JPH08124857A - スパッタ装置とその装置を用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

スパッタ装置とその装置を用いた半導体装置の製造方法

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JPH08124857A
JPH08124857A JP6279693A JP27969394A JPH08124857A JP H08124857 A JPH08124857 A JP H08124857A JP 6279693 A JP6279693 A JP 6279693A JP 27969394 A JP27969394 A JP 27969394A JP H08124857 A JPH08124857 A JP H08124857A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 Ｔｉターゲットが窒化されるのを防止してス
パッタ速度の低下を防止する。 【構成】 真空室１の上部にマグネトロンスパッタ電極
２を設置し、裏板３を介してＴｉターゲット４を保持さ
せる。真空室１の下部に設けられた基板ホルダー８上に
基板９を搭載する。基板９とターゲット４との間に垂直
方向のスパッタ粒子のみを透過させるコリメート板６を
設け、その外側に防着シールド板５、７を設ける。ター
ゲット側の防着シールド板５は波形に加工されて表面積
が増加されており、より多くの窒素を吸着できるように
なされている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタ装置およびその
装置を用いた半導体装置の製造方法に関し、特に窒素を
含む雰囲気でスパッタを行うスパッタ装置およびその装
置を用いたＴｉＮ膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体装置においては、素子が形
成された半導体基板と配線材料であるＡｌ合金の間にＴ
ｉＮ層を形成することが多い。このＴｉＮ層は、半導体
基板のＳｉとＡｌ合金のＡｌが相互拡散してＡｌにより
半導体素子が破壊されるのを防ぐためのバリアメタルと
して用いられている。
【０００３】また、最先端の半導体装置においては半導
体素子と配線との間に層間絶縁膜に設けられた接続孔
（コンタクトホール）が微細となり、しかも深くなって
きたためスパッタ法で形成したＡｌ合金ではコンタクト
ホールを埋め込むことが困難となってきている。そこ
で、段差被覆性がよい減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ
法）により成長させたＷによりコンタクトホールを埋め
込む手法が採用されるようになってきている。
【０００４】このＷ膜は絶縁膜との密着性が悪く剥がれ
やすい。また、Ｓｉ上に直接Ｗを成長させた場合には、
原料ガスであるＷＦ6 と基板のＳｉが反応して素子が破
壊される。そこで、基板上に直接Ｗ膜を形成することを
避けＴｉＮをスパッタ法で形成しその上にＷを成長させ
ることが行われている。この場合、素子破壊を完全に防
ぐには、コンタクトホールの底に最低でも１０ｎｍのＴ
ｉＮ膜が必要である。しかしながら、コンタクトホール
の深さを径で割ったアスペクト比が大きくなると、通常
のスパッタ法でコンタクトホールの底に１０ｎｍ以上の
ＴｉＮと形成することは困難である。
【０００５】そこで、コンタクトホールの被覆性を改善
するために、スパッタターゲットと基板の間に多数の孔
を設けたフィルタの役割を果たす板（コリメート板）を
設置して基板に対して垂直に近い角度で入射するスパッ
タ粒子のみを通すコリメートスパッタ法が、例えば特開
平１−１１６０７０号公報や特開平１−１８４２７６号
公報等において提案されている。このコリメートスパッ
タ法はＴｉ膜の形成においてはスパッタパワーを１０ｋ
Ｗ以上と大きくすることで実用的な成長速度が得られる
ため徐々に実用化されつつある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、単にスパッタ
パワーを増大させるのみで安定して高速度にＴｉＮ膜を
成長させることは困難である。ＴｉＮ膜の形成は、通常
窒素を含む雰囲気にてＴｉターゲットをスパッタする反
応性スパッタ法で行われるため、スパッタパワーを増大
した場合には窒素流量も増加させる必要があり、その結
果ターゲット表面も窒化されやすくなる。ターゲット表
面にＴｉＮが形成されると、Ｔｉをスパッタ法で形成す
るのに比べ、ＴｉＮの成長速度は同じスパッタパワーで
は３分の１以下に低下してしまう。コリメートスパッタ
法では通常のスパッタ法に比べさらに成長速度が低下し
てしまうので実用的ではなくなる。
【０００７】この問題を解決するためにターゲット表面
は窒化されないようにしてスパッタし、基板表面でＴｉ
を窒化させてＴｉＮを形成する方法が、例えば１９９３
年のブイエルエスアイマルチレベルインターコネクショ
ンカンファレンスの予稿集４３３〜４３５頁や同じく４
３９〜４４１頁（Proceedings of 1993 VLSI Multileve
l Interconnection Conference pp.433-435,pp.439-44
1) 等において提案されている。また同様の技術思想は
前記の特開平１−１１６０７０号公報の中にも示されて
いる。
【０００８】しかし、このターゲット表面を窒化させず
に基板表面で窒化させてＴｉＮを形成する方法において
は不活性ガスであるＡｒと窒素の流量を正確に制御する
ことが求められる。図６は、直径が３００ｍｍのターゲ
ットを用いスパッタパワー１０ｋＷでコリメートスパッ
タを行った場合のＡｒと窒素の流量を変化させた時の成
膜状態を示すグラフである。
【０００９】この時のコリメート板の厚みは１０ｍｍで
あり、コリメート板に設けた開孔の直径も１０ｍｍであ
る。窒素流量が少ない領域Ａでは、ＴｉＮは形成されず
にほぼＴｉ膜が形成されるが、逆に窒素流量の大きい領
域Ｃでは、ＴｉＮは形成されるがターゲット表面も窒化
されてＴｉＮが形成されるため成長速度が小さくなって
しまう。図６から分かるように、Ｔｉターゲットの表面
を窒化させずに基板表面で窒化させてＴｉＮを形成でき
る領域Ｂでの窒素流量の範囲は狭く、約５ｓｃｃｍ程度
の幅に納めなければならない。
【００１０】スパッタの条件によりこの窒素流量の絶対
値は変化するがこのプロセスの可能な窒素流量の範囲幅
はほとんど変化せずに狭い。したがって窒素流量あるい
はスパッタ中の圧力あるいは基板温度等のわずかな違い
により、ＴｉＮが形成されなかったりあるいは成長速度
が変化し基板間の膜厚が大きく違ってしまったりすると
いう問題点がある。
【００１１】ところで、一般的に基板上にだけＴｉＮ膜
が形成されるのではなく、コリメート板あるいは基板の
周辺に設置してある防着シールド板（チャンバ内壁にＴ
ｉ、ＴｉＮが成膜されるのを防止するためのシールド
板）にもＴｉＮが形成されるためこれにより窒素が消費
される。これを補って基板表面に十分の窒素が供給され
るようにするために窒素流量を増加させると上述したよ
うにターゲット表面にＴｉＮが形成されやすくなり結果
的に成長速度の低下を招く。また、コリメート板あるい
は基板の周辺に設置してある防着シールド板にＴｉＮが
形成されると粒状に成長しやすくこのＴｉＮの粒がスパ
ッタ中にパーティクルとして基板に付着してＴｉＮ膜の
品質を低下させるという問題点も起こる。また、パーテ
ィクルの発生を抑制するためにＴｉＮ膜の成膜後に窒素
の供給を中止してＴｉ膜を形成することも行われている
が、このような手法を用いてもパーティクルの発生を完
全に抑えることは困難であり、またこの手法を採用した
場合にはターゲットの消費が大きくなるという問題も起
こる。
【００１２】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たものであって、その目的は、第１に、基板上に高速に
かつ安定してＴｉＮ膜を形成しうるようにすることであ
り、第２に、ウェハ間やロット間でＴｉＮの膜厚にばら
つきの生じないようにすることであり、第３に、信頼性
の高いＴｉＮ膜を成膜しうるようにすることである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、真空容器と、前記真空容器の一方
の側に配置されたターゲット保持部材と、前記真空容器
の他方の側に設置された基板ホルダーと、前記ターゲッ
ト保持部材と前記基板ホルダーとの間に設置され、前記
基板ホルダー上に装着された基板の法線方向に近い方向
に進行するスパッタ粒子のみを通過させるフィルタと、
前記フィルタの前記基板ホルダー側に配置され、前記フ
ィルタの外周部を覆う第１の防着シールド板と、前記フ
ィルタの前記ターゲット保持部材側に配置され、前記フ
ィルタの外周部を覆う第２の防着シールド板と、を備え
るＴｉＮ膜成膜用のスパッタ装置において、前記第２の
防着シールド板には実効表面積が増加する加工が加えら
れる。または、前記第１の防着シールド板に加熱手段が
備えられ、あるいは、前記基板ホルダーに装着された基
板を冷却するための手段が備えられる。そして、より好
ましくは、前記真空容器と前記第１の防着シールド板と
前記フィルタによって囲まれた空間が前記ターゲット保
持部材側の空間とは前記フィルタを介してのみ連結され
るようになされる。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の第１の一実施例のスパッ
タ装置の概略構成図である。真空室１に周知のプレーナ
マグネトロンスパッタ電極２が取り付けられている。マ
グネトロンスパッタ電極２の中心に円盤状の磁石が配置
されその外周にドーナツ状の磁石が配置されている。円
盤状の磁石とドーナツ状の磁石とは互いに逆の極性が与
えられている。このマグネトロンスパッタ電極２に裏板
３を介してＴｉターゲット４が取り付けられ図には示さ
れていないがＴｉターゲット４には直流電源が接続され
ている。
【００１５】基板ホルダー８には基板９が取り付けら
れ、Ｔｉターゲット４と基板９の間に直径１０ｍｍの多
数の孔を設けた厚さ１０ｍｍのコリメート板６が配置さ
れている。そして、コリメート板６の外側には真空室１
の壁に膜が付着するのを防止するための防着シールド板
５、７が配置されている。Ｔｉターゲット４とコリメー
ト板６の間の防着シールド板５は垂直方向に山と谷が交
互に現れる波形として表面積を大きくしている。波形の
波長は５ｍｍとした。またＴｉターゲット４とコリメー
ト板６の距離およびコリメート板６と基板９の距離はと
もに５０ｍｍとした。
【００１６】基板ホルダー８側に設けられた防着シール
ド板７は、コリメート板６に密着して設置されており、
この構成により基板９を囲む空間はコリメート板６の開
口を介してのみターゲット側の空間とつながっている。
真空室の下側には、反応ガスである窒素を供給するため
のガス導入口１０が設けられている。
【００１７】次に、本実施例のスパッタ装置を用いた基
板９上へのＴｉＮ膜の形成方法について説明する。ガス
導入口１０からＡｒと窒素をそれぞれ２０ｓｃｃｍずつ
導入し、真空室１内の圧力を２ｍＴｏｒｒ程度に保つ。
次に、直流電源によりＴｉターゲット４に負の電圧を印
加する。投入パワーはＴｉターゲット４の大きさが直径
３００ｍｍの円型の場合、８〜１０ｋＷとする。このパ
ワーの投入により放電が開始し、スパッタによる成膜が
開始する。
【００１８】Ｔｉターゲット４の大きさに対して投入パ
ワーが大きいため、Ｔｉターゲット４の表面は窒素によ
り窒化されるより早くスパッタが進行してしまうことお
よびスパッタされて飛び出したＴｉの粒子に比べ窒素の
量が少ないため基板９や防着シールド板５および７に被
着したＴｉ膜を窒化するのに窒素は消費されてしまうこ
とによりターゲット表面は常にＴｉに保たれている。
【００１９】従来のスパッタ装置においては、防着シー
ルド板５は波形ではなく円柱状であるため表面積が小さ
く窒素を２０ｓｃｃｍより多く例えば３０ｓｃｃｍ程度
流すと窒素が過剰となりＴｉターゲット４の表面が窒化
されＴｉＮが形成されるためスパッタ速度が低下してし
まうが、本実施例では防着シールド板５を波形として表
面積を大きくしているため、窒素の吸着確率が高くなり
防着シールド板５に付着するＴｉ膜の窒化に消費される
窒素が増加し３０ｓｃｃｍ程度の窒素を導入してもＴｉ
ターゲット４の表面は窒化されずに高速の成膜を継続で
きる。
【００２０】また、本実施例装置においては基板９とＴ
ｉターゲット４との間はコリメート板６の孔を通しての
み接続されている構造とし窒素ガスは基板９側に導入し
ているため、真空室に導入した窒素ガスは、基板９、防
着シールド板７およびコリメート６上に成膜されるＴｉ
を窒化するのに殆ど消費され、コリメート板６の開口を
通して防着シールド板５、Ｔｉターゲット４側に流入す
る窒素ガスは僅かである。そして、Ｔｉターゲット側に
流入した窒素ガスの多くは防着シールド板５上に成膜さ
れるＴｉ膜を窒化するのに消費されるため、Ｔｉターゲ
ット４の表面の窒化は抑制される。
【００２１】図２は、本実施例における窒素流量および
Ａｒ流量を変化させたときのＴｉＮ膜の成膜状況を示す
グラフである。同図に示されるように、ＴｉＮ膜が形成
されない領域Ａは、図６に示した従来例の場合とほとん
ど変わらないが、ターゲット表面が窒化されずに基板上
にＴｉＮ膜が形成される領域Ｂは３倍近く広くなってい
る。したがって、本実施例によりＴｉＮ膜を安定して高
速に成膜することが可能になり、またウェハ間やロット
間の膜厚や膜質のばらつきを低く抑えることができる。
【００２２】図３に本発明の第１の実施例の変更例を示
す。各変更例は、防着シールド板５の形状に変更を加え
たものであって、他の部分は図１に示した第１の実施例
の場合と変わらない。図３（ａ）は、第１の変更例の防
着シールド板５ａの横断面図であって、この変更例で
は、第１の実施例の場合とは波形の方向が違い波の山と
谷が垂直となるように波形が形成されている。第１の実
施例ではＴｉターゲットから影になっている面があり、
この面にはＴｉ膜はほとんど形成されないので、この面
では窒素は消費されないのに対し、この変更例ではＴｉ
ターゲット４から影になっている所はなく防着シールド
板５ａの表面全体にＴｉ膜が形成され窒素が消費される
ため第１の実施例の場合よりも多くの窒素流量でもＴｉ
ターゲット４の表面は窒化されにくくなる。したがっ
て、Ｔｉターゲット４の表面を窒化させずに基板９上に
ＴｉＮ膜を形成できる窒素流量の範囲は広くできる。
【００２３】図３（ｂ）に示す変更例では、防着シール
ド板５ｂに多数の小さな窪みを設けこれにより表面積の
拡大を図っている。図３（ｃ）に示す第３の変更例で
は、逆に防着シールド板５ｃに多数の小さな突起を設け
ることにより同様の効果を図っている。また、図３
（ｄ）に示す第４の変更例では、防着シールド板５ｄに
多数の庇状部材１１を設けて表面積を増大している。
【００２４】図４は、本発明の第２の実施例のスパッタ
装置の概略構成図である。図４において、図１に示した
第１の実施例の部分と同等の部分には同一の参照番号を
付し重複する説明は省略する。この実施例では、Ｔｉタ
ーゲット４側の防着シールド板５ａとして、図３（ａ）
に示した第１の実施例の第１の変更例と同等のものが用
いられている。本実施例では、コリメート板６および基
板９側の防着シールド板７の外周に多数のハロゲンラン
プを設置してコリメート板６および防着シールド板７を
加熱している。
【００２５】本実施例のスパッタ装置を用いて第１の実
施例と同様のスパッタ条件で基板９上にＴｉＮ膜を形成
する。この時基板９は加熱しない。スパッタ中に導入し
た窒素ガスは物理的吸着により基板９や防着シールド板
５ａ、７やコリメート板６に吸着することによりＴｉ膜
を窒化し、ＴｉＮ膜を形成するが、物理的吸着は温度が
高いほど吸着確率が下がる。したがって、加熱していな
い基板９には多く窒素が吸着してＴｉＮ膜を形成するが
コリメート板６や防着シールド板７は加熱されているた
め窒素を吸着しにくく、ＴｉＮ膜は形成されずＴｉ膜が
形成される。Ｔｉ膜は密着性がよく剥がれにくいためパ
ーティクルの発生は少ない。
【００２６】図５は、本発明の第３の実施例の概略の構
成を示す図である。同図において、図４に示した第２の
実施例の部分と同等の部分については同一の参照番号が
付せられている。本実施例も第２の実施例と同様にコリ
メート板６や防着シールド板７を加熱するものであるが
その加熱方法が相違している。本実施例においては、防
着シールド板７のＴｉ膜が付着しない側にセラミックヒ
ータ１３が貼り付けられ加熱できるようになっている。
この方法ではセラミックヒータ１３が直接防着シールド
板７に接しているためスパッタ中の圧力等に影響されず
にヒータに流す電流のみで正確に温度制御できるという
利点がある。ヒータは防着シールド板７の中に埋め込ん
でもよい。
【００２７】また、基板９は加熱しないだけではなく積
極的に冷却した方がよい。基板９の冷却方法としては基
板９を静電吸着等で基板ホルダーに密着させ基板ホルダ
ー８は冷却水により水冷する方法や冷却したガスつまり
スパッタで使用するＡｒまたは窒素あるいはその両方を
基板ホルダー８から基板９の裏面に吹き付けて冷却する
方法等がある。
【００２８】これらの方法により基板９を室温に保った
まま、防着シールド板７を加熱しないでスパッタを行っ
た場合および２００℃と４００℃に加熱して行った場合
の直径６インチの基板上に付着した異物の数を表１に示
す。異物は０．３μｍ以上のものを数えている。異物の
数は１００枚の基板にＴｉＮ膜を形成し１０枚おきに異
物数を計測し、平均したものである。
【００２９】
【表１】
【００３０】防着シールド板が室温の場合では、基板と
同じように防着シールド板にＴｉＮ膜が形成され、スパ
ッタの枚数が増加するにつれてＴｉＮが粒状の異物とな
って基板上に付着しやすくなるため、異物の数も増加す
る。これに対し防着シールド板を２００℃程度に加熱す
るとガス導入口付近は若干ＴｉＮ膜が形成されるものの
それ以外にはＴｉＮ膜が形成されずに異物数も減少す
る。さらに防着シールド板を４００℃まで加熱すると防
着シールド板にはＴｉＮ膜はほとんど形成されないため
基板上の異物はさらに少なくなる。また、基板を冷却し
た場合、基板と防着シールド板７との温度差が同程度で
あれば同様の効果が得られた。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、コリメ
ートスパッタ法においてＴｉターゲットとコリメート板
の間にある防着シールド板を波形にする等の手段により
その実効表面積を大きくしたものであるので、Ｔｉター
ゲット付近へ流れようとする窒素ガスは防着シールド板
に吸着してそこに堆積するＴｉ膜を窒化するのに消費さ
れるため、大量の窒素を流してもＴｉターゲット表面の
窒化を抑制することができる。
【００３２】これにより従来のスパッタ装置に比べＴｉ
ターゲットを窒化することなく基板上にＴｉＮ膜を成膜
しうる窒素流量の範囲を３倍近くに拡げることができる
ため流量変化あるいは圧力変化の影響を受けにくくなり
安定して高速にＴｉＮ膜を形成できるようになる。ま
た、ウェハ間あるいはロット間で膜厚・膜質に差を生じ
させることなくＴｉＮ膜の形成が可能になる。
【００３３】また、基板周囲の防着シールド板やコリメ
ート板を加熱しあるいは基板を冷却する手段を採用した
場合には、基板には窒素が吸着しやすく防着シールド板
やコリメート板には窒素が吸着しにくくなるため、窒素
流量を低く抑えても基板上のＴｉＮ膜の成膜速度を一定
以上に維持することができる。さらに、窒素流量を低く
抑えることによりＴｉターゲットの窒化を抑制すること
ができる。この点に関連してターゲット側の防着シール
ド板の表面積を増加させる手段を同時に採用すれば一層
大きな効果を得ることができる。
【００３４】また、防着シールド板やコリメート板には
ＴｉＮ膜に比較して密着性がよく応力も小さいＴｉ膜が
形成されるため剥がれてパーティクルになる可能性が低
くなる。したがって、パーティクルの付着による膜質の
低下を回避することができ、さらにコリメート板や防着
シールド板の交換頻度を少なくすることができるため資
材、工数を削減してコストダウンを図ることができる。
また、従来例では、ＴｉＮ膜の成膜後にパーティクルを
発生しにくくするためにＴｉ膜を形成することが行われ
ていたが、本発明ではこの工程が不要となり、スループ
ットを向上させ、さらに１枚のターゲットで処理できる
基板枚数を増加させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施例のスパッタ装置の概略
構成図。
【図２】 本発明の第１の実施例の効果を説明するため
の、窒素流量およびＡｒ流量とＴｉＮ膜の成膜状況を示
すグラフ。
【図３】 本発明の第１の実施例における防着シールド
板の変更例を示す図。
【図４】 本発明の第２の実施例のスパッタ装置の概略
構成図。
【図５】 本発明の第３の実施例のスパッタ装置の概略
構成図。
【図６】 従来のスパッタ装置における窒素流量および
Ａｒ流量とＴｉＮ膜の成膜状況の関係を示すグラフ。
【符号の説明】
１ 真空室 ２ マグネトロンスパッタ電極 ３ 裏板 ４ Ｔｉターゲット ５、５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、７ 防着シールド板 ６ コリメート板 ８ 基板ホルダー ９ 基板 １０ ガス導入口 １１ 庇状部材 １２ ハロゲンランプ １３ セラミックヒータ

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 真空容器と、 前記真空容器の一方の側に配置されたターゲット保持部
    材と、 前記真空容器の他方の側に設置された基板ホルダーと、 前記ターゲット保持部材と前記基板ホルダーとの間に設
    置され、前記基板ホルダー上に装着された基板の法線方
    向に近い方向に進行するスパッタ粒子のみを通過させる
    フィルタと、 前記フィルタの前記基板ホルダー側に配置され、前記フ
    ィルタの外周部を覆う第１の防着シールド板と、 前記フィルタの前記ターゲット保持部材側に配置され、
    前記フィルタの外周部を覆う第２の防着シールド板と、
    を備えるＴｉＮ膜成膜用のスパッタ装置において、前記
    第２の防着シールド板には実効表面積が増加する加工が
    加えられていることを特徴とするスパッタ装置。
  2. 【請求項２】 前記実効表面積が増加する加工が、波形
    乃至凹凸を持つようにする加工または複数の庇状部材を
    付加することであることを特徴とする請求項１記載のス
    パッタ装置。
  3. 【請求項３】 真空容器と、 前記真空容器の一方の側に配置されたターゲット保持部
    材と、 前記真空容器の他方の側に設置された基板ホルダーと、 前記ターゲット保持部材と前記基板ホルダーとの間に設
    置され、前記基板ホルダー上に装着された基板の法線方
    向に近い方向に進行するスパッタ粒子のみを通過させる
    フィルタと、 前記フィルタの前記基板ホルダー側に配置され、前記フ
    ィルタの外周部を覆う第１の防着シールド板と、 前記フィルタの前記ターゲット保持部材側に配置され、
    前記フィルタの外周部を覆う第２の防着シールド板と、
    を備えるＴｉＮ膜成膜用のスパッタ装置において、前記
    第１の防着シールド板を加熱する手段が備えられている
    ことを特徴とするスパッタ装置。
  4. 【請求項４】 真空容器と、 前記真空容器の一方の側に配置されたターゲット保持部
    材と、 前記真空容器の他方の側に設置された基板ホルダーと、 前記ターゲット保持部材と前記基板ホルダーとの間に設
    置され、前記基板ホルダー上に装着された基板の法線方
    向に近い方向に進行するスパッタ粒子のみを通過させる
    フィルタと、 前記フィルタの前記基板ホルダー側に配置され、前記フ
    ィルタの外周部を覆う第１の防着シールド板と、 前記フィルタの前記ターゲット保持部材側に配置され、
    前記フィルタの外周部を覆う第２の防着シールド板と、
    を備えるＴｉＮ膜成膜用のスパッタ装置において、前記
    基板を冷却する手段が備えられていることを特徴とする
    スパッタ装置。
  5. 【請求項５】 前記基板を冷却する手段が、前記基板裏
    面に冷却されたガスを吹き付けるものであることを特徴
    とする請求項４記載のスパッタ装置。
  6. 【請求項６】 前記真空容器と前記第１の防着シールド
    板と前記フィルタによって囲まれた空間が前記ターゲッ
    ト保持部材側の空間とは前記フィルタを介してのみ連結
    されており、かつ、前記真空容器と前記第１の防着シー
    ルド板と前記フィルタによって囲まれた空間内に、反応
    性ガスを導入するガス導入管が開孔していることを特徴
    とする請求項１、３または４記載のスパッタ装置。
  7. 【請求項７】 Ｔｉターゲットと被加工基板との間に、
    該被加工基板の法線方向に近い方向に進行するスパッタ
    粒子のみを通過させるフィルタを配置し、 前記フィルタの前記被加工基板側に前記フィルタの外周
    部を覆う第１の防着シールド板を設けることにより、被
    加工基板を囲む空間がＴｉターゲットが存在する空間と
    は前記フィルタを介してのみ連結されるようにし、 前記フィルタの前記Ｔｉターゲット側に前記フィルタの
    外周部を覆う第２の防着シールド板を設け、 ターゲットをスパッタするとともに前記被加工基板の存
    在する空間内に窒素を含むガスを供給して、前記Ｔｉタ
    ーゲットの窒化が抑制された状態で前記被加工基板上に
    ＴｉＮ膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
  8. 【請求項８】 前記第２の防着シールド板は、多くのＴ
    ｉＮを吸着できるように表面積が増大せしめられている
    こと特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記第１の防着シールド板を加熱するこ
    と、前記被加工基板を冷却することのいずれか一方また
    は両方が行われること特徴とする請求項７記載の半導体
    装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記第１の防着シールド板と前記被加
    工基板の温度差を２００℃以上とすること特徴とする請
    求項９記載の半導体装置の製造方法。
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