭＭＡをエッチング除去し、空隙２９を
形成した。以上の形成法を用いて、図２−（Ｋ）の空隙
２９を持つバルクＳｉ（結晶体）からなるトーションレ
バー型のビームをＡｌ膜で支持した図３に示す静電アク
チュエータを形成した。酸素プラズマによるエッチング
により各電極がエッチングされることはなく、かつ従来
のウエットエッチングによる犠牲層除去の際に問題とな
る貼り付きを回避することができた。
【００３７】本発明による形成法では、バルク（結晶
体）のＳｉ基板により可動電極とレバーよりなるマイク
ロ構造体を作製したことにより、本質的に内部応力を持
たない反りのないトーションレバー型のビームを作製す
ることができた。また、可動電極と駆動電極の間に電圧
を印加することにより、ビームの自由端は第１基板方向
にトーションバーの捩じり回転に応じて変位した。
体）のＳｉ基板により可動電極とレバーよりなるマイク
ロ構造体を作製したことにより、本質的に内部応力を持
たない反りのないトーションレバー型のビームを作製す
ることができた。また、可動電極と駆動電極の間に電圧
を印加することにより、ビームの自由端は第１基板方向
にトーションバーの捩じり回転に応じて変位した。
【００３８】また、樹脂膜を接着層として用いることに
より、１５０℃の低温で接着でき、第１基板に第２基板
と熱膨張係数の異なる基板を用いることが可能となっ
た。本発明で示したように、樹脂膜は第１基板と第２基
板を接着する接着層であると共に、マイクロ構造体を形
成するための犠牲層の役割を担っている。
より、１５０℃の低温で接着でき、第１基板に第２基板
と熱膨張係数の異なる基板を用いることが可能となっ
た。本発明で示したように、樹脂膜は第１基板と第２基
板を接着する接着層であると共に、マイクロ構造体を形
成するための犠牲層の役割を担っている。
【００３９】樹脂膜を第１基板上に塗布することによ
り、駆動電極及び可動電極等により生じる基板上の凹凸
に対して平滑に塗布することが可能であり、接着面の平
坦性を保つと共に基板同士の良好な接着が可能となっ
た。本実施例では、接着層を第１基板上に形成して第２
基板と接着したが、接着層を第２基板上、また第２基板
及び第１基板の両面に形成した後に接着しても同様のビ
ームの形成が可能であった。
り、駆動電極及び可動電極等により生じる基板上の凹凸
に対して平滑に塗布することが可能であり、接着面の平
坦性を保つと共に基板同士の良好な接着が可能となっ
た。本実施例では、接着層を第１基板上に形成して第２
基板と接着したが、接着層を第２基板上、また第２基板
及び第１基板の両面に形成した後に接着しても同様のビ
ームの形成が可能であった。
【００４０】本発明のマイクロ構造体の形成法では、ｐ
+ 層で可動電極を形成した後に、可動電極から見て裏面
となる構造体層の面にレバーのパターンを形成してい
く。これにより、互いのパターン形状によらず独立した
パターン形状を形成することが可能である。
+ 層で可動電極を形成した後に、可動電極から見て裏面
となる構造体層の面にレバーのパターンを形成してい
く。これにより、互いのパターン形状によらず独立した
パターン形状を形成することが可能である。
【００４１】本実施例では、支持部にＡｌ薄膜よりなる
金属薄膜を用いたが、真空蒸着法を用いて樹脂膜よりな
る犠牲層及び接着層が熱損傷しない温度で形成したシリ
コン酸化膜等の絶縁膜を用いれば、同様の工程により電
気的に絶縁性のあるマイクロ構造体を基板上に形成する
ことも可能であることは言うまでもない。また、第１基
板として、ガラス基板を用いたが、同様の形成工程によ
り石英、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ，ＺｒＯ2 等の他の絶縁
体、Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＩｎＰ等の半導体、金属等様々の
基板を用いることもできる。
金属薄膜を用いたが、真空蒸着法を用いて樹脂膜よりな
る犠牲層及び接着層が熱損傷しない温度で形成したシリ
コン酸化膜等の絶縁膜を用いれば、同様の工程により電
気的に絶縁性のあるマイクロ構造体を基板上に形成する
ことも可能であることは言うまでもない。また、第１基
板として、ガラス基板を用いたが、同様の形成工程によ
り石英、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ，ＺｒＯ2 等の他の絶縁
体、Ｓｉ，ＧａＡｓ，ＩｎＰ等の半導体、金属等様々の
基板を用いることもできる。
【００４２】実施例２ 図４，図５及び図６は、本発明のマイクロ構造体の形成
法の第２の実施例を説明するための作製工程図であり、
図７はそれを用いて作製したマイクロ構造体の斜視図で
あり、図８は図７のマイクロ構造体のビーム部分の層構
成図である。ビーム２は、レバー３２、可動電極３７、
ダミー電極３９よりなる。本発明のマイクロ構造体は、
図７、図８に示されるように以下の構造を持つ。３０は
第１基板であるＳｉ基板、３４はシリコン酸化膜よりな
る絶縁層、３５は絶縁層３４上に薄膜形成した駆動電
極、３８，３８’は同様に絶縁層３４上に薄膜形成した
固定電極、レバー３２はパターニングしたシリコン酸化
膜からなるカンチレバーであり、空隙を介して電気導電
体よりなる支持部３３，３３’によりビーム上面より支
持され、さらにレバー３２の下面には可動電極３７が形
成してある。また、レバー３２上面にはダミー電極３９
が形成してある。支持部３３はダミー電極３９と固定電
極３８を、支持部３３’はレバー３２に形成したコンタ
クトホール３６を通って可動電極３７と固定電極３８’
を電気的に接続し、コンタクト３１を形成している。本
発明のマイクロ構造体は、駆動電極３５とレバー３２下
面の可動電極３７と支持部３３’にて電気的に接続した
固定電極３８’に電圧を印加することで、カンチレバー
型の静電アクチュエータとして橈み変形することが可能
である。
法の第２の実施例を説明するための作製工程図であり、
図７はそれを用いて作製したマイクロ構造体の斜視図で
あり、図８は図７のマイクロ構造体のビーム部分の層構
成図である。ビーム２は、レバー３２、可動電極３７、
ダミー電極３９よりなる。本発明のマイクロ構造体は、
図７、図８に示されるように以下の構造を持つ。３０は
第１基板であるＳｉ基板、３４はシリコン酸化膜よりな
る絶縁層、３５は絶縁層３４上に薄膜形成した駆動電
極、３８，３８’は同様に絶縁層３４上に薄膜形成した
固定電極、レバー３２はパターニングしたシリコン酸化
膜からなるカンチレバーであり、空隙を介して電気導電
体よりなる支持部３３，３３’によりビーム上面より支
持され、さらにレバー３２の下面には可動電極３７が形
成してある。また、レバー３２上面にはダミー電極３９
が形成してある。支持部３３はダミー電極３９と固定電
極３８を、支持部３３’はレバー３２に形成したコンタ
クトホール３６を通って可動電極３７と固定電極３８’
を電気的に接続し、コンタクト３１を形成している。本
発明のマイクロ構造体は、駆動電極３５とレバー３２下
面の可動電極３７と支持部３３’にて電気的に接続した
固定電極３８’に電圧を印加することで、カンチレバー
型の静電アクチュエータとして橈み変形することが可能
である。
【００４３】これにより静電アクチュエータは、ビーム
２が空隙を介して支持部３３，３３’により前記ビーム
上面より釣り下げられた構造となり、支持部３３，３
３’はビーム３２を絶縁層３４及び固定電極３８，３
８’上にエアブリッジ（Air Bridge）構造にて機械的か
つ電気的に接続する構造となる。駆動電極３５と固定電
極３８’に電圧を印加することでビームが橈み変形し、
ビーム自由端が基板側に変位する。
２が空隙を介して支持部３３，３３’により前記ビーム
上面より釣り下げられた構造となり、支持部３３，３
３’はビーム３２を絶縁層３４及び固定電極３８，３
８’上にエアブリッジ（Air Bridge）構造にて機械的か
つ電気的に接続する構造となる。駆動電極３５と固定電
極３８’に電圧を印加することでビームが橈み変形し、
ビーム自由端が基板側に変位する。
【００４４】上記構成を有する静電アクチュエータは、
ビームに形成した可動電極をビーム下面に配置したこと
により、ビーム上面に可動電極を配置した場合に比べて
可動電極と駆動電極の間隔をビームの膜厚に相当する間
隔だけ短くすることができ、ビームを変位させるのに要
する電圧の低電圧化が計れる。また、レバー３２上面に
ダミー電極を設けることで、レバー３２と薄膜形成した
可動電極３７の内部応力により生ずるマイクロ構造体の
反りを、レバー上にも電極部を設けて上下対称構造とす
ることにより除去することが可能である。ダミー電極は
反りキャンセル用の層として導入した。
ビームに形成した可動電極をビーム下面に配置したこと
により、ビーム上面に可動電極を配置した場合に比べて
可動電極と駆動電極の間隔をビームの膜厚に相当する間
隔だけ短くすることができ、ビームを変位させるのに要
する電圧の低電圧化が計れる。また、レバー３２上面に
ダミー電極を設けることで、レバー３２と薄膜形成した
可動電極３７の内部応力により生ずるマイクロ構造体の
反りを、レバー上にも電極部を設けて上下対称構造とす
ることにより除去することが可能である。ダミー電極は
反りキャンセル用の層として導入した。
【００４５】図５，６，７を用いて図７に示すマイクロ
構造体のＢ−Ｂ断面図における本発明の形成法を説明す
る。本実施例では、転写用犠牲層を用いてマイクロ構造
体を形成する。
構造体のＢ−Ｂ断面図における本発明の形成法を説明す
る。本実施例では、転写用犠牲層を用いてマイクロ構造
体を形成する。
【００４６】構造体層を有する第２基板を形成するため
に、Ｓｉ基板４０を酸化ガス（酸素及び水素の混合ガ
ス）を用いて熱酸化し、１μｍの厚みのシリコン酸化膜
からなる構造体層４３を形成し、次いでＡｌ膜よりなる
転写用犠牲層４１を、薄膜堆積法の一つである電子ビー
ム蒸着法により２００ｎｍの厚さに成膜し（図４−
（Ａ））、ガラス基板（商品名、＃７７４０Corning ）
よりなる第２基板４２と転写用犠牲層４１を陽極接合法
により接合する（図４−（Ｂ））。
に、Ｓｉ基板４０を酸化ガス（酸素及び水素の混合ガ
ス）を用いて熱酸化し、１μｍの厚みのシリコン酸化膜
からなる構造体層４３を形成し、次いでＡｌ膜よりなる
転写用犠牲層４１を、薄膜堆積法の一つである電子ビー
ム蒸着法により２００ｎｍの厚さに成膜し（図４−
（Ａ））、ガラス基板（商品名、＃７７４０Corning ）
よりなる第２基板４２と転写用犠牲層４１を陽極接合法
により接合する（図４−（Ｂ））。
【００４７】図９を用いて陽極接合する工程を説明す
る。同図において、６３はシリコン酸化膜からなる構造
体層４３を有するＳｉ基板４０に成膜した転写用犠牲層
（Ａｌ膜）４１と、第２基板４２であるガラス基板との
間に電圧を印加する為の電源であり、リード線６２，６
４により針状電極６１，６５と電気的に接続してある。
６０はヒーターを有するプラテンである。転写用犠牲層
（Ａｌ膜）４１を接合面として第２基板４２を重ね合わ
せ、プラテンの温度を３００℃に保持した状態で電源６
３によって第２基板と転写用犠牲層との間に５００Ｖの
電圧を２０分間印加し、第２基板と転写用犠牲層を陽極
接合法により接合した。
る。同図において、６３はシリコン酸化膜からなる構造
体層４３を有するＳｉ基板４０に成膜した転写用犠牲層
（Ａｌ膜）４１と、第２基板４２であるガラス基板との
間に電圧を印加する為の電源であり、リード線６２，６
４により針状電極６１，６５と電気的に接続してある。
６０はヒーターを有するプラテンである。転写用犠牲層
（Ａｌ膜）４１を接合面として第２基板４２を重ね合わ
せ、プラテンの温度を３００℃に保持した状態で電源６
３によって第２基板と転写用犠牲層との間に５００Ｖの
電圧を２０分間印加し、第２基板と転写用犠牲層を陽極
接合法により接合した。
【００４８】次に、１００℃に加熱したＫＯＨ３０ｗｔ
％水溶液でＳｉ基板４０をエッチング除去し、構造体層
４３と転写用犠牲層４１を有する第２基板を形成した
（図４−（Ｃ））。構造体層であるシリコン酸化膜は、
アルカリ水溶液に対してエッチング耐性を持ち、ウエッ
トエッチングによってエッチングされない。
％水溶液でＳｉ基板４０をエッチング除去し、構造体層
４３と転写用犠牲層４１を有する第２基板を形成した
（図４−（Ｃ））。構造体層であるシリコン酸化膜は、
アルカリ水溶液に対してエッチング耐性を持ち、ウエッ
トエッチングによってエッチングされない。
【００４９】次に、可動電極となる導電体薄膜２０１を
構造体層４３上に成膜した。導電体薄膜は、電子ビーム
蒸着法によりＣｒを５ｎｍ、Ａｕを４００ｎｍ連続して
成膜し、フォトリソグラフィプロセスによりフォトレジ
スト１０３をパターニングし（図４−（Ｄ））、該フォ
トレジスト１０３をマスクとして、Ａｕ，Ｃｒをヨウ素
とヨウ化カリウムの水溶液からなるＡｕエッチャント及
び硝酸セリウムアンモニウム及び過塩素酸の水溶液から
なるＣｒエッチャントにより、図８に示す可動電極の形
状にパターニングした。フォトレジスト１０３はレジス
ト剥離液にて除去した。さらに、構造体層４３を、図に
は示していないが新たにフォトレジストを塗布しコンタ
クトホールの無いレバーのパターンにフォトリソグラフ
ィプロセスを用いてパターニングし、該フォトレジスト
をマスクとしてＣＦ4 ガスによる反応性イオンエッチン
グ（ＲＩＥ）によりエッチングし、コンタクトホールの
無いレバーパターン４５を形成した。前記フォトレジス
トはレジスト剥離液にて除去した（図４−（Ｅ））。
構造体層４３上に成膜した。導電体薄膜は、電子ビーム
蒸着法によりＣｒを５ｎｍ、Ａｕを４００ｎｍ連続して
成膜し、フォトリソグラフィプロセスによりフォトレジ
スト１０３をパターニングし（図４−（Ｄ））、該フォ
トレジスト１０３をマスクとして、Ａｕ，Ｃｒをヨウ素
とヨウ化カリウムの水溶液からなるＡｕエッチャント及
び硝酸セリウムアンモニウム及び過塩素酸の水溶液から
なるＣｒエッチャントにより、図８に示す可動電極の形
状にパターニングした。フォトレジスト１０３はレジス
ト剥離液にて除去した。さらに、構造体層４３を、図に
は示していないが新たにフォトレジストを塗布しコンタ
クトホールの無いレバーのパターンにフォトリソグラフ
ィプロセスを用いてパターニングし、該フォトレジスト
をマスクとしてＣＦ4 ガスによる反応性イオンエッチン
グ（ＲＩＥ）によりエッチングし、コンタクトホールの
無いレバーパターン４５を形成した。前記フォトレジス
トはレジスト剥離液にて除去した（図４−（Ｅ））。
【００５０】接着する第１基板には、絶縁層３４と駆動
電極３５及び固定電極３８，３８’（不図示）を有する
Ｓｉ基板３０を用いた。絶縁層３４は酸化ガスを用いて
Ｓｉ基板３０を熱酸化した１μｍの厚みのシリコン酸化
膜である。駆動電極３５、固定電極３８，３８’は、可
動電極３７を形成したと同様の方法によりＣｒ（５ｎ
ｍ）とＡｕ（１００ｎｍ）の導電体薄膜を成膜した後に
パターニングして形成した。前記第１基板上に接着層４
６となる樹脂膜をスピナー法により塗布する。樹脂膜と
して東京応化（株）製のゴム系レジストＯＭＲ−８３
（商品名）を用いた（図４−（Ｆ））。
電極３５及び固定電極３８，３８’（不図示）を有する
Ｓｉ基板３０を用いた。絶縁層３４は酸化ガスを用いて
Ｓｉ基板３０を熱酸化した１μｍの厚みのシリコン酸化
膜である。駆動電極３５、固定電極３８，３８’は、可
動電極３７を形成したと同様の方法によりＣｒ（５ｎ
ｍ）とＡｕ（１００ｎｍ）の導電体薄膜を成膜した後に
パターニングして形成した。前記第１基板上に接着層４
６となる樹脂膜をスピナー法により塗布する。樹脂膜と
して東京応化（株）製のゴム系レジストＯＭＲ−８３
（商品名）を用いた（図４−（Ｆ））。
【００５１】接着層４６を塗布した後に、図４−（Ｅ）
の第２基板と図４−（Ｆ）の第１基板を裏面より圧力を
かけて押し当てた後に、１５０℃に加熱処理することに
より接着層を硬化させ、図４−（Ｇ）に示すように接着
した。硬化後の接着層の膜厚は２μｍとなっている。
の第２基板と図４−（Ｆ）の第１基板を裏面より圧力を
かけて押し当てた後に、１５０℃に加熱処理することに
より接着層を硬化させ、図４−（Ｇ）に示すように接着
した。硬化後の接着層の膜厚は２μｍとなっている。
【００５２】次に、転写用犠牲層４１を８０℃に加熱し
たりん酸、硝酸、及び酢酸からなるＡｌエッチャントを
用いて除去し、第２基板をリリースすることにより、図
５−（Ｈ）に示すように、第２基板上のビーム形状にパ
ターニングした構造体層及び可動電極が第１基板の接着
層上に転写された。
たりん酸、硝酸、及び酢酸からなるＡｌエッチャントを
用いて除去し、第２基板をリリースすることにより、図
５−（Ｈ）に示すように、第２基板上のビーム形状にパ
ターニングした構造体層及び可動電極が第１基板の接着
層上に転写された。
【００５３】続いて、駆動電極３５及び固定電極３８，
３８’を形成したと同様の方法により、Ｃｒ（５ｎｍ）
とＡｕ（４００ｎｍ）の金属膜２０２を成膜し、フォト
レジスト１０４を塗布してフォトリソグラフィプロセス
によりパターニングした（図５−（Ｉ））。フォトレジ
スト１０４をマスクとしてＡｕエッチャント及びＣｒエ
ッチャントにより金属膜２０２をエッチングし、ダミー
電極３９を形成した。さらに、レバーパターンを有する
構造体層をマスクとして、酸素ガスによるＲＩＥにより
樹脂膜よりなる接着層をレバーパターンと同様の形状に
パターニングした（図５−（Ｊ））。
３８’を形成したと同様の方法により、Ｃｒ（５ｎｍ）
とＡｕ（４００ｎｍ）の金属膜２０２を成膜し、フォト
レジスト１０４を塗布してフォトリソグラフィプロセス
によりパターニングした（図５−（Ｉ））。フォトレジ
スト１０４をマスクとしてＡｕエッチャント及びＣｒエ
ッチャントにより金属膜２０２をエッチングし、ダミー
電極３９を形成した。さらに、レバーパターンを有する
構造体層をマスクとして、酸素ガスによるＲＩＥにより
樹脂膜よりなる接着層をレバーパターンと同様の形状に
パターニングした（図５−（Ｊ））。
【００５４】次に、レバーパターンを有する構造体層
に、フォトレジスト１０５を塗布しフォトリソグラフィ
プロセスを用いてパターニングし（図５−（Ｋ））、該
フォトレジストをマスクとしてＣＦ4 ガスによる反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングし、コン
タクトホール３６を形成した（図５−（Ｌ））。フォト
レジスト１０５は、酸素ガスによる反応性イオンエッチ
ングにより除去した。以上のようにして形成したシリコ
ン酸化膜のビーム３２とコンタクトホール３６下部の可
動電極３７及びダミー電極３９上に、支持層となるＡｌ
膜４７を２μｍ成膜した（図６−（Ｍ））。前記Ａｌ膜
上にフォトリソグラフィプロセスによりフォトレジスト
１０６をパターニングし（図６−（Ｎ））、Ａｌ膜４７
を５０℃に加熱したりん酸、硝酸、及び酢酸からなるＡ
ｌエッチャントを用いてパターニングし、支持部３３，
３３’を形成した（図６−（Ｏ）、支持部３３は不図
示）。これにより、支持部３３’は、コンタクトホール
を介して可動電極３７と固定電極３８’（不図示）を、
支持部３３は、ダミー電極３９と固定電極３８（不図
示）を電気的に接続できた。
に、フォトレジスト１０５を塗布しフォトリソグラフィ
プロセスを用いてパターニングし（図５−（Ｋ））、該
フォトレジストをマスクとしてＣＦ4 ガスによる反応性
イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングし、コン
タクトホール３６を形成した（図５−（Ｌ））。フォト
レジスト１０５は、酸素ガスによる反応性イオンエッチ
ングにより除去した。以上のようにして形成したシリコ
ン酸化膜のビーム３２とコンタクトホール３６下部の可
動電極３７及びダミー電極３９上に、支持層となるＡｌ
膜４７を２μｍ成膜した（図６−（Ｍ））。前記Ａｌ膜
上にフォトリソグラフィプロセスによりフォトレジスト
１０６をパターニングし（図６−（Ｎ））、Ａｌ膜４７
を５０℃に加熱したりん酸、硝酸、及び酢酸からなるＡ
ｌエッチャントを用いてパターニングし、支持部３３，
３３’を形成した（図６−（Ｏ）、支持部３３は不図
示）。これにより、支持部３３’は、コンタクトホール
を介して可動電極３７と固定電極３８’（不図示）を、
支持部３３は、ダミー電極３９と固定電極３８（不図
示）を電気的に接続できた。
【００５５】最後に、酸素プラズマによりフォトレジス
ト１０６及び可動電極下部の樹脂膜よりなる接着層をエ
ッチング除去し、空隙４９を形成した（図６−
（Ｐ））。以上の形成法を用いて、空隙４９を持つ両面
に電極部を有した１μｍの膜厚のシリコン酸化膜のカン
チレバー型ビーム２をＡｌ膜で機械的に支持した、図７
に示すマイクロ構造体を形成した。酸素プラズマによる
エッチングによりビーム、支持部及び各電極がエッチン
グされることなく、かつウエットエッチングによる従来
の犠牲層除去の際に問題となる貼り付きを回避すること
ができた。
ト１０６及び可動電極下部の樹脂膜よりなる接着層をエ
ッチング除去し、空隙４９を形成した（図６−
（Ｐ））。以上の形成法を用いて、空隙４９を持つ両面
に電極部を有した１μｍの膜厚のシリコン酸化膜のカン
チレバー型ビーム２をＡｌ膜で機械的に支持した、図７
に示すマイクロ構造体を形成した。酸素プラズマによる
エッチングによりビーム、支持部及び各電極がエッチン
グされることなく、かつウエットエッチングによる従来
の犠牲層除去の際に問題となる貼り付きを回避すること
ができた。
【００５６】本発明の形成法により、ビーム下面に可動
電極を形成でき、かつ第１基板上に形成した固定電極と
支持部を通じて電気的に接続することができた。カンチ
レバーの長さが１００μｍとなる本実施例の静電アクチ
ュエータの一つに、可動電極と駆動電極の間に電圧を２
０Ｖ印加したところ、カンチレバーの橈みに応じてビー
ム自由端は第１基板方向に約０．５μｍ変位させること
ができた。
電極を形成でき、かつ第１基板上に形成した固定電極と
支持部を通じて電気的に接続することができた。カンチ
レバーの長さが１００μｍとなる本実施例の静電アクチ
ュエータの一つに、可動電極と駆動電極の間に電圧を２
０Ｖ印加したところ、カンチレバーの橈みに応じてビー
ム自由端は第１基板方向に約０．５μｍ変位させること
ができた。
【００５７】本実施例の形成法において、ビーム上面に
ダミー電極を設けることで、レバー３２に形成した可動
電極３７の内部応力により生じるビームの反りをキャン
セルできる。可動電極及びダミー電極を形成していない
シリコン酸化膜のみのカンチレバー型のビームを形成し
たところ、ビームの反りは見られなかった。真空蒸着法
により形成するシリコン酸化膜は、薄膜形成過程により
生じる真空力（intrinsic stress）を除去することは困
難であるが、バルクＳｉを酸化して形成したシリコン酸
化膜は、アモルファスで均質な膜であり単層では反らな
い。本実施例ではＡｕを４００ｎｍと比較的厚くし、シ
リコン酸化膜に近い膜厚としてある。比較として、図７
においてダミー電極を形成していないビームよりなる静
電アクチュエータを形成したところ、ビーム自由端が第
１基板方向とは逆向きに１μｍ以上反った。これは、可
動電極として用いたＡｕの蒸着膜が圧縮応力を有してい
ることによる。上向きの反りを持つビームでは、可動電
極と駆動電極の間隔が広がり、第１基板面と同一位置に
ビームを変位させるためには、駆動のための電圧を大き
くする必要がある。また、ダミー電極を形成していない
ビームよりなる静電アクチュエータの可動電極をＡｇに
て形成した場合、反りが逆向きとなり、第１基板とビー
ム自由端との間隔が狭くなり、空隙に対応した十分な変
位幅を得ることができなかった。本実施例では、レバー
を電極部と同オーダー程度に薄膜化した場合に生じるビ
ームの反りを、レバー上面に反りキャンセル用のダミー
電極部を設け上下対称構造とすることにより除去するこ
とが可能となった。
ダミー電極を設けることで、レバー３２に形成した可動
電極３７の内部応力により生じるビームの反りをキャン
セルできる。可動電極及びダミー電極を形成していない
シリコン酸化膜のみのカンチレバー型のビームを形成し
たところ、ビームの反りは見られなかった。真空蒸着法
により形成するシリコン酸化膜は、薄膜形成過程により
生じる真空力（intrinsic stress）を除去することは困
難であるが、バルクＳｉを酸化して形成したシリコン酸
化膜は、アモルファスで均質な膜であり単層では反らな
い。本実施例ではＡｕを４００ｎｍと比較的厚くし、シ
リコン酸化膜に近い膜厚としてある。比較として、図７
においてダミー電極を形成していないビームよりなる静
電アクチュエータを形成したところ、ビーム自由端が第
１基板方向とは逆向きに１μｍ以上反った。これは、可
動電極として用いたＡｕの蒸着膜が圧縮応力を有してい
ることによる。上向きの反りを持つビームでは、可動電
極と駆動電極の間隔が広がり、第１基板面と同一位置に
ビームを変位させるためには、駆動のための電圧を大き
くする必要がある。また、ダミー電極を形成していない
ビームよりなる静電アクチュエータの可動電極をＡｇに
て形成した場合、反りが逆向きとなり、第１基板とビー
ム自由端との間隔が狭くなり、空隙に対応した十分な変
位幅を得ることができなかった。本実施例では、レバー
を電極部と同オーダー程度に薄膜化した場合に生じるビ
ームの反りを、レバー上面に反りキャンセル用のダミー
電極部を設け上下対称構造とすることにより除去するこ
とが可能となった。
【００５８】本実施例の形成法の図６−（Ｏ）におい
て、ダミー電極上にスピント(Spindt)らにより提案され
た方法（C.A.Spindt,et al.,“Physical properties of
filmfield emission cathode with molybdenum cone
s”，J.Appl.Phys.,47.1976,pp5248-5263）を用いて導
電体材料からなる探針を形成することにより、観察する
試料表面の間に生じるトンネル電流を取り出す取り出し
電極としてダミー電極を用いることが可能であり、フォ
トレジスト１０６及び接着層を除去することにより静電
アクチュエータを有するＳＴＭプローブを形成すること
ができる。また、ダミー電極を接地（アーク）すること
により、駆動電極から印加される電場以外のノイズとな
る外部電場を遮断するシールド電極としても利用するこ
とも可能である。本実施例ではダミー電極及び可動電極
は各一つ構造体層に設けたが、複数の電極を構造体層上
に設けてもよいことは言うまでもない。
て、ダミー電極上にスピント(Spindt)らにより提案され
た方法（C.A.Spindt,et al.,“Physical properties of
filmfield emission cathode with molybdenum cone
s”，J.Appl.Phys.,47.1976,pp5248-5263）を用いて導
電体材料からなる探針を形成することにより、観察する
試料表面の間に生じるトンネル電流を取り出す取り出し
電極としてダミー電極を用いることが可能であり、フォ
トレジスト１０６及び接着層を除去することにより静電
アクチュエータを有するＳＴＭプローブを形成すること
ができる。また、ダミー電極を接地（アーク）すること
により、駆動電極から印加される電場以外のノイズとな
る外部電場を遮断するシールド電極としても利用するこ
とも可能である。本実施例ではダミー電極及び可動電極
は各一つ構造体層に設けたが、複数の電極を構造体層上
に設けてもよいことは言うまでもない。
【００５９】薄膜堆積法にて可動電極を形成した後に構
造体層を形成した場合には、可動電極のパターン段差部
分で構造体層にも駆動電極のパターン形状が転写され
る。本発明の形成法では、構造体層上に最終的には第１
基板に向かい合わせとなる可動電極を形成した後に構造
体層にビームのパターンを形成するために、可動電極の
パターン段差に拠らずに平坦な構造体層からなるビーム
を形成することが可能である。すなわち、可動電極とビ
ームに互いのパターン形状によらず独立したパターン形
状を形成することが可能である。また、本発明の形成法
では電極部を形成した構造体層を反転して第１基板に転
写するために、電極部を第１基板に対向して設けること
が可能となっている。
造体層を形成した場合には、可動電極のパターン段差部
分で構造体層にも駆動電極のパターン形状が転写され
る。本発明の形成法では、構造体層上に最終的には第１
基板に向かい合わせとなる可動電極を形成した後に構造
体層にビームのパターンを形成するために、可動電極の
パターン段差に拠らずに平坦な構造体層からなるビーム
を形成することが可能である。すなわち、可動電極とビ
ームに互いのパターン形状によらず独立したパターン形
状を形成することが可能である。また、本発明の形成法
では電極部を形成した構造体層を反転して第１基板に転
写するために、電極部を第１基板に対向して設けること
が可能となっている。
【００６０】樹脂膜を第１基板上に塗布することによ
り、駆動電極及び固定電極等により生じる基板上の凹凸
に対して平滑に塗布することが可能であり、接着面の平
坦性を保つと共に良好な基板同士の接着が可能となっ
た。さらに、樹脂層としてフォトレジストを用いたこと
により、第１基板であるＳｉ基板３０上に集積回路を形
成した基板を用いても、同様にマイクロ構造体を形成で
きることは言うまでもない。フォトレジストは、可動イ
オンの含有量が極めて少なく、ＭＯＳトランジスタ等の
電子デバイスへの可動イオンの侵入による動作不良をお
こさない。また、基板としてＳｉを用いたが、ガラス、
ＧａＡｓ、金属、金属膜が形成されたガラス基板等の他
の基板を用いることも可能であることは言うまでもな
い。
り、駆動電極及び固定電極等により生じる基板上の凹凸
に対して平滑に塗布することが可能であり、接着面の平
坦性を保つと共に良好な基板同士の接着が可能となっ
た。さらに、樹脂層としてフォトレジストを用いたこと
により、第１基板であるＳｉ基板３０上に集積回路を形
成した基板を用いても、同様にマイクロ構造体を形成で
きることは言うまでもない。フォトレジストは、可動イ
オンの含有量が極めて少なく、ＭＯＳトランジスタ等の
電子デバイスへの可動イオンの侵入による動作不良をお
こさない。また、基板としてＳｉを用いたが、ガラス、
ＧａＡｓ、金属、金属膜が形成されたガラス基板等の他
の基板を用いることも可能であることは言うまでもな
い。
【００６１】図４−（Ｇ）において、構造体層及び可動
電極と第１基板を接着層を介して接着する工程におい
て、各基板の裏面より圧力をかけて押し当てる代わり
に、転写用犠牲層４１であるＡｌと第１基板であるＳｉ
基板に１００Ｖの電圧を印加し、発生する静電力により
押し当てることにより同様に接着することが可能であっ
た。転写用犠牲層の材料としてＡｌ膜を用いたが、Ｔ
ｉ，Ｎｉ等の陽極接合可能な他の金属材料を用い、樹脂
膜及び構造体層を腐食することが無いエッチャントを選
ぶことにより同様の構造体を形成することが可能であ
る。
電極と第１基板を接着層を介して接着する工程におい
て、各基板の裏面より圧力をかけて押し当てる代わり
に、転写用犠牲層４１であるＡｌと第１基板であるＳｉ
基板に１００Ｖの電圧を印加し、発生する静電力により
押し当てることにより同様に接着することが可能であっ
た。転写用犠牲層の材料としてＡｌ膜を用いたが、Ｔ
ｉ，Ｎｉ等の陽極接合可能な他の金属材料を用い、樹脂
膜及び構造体層を腐食することが無いエッチャントを選
ぶことにより同様の構造体を形成することが可能であ
る。
【００６２】また、図４−（Ｅ）のビームのパターンに
より、第２基板の接着面に溝が形成されたこととなり、
図４（Ｇ）での工程にて樹脂膜を加熱処理し硬化する際
に発生する溶媒の蒸気を前記溝を通じて逃がすことがで
きる。溝のない場合には、塗布する際の樹脂を溶解した
溶液中に含まれる溶媒の含有量を調節しないと、加熱処
理の際の溶媒蒸気により接着層と構造体層との間に気泡
が残る場合がある。溝を形成することにより気泡の発生
を防止する効果がある。
より、第２基板の接着面に溝が形成されたこととなり、
図４（Ｇ）での工程にて樹脂膜を加熱処理し硬化する際
に発生する溶媒の蒸気を前記溝を通じて逃がすことがで
きる。溝のない場合には、塗布する際の樹脂を溶解した
溶液中に含まれる溶媒の含有量を調節しないと、加熱処
理の際の溶媒蒸気により接着層と構造体層との間に気泡
が残る場合がある。溝を形成することにより気泡の発生
を防止する効果がある。
【００６３】本発明で示したように、樹脂膜は、第１基
板と構造体を接着する接着層であると共にマイクロ構造
体を形成するための犠牲層の役割を担っている。
板と構造体を接着する接着層であると共にマイクロ構造
体を形成するための犠牲層の役割を担っている。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマイクロ
構造体の形成法によれば、第１基板及び第２基板の少な
くとも何れか一方の基板上に形成した樹脂膜よりなる接
着層により、第２基板上に形成した構造体層及び構造体
層に形成した電極部と第１基板を接着した後に、第２基
板を除去し、支持層により第１基板と構造体層及び電極
部を機械的に接続し、前記接着層を除去することにより
マイクロ構造体を形成するため、絶縁体、金属、半導体
等の様々の材料からなるマイクロ構造体を形成すること
ができ、マイクロ構造体の上面及び下面／又は下面に電
極パターンを形成し、基板との電気的接続が可能なマイ
クロ構造体が形成できた。
構造体の形成法によれば、第１基板及び第２基板の少な
くとも何れか一方の基板上に形成した樹脂膜よりなる接
着層により、第２基板上に形成した構造体層及び構造体
層に形成した電極部と第１基板を接着した後に、第２基
板を除去し、支持層により第１基板と構造体層及び電極
部を機械的に接続し、前記接着層を除去することにより
マイクロ構造体を形成するため、絶縁体、金属、半導体
等の様々の材料からなるマイクロ構造体を形成すること
ができ、マイクロ構造体の上面及び下面／又は下面に電
極パターンを形成し、基板との電気的接続が可能なマイ
クロ構造体が形成できた。
【００６５】また、構造体層を第１基板とは別の工程に
て作製する為に、第１基板と構造体層の材料が制限され
ることがない。
て作製する為に、第１基板と構造体層の材料が制限され
ることがない。
【００６６】さらに、ビームとしてバルク（結晶体）材
料を用いることが可能であり、反りのないビームを形成
することができた。
料を用いることが可能であり、反りのないビームを形成
することができた。
【００６７】また、樹脂膜は、第１基板と第２基板を接
着する接着層であると共に、マイクロ構造体を形成する
ための犠牲層の役割を担っていることから、樹脂膜を除
去する方法として酸素ガスによるドライエッチングを用
いることが可能となり、従来の犠牲層除去の際に問題と
なる貼り付きを回避することができた。
着する接着層であると共に、マイクロ構造体を形成する
ための犠牲層の役割を担っていることから、樹脂膜を除
去する方法として酸素ガスによるドライエッチングを用
いることが可能となり、従来の犠牲層除去の際に問題と
なる貼り付きを回避することができた。
【００６８】また、樹脂膜は、基板上に形成した電極パ
ターン等による凹凸に左右されずに平坦面を形成するこ
とができ、基板の表面粗さに依存せず良好な接着が可能
となった。
ターン等による凹凸に左右されずに平坦面を形成するこ
とができ、基板の表面粗さに依存せず良好な接着が可能
となった。
【００６９】さらに、本発明の方法により、比較的低温
プロセスによってマイクロ構造体を形成でき、熱膨張係
数の異なる基板を用いてもマイクロ構造体を形成するこ
とが可能となった。
プロセスによってマイクロ構造体を形成でき、熱膨張係
数の異なる基板を用いてもマイクロ構造体を形成するこ
とが可能となった。
【００７０】また、本発明の形成法により作製した静電
アクチュエータは、ビームに形成した可動電極をビーム
の下面に配置することができ、これにより基板上に形成
した駆動電極と可動電極の間隔を短くでき、駆動電圧を
低減することができた。
アクチュエータは、ビームに形成した可動電極をビーム
の下面に配置することができ、これにより基板上に形成
した駆動電極と可動電極の間隔を短くでき、駆動電圧を
低減することができた。
【００７１】本発明のマイクロ構造体の形成法により、
駆動電極と構造体のパターンは、互いのパターン形状に
よらず独立して形成することが可能である。
駆動電極と構造体のパターンは、互いのパターン形状に
よらず独立して形成することが可能である。
【００７２】さらに、構造体層を形成した後に最終的に
は第１基板に向かい合わせとなる可動電極を形成するた
めに、可動電極のパターン段差に拠らずに平坦な構造体
層からなるビームを形成することが可能である。
は第１基板に向かい合わせとなる可動電極を形成するた
めに、可動電極のパターン段差に拠らずに平坦な構造体
層からなるビームを形成することが可能である。
【図１】本発明のマイクロ構造体の形成法の第１実施例
の作製工程を説明する断面図である。
の作製工程を説明する断面図である。
【図２】本発明のマイクロ構造体の形成法の第１実施例
の作製工程を説明する断面図である。
の作製工程を説明する断面図である。
【図３】第１実施例のマイクロ構造体の形成法を用いて
作製したマイクロ構造体である静電アクチュエータを説
明する斜視図である。
作製したマイクロ構造体である静電アクチュエータを説
明する斜視図である。
【図４】本発明のマイクロ構造体の形成法の第２実施例
の作製工程を説明する断面図である。
の作製工程を説明する断面図である。
【図５】本発明のマイクロ構造体の形成法の第２実施例
の作製工程を説明する断面図である。
の作製工程を説明する断面図である。
【図６】本発明のマイクロ構造体の形成法の第２実施例
の作製工程を説明する断面図である。
の作製工程を説明する断面図である。
【図７】第２実施例のマイクロ構造体の形成法を用いて
作製したマイクロ構造体である静電アクチュエータを説
明する斜視図である。
作製したマイクロ構造体である静電アクチュエータを説
明する斜視図である。
【図８】第２実施例の静電アクチュエータのビーム部分
の層構成を説明する斜視図である。
の層構成を説明する斜視図である。
【図９】本発明のマイクロ構造体の形成法の第２実施例
の陽極接合法により第２基板上に転写用犠牲層を介して
構造体層となるシリコン酸化膜を形成する工程を説明す
る模式図である。
の陽極接合法により第２基板上に転写用犠牲層を介して
構造体層となるシリコン酸化膜を形成する工程を説明す
る模式図である。
１，２ ビーム １０ ガラス基板 １１ トーションバー １２，３２ レバー １３，１３’，３３，３３’ 支持部 １５，３５ 駆動電極 １６，３８，３８’ 固定電極 １７，３７ 可動電極 ２２ ｐ型Ｓｉ基板 ２３，４３ 構造体層 ２４ ｐ+ 層 ２５，４５ レバーパターン ２６，４６ 接着層 ２７，４７ Ａｌ層 ２９，４９ 空隙 ３０，４０ Ｓｉ基板 ３１ コンタクト ３４ 絶縁層 ３６ コンタクトホール ３９ ダミー電極 ４１ 転写用犠牲層 ４２ 第２基板 ６０ プラテン ６１，６５ 針状電極 ６３ 電源 ６２，６４ リード線 １０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６
フォトレジスト ２０１ 導電体薄膜 ２０２ 金属電極
フォトレジスト ２０１ 導電体薄膜 ２０２ 金属電極
Claims (21)
- 【請求項１】 基板と、支持部と、少なくとも１つ以上
の電極を有するビームからなるマイクロ構造体におい
て、該支持部により前記基板と空隙を介してビームが上
面より支持され、前記電極の少なくとも１つは可動電極
からなり、前記ビームの下面に該可動電極が形成されて
なることを特徴とするマイクロ構造体。 - 【請求項２】 前記支持部が、金属薄膜よりなることを
特徴とする請求項１に記載のマイクロ構造体。 - 【請求項３】 前記金属薄膜が、アルミニウムよりなる
ことを特徴とする請求項２に記載のマイクロ構造体。 - 【請求項４】 前記ビームが、Ｓｉ結晶体よりなること
を特徴とする請求項１に記載のマイクロ構造体。 - 【請求項５】 前記ビームが、絶縁体薄膜よりなること
を特徴とする請求項１に記載のマイクロ構造体。 - 【請求項６】 前記絶縁体薄膜が、Ｓｉを酸化ガスによ
り酸化して形成したシリコン酸化膜よりなることを特徴
とする請求項５に記載のマイクロ構造体。 - 【請求項７】 前記電極が、導電体薄膜よりなることを
特徴とする請求項１に記載のマイクロ構造体。 - 【請求項８】 前記ビームの上面に、電極が形成されて
いることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ構造
体。 - 【請求項９】 マイクロ構造体の形成法において、 第２基板上に構造体層を形成する工程と、 前記構造体層に導電体からなる電極部を形成する工程
と、 第１基板及び／又は第２基板上に樹脂膜よりなる接着層
を形成する工程と、 前記接着層を介して第１基板と構造体層及び電極部を接
着する工程と、 前記第２基板を除去する工程と、 前記構造体層及び電極部と第１基板とを接続するための
支持層を形成する工程と、 接着層を除去する工程を有することを特徴とするマイク
ロ構造体の形成法。 - 【請求項１０】 前記接着層を形成する工程が、樹脂分
子を溶媒で希釈した溶液を薄膜塗布することにより行う
ことを特徴とする請求項９に記載のマイクロ構造体の形
成法。 - 【請求項１１】 前記樹脂膜が、フォトレジストからな
ることを特徴とする請求項９に記載のマイクロ構造体の
形成法。 - 【請求項１２】 前記フォトレジストが、環化ゴムを含
有することを特徴とする請求項１１に記載のマイクロ構
造体の形成法。 - 【請求項１３】 前記第１基板及び／又は第２基板上
に、溝を形成してあることを特徴とする請求項９に記載
のマイクロ構造体の形成法。 - 【請求項１４】 前記接着する工程が、第１基板及び第
２基板に圧力を加える工程を有することを特徴とする請
求項９に記載のマイクロ構造体の形成法。 - 【請求項１５】 前記圧力を加える工程が、第１基板と
第２基板に電圧を印加することにより行うことを特徴と
する請求項１４に記載のマイクロ構造体の形成法。 - 【請求項１６】 前記支持層が、金属薄膜よりなること
を特徴とする請求項９に記載のマイクロ構造体の形成法 - 【請求項１７】 前記接着層を除去する工程が、酸素を
用いたドライエッチングにより行うことを特徴とする請
求項９に記載のマイクロ構造体の形成法。 - 【請求項１８】 前記ドライエッチングが、プラズマエ
ッチングにより行うことを特徴とする請求項１７に記載
のマイクロ構造体の形成法。 - 【請求項１９】 構造体を形成した第２基板がＳＯＩ基
板からなることを特徴とする請求項９に記載のマイクロ
構造体の形成法。 - 【請求項２０】 請求項９ないし１９のいずれか１項に
記載のマイクロ構造体の形成法を用いて形成する、基板
と、該基板に形成した固定電極及び駆動電極と、該駆動
電極上部に金属薄膜よりなる支持部により、空隙を介し
て支持した可動電極を有するビームとからなる静電アク
チュエータにおいて、該可動電極がビーム下面に形成し
てあり、前記支持部が前記可動電極と前記固定電極を電
気的に接続すると共に機械的に前記ビームをビーム上面
より支持し、前記駆動電極と前記可動電極に電圧を印加
することによりビームが変位することを特徴とする静電
アクチュエータ。 - 【請求項２１】 前記ビームが、上面に電極を有してい
ることを特徴とする請求項２０に記載の静電アクチュエ
ータ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27210994A JP3182301B2 (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | マイクロ構造体及びその形成法 |
| US08/552,936 US5994750A (en) | 1994-11-07 | 1995-11-03 | Microstructure and method of forming the same |
| DE69526557T DE69526557T2 (de) | 1994-11-07 | 1995-11-06 | Verfahren zur Herstellung einer Mikrostruktur |
| EP95307889A EP0711029B1 (en) | 1994-11-07 | 1995-11-06 | Method of forming a microstructure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27210994A JP3182301B2 (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | マイクロ構造体及びその形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08140368A true JPH08140368A (ja) | 1996-05-31 |
| JP3182301B2 JP3182301B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=17509213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27210994A Expired - Fee Related JP3182301B2 (ja) | 1994-11-07 | 1994-11-07 | マイクロ構造体及びその形成法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5994750A (ja) |
| EP (1) | EP0711029B1 (ja) |
| JP (1) | JP3182301B2 (ja) |
| DE (1) | DE69526557T2 (ja) |
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| KR100628180B1 (ko) * | 1999-11-17 | 2006-09-27 | 엘지전자 주식회사 | 마이크로 스위치 |
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